CN113764486A - 显示面板和显示装置 - Google Patents
显示面板和显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113764486A CN113764486A CN202110619407.2A CN202110619407A CN113764486A CN 113764486 A CN113764486 A CN 113764486A CN 202110619407 A CN202110619407 A CN 202110619407A CN 113764486 A CN113764486 A CN 113764486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display
- layer
- display area
- groove
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 123
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 768
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 141
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 96
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 79
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 101150111792 sda1 gene Proteins 0.000 description 27
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 24
- 239000010408 film Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 20
- 101100388296 Arabidopsis thaliana DTX51 gene Proteins 0.000 description 18
- 101100215626 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) ADP1 gene Proteins 0.000 description 18
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 18
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 17
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 15
- 101100214488 Solanum lycopersicum TFT2 gene Proteins 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 11
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 11
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 10
- 101150072134 CML3 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100186485 Homo sapiens NAT8L gene Proteins 0.000 description 9
- 101000589631 Homo sapiens Putative N-acetyltransferase 8B Proteins 0.000 description 9
- 102100032380 N-acetylaspartate synthetase Human genes 0.000 description 9
- 101150095654 Nat8f3 gene Proteins 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 102100032379 Putative N-acetyltransferase 8B Human genes 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 101000960946 Homo sapiens Interleukin-19 Proteins 0.000 description 8
- 102100039879 Interleukin-19 Human genes 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- 101150052142 CML1 gene Proteins 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100186490 Homo sapiens NAT8 gene Proteins 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 102100032394 N-acetyltransferase 8 Human genes 0.000 description 6
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100496428 Rattus norvegicus Cml6 gene Proteins 0.000 description 6
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 101100489584 Solanum lycopersicum TFT1 gene Proteins 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 4
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 4
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 4
