CN113851596B

CN113851596B - 一种发光器件及其制作方法、显示基板

Info

Publication number: CN113851596B
Application number: CN202111146493.6A
Authority: CN
Inventors: 朱友勤; 李东
Original assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; Beijing BOE Technology Development Co Ltd
Priority date: 2021-09-28
Filing date: 2021-09-28
Publication date: 2024-04-19
Anticipated expiration: 2041-09-28
Also published as: CN113851596A

Abstract

本发明提供了一种发光器件及其制作方法、显示基板，涉及显示技术领域，该发光器件可以抑制对氧气的吸附，从而有效提高发光效率和寿命。该发光器件包括：电子传输层，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。

Description

一种发光器件及其制作方法、显示基板

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制作方法、显示基板。

背景技术

随着科技的发展，QLED(Quantum Dots Organic Light Emitting Diode，量子点有机发光二极管)受到较为广泛的应用。在QLED中使用氧化锌薄膜作为电子传输层时，氧化锌表面未成键的氧活性位点(氧悬挂键)会与空气中的氧气结合，形成无辐射复合，从而大幅降低QLED的发光效率和寿命。

发明内容

本发明的实施例提供一种发光器件及其制作方法、显示基板，该发光器件可以抑制对氧气的吸附，从而有效提高发光效率和寿命。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供了一种发光器件及其制作方法、显示基板，该发光器件包括：电子传输层，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。

可选的，所述保护基团包括羟基。

可选的，所述金属氧化物包括氧化锌。

可选的，所述氧化锌通过磁控溅射工艺形成。

可选的，所述发光器件还包括层叠设置的阴极、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；

所述电子传输层设置在所述阴极和所述发光层之间；所述空穴传输层设置在所述发光层远离所述电子传输层的一侧；所述阳极设置在所述空穴传输层远离所述发光层的一侧；所述空穴注入层设置在所述空穴传输层和所述阳极之间。

另一方面，提供了一种显示基板，包括上述的发光器件。

再一方面，提供了一种发光器件的制作方法，所述方法包括：

形成电子传输层；其中，所述电子传输层包括金属氧化物、以及与所述金属氧化物的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。

可选的，所述形成电子传输层包括：

通过磁控溅射工艺形成金属氧化物薄膜；

使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜，形成所述电子传输层。

可选的，所述弱酸水溶液包括乙酸水溶液或磷酸水溶液。

可选的，所述使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜包括：

配置所述弱酸水溶液；

将所述金属氧化物薄膜浸泡在所述弱酸水溶液中。

配置所述弱酸水溶液；

将所述弱酸水溶液旋涂到所述金属氧化物薄膜上。

可选的，所述弱酸水溶液中，弱酸的体积比浓度范围包括0.01-1％。

可选的，所述将所述金属氧化物薄膜浸泡在所述弱酸水溶液中的步骤中，浸泡时间范围包括1-10min，浸泡温度范围包括25-100℃。

本发明的实施例提供了发光器件，包括电子传输层，电子传输层包括金属氧化物、以及与金属氧化物的表面键合的保护基团，保护基团被配置为：降低金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。即保护基团可以钝化金属氧化物的表面缺陷，减少金属氧化物表面的无辐射复合，从而可以有效提高发光器件的发光效率和寿命。

上述说明仅是本申请技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本申请的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举本申请的具体实施方式。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的一种发光器件的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的电子传输层中的金属氧化物被羟基保护的示意图；

图4为ZnO的结构示意图；

图5为本发明实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的EQE随电压变化的曲线图；

图6为本发明实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的相对亮度随时间变化的曲线图；

图7为本发明实施例提供的电子传输层的AFM图；

图8为对比例提供的电子传输层的AFM图；

图9为本发明实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的电流密度随电压变化的曲线图；

图10为本发明实施例和对比例分别提供的电子传输层应用于图1结构得到的电流效率随电压变化的曲线图；

图11为本发明实施例提供的一种显示基板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明实施例提供了一种发光器件，参考图1和图2所示，该发光器件包括：电子传输层2，电子传输层2包括金属氧化物、以及与金属氧化物的表面键合的保护基团，保护基团被配置为：降低金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。

这里对于上述发光器件的类型不做具体限定，示例的，上述发光器件可以为图1所示的倒置型发光器件，包括阴极1、以及依次层叠设置在阴极1之上的电子传输层2、发光层3、空穴传输层4、空穴注入层5和阳极6。

当然，上述发光器件还可以为图2所示的正置型发光器件，包括阳极6、以及依次层叠设置在阳极6之上的空穴注入层5、空穴传输层4、发光层3、电子传输层2和阴极1。

这里对于电子传输层的厚度不做具体设置，示例的，电子传输层的厚度可以包括20-80nm，具体的，电子传输层的厚度可以20nm、40nm、60nm或者80nm。

这里对于上述保护基团的类型、数量等均不做具体限定，示例的，保护基团可以为羟基，当然也可以为其它保护基团。示例的，保护基团可以为一个，当然也可以为多个，具体均以实际应用为准。图3以保护基团为三个羟基为例进行绘示。

这里对于上述金属氧化物不做具体限定，示例的，金属氧化物可以是ZnO(氧化锌)或者TiO₂(二氧化钛)。目前，实际生产中多采用ZnO制作电子传输层。

现以金属氧化物为ZnO为例说明金属氧化物表面的活性位点。

相关技术中常以溶液法制备的ZnO纳米颗粒薄膜作为发光器件的电子传输层，但该ZnO纳米颗粒薄膜无法与高分辨率的发光器件很好的匹配。因此，本发明提出使用磁控溅射工艺制备ZnO薄膜作为电子传输层，通过磁控溅射工艺形成的ZnO薄膜可以与高分辨率的发光器件较好的匹配。

但是，磁控溅射工艺形成的ZnO具有如图4所示的结构，图4中a为O(氧原子)，b为Zn(锌原子)，即磁控溅射工艺形成的ZnO的结构为Zn-O-Zn-O。这样使得磁控溅射工艺形成的ZnO薄膜中，至少一个位于最外端的O中，O的一端没有与Zn结合(例如图4中的a1)，此时最外端的O中没有与Zn结合的一端就成为O活性位点(O悬挂键)，该O活性位点容易吸附空气中的氧气(O₂)，成为复合中心，增加ZnO表面的无辐射复合，造成磁控溅射工艺形成的ZnO应用于发光器件时，发光器件的发光效率和寿命均显著下降。

本发明实施例提供的发光器件中，电子传输层的金属氧化物表面键合了保护基团，该保护基团可以降低金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附，减少金属氧化物表面的无辐射复合，从而有效提高发光器件的发光效率和寿命。现以本发明实施例提供的金属氧化物为ZnO、保护基团为OH(羟基)为例说明如何抑制对氧气的吸附：OH可以钝化磁控溅射ZnO的表面缺陷，使得ZnO的极性表面和非极性表面均可以形成稳定的HO-ZnO结构，从而降低ZnO表面的O活性位点，如图3所示，抑制对氧气的吸附。这里的HO-ZnO结构可以通过傅立叶变化红外光谱和X射线光电子能谱测得，通过实验验证，位于531.9eV的特征峰代表HO-ZnO结构。

并且，将本发明实施例提供的电子传输层的金属氧化物为磁控溅射形成的ZnO、保护基团为OH作为本实施例，以电子传输层的金属氧化物为磁控溅射形成的ZnO作为对比例为例，说明如图5所述的本实施例和对比例的电子传输层应用于图1结构得到的发光器件的发光效率，以及如图6所述的本实施例和对比例的电子传输层应用于图1结构得到的发光器件的寿命。参考图5所示，L1和L2分别为本实施例和对比例的电子传输层应用于图1结构测得的外量子效率(External Quantum Efficiency，EQE)随电压变化的曲线图，其中，横坐标为电压，单位是伏特(V)，纵坐标为外量子效率，单位是百分百(％)。由图5得到，在相同电压下，L1大于L2，即本实施例的电子传输层应用于发光器件中，可以显著提升发光器件的发光效率。参考图6所示，L3和L4分别为本实施例和对比例的电子传输层应用于图1结构测得的相对亮度随时间变化的曲线图，其中，横坐标为时间，单位是小时(h)，纵坐标是相对亮度。由图6得到，随时间增大，在同一起始亮度下，L3比L4的相对亮度衰减变缓，即本实施例的电子传输层应用于发光器件中，可以显著提升发光器件的寿命。

