CN113774389B - 一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,首先检测气体扩散板的平面度;接着对气体扩散板进行整形处理;再对对气体扩散板进行喷砂处理;然后对气体扩散板进行浸泡和高压清洗;然后对气体扩散板进行水磨处理、浸泡和高压清洗;然后对气体扩散板进行喷砂处理和水磨处理;然后对气体扩散板进行化学清洗、浸泡和高压清洗;然后对气体扩散板进行氧化处理和高压清洗;然后对气体扩散板进行吹干;最后对气体扩散板进行烘烤。本发明通过工艺流程的优化,有效降低了异物聚集、沉积的概率,从而延长了气体扩散板的使用寿命,不会因异物掉落至玻璃面板上而影响液晶屏的品质。
Description
技术领域
本发明涉及大世代液晶屏生产技术领域,具体是一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法。
背景技术
在液晶屏领域,大世代液晶屏指的是尺寸大于2200mm×2500mm的液晶屏,在此液晶屏的生产过程中,通常需要采用化学气相沉积(CVD)的方法在玻璃面板的表面生成一层绝缘膜,此绝缘膜的主要成分通常为氮化硅/氧化硅。
为保证成绝缘膜的均匀一致性及膜层质量,在成膜的过程中,需要保证气体扩散均匀以及扩散环境的洁净度。为了实现上述效果,通常使用铝制的气体扩散板,其上通常均匀等距分布有气体扩散孔。
受使用环境的影响,气体扩散板在使用过程中会发生电击或者碰伤,需要定期进行再生处理,传统的再生处理方式是采用干式打磨和化学清洗方式。干式打磨是通过磨料对气体扩散板进行打磨抛光,过程中不添加水,虽然切削力强,研磨效率高,但是在高速旋转或震动下,磨料和铝材直接的摩擦会产生大量的热量,容易造成铝材烧伤。此外,采用此种方式打磨,易在气体扩散板的表面生成为非晶态的变质层。
经上述传统再生处理方式修复后的气体扩散板在重新投入使用一段时间(一般为一个月)后,其表面会出现异物聚集、沉积,这些异物会掉落到玻璃面板上,不仅会造成液晶屏的品质异常,而且也会影响气体扩散板的使用寿命。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术存在的缺陷和不足,提供一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,通过工艺流程的优化,来降低气体扩散板在使用过程中易聚集、沉积异物的概率,以提高气体扩散板的使用寿命。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
S1、将气体扩散板放置到平台上,检测气体扩散板的平面度,判断气体扩散板合格与否;
S2、将不合格的气体扩散板送入整形炉进行整形处理,得到合格的气体扩散板;
S3、对经步骤S1检测得到和经步骤S2整形处理得到的合格的气体扩散板进行喷砂处理,去除气体扩散板的表面在使用过程中所产生的异物,然后微观检查气体扩散板上各气体扩散孔内的异物状况;
S4、将经步骤S3喷砂处理后的气体扩散板放入氢氧化钠溶液中浸泡,去除气体扩散板上各气体扩散孔内在使用过程中所产生的异物,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S5、对经步骤S4清洗后的气体扩散板进行水磨处理,打磨掉气体扩散板表面的残留异物及经步骤S4浸泡后因氢氧化钠溶液腐蚀而在气体扩散板的表面所形成的斑块,接着放入氢氧化钠溶液中浸泡,去除水磨后残留的铝粉及脏污,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S6、对经步骤S5清洗后的气体扩散板进行喷砂处理,使得气体扩散板表面粗糙度达到1~5μm,然后进行水磨处理,去除气体扩散板表面的尖端和自然产生的氧化膜;
S7、将经步骤S6水磨处理后的气体扩散板进行化学清洗,去除气体扩散板表面残留的尖端和氧化膜,再将气体扩散板放入硝酸溶液中浸泡,去除化学清洗后所产生的异物,使得气体扩散板的表面生成一层均匀的钝化层,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S8、将经步骤S7清洗后的气体扩散板放入硫酸溶液中进行氧化处理,使得气体扩散板的表面生成一层厚度为3~5μm的氧化膜,然后进行高压清洗,彻底去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S9、采用压缩干燥空气对经步骤S8清洗后的气体扩散板进行吹干;
S10、将吹干后的气体扩散板竖直送入烤箱内进行烘烤,烘烤后取出;
所述的步骤S3和步骤S6中,均采用喷砂机对气体扩散板的两个表面各进行一次喷砂处理,其中,所述步骤S3中喷砂处理的气压为0.5Mpa,砂料采用80#氧化铝砂,喷枪的移动速度为35m/min,喷枪的平移间距为20mm;步骤S6中喷砂处理的气压为0.4Mpa,砂料采用80#氧化铝砂,喷枪的移动速度为35m/min,喷枪的平移间距为20mm;
所述的步骤S4和S5中,氢氧化钠溶液的密度均为5~15g/L,其中,所述步骤S4的浸泡时间为30min,所述步骤S5的浸泡时间为10min;
所述的步骤S7中,化学清洗的清洗液采用密度为60~80g/L、温度为50~60℃的氢氧化钠溶液,清洗时间为30S;硝酸溶液的浓度为10%~20%,温度为30~40℃,浸泡时间为5min;
所述的步骤S8中,硫酸溶液的密度为180~220g/L,温度为15~20℃,氧化时间为20min。
进一步的,所述的步骤S1中,将气体扩散板放置到大理石平台上,采用激光坐标仪检测气体扩散板的平面度,将测得的平面度数值与标准数值进行比较,即可判断气体扩散板合格与否。
进一步的,所述的步骤S2中,将不合格的气体扩散板送入整形炉,首先将整形炉内的温度在12h内由室温逐渐升温至550℃,接着在550℃下保温12h,然后在12h内逐渐降温至室温后取出,然后将整形后的气体扩散板放置到大理石平台上,采用激光坐标仪检测气体扩散板的平面度,将测得的平面度数值与标准数值进行比较,得到合格的气体扩散板。
进一步的,所述的步骤S3中,使用放大倍数为200倍的显微镜,检查气体扩散板上各气体扩散孔内有无在使用过程中所产生的异物。
进一步的,所述的步骤S4和S5中,高压清洗的压力均为50Mpa,清洗时间均为1h。
进一步的,所述的步骤S10中,烘烤温度为150℃,烘烤时间为2h。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
本发明采用水磨处理方式能够获得比较好的表面状况,且水磨处理时气体扩散板的表面温度相对较低,在去除气体扩散板的表面缺陷时不易生成非晶态的变质层,结合后端多次的喷砂及药液清洗等方式,能够最大程度的去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内的异物及自然生成的不牢固的氧化层,并最终在气体扩散板的表面生产一层均匀致密的氧化膜,在高温条件下不会发生脱落,有效降低了异物聚集、沉积的概率,从而延长了气体扩散板的使用寿命,不会因异物掉落至玻璃面板上而影响液晶屏的品质。
附图说明
图1为本发明工艺流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
实施例一
参见图1,一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,具体包括以下步骤:
S1、将气体扩散板放置到平台上,检测气体扩散板的平面度,判断气体扩散板合格与否。
具体的,将气体扩散板放置到3m×3m×80cm的大理石平台(此尺寸的大理石平台能够匹配目前所有的气体扩散板的尺寸)上,采用激光坐标仪检测气体扩散板的平面度,即在气体扩散板上均匀选择9×9共计81个测量点,测量时定位三个零点坐标,确定测量平面,进而测量气体扩散板表面的平面度数值,即得到81个大小不同的平面度数值,将其中最大的数值减去最小的数值即为测得的平面度数值,将测得的平面度数值与标准数值进行比较,即可判断气体扩散板合格与否。
需要说明的是,由于大理石大部分采用的是花岗岩,花岗岩的主要成分是二氧化硅,且花岗岩在地下有上千年的历史,具有如下特点:
1、热稳定性很好,受热膨胀系数低,不易产生热变形;
2、形状稳定,不会出现例如金属材料存在应力释放而变形的问题;
3、便于加工,可以方便地磨出平面度要求,工艺远较陶瓷简单;
4、有一定的减震吸震性能;
5、有较高的硬度,不易磨损。
因此,采用大理石平台不容易因环境变化而发生改变,因此能够有效保证测量精度和重复精度。
S2、将不合格的气体扩散板送入整形炉进行整形处理,得到合格的气体扩散板。
具体的,将不合格的气体扩散板送入整形炉,首先将整形炉内的温度在12h内由室温逐渐升温至550℃,接着在550℃下保温12h,然后在12h内逐渐降温至室温后取出,然后将整形后的气体扩散板放置到大理石平台上,采用激光坐标仪检测气体扩散板的平面度,将测得的平面度值与标准值进行比较,得到合格的气体扩散板,具体的检测过程同上。
S3、对经步骤S1检测得到和经步骤S2整形处理得到的合格的气体扩散板进行喷砂处理,去除气体扩散板的表面在使用过程中所产生的异物,然后微观检查气体扩散板上各气体扩散孔内的异物状况。
具体的,采用喷砂机对气体扩散板的两个表面各进行一次喷砂处理,喷砂处理的气压为0.5Mpa,砂料采用80#氧化铝砂,喷枪的移动速度为35m/min,喷枪的平移间距为20mm。
微观检查其上各气体扩散孔内的异物状况,即为使用放大倍数为200倍的显微镜,检查气体扩散板上各气体扩散孔内有无在使用过程中所产生的异物。
S4、将经步骤S3喷砂处理后的气体扩散板放入氢氧化钠溶液中浸泡,去除气体扩散板上各气体扩散孔内在使用过程中所产生的异物,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍。
具体的,氢氧化钠溶液的密度为10g/L,浸泡时间为30min;高压清洗的压力为50Mpa,清洗时间为1h。
S5、对经步骤S4清洗后的气体扩散板进行水磨处理,打磨掉气体扩散板表面的残留异物及经步骤S4浸泡后因氢氧化钠溶液腐蚀而在气体扩散板的表面所形成的斑块,接着放入氢氧化钠溶液中浸泡,去除水磨后残留的铝粉及脏污,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍。
具体的,氢氧化钠溶液的密度为10g/L,浸泡时间为10min;高压清洗的压力为50Mpa,清洗时间为1h。
S6、对经步骤S5清洗后的气体扩散板进行喷砂处理,使得气体扩散板表面粗糙度达到3μm,然后进行水磨处理,去除气体扩散板表面的尖端和自然产生的氧化膜。
具体的,采用喷砂机对气体扩散板的两个表面各进行一次喷砂处理,喷砂处理的气压为0.4Mpa,砂料采用80#氧化铝砂,喷枪的移动速度为35m/min,喷枪的平移间距为20mm。
S7、将经步骤S6水磨处理后的气体扩散板进行化学清洗,去除气体扩散板表面残留的尖端和氧化膜,再将气体扩散板放入硝酸溶液中浸泡,去除化学清洗后所产生的异物,使得气体扩散板的表面生成一层均匀的钝化层,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍。
具体的,化学清洗的清洗液采用密度为80g/L、温度为60℃的氢氧化钠溶液,清洗时间为30S;硝酸溶液的浓度为15%,温度为40℃,浸泡时间为5min。
高压清洗的压力为50Mpa,清洗时间为1h。
S8、将经步骤S7清洗后的气体扩散板放入硫酸溶液中进行氧化处理,使得气体扩散板的表面生成一层厚度为3μm的氧化膜,然后进行高压清洗,彻底去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍。
具体的,硫酸溶液的密度为200g/L,温度为20℃,氧化时间为20min。
高压清洗的压力为50Mpa,清洗时间为1h。
S9、采用压缩干燥空气对经步骤S8清洗后的气体扩散板进行吹干;
S10、将吹干后的气体扩散板竖直送入烤箱内进行烘烤,烘烤后取出。
具体的,烘烤温度为150℃,烘烤时间为2h。
虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。
故以上所述仅为本申请的较佳实施例,并非用来限定本申请的实施范围;即凡依本申请的权利要求范围所做的各种等同变换,均为本申请权利要求的保护范围。
Claims (6)
1.一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:具体包括以下步骤:
S1将气体扩散板放置到平台上,检测气体扩散板的平面度,判断气体扩散板合格与否;
S2将不合格的气体扩散板送入整形炉进行整形处理,得到合格的气体扩散板;
S3对经步骤S1检测得到和经步骤S2整形处理得到的合格的气体扩散板进行喷砂处理,去除气体扩散板的表面在使用过程中所产生的异物,然后微观检查气体扩散板上各气体扩散孔内的异物状况;
S4将经步骤S3喷砂处理后的气体扩散板放入氢氧化钠溶液中浸泡,去除气体扩散板上各气体扩散孔内在使用过程中所产生的异物,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S5对经步骤S4清洗后的气体扩散板进行水磨处理,打磨掉气体扩散板表面的残留异物及经步骤S4浸泡后因氢氧化钠溶液腐蚀而在气体扩散板的表面所形成的斑块,接着放入氢氧化钠溶液中浸泡,去除水磨后残留的铝粉及脏污,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S6对经步骤S5清洗后的气体扩散板进行喷砂处理,使得气体扩散板表面粗糙度达到1~5μm,然后进行水磨处理,去除气体扩散板表面的尖端和自然产生的氧化膜;
S7将经步骤S6水磨处理后的气体扩散板进行化学清洗,去除气体扩散板表面残留的尖端和氧化膜,再将气体扩散板放入硝酸溶液中浸泡,去除化学清洗后所产生的异物,使得气体扩散板的表面生成一层均匀的钝化层,然后进行高压清洗,去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S8将经步骤S7清洗后的气体扩散板放入硫酸溶液中进行氧化处理,使得气体扩散板的表面生成一层厚度为3~5μm的氧化膜,然后进行高压清洗,彻底去除气体扩散板表面和各气体扩散孔内残留的药液和污渍;
S9采用压缩干燥空气对经步骤S8清洗后的气体扩散板进行吹干;
S10将吹干后的气体扩散板竖直送入烤箱内进行烘烤,烘烤后取出;
所述的步骤S3和步骤S6中,均采用喷砂机对气体扩散板的两个表面各进行一次喷砂处理,其中,所述步骤S3中喷砂处理的气压为0.5Mpa,砂料采用80#氧化铝砂,喷枪的移动速度为35m/min,喷枪的平移间距为20mm;步骤S6中喷砂处理的气压为0.4Mpa,砂料采用80#氧化铝砂,喷枪的移动速度为35m/min,喷枪的平移间距为20mm;
所述的步骤S4和S5中,氢氧化钠溶液的密度均为5~15g/L,其中,所述步骤S4的浸泡时间为30min,所述步骤S5的浸泡时间为10min;
所述的步骤S7中,化学清洗的清洗液采用密度为60~80g/L、温度为50~60℃的氢氧化钠溶液,清洗时间为30S;硝酸溶液的浓度为10%~20%,温度为30~40℃,浸泡时间为5min;
所述的步骤S8中,硫酸溶液的密度为180~220g/L,温度为15~20℃,氧化时间为20min。
2.根据权利要求1所述的一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:所述的步骤S1中,将气体扩散板放置到大理石平台上,采用激光坐标仪检测气体扩散板的平面度,将测得的平面度数值与标准数值进行比较,即可判断气体扩散板合格与否。
3.根据权利要求1所述的一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:所述的步骤S2中,将不合格的气体扩散板送入整形炉,首先将整形炉内的温度在12h内由室温逐渐升温至550℃,接着在550℃下保温12h,然后在12h内逐渐降温至室温后取出,然后将整形后的气体扩散板放置到大理石平台上,采用激光坐标仪检测气体扩散板的平面度,将测得的平面度数值与标准数值进行比较,得到合格的气体扩散板。
4.根据权利要求1所述的一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:所述的步骤S3中,使用放大倍数为200倍的显微镜,检查气体扩散板上各气体扩散孔内有无在使用过程中所产生的异物。
5.根据权利要求1所述的一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:所述的步骤S4和S5中,高压清洗的压力均为50Mpa,清洗时间均为1h。
6.根据权利要求1所述的一种大世代液晶屏生产用气体扩散板的再生方法,其特征在于:所述的步骤S10中,烘烤温度为150℃,烘烤时间为2h。
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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