CN113817997A - 一种高纯合金铝靶材及其制备方法 - Google Patents

一种高纯合金铝靶材及其制备方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法包括：将铝靶坯依次进行第一锻伸、第一热处理、第一静压、第二锻伸、第二热处理、压制和第三热处理。本发明提供的制备方法得到铝靶材的平均晶粒尺寸低于35μm，无内部缺陷且内部结构更加均匀，改善了溅射薄膜的厚度分布均匀性，提高了镀膜质量，还简化了制备流程、降低了生产成本，适合大规模推广。

Description

一种高纯合金铝靶材及其制备方法
技术领域
本发明属于磁控溅射技术领域，涉及一种溅射靶材，尤其涉及一种高纯合金铝靶材及其制备方法。
背景技术
随着微电子领域、显示器和存储领域的快速发展，靶材的应用越来越广泛，溅射金属靶材是半导体芯片生产以及显示屏制备加工过程中的重要原料之一。溅射是利用高能粒子轰击靶材表面，使靶材表面的原子被溅射出来，喷射在衬底表面，形成一层致密薄膜的过程。
高纯铝具有低的变形抗力、高的电导率及良好的塑性等性能，主要被应用于电子工业、化学工业及制造高纯合金等领域。溅射金属靶材中用量最大的是超高纯铝合金。对于铝靶材，其内部组织均匀性是镀膜质量稳定性的重要保证，铝靶材的微观结构与组织均匀性、晶粒尺寸对铝靶材的性能均会产生显著影响。为了得到晶粒细小且内部组织均匀的靶材，研究人员已经开发了许多的工艺。
CN110205590A公开了一种超高纯铝溅射靶材及其轧制方法，所述轧制方法包括：(1)将超高纯铝铸锭进行表面铣削，加热至230-270℃；(2)将加热后的铸锭进行轧制，单道次压下量为20mm，多次轧制得到厚度为50mm的靶坯；(3)将步骤(2)所得靶坯头尾铸口咬合部分切除，再次加热至230-270℃，保温；(4)进行二次轧制，单道次压下量为10-30mm，经单道次或多道次轧制将靶坯厚度轧制至成品厚度；终轧后立即将轧件迅速均匀冷却至室温；(5)对步骤(4)所得的靶材进行加热至250-270℃，保温1h，退火；(6)对退火后的靶材矫平后进行铣削加工，得到所述产品；所述方法可以制备晶粒细小、均匀性良好、晶粒度控制在150微米内的超高纯铝溅射靶材，但该方法需进行多次轧制才能得到靶材，生产效率较低。
CN107119244A公开了一种高择优取向细晶超高纯铝靶材的制备方法，所述制备方法包括：将超高纯铝板材预处理后在50-300℃下热轧，道次压下量控制在40％～50％；然后进行中间热处理和冷轧，道次压下量控制在40％～50％；最后将轧制后的高纯铝板材进行退火处理；所述方法可以制备大尺寸、高取向且晶粒细小均匀的超高纯铝靶材。以上这些方法成材率低，在工业化规模生产方面，对生产设备的要求很高，同时生产工艺的重复性也难以控制。
综上所述，如何提供一种高纯合金铝靶材的制备方法，减少铝靶柸内部缺陷，提高内部晶粒细化程度，同时降低工艺成本和耗能，成为目前本领域技术人员迫切需要解决的问题。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法减少了铝靶材内部缺陷，显著细化了晶粒尺寸，进而提高了溅射薄膜的厚度分布均匀性，提升了镀膜质量，同时制备方法工艺流程简单，降低了生产成本，有利于大规模推广。
为达到上述技术效果，本发明采用以下技术方案：
本发明目的之一在于提供一种高纯合金铝靶材的制备方法，所述制备方法包括：将铝靶坯依次进行第一锻伸、第一热处理、第一静压、第二锻伸、第二热处理、压制和第三热处理。
本发明通过两次锻伸、三次热处理、静压与压制等一系列工序将原始高纯铝合金材料加工成高质量的铝靶材，其中，锻伸处理能将铝靶坯内部的疏松、气孔、夹渣等被压实和焊合，从而使得内部组织结构更为紧密；热处理能适当降低所述铝靶材的硬度和脆性，避免了铝靶材在后续工艺中的变形和裂纹倾向等问题，得到的铝靶材无内部缺陷且内部结构紧密均匀，晶粒细小，提髙了靶材的利用率；还简化了制备流程、降低生产成本，具有较好的工业应用前景。
本发明中，在第一锻伸处理前，还需要对铝靶坯进行表面粗加工，去除材料表面的氧化层。
作为本发明优选的技术方案，所述第一锻伸包括依次进行的预热、拔长和墩粗，其中拔长至少进行3次，例如可以是3次、4次、5次或6次等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一锻伸的预热温度为190-210℃，例如可以是190℃、192℃、194℃、196℃、198℃、200℃、202℃、204℃、206℃、208℃或210℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述拔长至铝靶坯原长度的160-200％，例如可以是160％、165％、170％、175％、180％、185％、190％、195％或200％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述墩粗至铝靶坯原长度的80-100％，例如可以是80％、84％、88％、92％、96％或100％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％，例如可以是160％、165％、170％、175％、180％、185％、190％、195％或200％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第一锻伸后铝靶坯的直径为铝靶坯原直径的70-80％，例如可以是70％、72％、74％、76％、78％或80％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第一锻伸以水冷的方式进行冷却。
作为本发明优选的技术方案，所述第一热处理的温度为320-330℃，例如可以是320℃、322℃、324℃、326℃、328℃或330℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第一热处理的时间为10-20min，例如可以是10min、12min、14min、16min、18min或20min等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第一热处理以水冷的方式进行冷却。
作为本发明优选的技术方案，所述第一静压至铝靶坯原长度的85-120％，例如可以是85％、90％、95％、100％、105％、110％或120％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第一静压在油压机中进行。
作为本发明优选的技术方案，所述第二锻伸包括依次进行的预热、拔长和墩粗，其中拔长至少进行3次，例如可以是3次、4次、5次或6次等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第二锻伸的预热温度为190-210℃，例如可以是190℃、192℃、194℃、196℃、198℃、200℃、202℃、204℃、206℃、208℃或210℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述拔长至铝靶坯原长度的160-200％，例如可以是160％、165％、170％、175％、180％、185％、190％、195％或200％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述墩粗至铝靶坯原长度的80-100％，例如可以是80％、84％、88％、92％、96％或100％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％，例如可以是160％、165％、170％、175％、180％、185％、190％、195％或200％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第二锻伸后铝靶坯的直径为铝靶坯原直径的70-80％，例如可以是70％、72％、74％、76％、78％或80％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第二锻伸以水冷的方式进行冷却。
作为本发明优选的技术方案，所述第二热处理的温度为320-330℃，例如可以是320℃、322℃、324℃、326℃、328℃或330℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第二热处理的时间为10-20min，例如可以是10min、12min、14min、16min、18min或20min等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第二热处理伸以水冷的方式进行冷却。
作为本发明优选的技术方案，所述压制包括依次进行的第二静压、第一压延和第二压延。
优选地，所述第二静压前进行切除处理，所述切除处理具体为切除两端有开裂或有裂纹的料头。
优选地，所述切除处理后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的125-180％，例如可以是125％、130％、135％、140％、145％、150％、155％、160％、165％、170％、175％或180％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第二静压至铝靶坯原长度的100-150％，例如可以是100％、105％、110％、115％、120％、125％、130％、135％、140％、145％或150％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第二静压在油压机中进行。
优选地，所述第一压延至铝靶坯原长度的35-50％，例如可以是35％、37％、39％、41％、43％、45％、47％、49％或50％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第二压延至铝靶坯原长度的15-30％，例如可以是15％、17％、19％、21％、23％、25％、27％、29％或30％等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述第三热处理的温度为245-255℃，例如可以是245℃、247℃、249℃、251℃、253℃或255℃等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述第三热处理的时间为10-20min，例如可以是10min、12min、14min、16min、18min或20min等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
本发明中，所述第三热处理伸以水冷的方式进行冷却。
优选地，所述第三热处理之后还包括依次进行的校平和抛光。
优选地，所述校平后铝靶材的平面度≤1mm，例如可以是0.1mm、0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、0.8mm、0.9mm或1mm等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
优选地，所述抛光后铝靶材的粗糙度≤0.8μm，例如可以是0.1μm、0.2μm、0.3μm、0.4μm、0.5μm、0.6μm、0.7μm或0.8μm等，但不仅限于所列举的数值，数值范围内其他未列举的数值同样适用。
作为本发明优选的技术方案，所述制备方法包括以下步骤：
(1)第一锻伸：在190-210℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的160-200％，墩粗至铝靶坯原长度的80-100％，其中拔长至少进行3次，第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％；
(2)第一热处理：在320-330℃下热处理10-20min；
(3)第一静压：静压至铝靶坯原长度的85-120％；
(4)第二锻伸：在190-210℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的160-200％，墩粗至铝靶坯原长度的80-100％，其中拔长至少进行3次，第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％；
(5)第二热处理：在320-330℃下热处理10-20min；
(6)切除：切除两端有开裂或有裂纹的料头，切除后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的125-180％；
(7)第二静压：静压至铝靶坯原长度的100-150％；
(8)压延：第一压延至铝靶坯原长度的35-50％；第二压延至铝靶坯原长度的15-30％；
(9)第三热处理：在245-255℃下热处理10-20min；
(10)校平：将铝靶材校平至平面度≤1mm；
(11)抛光：将铝靶材抛光至粗糙度≤0.8μm。
本发明目的之二在于提供一种高纯合金铝靶材，所述高纯合金铝靶材采用如第一方面所述的制备方法制备得到。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)本发明提供的制备方法可将原始高纯铝合金材料加工成高质量的铝靶材，得到铝靶材的平均晶粒尺寸低于35μm，无内部缺陷且内部结构更加均匀，改善了溅射薄膜的厚度分布均匀性，提高了镀膜质量，满足半导体等行业对铝靶材的溅射要求；
(2)本发明提供的制备方法降低了生产成本，提高了靶材利用率，具有较好的工业应用前景。
具体实施方式
为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。
实施例1
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)第一锻伸：在200℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的180％，墩粗至铝靶坯原长度的90％，其中拔长至少进行3次，第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的180％；
(2)第一热处理：在325℃下热处理15min；
(3)第一静压：静压至铝靶坯原长度的100％；
(4)第二锻伸：在200℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的180％，墩粗至铝靶坯原长度的90％，其中拔长至少进行3次，第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的180％；
(5)第二热处理：在325℃下热处理15min；
(6)切除：切除两端有开裂或有裂纹的料头，切除后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的150％；
(7)第二静压：静压至铝靶坯原长度的125％；
(8)压延：第一压延至铝靶坯原长度的42％；第二压延至铝靶坯原长度的22％；
(9)第三热处理：在250℃下热处理15min；
(10)校平：将铝靶材校平至平面度0.5mm；
(11)抛光：将铝靶材抛光至粗糙度0.4μm。
实施例2
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)第一锻伸：在190℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的160％，墩粗至铝靶坯原长度的80％，其中拔长至少进行3次，第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160％；
(2)第一热处理：在320℃下热处理20min；
(3)第一静压：静压至铝靶坯原长度的85％；
(4)第二锻伸：在190℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的160％，墩粗至铝靶坯原长度的80％，其中拔长至少进行3次，第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160％；
(5)第二热处理：在320℃下热处理20min；
(6)切除：切除两端有开裂或有裂纹的料头，切除后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的125％；
(7)第二静压：静压至铝靶坯原长度的100％；
(8)压延：第一压延至铝靶坯原长度的35％；第二压延至铝靶坯原长度的15％；
(9)第三热处理：在245℃下热处理20min；
(10)校平：将铝靶材校平至平面度0.1mm；
(11)抛光：将铝靶材抛光至粗糙度0.1μm。
实施例3
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
(1)第一锻伸：在210℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的200％，墩粗至铝靶坯原长度的100％，其中拔长至少进行3次，第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的200％；
(2)第一热处理：在330℃下热处理10min；
(3)第一静压：静压至铝靶坯原长度的120％；
(4)第二锻伸：在210℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的200％，墩粗至铝靶坯原长度的100％，其中拔长至少进行3次，第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的200％；
(5)第二热处理：在330℃下热处理10min；
(6)切除：切除两端有开裂或有裂纹的料头，切除后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的180％；
(7)第二静压：静压至铝靶坯原长度的150％；
(8)压延：第一压延至铝靶坯原长度的50％；第二压延至铝靶坯原长度的30％；
(9)第三热处理：在255℃下热处理10min；
(10)校平：将铝靶材校平至平面度1mm；
(11)抛光：将铝靶材抛光至粗糙度0.8μm。
实施例4
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第一热处理、第二热处理和第三热处理的时间分别改为25min，其余条件均与实施例1相同。
实施例5
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第一热处理、第二热处理和第三热处理的时间分别改为5min，其余条件均与实施例1相同。
实施例6
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第一热处理的温度降为310℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例7
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第二热处理的温度降为310℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例8
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第三热处理的温度降为235℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例9
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第一热处理的温度升为340℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例10
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第二热处理的温度升为340℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例11
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第三热处理的温度升为265℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例12
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第一锻伸的预热温度降为180℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例13
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第二锻伸的预热温度降为180℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例14
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第一锻伸的预热温度升为220℃，其余条件均与实施例1相同。
实施例15
本实施例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了将第二锻伸的预热温度升为220℃，其余条件均与实施例1相同。
对比例1
本对比例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了不进行第一锻伸处理，其余条件均与实施例1相同。
对比例2
本对比例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了不进行第二锻伸处理，其余条件均与实施例1相同。
对比例3
本对比例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了不进行第一热处理，其余条件均与实施例1相同。
对比例4
本对比例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了不进行第二热处理，其余条件均与实施例1相同。
对比例5
本对比例提供一种高纯合金铝靶材及其制备方法，所述制备方法中除了不进行第三热处理，其余条件均与实施例1相同。
以上实施例和对比例的测试方法和结果如下：
晶粒尺寸：按照国标GB/T 6394-2017《金属平均晶粒度测定方法》中公开的截面法进行测定。
实施例1-15及对比例1-5使用的高纯铝合金纯度为99.999％。钎焊方法为铟焊，具体为：铝靶坯与无氧铜背板实装良好，加热平台温度降低到200℃，设置炉子温度210℃，焊料槽铟焊焊料填充Blank与BP表面浸润，焊料开始熔化温度：铟150℃～160℃。
靶材浸润：使用硅胶刮除表面焊料，焊接面已被银白色焊料均匀附着即可；背板浸润：超声波头划过的区域表面无气泡，且成银白色，焊料的流动性好。焊接后随炉冷却。焊接后确保焊接位置无焊料溢出即可。
采用C-SCAN检测验证实施例1-15以及对比例1-5提供的无氧铜背板与铝靶坯的焊接效果，其检测条件如表1所示，结果如表2所示。
表1
Figure BDA0003268078500000131
Figure BDA0003268078500000141
表2
Figure BDA0003268078500000142
Figure BDA0003268078500000151
由表2可以得出以下几点：
(1)本发明提供的制备方法，可以有效地控制铝靶材的晶粒尺寸，铝靶材的晶粒尺寸≤35μm，组织内部无缺陷，满足半导体等行业对于靶材晶粒尺寸的要求，保证了溅射薄膜的厚度分布均匀性，提高了镀膜质量。
(2)将实施例1和实施例6-15进行对比，由于实施例6-11的热处理和实施例12-15的锻伸处理的温度范围选择不合理，导致制备的铝靶材的晶粒尺寸变大，整体结合率较差，出现内部缺陷。
(3)将实施例1和对比例1、2进行对比，由于对比例1、2未进行锻伸处理，导致制备的铝靶材的晶粒尺寸≥37μm，整体结合率差，甚至出现内部缺陷；由此表明，第一锻伸和第二锻伸处理是有效控制铝靶材的晶粒尺寸和减少内部缺陷的重要步骤。
(3)将实施例1和对比例3-5进行对比，由于对比例3-5未进行热处理，导致制备的铝靶材的晶粒尺寸≥35μm，整体结合率差，甚至出现内部缺陷；由此表明，第一热处理、第二热处理和第三热处理是有效控制铝靶材的晶粒尺寸和减少内部缺陷的重要步骤。
申请人声明，以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，所属技术领域的技术人员应该明了，任何属于本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，均落在本发明的保护范围和公开范围之内。

Claims (10)

1.一种高纯合金铝靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将铝靶坯依次进行第一锻伸、第一热处理、第一静压、第二锻伸、第二热处理、压制和第三热处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一锻伸包括依次进行的预热、拔长和墩粗，其中拔长至少进行3次；
优选地，所述第一锻伸的预热温度为190-210℃；
优选地，所述拔长至铝靶坯原长度的160-200％；
优选地，所述墩粗至铝靶坯原长度的80-100％；
优选地，所述第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述第一热处理的温度为320-330℃；
优选地，所述第一热处理的时间为10-20min。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一静压至铝靶坯原长度的85-120％。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二锻伸包括依次进行的预热、拔长和墩粗，其中拔长至少进行3次；
优选地，所述第二锻伸的预热温度为190-210℃；
优选地，所述拔长至铝靶坯原长度的160-200％；
优选地，所述墩粗至铝靶坯原长度的80-100％；
优选地，所述第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第二热处理的温度为320-330℃；
优选地，所述第二热处理的时间为10-20min。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，所述压制包括依次进行的第二静压、第一压延和第二压延；
优选地，所述第二静压前进行切除处理，所述切除处理具体为切除两端有开裂或有裂纹的料头；
优选地，所述切除处理后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的125-180％；
优选地，所述第二静压至铝靶坯原长度的100-150％；
优选地，所述第一压延至铝靶坯原长度的35-50％；
优选地，所述第二压延至铝靶坯原长度的15-30％。
8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第三热处理的温度为245-255℃；
优选地，所述第三热处理的时间为10-20min；
优选地，所述第三热处理之后还包括依次进行的校平和抛光；
优选地，所述校平后铝靶材的平面度≤1mm；
优选地，所述抛光后铝靶材的粗糙度≤0.8μm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
(1)第一锻伸：在190-210℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的160-200％，墩粗至铝靶坯原长度的80-100％，其中拔长至少进行3次，第一锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％；
(2)第一热处理：在320-330℃下热处理10-20min；
(3)第一静压：静压至铝靶坯原长度的85-120％；
(4)第二锻伸：在190-210℃下预热，拔长至铝靶坯原长度的160-200％，墩粗至铝靶坯原长度的80-100％，其中拔长至少进行3次，第二锻伸后铝靶坯的长度为铝靶坯原长度的160-200％；
(5)第二热处理：在320-330℃下热处理10-20min；
(6)切除：切除两端有开裂或有裂纹的料头，切除后铝靶坯的有效长度为铝靶坯原长度的125-180％；
(7)第二静压：静压至铝靶坯原长度的100-150％；
(8)压延：第一压延至铝靶坯原长度的35-50％；第二压延至铝靶坯原长度的15-30％；
(9)第三热处理：在245-255℃下热处理10-20min；
(10)校平：将铝靶材校平至平面度≤1mm；
(11)抛光：将铝靶材抛光至粗糙度≤0.8μm。
10.一种高纯合金铝靶材，其特征在于，所述高纯合金铝靶材采用如权利要求1-9任一项所述的制备方法制备得到。
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