CN113838993A - 显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置包括基底、设置在基底上的发光元件、设置在发光元件上的封盖层、设置在封盖层上且在底部包括无机层的薄膜封装层和设置在薄膜封装层上且与发光元件重叠的波长转换图案。封盖层包括设置在发光元件上的第一子封盖层和设置在第一子封盖层和无机层之间的第二子封盖层，并且第二子封盖层的折射率大于无机层的折射率且小于第一子封盖层的折射率。
Description
本申请要求于2020年6月24日提交的韩国专利申请第10-2020-0077022号的优先权以及从其获得的所有权益，其内容以其整体通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及显示装置。
背景技术
随着多媒体的发展，显示装置变得越来越重要。因此，正在开发各种显示装置，比如液晶显示装置和有机发光二极管显示装置。
在显示装置中，自发光显示装置包括自发光元件，比如有机发光二极管。自发光元件可以包括彼此面对的两个电极和介于两个电极之间的发光层。当自发光元件为有机发光二极管时，从两个电极提供的电子和空穴可在发光层中复合以产生激子。当产生的激子从激发态变为基态时，可以发射光。
因为自发光显示装置不需要光源比如背光单元，所以自发光显示装置可以消耗低功率，可以制造得轻而薄，并且可以具有宽视角、高亮度和对比度以及快速响应速度。由于这些高质量的特性，自发光显示装置作为下一代显示装置正引起注意。
发明内容
作为使显示装置的每个像素唯一地显示一种原色的一种方式，颜色转换图案或波长转换图案可以放置在从光源延伸到观看者的光路上的每个像素中。
本发明的特征提供了具有改善的可靠性和光效率的显示装置。
然而，本发明的特征不限于本文阐述的特征。通过参考下面给出的本发明的详细描述，本发明的上述和其它特征对于本发明所属领域的普通技术人员来说将变得更加显而易见。
显示装置的实施方式包括基底、设置在基底上的发光元件、设置在发光元件上并且包括设置在发光元件上的第一子封盖层和设置在第一子封盖层上的第二子封盖层的封盖层、设置在封盖层上并且在底部包括无机层的薄膜封装层，以及设置在薄膜封装层上并且与发光元件重叠的波长转换图案，其中第二子封盖层的折射率大于无机层的折射率且小于第一子封盖层的折射率。
显示装置的实施方式包括基底，设置在基底上的发光元件，设置在发光元件上并且包括设置在发光元件上的第一子封盖层和设置在第一子封盖层上的第二子封盖层的第一封盖层，包括设置在第一封盖层上的第一下无机层、设置在第一下无机层上的第一有机层和设置在第一有机层上的第一上无机层的薄膜封装层，设置在薄膜封装层上并且与发光元件重叠的波长转换图案，设置在波长转换图案上的第二封盖层，设置在第二封盖层上并且与波长转换图案重叠的滤色器，以及设置在滤色器上并且包括第二下无机层、设置在第二下无机层上的第二有机层和设置在第二有机层上的第二上无机层的上薄膜封装层，其中第二子封盖层的折射率小于第一子封盖层的折射率，并且第一下无机层的折射率小于第二子封盖层的折射率。
附图说明
结合附图，从以下实施方式的描述中，这些和/或其它特征和优点将变得显而易见并且更容易理解，在附图中：
图1为显示装置的实施方式的透视图；
图2A为沿着图1的线X1-X1’截取的显示装置的实施方式的截面图；
图2B为图2A的另一实施方式的截面图；
图3为图1的部分Q1的放大平面图，更具体地，为包括在图1的显示装置中的显示基板的平面图；
图4为图1的部分Q1的放大平面图，更具体地，为包括在图1的显示装置中的颜色转换基板的平面图；
图5为图3的另一实施方式的平面图；
图6为图4的另一实施方式的平面图；
图7为沿着图3和图4的线X3-X3’截取的的显示装置的实施方式的截面图；
图8为图7的部分Q3的放大截面图；
图9为图8中所阐释的结构的另一实施方式的截面图；
图10为图7的部分Q5的放大截面图；
图11为阐释根据折射率变化的消光系数变化的曲线图；
图12为阐释根据封盖层的结构的光效率的曲线图；
图13为图10的另一实施方式的截面图；
图14为图10的另一实施方式的截面图；
图15为图10的另一实施方式的截面图；
图16为图10的另一实施方式的截面图；
图17为图10的另一实施方式的截面图；
图18为阐释显示装置的颜色转换基板中第三滤色器和颜色图案的布置的实施方式的平面图；
图19为阐释显示装置的颜色转换基板中阻光图案的布置的实施方式的平面图；
图20为阐释显示装置的颜色转换基板中第一滤色器的布置的实施方式的平面图；
图21为阐释显示装置的颜色转换基板中第二滤色器的布置的实施方式的平面图；
图22为阐释显示装置的颜色转换基板中的堤坝图案、第一波长转换图案、第二波长转换图案和光透射图案的布置的实施方式的平面图；
图23为沿着图3和图4的线X3-X3’截取的显示装置的实施方式的截面图；
图24为沿着图3和图4的线X3-X3’截取的显示装置的实施方式的截面图；
图25为图24的部分Q7的放大截面图；以及
图26为图25的另一实施方式的截面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明的实施方式，其中示出了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式体现，并且不应该被解释为限于本文阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以便使本公开将是全面的和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。
本文使用的术语仅仅是为了描述特定的实施方式，而不旨在限制本发明构思。如本文所使用的，单数形式“一个”、“一种”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。将进一步理解，当术语“包括”和/或“包含”在本说明书中使用时，指定所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
也应当理解，当一个层被称为“在”另一层或基板“上”时，它可直接在另一层或基板，或者也可存在中间层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
应当理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分。因此，下面讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不脱离本发明构思的教导。
本文中参照平面图示和截面图示描述实施方式，该平面图示和截面图示是本公开的理想化实施方式的示意性图示。正因如此，例如由于制造技术和/或公差导致的图示的形状的变化是可以预期的。因此，本公开的实施方式不应被解释为限于本文中所阐释区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。因此，图中所阐释的区域本质上可以是示意性的，并且它们的形状不旨在阐释装置区域的实际形状，并且也不旨在限制本公开的范围。
考虑所讨论的测量和与特别的数量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文使用的“约”或“大约”包括叙述的值并且意味着在如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受偏差的范围内。例如，“约”可意味着在一个或多个标准偏差内，或在叙述的值的±30％、20％、10％或5％内。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还应当理解，术语比如在常用词典中限定的那些术语，应当被解释为具有与它们在相关领域的背景中和本发明中的含义一致的含义，并且除非在本文中如此明确定义，否则不会以理想化或过于正式的意义来解释。
本文参考作为理想的实施方式的示意性图示的截面图示描述了实施方式。正因如此，应预期由例如制造技术和/或公差造成的图示的形状的变化。因此，本文描述的实施方式不应解释为限于如本文阐释的区域的特定形状，而是包括由例如制造造成的形状的偏差。在实施方式中，阐释为或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的特征和/或非线性特征。而且，阐释的锐角可以是圆形的。因此，图中所阐释的区域本质上为示意性的并且它们的形状不旨在阐释区域的精确形状并且不旨在限制本权利要求的范围。
下文，将参考附图描述本发明的实施方式。
图1为显示装置1的实施方式的透视图。图2A为沿着图1的线X1-X1’截取的显示装置1的实施方式的截面图。图2B为图2A的另一实施方式的截面图。
参考图1、图2A和图2B，显示装置1可应用于各种电子装置，包括中小型电子装置，比如平板电脑(“PC”)、智能电话、汽车导航单元、照相机、汽车中提供的中心信息显示器(“CID”)、手表式电子装置、个人数字助理(“PDA”)、便携式多媒体播放器(“PMP”)和游戏机，以及大中型电子装置，比如电视、外部广告牌、监视器、与监视器集成的台式计算机和笔记本电脑。然而，这些仅仅是示例，并且显而易见的是，在不脱离本发明构思的情况下，其它电子装置中也可以采用显示装置1。
在一些实施方式中，显示装置1在平面图中可以是矩形的。显示装置1可包括在第一方向X上延伸的两个第一侧和在与第一方向X相交的第二方向Y上延伸的两个第二侧。显示装置1的第一侧和第二侧相遇的拐角可以是直角的。然而，本发明不限于此，并且拐角也可以是弯曲的。在一些实施方式中，第一侧的长度可不同于第二侧的长度，但本发明不限于此。显示装置1的平面的形状不限于上面示例并且也可为圆形形状或其它形状。
显示装置1可包括显示图像的显示区DA和不显示图像的非显示区NDA。在一些实施方式中，非显示区NDA可设置在显示区DA周围并且可围绕显示区DA。显示在显示区DA中的图像可以由用户在与图中的第一方向X和第二方向Y相交的第三方向Z上的箭头指向的方向上观看。对于显示装置1的示意性堆叠结构，在一些实施方式中，如图2A中所阐释，显示装置1包括显示基板10和面对显示基板10的颜色转换基板30，并且可进一步包括结合显示基板10和颜色转换基板30的密封部分50以及填充显示基板10和颜色转换基板30之间的空间的填料70。显示基板10可包括用于显示图像的元件和电路(例如，像素电路比如晶体管)，在显示区DA中限定发光区域和非发光区域的像素限定层，以及自发光元件。在实施方式中，自发光元件可包括有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机材料的微型发光二极管(例如，微型“LED”)和基于无机材料的纳米发光二极管(例如，纳米LED)中的至少一种。为了易于描述，下面将描述自发光元件为有机发光二极管。
多个发光区域可限定在显示基板10的显示区DA中。在实施方式中，如将在图3中描述，例如，第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域可限定在显示基板10中。第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域可形成一个组(例如，“发光区域组”)，并且多个这样的发光区域组可限定在显示区DA中。显示基板10的对应于图1的部分Q1的一部分可表示一个发光区域组。在一些实施方式中，发光区域组可沿着第一方向X和第二方向Y重复地设置。稍后将更详细描述的第一发光区域、第二发光区域和第三发光区域。
对于显示基板10的示意性堆叠结构，发光元件ED可设置在第一基底110上，第一封盖层160可设置在发光元件ED上以覆盖发光元件ED，并且薄膜封装层170可设置在第一封盖层160上以覆盖第一封盖层160。稍后将描述显示基板10的详细堆叠结构。
发光元件ED可设置在显示区DA中。在一些实施方式中，发光元件ED可分别与发光区域重叠。每个发光元件ED可包括阳极AE、设置在阳极AE上的发光层OL和设置在发光层OL上的阴极CE。在一些实施方式中，阴极CE的一部分也可设置在非显示区NDA中。稍后将更详细地描述阳极AE、发光层OL和阴极CE。
第一封盖层160可设置在阴极CE上。在一些实施方式中，第一封盖层160可遍及显示区DA和非显示区NDA设置并且可覆盖发光元件ED。在一些实施方式中，第一封盖层160的端部可比阴极CE的端部设置在相对更外侧处，并且第一封盖层160可覆盖阴极CE。
在一些实施方式中，第一封盖层160的端部可比密封部分50设置在相对更内侧处，并且可与密封部分50隔开。稍后将更详细地描述第一封盖层160。
薄膜封装层170可设置在第一封盖层160上。在一些实施方式中，薄膜封装层170可设置在显示区DA和非显示区NDA上方并且可完全覆盖第一封盖层160。
在一些实施方式中，薄膜封装层170可包括设置在第一封盖层160上的第一下无机层171，设置在第一下无机层171上的第一有机层173以及设置在第一有机层173上的第一上无机层175。在一些实施方式中，第一下无机层171的端部和第一上无机层175的端部可比第一有机层173的端部设置在相对更外侧处，并且第一下无机层171和第一上无机层175可在非显示区NDA中彼此接触。
在一些实施方式中，薄膜封装层170的端部可比第一封盖层160的端部设置在相对更外侧处。在实施方式中，例如，第一下无机层171的端部和第一上无机层175的端部可比第一封盖层160的端部设置在相对更外侧处，并且第一下无机层171和第一上无机层175可完全覆盖第一封盖层160。相应地，可能防止水分或氧气渗透到第一封盖层160中并使第一封盖层160变性。
稍后将更详细地描述薄膜封装层170。
颜色转换基板30可设置在显示基板10上并且可面对显示基板10。在一些实施方式中，颜色转换基板30可包括转换入射光的颜色的颜色转换图案。在一些实施方式中，颜色转换基板30可包括滤色器和波长转换图案中的至少任何一种作为颜色转换图案。在一些实施方式中，颜色转换基板30可包括滤色器和波长转换图案两者。
在显示区DA中，可在颜色转换基板30中限定多个透光区域。在实施方式中，如将在图4中描述，例如，可在颜色转换基板30中限定第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域。第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域可形成一个组(例如，“透光区域组”)，并且多个这样的透光区域组可限定在显示区DA中。颜色转换基板30的对应于图1的部分Q1的一部分可表示一个透光区域组。在一些实施方式中，透光区域组可沿着第一方向X和第二方向Y重复地设置，并且可对应于发光区域组。稍后将更详细地描述第一透光区域、第二透光区域和第三透光区域。
密封部分50可设置在非显示区NDA中的显示基板10和颜色转换基板30之间。密封部分50可沿着显示基板10和颜色转换基板30的边缘设置在非显示区NDA中，以在平面图中围绕显示区DA。显示基板10和颜色转换基板30可通过密封部分50彼此结合。
在一些实施方式中，密封部分50可包括有机材料。在实施方式中，例如，密封部分50可包括但不限于环氧树脂。
在一些实施方式中，密封部分50可与显示基板10的薄膜封装层170重叠。换句话说，如图2A中所阐释，密封部分50可设置在非显示区NDA中的薄膜封装层170和颜色转换基板30之间。在一些实施方式中，密封部分50可直接接触薄膜封装层170。在实施方式中，如图2A中所阐释，例如，密封部分50可与薄膜封装层170的第一下无机层171和第一上无机层175重叠并且可直接接触第一上无机层175。
然而，本发明不限于此。密封部分50和薄膜封装层170之间的关系也可如图2B中所阐释的进行改变。具体地，如在图2B中所阐释，密封部分50可不与薄膜封装层170重叠。换句话说，如在图2B中所阐释，显示基板10’的薄膜封装层170的端部可比密封部分50设置在相对更内侧处，并且薄膜封装层170和密封部分50可不彼此重叠。
