CN113831363A - 含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置 - Google Patents
含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113831363A CN113831363A CN202111283157.6A CN202111283157A CN113831363A CN 113831363 A CN113831363 A CN 113831363A CN 202111283157 A CN202111283157 A CN 202111283157A CN 113831363 A CN113831363 A CN 113831363A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hydrogen chloride
- siloxane
- aqueous
- siloxane liquid
- solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 193
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 109
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 109
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 48
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims abstract description 16
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 21
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 8
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 8
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 4
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 6
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/21—Cyclic compounds having at least one ring containing silicon, but no carbon in the ring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Removal Of Specific Substances (AREA)
Abstract
本发明公开了一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置，处理方法包括：收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到‑10℃至‑40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。在本发明实施例的含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法中，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到‑10℃至‑40℃，通过深冷可以使得硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶，通过过滤可以除去氧烷液体中的结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去，上述方案可以有效去除硅氧烷液体中的氯化氢水溶液，除去水和氯化氢，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
Description
技术领域
本发明属于有机硅技术领域，具体涉及一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置。
背景技术
有机硅生产中，硅氧烷中含有水和氯化氢，硅氧烷与水不互溶，水和氯化氢会对后续的工艺造成影响，需要解决如何去除氯化氢和水，以避免后续利用的影响，现有的除水效果不好，效率低，影响后续的工艺。
发明内容
本发明实施例的目的是提供一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置，用以解决硅氧烷中的水和氯化氢不易除去，水和氯化氢会对后续的工艺造成影响的问题。
第一方面，本发明实施例提供一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法，包括：
收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
其中，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶的步骤之前，还包括：
向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％。
其中，在过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶的步骤之后还包括：
利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。
其中，所述硅氧烷液体中氯化氢水溶液的含量为1-5％。
其中，在收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体的步骤中，氯化氢水溶液中氯化氢的含量为0.5-5％。
其中，还包括：
将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物；
分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体。
第二方面，本发明实施例提供一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理装置，包括：
收集装置，用于收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
深冷装置，用于将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤装置，用于过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
其中，处理装置还包括：
混合装置，用于向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％。
其中，处理装置还包括：
换热装置，用于利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。
其中，处理装置还包括：
水解装置，用于将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物；
分离装置，用于分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体。
本发明实施例中的含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法，包括：收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。在本发明实施例的含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法中，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃，通过深冷可以使得硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶，在较低温度下氯化氢水溶液会出现凝固结晶，凝固结晶后的氯化氢水溶液分散在硅氧烷液体中，通过过滤可以除去氧烷液体中的结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去，上述方案可以有效去除硅氧烷液体中的氯化氢水溶液，除去水和氯化氢，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
附图说明
图1为含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理装置的一个连接示意图。
附图标记
收集装置10；
深冷装置20；
过滤装置30；
混合装置40；
换热装置50。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例中的含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法，包括：
