CN113774379B - 电磁屏蔽构件的制备方法和电磁屏蔽构件 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 265
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 75
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 21
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 21
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 claims description 21
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 16
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 6
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 17
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- -1 copper nitride Chemical class 0.000 description 10
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 5
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 4
- 239000012744 reinforcing agent Substances 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 4
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N [Cr].[Cu] Chemical compound [Cr].[Cu] GXDVEXJTVGRLNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 3
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical group C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCERXPKXJMFQNQ-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni].[Cu] Chemical compound [Ti].[Ni].[Cu] WCERXPKXJMFQNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 2
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- MMCOUVMKNAHQOY-UHFFFAOYSA-L oxido carbonate Chemical compound [O-]OC([O-])=O MMCOUVMKNAHQOY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000036561 sun exposure Effects 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010146 3D printing Methods 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N Bipyridyl Chemical compound N1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 ROFVEXUMMXZLPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSBFYPMBKGWPHH-UHFFFAOYSA-N C(=O)(OCCCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCC Chemical compound C(=O)(OCCCCCCCCCCCCCCCC)OC(=O)OCCCCCCCCCCCCCCCC OSBFYPMBKGWPHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] Chemical compound [O--].[Al+3].[Al+3].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] YKTSYUJCYHOUJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005328 architectural glass Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000751 azo group Chemical group [*]N=N[*] 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 1
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000788 chromium alloy Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000008094 contradictory effect Effects 0.000 description 1
- JGDFBJMWFLXCLJ-UHFFFAOYSA-N copper chromite Chemical compound [Cu]=O.[Cu]=O.O=[Cr]O[Cr]=O JGDFBJMWFLXCLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NFFYXVOHHLQALV-UHFFFAOYSA-N copper(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Cu].[Cu] NFFYXVOHHLQALV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMULOZLYOQCZOH-UHFFFAOYSA-N copper;selenium(2-) Chemical compound [Cu+2].[Se-2] QMULOZLYOQCZOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N dicalcium;disodium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Na+].[Na+].[Ca+2].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DEPUMLCRMAUJIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000003487 electrochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/027—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material including at least one metal matrix material comprising a mixture of at least two metals or metal phases or metal matrix composites, e.g. metal matrix with embedded inorganic hard particles, CERMET, MMC.
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Abstract
本发明公开一种电磁屏蔽构件的制备方法和电磁屏蔽构件，其中电磁屏蔽构件的制备方法包括以下步骤：提供可透光的基板；在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块；其中，所述第一屏蔽模块包括依次层叠于所述基板的第一接着层、第一导电层和第一吸光层，所述第一屏蔽模块的第一网孔贯穿所述第一接着层、所述第一导电层和所述第一吸光层。本发明的技术方案旨在制造出具有透光性的电磁屏蔽构件。
Description
技术领域
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种电磁屏蔽构件的制备方法和电磁屏蔽构件。
背景技术
电磁波会影响电器的正常运行，容易造成财产损失，鉴于此，人们研究出大量屏蔽电磁波的结构，但现有的电磁波屏蔽结构不可透光，难以应用到显示器的屏幕上。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种电磁屏蔽构件的制备方法，旨在制造出具有透光性的电磁屏蔽构件。
为实现上述目的，本发明提出的电磁屏蔽构件的制备方法包括以下步骤：
提供可透光的基板；以及
在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块；其中，所述第一屏蔽模块包括依次层叠于所述基板的第一接着层、第一导电层和第一吸光层，所述第一屏蔽模块的第一网孔贯穿所述第一接着层、所述第一导电层和所述第一吸光层。
可选地，所述在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块的步骤包括：
通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述基板镀覆形成所述第一接着层；
通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一接着层镀覆形成所述第一导电层；
通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一导电层镀覆形成所述第一吸光层。
可选地，所述第一接着层是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述基板镀覆形成，且用以形成所述第一接着层的镀覆靶材包括铜；
所述第一导电层是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一接着层镀覆形成，且用以形成所述第一导电层的镀覆靶材包括铜；
所述第一吸光层是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一导电层镀覆形成，且用以形成所述第一吸光层的镀覆靶材包括铜。
可选地，用于形成所述第一接着层的镀覆气氛包括惰性气体和反应气体，所述反应气体包括氧气和氮气中至少一者；
用于形成所述第一导电层的镀覆气氛包括惰性气体；
用于形成所述第一吸光层的镀覆气氛包括惰性气体和反应气体，所述反应气体包括氧气和氮气中至少一者。
可选地，用于形成所述第一接着层的镀覆气氛中，惰性气体在镀覆气氛约占80vol％-90vol％；
用于形成所述第一吸光层的镀覆气氛中，惰性气体在镀覆气氛约占80vol％-90vol％。
可选地，用于形成所述第一接着层的镀覆靶材还包括镍、钛或铬；
用于形成所述第一吸光层的镀覆靶材还包括镍、钛或铬。
可选地，所述通过电镀的方式于所述基板镀覆形成所述第一接着层的步骤包括：
在镀液中加入硫酸、硫酸盐、磷酸盐或双氧水以氧化沉积出所述第一接着层；
所述通过电镀的方式于所述第一导电层镀覆形成所述第一吸光层的步骤包括：
在镀液中加入硫酸、硫酸盐、磷酸盐或双氧水以氧化沉积出所述第一吸光层。
可选地，所述在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块的步骤包括：
通过黄光制程对所述第一屏蔽模块进行图案化作业，使得所述第一屏蔽模块呈网格状。
可选地，在所述在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块的步骤之后还包括：
在所述基板上形成有与所述第一屏蔽模块连接的第二屏蔽模块、及与所述第二屏蔽模块连接的第三屏蔽模块，所述第二屏蔽模块包括第二导电层，所述第三屏蔽模块包括第三导电层；
通过化学沉锡的方式于所述第三屏蔽模块的第三导电层上形成锡层；
封装所述基板、所述第一屏蔽模块和所述第二屏蔽模块。
本发明还提出一种电磁屏蔽构件，所述电磁屏蔽构件由前述的电磁屏蔽构件的制备方法所得。
本发明的技术方案中，基板可透光，且形成于基板上的第一屏蔽构件呈网格状，光可自基板和第一网孔穿过，以此实现透光。第一屏蔽构件的第一接着层为第一导电层和基板提供接着力，以保证在恶劣环境下第一导电层不易脱离基板；第一导电层将电磁屏转化为电流导出，以实现屏蔽电磁波的目的；第一吸光层将吸收到达第一吸光层的光线，降低了电磁屏蔽构件的可视性，当电磁屏蔽构件应用于显示屏时，则表现为抑制摩尔纹的产生。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明电磁屏蔽构件的制备方法的流程示意图；
图2为本发明电磁屏蔽构件的制备方法的细化流程示意图；
图3为本发明一实施例的电磁屏蔽构件的部分结构示意图；
图4为本发明一实施例的电磁屏蔽构件的结构示意图；
图5为本发明一实施例的电磁屏蔽构件的部分结构示意图；
图6为图5中第一网孔的结构示意图；
图7为图4中屏蔽区域的部分结构示意图；
图8为图4中GND区域的部分结构示意图；
图9为图4中外接部的结部分构示意图。
附图标号说明：
| 标号 | 名称 | 标号 | 名称 |
| 100 | 基板 | 200 | 第一屏蔽模块 |
| 210 | 第一接着层 | 220 | 第一导电层 |
| 230 | 第一吸光层 | 200a | 第一网孔 |
| 300 | 第二屏蔽模块 | 310 | 第二接着层 |
| 320 | 第二导电层 | 330 | 第二吸光层 |
| 400 | 第三屏蔽模块 | 410 | 第三接着层 |
| 420 | 第三导电层 | 430 | 第一电流导出层 |
| 500 | 第一保护层 | 600a | 屏蔽区域 |
| 600b | GND区域 | 600c | 外接部 |
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，若本发明实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，全文中出现的“和/或”的含义，包括三个并列的方案，以“A和/或B”为例，包括A方案、或B方案、或A和B同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提出一种电磁屏蔽构件的制备方法。
参照图1至9，在本发明一实施例中，该电磁屏蔽构件的制备方法包括以下步骤：
步骤S700，提供可透光的基板；以及
步骤S800，在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块；其中，所述第一屏蔽模块包括依次层叠于所述基板的第一接着层、第一导电层和第一吸光层，所述第一屏蔽模块的第一网孔贯穿所述第一接着层、所述第一导电层和所述第一吸光层。
具体地，在本实施例中，第一接着层210、第一导电层220和第一吸光层230是依次形成的，当然，在其他实施例中，第一接着层、第一导电层和第一吸光层可分别成型，然后依次层叠于基板。
可选地，在本实施例中，所述步骤S800包括：
步骤S801，通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述基板镀覆形成所述第一接着层，以使第一接着层210的厚度可控。
步骤S802，通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一接着层镀覆形成所述第一导电层，以使第一导电层220的厚度可控。
步骤S803，通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一导电层镀覆形成所述第一吸光层，以使第一吸光层230的厚度可控。
可选地，在本实施例中，所述第一接着层210是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述基板100镀覆形成，且用以形成所述第一接着层210的镀覆靶材包括铜，以使形成的第一接着层210包含铜，本文所说的金属材质应做广义理解，应理解为金属元素，如铜应理解为铜元素。
所述第一导电层220是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一接着层210镀覆形成，且用以形成所述第一导电层220的镀覆靶材包括铜，以使形成的第一导电层220包含铜。
所述第一吸光层230是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一导电层220镀覆形成，且用以形成所述第一吸光层230的镀覆靶材包括铜，以使形成的第一吸光层230包含铜。
可选地，在本实施例中，用于形成所述第一接着层210的镀覆气氛包括惰性气体和反应气体，所述反应气体包括氧气和氮气中至少一者，以使形成的第一接着层210的颜色加深从而达到吸光的目的。
用于形成所述第一导电层220的镀覆气氛包括惰性气体；
用于形成所述第一吸光层230的镀覆气氛包括惰性气体和反应气体，所述反应气体包括氧气和氮气中至少一者，以使形成的第一吸光层230的颜色加深从而达到吸光的目的。
可选地，在本实施例中，用于形成所述第一接着层210的镀覆气氛中，惰性气体在镀覆气氛约占80vol％-90vol％；
用于形成所述第一吸光层230的镀覆气氛中，惰性气体在镀覆气氛约占80vol％-90vol％。
具体地，在本实施例中，惰性气体可但不限于氩气。
通过上述步骤，则第一接着层210和第一吸光层230均由金属、金属氧化物和/或金属氮化物组成。其中，以纯铜金属靶材为例，形成铜(Cu)、氧化铜(CuOx)和/或氮化铜(Cu3Nx)，其中x的范围为0.0005-1；
可选地，在本实施例中，用于形成所述第一接着层210的镀覆靶材还包括镍、钛或铬；用于形成所述第一吸光层230的镀覆靶材还包括镍、钛或铬。
为了增加第一接着层210与第一吸光层230的耐蚀性，在靶材内添加镍、钛与铬。其中，以镍钛铜合金为靶材为例，就是镍钛铜((Ni1-yTiy)1-zCuz)、氧化镍钛铜(((Ni1-yTiy)1-zCuz)1-xOx)和/或氮化镍钛铜(((Ni1-yTiy)1-zCuz)3Nx)。x的范围为0.0005-1；y的范围为0-1；z的范围为0-1。
另外，亦可以为了增加第一接着层210与基板100的附着力而添加铬。其中，以铜铬合金为靶材为例，就是铜铬(Cu1-yCry)、氧化铜铬((Cu1-yCry)Ox)和/或氮化铜铬((Cu1-yCry)3Nx)。x的范围为0.0005-1；y的范围为0-1。
可选地，在本实施例中，所述通过电镀的方式于所述基板100镀覆形成所述第一接着层210的步骤包括：
在镀液中加入硫酸、硫酸盐、磷酸盐或双氧水以氧化沉积出所述第一接着层210；
所述通过电镀的方式于所述第一导电层220镀覆形成所述第一吸光层230的步骤包括：
在镀液中加入硫酸、硫酸盐、磷酸盐或双氧水以氧化沉积出所述第一吸光层230。
需要说明的是，导电层无需使用氧化剂，直接进行沉积即可。
例如，使铜离子在镀液中与氧离子形成聚集于CuOx，在藉由药水内部的界面活性剂使CuOx表面带电双层，吸附于阴极上，完成沉积作业，其中镀液可但不限于硫酸铜(CuSO4)和/或硫酸镍(NiSO4)。
另外，化学镀的部分亦可使用一般的塑胶金属化制程完成具有吸光特性的第一接着层210的材料制备于透明基材上，如先使用高浓度的氢氧化钠(20wt％)于90℃下，将透明基材，如PET(Polyethylene terephthalate,涤纶树脂)或CPI(Colorless Polyimide，聚酰亚胺)表面形成一微纳米级的粗糙层。然后在粗糙层表面涂覆上一层催化层，其中催化层内可为钯或锡钯粒子。再将其放入化镀液中进行还原反应，依序将第一吸光层230与与第一导电层220制作于已完成表面粗化的基材上。还原反应制作镍层的过程中，亦可于镀液中加入部分氧化材料，完成低反射氧化铜与低反射氧化镍层的制作，如双氧水与过锰酸钾等，但比例不可超过10％，免得影响到药水的稳定性。
第一吸光层230亦可使用后黑化处理，如将第一导电层220表面利用化学置换的方式，形成消光系数较低的氧化亚铜(Cu2O3)、氧化铜(CuOx或CuO)、硒化铜(CuSe)、硫化铜(CuS)于铜表面上，以提高第一吸光层230的吸光效果，达到低反射的目的。
可选地，在本实施例中，所述步骤S800包括：
步骤S804，通过黄光制程对所述第一屏蔽模块进行图案化作业，使得所述第一屏蔽模块呈网格状。
于第一屏蔽模块200的单面或双面覆盖抗蚀层，其中抗蚀层可为正型光阻、负型光阻、负型干膜或印刷型防蚀刻油墨或黄光油墨。使用玻璃光罩或底片对黄光型抗蚀层进行曝光作业，定义抗蚀层线路外型。使用显影、蚀刻、去膜方式，去除多余的第一导电层220，使第一导电层220呈网格状；第一导电层220去除的部分无第一接着层210残留，使第一导电层220具有透光性。
当然，在其他实施例中，亦可使用但不限于3D打印或纳米压印的方式制作出第一屏蔽构件的网格。
可选地，在本实施例中，在步骤S800之后还包括：
步骤S901，在所述基板上形成有与所述第一屏蔽模块连接的第二屏蔽模块、及与所述第二屏蔽模块连接的第三屏蔽模块，所述第二屏蔽模块包括第二导电层，所述第三屏蔽模块包括第三导电层，第二屏蔽模块包括与第一接着层连接的第二接着层、与第一导电层连接的第二导电层、及与第一吸光层连接的第二吸光层，第三屏蔽模块包括与第二接着层连接的第三接着层、与第二导电层连接的第二导电层。具体地，在本实施例中，第一接着层210、第二接着层310和第三接着层410一体成型，当然，在其他实施例中，可以分别成型。在本实施例中，第一导电层220、第二导电层320和第三导电层420一体成型，当然，在其他实施例中可以分别成型。在本实施例中，第一吸光层230和第二吸光层330一体成型，当然在其他实施例中可以分别成型。另外，第二屏蔽模块300可以具有第二网孔也可以不具有第二网孔。
步骤S902，通过化学沉锡的方式于所述第三屏蔽模块的第三导电层上形成锡层；藉由改变铜离子的化学电位使镀液中的亚锡离子发生化学置换反应，其实质是电化学反应被还原的锡金属沉积于第三导电层420表面上形成锡镀层，且其浸锡镀层上吸附的金属络和物对锡离子还原为金属锡起催化作用，使锡离子继续还原成锡，确保化学沉锡层之厚度介于0.5μm～1.5μm。
步骤S903，封装所述基板、所述第一屏蔽模块和第二屏蔽模块。使用无酸价或酸价较低的可表干型光学级的丙烯酸树酯与热固性或光固化性硬化剂进行封装，封装方式可为涂布、点胶或将胶体半固化成固态光学胶厚后进行贴合作业，以保护电磁屏蔽构件，提高耐候性与可靠性。
本发明还提出一种电磁屏蔽构件，所述电磁屏蔽构件由前述的电磁屏蔽构件的制备方法所得。
参照图5和图6，在本发明一实施例中，该电磁屏蔽构件包括：
基板100，可透光；以及
第一屏蔽模块200，包括依次层叠于所述基板100的第一接着层210、第一导电层220以及第一吸光层230，所述第一屏蔽模块200呈网格状，所述第一屏蔽模块200具有贯穿所述第一接着层210、所述第一导电层220以及第一吸光层230的第一网孔200a。
本发明的技术方案中，可以理解，电磁屏蔽构件可但不限于应用于建筑玻璃以及显示器的屏幕，由于第一网孔200a贯穿第一接着层210、第一导电层220以及第一吸光层230，且基板100可透光，则基板100背离第一网孔200a一侧的部分光线可通过第一网孔200a无损射出，当电磁屏蔽构件应用于屏幕时则表现为画面发出的光可落入人眼，当电磁屏蔽构件应用于建筑玻璃时，则表现为不影响建筑玻璃的采光；
第一导电层220通过第一接着层210附着于基板100，以使电磁屏蔽构件在高温高湿测试时第一导电层220不易脱离基板100，也即电磁屏蔽构件在严酷的环境中也具有较高的结构稳定性，当电磁屏蔽构件应用于屏幕时，可以理解，屏幕运用非常广泛，所处的环境各异，电磁屏蔽构件可使得屏幕在高温高湿的环境下依旧保持良好的电磁屏蔽功能，当电磁屏蔽构件应用于建筑玻璃时，建筑玻璃要遭受风吹日晒，电磁屏蔽构件的结构稳定保证建筑玻璃在经受风吹日收后依旧可保持良好的电磁屏蔽功能；
由于第一网孔200a的设置方式，第一导电层220也成网格状，可以理解，电磁波到达第一导电层220后被转化为电流由第一导电层220导出，由此实现屏蔽电磁波的目的；
另外，第一吸光层230将吸收到达第一吸光层230的光线，特别地，吸收自第一吸光层230朝第一导电层220方向发射的光线，降低了电磁屏蔽构件的可视性，当电磁屏蔽构件应用于显示屏时，则表现为抑制摩尔纹的产生，当电磁屏蔽构件应用于建筑玻璃时，则表现为观看建筑玻璃时不会刺眼。
需要指出的是，上文的屏幕至少包括显示屏和触摸屏，电磁屏蔽构件可夹设于显示屏与触摸屏之间，也可设于显示屏背离触摸屏的一侧。
可选地，在本实施例中，所述基板100的材质配置为玻璃或透明高分子材料，可以理解，玻璃或透明高分子材料均具有优异的透光性质，具体地，玻璃可为钠硅玻璃、钠钙硅玻璃、钾硅玻璃或铝硅玻璃等，但不以此为限；高分子材料可为聚对苯二甲酸乙二酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(Polymethyl methacrylate，PMMA)、透明聚醯亞胺(Polyimide，PI)、透明聚醯胺(Polyamide，PA)或聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)薄膜材料等，但不以此为限。进一步地，基板100是透明的，以便于供各种颜色的光穿过，从而保证地磁屏蔽构件用于显示器时，显示器可以显示包含各种颜色的画面。
可选地，所述基板100的透光率大于90％，可以理解，基板100具有高透光率，光线容易从基板100未被遮蔽处几乎无损穿过，如此电磁屏蔽构件可应用于屏幕或建筑玻璃等结构中，如应用于屏幕中，可使得屏幕显示的影像可观看，应用于建筑玻璃中，可使得建筑玻璃具有较好的采光性能。
可选地，在本实施例中，所述第一接着层210为纯金属镀层、纯金属和金属氮氧化物混合镀层、金属合金镀层、或金属合金和金属氧氮化物混合镀层，如此有利于第一接着层210通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的工艺成型于基板100上，通过上述工艺使得第一接着层210的厚度可控，电磁屏蔽构件的良品率极大提高，具体地，金属元素可为镍、钛、铬、铜或铁，但不以此为限。
可选地，在本实施例中，所述第一接着层210与所述基板100的接着力、及与所述第一导电层220的附着力均大于0.5kg/cm2，如此，电磁屏蔽构件可通过高温高湿测试，以保证电磁屏蔽构件在严酷的环境中也具有较高的结构稳定性，倘若附着力小于0.5kg/cm2则在高温高湿的环境下可能会有第一导电层220、第一接着层210以及基板100相互剥离的情况发生。
可选地，在本实施例中，所述第一导电层220为纯金属镀层或金属合金镀层，金属具有优异的电磁屏蔽能力以及导电能力，另外，金属材质有利于第一导电层220通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的工艺成型于第一接着层210上，通过上述工艺使得第一导电层220的厚度可控，电磁屏蔽构件的良品率极大提高，具体地，在本实施例中，金属元素可为铜、镍、钛、铬、锌、铝或铁，但不以此为限。
第一导电层220不可视，在本实施例中表现为金属在光线的作用下发射的光被第一吸光层230抑制而使第一导电层220不可视。
可选地，在本实施例中，所述第一吸光层230为纯金属镀层、纯金属和金属氮氧化物混合镀层、金属合金镀层、或金属合金和金属氧氮化物混合镀层，如此有利于第一吸光层230通过电镀、化学镀、真空溅镀以及真空蒸镀的工艺成型于第一导电层220上，通过上述工艺使得第一吸光层230的厚度可控，电磁屏蔽构件的良品率极大提高，另外，金属材质还有利于通过黑色氧化处理形成黑色的吸光层，可以理解，黑色吸光能力优异，当然，也可以氧化出蓝色的吸光层。具体地，金属元素可为镍、钛、铬、锡、铜、铁，但不以此为限。
值得一提的是，第一接着层210、第一导电层220以及第一吸光层230均为金属层，在实际应用中，第一接着层210、第一导电层220以及第一吸光层230均具备有屏蔽电磁波的能力，屏蔽电磁波的效果显著。
所述第一吸光层230的光线吸收率大于70％，能吸收大量光线，从而抑制摩尔纹的产生。
可选地，在本实施例中，所述第一接着层210的厚度范围为1nm-3000nm，当第一接着层210的厚度过小时，可以理解，尺寸越小则工艺要求越高，也即制作成本直线上升，不利于应用于实际生产中，并且第一接着层210给予基板100和第一导电层220的接着力也会明显下降，难以满足在高温高湿的环境下电磁屏蔽构件保持良好的结构稳定性，当第一接着层210的厚度过大时，附着力虽然会明显上升，但却会造成资源浪费，附着力只要满足大于0.5kg/cm2就能满足电磁屏蔽构件的使用需求，因此，当第一接着层210的厚度范围为1nm-3000nm时，既能保证低成本制作出附着力大于0.5kg/cm2的第一接着层210，又能避免资源浪费。
进一步地，在本实施例中，所述第一接着层210的厚度范围为20nm-250nm，既能耗费最低的制作第一接着层210的成本，又能保证附着力大于0.5kg/cm2，使得电磁屏蔽构件具有良好的结构稳定性。
可选地，在本实施例中，所述第一导电层220的厚度范围为0.1μm-300μm，当第一导电层220的厚度过小时，可以理解，尺寸越小则工艺要求越高，也即制作成本直线上升，不利于应用于实际生产中，另外，电磁屏蔽能力与第一导电层220的厚度正相关，第一导电层220的厚度过小不利于屏蔽电磁波，当第一接着层210的厚度过大时，虽然电磁屏蔽能力显著上升，但却难以将第一导电层220细线化，也即电磁屏蔽构件的透光率会显著下降，尤其当第一导电层220的材质为铜时，容易产生刻蚀困难与梯形结构的问题，给第一导电层220细线化带来了巨大的困难，甚至会导致电磁屏蔽构件良品率下降，因此，当第一导电层220的厚度范围为0.1μm-300μm时，既能保证低成本制作出具有良好地屏蔽电磁波能力的第一导电层220，又能使得第一导电层220能够细线化，也即第一导电层220具有良好的透光率。
可选地，在本实施例中，所述第一导电层220的厚度范围为0.5μm-50μm，保证低成本制作出具有良好的电磁波屏蔽能力的第一导电层220的同时，做到第一导电层220细线化程度最高。需要说明的是，本文电磁屏蔽构件的屏蔽能力在18GHz-40GHz波段可超过30dB。
可选地，在本实施例中，所述第一吸光层230的厚度范围为1nm-3000nm，当第一吸光层230的厚度过小时，可以理解，尺寸越小则工艺要求越高，也即制作成本直线上升，不利于应用于实际生产中，并且还会带来吸光层的光线吸收率显著下降，难以满足吸收光的要求，也即难以抑制摩尔纹的产生，当第一吸光层230的厚度过大时，光线吸收率虽然会明显上升，但却会造成资源浪费，光线吸收率满足大于70％就能较好地抑制摩尔纹产生，因此，当第一吸光层230的厚度范围为1nm-3000nm时，既能保证低成本制作出光线吸收率大于70％的第一吸光层230，又能避免资源浪费。
可选地，在本实施例中，所述第一吸光层230的厚度范围为20nm-250nm，既能耗费最低的制作第一吸光层230的成本，又能保证光线吸收率大于70％，使得电磁屏蔽构件可以抑制摩尔纹产生。
可选地，在本实施例中，所述第一网孔200a的横截面呈多边形，具体地，多边形配置为菱形，其中菱形的一夹角的角度范围为30度至60度，如此，当电磁屏蔽构件用于显示器时，显示器的LCM(LCD Module，显示模组)的摩尔纹会得到有效的抑制。
当然，在其他实施例中，第一网孔的横截面还可以但不限于呈封闭的图形，甚至，第一网孔还可以配置为凹槽，多个凹槽的延伸方向相同，凹槽的延伸方向上多个凹槽相互并行设置，多个凹槽在延伸方向上贯通第一屏蔽模块。
值得一提的是，在本实施例中，第一屏蔽模块200沿基板100的法线朝基板100投影的投影面积占基板100面积的比值小于30％，也即电磁屏蔽构件的透光率大于70％，如此，电磁屏蔽构件可但不限于应用于显示屏中，当然，该比值还可以小于其他数值，以满足其他应用需求，如应用于建筑玻璃等。
可选地，在本实施例中，所述第一网孔200a的多个网孔均匀散布于所述第一屏蔽模块200，如此解决了屏蔽电磁波不均匀的问题。
可选地，所述第一屏蔽模块200的线宽范围为5μm-1mm，在网孔数量一定的情况下，线宽越小意味着网孔越大，也即电磁屏蔽构件的透光性越好，可以理解，线宽也即本文所述的细线化的具体表现。当线宽数值越小，则第一屏蔽模块200的稳定性越差，越容易受到外界影响而断裂，当第一屏蔽模块200的线宽的数值越大，则电磁屏蔽构件的透光性越差，因此，当所述第一屏蔽模块200的线宽范围为5μm-1mm时，第一屏蔽模块200具有良好的稳定性以及优异的透光性。
可选地，所述第一屏蔽模块200的线距范围为5μm-10mm，线距越小意味着网孔越小，也即电磁屏蔽构件的透光性越差而电磁屏蔽能力越强，而线距越大意味着网孔越大，也即电磁屏蔽构件的电磁屏蔽能力越差而电磁屏蔽构件的透光性越好，因此，当第一屏蔽模块的线距范围为5μm-10mm时，电磁屏蔽构件既具有良好的透光性又具有优异的电磁屏蔽能力。
可选地，在本实施例中，所述基板100具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一屏蔽模块200设有两个，一所述第一屏蔽模块200设于所述第一表面，另一所述第二屏蔽模块300设于所述第二表面。
两个第一导电层220的总厚度大于一个第一导电层220的厚度，也即电磁屏蔽构件电磁屏蔽能力增强，另外，由于两个第一导电层220分别形成于不同的表面，则均能在保证具有良好地电磁波屏蔽能力的情形下做到细线化，也即，若将两个第一导电层合并为一层，则会产生刻蚀困难与梯形结构的问题，本技术方案将总厚度分摊至两个第一导电层可以避免产生刻蚀困难与梯形结构的问题。值得一提的是，两个第一屏蔽模块200分设于基板100的相对两侧，有利于实现双向屏蔽电磁波以及双向抑制摩尔纹产生。另外，可以理解，此技术方案的电磁屏蔽构件在基本相对两侧都具有第一吸光层，也即自第一表面朝第二表面的方向发射的光线、及子第二表面朝第一表面的方向发射的光线均可被电磁屏蔽构件吸收，如此，电磁屏蔽构件的相对两侧均不可视。
可选地，自所述第一表面和所述第二表面中的一者朝另一者的方向看，一所述第一屏蔽模块的网格线遮挡另一所述屏蔽模块的网格线，以保持电磁屏蔽构件透光率不变，或者通过增大不同第一屏蔽模块的第一网孔200a至少一者的网孔大小来增大或保持电磁屏蔽构件的透光率，可以理解，在本实施例中，网孔的横截面呈菱形，可通过扩大菱形相对两边的间距来扩大网孔的大小。
值得一提的是，在其他实施例中，当第一网孔配置为凹槽，位于第一表面的第一屏蔽模块的第一网孔的多个凹槽沿第一方向延伸，位于第二表面的第二屏蔽模块的第一网孔的多个凹槽沿第二方向延伸，也即两个第一屏蔽模块均被第一网孔间隔出多个并行的部分第一屏蔽模块，位于第一表面的多个部分第一屏蔽模块与位于第二表面的多个部分第二屏蔽模块均沿基板的法线朝基板投影，位于第一表面的多个部分第一屏蔽模块的投影与位于第二表面的多个部分第二屏蔽模块的投影相互交错以限制出网格，在两个第一屏蔽模的作用下，实现电磁屏蔽构件对电磁波的屏蔽，相较网孔的横截面为封闭的区域的方案，此方案可减少两个第一屏蔽膜的制作成本，又能达到良好的电磁波屏蔽效果。
可选地，在本实施例中，所述电磁屏蔽构件还设有至少包覆所述第一屏蔽模块200的第一保护层500，第一保护层500可以避免第一屏蔽模块200免受水或气的侵蚀，以延长电磁屏蔽构件的使用寿命。具体地，在本实施例中，第一保护层500还包覆于基板100显露于外的表面和第二屏蔽模块300以使他们免受外界环境侵蚀，提高了耐候性与可靠性。
可选地，在本实施例中，所述第一保护层500的组分包括树脂、金属错合前驱物、增强剂、消泡剂及溶剂。其中，所述金属错合前驱物为唑类物质。
进一步地，在本实施例中，所述保护层各组分的质量百分比如下：树脂为1～50％、金属错合前驱物0.01～5％、增强剂0.01～3％、消泡剂0.01～2.5％、其余为溶剂。
进一步地，在本实施例中，所述保护层各组分的质量百分比如下：树脂5～30％、金属错合前驱物0.3～2.5％、增强剂0.06～1％、消泡剂0.03～1％、其余为溶剂。
进一步地，在本实施例中，所述保护层组分还包括质量百分比为0.02～3％的起始剂和质量百分比为1～20％的压克力单体寡聚物。
进一步地，在本实施例中，所述起始剂为偶氮类物质、过氧化物或者过氧碳酸类物质中的一种或其组合。
进一步地，在本实施例中，所述起始剂为偶氮二异丁腈、偶氮二异庚腈、过氧化二苯甲酰、过氧化二(十六烷基)二碳酸酯或过氧碳酸二吡啶中的一种或其组合。
进一步地，在本实施例中，所述金属错合前驱物为苯骈三氮唑或2-巯基苯并咪唑中的一种或其组合。
进一步地，在本实施例中，所述树脂为聚氨酯树脂或聚丙烯酸树脂中的一种或其组合。
进一步地，在本实施例中，所述增强剂为纳米级二氧化硅溶凝胶。
进一步地，在本实施例中，所述溶剂为丙二醇甲醚醋酸酯或乙二醇单丁醚中的一种或其组合。
可选地，一并参照图4、图7、图8和图9，在本实施例中，所述电磁屏蔽构件设有屏蔽区域600a、包围所述屏蔽区的GND区域600b、及连接所述GND区域600b的外接部600c，所述电磁屏蔽构件还包括设于所述基板100且与所述第一屏蔽模块200连接的第二屏蔽模块300、及设于所述基板100且与所述第二屏蔽模块300连接的第三屏蔽模块400，所述第三屏蔽模块400设有第一电流导出层430；所述屏蔽区域600a包括所述第一屏蔽模块200；所述GND区域600b包括所述第二屏蔽模块300；所述外接部600c包括所述第三屏蔽模块400，所述外接部600c用以连接PCB板。
需要说明的是，第二屏蔽模块300包括依次层叠于基板100的第二接着层310、第二导电层320以及第二吸光层330，第二屏蔽模块300可设有贯穿所述第二接着层310、所述第二导电层320以及第二吸光层330的第二网孔，或者，不设有第二网孔。第三屏蔽模块400包括依次层叠于所述基板100的第三接着层410、第三导电层420以及第一电流导出层430。具体地，在本实施例中，第一接着层210、第二接着层310以及第三接着层410是一体成型的，当然，在其他实施例中可以分别成型；在本实施例中，第一导电层220、第二导电层320以及第三导电层420是一体成型的，当然，在其他实施例中，可以分别成型；在本实施例中，第一吸光层230和第二吸光层330是一体成型的，当然，在其他实施例中，可以分别成型。
还需要说明的是，屏蔽区域600a、GND区域600b以及外接部600c均包括部分基板100。
当电磁屏蔽构件应用于显示器时，若GND区域600b的第二屏蔽模块300具有第二网格，GND区域600b和屏蔽区域600a作为显示区域，当GND区域600b的第二屏蔽模块300不具有第二网格时，GND区域600b作为边框区域，而屏蔽区域600a作为显示区域。另外，外接部600c的第一电流导出层430便于将由屏蔽区域600a传至GND区域600b的电流导出至PCB板上，可以理解，电流导出越快则屏蔽电磁波的效果越好，具体地，在本实施例中，第一电流导出层430可配置为锡层或材质选用异方性导电胶，锡层和异方性导电胶均具备良好的导电能力，甚至锡层还便于外接部600c的第三屏蔽模块400与PCB板焊接固定，其中焊接为回流焊。另外，在其他实施例中，第一屏蔽模块和第二屏蔽模块也可设置锡层或使用异方性导电胶。需要说明的是，锡层表面可以氧化出灰色的氧化锡以作为吸光层，锡层厚度范围为0.5μm-1.5μm。
以上所述仅为本发明的可选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的发明构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (9)
1.一种电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供可透光的基板；以及
在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块；其中，所述第一屏蔽模块包括依次层叠于所述基板的第一接着层、第一导电层和第一吸光层，所述第一屏蔽模块的第一网孔贯穿所述第一接着层、所述第一导电层和所述第一吸光层；
在所述基板上形成有与所述第一屏蔽模块连接的第二屏蔽模块、及与所述第二屏蔽模块连接的第三屏蔽模块，所述第二屏蔽模块包括第二导电层，所述第三屏蔽模块包括第三导电层；
通过化学沉锡的方式于所述第三屏蔽模块的第三导电层上形成锡层；
封装所述基板、所述第一屏蔽模块和所述第二屏蔽模块。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块的步骤包括：
通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述基板镀覆形成所述第一接着层；
通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一接着层镀覆形成所述第一导电层；
通过电镀、化学镀、真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一导电层镀覆形成所述第一吸光层。
3.如权利要求2所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，所述第一接着层是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述基板镀覆形成，且用以形成所述第一接着层的镀覆靶材包括铜；
所述第一导电层是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一接着层镀覆形成，且用以形成所述第一导电层的镀覆靶材包括铜；
所述第一吸光层是通过真空溅镀或真空蒸镀的方式于所述第一导电层镀覆形成，且用以形成所述第一吸光层的镀覆靶材包括铜。
4.如权利要求3所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，用于形成所述第一接着层的镀覆气氛包括惰性气体和反应气体，所述反应气体包括氧气和氮气中至少一者；
用于形成所述第一导电层的镀覆气氛包括惰性气体；
用于形成所述第一吸光层的镀覆气氛包括惰性气体和反应气体，所述反应气体包括氧气和氮气中至少一者。
5.如权利要求4所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，用于形成所述第一接着层的镀覆气氛中，惰性气体在镀覆气氛占80vol%-90vol%；
用于形成所述第一吸光层的镀覆气氛中，惰性气体在镀覆气氛占80vol%-90vol%。
6.如权利要求3所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，用于形成所述第一接着层的镀覆靶材还包括镍、钛或铬；
用于形成所述第一吸光层的镀覆靶材还包括镍、钛或铬。
7.如权利要求2所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，所述通过电镀的方式于所述基板镀覆形成所述第一接着层的步骤包括：
在镀液中加入硫酸、硫酸盐、磷酸盐或双氧水以氧化沉积出所述第一接着层；
所述通过电镀的方式于所述第一导电层镀覆形成所述第一吸光层的步骤包括：
在镀液中加入硫酸、硫酸盐、磷酸盐或双氧水以氧化沉积出所述第一吸光层。
8.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件的制备方法，其特征在于，所述在所述基板上形成有呈网格状的第一屏蔽模块的步骤包括：
通过黄光制程对所述第一屏蔽模块进行图案化作业，使得所述第一屏蔽模块呈网格状。
9.一种电磁屏蔽构件，其特征在于，所述电磁屏蔽构件由如权利要求1至8任一项所述的电磁屏蔽构件的制备方法制备所得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110933926.6A CN113774379B (zh) | 2021-08-13 | 2021-08-13 | 电磁屏蔽构件的制备方法和电磁屏蔽构件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110933926.6A CN113774379B (zh) | 2021-08-13 | 2021-08-13 | 电磁屏蔽构件的制备方法和电磁屏蔽构件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113774379A CN113774379A (zh) | 2021-12-10 |
| CN113774379B true CN113774379B (zh) | 2024-05-03 |
Family
ID=78837789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110933926.6A Active CN113774379B (zh) | 2021-08-13 | 2021-08-13 | 电磁屏蔽构件的制备方法和电磁屏蔽构件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113774379B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114928954A (zh) * | 2022-06-08 | 2022-08-19 | 深圳市志凌伟业光电有限公司 | 一种室内透明兼容5g天线和电磁屏蔽薄膜的加工方法 |
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| WO2017097204A1 (zh) * | 2015-12-08 | 2017-06-15 | 金英花 | 金属网格单膜双面电容屏功能片及其制作方法 |
| CN111484640A (zh) * | 2020-06-10 | 2020-08-04 | 深圳市乐工新技术有限公司 | 电磁屏蔽材料的制作方法、电磁屏蔽材料及电子产品 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2008305829A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光干渉縞防止光透過型電磁波シールド材料 |
-
2021
- 2021-08-13 CN CN202110933926.6A patent/CN113774379B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113774379A (zh) | 2021-12-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |