CN113823754A - 一种显示基板及其制备方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板及其制备方法、显示装置，显示基板包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
Description
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管面板(Active Matrix Organic LightEmitting Diode，AMOLED)相比传统的液晶面板，具有反应速度较快、对比度更高以及视角更广等特点。传统的白光AMOLED面板是由WOLED(White Organic Light-Emitting Diode，白光有机发光二极管)器件加上RGB三种颜色的彩色滤色器(color filter，CF)实现的。白光有机发光二极管的发光单元是由不同颜色的子发光单元组成的，具体地，不同颜色的子发光单元通过电荷生成层堆叠串联起来。然而这种面板结构中，RGB三种颜色的彩色滤色器的透过率比较低，WOLED发射的白光大部分能量都被彩色滤色器吸收，为保证显示亮度，需增大通过WOLED的电流，导致显示面板功耗增加，WOLED的寿命也变短。
发明内容
以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
第一方面，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
在示例性实施方式中，所述子像素还包括：短接结构层，所述短接结构层包括导电材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
在示例性实施方式中，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第二发光材料层和所述第二电极绝缘。
在示例性实施方式中，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第二电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第一发光材料层和第一电极绝缘。
在示例性实施方式中，所述短接结构层位于所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层的周侧。
在示例性实施方式中，所述短接结构层中设置有第一开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第一开口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的四周、所述第一发光材料层的四周、所述电荷生成层的四周以及所述第二发光材料层的四周。
在示例性实施方式中，每个所述子像素还包括：像素界定层，所述像素界定层中设置有第二开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第二开口中，所述像素界定层的侧部设置有缺口，所述短接结构层与所述像素界定层同层设置，且所述短接结构层设置于所述缺口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的部分周侧、所述第一发光材料层的的部分周侧、所述电荷生成层的部分周侧以及所述第二发光材料层的的部分周侧。
在示例性实施方式中，所述导电材料层为金属或导电氧化物。
在示例性实施方式中，所述绝缘材料层为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层中设置有第一穿孔，所述电荷生成层通过所述第一穿孔与所述第一电极连接；和/或，所述第二发光材料层中设置有第二穿孔，所述电荷生成层通过所述第额穿孔与所述第二电极连接。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层发出的光线和所述第二发光材料层发出的光线混合后为白光。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子发光材料层和第二子发光材料层，所述子发光材料层发出的光线和所述第二子发光材料层发出的光线混合后为黄光。
在示例性实施方式中，还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述多个子像素远离所述衬底基板一侧；所述彩膜层包括多个不同颜色的色阻块，每个所述子像素在所述衬底基板的正投影位于一个所述色阻块在所述衬底基板的正投影内。
第二方面，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括前述的显示基板。
第三方面，本公开实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素，每个所述子像素至少包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极；
其中，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
附图说明
附图用来提供对本申请技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本申请的实施例一起用于解释本申请的技术方案，并不构成对本申请技术方案的限制。
图1为本发明实施例显示基板的一个子像素中发光器件的膜层结构示意图一；
图2为本发明实施例显示基板的一个子像素中发光器件的膜层结构示意图二；
图3为本发明实施例显示基板一个像素单元的剖视图一；
图4为本发明实施例显示基板的第一子像素中发光器件的放大图；
图5为本发明实施例显示基板的第三子像素中发光器件的放大图；
图6为本发明实施例显示基板中各子像素的俯视图一；
图7为本发明实施例显示基板形成第一电极以及第三导电材料层图案后的示意图；
图8为本发明实施例显示基板形成绝缘材料层图案后的示意图；
图9为本发明实施例显示基板形成第一导电材料层和第二导电材料层图案后的示意图；
图10为本发明实施例显示基板形成第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极图案后的示意图；
图11为本发明实施例显示基板一个像素单元的剖视图二；
图12为本发明实施例显示基板一个像素单元的剖视图三；
图13为本发明实施例显示基板中各子像素的俯视图二。
具体实施方式
下文中将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。注意，实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在本说明书中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。
在本说明书中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。
本公开中的“约”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的数值。
相比于单层WOLED器件(＞10cd/A)，叠层WOLED器件效率会有明显提升(＞40cd/A)，器件电压也有明显增大(4V→8V)，造成器件的能耗大幅提高。
相关技术中的WOLED显示基板，包括衬底基板以及设置于衬底基板一侧的多个子像素，每个子像素包括沿远离所述衬底基板10的方向依次层叠的第一电极、第一空穴注入层(HIL1)、第一空穴传输层(ETL1)、第一发光材料层、第一电子传输层(HTL1)、电荷生成层(CGL)、第二空穴注入层(HIL2)、第二空穴传输层(HTL2)、第二发光材料层、第二空穴传输层(ETL2)、电子注入层(EIL)、偏振片、第二电极以及封盖层。其中，第一电极和第二电极之间的膜层组成白光发光层。
在相关技术中显示基板的一个子像素中，当第一发光材料层被点亮时，第一电极向第一发光材料层靠近第一电极的一面传输空穴，电荷生成层朝向第一发光材料层靠近第二电极的一面传输电子，空穴和电子在第一发光材料层中结合，使得第一发光材料层发出黄光；当第二发光材料层被点亮时，电荷生成层朝向第二发光材料层靠近第一电极的一面传输空穴，第二电极朝向第二发光材料层靠近第二电极的一面传输电子，空穴和电子在第二发光材料层中结合，使得第二发光材料层发出蓝光；第一发光材料层发出的黄光和第二发光材料层发出的蓝光混合后为白光。
本公开实施例提供了一种显示基板，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
在示例性实施方式中，所述子像素还包括：短接结构层，所述短接结构层包括导电材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
在示例性实施方式中，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第二发光材料层和所述第二电极绝缘。
在示例性实施方式中，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第二电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第一发光材料层和第一电极绝缘。
在示例性实施方式中，所述短接结构层位于所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层的周侧。
