CN113831845A - 一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液及抛光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种可见光辅助金刚石化学机械抛光方法,属于超硬材料超精密加工领域。抛光液由磨料、氧化剂、可见光光催化剂、去离子水构成。在可见光光源照射下,使用抛光液对金刚石进行化学机械抛光,可见光光源置于抛光盘正上方10‑20cm处,抛光盘(垫)为玻璃盘或者聚氨酯抛光垫,抛光盘(垫)转速50‑70r/min,抛光压力为1‑2MPa,抛光液流量为10‑20ml/min。抛光后金刚石表面粗糙度可达0.250‑0.354nm。本发明实现了金刚石的高效率超光滑化学机械抛光。相较于传统抛光方法,晶体表面粗糙度降低,抛光效率提升。相较于紫外光辅助化学机械方法,使用设备结构简单,实用性强。
Description
技术领域
本发明属于超硬材料超精密加工技术领域,涉及到一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液及抛光方法。
背景技术
金刚石出色的力学、热学、光学、声学、电学和化学特性使它被应用于超精密加工以及光学、声学和微电子等领域。这些领域的应用都对金刚石的加工精度和表面质量有很高的要求,由于金刚石的高硬度、高脆性、高化学稳定性等特性,使其成为极难加工的材料。因此实现金刚石高效超精密加工制造显得至关重要。
目前提高金刚石表面质量的加工方法有机械抛光、热化学抛光、离子束抛光、化学机械抛光等。机械抛光的抛光效率低,表面损伤层厚度高,质量差。热化学抛光加工设备复杂,抛光盘磨损和热变形问题严重。等离子体蚀刻后,单晶金刚石表面表现出明显的凹坑。相比之下,化学机械抛光处理后的表面粗糙度低。化学机械抛光是目前抛光金刚石的最好方法。但目前化学机械抛光存在抛光质量差、抛光效率低、污染环境等问题。此外目前有金刚石晶片紫外光辅助化学机械抛光的加工装置及工艺,但此装置和工艺复杂,用于工业生产较为困难。因此,研制高质量、高效率、环保的金刚石化学机械抛光方法对相关产业具有重要的实际意义。
发明内容
为解决金刚石传统化学机械抛光方法抛光质量差、抛光效率低、污染环境等问题,本发明提供了一种可见光辅助金刚石化学机械抛光方法,实现了金刚石的高效率超光滑绿色化学机械抛光。
为了达到上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液,其成分包含磨料、氧化剂、可见光催化剂和去离子水。室温下,将氧化剂、磨料和去离子水混合后搅拌均匀,超声设备中震荡10min得到抛光液的A组分,其中,A组分中:氧化剂的浓度为15wt%~25wt%,磨料浓度为0.04~0.08g/ml,粒径为0~0.25μm、0.5~1μm、1~3μm,去离子水的重量百分比为67%~81%。室温下,将可见光催化剂和去离子水混合后搅拌均匀,超声设备中震荡10min得到抛光液的B组分其中,B组分中:可见光催化剂的浓度为0.02667~0.2667g/l。AB组分同时滴加能够用于抛光金刚石。
进一步的,所述的氧化剂为过氧化氢。
进一步的,所述的磨料为二氧化硅、金刚石、氧化铈、氧化铝、氮化硼中的一种或几种。优选为金刚石。
进一步的,所述的可见光催化剂为ZnO-Fe2O3、氧化铈、铁酸镧、二氧化钛掺杂钴、二氧化钛掺杂纳米金刚石、铜铁水滑石掺杂纳米金刚石中的一种或几种。
一种可见光辅助金刚石化学机械抛光方法,包含以下歩骤:
第一步,配置化学机械抛光液;
室温下,将氧化剂、磨料和去离子水混合后搅拌均匀,超声设备中震荡10min后得到抛光液的A组分。室温下,将可见光催化剂和去离子水混合后搅拌均匀,超声设备中震荡10min得到抛光液的B组分。
第二步,采用玻璃盘或者聚氨酯抛光垫作为化学机械抛光盘(垫);
第三步,在可见光光源照射下,同时向抛光盘(垫)表面滴加抛光液的A、B组分,对金刚石进行化学机械抛光,其中,抛光盘(垫)转速50-70r/min,抛光压力为1-2MPa,抛光液A、B组分的流量相同,为10-20ml/min,抛光后金刚石表面粗糙度可达0.250-0.354nm。其中,可见光光源置于抛光盘正上方10-20cm处。
进一步的,所述的抛光垫为玻璃盘。
上述技术方案也可以用于石英、蓝宝石晶体、硅片、钨合金材料的化学机械抛光。
本发明的效果和益处是:采用本发明的可见光辅助化学机械抛光方法抛光金刚石。1)相较于传统抛光方法,金刚石表面粗糙度降低,抛光速率快,绿色环保;2)相较于紫外光辅助化学机械抛光方法,装置简单,实用性强。
附图说明
图1为采用本发明用ZygoNewView 9000白光干涉仪测量的金刚石晶体抛光后的表面粗糙度图测量图。
图2为采用本发明用ZygoNewView 9000白光干涉仪测量的金刚石晶体抛光后的表面粗糙度图测量图。
图3为采用本发明用ZygoNewView 9000白光干涉仪测量的金刚石晶体抛光后的表面粗糙度图测量图。
具体实施方式
下面通过具体实例对本发明作进一步阐述,但不应解释为限制本发明的范围。
实施例1:
1)配置抛光液A、B组分。其中,A组分中:过氧化氢的浓度为20wt%,金刚石微粉浓度为0.06g/ml,粒径为0.5~1μm,去离子水的重量百分比为74%,混合后搅拌均匀超声设备中震荡10min。其中,B组分中:ZnO-Fe2O3的浓度为0.1334g/l,超声设备中震荡10min。
3)用支架将100w白炽灯泡架在抛光盘正上方15cm处,在可见光光源照射下,抛光液A、B组分同时滴加对单晶金刚石晶体进行化学机械抛光;其中,抛光设备为自动压力研磨抛光机,设置抛光压力为1MPa,抛光盘转速50r/min,A、B组分的流量均为10ml/min。
抛光后金刚石表面粗糙度为0.282nm。(见附图1)
实施例2:
1)配置抛光液A、B组分。其中,A组分中:过氧化氢的浓度为15wt%,金刚石微粉浓度为0.04g/ml,粒径为0~0.25μm,去离子水的重量百分比为81%,混合后搅拌均匀超声设备中震荡10min。其中,B组分中:二氧化钛掺杂纳米金刚石的浓度为0.02667g/l,超声设备中震荡10min。
3)用支架将100w白炽灯泡架在抛光盘正上方10cm处,在可见光光源照射下,抛光液A、B组分同时滴加对单晶金刚石晶体进行化学机械抛光;其中,抛光设备为自动压力研磨抛光机,设置抛光压力为1.5MPa,抛光盘转速60r/min,A、B组分的流量均为15ml/min。
抛光后金刚石表面粗糙度为0.250nm。(见附图2)
实施例3:
1)配置抛光液A、B组分。其中,A组分中:过氧化氢的浓度为25wt%,金刚石微粉浓度为0.08g/ml,粒径为1~3μm,去离子水的重量百分比为67%,混合后搅拌均匀超声设备中震荡10min。其中,B组分中:铜铁水滑石掺杂纳米金刚石的浓度为0.2667g/l,超声设备中震荡10min。
3)用支架将100w白炽灯泡架在抛光盘正上方20cm处,在可见光光源照射下,抛光液A、B组分同时滴加对单晶金刚石晶体进行化学机械抛光;其中,抛光设备为自动压力研磨抛光机,设置抛光压力为2MPa,抛光盘转速70r/min,A、B组分的流量均为20ml/min。
抛光后金刚石表面粗糙度为0.354nm。(见附图3)
以上所述实施例仅表达本发明的实施方式,但并不能因此而理解为对本发明专利的范围的限制,应当指出,对于本领域的技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些均属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液,其特征在于,所述的机械抛光液的成分包含磨料、氧化剂、可见光催化剂和去离子水,包括A组分、B组分,AB组分同时滴加能够用于抛光金刚石;
所述的A组分由氧化剂、磨料和去离子水混合后搅拌均匀而成,A组分中:氧化剂的浓度为15wt%~25wt%,磨料浓度为0.04~0.08g/ml,粒径为0~0.25μm、0.5~1μm、1~3μm,去离子水的重量百分比为67%~81%;
所述的B组分由可见光催化剂和去离子水混合后搅拌均匀而成,B组分中:可见光催化剂的浓度为0.02667~0.2667g/l。
2.根据权利要求1所述的一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液,其特征在于,所述的氧化剂为过氧化氢。
3.根据权利要求1所述的一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液,其特征在于,所述的磨料为二氧化硅、金刚石、氧化铈、氧化铝、氮化硼中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液,其特征在于,所述的的可见光催化剂为ZnO-Fe2O3、氧化铈、铁酸镧、二氧化钛掺杂钴、二氧化钛掺杂纳米金刚石、铜铁水滑石掺杂纳米金刚石中的一种或几种。
5.一种采用权利要求1-4任一所述的抛光液实现的可见光辅助金刚石化学机械抛光方法,其特征在于,包含以下歩骤:
第一步,配置化学机械抛光液;
室温下,将氧化剂、磨料和去离子水混合后搅拌均匀,超声设备中震荡后得到抛光液的A组分;室温下,将可见光催化剂和去离子水混合后搅拌均匀,超声设备中震荡后得到抛光液的B组分;
第二步,采用玻璃盘或者聚氨酯抛光垫作为化学机械抛光盘/垫;
第三步,在可见光光源照射下,同时向抛光盘/垫表面滴加抛光液的A、B组分,对金刚石进行化学机械抛光,其中,抛光盘/垫转速50-70r/min,抛光压力为1-2MPa,抛光液A、B组分的流量相同,为10-20ml/min,抛光后金刚石表面粗糙度可达0.250-0.354nm;其中,可见光光源置于抛光盘正上方10-20cm处。
6.根据权利要求5所述的可见光辅助金刚石化学机械抛光方法,其特征在于,第一步所述的超声设备震荡时间为10min。
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CN202111267345.XA Active CN113831845B (zh) | 2021-10-29 | 2021-10-29 | 一种可见光辅助金刚石化学机械抛光液及抛光方法 |
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