下面将描述具有图2A中所阐释的结构的显示基板10的情况作为示例。然而，本发明不限于此，并且稍后将描述的实施方式的显示基板上的密封部分50和薄膜封装层170之间的关系也可如图2B中所阐释的进行改变。
填料70可设置在显示基板10和颜色转换基板30之间的空间中，并且被密封部分50围绕。填料70可填充显示基板10和颜色转换基板30之间的空间。
在一些实施方式中，填料70可包括能够透射光的材料。在一些实施方式中，填料70可包括有机材料。在实施方式中，例如，填料70可包括硅类有机材料、环氧类有机材料或者硅类有机材料和环氧类有机材料的组合。
在一些实施方式中，填料70可包括消光系数基本为零的材料。折射率和消光系数是相关的，并且消光系数随着折射率的降低而降低。在实施方式中，例如，当折射率为约1.7或更小时，消光系数可收敛到基本为零。在一些实施方式中，例如，填料70可包括具有约1.7或更小的折射率的材料。相应地，可以防止或最小化由自发光元件提供的光透射通过填料70并被填料70吸收。在一些实施方式中，例如，填料70可包括具有约1.4至约1.6的折射率的有机材料。
图3为图1的部分Q1的放大平面图，更具体地，为包括在图1的显示装置1中的显示基板10的平面图。图4为图1的部分Q1的放大平面图，更具体地，为包括在图1的显示装置1中的颜色转换基板30的平面图。图5为图3的另一实施方式的平面图。图6为图4的另一实施方式的平面图。
除了图1、图2A和图2B之外，参考图3至图6，在显示区DA中，可在显示基板10中限定多个发光区域和非发光区域NLA。在一些实施方式中，可在显示基板10中限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3。第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个可为由显示基板10的发光元件产生的光发射出显示基板10的区域，并且非发光区域NLA可为光不发射出显示基板10的区域。
在一些实施方式中，从第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3发射的光可为第三颜色的光。在一些实施方式中，例如，第三颜色的光可为蓝光并且可具有在约440纳米(nm)至约480nm的范围内的峰值波长。
在一些实施方式中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可形成一个组，并且多个这样的组可限定在显示区DA中。
在一些实施方式中，第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可沿着第一方向X顺序设置，如图3中所阐释。在一些实施方式中，形成一个组的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3可沿着第一方向X和第二方向Y重复地布置在显示区DA中。
然而，本发明不限于此，并且第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3的布置可以不同地改变。在实施方式中，如图5中所阐释，例如，第一发光区域LA1和第二发光区域LA2可沿着第一方向X彼此邻近，并且第三发光区域LA3可沿着第二方向Y设置在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧上。
下面将描述第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3如图3中所阐释地布置的情况作为示例。
在一些实施方式中，显示基板10的非显示区NDA可设置在显示区DA周围并且可围绕显示区DA。
在显示区DA中，可在颜色转换基板30中限定多个透光区域和阻光区域BA。每个透光区域可为从显示基板10发射的光透射通过颜色转换基板30并且被提供到显示装置1的外部的区域。阻光区域BA可为从显示基板10发射的光不透射通过的区域。
在一些实施方式中，可在颜色转换基板30中限定第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。
第一透光区域TA1可对应于第一发光区域LA1或者可与第一发光区域LA1重叠。类似地，第二透光区域TA2可对应于第二发光区域LA2或者可与第二发光区域LA2重叠，并且第三透光区域TA3可对应于第三发光区域LA3或者可与第三发光区域LA3重叠。
在一些实施方式中，当第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3如图3中所阐释的沿着第一方向X顺序设置时，第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3可如图4中所阐释的沿着第一方向X顺序设置。
在可选的实施方式中，当如图5中所阐释的第一发光区域LA1和第二发光区域LA2沿着第一方向X彼此邻近并且第三发光区域LA3沿着第二方向Y设置在第一发光区域LA1和第二发光区域LA2的一侧上时，如图6所阐释的，第一透光区域TA1和第二透光区域TA2可沿着第一方向X彼此邻近，并且第三透光区域TA3可沿着第二方向Y设置在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2的一侧上。
在一些实施方式中，由显示基板10提供的第三颜色的光可透射通过第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3并且在一部分光已被波长转换而另一部分未被波长转换的状态下从显示装置1发射出去。当从第一透光区域TA1发射到显示装置1外部的光被称为第一输出光，从第二透光区域TA2发射到显示装置1外部的光被称为第二输出光，并且从第三透光区域TA3发射到显示装置1外部的光被称为第三输出光时，第一输出光可为第一颜色的光，第二输出光可为不同于第一颜色的第二颜色的光并且第三输出光可为第三颜色的光。在一些实施方式中，例如，第三颜色的光可为如上述的具有在约440nm至约480nm的范围内的峰值波长的蓝光，并且第一颜色的光可为具有在约610nm至约650nm的范围内的峰值波长的红光。在实施方式中，例如，第二颜色的光可为具有在约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光。第一颜色的光和第二颜色的光可为第三颜色的光已被波长转换成的光。
在显示区DA中，阻光区域BA可设置在颜色转换基板30的第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3周围。在一些实施方式中，阻光区域BA可围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。
现在将更详细地描述显示装置1的结构。
图7为沿着图3和图4的线X3-X3’截取的显示装置1的实施方式的截面图。图8为图7的部分Q3的放大截面图。图9为图8中所阐释的结构的另一实施方式的截面图。图10为图7的部分Q5的放大截面图。图11为阐释根据折射率变化的消光系数变化的曲线图。图12为阐释根据封盖层的结构的光效率的曲线图。
除了图1、图2A和图2B之外，参考图7至图12，显示装置1可包括如上述的显示基板10和颜色转换基板30并且可进一步包括设置在显示基板10和颜色转换基板30之间的填料70。
现在将描述显示基板10。
第一基底110可包括透光材料。在一些实施方式中，第一基底110可为玻璃基板或塑料基板。在一些实施方式中，第一基底110可具有弹性。在一些实施方式中，第一基底110可进一步包括位于玻璃基板或塑料基板上的隔离层，例如缓冲层或绝缘层。
在一些实施方式中，发光区域LA1至LA3和非发光区域NLA可如上述限定在第一基底110中。
如图7中所阐释，晶体管T1至T3可设置在第一基底110上。在一些实施方式中，晶体管T1至T3中的每一个可为薄膜晶体管。在一些实施方式中，第一晶体管T1可与第一发光区域LA1重叠，第二晶体管T2可与第二发光区域LA2重叠并且第三晶体管T3可与第三发光区域LA3重叠。尽管在图中第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3与发光区域LA重叠并且不与非发光区域NLA重叠，但是这仅仅是示例。在实施方式中，第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3中的至少任一个可与非发光区域NLA重叠。在可选的实施方式中，所有的第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3可与非发光区域NLA重叠并且可不与发光区域LA重叠。
尽管未在图中阐释，但是用于向每个晶体管传输信号的多个信号线(例如，栅线、数据线和电源线)可进一步设置在第一基底110上。
绝缘层130可设置在第一晶体管T1、第二晶体管T2和第三晶体管T3上。在一些实施方式中，绝缘层130可为平坦化层。在一些实施方式中，绝缘层130可包括有机材料。在实施方式中，绝缘层130可包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂或酯树脂，例如。在一些实施方式中，绝缘层130可包括光敏有机材料。
第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可设置在绝缘层130上。
第一阳极AE1可与第一发光区域LA1重叠，并且第一阳极AE1的至少一部分可延伸至非发光区域NLA。第二阳极AE2可与第二发光区域LA2重叠，并且第二阳极AE2的至少一部分可延伸至非发光区域NLA。第三阳极AE3可与第三发光区域LA3重叠，并且第三阳极AE3的至少一部分可延伸至非发光区域NLA。第一阳极AE1可穿透第三绝缘层130并且可连接至第一晶体管T1，第二阳极AE2可穿透第三绝缘层130并且可连接至第二晶体管T2，并且第三阳极AE3可穿透第三绝缘层130并且可连接至第三晶体管T3。
在一些实施方式中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3可为反射电极。在该情况下，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可为包括Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和Cr中的至少任何一种的金属层或金属卤化物层。在实施方式中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可进一步包括堆叠在金属层或金属卤化物层上的金属氧化物层。在实施方式中，第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3中的每一个可具有多层结构，比如铟锡氧化物(“ITO”)/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF2的双层结构或者ITO/Ag/ITO的三层结构。
像素限定层150可设置在第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上。像素限定层150可包括暴露第一阳极AE1的开口、暴露第二阳极AE2的开口和暴露第三阳极AE3的开口，并且像素限定层150可限定第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA。即，第一阳极AE1的未被像素限定层150覆盖而暴露的区域可为第一发光区域LA1。类似地，第二阳极AE2的未被像素限定层150覆盖而暴露的区域可为第二发光区域LA2，并且第三阳极AE3的未被像素限定层150覆盖而暴露的区域可为第三发光区域LA3。另外，设置像素限定层150的区域可为非发光区域NLA。
在一些实施方式中，像素限定层150可包括有机绝缘材料比如聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂或苯并环丁烯(“BCB”)树脂。
在一些实施方式中，像素限定层150可与稍后描述的颜色图案250重叠。另外，像素限定层150可进一步与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。
在一些实施方式中，像素限定层150也可与稍后描述的堤坝图案370重叠。
如图7中所阐释，发光层OL可设置在第一阳极AE1、第二阳极AE2和第三阳极AE3上。
在一些实施方式中，发光层OL可为设置在发光区域LA1至LA3和非发光区域NLA上方的连续层的形状。稍后将更详细地描述发光层OL。
如图7中所阐释，阴极CE可设置在发光层OL上。
在一些实施方式中，阴极CE可具有半透明度或透明度。当阴极CE具有半透明度时，阴极CE可包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、或其化合物或其混合物(例如，Ag和Mg的混合物)，或者具有多层结构的材料比如LiF/Ca或LiF/Al。另外，当阴极CE的厚度为几十至几百埃时，阴极CE可具有半透明度。
当阴极CE具有透明度时，阴极CE可包括透明的导电氧化物(“TCO”)。在实施方式中，例如，阴极CE可包括钨氧化物(WxOy)、钛氧化物(TiO2)、ITO、铟锌氧化物(“IZO”)、锌氧化物(ZnO)、铟锡锌氧化物(“ITZO”)或镁氧化物(MgO)。
第一阳极AE1、发光层OL和阴极CE可构成第一发光元件ED1，第二阳极AE2、发光层OL和阴极CE可构成第二发光元件ED2，并且第三阳极AE3、发光层OL和阴极CE可构成第三发光元件ED3。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中的每一个可发射输出光LE，并且输出光LE可被提供给颜色转换基板30。
如图8中所阐释，最终从发光层OL发射的输出光LE可为第一光分量LE1和第二光分量LE2的组合。在实施方式中，例如，输出光LE中的第一光分量LE1和第二光分量LE2中的每一个可具有约440nm至约480nm的峰值波长。即，峰值波长可等于或大于约440nm且约480nm。第一光分量LE1和第二光分量LE2可具有彼此相同的峰值波长或彼此不同的峰值波长。即，输出光LE可为蓝光。
如图8中所阐释，在一些实施方式中，发光层OL可具有其中多个发光层重叠的结构，例如，可具有串联结构。在实施方式中，例如，发光层OL可包括包含第一发光层EML1的第一叠层ST1、设置在第一叠层ST1上并包括第二发光层EML2的第二叠层ST2、设置在第二叠层ST2上且包括第三发光层EML3的第三叠层ST3、设置在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间的第一电荷产生层CGL1以及设置在第二叠层ST2和第三叠层ST3之间的第二电荷产生层CGL2。第一叠层ST1、第二叠层ST2和第三叠层ST3可彼此重叠。
第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可彼此重叠。
在一些实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可均发射第三颜色的光，例如，蓝光。在实施方式中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可为蓝色发光层并可包括有机材料。然而，本发明不限于此。在实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任一个可包括发射蓝光的无机材料。在实施方式中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任一个可包括基于无机材料的发光元件或可为基于无机材料的发光元件的一部分。在一些实施方式中，基于无机材料的发光元件可为纳米尺寸的无机发光元件。
在一些实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任一个可发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光。在实施方式中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的任一个可发射具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另两个可发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光。即，最终从发光层OL发射的输出光LE可为第一光分量LE1和第二光分量LE2的组合，第一光分量LE1可为具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第二光分量LE2可为具有第二峰值波长的第二蓝光。
在一些实施方式中，例如，第一峰值波长和第二峰值波长中的任一个可在约440nm至小于约460nm的范围内。在实施方式中，例如，第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个可在约460nm至约480nm范围内。然而，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不限于该示例。在实施方式中，例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围可均包括460nm。在一些实施方式中，第一蓝光和第二蓝光中的任一个可为深蓝色的光，并且第一蓝光和第二蓝光中的另一个可为天蓝色的光。
根据一些实施方式，从发光层OL发射的输出光LE为蓝光并可包括长波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可最终发射具有更宽发射峰的蓝光作为输出光LE，从而与发射具有尖锐发射峰的蓝光的传统发光元件相比，改善了侧视角处的颜色可见度。
在一些实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可包括主体和掺杂剂。主体没有特别限制，只要它为常用的材料。在实施方式中，例如，主体可包括三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(“CBP”)、聚(N-乙烯基咔唑)(“PVK”)、9,10-二(萘-2-基)蒽(“ADN")、4,4',4”-三(咔唑基-9-基)-三苯胺(“TCTA”)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(“TBADN”)、二苯乙烯芳烃(“DSA”)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(“CDBP”)或2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽)(“MADN”)。
发射蓝光的第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每一个可包括，例如，包含螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯苯(“DSB”)、二苯乙烯芳烃(“DSA”)、基于聚芴(“PFO”)的聚合物和基于聚(对亚苯基乙撑)(“PPV”)的聚合物中的任一种的荧光材料。在可选的实施方式中，可包括包含有机金属复合物比如(4,6-F2ppy)2Irpic的磷光材料。然而，发射蓝光的材料不限于上面示例。
如上述，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个与第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个发射不同波长范围内的蓝光。为了发射不同波长范围内的蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可包括相同的材料，并且可使用调节共振距离的方法。在可选的实施方式中，为了发射在不同波长范围内的蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个与第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可包括不同的材料。
然而，本发明不限于此。在实施方式中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可均发射具有约440nm至约480nm的峰值波长的蓝光并可包括相同的材料。
在可选的实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任一个可发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个可发射具有不同于第一峰值波长的第二峰值波长的第二蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个可发射具有不同于第一峰值波长和第二峰值波长的第三峰值波长的第三蓝光。在一些实施方式中，例如，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的任一个可在约440nm至小于约460nm的范围内。例如，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的另一个可在约460nm至小于约470nm的范围内，并且第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长的剩余一个可在约470nm至约480nm的范围内。
根据一些实施方式，从发光层OL发射的输出光LE为蓝光并且包括长波长分量、中波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可最终发射具有更宽发射峰的蓝光作为输出光LE并且改善侧视角处的颜色可见性。
根据上述实施方式，与不采用串联结构，即，其中多个发光层堆叠的结构的传统发光元件相比，可增加光效率，并且可延长显示装置的寿命。
在可选的实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任一个可发射第三颜色的光，例如蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可发射第二颜色的光，例如绿光。在一些实施方式中，例如，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少任一个发射的蓝光可具有在约440nm至约460nm或约460nm至约480nm范围内的峰值波长。在实施方式中，例如，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个发射的绿光可具有在约510nm至约550nm范围内的峰值波长。
在实施方式中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的任一个可为发射绿光的绿色发光层，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另两个可为发射蓝光的蓝色发光层。当第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另两个为蓝色发光层时，从两个蓝色发光层发射的蓝光可具有相同的峰值波长范围或不同的峰值波长范围。
根据一些实施方式，从发光层OL发射的输出光LE可为作为蓝光的第一光分量LE1和作为绿光的第二光分量LE2的组合。在实施方式中，例如，当第一光分量LE1为深蓝光且第二光分量LE2为绿光时，输出光LE可为具有天蓝色的光。类似于上述实施方式，从发光层OL发射的输出光LE为蓝光和绿光的组合并且包括长波长分量和短波长分量。因此，发光层OL可最终发射具有更宽发射峰的蓝光作为输出光LE并且改善侧视角处的颜色可见性。另外，因为输出光LE的第二光分量LE2为绿光，所以可补充从显示装置1提供给外部的光的绿光分量。相应地，可改善显示装置1的颜色再现性。
在一些实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的绿色发光层可包括主体和掺杂剂。包括在绿色发光层中的主体没有特别限制，只要它是常用的材料。在实施方式中，例如，主体可包括三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)、CBP、ADN、TCTA、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、TBADN、DSA、CDBP或MADN。
在实施方式中，包括在绿色发光层中的掺杂剂可为，例如，包括三(8-羟基喹啉基)铝(III)(Alq3)的荧光材料或者磷光材料比如面式-三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)合铱(III)(Ir(ppy)2(acac))或三(2-苯基-4-甲基-吡啶)合铱(Ir(mpyp)3)。
第一电荷产生层CGL1可设置在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间。第一电荷产生层CGL1可将电荷注入到每个发光层中。第一电荷产生层CGL1可控制在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可包括n-型电荷产生层CGL11和p-型电荷产生层CGL12。p-型电荷产生层CGL12可设置在n-型电荷产生层CGL11上并且可设置在n-型电荷产生层CGL11和第二叠层ST2之间。
第一电荷产生层CGL1可具有其中n-型电荷产生层CGL11和p-型电荷产生层CGL12彼此接触的结构。在阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)和阴极CE中，n-型电荷产生层CGL11更靠近阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)设置。在阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)和阴极CE中，p-型电荷产生层CGL12更靠近阴极CE设置。n-型电荷产生层CGL11向与阳极AE1(图7的AE2，图7的AE3)相邻的第一发光层EML1供应电子，并且p-型电荷产生层CGL12向包括在第二叠层ST2中的第二发光层EML2供应空穴。因为第一电荷产生层CGL1设置在第一叠层ST1和第二叠层ST2之间以向每个发光层提供电荷，所以可改善发光效率，并且可降低驱动电压。
第一叠层ST1可设置在第一阳极AE1、第二阳极AE2(参考图7)和第三阳极AE3(参考图7)上并且可进一步包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。
第一空穴传输层HTL1可设置在第一阳极AE1、第二阳极AE2(参考图7)和第三阳极AE3(参考图7)上。第一空穴传输层HTL1可利于空穴的传输并且可包括空穴传输材料。空穴传输材料可包括，但不限于，咔唑衍生物比如N-苯基咔唑或聚乙烯咔唑、芴衍生物、三苯胺衍生物比如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯基]-4,4'-二胺(“TPD”)或4,4',4"-三(N-咔唑基)三苯胺(“TCTA”)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)(“NPB”)或4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](“TAPC”)。
第一电子阻挡层BIL1可设置在第一空穴传输层HTL1上并且可设置在第一空穴传输层HTL1和第一发光层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可包括空穴传输材料和金属或金属化合物，以防止由第一发光层EML1产生的电子进入第一空穴传输层HTL1。在一些实施方式中，上述的第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1可被提供为单个层，其中它们各自的材料混合。
第一电子传输层ETL1可设置在第一发光层EML1上并且可设置在第一电荷产生层CGL1和第一发光层EML1之间。在一些实施方式中，第一电子传输层ETL1可包括电子传输材料，比如三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(“BCP”)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(“TAZ”)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(“NTAZ”)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯基-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq2)、ADN或其组合。然而，本发明不限于电子传输材料的类型。第二叠层ST2可设置在第一电荷产生层CGL1上并且可进一步包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。
第二空穴传输层HTL2可设置在第一电荷产生层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可包括与第一空穴传输层HTL1的材料相同的材料，或者可包括选自示例为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第二空穴传输层HTL2可由单个层或多个层组成。
第二电子阻挡层BIL2可设置在第二空穴传输层HTL2上并且可设置在第二空穴传输层HTL2和第二发光层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可与第一电子阻挡层BIL1具有相同的材料和结构，或者可包括选自示例为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料的材料中的一种或多种材料。
第二电子传输层ETL2可设置在第二发光层EML2上并且可设置在第二电荷产生层CGL2和第二发光层EML2之间。第二电子传输层ETL2可与第一电子传输层ETL1具有相同的材料和结构，或者可包括选自示例为包括在第一电子传输层ETL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第二电子传输层ETL2可由单个层或多个层组成。
第二电荷产生层CGL2可设置在第二叠层ST2上并且可设置在第二叠层ST2和第三叠层ST3之间。
第二电荷产生层CGL2可与上述第一电荷产生层CGL1具有相同的结构。在实施方式中，例如，第二电荷产生层CGL2可包括更靠近第二叠层ST2设置的n-型电荷产生层CGL21和更靠近阴极CE设置的p-型电荷产生层CGL22。p-型电荷产生层CGL22可设置在n-型电荷产生层CGL21上。
第二电荷产生层CGL2可具有n-型电荷产生层CGL21和p-型电荷产生层CGL22彼此接触的结构。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2可包括不同的材料或相同的材料。
第三叠层ST3可设置在第二电荷产生层CGL2上并且可进一步包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。
第三空穴传输层HTL3可设置在第二电荷产生层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可包括与第一空穴传输层HTL1的材料相同的材料，或者可包括选自示例为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第三空穴传输层HTL3可由单个层或多个层组成。当第三空穴传输层HTL3由多个层组成时，所述层可包括不同的材料。
第三电子传输层ETL3可设置在第三发光层EML3上并且可设置在阴极CE和第三发光层EML3之间。第三电子传输层ETL3可与第一电子传输层ETL1具有相同的材料和结构，或者可包括选自示例为包括在第一电子传输层ETL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第三电子传输层ETL3可由单个层或多个层组成。当第三电子传输层ETL3由多个层组成，所述层可包括不同的材料。
尽管未在图中阐释，但是空穴注入层可进一步设置在第一叠层ST1和第一阳极AE1之间，第一叠层ST1和第二阳极AE2(参考图7)之间，第一叠层ST1和第三阳极AE3(参考图7)之间，第二叠层ST2和第一电荷产生层CGL1之间，以及第三叠层ST3和第二电荷产生层CGL2之间中的至少任一个处。空穴注入层可利于将空穴注入至第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中。在一些实施方式中，空穴注入层可包括，但不限于铜酞菁(CuPc)、聚(3,4-亚乙基二氧噻吩)(“PEDOT”)、聚苯胺(“PANI”)和N,N-二萘基-N,N’-二苯基联苯胺(“NPD”)中的任一种或多种。在一些实施方式中，空穴注入层可设置在第一叠层ST1和第一阳极AE1之间，第一叠层ST1和第二阳极AE2(参考图7)之间，第一叠层ST1和第三阳极AE3(参考图7)之间，第二叠层ST2和第一电荷产生层CGL1之间，以及第三叠层ST3和第二电荷产生层CGL2之间。
尽管未在图中阐释，电子注入层可进一步设置在第三电子传输层ETL3和阴极CE之间，第二电荷产生层CGL2和第二叠层ST2之间或者第一电荷产生层CGL1和第一叠层ST1之间。在实施方式中，例如，电子注入层可利于电子的注入并且可包括三(8-羟基喹啉基)铝)(Alq3)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq或SAlq，但本发明不限于此。在实施方式中，例如，电子注入层可为金属卤化物化合物并且可为例如MgF2、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF2中的任一种或多种，但本发明不限于此。在可选的实施方式中，例如，电子注入层可包括比如Yb、Sm或Eu的镧系材料。在可选的实施方式中，例如，电子注入层可包括金属卤化物材料和镧系材料，比如RbI:Yb或KI:Yb。当电子注入层包括金属卤化物材料和镧系材料两者时，电子注入层可通过共沉积金属卤化物材料和镧系材料来提供。在一些实施方式中，电子注入层可设置在第三电子传输层ETL3和阴极CE之间，第二电荷产生层CGL2和第二叠层ST2之间以及第一电荷产生层CGL1和第一叠层ST1之间。
发光层OL的结构也可从上述结构改变。在实施方式中，例如，发光层OL可改变为图9中所阐释的发光层OLa。与图8中所阐释的结构不同，图9中所阐释的发光层OLa可进一步包括设置在第三叠层ST3和第二叠层ST2之间的第四叠层ST4并且可进一步包括设置在第三叠层ST3和第四叠层ST4之间的第三电荷产生层CGL3。
第四叠层ST4可包括第四发光层EML4并且可进一步包括第四空穴传输层HTL4、第三电子阻挡层BIL4和第四电子传输层ETL4。
包括在发光层OLa中的第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的每一个可发射第三颜色的光，例如，蓝光。第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少任一个可与第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少另一个发射具有不同峰值波长范围的蓝光。
在可选的实施方式中，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少任一个可发射绿光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少另一个可发射蓝光。在实施方式中，例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的任一个可为绿色发光层，并且其它三个发光层可均为蓝色发光层。
第四空穴传输层HTL4可设置在第二电荷产生层CGL2上。第四空穴传输层HTL4可包括与第一空穴传输层HTL1的材料相同的材料，或者可包括选自示例为包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第四空穴传输层HTL4可由单个层或多个层组成。当第四空穴传输层HTL4由多个层组成，所述层可包括不同的材料。
第三电子阻挡层BIL4可设置在第四空穴传输层HTL4上并且可设置在第四空穴传输层HTL4和第四发光层EML4之间。第三电子阻挡层BIL4可与第一电子阻挡层BIL1具有相同的材料和结构，或者可包括选自示例为包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料的材料中的一种或多种材料。在一些实施方式中，可省略第三电子阻挡层BIL4。
第四电子传输层ETL4可设置在第四发光层EML4上并且可设置在第三电荷产生层CGL3和第四发光层EML4之间。第四电子传输层ETL4可与第一电子传输层ETL1具有相同的材料和结构，或者可包括选自示例为包括在第一电子传输层ETL1中的材料的材料中的一种或多种材料。第四电子传输层ETL4可由单个层或多个层组成。当第四电子传输层ETL4由多个层组成时，所述层可包括不同的材料。
第三电荷产生层CGL3可与上述第一电荷产生层CGL1具有相同的结构。在实施方式中，例如，第三电荷产生层CGL3可包括更靠近第四叠层ST4设置的n-型电荷产生层CGL31和更靠近阴极CE设置的p-型电荷产生层CGL32。p-型电荷产生层CGL32可设置在n-型电荷产生层CGL31上。
尽管未在图中阐释，但是电子注入层可进一步设置在第四叠层ST4和第三电荷产生层CGL3之间。另外，空穴注入层可进一步设置在第四叠层ST4和第二电荷产生层CGL2之间。
在一些实施方式中，图8中所阐释的发光层OL和图9中所阐释的发光层OLa都可不包括红色发光层，因此可不发射第一颜色的光，例如红光。即，例如，输出光LE可不包括具有在约610nm至约650nm范围内的峰值波长的光分量。
如图7中所阐释，第一封盖层160可设置在阴极CE上。第一封盖层160可设置在所有的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。
如图7和图10中所阐释，在一些实施方式中，第一封盖层160可包括第一子封盖层161和第二子封盖层163。
第一子封盖层161可设置在阴极CE上。设置在阴极CE上的第一子封盖层161可改善视角特性并且增加外部发光效率。
在一些实施方式中，第一子封盖层161的折射率nc1可大于第二子封盖层163的折射率nc3。在一些实施方式中，例如，第一子封盖层161的折射率nc1可为约1.9至约2.4。在一些实施方式中，第一子封盖层161可包括有机材料。在实施方式中，例如，第一子封盖层161可包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、亚芳基二胺衍生物或三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)，并且上述折射率可通过调节这样的聚合物的组成来实现。
在一些实施方式中，例如，第一子封盖层161的厚度Thc1可为约100埃
至约
第二子封盖层163可设置在第一子封盖层161上并且设置在第一子封盖层161和薄膜封装层170之间。
在一些实施方式中，第二子封盖层163可接触薄膜封装层170，特别地，可接触包括在薄膜封装层170中的层中的最底下的无机层。在实施方式中，例如，第二子封盖层163可直接接触包括在薄膜封装层170中的第一下无机层171。
在一些实施方式中，与接触第二子封盖层163的薄膜封装层170的无机层相比，第二子封盖层163可具有相对更大的折射率。在实施方式中，例如，第二子封盖层163的折射率nc3可大于第一下无机层171的折射率n1。
在一些实施方式中，第二子封盖层163的折射率nc3可小于第一子封盖层161的折射率nc1并且大于薄膜封装层170的第一下无机层171的折射率n1。即，第二子封盖层163的折射率nc3可满足“n1<nc3<nc1”的关系。在一些实施方式中，例如，第二子封盖层163的折射率nc3可具有在约1.7至约2.0范围内的满足“n1<nc3<nc1”的关系的值。
在一些实施方式中，第二子封盖层163可包括有机材料。在实施方式中，例如，第二子封盖层163可包括丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺或三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)。在一些实施方式中，第二子封盖层163可与第一子封盖层161包括不同的有机材料。
在一些实施方式中，第二子封盖层163的厚度Thc3和第一子封盖层161的厚度Thc1可彼此不同。在一些实施方式中，第二子封盖层163的厚度Thc3可小于第一子封盖层161的厚度Thc1。在一些实施方式中，例如，第二子封盖层163的厚度Thc3可具有在约
至约
范围内的满足“Thc3<Thc1”的关系的值。
当两个相邻层之间的折射率差增加时，在两层之间的界面处反射的光的量增加。即，随着两层之间的折射率差变大，反射率变大。此外，当光从具有大折射率的层移动到具有小折射率的层时，当两个层之间的折射率差增加时，发生全反射的临界角减小。因此，可以减少提取到外部的光的量。
在阐释的实施方式中，第二子封盖层163设置在第一子封盖层161和薄膜封装层170的第一下无机层171之间，并且第二子封盖层163的折射率nc3小于第一子封盖层161的折射率nc1并且大于薄膜封装层170的第一下无机层171的折射率n1。因此，可以防止提取到外部的光的量由于全反射而减少。特别地，随着临界角增加，以相对于垂直方向(或第三方向Z)的预定倾斜角发射的光的量可以增加。
图12为阐释根据封盖层的结构的光效率的曲线图，更具体地，为阐释根据是否提供第二子封盖层163的光效率的曲线图。
在图12中，第一示例EX1表示当第一封盖层160包括上述第二子封盖层163时对于每个光发射角度的光的强度，并且第二示例EX2表示当第一封盖层160不包括上述第二子封盖层163时对于每个光发射角度的光的强度。
参考图12，第一示例EX1和第二示例EX2在光发射角度为大约0度至45度的部分中具有相同或类似的发射光的强度。当光发射角度超过45度时，第一示例EX1中发射光的强度大于第二示例EX2中发射光的强度。
当具有预定光发射角度的光的强度增加时，更多的光可以相对均匀地供应给稍后将描述的波长转换图案340和波长转换图案350，从而增加由波长转换图案340和波长转换图案350进行波长转换的光的量。这可以最终改善所阐释实施方式中显示装置1的光效率。再次参考图7，薄膜封装层170设置在第一封盖层160上。薄膜封装层170设置在所有的第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。在一些实施方式中，薄膜封装层170可直接覆盖第一封盖层160。
在一些实施方式中，薄膜封装层170可包括顺序堆叠在第一封盖层160上的第一下无机层171、第一有机层173和第一上无机层175。
第一下无机层171可设置在第二子封盖层163上。第一下无机层171可覆盖显示区DA中的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。
第一下无机层171可设置在第二子封盖层163上。在一些实施方式中，第一下无机层171可直接设置在第二子封盖层163上并且可接触第二子封盖层163。
第一下无机层171可防止水分和氧气渗透到第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中。即，第一下无机层171可用作防止外部水分和氧气渗透的阻隔层。在一些实施方式中，例如，第一下无机层171的抗压应力可为约0MPa至约200MPa。
在一些实施方式中，例如，第一下无机层171的厚度Th1可为约
至约
在一些实施方式中，第一下无机层171的折射率n1可小于第二子封盖层163的折射率nc3和第一子封盖层161的折射率nc1。
在一些实施方式中，例如，第一下无机层171的折射率n1可具有在约1.5至约1.7的范围内的满足“nc1>nc3>n1”的关系的值。从薄膜或层的材料角度来看，折射率是表示材料密度的物理元素之一。在一些实施方式中，第一下无机层171的折射率n1可以为约1.5或更大，因此可用作阻隔层。
如图11中所阐释，消光系数(k)随着折射率的增加而增加，并且随着折射率的减小而减小。在实施方式中，例如，当折射率为约1.7时，对于具有约370nm至约800nm的波长的光，如图中所阐释的，消光系数收敛到基本为零。消光系数的降低表示由于光吸收导致的光损失的降低，这反过来又表示光效率的增加。当第一下无机层171的折射率n1为约1.7或更小时，可以防止由于第一下无机层171的光吸收而导致的光损失。从而，可增加光效率。
因此，在一些实施方式中，考虑到阻隔性能和消光系数，第一下无机层171的折射率n1可为约1.5至约1.7。
在一些实施方式中，第一下无机层171可包括无机材料并且可包括氧化物或氮氧化物。在实施方式中，例如，第一下无机层171可包括硅氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、铝氮氧化物、钨氧化物、钨氮氧化物、钛氧化物或钛氮氧化物。
第一有机层173可设置在第一下无机层171上。第一有机层173可覆盖显示区DA中的第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。
在一些实施方式中，第一有机层173可包括丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯树脂、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨基甲酸酯树脂、纤维素树脂或苝树脂。
在一些实施方式中，例如，第一有机层173的厚度Th3可为约2微米(μm)至约8μm。
第一上无机层175可设置在第一有机层173上。第一上无机层175可覆盖第一有机层173。尽管未在图中阐释，但是在一些实施方式中，第一上无机层175可在非显示区NDA中直接接触第一下无机层171以形成无机-无机键。
在一些实施方式中，例如，第一上无机层175的厚度Th5可为约
至约
在一些实施方式中，第一上无机层175可包括无机材料并且可包括氧化物或氮氧化物。在实施方式中，例如，第一上无机层175可包括硅氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、铝氮氧化物、钨氧化物、钨氮氧化物、钛氧化物或钛氮氧化物。
在一些实施方式中，第一上无机层175的折射率n5可为约1.5至约1.7。
因为包括在薄膜封装层170中的无机层具有约1.7或更小的折射率，所以消光系数可收敛到基本为零。因此，可防止包括在薄膜封装层170中的无机层中的光损失，并且可改善光效率。
第一封盖层160的结构和薄膜封装层170的结构可根据上述结构进行各种改变。
图13为图10的另一实施方式的截面图。图14为图10的另一实施方式的截面图。图15为图10的另一实施方式的截面图。图16为图10的另一实施方式的截面图。图17为图10的另一实施方式的截面图。
参考图13，第一封盖层160(参考图10)可改变为图13中所阐释的第一封盖层160_1。第一封盖层160_1可包括第一子封盖层161和第三子封盖层165。
第一子封盖层161可设置在阴极CE上并且第三子封盖层165可设置在第一子封盖层161和阴极CE之间。
在一些实施方式中，第一子封盖层161可接触薄膜封装层170，特别地，可接触包括在薄膜封装层170中的层中的最底下的无机层。在实施方式中，例如，第一子封盖层161可接触第一下无机层171。
如上述，第一子封盖层161的折射率nc1可大于第一下无机层171的折射率n1。
在一些实施方式中，第三子封盖层165的折射率nc5可大于第一子封盖层161的折射率nc1和薄膜封装层170的第一下无机层171的折射率n1。即，第三子封盖层165的折射率nc5可满足“n1<nc1<nc5”的关系。在一些实施方式中，第三子封盖层165的折射率nc5可具有在约2.0至约2.7范围内的满足“n1<nc1<nc5”的关系的值。
在一些实施方式中，第三子封盖层165可包括有机材料。在实施方式中，例如，第三子封盖层165可包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、亚芳基二胺衍生物或三(8-羟基喹啉基)铝(Alq3)，并且具有上述根据波长的折射率的材料可通过调节这样的聚合物的组成来实现。在可选的实施方式中，第三子封盖层165可包括有机材料和无机材料的复合结构。
在一些实施方式中，第三子封盖层165的厚度Thc5和第一子封盖层161的厚度Thc1可彼此不同。在一些实施方式中，第三子封盖层165的厚度Thc5可小于第一子封盖层161的厚度Thc1。在一些实施方式中，例如，第三子封盖层165的厚度Thc5可具有在约
至约
范围内的满足“Thc5<Thc1”的关系的值。
参考图14，第一封盖层160(参考图10)可改变为图14中所阐释的第一封盖层160_2。第一封盖层160_2可包括第一子封盖层161、第二子封盖层163和第三子封盖层165。
第一子封盖层161可设置在阴极CE上，第三子封盖层165可设置在第一子封盖层161和阴极CE之间，并且第二子封盖层163可设置在第一下无机层171和第一子封盖层161之间。
在一些实施方式中，第三子封盖层165可接触阴极CE并且第二子封盖层163可接触薄膜封装层170的第一下无机层171。
在一些实施方式中，第三子封盖层165的折射率nc5可大于第一子封盖层161的折射率nc1和薄膜封装层170的第一下无机层171的折射率n1，并且第二子封盖层163的折射率nc3可小于第一子封盖层161的折射率nc1且大于薄膜封装层170的第一下无机层171的折射率n1。即，各层的折射率之间的大小关系可以满足“n1<nc3<nc1<nc5”的关系。
第一子封盖层161、第二子封盖层163和第三子封盖层165的其它细节与上述的那些相同，并且因此省略其描述。
参考图15，薄膜封装层170(参考图10)可改变为图15中所阐释的薄膜封装层170_1。
薄膜封装层170_1可包括第一下无机层171a、第一有机层173和第一上无机层175a。
第一下无机层171a可包括无机材料且具有多层结构。在一些实施方式中，如图15中所阐释，第一下无机层171a可包括第一子无机层1711和第二子无机层1713。另外，第一下无机层171a可进一步包括第三子无机层1715。
第一子无机层1711可设置在第一封盖层160上。第一子无机层1711可防止第一封盖层160在形成第二子无机层1713的过程中损坏。即，第一子无机层1711可用作保护第一封盖层160的保护层。在一些实施方式中，例如，第一子无机层1711的抗压应力可为约0MPa至约200MPa。
第一下无机层171a可接触第二子封盖层163，特别地，作为薄膜封装层170_1的最底下的无机层的第一子无机层1711可接触第二子封盖层163。
第二子无机层1713可设置在第一子无机层1711上。第二子无机层1713可防止水分和氧气渗透到第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中。即，第二子无机层1713可用作防止外部水分和氧气渗透的阻隔层。在一些实施方式中，例如，第二子无机层1713的抗压应力可为约0MPa至约200MPa。
第三子无机层1715可设置在第二子无机层1713上。第三子无机层1715的上表面可直接接触第一有机层173。在一些实施方式中，不平坦结构SR1可提供在直接接触第一有机层173的第三子无机层1715的上表面上。因为不平坦结构SR1提供在第三子无机层1715的上表面上，所以第三子无机层1715的上表面可具有比接触第二子无机层1713的第一子无机层1711的上表面的表面粗糙度或者接触第三子无机层1715的第二子无机层1713的上表面的表面粗糙度相对更大的表面粗糙度。
在一些实施方式中，不平坦结构SR1可以以不规则的任意图案或不规则的不平坦形状提供。因为不平坦结构SR1提供在第三子无机层1715的上表面上，所以可改善在形成第一有机层173的过程中有机材料的铺展性，并且有机材料可以相对均匀地铺展在第三子无机层1715上。另外，因为不平坦结构SR1增加第三子无机层1715和第一有机层173之间的接触面积，所以可防止膜分离，并且第一有机层173可更牢固地附接至第一下无机层171a。
在一些实施方式中，例如，基于均方根粗糙度，不平坦结构SR1的表面粗糙度可为约5nm至约100nm。例如，当不平坦结构SR1的表面粗糙度为约5nm至约100nm时，可改善第一有机层173和第一下无机层171a之间的粘附性以及有机材料的铺展性。
另外，当从发光元件发射的输出光LE穿过薄膜封装层170_1时，可以减少第一有机层173和第三子无机层1715之间的粗糙界面处的内反射，从而改善光提取效率。另外，当外部光入射到薄膜封装层170_1上时，它可以在第一有机层173和第三子无机层1715之间的粗糙界面处折射，从而抑制外部光的反射。光提取效率表示屏幕亮度的改善，并且外部光反射的抑制导致屏幕对比度的改善。
在一些实施方式中，由于上述不平坦结构SR1，第三子无机层1715的上表面可具有约40毫牛顿每米(mN/m)至约80mN/m的表面能。
在一些实施方式中，第二子无机层1713的厚度Th13可大于第一子无机层1711的厚度Th11和第三子无机层1715的厚度Th15。
在一些实施方式中，例如，第二子无机层1713的厚度Th13可为约
至约
在一些实施方式中，第一子无机层1711的厚度Th11可具有在约
至约
范围内的值，其小于第二子无机层1713的厚度Th13。在一些实施方式中，例如，第三子无机层1715的厚度Th15可具有在约
至约
范围内的值，其小于第二子无机层1713的厚度Th13并且能够实现不平坦结构SR1。这里，包括不平坦结构SR1的第三子无机层1715的厚度Th15可表示平均厚度。
在一些实施方式中，第一子无机层1711的折射率n11可小于第一子封盖层161的折射率nc1和第二子封盖层163的折射率nc3。即，第一子无机层1711的折射率n11、第一子封盖层161的折射率nc1和第二子封盖层163的折射率nc3可满足“n11<nc3<nc1”的关系。
在一些实施方式中，第二子无机层1713的折射率n13可大于第一子无机层1711的折射率n11。在一些实施方式中，第二子无机层1713的折射率n13可大于第三子无机层1715的折射率n15。从薄膜或层的材料角度来看，折射率是表示材料的密度的物理元素之一。在一些实施方式中，第二子无机层1713的折射率n13可大于第一子无机层1711的折射率n11和第三子无机层1715的折射率n15。相应地，第二子无机层1713可用作阻隔层。
在一些实施方式中，例如，第一子无机层1711的折射率n11、第二子无机层1713的折射率n13和第三子无机层1715的折射率n15可均为约1.7或更小。相应地，可以防止由于第一下无机层171a的光吸收而导致的光损失，并且可以增加显示装置1的光效率。
在一些实施方式中，例如，第二子无机层1713的折射率n13可为约1.5至约1.7。在一些实施方式中，例如，第一子无机层1711的折射率n11可为约1.3至小于约1.7，只要它小于第二子无机层1713的折射率n13。在一些实施方式中，例如，第三子无机层1715的折射率n15可为约1.3至小于约1.7，只要它小于第二子无机层1713的折射率n13。
在一些实施方式中，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715中的每一个可包括无机材料并可包括氧化物或氮氧化物。在实施方式中，例如，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715可包括硅氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、铝氮氧化物、钨氧化物、钨氮氧化物、钛氧化物或钛氮氧化物。
在一些实施方式中，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715可均包括相同的第一材料的氧化物或相同的第一材料的氮氧化物。在实施方式中，例如，第一材料可为硅(Si)、铝(Al)、钨(W)和钛(Ti)中的任一种。在实施方式中，例如，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715可均包括硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)。
在一些实施方式中，第二子无机层1713可包括第一材料的氮氧化物，并且第一子无机层1711和第三子无机层1715可包括第一材料的氧化物或第一材料的氮氧化物。另外，第二子无机层1713中氧原子的含量可小于第一子无机层1711中氧原子的含量和第三子无机层1715中氧原子的含量。另外，第二子无机层1713中氮原子的含量可大于第一子无机层1711中氮原子的含量和第三子无机层1715中氮原子的含量。
在相同材料的氧化物或相同材料的氮氧化物的情况下，折射率倾向于随着氧原子含量的增加而减小，并且折射率和阻隔性能倾向于随着氧原子含量的减小或氮原子含量的增加而增加。因此，具有比第一子无机层1711和第三子无机层1715的阻隔性能更好的阻隔性能的第二子无机层1713可具有相对低的氧原子含量和相对高的氮原子含量。
在一些实施方式中，第一子无机层1711和第三子无机层1715可包括硅氧化物，并且第二子无机层1713可包括硅氮氧化物。
在可选的实施方式中，第一子无机层1711和第二子无机层1713可包括硅氮氧化物，并且第三子无机层1715可包括硅氧化物。另外，第二子无机层1713可具有比第一子无机层1711的氧原子含量相对更低的氧原子含量，并且具有比第一子无机层1711的氮原子含量相对更高的氮原子含量。
在可选的实施方式中，第一子无机层1711、第二子无机层1713和第三子无机层1715可均包括硅氮氧化物。另外，第二子无机层1713可具有比第一子无机层1711和第三子无机层1715的氧原子含量相对更低的氧原子含量，并且具有比第一子无机层1711和第三子无机层1715的氮原子含量相对更高的氮原子含量。
在一些实施方式中，可省略包括在第一下无机层171a中的第一子无机层1711和第三子无机层1715中的任一个。在实施方式中，例如，当省略第一子无机层1711时，薄膜封装层170_1的最底下的无机层成为第二子无机层1713。因此，第二子无机层1713可接触第二子封盖层163。在该情况下，第二子无机层1713的折射率n13可小于第一子封盖层161的折射率nc1和第二子封盖层163的折射率nc3。即，第二子无机层1713的折射率n13、第一子封盖层161的折射率nc1和第二子封盖层163的折射率nc3可满足“n13<nc3<nc1”的关系。
第一有机层173可设置在第一下无机层171a上并且第一上无机层175a可设置在第一有机层173上。
第一上无机层175a可包括第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755。
第四子无机层1751可设置在第一有机层173上并且可阻挡或减少第一有机层173中产生的排气。
第五子无机层1753可设置在第四子无机层1751上并且可用作防止外部水分和氧气的渗透的阻隔层。
第六子无机层1755的上表面可直接接触填料70。在一些实施方式中，不平坦结构SR2可提供在直接接触填料70的第六子无机层1755的上表面上。因为不平坦结构SR2提供在第六子无机层1755的上表面上，所以第六子无机层1755的上表面可具有比接触第六子无机层1755的第五子无机层1753的上表面的表面粗糙度相对更大的表面粗糙度。
在一些实施方式中，不平坦结构SR2可以以不规则的任意图案或不规则的不平坦形状提供。因为不平坦结构SR2提供在第六子无机层1755的上表面上，所以可改善在形成填料70的过程中形成填料70的有机材料的铺展性，并且有机材料可以相对均匀地铺展在第六子无机层1755上。另外，因为不平坦结构SR2增加第六子无机层1755和填料70之间的接触面积，所以填料70和第六子无机层1755可更牢固地彼此附接。
在一些实施方式中，例如，基于均方根粗糙度，提供在第六子无机层1755的上表面上的不平坦结构SR2的表面粗糙度可为约5nm至约100nm。例如，当不平坦结构SR2的表面粗糙度为约5nm至约100nm时，可改善填料70和第六子无机层1755之间的粘附性以及有机材料的铺展性。
另外，不平坦结构SR2可通过减少光的内部反射来改善光提取效率，并且通过折射外部光来抑制外部光的反射。光提取效率表示屏幕亮度的改善，并且外部光反射的抑制导致屏幕对比度的改善。
在一些实施方式中，由于上述不平坦结构SR2，第六子无机层1755的上表面可具有约40mN/m至约80mN/m的表面能。
在一些实施方式中，第五子无机层1753的厚度Th53可大于第四子无机层1751的厚度Th51和第六子无机层1755的厚度Th55。
在一些实施方式中，例如，第五子无机层1753的厚度Th53可为约
至约
在一些实施方式中，例如，第四子无机层1751的厚度Th51可具有在约
至约
范围内的值，其小于第五子无机层1753的厚度Th53。另外，例如，第六子无机层1755的厚度Th55可具有在约
至约
范围内的值，其小于第五子无机层1753的厚度Th53。
在一些实施方式中，第五子无机层1753的折射率n53可大于第四子无机层1751的折射率n51和第六子无机层1755的折射率n55。
在一些实施方式中，例如，第五子无机层1753的折射率n53、第四子无机层1751的折射率n51和第六子无机层1755的折射率n55可均为约1.7或更小。在一些实施方式中，例如，第五子无机层1753的折射率n53可为约1.5至约1.7。第四子无机层1751的折射率n51和第六子无机层1755的折射率n55中的每一个可具有在约1.3至小于约1.7范围内的值，其小于第五子无机层1753的折射率n53。
在一些实施方式中，第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755中的每一个可包括无机材料并可包括氧化物或氮氧化物。在实施方式中，例如，第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755可包括硅氧化物、硅氮氧化物、铝氧化物、铝氮氧化物、钨氧化物、钨氮氧化物、钛氧化物或钛氮氧化物。
在一些实施方式中，第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755可均包括相同的第二材料的氧化物或相同的第二材料的氮氧化物。在实施方式中，例如，第二材料可为硅(Si)、铝(Al)、钨(W)和钛(Ti)中的任一种。在实施方式中，第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755可均包括硅氮氧化物。
在一些实施方式中，第五子无机层1753可包括第二材料的氮氧化物，并且第四子无机层1751和第六子无机层1755中的至少一个可包括第二材料的氧化物或第二材料的氮氧化物。另外，第五子无机层1753中氧原子的含量可小于第四子无机层1751中氧原子的含量和第六子无机层1755中氧原子的含量。另外，第五子无机层1753中氮原子的含量可大于第四子无机层1751中氮原子的含量和第六子无机层1755中氮原子的含量。
在一些实施方式中，第四子无机层1751和第六子无机层1755可包括硅氧化物并且第五子无机层1753可包括硅氮氧化物。
在可选的实施方式中，第四子无机层1751、第五子无机层1753和第六子无机层1755可包括硅氮氧化物，并且第五子无机层1753可具有比第四子无机层1751的氧原子含量和第六子无机层1755的氧原子含量相对更低的氧原子含量，并且具有比第四子无机层1751的氮原子含量和第六子无机层1755的氮原子含量相对更高的氮原子含量。
在一些实施方式中，可省略包括在第一上无机层175a中的第四子无机层1751和第六子无机层1755中的任一个。
参考图16，薄膜封装层170(参考图10)可改变为图16中所阐释的薄膜封装层170_1，并且第一封盖层160(参考图10)可改变为图16中所阐释的第一封盖层160_1。
第一封盖层160_1可包括第一子封盖层161和第三子封盖层165。
第一子封盖层161可设置在阴极CE上，并且第三子封盖层165可设置在第一子封盖层161和阴极CE之间。
在一些实施方式中，第一子封盖层161可接触包括在薄膜封装层170_1中的无机层中的最底下的无机层，例如，可接触第一子无机层1711。
第一子封盖层161的折射率nc1可大于第一子无机层1711的折射率n11，并且第三子封盖层165的折射率nc5可大于第一子封盖层161的折射率nc1和第一子无机层1711的折射率n11。即，第三子封盖层165的折射率nc5可满足“n11<nc1<nc5”的关系。
第一封盖层160_1与图13中上述的第一封盖层160_1基本上相同或类似，并且薄膜封装层170_1与图15中上述的薄膜封装层170_1基本上相同或类似。因此，省略了更详细的描述。
参考图17，薄膜封装层170(参考图10)可改变为图17中所阐释的薄膜封装层170_1，并且第一封盖层160(参考图10)可改变为图17中所阐释的第一封盖层160_2。
第一封盖层160_2可包括第一子封盖层161、第二子封盖层163和第三子封盖层165。
第一子封盖层161可设置在阴极CE上，并且第三子封盖层165可设置在第一子封盖层161和阴极CE之间。第二子封盖层163可设置在第一下无机层171a和第一子封盖层161之间。
在一些实施方式中，第三子封盖层165可接触阴极CE，并且第二子封盖层163可接触包括在薄膜封装层170_1中的无机层中的最底下的无机层，例如，可接触第一子无机层1711。
在一些实施方式中，第三子封盖层165的折射率nc5可大于第一子封盖层161的折射率nc1和薄膜封装层170_1的第一子无机层1711的折射率n11，并且第二子封盖层163的折射率nc3可小于第一子封盖层161的折射率nc1且大于第一子无机层1711的折射率n11。即，各层的折射率之间的大小关系可满足“n11<nc3<nc1<nc5”的关系。
第一封盖层160_2与图14中上述的第一封盖层160_2基本上相同或类似，并且薄膜封装层170_1与图15中上述的薄膜封装层170_1基本上相同或类似。因此，省略了更详细的描述。
除了图7之外，现在将参考图18至图22描述颜色转换基板30。
图18为阐释显示装置1的颜色转换基板30中第三滤色器235和颜色图案250的布置的实施方式的平面图。图19为阐释显示装置1的颜色转换基板30中阻光图案260的布置的实施方式的平面图。图20为阐释显示装置1的颜色转换基板30中第一滤色器231的布置的实施方式的平面图。图21为阐释显示装置1的颜色转换基板30中第二滤色器233的布置的实施方式的平面图。图22为阐释显示装置1的颜色转换基板30中的堤坝图案370、第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330的布置的实施方式的平面图。
参考图7和图18至图22，图7中所阐释的第二基底310可包括透光材料。
在一些实施方式中，第二基底310可包括玻璃基板或塑料基板。在一些实施方式中，第二基底310可进一步包括设置在玻璃基板或塑料基板上的隔离层，例如，绝缘层比如无机层。
在一些实施方式中，透光区域TA1至TA3和阻光区域BA可如上述限定在第二基底310中。
如图7中所阐释，第三滤色器235和颜色图案250可设置在面对显示基板10的第二基底310的表面上。
第三滤色器235可与第三发光区域LA3或第三透光区域TA3重叠。
第三滤色器235可仅透射第三颜色的光(例如，蓝光)并且阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。在一些实施方式中，第三滤色器235可为蓝色滤色器并且可包括蓝色着色剂，比如蓝色染料或蓝色颜料。如本文使用的，术语“着色剂”为涵盖染料和颜料两者的概念。
颜色图案250可与非发光区域NLA或阻光区域BA重叠。
颜色图案250可吸收从显示装置1的外部引入显示装置1的一部分光，从而减少由于外部光引起的反射光。相当一部分的外部光被反射，导致显示装置1的色域失真。然而，在所阐释的实施方式中，当颜色图案250设置在非发光区域NLA和非显示区NDA中时，可以减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。
在一些实施方式中，颜色图案250可包括蓝色着色剂，比如蓝色染料或蓝色颜料。在一些实施方式中，颜色图案250可包括与第三滤色器235的材料相同的材料并且可与第三滤色器235同时提供。当颜色图案250包括蓝色着色剂时，透射通过颜色图案250的外部光或反射光可为蓝光。用户眼睛的颜色敏感度根据光的颜色而变化。更具体地，蓝色波长带的光比绿色波长带的光和红色波长带的光可被用户更不敏感地感知。因此，因为颜色图案250包括蓝色着色剂，所以用户可相对更不敏感地感知反射光。
在一些实施方式中，如图18中所阐释，颜色图案250可设置在整个阻光区域BA上方。在一些实施方式中，颜色图案250和第三滤色器235可如图18中所阐释彼此连接。
如图7和图19中所阐释，阻光图案260可设置在面对显示基板10的第二基底310的表面上。阻光图案260可与阻光区域BA重叠以阻挡光的透射。在一些实施方式中，阻光图案260可如图19中所阐释的在平面图中以基本上格子的形状设置。
在一些实施方式中，阻光图案260可包括有机阻光材料并且可通过涂覆和曝光有机阻光材料来提供。
如上述，外部光可使显示装置1的色域失真。然而，当在所阐释的实施方式中阻光图案260设置在第二基底310上时，外部光的至少一部分被阻光图案260吸收。因此，可减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。在一些实施方式中，阻光图案260可以防止由于相邻透光区域之间的光侵入而导致的颜色混合，从而进一步改善色域。
在一些实施方式中，阻光图案260可设置在颜色图案250上。换句话说，阻光图案260可与第二基底310相对设置，颜色图案250介于它们之间。
因为颜色图案250设置在阻光图案260和第二基底310之间，所以在一些实施方式中，阻光图案260可不接触第二基底310。
如图7中所阐释，第一滤色器231和第二滤色器233可设置在面对显示基板10的第二基底310的表面上。
第一滤色器231可与第一发光区域LA1或第一透光区域TA1重叠，并且第二滤色器233可与第二发光区域LA2或第二透光区域TA2重叠。
在一些实施方式中，第一滤色器231可阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)。即，第一滤色器231可用作阻挡蓝光的蓝光阻挡滤色器。在一些实施方式中，第一滤色器231可仅透射第一颜色的光(例如，红光)并且阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第二颜色的光(例如，绿光)。在实施方式中，例如，第一滤色器231可为红色滤色器并可包括红色着色剂。
第二滤色器233可阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)。即，第二滤色器233也可用作蓝光阻挡滤色器。在一些实施方式中，第二滤色器233可仅透射第二颜色的光(例如，绿光)并且阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第一颜色的光(例如，红光)。在实施方式中，例如，第二滤色器233可为绿色滤色器并可包括绿色着色剂。
在一些实施方式中，第一滤色器231的一部分可进一步设置在如图7和图20中所阐释的阻光区域BA中，并且第二滤色器233的一部分可进一步设置在如图7和图21中所阐释的阻光区域BA中。
在一些实施方式中，第一滤色器231的一部分可进一步设置在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间以及第一透光区域TA1和第三透光区域TA3之间的阻挡区域BA中。
在一些实施方式中，第二滤色器233的一部分可进一步设置在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间以及第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之间的阻光区域BA中。
尽管第一滤色器231和第二滤色器233在图中彼此不重叠，但是它们也可在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的阻光区域BA中彼此重叠。第一滤色器231和第二滤色器233重叠的阻光区域BA的一部分可用作阻挡光透射的阻光构件。
在可选的实施方式中，与图不同，第一滤色器231和第二滤色器233可设置在整个阻光区域BA上方，并且可在整个阻光区域BA中彼此重叠。
在一些实施方式中，第一滤色器231和第二滤色器233可在阻光区域BA中与颜色图案250重叠。在实施方式中，例如，颜色图案250可在第一透光区域TA1和第二透光区域TA2之间的阻光区域BA中与第一滤色器231和第二滤色器233重叠。另外，颜色图案250可在第二透光区域TA2和第三透光区域TA3之间的阻光区域BA中与第二滤色器233重叠。另外，颜色图案250可在第三透光区域TA3和第一透光区域TA1之间的阻光区域BA中与第一滤色器231重叠。
在阻光区域BA中，第一滤色器231和颜色图案250重叠的部分以及第二滤色器233和颜色图案250重叠的部分可用作阻光构件。在阻光区域BA中，第一滤色器231和颜色图案250重叠的部分以及第二滤色器233和颜色图案250重叠的部分可吸收至少一部分的外部光，从而减少由于外部光的反射而导致的颜色失真。另外，可以防止发射到外部的光侵入相邻发光区域之间，从而导致颜色混合。相应地，可进一步改善显示装置1的色域。
如图7中所阐释，第二封盖层391可设置在第二基底310的表面上以覆盖阻光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。在一些实施方式中，第二封盖层391可直接接触第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。在一些实施方式中，第二封盖层391可直接接触阻光图案260。
第二封盖层391可防止从外部引入比如水分或空气的杂质，并且损坏或污染阻光图案260、颜色图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。另外，第二封盖层391可防止包括在第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的着色剂扩散到其它元件，比如第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。在一些实施方式中，第二封盖层391可包括无机材料。在实施方式中，例如，第二封盖层391可包括硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物或硅氮氧化物。
堤坝图案370可设置在面对显示基板10的第二封盖层391的表面上。在一些实施方式中，堤坝图案370可直接设置在第二封盖层391的表面上并且可直接接触第二封盖层391。
在一些实施方式中，堤坝图案370可与非发光区域NLA或阻光区域BA重叠。在一些实施方式中，堤坝图案370可如图22中所阐释的在平面图中围绕第一透光区域TA1、第二透光区域TA2和第三透光区域TA3。堤坝图案370可分隔设置第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330的空间。
在一些实施方式中，堤坝图案370可被提供为如图22中所阐释的一个整体图案，但本发明不限于此。在实施方式中，堤坝图案370的围绕第一透光区域TA1的一部分、堤坝图案370的围绕第二透光区域TA2的一部分和堤坝图案370的围绕第三透光区域TA3的一部分可被提供为彼此分离的单独图案。
当第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330通过使用喷嘴喷射油墨组合物的方法，即喷墨印刷方法来提供时，堤坝图案370可以用作将喷射的油墨组合物稳定地定位在期望位置的导向件。即，堤坝图案370可以用作阻隔墙。
在一些实施方式中，堤坝图案370可与像素限定层150重叠。
在一些实施方式中，堤坝图案370可包括具有光固化性的有机材料。在一些实施方式中，堤坝图案370可包括具有光固化性并且包括阻光材料的有机材料。当堤坝图案370具有阻光性能时，它可防止光侵入显示区DA中的相邻发光区域之间。在实施方式中，例如，堤坝图案370可阻挡从第二发光元件ED2发射的输出光LE进入与第一发光区域LA1重叠的第一波长转换图案340。另外，堤坝图案370可阻挡或防止外部光进入设置在非发光区域NLA中的堤坝图案370下方的元件。
第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可设置在第二封盖层391上。在一些实施方式中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可设置在显示区DA中。
光透射图案330可与第三发光区域LA3或第三发光元件ED3重叠。光透射图案330可设置在由第三透光区域TA3中的堤坝图案370限定的空间中。
在一些实施方式中，光透射图案330可被提供为如图22中所阐释的岛状图案。尽管在图中光透射图案330不与阻光区域BA重叠，但是这仅仅是示例。在一些实施方式中，光透射图案330的一部分可与阻光区域BA重叠。
光透射图案330可透射入射光。如上述，由第三发光元件ED3提供的输出光LE可为蓝光。作为蓝光的输出光LE透射通过光透射图案330和第三滤色器235，然后发射到显示装置1的外部。即，通过第三发光区域LA3从显示装置1发射出去的第三光L3可为蓝光。
在一些实施方式中，光透射图案330可包括第一基础树脂331并且可进一步包括分散于第一基础树脂331中的第一散射体333。
第一基础树脂331可包括具有高透光率的材料。在一些实施方式中，第一基础树脂331可包括有机材料。在实施方式中，例如，第一基础树脂331可包括有机材料比如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂或酰亚胺树脂。
第一散射体333可具有不同于第一基础树脂331的折射率的折射率并且可与第一基础树脂331形成光学界面。在实施方式中，例如，第一散射体333可为光散射颗粒。例如，第一散射体333没有特别限制，只要它为可散射至少一部分透射光的材料。在实施方式中，例如，第一散射体333可为金属氧化物颗粒或有机颗粒。在实施方式中，例如，金属氧化物可为例如钛氧化物(TiO2)、锆氧化物(ZrO2)、铝氧化物(Al2O3)、铟氧化物(In2O3)、锌氧化物(ZnO)或锡氧化物(SnO2)。有机颗粒的材料可为例如丙烯酸树脂或聚氨基甲酸酯树脂。第一散射体333可在随机方向上散射入射光，而不管入射光的入射方向，而基本上不改变通过光透射图案330透射的光的波长。
在一些实施方式中，光透射图案330可直接接触第二封盖层391和堤坝图案370。
第一波长转换图案340可设置在第二封盖层391上并且可与第一发光区域LA1或第一发光元件ED1或第一透光区域TA1重叠。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可设置在由第一透光区域TA1中的堤坝图案370限定的空间中。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可被提供为如图22中所阐释的岛状图案。尽管在图中第一波长转换图案340不与阻光区域BA重叠，但是这仅仅是示例。在一些实施方式中，第一波长转换图案340的一部分可与阻光区域BA重叠。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可直接接触第二封盖层391和堤坝图案370。
第一波长转换图案340可将入射光的峰值波长转换或变换成另一特定峰值波长，并且输出具有特定峰值波长的光。在一些实施方式中，例如，第一波长转换图案340可将由第一发光元件ED1提供的输出光LE转换成具有在约610nm至约650nm范围内的峰值波长的红光并且输出红光。
在一些实施方式中，第一波长转换图案340可包括第二基础树脂341和分散于第二基础树脂341中的第一波长变换器345并且可进一步包括分散于第二基础树脂341中的第二散射体343。
第二基础树脂341可包括具有高透光率的材料。在一些实施方式中，第二基础树脂341可包括有机材料。在一些实施方式中，第二基础树脂341可包括与第一基础树脂331的材料相同的材料，或者可包括示例为第一基础树脂331的构成材料的材料中的至少一种。
第一波长变换器345可将入射光的峰值波长转换或变换成另一特定峰值波长。在一些实施方式中，例如，第一波长变换器345可将第三颜色的输出光LE(其是由第一发光元件ED1提供的蓝光)转换成具有在约610nm至约650nm范围内的单个峰值波长的红光并且输出红光。
第一波长变换器345的示例可包括量子点、量子棒和磷光体。在实施方式中，例如，量子点可为当电子从导带跃迁到价带时发射特定颜色的光的颗粒材料。
量子点可为半导体纳米晶体材料。量子点可根据它们的组成和尺寸具有特定的带隙。因此，量子点可以吸收光，然后发射具有独特波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例包括第IV族元素或化合物纳米晶体、第II-VI族化合物纳米晶体、第III-V族化合物纳米晶体、第IV-VI族化合物纳米晶体及其组合。
在实施方式中，例如，第II-VI族化合物可包括以下的至少一种：二元化合物，包括CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其组合中的至少一种；三元化合物，包括InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其组合中的至少一种；和四元化合物，包括HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其组合中的至少一种。
在实施方式中，例如，第III-V族化合物可包括以下的至少一种：二元化合物，包括GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其组合中的至少一种；三元化合物，包括GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAIP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb及其组合中的至少一种；和四元化合物，包括GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb、GaAlNP及其组合中的至少一种。
在实施方式中，例如，第IV-VI族化合物可包括以下的至少一种：二元化合物，包括SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其组合中的至少一种；三元化合物，包括SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其组合中的至少一种；和四元化合物，包括SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe及其组合中的至少一种。在实施方式中，例如，第IV族元素包括硅(Si)、锗(Ge)及其组合中的至少一种。在实施方式中，例如，第IV族化合物可为二元化合物，包括碳化硅(SiC)、硅锗(SiGe)及其组合中的至少一种。
本文，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度存在于相同的颗粒中。此外，它们可以具有核-壳结构，其中一个量子点围绕另一个量子点。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中元素的浓度向中心降低。
在一些实施方式中，量子点可以具有核-壳结构，该核-壳结构包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳。每个量子点的壳可以通过防止核的化学变性而用作保持半导体特性的保护层，和/或用作给予量子点电泳特性的充电层。壳可以是单个层或多个层。核和壳之间的界面可以具有浓度梯度，其中壳中存在的元素的浓度向中心降低。每个量子点的壳可为例如金属或非金属氧化物、半导体化合物或其组合。
在实施方式中，例如，金属或非金属氧化物可为，但不限于，二元化合物比如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4或NiO或者三元化合物比如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4或CoMn2O4。
在实施方式中，例如，半导体化合物可为，但不限于，CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP或AlSb。
在实施方式中，例如，从第一波长变换器345发射的光可具有约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的发射波长光谱的半峰全宽(“FWHM”)。因此，可进一步改善显示装置1的颜色纯度和颜色再现性。另外，从第一波长变换器345发射的光可在各个方向上辐射，而不管入射光的入射方向。因此，可改善第一透光区域TA1中显示的第一颜色的横向可见度。
由第一发光元件ED1提供的输出光LE的一部分可透射通过第一波长转换图案340，而不被第一波长转换器345转换成红光。在输出光LE中，入射到第一滤色器231上而没有被第一波长转换图案340转换的分量可以被第一滤色器231阻挡。输出光LE已经被第一波长转换图案340转换成的红光可以透射通过第一滤色器231并发射到外部。即，通过第一透光区域TA1从显示装置1发射出去的第一光L1可为红光。
第二散射体343可具有不同于第二基础树脂341的折射率的折射率，并且可与第二基础树脂341形成光学界面。在实施方式中，例如，第二散射体343可为光散射颗粒。第二散射体343的其它细节与第一散射体333的细节基本上相同或相似，因此省略其描述。
第二波长转换图案350可设置在由第二透光区域TA2中的堤坝图案370限定的空间中。
在一些实施方式中，第二波长转换图案350可提供为如图22中所阐释的岛状图案。在一些实施方式中，与图中的不同，第二波长转换图案350的一部分可与阻光区域BA重叠。
在一些实施方式中，第二波长转换图案350可直接接触第二封盖层391和堤坝图案370。
第二波长转换图案350可将入射光的峰值波长转换或变换成另一特定峰值波长，并且输出具有特定峰值波长的光。在一些实施方式中，例如，第二波长转换图案350可将由第二发光元件ED2提供的输出光LE转换成在约510nm至约550nm范围内的绿光，并且输出绿光。
在一些实施方式中，第二波长转换图案350可包括第三基础树脂351和分散于第三基础树脂351中的第二波长变换器355，并且可进一步包括分散于第三基础树脂351中的第三散射体353。
第三基础树脂351可包括具有高透光率的材料。在一些实施方式中，第三基础树脂351可包括有机材料。在一些实施方式中，第三基础树脂351可包括与第一基础树脂331的材料相同的材料，或者可包括示例为第一基础树脂331的构成材料的材料中的至少一种。
第二波长变换器355可将入射光的峰值波长转换或变换成另一特定峰值波长。在一些实施方式中，例如，第二波长变换器355可将具有在约440nm至约480nm范围内的峰值波长的蓝光转换成具有在约510nm至约550nm范围内的峰值波长的绿光。
第二波长变换器355的示例可包括量子点、量子棒和磷光体。第二波长变换器355与上述的第一波长变换器345基本上相同或类似，因此省略其更详细的描述。
在一些实施方式中，第一波长变换器345和第二波长变换器355两者可由量子点组成。在该情况下，构成第二波长变换器355的量子点的粒径可小于构成第一波长变换器345的量子点的粒径。
第三散射体353可具有不同于第三基础树脂351的折射率的折射率并且可与第三基础树脂351形成光学界面。在实施方式中，例如，第三散射体353可为光散射颗粒。第三散射体353的其它细节与第二散射体343的细节基本上相同或类似，因此省略其描述。
例如，由第二发光元件ED2发射的输出光LE可被提供给第二波长转换图案350，并且第二波长变换器355可将由第二发光元件ED2提供的输出光LE转换成具有在约510nm至约550nm范围内的峰值波长的绿光，并且发射绿光。
作为蓝光的输出光LE的一部分可以透射通过第二波长转换图案350，而不被第二波长转换器355转换成绿光，并且可以被第二滤色器233阻挡。输出光LE已经被第二波长转换图案350转换成的绿光可以透射通过第二滤色器233并发射到外部。因此，通过第二透光区域TA2从显示装置1发射出去的第二光L2可为绿光。
第三封盖层393可设置在堤坝图案370、光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。第三封盖层393可覆盖光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。在一些实施方式中，第三封盖层393也可设置在非显示区NDA(参考图1)中。在非显示区NDA(参考图1)中，第三封盖层393可直接接触第二封盖层391并且密封光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。相应地，可以防止从外部引入比如水分或空气的杂质并损坏或污染光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350。
在一些实施方式中，第三封盖层393可包括无机材料。在一些实施方式中，第三封盖层393可包括与第二封盖层391的材料相同的材料，或者可包括第二封盖层391的描述中提及的材料中的至少一种。
填料70可设置在如上述的颜色转换基板30和显示基板10之间的空间中。在一些实施方式中，填料70可如图7中所阐释的直接接触第三封盖层393和薄膜封装层170。
根据上述实施方式，即使当通过降低包括在薄膜封装层中的无机层的折射率使消光系数收敛到基本为零时，因为在用作屏障的无机层下方额外地设置无机层，所以薄膜封装层的存储可靠性可以保持在极好的水平。
因此，在所阐释的实施方式中，可以改善显示装置1的光效率，同时保持显示装置1的可靠性。此外，当在薄膜封装层的无机层上提供不平坦结构时，改善了有机材料的铺展性，并且改善了两层之间的粘附性。因此，可以进一步改善显示装置1的可靠性。
另外，因为第一封盖层160包括上述第二子封盖层163，所以可以防止薄膜封装层170和第一封盖层160之间的界面处的折射率的急剧变化。因此，可以增加发射光的量，特别是具有斜率的发射光的量和由波长转换图案转换的光的量，从而改善显示装置1的光效率。
图23为沿着图3和图4的线X3-X3’截取的显示装置2的实施方式的截面图。
参考图23，所阐释的实施方式中的显示装置2包括显示基板10、颜色转换基板31和填料70。除了颜色转换基板31的构造之外，特别地，除了颜色转换基板31包括颜色混合防止构件380并且不包括堤坝图案370(参考图7)之外，显示装置2与图7的实施方式基本上相同或类似。因此，将省略多余描述，并且将主要描述差异。
第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可设置在第二封盖层391上。在一些实施方式中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330中的每一个可通过涂覆光敏材料并曝光和显影光敏材料来提供。
第三封盖层393可设置在第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330上。在一些实施方式中，第三封盖层393可在阻光区域BA中直接接触第二封盖层391。
颜色混合防止构件380可设置在面对显示基板10的第三封盖层393的表面上。
颜色混合防止构件380可设置在阻光区域BA中以阻挡光的透射。颜色混合防止构件380可设置在光透射图案330和第一波长转换图案340之间以及第一波长转换图案340和第二波长转换图案350之间，以防止相邻透光区域的颜色混合。
在一些实施方式中，颜色混合防止构件380的平面布置可与图22中所阐释的堤坝图案370的布置(参考图22)基本上相同或类似。然而，本发明不限于此，并且颜色混合防止构件380的平面结构可以不同地改变。
在一些实施方式中，颜色混合防止构件380可包括有机阻光材料并且可通过涂覆和曝光有机阻光材料来提供。
在一些实施方式中，颜色混合防止构件380可直接接触填料70。
显示装置2的其它元件可与上述参考图7至图22的显示装置1的元件基本上相同。
图24为沿着图3和图4的线X3-X3’截取的显示装置3的实施方式的截面图。图25为图24的部分Q7的放大截面图。图26为图25的另一实施方式的截面图。
参考图24至图26，除了显示基板11包括图7中所阐释的颜色转换基板30(参考图7)除第二基底310之外的的所有元件，并且省略填料70之外，所阐释的实施方式中的显示装置3与图7的实施方式基本上相同或类似。因此，下面将主要描述差异。
第一封盖层160可设置在阴极CE上，并且薄膜封装层170可设置在第一封盖层160上。
第一封盖层160的结构可与图10中所阐释的结构基本上相同。在可选的实施方式中，第一封盖层160的结构可改变为图13中所阐释的第一封盖层160_1的结构(参考图13)或者图14中所阐释的第一封盖层160_2的结构(参考图14)。
薄膜封装层170的结构可与图10中所阐释的结构基本上相同。在可选的实施方式中，薄膜封装层170的结构可改变为图15中所阐释的薄膜封装层170_1的结构(参考图15)，或者可改变为从薄膜封装层170_1的结构(参考图15)中省略第一子无机层1711(参考图15)和第三子无机层1715(参考图15)中的至少任一个的结构，或者可改变为从薄膜封装层170_1的结构(参考图15)中省略第四子无机层1751(参考图15)和第六子无机层1755(参考图15)中的至少任一个的结构。
第二封盖层391可设置在薄膜封装层170上。在一些实施方式中，第二封盖层391可接触薄膜封装层170。在一些实施方式中，可省略第二封盖层391。
堤坝图案370、光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350可设置在第二封盖层391上。堤坝图案370可与非发光区域NLA重叠并且限定对应于第一发光区域LA1、第二发光区域LA2和第三发光区域LA3中的每一个的空间。光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350中的每一个可设置在由堤坝图案370限定的空间中。第一波长转换图案340可与第一发光区域LA1重叠，第二波长转换图案350可与第二发光区域LA2重叠，并且光透射图案330可与第三发光区域LA3重叠。
第三封盖层393可设置在光透射图案330、第一波长转换图案340和第二波长转换图案350上。
与第一发光区域LA1重叠的第一滤色器231、与第二发光区域LA2重叠的第二滤色器233、与第三发光区域LA3重叠的第三滤色器235以及与非发光区域NLA重叠的颜色图案250可设置在第三封盖层393上。
在一些实施方式中，第一滤色器231的一部分和第二滤色器233的一部分可与非发光区域NLA重叠，并且颜色图案250可设置在非发光区域NLA中的第一滤色器231和第二滤色器233上。
在一些实施方式中，阻光图案260可设置在非发光区域NLA中的颜色图案250和第一滤色器231之间以及颜色图案250和第二滤色器233之间，并且可与非发光区域NLA重叠。在实施方式中，可省略阻光图案260。
上薄膜封装层270可设置在第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250上。
上薄膜封装层270保护设置在上薄膜封装层270下方的元件免受外部杂质比如水分的影响。
上薄膜封装层270设置在显示区DA中的所有第一发光区域LA1、第二发光区域LA2、第三发光区域LA3和非发光区域NLA中。在一些实施方式中，上薄膜封装层270可直接覆盖显示区DA中的第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250。
在一些实施方式中，上薄膜封装层270可包括顺序堆叠的第二下无机层271、第二有机层273和第二上无机层275。
在一些实施方式中，第二下无机层271可直接覆盖显示区DA中的第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250并且可覆盖非显示区NDA中的堤坝图案370和颜色图案250。
第二有机层273可设置在第二下无机层271上。第二有机层273可设置在整个显示区DA上方，并且第二有机层273的一部分可设置在非显示区NDA(参考图1)中。第二有机层273可包括与第一有机层173的材料相同的材料，或者可包括选自示例为包括在第一有机层173中的材料的材料中的一种或多种材料。
第二上无机层275可设置在第二有机层273上并且具有厚度Th5a。第二上无机层275可覆盖第二有机层273。在一些实施方式中，第二上无机层275可在非显示区NDA(参考图1)中直接接触第二下无机层271以形成无机-无机键。第二上无机层275可包括与第一上无机层175的材料相同的材料，或者可包括选自示例为包括在第一上无机层175中的材料的材料中的一种或多种材料。
在一些实施方式中，例如，第二有机层273的厚度Th3a可为约2μm至约8μm。
第二下无机层271可包括无机材料并且可具有多层结构。在一些实施方式中，如图25中所阐释，第二下无机层271可包括第七子无机层2711和第八子无机层2713。另外，第二下无机层271可进一步包括第九子无机层2715。
第七子无机层2711可设置在第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250上。第七子无机层2711可防止第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235和颜色图案250在形成第八子无机层2713的过程中损坏。即，第七子无机层2711可用作保护层。
在一些实施方式中，例如，第七子无机层2711的抗压应力可为约0MPa至约200MPa。
第八子无机层2713可设置在第七子无机层2711上。第八子无机层2713可防止水分和氧气渗透到设置在上薄膜封装层270下方的元件中。在一些实施方式中，例如，第八子无机层2713的抗压应力可为约0MPa至约200MPa。
第九子无机层2715可设置在第八子无机层2713上。第九子无机层2715的上表面可直接接触第二有机层273。
具有不规则图案的不平坦结构SR1a可提供在第九子无机层2715的上表面或者接触第二有机层273的表面上。相应地，可改善第二有机层273的铺展性。在实施方式中，例如，基于均方根粗糙度，不平坦结构SR1a的表面粗糙度可为约5nm至约100nm。
在一些实施方式中，第七子无机层2711的折射率n11a和第九子无机层2715的折射率n15a可小于第八子无机层2713的折射率n13a。在实施方式中，例如，第八子无机层2713的折射率n13a可为约1.5至约1.7，并且第七子无机层2711的折射率n11a和第九子无机层2715的折射率n15a可为约1.3至小于约1.7，只要它们小于第八子无机层2713的折射率n13a。
在一些实施方式中，第七子无机层2711的厚度Th11a和第九子无机层2715的厚度Th15a可小于第八子无机层2713的厚度Th13a。在实施方式中，例如，第八子无机层2713的厚度Th13a可为约
至约
在一些实施方式中，例如，第七子无机层2711的厚度Th11a可为约
至约
只要它小于第八子无机层2713的厚度Th13a。在一些实施方式中，例如，第九子无机层2715的厚度Th15a可为约
至约
只要它小于第八子无机层2713的厚度Th13a。
在一些实施方式中，第八子无机层2713可包括第三材料比如硅、铝、钨或钛的氮氧化物，并且第七子无机层2711和第九子无机层2715可包括第三材料的氧化物或第三材料的氮氧化物。另外，第八子无机层2713中氧原子的含量可小于第七子无机层2711中氧原子的含量和第九子无机层2715中氧原子的含量。另外，第八子无机层2713中氮原子的含量可大于第七子无机层2711中氮原子的含量和第九子无机层2715中氮原子的含量。在实施方式中，例如，第七子无机层2711、第八子无机层2713和第九子无机层2715可均包括硅氮氧化物。另外，第八子无机层2713可具有比第七子无机层2711的氧原子含量和第九子无机层2715的氧原子含量相对更低的氧原子含量，并且具有比第七子无机层2711的氮原子含量和第九子无机层2715的氮原子含量相对更高的氮原子含量。
参考图26，上薄膜封装层270(参考图24)可改变为图26中所阐释的上薄膜封装层270_1。上薄膜封装层270_1可包括第二下无机层271、第二有机层273和第二上无机层275a。
第二上无机层275a可包括第十子无机层2751和第十一子无机层2753。
第十子无机层2751可设置在第二有机层273上并且可阻挡或减少第二有机层273中产生的排气。
第十一子无机层2753可设置在第十子无机层2751上并且可用作防止外部水分和氧气的渗透的阻隔层。
在一些实施方式中，第十子无机层2751的厚度Th51a、折射率n51a和材料可与图15中上述的第四子无机层1751的厚度Th51(参考图15)、折射率n51(参考图15)和材料(参考图15)基本上相同。
在一些实施方式中，第十一子无机层2753的厚度Th53a、折射率n53a和材料可与图15中上述的第五子无机层1753的厚度Th53(参考图15)、折射率n53(参考图15)和材料(参考图15)基本上相同。
此外，第十子无机层2751的厚度Th51a和第十一子无机层2753的厚度Th53a之间的关系，第十子无机层2751的折射率n51a和第十一子无机层2753的折射率n53a之间的关系，以及包括在第十子无机层2751中的无机材料和包括在第十一子无机层2753中的无机材料之间的关系(例如，氧原子含量大小关系和氮原子含量大小关系)可与图15中上述的第四子无机层1751(参考图15)和第五子无机层1753(参考图15)之间的关系相同，因此省略其详细描述。
通过本发明的实施方式，可提供具有改善的光效率和可靠性的显示装置。
然而，实施方式的效果不限于本文阐述的效果。通过参考权利要求，实施方式的上述和其它效果对于实施方式所属领域的普通技术人员来说将变得更加显而易见。
Claims (20)
1.一种显示装置，包括：
第一基底；
设置在所述第一基底上的发光元件；
设置在所述发光元件上的封盖层，所述封盖层包括：
设置在所述发光元件上的第一子封盖层；和
设置在所述第一子封盖层上的第二子封盖层；
设置在所述封盖层上且在底部包括无机层的薄膜封装层；和
设置在所述薄膜封装层上且与所述发光元件重叠的波长转换图案，
其中所述第二子封盖层的折射率大于所述无机层的折射率且小于所述第一子封盖层的折射率。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中所述第一子封盖层的厚度不同于所述第二子封盖层的厚度。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一子封盖层的所述厚度大于所述第二子封盖层的所述厚度。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中所述封盖层进一步包括设置在所述第一子封盖层和所述发光元件之间的第三子封盖层，并且所述第三子封盖层的折射率大于所述第一子封盖层的所述折射率。
5.如权利要求4所述的显示装置，其中所述第一子封盖层的所述厚度大于所述第二子封盖层的所述厚度和所述第三子封盖层的厚度。
6.如权利要求2所述的显示装置，其中所述第一子封盖层和所述第二子封盖层包括有机材料。
7.如权利要求6所述的显示装置，其中所述薄膜封装层包括设置在所述封盖层上的下无机层、设置在所述下无机层上的有机层和设置在所述有机层上的上无机层，其中所述下无机层包括设置在所述第二子封盖层上的第一子无机层和设置在所述第一子无机层和所述有机层之间的第二子无机层，并且所述第一子无机层的折射率小于所述第二子封盖层的所述折射率和所述第二子无机层的折射率。
8.如权利要求7所述的显示装置，其中所述第一子无机层的所述折射率为1.3至小于1.7，所述第二子无机层的所述折射率为1.5至1.7，并且所述第二子封盖层的所述折射率为1.9至2.4。
9.如权利要求7所述的显示装置，其中所述第一子无机层和所述第二子无机层中的每一个包括氧原子，并且所述第一子无机层中所述氧原子的含量大于所述第二子无机层中所述氧原子的含量。
10.如权利要求9所述的显示装置，其中所述第一子无机层和所述第二子无机层中的每一个进一步包括氮原子，并且所述第二子无机层中所述氮原子的含量大于所述第一子无机层中所述氮原子的含量。
11.如权利要求10所述的显示装置，其中所述第一子无机层和所述第二子无机层包括硅氮氧化物。
12.如权利要求7所述的显示装置，其中所述下无机层进一步包括设置在所述第二子无机层上且接触所述有机层的第三子无机层，所述第三子无机层包括接触所述有机层的不平坦结构，并且所述不平坦结构的均方根表面粗糙度为5纳米至100纳米。
13.如权利要求12所述的显示装置，其中所述第三子无机层的折射率小于所述第二子无机层的所述折射率，并且所述第三子无机层的厚度小于所述第二子无机层的厚度。
14.如权利要求7所述的显示装置，其中所述上无机层包括设置在所述有机层上的第四子无机层和设置在所述第四子无机层上的第五子无机层，其中所述第四子无机层的折射率和所述第五子无机层的折射率为1.7或更小，所述第五子无机层的所述折射率大于所述第四子无机层的所述折射率，并且所述第五子无机层的厚度大于所述第四子无机层的厚度。
15.如权利要求14所述的显示装置，进一步包括设置在所述波长转换图案和所述薄膜封装层之间的填料，其中所述上无机层进一步包括设置在所述第五子无机层和所述填料之间的第六子无机层并且所述第六子无机层包括接触所述填料的不平坦结构。
16.如权利要求1所述的显示装置，其中所述发光元件包括彼此重叠的第一发光层、第二发光层和第三发光层，并且所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的每一个发射具有440纳米至550纳米的峰值波长的光，其中所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的任一个发射具有第一峰值波长的光，并且所述第一发光层、所述第二发光层和所述第三发光层中的另一个发射具有不同于所述第一峰值波长的第二峰值波长的光。
17.如权利要求16所述的显示装置，进一步包括：
第二基底，设置在所述薄膜封装层上；
滤色器，设置在面对所述薄膜封装层的所述第二基底的表面上且与所述发光元件重叠；
填料，设置在所述滤色器和所述薄膜封装层之间；和
密封部分，设置在所述第一基底和所述第二基底之间且围绕所述填料，
其中所述波长转换图案设置在所述填料和所述滤色器之间。
18.一种显示装置，包括：
基底；
设置在所述基底上的发光元件；
设置在所述发光元件上的第一封盖层，所述第一封盖层包括：
设置在所述发光元件上的第一子封盖层；和
设置在所述第一子封盖层上的第二子封盖层；
薄膜封装层，包括设置在所述第一封盖层上的第一下无机层、设置在所述第一下无机层上的第一有机层和设置在所述第一有机层上的第一上无机层；
波长转换图案，设置在所述薄膜封装层上且与所述发光元件重叠；
第二封盖层，设置在所述波长转换图案上；
滤色器，设置在所述第二封盖层上且与所述波长转换图案重叠；和
上薄膜封装层，设置在所述滤色器上且包括第二下无机层、设置在所述第二下无机层上的第二有机层和设置在所述第二有机层上的第二上无机层，
其中所述第二子封盖层的折射率小于所述第一子封盖层的折射率，并且所述第一下无机层的折射率小于所述第二子封盖层的所述折射率。
19.如权利要求18所述的显示装置，其中所述第一下无机层包括多个子无机层，并且在所述多个子无机层中，接触所述第二子封盖层的子无机层的折射率小于所述第二子封盖层的所述折射率。
20.如权利要求19所述的显示装置，其中所述第二下无机层包括设置在所述滤色器上的第一子无机层、设置在所述第一子无机层上的第二子无机层和设置在所述第二子无机层上且接触所述第二有机层的第三子无机层，其中所述第二子无机层的折射率大于所述第一子无机层的折射率和所述第三子无机层的折射率，并且所述第三子无机层包括接触所述第二有机层的不平坦结构。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (1)
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Cited By (1)
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Legal Events
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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