在示例性实施方式中，所述短接结构层中设置有第一开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第一开口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的四周、所述第一发光材料层的四周、所述电荷生成层的四周以及所述第二发光材料层的四周。
在示例性实施方式中，每个所述子像素还包括：像素界定层，所述像素界定层中设置有第二开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第二开口中，所述像素界定层的侧部设置有缺口，所述短接结构层与所述像素界定层同层设置，且所述短接结构层设置于所述缺口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的部分周侧、所述第一发光材料层的的部分周侧、所述电荷生成层的部分周侧以及所述第二发光材料层的的部分周侧。
在示例性实施方式中，所述导电材料层为金属或导电氧化物。
在示例性实施方式中，所述绝缘材料层为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层中设置有第一穿孔，所述电荷生成层通过所述第一穿孔与所述第一电极连接；和/或，所述第二发光材料层中设置有第二穿孔，所述电荷生成层通过所述第额穿孔与所述第二电极连接。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层发出的光线和所述第二发光材料层发出的光线混合后为白光。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子发光材料层和第二子发光材料层，所述子发光材料层发出的光线和所述第二子发光材料层发出的光线混合后为黄光。
在示例性实施方式中，还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述多个子像素远离所述衬底基板一侧；所述彩膜层包括多个不同颜色的色阻块，每个所述子像素在所述衬底基板的正投影位于一个所述色阻块在所述衬底基板的正投影内。
本发明实施例显示基板的一个子像素中，通过电荷生成层与第一电极和第二电极中的一个短接，使子像素中部分发光材料层发光，从而降低了本发明实施例显示基板的功耗。
本发明实施例显示基板可以包括多个像素区，多个像素区可以采用矩阵方式排布。在示例性实施方式中，像素区可以包括至少一个像素单元，像素单元可以包括至少一个子像素，子像素可以包括层叠设置的衬底基板、像素驱动电路、发光器件以及彩膜层。像素驱动电路被配置为向发光器件输出发光信号。发光器件被配置为在像素驱动电路的驱动下发出相应亮度的光。其中，像素驱动电路主要包括多个薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)。像素驱动电路可以是3T1C、4T1C、5T1C、5T2C、6T1C、7T1C或8T2C等结构。
在示例性实施方式中，像素单元中子像素的形状可以是矩形状、菱形、五边形或六边形。像素单元包括三个子像素时，三个子像素中的发光器件可以采用水平并列、竖直并列或品字方式排列，像素单元包括四个子像素时，四个子像素中的发光器件可以采用水平并列、竖直并列或正方形(Square)方式排列，本公开在此不做限定。
图1为本发明实施例显示基板的一个子像素中发光器件的膜层结构示意图一。如图1所示，本发明实施例显示基板的一个子像素中发光器件包括：沿远离衬底基板的方向依次层叠的第一电极1、第一空穴注入层2(HIL1)、第一空穴传输层3(HTL2)、第一发光材料层4、第一电子传输层5(ETL1)、电荷生成层6(CGL)、第二空穴注入层7(HIL2)、第二空穴传输层8(HTL2)、第二发光材料层9、第二电子传输层10(ETL2)、电子注入层11(EIL)、第二电极12、偏振片13以及封盖层14。其中，电荷生成层(CGL)的作用是作为中间电极。第一电极1和第二电极12之间的膜层组成白光发光层。当然，本发明实施例中的白光发光层的结构并不限于此，也可以为其他结构。
在示例性实施方式中，第一电极1可以为阳极，第二电极12可以为阴极。其中，第一电极1的类型以及材料不作限制。例如，第一电极1可由具有高功函数的透明导电材料形成，第一电极1的材料可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)和碳纳米管等。第二电极12的类型以及材料不作限制。例如，第二电极12可由高导电性和低功函数的材料形成，第二电极12的材料可以包括镁铝合金(MgAl)、镁铝合金(MgAg)、锂铝合金(LiAl)等合金或者镁、铝、锂、银等单金属。
在本发明实施例显示基板的一个子像素中，电荷生成层6与第一电极1和第二电极12中的一个短接，使子像素中部分发光材料层发光，从而降低了本发明实施例显示基板的功耗。
在示例性实施方式中，如图1所示，在一个子像素中，电荷生成层6与第一电极1短接，在该子像素被点亮时，第一电极1发出的空穴不经过电荷生成层6与第一电极1之间的第一子发光材料层4，直接输入电荷生成层6，使第一电极1通过电荷生成层6向第二子发光材料层9靠近第一电极1的一面传输空穴；第二电极12朝向第二子发光材料层9靠近第二电极12的一面传输电子，使第二子发光材料层9发光，由于第一子发光材料层4没有被传输空穴，第一子发光材料层4不发光，从而降低了该子像素的发光功耗，进而降低了本发明实施例显示基板的发光功耗。
图2为本发明实施例显示基板的一个子像素中发光器件的膜层结构示意图二。如图2所示，在一个子像素中，电荷生成层6与第二电极12短接，在该子像素被点亮时，第二电极12发出的电子不经过电荷生成层6与第二电极12之间的第二子发光材料层9，直接输入电荷生成层6，使第二电极12通过电荷生成层6向第一子发光材料层4靠近第二电极12的一面传输电子；第一电极1朝向第一子发光材料层4靠近第一电极1的一面传输空穴，使第一子发光材料层4发光，由于第二子发光材料层9没有被传输电子，第二子发光材料层9不发光，从而降低了该子像素的发光功耗，进而降低了本发明实施例显示基板的发光功耗。
在示例性实施方式中，第一空穴传输层3和第二空穴传输层8可以起到促进空穴的传输的作用。第一空穴传输层3和第二空穴传输层8的材料可以包括选自以下的任一者：例如NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)(N,N'-双(萘-1-基)-N,N'-双(苯基)-2,2'-二甲基联苯胺)、TPD(N,N'-双-(3-甲基苯基)-N,N'-双-(苯基)-联苯胺)、和MTDATA(4,4',4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)。然而，本实施例不限于此。
在示例性实施方式中，第一空穴注入层2和第二空穴注入层7可以促进空穴的注入。第一空穴注入层2和第二空穴注入层7可以由选自以下的至少一者制成：例如CuPc(铜酞菁)、PEDOT(聚(3,4)-乙烯二氧基噻吩)、PANI(聚苯胺)、NPD(N,N-二萘基-N,N'-二苯基联苯胺)及其组合。然而，本实施例不限于此。
在示例性实施方式中，第一电子传输层5和第二电子传输层10接收电子，并且可以将供给的电子转移至发光层。第一电子传输层1514和第二电子传输层1524还用于促进电子的传输。第一电子传输层5和第二电子传输层10材料可以包括选自以下的至少一者：例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑)、TAZ(3-(4-联苯)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2,2',2-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)(2,2',2-(1,3,5-benzinetriyl)-tris(1-phenyl-1-H-benzimidazole)))、二唑、三唑、菲咯啉、苯并唑和苯并噻唑。然而，本实施例不限于此。
图3为本发明实施例显示基板一个像素单元的剖视图一。如图3所示，本发明实施例显示基板一个像素单元可以包括出射第一颜色光线的第一子像素P1、出射第二颜色光线的第二子像素P2和出射第三颜色光线的第三子像素P3，每个子像素可以包括沿远离衬底基板100的方向依次层叠的像素驱动电路200、发光器件300以及彩膜层400。像素驱动电路200被配置为向发光器件300输出发光信号。第一子像素P1、第二子像素P2和第三子像素P3中的发光器件300分别与所在子像素的像素驱动电路200连接，发光器件300被配置为在像素驱动电路200的驱动下发出相应亮度的光。
在示例性实施方式中，每个子像素的发光器件300包括沿远离衬底基板100的方向依次层叠的第一电极1、第一发光材料层4、电荷生成层6、第二发光材料层9、第二电极12以及封盖层14。在一个子像素的发光器件中，电荷生成层6与第一电极1和第二电极12中的一个短接，使子像素中部分发光材料层发光，从而降低了本发明实施例显示基板的功耗。
在示例性实施方式中，如图3所示，第一子像素P1可以是红色(R)子像素，第二子像素P2可以是绿色(G)子像素，第三子像素P3可以是蓝色(B)子像素。
图4为本发明实施例显示基板的第一子像素中发光器件的放大图。如图3和图4所示，在第一子像素P1的发光器件300中，发光器件300还包括：短接结构层15，短接结构层15包括导电材料层151，导电材料层151将电荷生成层6与第二电极12短接。在第一子像素P1被点亮时，第二电极12发出的电子不输入第二发光材料层9中，使第二发光材料层9不发光，仅第一发光材料层4发光，从而降低了第一子像素P1的功耗。
在示例性实施方式中，如图3和图4所示，导电材料层151覆盖部分电荷生成层6的周侧、第二发光材料层9的周侧以及至少部分第二电极12。示例的，导电材料层151包括侧壁，导电材料层151侧壁的一部分覆盖部分电荷生成层6的周侧，导电材料层151侧壁的另一部分覆盖第二发光材料层9的周侧和部分第二电极12的周侧，从而使导电材料层151将电荷生成层6与第二电极12短接。
在示例性实施方式中，导电材料层151的材料可以为金属或导电氧化物。例如，金属可以包括镁铝合金(MgAl)、镁铝合金(MgAg)、锂铝合金(LiAl)等合金或者镁、铝、锂、银等单金属。导电氧化物可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化镓锌(GZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铝锌(AZO)中的至少一种。
在示例性实施方式中，如图3和图4所示，短接结构层15还包括绝缘材料层152，绝缘材料层152位于导电材料层151靠近衬底基板100一侧。绝缘材料层152覆盖电荷生成层6的周侧、第一发光材料层4的周侧以及第一电极1。绝缘材料层152将导电材料层151与第一电极1绝缘，以避免导电材料层151将电荷生成层6和第一电极1短接。其中，绝缘材料层152与导电材料层151组成的短接结构层15中设置有第一开口，第一电极1、第一发光材料层4、电荷生成层6以及第二发光材料层9位于第一开口中，短接结构层15覆盖第一电极1的四周、第一发光材料层4的四周、电荷生成层6的四周以及第二发光材料层9的四周，在第一子像素P1的发光器件300中，短接结构层15相当于像素界定层的作用，将相邻子像素中的第一电极1、第一发光材料层4、第二发光材料层9和电荷生成层6断开，使相邻子像素中的第一电极1、第一发光材料层4、第二发光材料层9和电荷生成层6相互绝缘。
在示例性实施方式中，绝缘材料层152的材料可以为无机绝缘材料或有机绝缘材料。比如，无机绝缘材料可以包括聚硅氧烷、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。有机绝缘材料可以为树脂。
在示例性实施方式中，第二子像素P2的发光器件的膜层结构与第一子像素P1的发光器件的膜层结构基本相同，在第二子像素P2的发光器件中，短接结构层的导电材料层将电荷生成层与第二电极短接。使该子像素被点亮时，第二电极发出的电子不输入第二发光材料层中，使第二发光材料层不发光，仅第一发光材料层发光，从而降低了该子像素的功耗，本发明在此不再赘述。
图5为本发明实施例显示基板的第三子像素中发光器件的放大图。如图3和图5所示，在第三子像素P3的发光器件300中，发光器件300还包括：短接结构层15，短接结构层15包括导电材料层151，导电材料层151将电荷生成层6与第一电极1短接。在第三子像素P3被点亮时，第一电极1发出的空穴不输入第一发光材料层4中，使第一发光材料层4不发光，仅第二发光材料层9发光，从而降低了第三子像素P3的功耗。
在示例性实施方式中，如图3和图5所示，导电材料层151覆盖电荷生成层6的周侧、第一发光材料层4的周侧以及第一电极1。示例的，导电材料层151包括侧壁，导电材料层151侧壁的一部分覆盖部分电荷生成层6的周侧，导电材料层151侧壁的另一部分覆盖第一发光材料层4的周侧和第一电极1，从而使导电材料层151将电荷生成层6与第一电极1短接。
在示例性实施方式中，如图3和图5所示，短接结构层15还包括绝缘材料层152，绝缘材料层152位于导电材料层151靠近衬底基板100一侧。绝缘材料层152覆盖第二发光材料层9的周侧以及覆盖部分第二电极12。绝缘材料层152将导电材料层151分别与第二电极12绝缘，以避免导电材料层151将电荷生成层6和第二电极12短接。其中，绝缘材料层152与导电材料层151组成的短接结构层15中设置有第一开口，第一电极1、第一发光材料层4、电荷生成层6以及第二发光材料层9位于第一开口中，短接结构层15覆盖第一电极1的四周、第一发光材料层4的四周、电荷生成层6的四周以及第二发光材料层9的四周，在第三子像素P3的发光器件300中，短接结构层15相当于像素界定层的作用，将相邻子像素中的第一电极1、第一发光材料层4、第二发光材料层9和电荷生成层6断开，使相邻子像素中的第一电极1、第一发光材料层4、第二发光材料层9和电荷生成层6相互绝缘。
图6为本发明实施例显示基板中各子像素的俯视图一。如图6所示，短接结构层15中设置有第一开口，第一电极1、第一发光材料层4、电荷生成层6以及第二发光材料层9位于第一开口中，短接结构层15覆盖第一电极1的四周、第一发光材料层4的四周、电荷生成层6的四周以及第二发光材料层9的四周。在平行于衬底基板的方向，短接结构层的截面可以采用环状。在第一子像素P1的发光器件300、第二子像素P2的发光器件300和第三子像素P3的发光器件300中，短接结构层15相当于像素界定层的作用，将相邻子像素中的第一电极1、第一发光材料层4、第二发光材料层9和电荷生成层6断开，使相邻子像素中的第一电极1、第一发光材料层4、第二发光材料层9和电荷生成层6相互绝缘。
图13为本发明实施例显示基板中各子像素的俯视图二。如图13所示，每个子像素还包括：像素界定层18，像素界定层18中设置有第二开口，第一电极、第一发光材料层、电荷生成层以及第二发光材料层位于第二开口中。像素界定层18的侧部设置有缺口，该缺口将第一电极的部分周侧、第一发光材料层的的部分周侧、电荷生成层的的部分周侧以及第二发光材料层的部分周侧暴露，短接结构层15与像素界定层18同层设置，且短接结构层15设置于该缺口中，短接结构层15覆盖暴露的第一电极的部分周侧、第一发光材料层的的部分周侧、电荷生成层的的部分周侧以及第二发光材料层的部分周侧。在平行于衬底基板的方向，短接结构层15的截面可以采用扇环状。
在示例性实施方式中，如图1所示，彩膜层400位于多个子像素远离所述衬底基板一侧；所述彩膜层包括多个不同颜色的色阻块16，每个所述子像素在所述衬底基板的正投影位于一个所述色阻块在所述衬底基板的正投影内。彩膜层的色阻块用于阻止一些颜色的光线，并允许特定颜色的光线通过，从而将子像素发出的光线转换成特定颜色的光线。在第一子像素P1中，色阻块16仅允许红色光线通过，从而将第二子像素P1发出的光线转换成红光；在第二子像素P2中，色阻块16仅允许绿色光线通过，从而将第二子像素P2发出的光线转换成绿色；在第三子像素P3中，色阻块16仅允许蓝色光线通过，从而将第三子像素P3发出的光线转换成蓝色。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层发出的光线和所述第二发光材料层发出的光线混合后为白光。
在示例性实施方式中，所述第一发光材料层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子发光材料层和第二子发光材料层，所述子发光材料层发出的光线和所述第二子发光材料层发出的光线混合后为黄光。
在示例性实施方式中，各子像素中的第一电极1是相互绝缘的。各子像素中的第二电极12可以相连成一体。相邻两个子像素的第一发光材料层、第二发光材料层和电荷生成层可以通过设置在相邻两个子像素之间的短接结构层15断开，即各子像素中的第一发光材料层、第二发光材料层和电荷生成层也都是相互绝缘的。
下面通过本实施例显示基板的制备过程进一步说明本发明实施例的技术方案。其中，本实施例中所说的“构图工艺”包括沉积膜层、涂覆光刻胶、掩模曝光、显影、刻蚀、剥离光刻胶等处理，本实施例中所说的“光刻工艺”包括涂覆膜层、掩模曝光、显影等处理，本实施例中所说的蒸镀、沉积、涂覆、涂布等均是相关技术中成熟的制备工艺。
图7～10为本实施例显示基板制备过程的示意图。显示基板的制备过程包括：
(1)形成第一电极以及第三导电材料层图案。第一电极以及第三导电材料层图案包括：在衬底基板100上形成像素驱动电路200，然后在像素驱动电路200上沉积一层第一导电薄膜，通过构图工艺对第一导电薄膜进行构图，在像素驱动电路200上形成互相断开的第一电极a101、第一电极b102以及第一电极c103，然后，在像素驱动电路200上沉积一层覆盖第一电极c103的第二导电薄膜，通过构图工艺对第二导电薄膜进行构图，在第一电极c103上形成覆盖第一电极c103两侧边缘的第三导电材料层151C，如图7所示。其中，第一电极c103的材料与第三导电材料层151C的材料相同。
(2)形成绝缘材料层图案。形成绝缘材料层图案包括：在形成上述结构的在衬底基板100上，沉积一层绝缘材料薄膜，通过构图工艺对绝缘材料薄膜进行构图，在第一电极a101上形成覆盖第一电极a101两侧边缘的第一绝缘材料层152A；在第一电极b102上形成覆盖第一电极b102两侧边缘的第二绝缘材料层152B；在第一电极c103两侧边缘上形成覆盖第三导电材料层151C的第三绝缘材料层152C，如图8所示。
(3)形成第一导电材料层和第二导电材料层图案。形成第一导电材料层和第二导电材料层图案包括：在形成上述结构的在衬底基板100上，沉积一层第二导电薄膜，通过构图工艺对第二导电薄膜进行构图，在第一电极a101两侧边缘上形成覆盖第一绝缘材料层152A的第一导电材料层151A；在第一电极b101两侧边缘上形成覆盖第二绝缘材料层152B的第二导电材料层151B，如图9所示。其中，第一导电材料层151A和第一绝缘材料层152A形成第一短接结构层15A；第一短接结构层15A将第一电极a101的中间部分暴露；第二导电材料层151B和第二绝缘材料层152B形成第二短接结构层15B，第二短接结构层15B将第一电极b102的中间部分暴露；第三导电材料层151C和第三绝缘材料层152C形成第三短接结构层15C，第三短接结构层15C将第一电极c103的中间部分暴露。第一导电材料层151A的材料可以与第一电极a101的材料相同；第二导电材料层151B的材料可以与第一电极b102的材料相同。
(4)形成第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极图案。形成第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极图案包括：在第一电极a101的中间部分、第一电极b102的中间部分以及第一电极c103的中间部分上均依次形成第一发光材料层4、电荷生成层6、第二发光材料层9以及第二电极12，如图10所示。其中，第一短接结构层15A中的第一导电材料层151A将第一电极a101上的电荷生成层与第一电极a101上的第二电极12短接。第二短接结构层15B中的第二导电材料层151B将第一电极b102上的电荷生成层与第一电极b102上的第二电极12短接。第三短接结构层15C中的第三导电材料层151C将第一电极c103与第一电极c103上的电荷生成层短接。
图11为本发明实施例显示基板一个像素单元的剖视图二。如图11所示，在第三子像素P3的发光器件300中，第三子像素P3还包括：像素界定层18，像素界定层18中设置有第二开口，第一电极1、第一发光材料层4、电荷生成层6以及第二发光材料层9位于第二开口中，即第一电极1的周侧、第一发光材料层4的周侧、电荷生成层6的周侧以及第二发光材料层9的周侧不设置短接结构层15。第一发光材料层4中设置有第一穿孔16，在垂直于衬底基板的方向上，第一穿孔16将第一发光材料层4贯穿，电荷生成层6通过第一穿孔16与第一电极1连接，使电荷生成层6与第一电极1短接。在第三子像素P3被点亮时，第一电极1发出的空穴不输入第一发光材料层4中，使第一发光材料层4不发光，仅第二发光材料层9发光，从而降低了第三子像素P3的功耗。
图12为本发明实施例显示基板一个像素单元的剖视图三。如图12所示，在第一子像素P1和第二子像素P2的发光器件300中，第一子像素P1和第二子像素P2均包括：像素界定层18，像素界定层18中设置有第二开口，第一电极1、第一发光材料层4、电荷生成层6以及第二发光材料层9位于第二开口中，即第一电极1的周侧、第一发光材料层4的周侧、电荷生成层6的周侧以及第二发光材料层9的周侧不设置短接结构层15。第二发光材料层9中设置有第二穿孔17，在垂直于衬底基板的方向上，第二穿孔17将第二发光材料层9贯穿，电荷生成层6通过第二穿孔17与第二电极12连接，使电荷生成层6与第二电极12短接。在第一子像素P1和第二子像素P2被点亮时，第二电极12发出的电子不输入第二发光材料层9中，使第二发光材料层9不发光，仅第一发光材料层4发光，从而降低了第一子像素P1和第二子像素P2的功耗。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前面任一所述的显示基板。该显示装置包括手机、平板电脑、智能穿戴产品(例如智能手表、手环等)、个人数字助理(personaldigital assistant，PDA)、车载电脑等。本申请实施例对上述可折叠显示装置的具体形式不做特殊限制。
本发明实施例还提供了一种显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素，每个所述子像素至少包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极；
其中，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例即实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。
Claims (15)
1.一种显示基板，其特征在于，包括：衬底基板以及位于所述衬底基板一侧的多个子像素，每个所述子像素包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
2.根据权利要求1所述显示基板，其特征在于，所述子像素还包括：短接结构层，所述短接结构层包括导电材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
3.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第一电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第二发光材料层和所述第二电极绝缘。
4.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层还包括绝缘材料层，所述导电材料层将所述电荷生成层与所述第二电极短接，所述绝缘材料层将所述导电材料层分别与所述第一发光材料层和第一电极绝缘。
5.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层位于所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层的周侧。
6.根据权利要求5所述显示基板，其特征在于，所述短接结构层中设置有第一开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第一开口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的四周、所述第一发光材料层的四周、所述电荷生成层的四周以及所述第二发光材料层的四周。
7.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，每个所述子像素还包括：像素界定层，所述像素界定层中设置有第二开口，所述第一电极、所述第一发光材料层、所述电荷生成层以及所述第二发光材料层位于所述第二开口中，所述像素界定层的侧部设置有缺口，所述短接结构层与所述像素界定层同层设置，且所述短接结构层设置于所述缺口中，所述短接结构层覆盖所述第一电极的部分周侧、所述第一发光材料层的的部分周侧、所述电荷生成层的部分周侧以及所述第二发光材料层的的部分周侧。
8.根据权利要求2所述显示基板，其特征在于，所述导电材料层为金属或导电氧化物。
9.根据权利要求3所述显示基板，其特征在于，所述绝缘材料层为无机绝缘材料或有机绝缘材料。
10.根据权利要求1所述显示基板，其特征在于，所述第一发光材料层中设置有第一穿孔，所述电荷生成层通过所述第一穿孔与所述第一电极连接；和/或，所述第二发光材料层中设置有第二穿孔，所述电荷生成层通过所述第额穿孔与所述第二电极连接。
11.根据权利要求1至10任一所述显示基板，其特征在于，所述第一发光材料层发出的光线和所述第二发光材料层发出的光线混合后为白光。
12.根据权利要求1至10任一所述显示基板，其特征在于，所述第一发光材料层包括沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一子发光材料层和第二子发光材料层，所述子发光材料层发出的光线和所述第二子发光材料层发出的光线混合后为黄光。
13.根据权利要求1至10任一所述显示基板，其特征在于，还包括彩膜层，所述彩膜层位于所述多个子像素远离所述衬底基板一侧；所述彩膜层包括多个不同颜色的色阻块，每个所述子像素在所述衬底基板的正投影位于一个所述色阻块在所述衬底基板的正投影内。
14.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至10任一所述的显示基板。
15.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底基板的一侧形成多个子像素，每个所述子像素至少包括：沿远离所述衬底基板的方向依次层叠的第一电极、第一发光材料层、电荷生成层、第二发光材料层以及第二电极；
其中，所述电荷生成层与所述第一电极和所述第二电极中的一个短接。
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| CN202111233380.XA CN113823754A (zh) | 2021-10-22 | 2021-10-22 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
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Citations (2)
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| CN107452775A (zh) * | 2016-06-01 | 2017-12-08 | 三星显示有限公司 | 显示面板和制造显示面板的方法 |
| CN109755396A (zh) * | 2017-11-03 | 2019-05-14 | 乐金显示有限公司 | 电致发光显示装置和显示面板 |
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2021
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Patent Citations (2)
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