收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体可以为二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解分离后得到的含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体，氯化氢水溶液的含量大约为0.5％-5％。由于氯化氢水溶液中的氯化氢的含量不同，氯化氢水溶液结晶凝固所需的温度不同，氯化氢水溶液中氯化氢的含量较低时所需的温度相对高，氯化氢水溶液中氯化氢的含量较高时所需的温度相对低一些，具体的可以根据氯化氢水溶液中氯化氢的含量来选择。硅氧烷液体可以包括六甲基环三硅氧烷和八甲基环三硅氧烷，比如，硅氧烷液体可以为含有少量八甲基环三硅氧烷的六甲基环三硅氧烷。含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体在深冷装置中降温后，待温度降至所需的温度时，硅氧烷液体中的氯化氢水溶液出现结晶凝固，过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去。分离出的结晶可以回收变成氯化氢水溶液重新进行利用。
在本发明实施例的含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法中，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃，通过深冷可以使得硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶，在较低温度下氯化氢水溶液会出现凝固结晶，凝固结晶后的氯化氢水溶液分散在硅氧烷液体中，通过过滤可以除去氧烷液体中的结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去，上述方案可以有效去除硅氧烷液体中的氯化氢水溶液，除去水和氯化氢，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
在一些实施例中，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶的步骤之前，还可以包括：
向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％。含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中，氯化氢在氯化氢水溶液中的浓度较高，需要很低的温度才可以实现凝固，可以通过向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水，将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％，使得氯化氢在氯化氢水溶液中的浓度降低，不需要较低的温度就可以使得氯化氢水溶液结晶凝固，可以减少能耗，降低成本。
在另一些实施例中，在过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶的步骤之后，还可以包括：
利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。由于除去结晶的硅氧烷液体温度较低，可以利用除去结晶的硅氧烷液体进行降温，可以利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢(比如温度为0℃)进行降温，可以降温到-2℃至-7℃，可以除去含有水的气态氯化氢中的水和杂质，具体可以根据实际的情况选择，有效减少能耗。
在一些实施例中，硅氧烷液体中氯化氢水溶液的含量可以为1-5％，比如，硅氧烷液体中氯化氢水溶液的含量可以为1％。
在另一些实施例中，在收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体的步骤中，氯化氢水溶液中氯化氢的含量可以为0.5-5％，比如，氯化氢水溶液中氯化氢的含量可以为0.5％，结晶凝固所需的温度可以不需要太低，有效降低能耗。
在本发明的实施例中，处理方法还可以包括：
将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物；
分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体。
分离所述水解混合物得到的含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体可以通过上述方法去除氯化氢水溶液，得到含水量较低的硅氧烷液体，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
在应用过程中，收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体，氯化氢水溶液的含量大约为3％，氯化氢水溶液中氯化氢的含量为1.3％，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体在深冷装置中降温到-15℃至-30℃后，硅氧烷液体中的氯化氢水溶液出现结晶凝固，过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去，硅氧烷液体中含水量可以降低至50-100ppm，氯离子含量可以降低至小于5ppm，去除水和氯化氢的效果较好，分离出的结晶可以回收变成氯化氢水溶液重新进行利用。
如图1所示，本发明实施例提供一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理装置，包括：
收集装置10，用于收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
深冷装置20，用于将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤装置30，用于过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
在本发明实施例的含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理装置中，深冷装置可以将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃，通过深冷装置可以使得硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶，在较低温度下氯化氢水溶液会出现凝固结晶，凝固结晶后的氯化氢水溶液分散在硅氧烷液体中，通过过滤装置的过滤可以除去氧烷液体中的结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去，上述装置可以有效去除硅氧烷液体中的氯化氢水溶液，除去水和氯化氢，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
在一些实施例中，处理装置还可以包括：
混合装置40，用于向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％。含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中，氯化氢在氯化氢水溶液中的浓度较高，需要很低的温度才可以实现凝固，可以通过向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水，将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％，使得氯化氢在氯化氢水溶液中的浓度降低，不需要较低的温度就可以使得氯化氢水溶液结晶凝固，可以减少能耗，降低成本。
在另一些实施例中，处理装置还可以包括：
换热装置50，用于利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。换热装置可以为换热器，通过换热装置可以利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。由于除去结晶的硅氧烷液体温度较低，可以利用除去结晶的硅氧烷液体进行降温，可以利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温，可以降温到-2℃至-7℃，具体可以根据实际的情况选择，有效减少能耗。
在一些实施例中，处理装置还可以包括：
水解装置，用于将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物；
分离装置，用于分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体。
分离所述水解混合物得到的含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体可以通过上述方法去除氯化氢水溶液，得到含水量较低的硅氧烷液体，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
在应用过程中，水解装置可以用于将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物，分离装置可以用于分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体，分离所述水解混合物得到的含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体可以通过收集装置收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体，通过深冷装置将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶，通过过滤装置过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶，使得氯化氢水溶液从硅氧烷液体中分离出去，上述装置可以有效去除硅氧烷液体中的氯化氢水溶液，除去水和氯化氢，避免水和氯化氢对后续的工艺造成影响。
上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本发明的保护之内。
Claims (10)
1.一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法，其特征在于，包括：
收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶的步骤之前，还包括：
向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶的步骤之后还包括：
利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅氧烷液体中氯化氢水溶液的含量为1-5％。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体的步骤中，氯化氢水溶液中氯化氢的含量为0.5-5％。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物；
分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体。
7.一种含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理装置，其特征在于，包括：
收集装置，用于收集含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体；
深冷装置，用于将含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体进行深冷降温到-10℃至-40℃以使硅氧烷液体中的氯化氢水溶液结晶；
过滤装置，用于过滤含有结晶的硅氧烷液体除去结晶。
8.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，还包括：
混合装置，用于向含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体中加入去离子水将氯化氢水溶液中氯化氢的含量调节至0.5-5％。
9.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，还包括：
换热装置，用于利用除去结晶的硅氧烷液体对含有水的气态氯化氢进行降温到-2℃至-7℃。
10.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，还包括：
水解装置，用于将二甲基二氯硅烷与浓盐酸进行水解得到水解混合物；
分离装置，用于分离所述水解混合物得到含有氯化氢水溶液的硅氧烷液体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111283157.6A CN113831363A (zh) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111283157.6A CN113831363A (zh) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113831363A true CN113831363A (zh) | 2021-12-24 |
Family
ID=78966718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111283157.6A Pending CN113831363A (zh) | 2021-11-01 | 2021-11-01 | 含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113831363A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075479A (en) * | 1991-05-20 | 1991-12-24 | Dow Corning Corporation | Anhydrous hydrogen chloride evolving one-step process for producing siloxanes |
| CN101875726A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种二甲基二氯硅烷水解制备聚有机硅氧烷的方法 |
| CN101982485A (zh) * | 2010-10-19 | 2011-03-02 | 江苏宏达新材料股份有限公司 | 一种饱和酸水解二甲基二氯硅烷的方法 |
| CN107987101A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-04 | 江西蓝星星火有机硅有限公司 | 一种回收二甲基氯硅烷水解低沸物中dmc的方法 |
| CN110551286A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-10 | 唐山三友硅业有限责任公司 | 聚二甲基硅氧烷的连续制备工艺 |
-
2021
- 2021-11-01 CN CN202111283157.6A patent/CN113831363A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5075479A (en) * | 1991-05-20 | 1991-12-24 | Dow Corning Corporation | Anhydrous hydrogen chloride evolving one-step process for producing siloxanes |
| CN101875726A (zh) * | 2009-04-30 | 2010-11-03 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种二甲基二氯硅烷水解制备聚有机硅氧烷的方法 |
| CN101982485A (zh) * | 2010-10-19 | 2011-03-02 | 江苏宏达新材料股份有限公司 | 一种饱和酸水解二甲基二氯硅烷的方法 |
| CN107987101A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-05-04 | 江西蓝星星火有机硅有限公司 | 一种回收二甲基氯硅烷水解低沸物中dmc的方法 |
| CN110551286A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-10 | 唐山三友硅业有限责任公司 | 聚二甲基硅氧烷的连续制备工艺 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 邢爱民等: "二甲基二氯硅烷水解过程氯资源回收利用分析研究" * |
| 高炳生，武金璧译: "《精细有机化学品化学》", 内蒙古科学技术出版社 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107629030B (zh) | 降膜结晶制备电子级碳酸乙烯酯的方法 | |
| CN101948133B (zh) | 一种利用退锡液联产锡酸钠和二氧化锡的方法 | |
| CN205398770U (zh) | 一种铼酸铵提纯结晶系统 | |
| CN110040708B (zh) | 一种高纯度光学玻璃添加剂偏磷酸镧的制备方法 | |
| CN102040240A (zh) | 一种生产高纯硝酸银的方法 | |
| CN108336426A (zh) | 一种硫酸氧钒的制备方法及其制得的硫酸氧钒晶体 | |
| CN112151903A (zh) | 一种锂电池报废正极材料回收过程中的除杂和处理方法 | |
| CN114933288B (zh) | 一种高纯磷酸二氢钾及其制备方法 | |
| CN113831363A (zh) | 含有氯化氢水溶液的硅氧烷的处理方法和装置 | |
| CN101219946A (zh) | 一种己二酸铵废液的处理回收方法及其回收系统 | |
| CN102633293B (zh) | 一种多级循环免蒸发硫酸铜精制方法 | |
| JPH0336766B2 (zh) | ||
| CN116621134A (zh) | 湿法磷酸的萃取结晶工艺 | |
| CN109678745A (zh) | 一种低钛甘氨酸铁的精制方法 | |
| CN1025953C (zh) | 高纯碳酸钡的制造方法 | |
| CN102205986B (zh) | 从富集钪的原料中分离锆的方法及氧化钪的制备方法 | |
| CN104310430A (zh) | 用于氢氧化锂制备工艺中的除杂方法 | |
| KR20190074416A (ko) | 고순도 금속염의 제조방법 | |
| JP4309648B2 (ja) | 高純度塩化アルミニウムの製造方法および高純度塩化アルミニウムの製造装置 | |
| CN114477235A (zh) | 一种氯化钠的结晶方法 | |
| WO2012137813A1 (ja) | ビス（ペルフルオロアルカンスルホン）イミド塩の製造方法 | |
| CN102942447A (zh) | 一种电子级异丙醇回收液的精制方法 | |
| CN114380317B (zh) | 一种从酸浸液中回收硫酸钙以循环利用盐酸的方法 | |
| CN108147383B (zh) | 湿法磷酸的脱氟方法 | |
| JPH0214315B2 (zh) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20211224 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |