CN113782417A - 一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法 - Google Patents

一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电路加工领域，更具体的说是一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，该刻蚀方法包括以下步骤：步骤一：设置硅晶片加工装置，对切割后的硅晶片进行打磨处理；步骤二：将打磨后的硅晶片进行运输，并在运输过程中进行清洁；步骤三：将清洁后的硅晶片进行运输、固定和刻蚀加工；步骤四：将刻蚀后的硅晶片进行收集。具有够调节打磨零件的打磨范围的优点。

Description

一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法
技术领域
本发明涉及电路加工领域，更具体的说是一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法。
背景技术
刻蚀工艺是把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅)或金属薄膜(如铝及其合金)上去，制造出所需的薄层图案。在进行刻蚀之前需要对常用的硅晶片进行打磨，但是，常用的打磨方式不能够调节打磨零件的打磨范围。
发明内容
本发明的目的是提供一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，具有够调节打磨零件的打磨范围的优点。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，该刻蚀方法包括以下步骤：
步骤一：设置硅晶片加工装置，对切割后的硅晶片进行打磨处理；
步骤二：将打磨后的硅晶片进行运输，并在运输过程中进行清洁；
步骤三：将清洁后的硅晶片进行运输、固定和刻蚀加工；
步骤四：将刻蚀后的硅晶片进行收集。
优选的，该装置包括打磨块、调节螺杆、限位框架和中心轴，调节螺杆上通过螺纹连接有两个打磨块，调节螺杆设置在限位框架上，限位框架固接在中心轴上，中心轴能够绕自身轴线转动。
优选的，该装置还包括定位框、吸盘和滑架，定位框上设置有多个吸盘，多个吸盘均固接在滑架上。
附图说明
下面结合附图和具体实施方法对本发明做进一步详细的说明。
图1是硅晶片刻蚀方法的流程图；
图2是打磨硅晶片的结构示意图；
图3是固定硅晶片的结构示意图；
图4是图2和图3所示结构的位置关系图；
图5是驱动图3转动的结构示意图；
图6是对硅晶片进行清洁的结构示意图；
图7是下料后的硅晶片的运输的结构示意图；
图8是图2进给的结构示意图；
图9是图7和图8所示结构的位置关系图；
图10是半导体集成电路硅晶片刻蚀装置的结构图。
具体实施方式
参考图2，详细说明打磨硅晶片的实施过程：
半导体集成电路硅晶片刻蚀方法涉及半导体集成电路硅晶片加工装置，该装置包括中心轴14，中心轴14上固定连接有限位框架13，限位框架13上转动连接有调节螺杆12，调节螺杆12上通过螺纹连接有两个打磨块11，调节螺杆12两侧的螺纹方向相反，限位框架13上固定连接有减速电机Ⅰ，该减速电机Ⅰ的输出轴与调节螺杆12固定连接，两个打磨块11均与限位框架13面接触，限位框架13对两个打磨块11起到限制其转动的作用，启动减速电机Ⅰ，减速电机Ⅰ的输出轴带动调节螺杆12转动，调节螺杆12通过螺纹驱动两个打磨块11同步相对或者相背滑动，两个打磨块11之间的距离发生改变，当中心轴14发生转动时，中心轴14带动限位框架13转动，限位框架13带动调节螺杆12转动，调节螺杆12和限位框架13带动两个打磨块11绕中心轴14的轴线进行转动，两个打磨块11对硅晶片的一面进行打磨，配和两个打磨块11间距的调节，进而实现对硅晶片全面的打磨，中心轴14在进行转动时，每次都转动完整的圈数，使得两个打磨块11加工时与加工后位置相同，当两个打磨块11不对硅晶片进行打磨时，两个打磨块11的间距最大，两个打磨块11将对硅晶片打磨出的残渣从中间排到两端，便于后续对硅晶片上的残渣进行清洁。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图3和4，详细说明固定硅晶片的实施过程：
该装置还包括定位框21，定位框21上加工有多个吸盘孔，定位框21的多个吸盘孔内均滑动连接有吸盘22，多个吸盘22对应的吸盘孔之间均设置有密封，多个吸盘22均固定连接在滑架23上，定位框21上加工有承托框，承托框用于对硅晶片的承托，当硅晶片紧贴在定位框21上时，驱动滑架23滑动，滑架23带动多个吸盘22滑动，多个吸盘22在多个吸盘孔内滑动，多个吸盘孔内的空间变大，压强变小，进而使得硅晶片被固定在定位框21上，当要对硅晶片进行打磨时，定位框21为圆形，定位框21的轴线与中心轴14的轴线在同一直线上，多个吸盘22均布在定位框21上，确保定位框21上固定的硅晶片平整，硅晶片受力均匀，不会由于受力不均发生崩碎，浪费资源。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图3、4和5，详细说明硅晶片的实施过程：
该装置还包括支架31，支架31上转动连接有转动杆24，转动杆24上固定连接有压力传感器Ⅰ25，定位框21固定连接在转动杆24上，支架31上还固定连接有限位框32，限位框32上固定连接有两个齿条气缸33，两个齿条气缸33的气缸杆上均固定连接在齿条34上，转动杆24上设置有弧形齿条，齿条34和转动杆24啮合传动，转动杆24上固定连接有吸盘气缸，该吸盘气缸的气缸杆和滑架23固定连接，当启动两个齿条气缸33时，两个齿条气缸33带动齿条34滑动，齿条34啮合驱动转动杆24上的弧形齿条转动，从而实现转动杆24的转动，在齿条34滑动过程中，限位框32紧贴在齿条34的上端，确保齿条34啮合驱动转动杆24的可靠性，转动杆24带动定位框21转动，当定位框21转动刀轴线竖直时，吸盘气缸的气缸杆伸出，气缸杆带动滑架23滑动，滑架23带动多个吸盘22滑动，定位框21上的多个吸盘孔内的压强与外界大气压强相等，硅晶片两侧的压强相等，硅晶片在重力下自动下滑，实现硅晶片的自动下料。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图5，详细说明硅晶片下料的实施过程：
所述转动杆24的转动角度为九十度，在对硅晶片进行打磨时转动杆24呈水平，此时，可以保证硅晶片在打磨时的平面度，同时打磨下来的碎屑也可以直接滑落，不会有内大量的碎屑残留在硅晶片上，影响硅晶片的打磨效果，在打磨后进行硅晶片的下料时，转动杆24转动九十度后竖直向下，此时硅晶片可以进行下料。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图6，详细说明硅晶片在下料过程中进行清洁的实施过程：
支架31上通过连接板还固定连接有两个连通管41，两个连通管41上均固定连接有多个高压喷头42，两个连通管41上均固定连接有供给管43，两个供给管43均固定连接在水箱44上，水箱44内固定连接有水泵，水泵的出料管和两个供给管43连接并连通，启动水泵，水泵的清洁液被泵入到两个供给管43内，再经过两个连通管41后从多个高压喷头42喷出，当转动杆24转动时，压力传感器Ⅰ25失去与齿条34的接触，当转动杆24水平时，齿条34下压压力传感器Ⅰ25，当压力传感器Ⅰ25失去感应时，水泵启动，对转动过程中的硅晶片进行清洁，当硅晶片完成下料后，两个齿条气缸33伸出，从而实现转动杆24的复位，在转动杆24复位过程中，多个高压喷头42喷出的清洁液对定位框21进行清洁，便于保证定位框21的清洁达到硅晶片打磨时端面平整的目的。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图6，详细说明清洁硅晶片和定位框的实施过程：
两个所述连通管41均为圆弧形，多个高压喷头42分别均布在两个连通管41上的多个高压喷头42均等角度均布，在定位框21向下转动的过程中，多个高压喷头42随着连通管41的弧形均布，可以在定位框21的转动轨迹下，对定位框21的两侧进行完整的清洁，多个高压喷头42指向一个中心，可以聚拢多个高压喷头42的清洁范围，可以增强多个高压喷头42的清洁效果。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图7，详细说明硅晶片下料后的运输的实施过程：
支架31固定连接在运输支架51上，运输支架51上转动连接有两个运输轴52，两个运输轴52通过运输带53传动，运输支架51上固定连接有减速电机Ⅱ，两个连通管41均固定连接在运输支架51上，减速电机Ⅱ的输出轴与其中一个运输轴52固定连接，当启动减速电机Ⅱ时，减速电机Ⅱ带动与其固定连接的运输轴52转动，进而实现运输带53转动，该运输带53为柔性材料制成，当硅晶片下料时掉落在运输带53上，运输带53是柔性的会对下落的硅晶片进行缓冲，防止硅晶片出现损毁。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图8、9和10，详细说明打磨硅晶片的两个打磨块进给的实施过程：
立架61固定连接在横架62上，横架62的两端均固定连接有螺纹块63，两个螺纹块63上均通过螺纹连接在进给丝杆71上，两个进给丝杆71的两端均转动连接有安装板72，多个安装板72均固定连接在运输支架51上，两个进给丝杆71分别固定连接在两个减速电机Ⅲ的输出轴上，两个减速电机Ⅲ分别固定连接在对应的安装板72上，当启动两个减速电机Ⅲ时，两个减速电机Ⅲ带动两个进给丝杆71转动，两个进给丝杆71通过螺纹驱动两个螺纹块63滑动，两个螺纹块63带动横架62滑动，横架62带动立架61滑动，中心轴14转动连接在立架61上，立架61带动中心轴14滑动，进而实现两个打磨块11的滑动，从而实现打磨块11的进给，立架61上固定连接有减速电机Ⅳ，减速电机Ⅳ的输出轴和中心轴14固定连接，启动减速电机Ⅳ，减速电机Ⅳ带动中心轴14转动，从而实现两个打磨块11对硅晶片的打磨。
结合上述实施例，还可以实现以下功能：
参考图8、9和10，详细说明两个打磨块进给的实施过程：
其中一个安装板72上固定连接有压力传感器Ⅱ73，当转动杆24转动到水平时压力传感器Ⅰ25受到压力，两个减速电机Ⅲ启动，当两个螺纹块63移动到压力传感器Ⅱ73受到对应的螺纹块63的挤压时，两个减速电机Ⅲ停止，减速电机Ⅳ和减速电机Ⅰ启动，完成对硅晶片的加工。

Claims (10)

1.一种半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该刻蚀方法包括以下步骤：
步骤一：设置硅晶片加工装置，对切割后的硅晶片进行打磨处理；
步骤二：将打磨后的硅晶片进行运输，并在运输过程中进行清洁；
步骤三：将清洁后的硅晶片进行运输、固定和刻蚀加工；
步骤四：将刻蚀后的硅晶片进行收集。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：加工装置包括打磨块(11)、调节螺杆(12)、限位框架(13)和中心轴(14)，调节螺杆(12)上通过螺纹连接有两个打磨块(11)，调节螺杆(12)设置在限位框架(13)上，限位框架(13)固接在中心轴(14)上，中心轴(14)能够绕自身轴线转动。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该装置还包括定位框(21)、吸盘(22)和滑架(23)，定位框(21)上设置有多个吸盘(22)，多个吸盘(22)均固接在滑架(23)上。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该装置还包括转动杆(24)、压力传感器Ⅰ(25)、支架(31)、限位框(32)、齿条气缸(33)和齿条(34)，支架(31)上设置有转动杆(24)，转动杆(24)上固接有压力传感器Ⅰ(25)和定位框(21)，支架(31)上还设置有限位框(32)，限位框(32)上设置有两个齿条气缸(33)，两个齿条气缸(33)的气缸杆上设置有齿条(34)，转动杆(24)上设置有弧形齿条，齿条(34)和转动杆(24)啮合传动。
5.根据权利要求4所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：所述转动杆(24)的转动角度为九十度。
6.根据权利要求4所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该装置还包括连通管(41)、高压喷头(42)、供给管(43)和水箱(44)，支架(31)上通过连接板还设置有两个连通管(41)，两个连通管(41)上均设置有多个高压喷头(42)，两个连通管(41)上均设置有供给管(43)，两个供给管(43)均固接在水箱(44)上。
7.根据权利要求6所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：两个所述连通管(41)均为圆弧形，两个连通管(41)上的多个高压喷头(42)均等角度均布。
8.根据权利要求6所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该装置还包括运输支架(51)、运输轴(52)和运输带(53)，支架(31)固接在运输支架(51)上，运输支架(51)上转接有两个运输轴(52)，两个运输轴(52)通过运输带(53)传动，两个连通管(41)均设置在运输支架(51)上。
9.根据权利要求8所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该装置还包括立架(61)、横架(62)、螺纹块(63)、进给丝杆(71)和安装板(72)，立架(61)固接在横架(62)上，横架(62)的两端均固接有螺纹块(63)，两个螺纹块(63)均通过螺纹连接在进给丝杆(71)上，两个进给丝杆(71)的两端均设置有安装板(72)，多个安装板(72)均固接在运输支架(51)上，中心轴(14)设置在立架(61)上。
10.根据权利要求9所述的半导体集成电路硅晶片刻蚀方法，其特征在于：该装置还包括压力传感器Ⅱ(73)，其中一个安装板(72)上固接有压力传感器Ⅱ(73)。
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