另外，将本实施例和对比例的电子传输层置于AFM(Atomic Force Microscope，原子力显微镜)下，分别测得如图7和图8所示的电子传输层中20um×20um面积的表面粗糙度图。参考图7所示，本实施例的电子传输层中包括多个尖刺，尖刺的最大高度为1.9nm，此时计算得到的电子传输层的均方根粗糙度(Rq)为0.5nm；参考图8所示，对比例的电子传输层中包括多个尖刺，尖刺的最大高度可以超过7nm，此时计算得到的电子传输层的Rq为1.8。将图7和图8对比可知，与对比例相比，本实施例提供的电子传输层表面尖刺的最大高度和均方根粗糙度均显著减小。这样将本实施例提供的电子传输层应用于图1结构中时，可以有效降低电子传输层中尖刺戳穿发光层的风险，从而减小电子传输层和空穴传输层直接接触的风险，进而减小发光器件中的电流密度，使得发光器件中的电流效率增大，这可以由图9和图10得到。参考图9所示，L5和L6分别为本实施例和对比例的电子传输层应用于图1结构测得的电流密度随电压变化的曲线图，其中，横坐标为电压，单位是伏特(V)，纵坐标为电流密度，单位是毫安每平方厘米(mA/cm²)。由图9得到，在相同电压下，L5比L6的电流密度显著减小。参考图10所示，L7和L8分别为本实施例和对比例的电子传输层应用于图1结构测得的电流效率随电压变化的曲线图，其中，横坐标为电压，单位是伏特(V)，纵坐标是电流效率，单位是坎德拉每安(cd/A)。由图10得到，在相同电压下，L7比L8的电流密度大。

可选的，参考图3所示，保护基团包括羟基。这样可以使得金属氧化物表面的活性位点被羟基保护，从而避免与空气中的氧气结合。

为了更好的传输电子，提升电子传输层的性能，因此可选的，金属氧化物包括氧化锌。

使用磁控溅射工艺制备的氧化锌薄膜作为电子传输层时，可以与高分辨率的发光器件较好的匹配，因此可选的，氧化锌通过磁控溅射工艺形成。

可选的，参考图1和图2所示，发光器件还包括层叠设置的阴极1、发光层3、空穴传输层4、空穴注入层5和阳极6。

电子传输层2设置在阴极1和发光层3之间；空穴传输层4设置在发光层3远离电子传输层2的一侧；阳极6设置在空穴传输层4远离发光层3的一侧；空穴注入层5设置在空穴传输层4和阳极6之间。

这里对于上述阴极的材料、厚度等均不做具体限定，示例的，阴极的材料可以为ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)，厚度可以为100nm。

这里对于上述空穴传输层的材料、厚度等均不做具体限定，示例的，空穴传输层的材料可以为NPB(N,N′-二苯基-N,N′-(1-萘基)-1,1′-联苯-4,4′-二胺)，厚度可以为110nm。

这里对于上述空穴注入层的材料、厚度等均不做具体限定，示例的，空穴注入层的材料可以为CuPc(酞菁铜)，厚度可以为15nm。

这里对于上述发光层的材料、厚度等均不做具体限定，示例的，发光层的材料可以为核壳结构的量子点材料，该核壳结构包括内核层和包围内核层的包覆层，内核层的材料为硒化镉(CdSe)或者硫化镉(CdS)，包覆层的材料为硫化锌(ZnS)、氧化锌(ZnO)、硒化锌(ZnSe)中的任一种。实际中，多采用硒化镉形成内核层、硫化锌形成包覆层。厚度可以为30nm。

上述发光层包括的核壳结构的量子点可以为图案化后的量子点，包括红色量子点(R)、绿色量子点(G)和蓝色量子点(B)，包括该发光层的发光器件可用于实现彩色显示。当然，发光层包括的量子点也可以是单一颜色的量子点，此时，包括该发光层的发光器件可用于单一颜色的显示。

这里对于上述阳极的材料、厚度等均不做具体限定，示例的，阳极的材料可以为Ag(银)，厚度可以包括80-200nm，具体的，阳极的厚度可以为80nm、120nm、160nm或者200nm。

本发明实施例又提供了一种显示基板，包括上述的发光器件。

该显示基板可用于形成高分辨率的QLED显示面板，或者还可以用于形成包括该QLED显示面板的电视、数码相机、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。该QLED显示面板可以是柔性的触控显示面板(即可弯曲、可折叠)，这里不做限定。该显示基板具有发光效率高、寿命长、显示效果好、稳定性高、对比度高等优点。

本发明实施例还提供了一种发光器件的制作方法。

该方法包括：

S1、形成电子传输层。

其中，电子传输层包括金属氧化物、以及与金属氧化物的表面键合的保护基团，保护基团被配置为：降低金属氧化物表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附。

这里对于上述S1、形成电子传输层的工艺不做具体限定，示例的，可以使用磁控溅射工艺形成电子传输层，当然不限于此，具体以实际应用为准。

因此，通过上述步骤S1可以钝化金属氧化物的表面缺陷，减少金属氧化物表面的无辐射复合，从而可以有效提高发光器件的发光效率和寿命。

可选的，上述S1、形成电子传输层包括：

S10、通过磁控溅射工艺形成金属氧化物薄膜。

这里对于上述磁控溅射工艺的温度、气体及其流速比例等均不做具体限定，示例的，在室温、以及氩气和氧气的流速比例为40:1下进行磁控溅射。

S11、使用弱酸水溶液处理金属氧化物薄膜，形成电子传输层。

上述弱酸水溶液可以提供H⁺。现以金属氧化物薄膜为ZnO薄膜为例，说明弱酸水溶液处理金属氧化物薄膜的过程。磁控溅射工艺形成的ZnO中的O活性位点可以通过吸附H⁺形成HO-ZnO结构：O-ZnO^-+H⁺→HO-ZnO，从而生成HO-ZnO结构，降低ZnO表面的活性位点，抑制对氧气的吸附。

上述弱酸水溶液包括乙酸水溶液或磷酸水溶液。

现以弱酸水溶液为乙酸水溶液(CH₃COOH)，金属氧化物薄膜为ZnO薄膜为例，说明乙酸水溶液处理ZnO薄膜的过程。乙酸水溶液可以提供H⁺：CH₃COOH→CH₃COO^-+H⁺，该H⁺可以与O-ZnO^-中的O^-结合：O-ZnO^-+H⁺→HO-ZnO，从而生成HO-ZnO结构。

可选的，上述S11、使用弱酸水溶液处理金属氧化物薄膜包括：

S110、配置弱酸水溶液。

上述配置的弱酸水溶液中，对于弱酸的体积比浓度不做具体限定，示例的，弱酸的体积比浓度范围包括0.01-1％，具体的，弱酸的体积比浓度可以为0.01％、0.1％、0.5％、0.8％或者1％。

这里对于如何配置上述弱酸水溶液不做具体限定，以实际需要为准。

S111、将金属氧化物薄膜浸泡在弱酸水溶液中。

这里对于将金属氧化物薄膜浸泡在弱酸水溶液中的浸泡时间、温度等均不做具体限定，示例的，浸泡时间范围包括1-10min，具体的，浸泡时间可以为1min、2min、4min、6min、8min或者10min。

示例的，浸泡温度范围包括25-100℃，具体的，浸泡温度可以为25℃、40℃、60℃、80℃或者100℃。

S110、配置弱酸水溶液。

S112、将弱酸水溶液旋涂到金属氧化物薄膜上。

这里对于如何旋涂弱酸水溶液到金属氧化物薄膜上不做具体限定，以实际需要为准。

分别采用两种不同的制作工艺均可以得到图1所示的发光器件，再在该发光器件上盖上盖玻片，得到图11所示的一种显示基板。参考图11所示，显示基板包括ITO基板11、以及在ITO基板11上依次层叠设置的ZnO薄膜12、量子点发光层13、NPB层14、CuPc层15、银电极16和盖玻片17。现分别具体说明这两种制作工艺。

下面以图11所示的结构为例，说明该结构的第一种具体制作工艺。

S20、参考图11所示，形成ITO基板11。

上述S20、形成ITO基板包括：S200、在衬底上形成薄膜晶体管和ITO电极，形成ITO基板。

这里对于上述衬底的材料不做限定，其可以包括刚性材料，例如：玻璃；或者，还可以包括柔性材料，例如：聚酰亚胺(PI)。

这里对于上述ITO层的厚度不做具体限定，示例的，上述ITO层的厚度可以为100nm。

这里对于上述薄膜晶体管的类型不做具体限定。根据电极的位置关系，上述薄膜晶体管可以包括两种类型：一类是栅极位于源极和漏极的下面，这类称之为底栅型薄膜晶体管；一类是栅极位于源极和漏极的上面，这类称之为顶栅型薄膜晶体管。对于任一类型的薄膜晶体管，均会包括有源层、栅绝缘层、栅极、源极和漏极。

S21、参考图11所示，清洗并干燥ITO基板11。

上述S21、清洗并干燥ITO基板包括：S210、先采用去离子水在超声下清洗ITO基板，再采用异丙醇在超声下清洗ITO基板，然后将ITO基板用氮气吹干，再烘烤干燥。

这里对于上述干燥温度、干燥时间等均不做具体限定，示例的，上述干燥温度可以为135℃，上述干燥时间可以为5min。

S22、参考图11所示，处理ITO基板11，钝化ITO基板11的表面缺陷。

上述S22、处理ITO基板，钝化ITO基板的表面缺陷包括：S220、将ITO基板置于紫外、臭氧中进行钝化。

这里对于上述钝化的时间、温度等均不做具体限定，示例的，上述钝化时间可以为10min。

S23、参考图11所示，在ITO基板11上通过磁控溅射工艺形成ZnO薄膜12。

具体的，上述磁控溅射工艺的温度可以为室温。

S24、参考图11所示，钝化ZnO薄膜12中ZnO表面的氧空位。

上述S24、钝化ZnO薄膜中ZnO表面的氧空位包括：S240、将ZnO薄膜置于大气环境中进行退火处理，钝化ZnO表面的氧空位。

这里对于上述退火处理的温度、时间等均不做具体限定，示例的，上述退火处理的温度可以为200℃，上述退火处理的时间可以为10min。

参考图4所示，磁控溅射工艺形成的ZnO的结构为Zn-O-Zn-O，这样如果Zn与Zn之间的O如果缺失，就会形成氧空位，从而影响ZnO薄膜的性能。通过上述步骤可以钝化ZnO薄膜中ZnO表面的氧空位，从而减小对ZnO薄膜性能的影响。

S25、参考图11所示，将ITO基板11和ZnO薄膜12浸泡在乙酸水溶液中。

这里对于上述乙酸水溶液的体积比浓度、浸泡温度、浸泡时间等均不做具体限定。示例的，上述乙酸水溶液的体积比浓度可以为0.01％，上述浸泡温度可以为室温，上述浸泡时间可以为5min。

这里的乙酸水溶液可以提供H⁺：CH₃COOH→CH₃COO^-+H⁺，该H⁺可以与O-ZnO^-中的O^-结合：O-ZnO^-+H⁺→HO-ZnO，从而降低ZnO表面的活性位点，抑制对氧气的吸附。

S26、参考图11所示，干燥ITO基板11和ZnO薄膜12。

上述S26、干燥ITO基板和ZnO薄膜包括：S260、将ITO基板和ZnO薄膜用氮气吹干，再烘烤干燥。

S27、参考图11所示，在ZnO薄膜12上形成量子点发光层13并干燥。

上述对于形成量子点发光层的工艺不做具体限定，示例的，可以将量子点旋涂法在ZnO薄膜上，形成量子点发光层。

这里对于上述干燥温度、干燥时间等均不做具体限定，示例的，上述干燥温度可以为120℃，上述干燥时间可以为10min。

S28、参考图11所示，在量子点发光层13上依次形成NPB层14、CuPc层15和银电极16。

这里对于上述如何形成NPB层、CuPc层和银电极均不做具体限定，示例的，可以使用真空蒸镀工艺分别形成上述NPB层、CuPc层和银电极，具体的，可以采用蒸镀机进行上述真空蒸镀。

S29、参考图11所示，在银电极16上形成盖玻片17。

这里对于上述盖玻片的材料、厚度等均不做具体限定，示例的，上述盖玻片可以为玻璃，上述盖玻片的厚度可以为50nm。

下面以图11所示的结构为例，说明该结构的第二种具体制作工艺。

S30、参考图11所示，形成ITO基板11。

上述S30、形成ITO基板包括：S300、在衬底上形成薄膜晶体管和ITO电极，形成ITO基板。

S31、参考图11所示，清洗并干燥ITO基板11。

上述S31、清洗并干燥ITO基板包括：S310、先采用去离子水在超声下清洗ITO基板，再采用异丙醇在超声下清洗ITO基板，然后将ITO基板用氮气吹干，再烘烤干燥。

