CN113764600A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示装置,其包括:第一基板,包括至少一个第一开口部分;像素,设置在第一基板上;至少一个第一散热层,设置在至少一个第一开口部分中;绝缘层,设置在第一基板下面并且包括与至少一个第一开口部分交叠的至少一个第二开口部分;以及设置在至少一个第二开口部分中的第二散热层。

Description

显示装置及其制造方法
相关申请的交叉引用
本专利申请要求于2020年6月5日提交到韩国知识产权局的第No.10-2020-0068133号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的整体内容通过引用并入本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
向用户提供图像的诸如智能电话、数字相机、笔记本计算机、导航装置或智能电视等的电子装置包括用于显示图像的显示装置。显示装置生成图像,并且通过显示屏将生成的图像提供给用户。
显示装置包括:显示面板,包括像素;以及驱动单元,电连接到显示面板以驱动像素。多个像素中的每个包括图像显示元件和电连接到图像显示元件的驱动元件。驱动元件驱动图像显示元件,并且图像显示元件生成预定的光以向用户显示图像。
如果驱动了像素,则可在显示面板中生成热量,而该热量可降低像素的效率和寿命。相应地,需要开发一种将在显示面板中生成的热量消散到外部的技术。
发明内容
本公开提供了一种能够增强散热功能的显示装置及其制造方法。
在实施方式中,显示装置可包括:第一基板,包括至少一个第一开口部分;像素,设置在第一基板上;至少一个第一散热层,设置在至少一个第一开口部分中;绝缘层,设置在第一基板下面,并且包括与至少一个第一开口部分交叠的至少一个第二开口部分;以及第二散热层,设置在至少一个第二开口部分中。
第二散热层可设置在第一基板下面并且与绝缘层交叠。
第二散热层可在至少一个第二开口部分中接触至少一个第一散热层。
第二散热层可设置为具有从绝缘层的底表面到至少一个第一散热层的底表面的台阶结构。
至少一个第一散热层中的每个可具有比第二散热层的厚度大的厚度。
显示装置还可包括蚀刻停止层,其设置在第一基板和像素之间。
至少一个第一散热层、第二散热层和蚀刻停止层可包括金属材料。
在平面视图中,至少一个第一开口部分、至少一个第二开口部分和至少一个第一散热层可具有圆形形状、多边形形状或椭圆形形状。
像素可包括:发光区域;以及与发光区域相邻的非发光区域。在平面视图中,至少一个第一散热层可与发光区域交叠。
显示装置还可包括:第二基板,设置在第一基板上;滤色器,设置在第二基板下面并且在平面视图中与发光区域交叠;以及量子点层,设置在滤色器下面并且在平面视图中与发光区域交叠。量子点层可设置在像素上。
至少一个第一开口部分可包括多个第一开口部分,至少一个第二开口部分可包括多个第二开口部分,并且至少一个第一散热层可包括多个第一散热层。
在实施方式中,显示装置的制造方法可包括:在第一基板下面形成绝缘层,第一基板包括第一去除部分和与第一去除部分相邻的第一外围部分;在第一基板上形成像素;去除在平面视图中与第一去除部分交叠的绝缘层的第二去除部分;去除第一去除部分;在第一基板的第一开口部分中形成第一散热层,第一开口部分通过去除第一去除部分而形成;以及在绝缘层的第二开口部分中形成第二散热层,第二开口部分通过去除第二去除部分而形成。
在第一开口部分中形成第一散热层可包括喷墨印刷工艺或分散工艺。
在第二开口部分中形成第二散热层可包括溅射工艺。
形成第二散热层可包括在第一基板下面形成第二散热层以与绝缘层交叠。
形成第二散热层可包括形成第二散热层以在第二开口部分中接触第一散热层以及以在第一散热层下面的绝缘层的底表面上具有台阶结构。
第一散热层的厚度可大于第二散热层的厚度。
该制造方法还可包括在第一基板上形成蚀刻停止层。形成像素可包括将像素设置在第一基板上的蚀刻停止层上。
像素可包括:发光区域;与发光区域相邻的非发光区域。在平面视图中,第一散热层可与发光区域交叠。
该制造方法还可包括用激光束照射第一去除部分。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的实施方式,根据本发明的实施方式的附加领会将变得更加显而易见,在附图中:
图1是根据实施方式的显示装置的示意性透视图;
图2是示出图1中所示的显示装置的截面的示意性截面视图;
图3是示出图2中所示的显示面板的截面的示意性截面视图;
图4是示出设置在图3中所示的电路元件层和显示元件层中的像素的截面的示意性截面视图;
图5是示出图3中所示的显示面板的一部分的截面的示意性截面视图;
图6是示出图5中所示的第一散热层的平面布置的示意性平面视图;
图7和图8是示出第一散热层的各种形状的示意性平面视图;
图9至图17示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置的方法;
图18示意性地示出了根据另一实施方式的显示面板的构造。
具体实施方式
将理解的是,当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,它能直接在另一元件或层上、直接连接到或直接联接到另一元件或层,或者可存在中间的第三元件。
在附图中,相似的附图标记是指相似的元件。另外,在附图中,为了技术内容的有效描述,元件的厚度、比率和尺寸可被放大。
术语“和/或”包括一个或多个相关联的项目的任何和所有组合。
诸如第一和第二等的术语可用于描述各种部件,但是这些部件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如,在不脱离本公开的范围的情况下,第一部件可被称为第二部件,或者类似地,第二部件可被称为第一部件。如本文中所使用的,单数形式“一(a)”、“一(an)”和“该”也可旨在包括复数形式,除非上下文另外清楚指示。
另外,诸如“在……下面”、“下”、“在……上”和“上”的术语用于解释附图中所示的项目的关联。将理解的是,除了图中所描绘的取向之外,空间关系术语还旨在涵盖装置在使用或操作中的不同取向。
除非本文中另有定义或暗示,否则本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。还将理解的是,术语,诸如在常用词典中定义的那些,应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义,并且不应在理想的或过度正式的意义上进行解释,除非本文中清楚定义。
将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包括”指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或增加。
在下文中,将参照附图详细描述本发明的实施方式。
图1是根据实施方式的显示装置DD的示意性透视图。
参照图1,显示装置DD可具有矩形形状,该矩形形状包括在第一方向DR1上延伸的长边和在与第一方向DR1相交的第二方向DR2上延伸的短边。然而,显示装置DD不限于此,并且可具有各种形状,诸如圆形形状和多边形形状。
在下文中,将与由第一方向DR1和第二方向DR2限定的平面基本上垂直相交的方向限定为第三方向DR3。短语“在平面上观看时”或“在平面视图中”的含义被限定为在第三方向DR3上观看物体。
显示装置DD的顶表面可被限定为显示表面DS,并且可包括由第一方向DR1和第二方向DR2限定的表面。可通过显示表面DS将在显示装置DD中生成的图像IM提供给用户。
显示表面DS可包括显示区域DA和围绕显示区域DA的非显示区域NDA。显示区域DA显示图像,并且非显示区域NDA可不显示图像。非显示区域NDA可围绕显示区域DA或与显示区域DA相邻,并且限定以预定颜色印刷的显示装置DD的边界。
显示装置DD可用于诸如电视机、监视器和室外广告牌的大型电子装置中。显示装置DD可是中小型电子装置,诸如个人计算机、膝上型计算机、个人数字助理、车辆导航器、游戏机、智能电话、平板电脑或相机等。然而,这些仅作为示例呈现,并且在不脱离本发明构思的情况下,显示装置DD可在其他电子装置中采用。
图2是示出图1中所示的显示装置DD的截面的示意性截面视图。
例如,图2示出了在第一方向DR1上观看的显示装置DD的截面。
参照图2,显示装置DD可包括显示面板DP、输入感测部分ISP、窗WIN、粘合层AL和散热层RHL。显示面板DP可是刚性类型,但是不限于此,并且可是柔性类型。
根据实施方式的显示面板DP可是发射显示面板。例如,显示面板DP可是有机发光显示面板或量子点发光显示面板。有机发光显示面板的发光层可包括有机发光材料。量子点发光显示面板的发光层可包括量子点或量子棒等。在下文中,显示面板DP将被描述为有机发光显示面板。
输入感测部分ISP可设置在显示面板DP上。输入感测部分ISP可包括用于以静电电容方式感测外部输入的传感器(未示出)。当制造显示装置DD时,可直接在显示面板DP上制造输入感测部分ISP。然而,实施方式不限于此,并且输入感测部分ISP可被制造为与显示面板DP分离的面板,并且可借助于粘合剂附接到显示面板DP。输入感测部分ISP可被省略。
窗WIN可设置在输入感测部分ISP上。窗WIN可保护显示面板DP和输入感测部分ISP免受外部刮擦或冲击。粘合层AL可设置在输入感测部分ISP和窗WIN之间以将它们彼此层叠。
散热层RHL可设置在显示面板DP下面。散热层RHL可消散在显示面板DP中生成的热量。将详细描述散热层RHL的具体构造。
图3是示出图2中所示的显示面板DP的截面的示意性截面视图。
例如,图3示出了在第一方向DR1上观看的显示面板DP的截面。
参照图3,显示面板DP可包括第一基板SUB1、第二基板SUB2、电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE(参见例如图4)、滤色器层CFL、光转换层LCL、填充材料FL和密封剂SAL。
第二基板SUB2可设置在第一基板SUB1上以面对第一基板SUB1或与第一基板SUB1交叠。电路元件层DP-CL、显示元件层DP-OLED、薄膜封装层TFE、滤色器层CFL、光转换层LCL、填充材料FL和密封剂SAL可设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。
第一基板SUB1和第二基板SUB2中的每个可包括玻璃,但是不限于此,并且可包括诸如聚酰亚胺(Polyimide,PI)的柔性塑料材料。在平面视图中,第一基板SUB1可包括显示区域DA和围绕或相邻于显示区域DA的非显示区域NDA。
电路元件层DP-CL可设置在第一基板SUB1上。显示元件层DP-OLED可设置在电路元件层DP-CL上。显示元件层DP-OLED可设置在显示区域DA中。
像素可设置在电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中。多个像素中的每个可包括设置在电路元件层DP-CL中的晶体管和设置在显示元件层DP-OLED中并且电连接到晶体管的发光元件。在下文中,将详细描述像素的构造。
薄膜封装层TFE可设置在电路元件层DP-CL上,以覆盖或交叠于显示元件层DP-OLED。薄膜封装层TFE可保护像素免受湿气、氧和外部异物的影响。
滤色器层CFL可设置在第二基板SUB2下面。在平面视图中,滤色器层CFL可与显示区域DA交叠。光转换层LCL可设置在滤色器层CFL下面。在平面视图中,光转换层LCL可与显示区域DA交叠。
在平面视图中,密封剂SAL可与非显示区域NDA交叠。密封剂SAL可设置在第一基板SUB1和第二基板SUB2之间。第一基板SUB1和第二基板SUB2可借助于密封剂SAL而彼此层叠。密封剂SAL可包括UV可固化材料。
填充材料FL可设置在光转换层LCL和薄膜封装层TFE之间。填充材料FL可朝着非显示区域NDA延伸以接触密封剂SAL。填充材料FL可包括硅、环氧树脂和丙烯酸热固性材料。
在显示元件层DP-OLED中生成的光可被提供给光转换层LCL。光转换层LCL可转换从显示元件层DP-OLED提供的光的颜色。颜色改变的光可通过滤色器层CFL和第二基板SUB2输出到外部。
滤色器层CFL可防止从外部提供给显示面板DP的外部光的反射。滤色器层CFL的这种功能将在以下详细描述。
图4是示出设置在图3中所示的电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED中的像素PX的截面的示意性截面视图。
参照图4,像素PX可设置在第一基板SUB1上并且包括晶体管TR和发光元件OLED。发光元件OLED可包括第一电极AE、第二电极CE、空穴控制层HCL、电子控制层ECL和发光层EML。第一电极AE可是阳极,并且第二电极CE可是阴极。
晶体管TR和发光元件OLED可设置在第一基板SUB1上。尽管示出了一晶体管TR,但是像素PX可包括用于驱动发光元件OLED的多个晶体管和至少一个电容器。
显示区域DA可包括分别与多个像素PX对应的多个发光区域PA和与发光区域PA相邻的非发光区域NPA。发光元件OLED可设置在发光区域PA中。
蚀刻停止层ETL可设置在第一基板SUB1上。蚀刻停止层ETL可包括诸如钼的金属材料。蚀刻停止层ETL的功能将在以下详细描述。
缓冲层BFL可设置在蚀刻停止层ETL上,并且缓冲层BFL可是无机层。半导体图案可设置在缓冲层BFL上。半导体图案可包括多晶硅。然而,实施方式不限于此。例如,半导体图案可包括非晶硅或金属氧化物。
根据半导体图案是否被掺杂,半导体图案可具有不同的性质。半导体图案可包括掺杂区域和非掺杂区域。掺杂区域可掺杂有N型掺杂剂或P型掺杂剂。掺杂区域的电导率大于非掺杂区域的电导率,并且可基本上起到源电极和漏电极的作用。非掺杂区域基本上对应于晶体管的有源层(或沟道)。
晶体管TR的源极S、有源层A和漏极D可由半导体图案形成。第一绝缘层INS1可设置在半导体图案上。晶体管TR的栅极G可设置在第一绝缘层INS1上。第二绝缘层INS2可设置在栅极G上。第三绝缘层INS3可设置在第二绝缘层INS2上。
连接电极CNE可设置在晶体管TR和发光元件OLED之间,以将它们彼此电连接。连接电极CNE可包括第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2。
第一连接电极CNE1可设置在第三绝缘层INS3上,并且可通过在第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3中限定的第一接触孔CH1电连接到漏极D。第四绝缘层INS4可设置在第一连接电极CNE1上。第五绝缘层INS5可设置在第四绝缘层INS4上。第二连接电极CNE2可设置在第五绝缘层INS5上,并且可通过在第四绝缘层INS4和第五绝缘层INS5中限定的第二接触孔CH2电连接到第一连接电极CNE1。
第六绝缘层INS6可设置在第二连接电极CNE2上。从缓冲层BFL到第六绝缘层INS6的层可被限定为电路元件层DP-CL。第一绝缘层INS1至第六绝缘层INS6可是无机层或有机层。
第一电极AE可设置在第六绝缘层INS6上。第一电极AE可通过在第六绝缘层INS6中限定的第三接触孔CH3电连接到第二连接电极CNE2。用于暴露第一电极AE的预定部分的像素限定层PDL可设置在第一电极AE和第六绝缘层INS6上。在像素限定层PDL中,可限定开口部分PX_OP以暴露第一电极AE的预定部分。
空穴控制层HCL可设置在第一电极AE和像素限定层PDL上。空穴控制层HCL可共同设置在发光区域PA和非发光区域NPA中。空穴控制层HCL可包括空穴传输层和空穴注入层。
发光层EML可设置在空穴控制层HCL上。发光层EML可设置在与开口部分PX_OP对应的区域中。发光层EML可包括有机材料和/或无机材料。发光层EML可生成第一光。第一光可是蓝色光。
电子控制层ECL可设置在发光层EML和空穴控制层HCL上。电子控制层ECL可共同设置在发光区域PA和非发光区域NPA中。电子控制层ECL可包括电子传输层和电子注入层。
第二电极CE可设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可共同设置在多个像素PX中。可将设置有发光元件OLED的层限定为显示元件层DP-OLED。
薄膜封装层TFE可设置在第二电极CE上以覆盖或交叠于像素PX。薄膜封装层TFE可包括设置在第二电极CE上的第一封装层EN1、设置在第一封装层EN1上的第二封装层EN2和设置在第二封装层EN2上的第三封装层EN3。
第一封装层EN1和第三封装层EN3可是无机层,并且第二封装层EN2可是有机层。第一封装层EN1和第三封装层EN3可保护像素PX免受湿气/氧的影响。第二封装层EN2可保护像素PX免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。
可通过晶体管TR将第一电压施加到第一电极AE,并且可将具有比第一电压低的电平的第二电压施加到第二电极CE。注入到发光层EML的空穴和电子可结合以形成激子,并且在激子转变为基态的同时,发光元件OLED可发射光。
图5是示出图3中所示的显示面板DP的一部分的截面的示意性截面视图。
图5示出了与三个发光区域PA1、PA2和PA3相对应的显示面板DP的截面,并且省略了设置在电路元件层DP-CL中的晶体管TR和设置在显示元件层DP-OLED中的发光元件OLED。
参照图5,像素层PXL可设置在第一基板SUB1上。像素层PXL可包括前述的电路元件层DP-CL和显示元件层DP-OLED。蚀刻停止层ETL可设置在第一基板SUB1和像素层PXL之间。
显示区域DA可包括第一发光区域PA1、第二发光区域PA2、第三发光区域PA3以及在第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3周围或与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3相邻的各自的非发光区域NPA。
图4中所示的发光区域PA可是图5中所示的第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中的任何一个。前述的发光元件OLED可设置在第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中。第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3可生成第一光L1。例如,第一光L1可是蓝色光。
滤色器层CFL可包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2、第三滤色器CF3、黑矩阵BM、低折射层LRL和第一绝缘层IL1。尽管示出了一第一滤色器CF1、一第二滤色器CF2和一第三滤色器CF3,但是可提供多个第一滤色器CF1、多个第二滤色器CF2和多个第三滤色器CF3。
光转换层LCL可包括第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2、光透射层LTL、堤层BNK和第二绝缘层IL2。尽管示出了一第一量子点层QDL1、一第二量子点层QDL2和一光透射层LTL,但是可提供多个第一量子点层QDL1、多个第二量子点层QDL2和多个光透射层LTL。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可设置在第二基板SUB2下面。在平面视图中,第一滤色器CF1可与第一发光区域PA1交叠,第二滤色器CF2可与第二发光区域PA2交叠,并且第三滤色器CF3可与第三发光区域PA3交叠。第一滤色器CF1可包括红色滤色器。第二滤色器CF2可包括绿色滤色器。第三滤色器CF3可包括蓝色滤色器。
黑矩阵BM可设置在第二基板SUB2下面。在平面视图中,黑矩阵BM可与非显示区域NPA交叠。黑矩阵BM可设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3之间。
低折射层LRL可设置在第二基板SUB2下面,以覆盖或交叠于第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及黑矩阵BM。低折射层LRL可具有比第一量子点层QDL1、第二量子点层QDL2和光透射层LTL的折射率小的折射率。低折射层LRL可包括有机层以及设置在有机层中并且用于散射光的散射颗粒。第一绝缘层IL1可设置在低折射层LRL下面。第一绝缘层IL1可是无机层。
堤层BNK可设置在第一绝缘层IL1下面。在平面视图中,堤层BNK可与非显示区域NPA交叠。在堤层BNK中,开口部分QOP可被限定并且与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3交叠。堤层BNK可具有黑颜色。
第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL可分别设置在第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中。第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL可设置在显示元件层DP-OLED上。
第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL可分别设置在多个开口部分QOP中。相应地,在平面视图中,第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3交叠。第一量子点层QDL1可与第一发光区域PA1交叠,第二量子点层QDL2可与第二发光区域PA2交叠,并且光透射层LTL可与第三发光区域PA3交叠。
第二绝缘层IL2可设置在堤层BNK、第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL下面。第二绝缘层IL2可是无机层。
在第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3中生成的第一光L1可被提供给第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL。在第一发光区域PA1中生成的第一光L1可被提供给第一量子点层QDL1。在第二发光区域PA2中生成的第一光L1可被提供给第二量子点层QDL2。在第三发光区域PA3中生成的第一光L1可被提供给光透射层LTL。
第一量子点层QDL1可将第一光L1转换为第二光L2。第二量子点层QDL2可将第一光L1转换为第三光L3。例如,第二光L2可是红色光,并且第三光L3可是绿色光。第一量子点层QDL1可包括第一量子点(未示出),并且第二量子点层QDL2可包括第二量子点(未示出)。光透射层LTL可包括光散射颗粒(未示出)。
第一量子点可将具有蓝色波长的第一光L1转换为具有红色波长的第二光L2。第二量子点可将具有蓝色波长的第一光L1转换为具有绿色波长的第三光L3。第一量子点和第二量子点可散射第二光L2和第三光L3。
光透射层LTL可透射第一光L1而不执行光转换操作。第一光L1可被光透射层LTL中的光散射颗粒散射以被发射。
第一量子点层QDL1可发射第二光L2,第二量子点层QDL2可发射第三光L3,并且光透射层LTL可发射第一光L1。相应地,可借助于分别显示红颜色、绿颜色和蓝颜色的第二光L2、第三光L3和第一光L1来显示预定图像。
从光转换层LCL发射的第一光L1、第二光L2和第三光L3可透射通过低折射层LRL、第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第二基板SUB2以提供给用户。第一光L1、第二光L2和第三光L3可在低折射层LRL中折射,并且然后被设置在低折射层LRL中的散射颗粒更多地散射以被发射。
第一光L1的一部分可不被第一量子点转换,而是可透射通过第一量子点以提供给第一滤色器CF1。换句话说,可存在不与第一量子点接触并且未被转换为第二光L2的第一光L1。第一滤色器CF1可阻挡任何其他颜色的光。在第一量子点层QDL1中未被转换的第一光L1可被具有红色滤色器的第一滤色器CF1阻挡,并且可不被发射到上部。
第一光L1的一部分可不被第二量子点转换,而是可透射通过第二量子点以提供给第二滤色器CF2。换句话说,可存在不与第二量子点接触并且未被转换为第三光L3的第一光L1。第二滤色器CF2可阻挡任何其他颜色的光。未在第二量子点层QDL2中转换的第一光L1可被具有绿色滤色器的第二滤色器CF2阻挡,并且可不被发射到上部。
外部光可在显示装置DD上方朝着显示面板DP提供。外部光可是白色光。白色光可包括红色光、绿色光和蓝色光。如果不使用第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3,则外部光可被显示面板DP内部的金属层(例如,布线)反射,并且然后提供给外部用户而未被改变。在这种情况下,如由镜子反射的光,外部光可被用户看到。
第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可防止外部光被反射。例如,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可分别透射红颜色、绿颜色和蓝颜色的外部光。
在实施方式中,提供给第一滤色器CF1的外部光的绿色光和蓝色光可被包括红色滤色器的第一滤色器CF1阻挡。相应地,提供给第一滤色器CF1的外部光可被第一滤色器CF1滤光为与从第一量子点层QDL1发射的光相同的红色光。
提供给第二滤色器CF2的外部光的红色光和蓝色光可被包括绿色滤色器的第二滤色器CF2阻挡。相应地,提供给第二滤色器CF2的外部光可被第二滤色器CF2滤光为与从第二量子点层QDL2发射的光相同的绿色光。
提供给第三滤色器CF3的外部光的红色光和绿色光可被包括蓝色滤色器的第三滤色器CF3阻挡。相应地,提供给第三滤色器CF3的外部光可被第三滤色器CF3滤光为与从光透射层LTL发射的光相同的蓝色光。相应地,外部光可被第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3阻挡,并且可减少外部光的反射。
黑矩阵BM可阻挡在非发光区域NPA中不必要的光。例如,黑矩阵BM可防止第一光L1、第二光L2和第三光L3在非发光区域NPA中混合。堤层BNK可具有黑颜色,并且可具有与黑矩阵BM相同的阻光功能。
第一开口部分OP1可被限定在第一基板SUB1中。多个第一开口部分OP1可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3交叠。然而,实施方式不限于此。多个第一开口部分OP1可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3部分交叠或不交叠。多个第一开口部分OP1可以相等的间隔排列,但是不限于此。多个第一开口部分OP1可以不规则的间隔排列。
散热层RHL可包括第一散热层RHL1、第二散热层RHL2和绝缘层INS。绝缘层INS可设置在第一基板SUB1下面。绝缘层INS可包括有机层。绝缘层INS可具有比第一基板SUB1小的厚度。绝缘层INS的厚度和第一基板SUB1的厚度可被限定为在第三方向DR3上测量的厚度。
可在绝缘层INS中限定与第一开口部分OP1交叠的第二开口部分OP2。相应地,多个第二开口部分OP2可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3交叠。
第一散热层RHL1可设置在第一开口部分OP1中。相应地,在平面视图中,多个第一散热层RHL1可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3交叠。
第二散热层RHL2可设置在绝缘层INS和第一散热层RHL1下面。第二散热层RHL2可设置在第一基板SUB1下方,以覆盖或交叠于绝缘层INS。第二散热层RHL2可设置在第二开口部分OP2中以在第二开口部分OP2中与第一散热层RHL1接触。
第二散热层RHL2可沿第一散热层RHL1的底表面、限定有第二开口部分OP2的绝缘层INS的内侧表面IS以及绝缘层INS的底表面LS连续设置。然而,实施方式不限于此,并且如果第二散热层RHL2在第二开口部分OP2中与第一散热层RHL1接触,则第二散热层RHL2中的多个部分可被提供在绝缘层INS的底表面LS上并且是分离的。
多个第一散热层RHL1中的每个的厚度可大于第二散热层RHL2的厚度。多个第一散热层RHL1中的每个的厚度可由在第三方向DR3上测量的数值来限定。第三方向DR3可被限定为垂直于第一基板SUB1的顶表面的方向。
第二散热层RHL2的厚度可被限定为在垂直于第二散热层RHL2被接触的接触表面的方向上测量的厚度。例如,第二散热层RHL2的厚度可被限定为在与第一散热层RHL1的底表面、绝缘层INS的内侧表面IS以及绝缘层INS的底表面LS中的每个垂直的方向上测量的厚度。
具有较小厚度的第二散热层RHL2可通过设置为与第一散热层RHL1的底表面、绝缘层INS的内侧表面IS和绝缘层INS的底表面LS接触而设置为具有阶梯结构(或高度差)。例如,第二散热层RHL2可设置为具有从第一散热层RHL1的底表面到绝缘层INS的底表面LS的台阶。第二散热层RHL2形成为不具有平坦形状而是具有台阶,并且因此第二散热层RHL2的表面积可增加。
第一散热层RHL1和第二散热层RHL2中的每个可包括金属材料。例如,第一散热层RHL1和第二散热层RHL2可包括具有高导热率的银(Ag)或铜(Cu)。
如果驱动了设置在像素层PXL中的像素PX,则可在显示面板DP中生成热量HT。热量HT可主要传递到第一散热层RHL1。热量HT可通过第一散热层RHL1而其次传递到第二散热层RHL2。
表面积越大,诸如金属的散热材料可越有效地散热。如上所述,由于形成为具有台阶而不具有平坦形状的第二散热层RHL2增加了表面积,所以热量HT可通过第二散热层RHL2更有效地消散到外部。由于在显示面板DP中生成的热量HT更高效地消散到了外部,因此可提高像素PX的寿命和发光效率。
图6是示出图5中所示的第一散热层RHL1的平面布置的示意性平面视图。图7和图8是示出第一散热层RHL1的各种形状的示意性平面视图。
尽管示出了具有三行五列的第一散热层RHL1,但是第一散热层RHL1的数量不限于此。
参照图6,在平面视图中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有圆形形状。第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可在第一方向DR1和第二方向DR2上以等间隔设置成矩阵类型。然而,实施方式不限于此。在实施方式中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可以不同的间隔随机地设置。
根据第一开口部分OP1的布置,在平面视图中,第一散热层RHL1可具有圆形形状。第一散热层RHL1在第一方向DR1和第二方向DR2上以等间隔设置成矩阵类型,但是实施方式不限于此。第一散热层RHL1可以不同的间隔随机地设置。多个第一散热层RHL1中的每个可具有约100μm至约150μm的直径DIT。
在实施方式中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有相同的圆形形状,但是不限于此。第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有不同的形状,只要第一开口部分OP1和第二开口部分OP2彼此交叠即可。例如,在平面视图中,第一开口部分OP1可具有圆形形状,并且第二开口部分OP2可具有多边形形状或椭圆形形状。
参照图7和图8,在平面视图中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有除圆形形状之外的各种形状。在平面视图中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有多边形形状或椭圆形形状。例如,在平面视图中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有如图7中所示的矩形形状。在平面视图中,第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可是如图8中所示的椭圆形形状。
图9至图17示意性地示出了根据实施方式的用于制造显示装置DD的方法。
参照图9,第一基板SUB1可包括第一去除部分RMP1和围绕各自的第一去除部分RMP1的第一外围部分PRP1。绝缘层INS可提供(或形成)在第一基板SUB1下面。
可在第一基板SUB1上用激光束LAR照射第一去除部分RMP1。激光束LAR可是飞秒激光束。用激光束LAR照射的第一去除部分RMP1可更容易地用蚀刻液(例如,氟化氢(HF)或氢氧化钾(KOH))蚀刻。这样的工艺可被限定为激光诱导深蚀刻(Laser Induced DeepEtching,LIDE)工艺。
参照图10,蚀刻停止层ETL可提供在第一基板SUB1上。像素层PXL可提供在蚀刻停止层ETL上,并且薄膜封装层TFE可提供在像素层PXL上。滤色器层CFL和光转换层LCL可提供在第二基板SUB2下面,并且填充材料FL可提供在光转换层LCL和薄膜封装层TFE之间。
在平面视图中,第一去除部分RMP1可与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2、第三发光区域PA3交叠。在平面视图中,第一外围部分PRP1可与前述的非显示区域NPA交叠。
参照图11,将图10中所示的显示面板DP倒置,并且第一基板SUB1设置在第二基板SUB2上。绝缘层INS可包括第二去除部分RMP2和围绕各自的第二去除部分RMP2的第二外围部分PRP2。第二去除部分RMP2可设置在第一去除部分RMP1上以与第一去除部分RMP1交叠。第二外围部分PRP2可设置在第一外围部分PRP1上以与第一外围部分PRP1交叠。
硬掩模层HMK可设置在绝缘层INS上。硬掩模层HMK可设置在第二外围部分PRP2上,并且可不设置在第二去除部分RMP2上。作为硬掩模层HMK,可使用诸如铟锌氧化物(IndiumZinc Oxide,IZO)的透明电极。
可通过典型的光刻工艺来形成硬掩模层HMK。例如,可在绝缘层INS的整个顶表面上形成包括铟锌氧化物(IZO)的掩模形成层,并且可在掩模形成层上提供光致抗蚀剂。可通过曝光和显影工艺来去除与第二去除部分RMP2交叠的光致抗蚀剂的部分。之后,以光致抗蚀剂为掩模,通过湿法蚀刻去除与第二去除部分RMP2交叠的掩模形成层的部分,以形成图11中所示的硬掩模层HMK。
参照图12,可以硬掩模层HMK为掩模来去除绝缘层INS的第二去除部分RMP2。可以干法蚀刻的方式来去除第二去除部分RMP2。通过去除第二去除部分RMP2,可在绝缘层INS中限定第二开口部分OP2。在平面视图中,第二开口部分OP2可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2、第三发光区域PA3交叠。
绝缘层INS的第二外围部分PRP2可保留为设置在第一外围部分PRP1上。换句话说,绝缘层INS可仅设置在第一基板SUB1的第一外围部分PRP1上。
参照图13和图14,第一去除部分RMP1被去除以在第一基板SUB1中限定第一开口部分OP1。在平面视图中,第一开口部分OP1可分别与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2、第三发光区域PA3交叠。第一开口部分OP1和第二开口部分OP2可具有圆形形状,并且可以矩阵类型限定在第一基板SUB1和绝缘层INS中。
可通过湿法蚀刻方法来去除第一去除部分RMP1。例如,第一去除部分RMP1可用诸如HF或KOH的蚀刻液来去除。由于已用激光束LAR照射了第一去除部分RMP1,因此可更容易地蚀刻第一去除部分RMP1。
即使未用激光束LAR照射第一外围部分RPR1,也可用蚀刻液对第一外围部分RPR1进行蚀刻。然而,蚀刻速度可比第一去除部分RMP1的蚀刻速度慢。如果绝缘层INS没有设置在第一外围部分PRP1上,则不仅第一去除部分RMP1,而且与第一去除部分RMP1相邻的第一外围部分PRP1也可被蚀刻液蚀刻。相应地,第一开口部分OP1的尺寸可扩展。第一开口部分OP1的尺寸越大,第一基板SUB的强度可变得越弱。
然而,在实施方式中,由于绝缘层INS设置在第一外围部分PRP1上,因此可由于绝缘层INS而不提供蚀刻液。换句话说,绝缘层INS的第二外围部分PRP2可阻止蚀刻液被提供给第一外围部分PRP1。相应地,可通过第二外围部分PRP2容易地控制第一开口部分OP1的尺寸。
如果因蚀刻液形成了第一开口部分OP1,蚀刻停止层ETL可防止蚀刻液通过第一开口部分OP1渗透到像素层PXL。
参照图15,可将包括金属的第一材料M1提供到第一开口部分OP1。可通过喷墨印刷或分散方法将第一材料M1提供到第一开口部分OP1。第一材料M1可包括诸如银或铜的金属墨水。第一材料M1可被固化以在第一开口部分OP1中形成第一散热层RHL1。
参照图16,可将包括金属的第二材料M2提供到第二开口部分OP2以提供在第一散热层RHL1上。第二材料M2可提供在绝缘层INS上。第二散热层RHL2可借助于第二材料M2形成。第二材料M2可通过溅射工艺提供在第一散热层RHL1和绝缘层INS上。
参照图17,在散热层RHL形成在显示面板DP上之后,显示面板DP可再次倒置,以使得第二基板SUB2设置在第一基板SUB1上。相应地,可制造了散热功能被增强的显示装置DD。
图18示出了根据另一实施方式的显示面板DP_1的构造。
图18是示出与图5相比的截面的示意性截面视图,并且在下文中,将基于与图5中所示的显示面板DP的部件不同的部件来描述图18中所示的显示面板DP_1的构造。
参照图18,从散热层RHL到薄膜封装层TFE的描述与图5中所示的显示面板DP的相应部分相同或相似,并且因此将省略对它们的描述。绝缘层O-IL可设置在薄膜封装层TFE上。第一绝缘层IL1'可设置在绝缘层O-IL上。
第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2、光透射层LTL和堤层BNK可设置在第一绝缘层IL1'上。可在堤层BNK中限定与第一发光区域PA1、第二发光区域PA2和第三发光区域PA3交叠的开口部分QOP,并且可在开口部分QOP中分别设置第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL。
第二绝缘层IL2'可设置在第一量子点层QDL1和第二量子点层QDL2、光透射层LTL以及堤层BNK上。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及黑矩阵BM可设置在第二绝缘层IL2'上。
在平面视图中,第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可设置为分别与第一量子点层QDL和第二量子点层QDL2以及光透射层LTL交叠。在平面视图中,黑矩阵BM可与堤层BNK交叠。
第三绝缘层IL3可设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及黑矩阵BM上。绝缘层O-IL以及第一绝缘层IL1'、第二绝缘层IL2'和第三绝缘层IL3可包括有机层或无机层。
与图5中所示的显示面板DP不同,图18中所示的显示面板DP_1可不包括第二基板SUB2。
根据实施方式,第一散热层设置在第一基板中限定的第一开口部分中,并且第二散热层设置在绝缘层下面,绝缘层中限定有设置在第一基板下面并且与第一开口部分交叠的第二开口部分。第二散热层与第一开口部分中的第一散热层接触,并且因此在显示面板中生成的热量可通过第一散热层和第二散热层更高效地消散到外部。
尽管已描述了本发明的实施方式,但是要理解的是,本发明不应限于这些实施方式,而是本领域的普通技术人员在如随附的权利要求书所要求保护的本发明的精神和范围内能进行各种改变和修改。另外,在本公开中所公开的实施方式不旨在限制本发明的技术精神,并且本发明的范围应基于所附的权利要求书来解释,并且应领会的是,包括在其等同范围内的所有技术方面被包括在本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种显示装置,包括:
第一基板,包括至少一个第一开口部分;
像素,设置在所述第一基板上;
至少一个第一散热层,设置在所述至少一个第一开口部分中;
绝缘层,设置在所述第一基板下面,并且包括与所述至少一个第一开口部分交叠的至少一个第二开口部分;以及
第二散热层,设置在所述至少一个第二开口部分中。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第二散热层设置在所述第一基板下面并且与所述绝缘层交叠。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二散热层在所述至少一个第二开口部分中接触所述至少一个第一散热层。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第二散热层设置为具有从所述绝缘层的底表面到所述至少一个第一散热层的底表面的台阶结构。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述至少一个第一散热层中的每个具有比所述第二散热层的厚度大的厚度。
6.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
蚀刻停止层,设置在所述第一基板和所述像素之间。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述至少一个第一散热层、所述第二散热层和所述蚀刻停止层包括金属材料。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,在平面视图中,所述至少一个第一开口部分、所述至少一个第二开口部分和所述至少一个第一散热层具有圆形形状、多边形形状或椭圆形形状。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述像素包括:
发光区域;以及
与所述发光区域相邻的非发光区域,在平面视图中,所述至少一个第一散热层与所述发光区域交叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:
第二基板,设置在所述第一基板上;
滤色器,设置在所述第二基板下面并且在平面视图中与所述发光区域交叠;以及
量子点层,设置在所述滤色器下面并且在平面视图中与所述发光区域交叠,其中,所述量子点层设置在所述像素上。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述至少一个第一开口部分包括多个第一开口部分,
所述至少一个第二开口部分包括多个第二开口部分,并且
所述至少一个第一散热层包括多个第一散热层。
12.一种显示装置的制造方法,包括:
在第一基板下面形成绝缘层,所述第一基板包括第一去除部分和与所述第一去除部分相邻的第一外围部分;
在所述第一基板上形成像素;
去除在平面视图中与所述第一去除部分交叠的所述绝缘层的第二去除部分;
去除所述第一去除部分;
在所述第一基板的第一开口部分中形成第一散热层,所述第一开口部分通过去除所述第一去除部分而形成;以及
在所述绝缘层的第二开口部分中形成第二散热层,所述第二开口部分通过去除所述第二去除部分而形成。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109119455B (zh) * 2018-10-22 2020-12-11 京东方科技集团股份有限公司 导线结构、显示面板、显示装置和制造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101890565B1 (ko) * 2011-02-14 2018-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 조명 장치
KR101996653B1 (ko) 2012-10-30 2019-07-05 삼성디스플레이 주식회사 평판표시장치
JP6177596B2 (ja) * 2013-06-18 2017-08-09 シャープ株式会社 発光装置
KR102111022B1 (ko) 2014-01-17 2020-05-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102293691B1 (ko) * 2014-07-23 2021-08-25 삼성디스플레이 주식회사 복합 시트 및 이를 포함하는 표시장치
KR102314403B1 (ko) * 2014-11-14 2021-10-19 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR102266187B1 (ko) * 2014-12-09 2021-06-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102606498B1 (ko) * 2016-08-29 2023-11-27 엘지전자 주식회사 이동 단말기
CN109148721B (zh) * 2018-08-28 2021-05-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及其制备方法和显示装置
KR102652124B1 (ko) * 2018-12-27 2024-03-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US20200371570A1 (en) * 2019-05-23 2020-11-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co. Ltd. Display screen and electronic device
KR102632145B1 (ko) * 2019-06-20 2024-02-01 삼성디스플레이 주식회사 광원 부재 및 이를 포함하는 표시 장치

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