S32、参考图11所示，处理ITO基板11，钝化ITO基板11的表面缺陷。

S33、参考图11所示，在ITO基板11上通过磁控溅射工艺形成ZnO薄膜12，并钝化ZnO薄膜12中ZnO表面的氧空位。

这里对于上述磁控溅射工艺的温度、气体及其流速比例等均不做具体限定，示例的，上述磁控溅射工艺的温度可以为200℃，上述磁控溅射工艺中氩气和氧气的流速比例为40:1。这样可以在磁控溅射工艺形成ZnO薄膜的同时，钝化ZnO薄膜中ZnO表面的氧空位。参考图4所示，磁控溅射工艺形成的ZnO的结构为Zn-O-Zn-O，这样如果Zn与Zn之间的O如果缺失，就会形成氧空位，从而影响ZnO薄膜的性能。通过钝化ZnO薄膜中ZnO表面的氧空位可以减小对ZnO薄膜性能的影响。

S34、参考图11所示，将ITO基板11和ZnO薄膜12浸泡在磷酸水溶液中。

这里对于上述磷酸水溶液的体积比浓度、浸泡温度、浸泡时间等均不做具体限定。示例的，上述磷酸水溶液的体积比浓度可以为1％，上述浸泡温度可以为室温，上述浸泡时间可以为5min。

这里的磷水溶液可以提供H⁺：H₃PO₄→PO₄ ^-+3H⁺，该H⁺可以与O-ZnO^-中的O^-结合：O-ZnO^-+H⁺→HO-ZnO，从而降低ZnO表面的活性位点，抑制对氧气的吸附。

S35、参考图11所示，干燥ITO基板11和ZnO薄膜12。

上述S35、干燥ITO基板和ZnO薄膜包括：S350、将ITO基板和ZnO薄膜用氮气吹干，再烘烤干燥。

S36、参考图11所示，在ZnO薄膜12上形成量子点发光层13并干燥。

S37、参考图11所示，在量子点发光层13上依次形成NPB层14、CuPc层15和银电极16。

S38、参考图11所示，在银电极16上形成盖玻片17。

本发明实施例中关于发光器件的结构说明可以参考上述实施例，这里不再赘述。

本文中所称的“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本申请的至少一个实施例中。

在此处所提供的说明书中，说明了大量具体细节。然而，能够理解，本申请的实施例可以在没有这些具体细节的情况下被实践。在一些实例中，并未详细示出公知的方法、结构和技术，以便不模糊对本说明书的理解。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

1.一种发光器件，其特征在于，包括电子传输层，所述电子传输层包括金属氧化物薄膜、以及与所述金属氧化物薄膜的表面键合的保护基团，所述保护基团被配置为：降低所述金属氧化物薄膜表面的活性位点，以抑制对氧气的吸附；

所述电子传输层是使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜形成的；所述金属氧化物薄膜是通过磁控溅射工艺形成的。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述保护基团包括羟基。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述金属氧化物薄膜包括氧化锌。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述氧化锌通过磁控溅射工艺形成。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括层叠设置的阴极、发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极；

6.一种显示基板，其特征在于，包括权利要求1-5任一项所述的发光器件。

7.一种如权利要求1-5任一项所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

8.根据权利要求7所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述形成电子传输层包括：

通过磁控溅射工艺形成金属氧化物薄膜；

9.根据权利要求8所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述弱酸水溶液包括乙酸水溶液或磷酸水溶液。

10.根据权利要求8所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜包括：

配置所述弱酸水溶液；

将所述金属氧化物薄膜浸泡在所述弱酸水溶液中。

11.根据权利要求8所述的发光器件的制作方法，其特征在于，所述使用弱酸水溶液处理所述金属氧化物薄膜包括：

配置所述弱酸水溶液；

将所述弱酸水溶液旋涂到所述金属氧化物薄膜上。

12.根据权利要求10或11所述的发光器件的制作方法，其特征在于，

所述弱酸水溶液中，弱酸的体积比浓度范围包括0.01-1％。

13.根据权利要求10所述的发光器件的制作方法，其特征在于，

所述将所述金属氧化物薄膜浸泡在所述弱酸水溶液中的步骤中，浸泡时间范围包括1-10min，浸泡温度范围包括25-100℃。