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 150000008378 aryl ethers Chemical class 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000994 depressogenic effect Effects 0.000 description 3
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100243945 Fusarium vanettenii PDAT9 gene Proteins 0.000 description 2
- 101001072191 Homo sapiens Protein disulfide-isomerase A2 Proteins 0.000 description 2
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 2
- 208000012204 PDA1 Diseases 0.000 description 2
- 102100036351 Protein disulfide-isomerase A2 Human genes 0.000 description 2
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 208000030825 patent ductus arteriosus 2 Diseases 0.000 description 2
- 101150102492 pda1 gene Proteins 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920008347 Cellulose acetate propionate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 101100030351 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) dis2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101710123675 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 1
- 101710123669 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229920005570 flexible polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 208000013057 hereditary mucoepithelial dysplasia Diseases 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本公开涉及显示面板和显示装置。该显示面板包括：基板，该基板包括：前显示区域、在第一方向上连接到前显示区域的第一侧显示区域、在第二方向上连接到前显示区域的第二侧显示区域、第一侧显示区域与第二侧显示区域之间的拐角显示区域、位于前显示区域与拐角显示区域之间的中间显示区域，其中，第一显示元件在前显示区域中，其中，第二显示元件在拐角显示区域中，其中，第三显示元件在中间显示区域中，并且凹槽被限定在基板上；以及无机图案层，在凹槽的相对侧上并且包括朝向凹槽的中心突出的一对突出尖端，其中，凹槽在第二显示元件与第三显示元件之间。
Description
本申请要求于2020年6月4日提交的第10-2020-0067863号韩国专利申请和于2020年8月28日提交的第10-2020-0109469号韩国专利申请的优先权，这些专利申请的内容通过引用整体并入本文。
技术领域
一个或者多个实施例涉及用于显示图像的显示区域在其中被延伸的显示面板和显示装置。
背景技术
基于移动性的电子设备被广泛地使用。近来，除了诸如移动电话的小型电子设备之外，平板个人计算机(“PC”)已被广泛地用作移动(或者便携式)电子设备。
移动电子设备通常包括用于向用户提供各种功能(例如，诸如图像的视觉信息)的显示装置。随着用于驱动显示装置的其它部件的尺寸近来已经减小，显示装置在电子设备中的比例已经逐渐增大，并且已经开发了具有包括从平坦部分以一定角度弯曲的弯曲部分或者弯折部分的形状的显示装置。
例如，显示装置的用于显示图像的显示面板可以具有各种曲率，并且因此可以包括前显示区域、被弯曲并且在第一方向上从前显示区域连接的第一侧显示区域以及被弯曲并且在第二方向上从前显示区域连接的第二侧显示区域。
发明内容
一个或者多个实施例提供了包括拐角显示区域的显示面板和显示装置，该拐角显示区域被定位成与前显示区域的拐角相对应并且是可弯曲的。
根据实施例，一种显示面板包括：基板，该基板包括：前显示区域、在第一方向上连接到前显示区域的第一侧显示区域、在与第一方向相交的第二方向上连接到前显示区域的第二侧显示区域、位于第一侧显示区域与第二侧显示区域之间的拐角显示区域和位于前显示区域与拐角显示区域之间的中间显示区域，其中，第一显示元件在前显示区域中，其中，拐角显示区域至少部分地围绕前显示区域，并且第二显示元件在拐角显示区域中，其中，第三显示元件在中间显示区域中，其中，凹槽被限定在基板上并且在基板的厚度方向上凹陷；以及无机图案层，在基板上的凹槽的相对侧上，其中，无机图案层包括朝向凹槽的中心突出的一对突出尖端，并且其中，凹槽在第二显示元件与第三显示元件之间。
在实施例中，拐角显示区域可以包括从中间显示区域延伸的多个延伸区域，贯穿部分可以被限定在相邻的延伸区域之间，并且第二显示元件可以在多个延伸区域中。
在实施例中，凹槽可以围绕第二显示元件。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：坝状部分，在无机图案层上方并且在基板的厚度方向上突出，其中，坝状部分可以包括第一坝状部分和第二坝状部分，其中，第一坝状部分可以围绕第二显示元件，并且第二坝状部分可以沿着拐角显示区域延伸。
在实施例中，多个延伸区域中的每一个可以包括第一延伸区域和位于第一延伸区域与中间显示区域之间的第二延伸区域，其中，多个延伸区域的第二延伸区域可以彼此连接为单一体，并且凹槽可以在相邻的延伸区域的第一坝状部分之间。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第一辅助坝状部分，在无机图案层上方并且在第二显示元件与第一坝状部分之间，并且在基板的厚度方向上突出，其中，第一坝状部分的厚度可以大于第一辅助坝状部分的厚度。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：平坦化层，位于基板上，其中，平坦化层可以被凹槽分隔成拐角平坦化层和中间平坦化层，其中，第二显示元件可以在拐角平坦化层上，并且第三显示元件可以在中间平坦化层上。
在实施例中，第三显示元件可以包括内显示元件和与凹槽相邻的外显示元件，其中，外显示元件可以包括像素电极和对电极，并且其中，像素电极可以覆盖无机图案层的至少一部分。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：平坦化层，在基板与第三显示元件之间，其中，第三显示元件包括内显示元件和与凹槽相邻的外显示元件，其中，平坦化层包括内显示元件与外显示元件之间的凹陷部分。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：连接布线，位于基板上并且从中间显示区域延伸到多个延伸区域，其中，第二显示元件可以包括像素电极、中间层和对电极，并且其中，连接布线和对电极可以在多个延伸区域的端部部分处彼此连接。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：平坦化层，位于连接布线与第二显示元件之间，其中，接触孔可以被限定为贯穿平坦化层以暴露连接布线，并且其中，连接布线和对电极可以通过位于接触孔中的像素电极图案彼此连接。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：连接布线，在基板上并且从中间显示区域延伸到多个延伸区域，其中，多个第二显示元件可以在多个延伸区域中的一个中，其中，多个第二显示元件可以分别包括彼此间隔开的对电极，并且其中，对电极中的每一个可以连接到连接布线。
在实施例中，第三显示元件可以包括像素电极和对电极，其中，中间显示区域可以包括第一中间显示区域和位于第一中间显示区域与拐角显示区域之间的第二中间显示区域，其中，显示面板可以进一步包括中间显示区域中的连接布线和被限定在第一中间显示区域与第二中间显示区域之间的中间凹槽，其中，第一中间显示区域中的第三显示元件的对电极和第二中间显示区域中的第三显示元件的对电极中的每一个可以通过接触孔连接到连接布线。
在实施例中，第三显示元件可以包括像素电极和对电极，并且第三显示元件可以在中间显示区域中被提供为多个，其中，显示面板可以进一步包括中间显示区域中的连接布线和被限定在中间显示区域中以围绕多个第三显示元件中的每一个的中间凹槽，其中，中间显示区域中的多个第三显示元件的对电极可以通过中间凹槽彼此间隔开，并且各自连接到连接布线。
在实施例中，拐角显示区域可以包括：像素布置区域，第二显示元件在像素布置区域中的每一个中；和连接区域，将像素布置区域连接到中间显示区域，其中，相邻的像素布置区域和相邻的连接区域可以限定贯穿区域，其中，显示面板可以进一步包括从中间显示区域延伸到像素布置区域的连接布线。
在实施例中，连接区域可以从中间显示区域以蛇形形状延伸，其中，相邻的连接区域可以在像素布置区域彼此间隔开的方向上对称布置。
在实施例中，第二显示元件可以包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极，其中，中间层可以包括像素电极与发射层之间的第一功能层和对电极与发射层之间的第二功能层，其中，对电极以及选自第一功能层和第二功能层中的至少一个被一对突出尖端和凹槽分隔。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：坝状部分，在无机图案层上方并且在基板的厚度方向上突出；和薄膜封装层，覆盖第二显示元件和第三显示元件，其中，薄膜封装层可以包括无机封装层和有机封装层，其中，薄膜封装层可以从第二显示元件和第三显示元件延伸到坝状部分，其中，有机封装层可以被坝状部分分隔。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：无机绝缘层，在基板上；连接布线，在无机绝缘层上并且从中间显示区域延伸到拐角显示区域；下无机图案层，在连接布线上；和下层，覆盖下无机图案层的边缘，其中，孔可以被限定为贯穿下层以与下无机图案层相对应，并且其中，凹槽可以由孔和下无机图案层的中心部分限定。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：无机绝缘层，在基板上；连接布线，在无机绝缘层上并且从中间显示区域延伸到拐角显示区域；下无机层，在连接布线上；和下层，包括第一平坦化层和第二平坦化层，其中，孔可以被限定为贯穿下层以暴露下无机层的一部分，其中，凹槽可以由下无机层的该一部分和孔限定。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：无机绝缘层，在基板上；连接布线，在无机绝缘层上并且从中间显示区域延伸到拐角显示区域；金属图案层，在连接布线上；和下层，覆盖金属图案层的边缘，其中，孔可以被限定为贯穿下层以与金属图案层相对应，其中，凹槽可以由孔和金属图案层的中心部分限定。
根据实施例，一种显示装置包括：显示面板，该显示面板包括前显示区域、位于前显示区域的待弯曲的拐角处的拐角显示区域以及位于前显示区域与拐角显示区域之间的中间显示区域，其中，第一显示元件在前显示区域中，第二显示元件在拐角显示区域中，并且第三显示元件在中间显示区域中；和覆盖窗口，覆盖显示面板，其中，拐角显示区域包括从中间显示区域延伸的多个延伸区域，并且其中，第二显示元件在多个延伸区域中。
在实施例中，显示面板可以包括：基板，其中，在基板的厚度方向上凹陷的凹槽可以被限定在基板上；和无机图案层，位于凹槽的相对侧上并且包括朝向凹槽的中心突出的一对突出尖端，其中，凹槽可以在第二显示元件与第三显示元件之间。
在实施例中，第二显示元件可以包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极，其中，中间层可以包括像素电极与发射层之间的第一功能层和对电极与发射层之间的第二功能层，其中，对电极以及选自第一功能层和第二功能层中的至少一个可以被一对突出尖端和凹槽分隔。
在实施例中，凹槽可以围绕第二显示元件。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：坝状部分，在无机图案层上方并且在基板的厚度方向上突出，其中，坝状部分可以包括第一坝状部分和第二坝状部分，其中，第一坝状部分可以围绕第二显示元件，并且第二坝状部分可以沿着拐角显示区域延伸。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：第一辅助坝状部分，在无机图案层上方并且在第二显示元件与第一坝状部分之间，并且在基板的厚度方向上突出，其中，第一坝状部分的厚度可以大于第一辅助坝状部分的厚度。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：坝状部分，在无机图案层上方并且在基板的厚度方向上突出；和薄膜封装层，覆盖第二显示元件和第三显示元件，其中，薄膜封装层可以包括无机封装层和有机封装层，其中，薄膜封装层可以从第二显示元件和第三显示元件延伸到坝状部分，其中，有机封装层可以被坝状部分分隔。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：连接布线，在基板上并且从中间显示区域延伸到多个延伸区域，其中，第二显示元件可以包括像素电极、中间层和对电极，其中，连接布线和对电极可以在多个延伸区域的端部部分处彼此连接。
在实施例中，显示面板可以进一步包括：连接布线，在基板上并且从中间显示区域延伸到多个延伸区域，其中，多个第二显示元件可以在多个延伸区域中的一个中，其中，多个第二显示元件可以分别包括彼此间隔开的对电极，其中，对电极中的每一个可以连接到连接布线。
在实施例中，显示面板可以包括：第一侧显示区域，在第一方向上连接到前显示区域并且以第一曲率半径被弯曲；和第二侧显示区域，在与第一方向相交的第二方向上连接到前显示区域，并且以与第一曲率半径不同的第二曲率半径被弯曲，其中，拐角显示区域可以在第一侧显示区域与第二侧显示区域之间。
根据实施例，一种显示装置包括：显示面板，该显示面板包括前显示区域、在前显示区域的待弯曲的拐角处的拐角显示区域以及前显示区域与拐角显示区域之间的中间显示区域，其中，第一显示元件在前显示区域中，第二显示元件在拐角显示区域中，并且第三显示元件在中间显示区域中；和覆盖窗口，覆盖显示面板，其中，拐角显示区域可以包括：像素布置区域，第二显示元件在像素布置区域中的每一个中；和连接区域，将像素布置区域连接到中间显示区域，其中，相邻的像素布置区域和相邻的连接区域可以限定贯穿区域，其中，从中间显示区域延伸到像素布置区域的连接布线可以在连接区域中。
在实施例中，连接区域可以从中间显示区域以蛇形形状延伸，并且相邻的连接区域可以在像素布置区域彼此间隔开的方向上对称布置。
在实施例中，显示面板可以包括：基板，其中，在基板的厚度方向上凹陷的凹槽可以被限定在基板上；和无机图案层，在凹槽的相对侧上，其中，无机图案层可以包括朝向凹槽的中心突出的一对突出尖端，其中，凹槽可以在第二显示元件与贯穿区域之间。
在实施例中，第二显示元件可以包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极，其中，中间层可以包括像素电极与发射层之间的第一功能层和对电极与发射层之间的第二功能层，其中，对电极以及选自第一功能层和第二功能层中的至少一个可以被一对突出尖端和凹槽分隔。
在实施例中，显示面板可以包括：第一侧显示区域，在第一方向上连接到前显示区域并且以第一曲率半径被弯曲；和第二侧显示区域，在与第一方向相交的第二方向上连接到前显示区域，并且以与第一曲率半径不同的第二曲率半径被弯曲，其中，拐角显示区域可以在第一侧显示区域与第二侧显示区域之间。
附图说明
从以下结合附图的描述中，本公开的实施例的以上和其它特征将更明显，在附图中：
图1是根据实施例的显示装置的示意性透视图；
图2A、图2B和图2C是根据实施例的显示装置的示意性截面图；
图3是图示适用于显示面板的像素电路的等效电路图；
图4A是根据实施例的显示面板的示意性平面图；
图4B是图4A的圈住部分的放大图；
图5A至图5C是图示根据实施例的显示面板的一部分的放大图；
图6A和图6B是图示根据实施例的延伸区域中的一个的平面图；
图7A和图7B是图示根据实施例的延伸区域的子像素布置结构的平面图；
图8A是图示根据实施例的前显示区域的截面图；
图8B是图8A的圈住部分的放大图；
图9是图示根据实施例的显示面板中的凹槽的截面图；
图10A是沿着图6A的线X-X’截取的截面图；
图10B是图示图10A的凹槽和坝状部分的放大图；
图10C是图示根据替代实施例的凹槽和坝状部分的放大图；
图11A是根据替代实施例的沿着图6A的线X-X’截取的截面图；
图11B是图示图11A的凹槽和坝状部分的放大图；
图12A、图12B和图12C是图示根据各种实施例的凹槽和坝状部分的放大图；
图13是沿着图6A的线XIII-XIII’截取的截面图；
图14是图示根据替代实施例的延伸区域中的一个的平面图；
图15是图示根据实施例的拐角显示区域和中间显示区域的平面图；
图16A是沿着图15的线XVI-XVI’截取的截面图；
图16B是图示图16A的凹槽和坝状部分的放大图；
图17是沿着图15的线XVII-XVII’截取的截面图；
图18是沿着图15的线XVIII-XVIII’截取的截面图；
图19是沿着图15的线XIX-XIX’截取的截面图；
图20A图示当拐角显示区域包括多个延伸区域时关于薄膜封装层的变形的模拟结果；
图20B图示当拐角显示区域被整体地形成时关于薄膜封装层的变形的模拟结果；
图21A和图21B是图示根据替代实施例的拐角显示区域和中间显示区域的平面图；
图22是图示根据替代实施例的显示面板的一部分的放大图；
图23是图示根据替代实施例的拐角显示区域的平面图；
图24是沿着图22的线XXIV-XXIV’截取的截面图；
图25是沿着图23的线XXV-XXV’截取的截面图；以及
图26是沿着图23的线XXVI-XXVI’截取的截面图。
具体实施方式
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中图示，其中相同的附图标记始终指代相同的元件。在这点上，本文中描述的实施例可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的描述。因此，下面仅通过参考附图来描述实施例，以解释描述的方面。
如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或者多个的任意组合和所有组合。遍及本公开，表述“选自a、b和c中的至少一个”指示仅a，仅b，仅c，a和b两者，a和c两者，b和c两者，a、b和c中的全部或者它们的变型。
由于本公开允许各种变化和众多实施例，因此特定实施例将在附图中图示并且在书面描述中描述。通过以下结合附图对一个或者多个实施例的详细描述，一个或者多个实施例的效果和特征以及实现该效果和特征的方法将变得明显。然而，本公开可以具有不同的形式，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。
现在将详细参考实施例，实施例的示例在附图中图示，并且在附图中，相同的元件由相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
尽管术语“第一”、“第二”等可以被用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅被用于区分一个元件与另一元件。
本文中使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，并不旨在进行限制。如本文中所使用的，“一”、“该”和“至少一个”不表示对数量的限制，而是旨在包括单数和复数两者，除非上下文另外明确地指示。例如，“一元件”具有与“至少一个元件”相同的含义，除非上下文另外明确地指示。“至少一个”将不被解释为限制于“一”。“或者”是指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项中的一个或者多个的任意组合和所有组合。
将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或者多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或它们的组的存在或者添加。
将进一步理解，当层、区域或者部件被称为在另一层、区域或者部件“上”时，它可以直接在另一层、区域或者部件上，或者可以间接在另一层、区域或者部件上，其间具有中间层、区域或者部件。
为了便于说明，附图中的元件的大小可能被夸大或者被缩小。例如，因为附图中的元件的大小和厚度为了便于说明而被任意地图示，所以本公开不限于此。
当特定实施例可以不同地实现时，特定的过程顺序可以不同于所描述的顺序。例如，两个连续描述的过程可以基本上同时执行，或者以与所描述的顺序相反的顺序执行。
将理解，当层、区域或者元件被称为“连接”时，该层、区域或者元件与它们之间的中间层、区域或者元件可以直接连接或者可以间接连接。例如，当层、区域或者元件被称为“电连接”时，它们与它们之间的中间层、区域或者元件可以直接电连接或者可以间接电连接。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解，诸如那些在常用字典中限定的术语应被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，而不会以理想化或者过于正式的意义来解释，除非本文中明确地如此限定。
本文中参考是理想化实施例的示意性图示的截面图示描述了实施例。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差而导致的图示形状的变化。因此，本文中描述的实施例不应被解释为限于本文中所图示的区域的特定形状，而是将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，图示或者描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，图示的锐角可以被倒圆。因此，附图中所图示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在图示区域的精确形状，也不旨在限制本权利要求的范围。
在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施例。
图1是根据实施例的显示装置1的透视图。图2A、图2B和图2C是根据实施例的显示装置1的截面图。图2A是显示装置1在图1的y方向上的截面图。图2B是显示装置1在图1的x方向上的截面图。图2C是图示显示装置1中的前显示区域FDA的相对侧上的拐角显示区域CDA的截面图。
参考图1和图2A至图2C，用于显示运动图像或者静止图像的显示装置1的实施例不仅可以被用作诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“PC”)、移动通信终端、电子记事本、电子书、便携式多媒体播放器(“PMP”)、导航设备或者超移动PC(“UMPC”)的便携式电子设备的显示屏，而且可以被用作诸如电视、膝上型计算机、监控器、广告牌或者物联网(“IoT”)产品的各种产品中的任一种的显示屏。显示装置1的实施例可以被用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或者头戴式显示器(“HMD”)的可穿戴设备中。显示装置1的实施例可以被用作位于车辆的仪表板、中央饰板或者仪表盘上的中央信息显示器(“CID”)、代替车辆的侧视镜的车内镜显示器或者位于车辆的前排座椅的靠背上的用于后排座椅的娱乐的显示器。
在实施例中，显示装置1可以具有在第一方向上的长边和在第二方向上的短边。第一方向和第二方向可以彼此相交。在一个实施例中，例如，可以在第一方向与第二方向之间形成锐角。可替代地，可以在第一方向与第二方向之间形成钝角或者直角。在下文中，为了便于描述，将详细描述在第一方向(例如，y方向或者-y方向)与第二方向(例如，x方向和-x方向)之间形成直角的实施例。
在实施例中，显示装置1的在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上的边的长度与显示装置1的在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上的边的长度可以彼此相同。在替代实施例中，显示装置1可以具有在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上的短边和在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上的长边。
在实施例中，在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上的长边和在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上的短边彼此相接的拐角可以被倒圆以具有特定曲率。
在实施例中，显示装置1可以包括显示面板10和覆盖窗口CW。在这样的实施例中，覆盖窗口CW可以保护显示面板10。
覆盖窗口CW可以是柔性窗口。覆盖窗口CW可以通过容易地被外力弯曲而不产生裂纹来保护显示面板10。覆盖窗口CW可以包括玻璃、蓝宝石或者塑料。覆盖窗口CW可以包括例如超薄玻璃(“UTG”)或者无色聚酰亚胺(“CPI”)。在实施例中，覆盖窗口CW可以具有其中柔性聚合物层位于玻璃基板的表面上的结构，或者可以仅包括聚合物层。
显示面板10可以位于覆盖窗口CW下方。尽管在图1至图2C中未示出，但是显示面板10可以通过诸如光学胶(“OCA”)的透明粘合构件附着到覆盖窗口CW。
在实施例中，显示面板10可以包括用于显示图像的显示区域DA和围绕显示区域DA的外围区域PA。显示区域DA可以包括多个像素PX，并且可以通过多个像素PX显示图像。多个像素PX中的每一个可以包括子像素。在一个实施例中，例如，多个像素PX中的每一个可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。可替代地，多个像素PX中的每一个可以包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。
在实施例中，如图1中所示，显示区域DA可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。位于显示区域DA中的多个像素PX可以显示图像。在实施例中，前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA的像素PX可以分别提供独立的图像。在替代实施例中，前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA的像素PX可以提供一个图像的部分。
是平面显示区域的前显示区域FDA可以包括第一像素PX1，第一像素PX1包括第一显示元件。在实施例中，前显示区域FDA可以提供主图像。
包括显示元件的像素PX可以位于侧显示区域SDA中。因此，侧显示区域SDA可以显示图像。在实施例中，侧显示区域SDA可以包括第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、第三侧显示区域SDA3和第四侧显示区域SDA4。在替代实施例中，选自第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、第三侧显示区域SDA3和第四侧显示区域SDA4中的至少一个可以被省略。
第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上连接到前显示区域FDA。在一个实施例中，例如，第一侧显示区域SDA1可以在-y方向上从前显示区域FDA连接，并且第三侧显示区域SDA3可以在y方向上从前显示区域FDA连接。
第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3中的每一个可以以曲率半径被弯曲。在实施例中，第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3的曲率半径可以彼此不同。在替代实施例中，第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3的曲率半径可以彼此相同。为了便于描述，将详细描述第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3具有相同的曲率半径(是第一曲率半径R1)的实施例。在下文中，因为第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3彼此相同或者相似，所以将主要描述第一侧显示区域SDA1，并且可以省略对第三侧显示区域SDA3的任何重复的详细描述。
第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上连接到前显示区域FDA。在一个实施例中，例如，第二侧显示区域SDA2可以在-x方向上从前显示区域FDA连接，并且第四侧显示区域SDA4可以在x方向上从前显示区域FDA连接。在本文中，垂直于第一方向和第二方向(或者，y方向和x方向)的z方向可以是显示面板10的厚度方向。
第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以以曲率半径被弯曲。在实施例中，第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4的曲率半径可以彼此不同。在替代实施例中，第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4的曲率半径可以彼此相同。为了便于描述，将详细描述第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4具有相同的曲率半径(是第二曲率半径R2)的实施例。在下文中，因为第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4彼此相同或者相似，所以将主要描述第二侧显示区域SDA2，并且可以省略对第四侧显示区域SDA4的任何重复的详细描述。
在实施例中，第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1可以不同于第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2。在一个实施例中，例如，第一曲率半径R1可以小于第二曲率半径R2。可替代地，第一曲率半径R1可以大于第二曲率半径R2。在替代实施例中，第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1可以与第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2相同。为了便于描述，将详细描述第一曲率半径R1大于第二曲率半径R2的实施例。
拐角显示区域CDA可以位于前显示区域FDA的拐角处并且可以被弯曲。在这样的实施例中，拐角显示区域CDA可以被定位成与拐角部分CP相对应。是显示区域DA的拐角的拐角部分CP可以是显示区域DA在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上的长边与显示区域DA在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上的短边彼此相接的部分。在这样的实施例中，拐角显示区域CDA可以位于相邻的侧显示区域SDA之间。在一个实施例中，例如，拐角显示区域CDA可以位于第一侧显示区域SDA1与第二侧显示区域SDA2之间。可替代地，拐角显示区域CDA可以位于第二侧显示区域SDA2与第三侧显示区域SDA3之间、第三侧显示区域SDA3与第四侧显示区域SDA4之间或者第四侧显示区域SDA4与第一侧显示区域SDA1之间。因此，侧显示区域SDA和拐角显示区域CDA可以围绕前显示区域FDA并且可以被弯曲。
包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于拐角显示区域CDA中。因此，拐角显示区域CDA可以显示图像。
在第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1和第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2彼此不同的实施例中，拐角显示区域CDA的曲率半径可以逐渐改变。在第一侧显示区域SDA1的第一曲率半径R1大于第二侧显示区域SDA2的第二曲率半径R2的实施例中，拐角显示区域CDA的曲率半径可以在从第一侧显示区域SDA1到第二侧显示区域SDA2的方向上逐渐减小。在一个实施例中，例如，拐角显示区域CDA的第三曲率半径R3可以小于第一曲率半径R1并且可以大于第二曲率半径R2。
在实施例中，显示面板10可以进一步包括中间显示区域MDA。中间显示区域MDA可以位于拐角显示区域CDA与前显示区域FDA之间。在实施例中，中间显示区域MDA可以在侧显示区域SDA与拐角显示区域CDA之间延伸。在一个实施例中，例如，中间显示区域MDA可以在第一侧显示区域SDA1与拐角显示区域CDA之间延伸。在这样的实施例中，中间显示区域MDA可以在第二侧显示区域SDA2与拐角显示区域CDA之间延伸。
中间显示区域MDA可以包括第三像素PX3。在实施例中，用于施加电信号的驱动电路或者用于供给电压的电力布线可以位于中间显示区域MDA中，并且第三像素PX3可以与驱动电路或者电力布线重叠。在这样的实施例中，第三像素PX3的第三显示元件可以位于驱动电路或者电力布线上方。在实施例中，驱动电路或者电力布线可以位于外围区域PA中，并且第三像素PX3可以不与驱动电路或者电力布线重叠。
在实施例中，如图1至图2C中所示，显示装置1可以在侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA中以及在前显示区域FDA中显示图像。因此，显示区域DA在显示装置1中占据的比例可以增加。在这样的实施例中，因为显示装置1包括在拐角处被弯曲并且显示图像的拐角显示区域CDA，所以美观性可以被增强。
图3是图示适用于显示面板的像素电路PC的等效电路图。图4A是根据实施例的显示面板10的示意性平面图。图4B是图4A的圈住部分的放大图。图4A是图示在拐角显示区域CDA被弯曲之前显示面板10的形状的平面图。
显示面板10的实施例可以包括显示元件。在一个实施例中，例如，显示面板10可以是使用包括有机发射层的有机发光二极管的有机发光显示面板、使用微发光二极管(“LED”)的微发光二极管显示面板、使用包括量子点发射层的量子点发光二极管的量子点发光显示面板或者使用包括无机半导体的无机发光器件的无机发光显示面板。在下文中，为了便于描述，将详细描述显示面板10是使用有机发光二极管作为显示元件的有机发光显示面板的实施例。
参考图3，在实施例中，像素电路PC可以连接到显示元件，例如有机发光二极管OLED。
在实施例中，像素电路PC可以包括驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和存储电容器Cst。有机发光二极管OLED可以发射红色光、绿色光或蓝色光，或者可以发射红色光、绿色光、蓝色光或白色光。
开关薄膜晶体管T2可以连接到扫描线SL和数据线DL，并且可以基于从扫描线SL输入的扫描信号或者开关电压将从数据线DL输入的数据信号或者数据电压传输到驱动薄膜晶体管T1。存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2接收的电压和供给到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间的差相对应的电压。
驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压的值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电流。有机发光二极管OLED可以根据驱动电流发射具有特定亮度的光。有机发光二极管OLED的对电极(例如，阴极)可以接收第二电源电压ELVSS。
图3示出了像素电路PC包括两个薄膜晶体管和单个存储电容器的实施例，但不限于此。可替代地，可以根据像素电路PC的设计以各种方式修改薄膜晶体管的数量和存储电容器的数量。在一个实施例中，例如，像素电路PC可以包括三个、四个、五个或者更多个薄膜晶体管。
参考图4A和图4B，显示面板10可以包括显示区域DA和外围区域PA。显示区域DA可以是多个像素PX显示图像的区域，并且外围区域PA可以至少部分地围绕显示区域DA。显示区域DA可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。
像素PX中的每一个可以包括子像素，并且子像素可以通过使用有机发光二极管作为显示元件来发射特定颜色的光。每个有机发光二极管可以发射例如红色光、绿色光或者蓝色光。每个有机发光二极管可以连接到包括薄膜晶体管和存储电容器的像素电路。
在实施例中，显示面板10可以包括基板100和位于基板100上的多个层。在这样的实施例中，显示区域DA和外围区域PA可以被限定在基板100和/或多个层上。在这样的实施例中，基板100和/或多个层可以包括前显示区域FDA、侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA、中间显示区域MDA和外围区域PA。
基板100可以包括玻璃或者诸如聚醚砜、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三醋酸纤维素或醋酸丙酸纤维素的聚合物树脂。包括聚合物树脂的基板100可以是柔性的、可卷曲的或者可弯曲的。基板100可以具有包括基层和阻挡层(未示出)的多层结构，基层包括聚合物树脂。
外围区域PA可以是图像在其中未被提供的非显示区域。用于施加电信号的驱动电路DC或者用于向像素PX供给电力的电力布线可以位于外围区域PA中。用于通过信号线向每个像素PX施加电信号的驱动电路DC可以位于外围区域PA中。在一个实施例中，例如，驱动电路DC可以是用于通过扫描线SL向每个像素PX施加扫描信号的扫描驱动电路。可替代地，驱动电路DC可以是用于通过数据线DL向每个像素PX施加数据信号的数据驱动电路(未示出)。在实施例中，数据驱动电路可以位于显示面板10的一侧附近。在一个实施例中，例如，外围区域PA中的数据驱动电路可以被定位成与第一侧显示区域SDA1相对应。
外围区域PA可以包括电子设备或者印刷电路板可以电连接到的焊盘单元(未示出)。焊盘单元可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到柔性印刷电路板(“FPCB”)。柔性印刷电路板可以电连接控制器和焊盘单元，并且可以施加从控制器传输的信号或者电力。在实施例中，数据驱动电路可以位于柔性印刷电路板上。
包括第一显示元件的第一像素PX1可以位于前显示区域FDA中。前显示区域FDA可以是平坦部分。在实施例中，前显示区域FDA可以提供主图像。
包括显示元件的像素PX可以位于侧显示区域SDA中，并且侧显示区域SDA可以被弯曲。在实施例中，侧显示区域SDA可以是如参考图1所描述的从前显示区域FDA弯曲的部分。在实施例中，侧显示区域SDA可以具有随着远离前显示区域FDA而逐渐减小的宽度。在实施例中，侧显示区域SDA可以包括第一侧显示区域SDA1、第二侧显示区域SDA2、第三侧显示区域SDA3和第四侧显示区域SDA4。
在实施例中，第一侧显示区域SDA1和第三侧显示区域SDA3可以在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上连接到前显示区域FDA。在这样的实施例中，第二侧显示区域SDA2和第四侧显示区域SDA4可以在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上连接到前显示区域FDA。
拐角显示区域CDA可以位于相邻的侧显示区域SDA之间。在一个实施例中，例如，拐角显示区域CDA可以位于第一侧显示区域SDA1与第二侧显示区域SDA2之间。可替代地，拐角显示区域CDA可以位于第二侧显示区域SDA2与第三侧显示区域SDA3之间、第三显示区域SDA3与第四侧显示区域SDA4之间或者第四侧显示区域SDA4与第一侧显示区域SDA1之间。在下文中，将详细描述位于第一侧显示区域SDA1与第二显示区域SDA2之间的拐角显示区域CDA。
拐角显示区域CDA可以被定位成与显示区域DA的拐角部分CP相对应。是显示区域DA的拐角的拐角部分CP可以是显示区域DA在第一方向(例如，y方向或者-y方向)上的长边与显示区域DA在第二方向(例如，x方向或者-x方向)上的短边彼此相接的部分。
在这样的实施例中，拐角显示区域CDA可以围绕前显示区域FDA的至少一部分。在一个实施例中，例如，拐角显示区域CDA可以位于第一侧显示区域SDA1与第二侧显示区域SDA2之间，并且可以至少部分地围绕前显示区域FDA。
在实施例中，包括显示元件的第二像素PX2可以位于拐角显示区域CDA中，并且拐角显示区域CDA可以被弯曲。在这样的实施例中，拐角显示区域CDA可以被定位成与拐角部分CP相对应，并且可以如参考图1所描述的从前显示区域FDA弯曲。
中间显示区域MDA可以位于前显示区域FDA与拐角显示区域CDA之间。在实施例中，中间显示区域MDA可以在侧显示区域SDA与拐角显示区域CDA之间延伸。在一个实施例中，例如，中间显示区域MDA可以在第一侧显示区域SDA1与拐角显示区域CDA之间延伸和/或在第二侧显示区域SDA2与拐角显示区域CDA之间延伸。在实施例中，中间显示区域MDA可以被弯曲。
在实施例中，包括显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。在这样的实施例中，用于施加电信号的驱动电路DC或者用于施加电压的电力布线(未示出)还可以位于中间显示区域MDA中。在实施例中，驱动电路DC可以穿越中间显示区域MDA并且可以连接到外围区域PA。在这样的实施例中，位于中间显示区域MDA中的第三像素PX3可以与驱动电路DC或者电力布线重叠。在替代实施例中，第三像素PX3可以不与驱动电路DC或者电力布线重叠。在这样的实施例中，驱动电路DC可以沿着外围区域PA定位。
在实施例中，侧显示区域SDA、拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA中的至少一个可以被弯曲。在这样的实施例中，侧显示区域SDA的第一侧显示区域SDA1可以以第一曲率半径被弯曲，并且侧显示区域SDA的第二侧显示区域SDA2可以以第二曲率半径被弯曲。在这样的实施例中，其中第一曲率半径大于第二曲率半径，则拐角显示区域CDA的曲率半径可以在从第一侧显示区域SDA1到第二侧显示区域SDA2的方向上逐渐减小。
在拐角显示区域CDA被弯曲的实施例中，压缩应变可以大于拐角显示区域CDA中的拉伸应变。在这样的实施例中，可收缩基板和可收缩多层结构可能需要被施加到拐角显示区域CDA。因此，位于拐角显示区域CDA中的多个层的堆叠结构或者基板100的形状可以不同于位于前显示区域FDA中的多个层的堆叠结构或者基板100的形状。
在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域，并且贯穿部分可以在相邻的延伸区域之间被提供。在替代实施例中，拐角显示区域CDA可以包括第二像素PX2位于其中的像素布置区域和用于将像素布置区域连接到中间显示区域MDA的连接区域，并且相邻的像素布置区域和相邻的连接区域可以限定贯穿区域。这将参考附图详细描述。
图5A至图5C是图示根据实施例的显示面板的一部分的放大图。
参考图5A至图5C，显示面板的实施例可以包括显示区域和外围区域PA，并且显示区域可以包括前显示区域FDA、第一侧显示区域SDA1和第二侧显示区域SDA2、拐角显示区域CDA以及中间显示区域MDA。
第一像素PX1可以位于前显示区域FDA中，第二像素PX2可以位于拐角显示区域CDA中，并且第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。在图5A至图5C中所示的实施例中，第二像素PX2和第三像素PX3的大小可以彼此相同，并且第一像素PX1和第三像素PX3的大小可以彼此不同。在另一实施例中，第一像素PX1至第三像素PX3的大小可以相同。在替代实施例中，第一像素PX1至第三像素PX3的大小可以彼此不同。在另一替代实施例中，第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的一个可以与第一像素PX1、第二像素PX2和第三像素PX3中的另一个相同。
在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA。在这样的实施例中，多个延伸区域LA可以远离前显示区域FDA延伸。在实施例中，第二像素PX2可以分别位于多个延伸区域LA中。参考图5A和图5B，第二像素PX2可以在延伸区域LA延伸的方向上对准。参考图5C，第二像素PX2可以在延伸区域LA延伸的方向上沿着多条线布置。在下文中，为了便于描述，将详细描述第二像素PX2在延伸区域LA延伸的方向上对准的实施例。
在这样的实施例中，可以在相邻的延伸区域LA之间限定或者提供贯穿部分PNP。因此，可以在相邻的延伸区域LA之间限定空白空间。
参考图5A，在实施例中，贯穿部分PNP的宽度可以在从中间显示区域MDA到多个延伸区域LA的端部的方向上增加。也就是说，贯穿部分PNP的宽度可以随着远离前显示区域FDA而增加。在这样的实施例中，贯穿部分PNP的宽度是指相邻的延伸区域LA之间的距离。也就是说，多个延伸区域LA可以径向布置。
在一个实施例中，例如，贯穿部分PNP在延伸区域LA的端部部分处的第一宽度dis1可以大于贯穿部分PNP在延伸区域LA的端部部分与中间显示区域MDA之间的中间部分处的第二宽度dis2。在实施例中，相邻的延伸区域LA可以在延伸区域LA和中间显示区域MDA连接的部分处被整体地提供。
参考图5B，在替代实施例中，贯穿部分PNP的宽度在从中间显示区域MDA到延伸区域LA的端部部分的方向上可以是恒定的。在这样的实施例中，多个延伸区域LA可以在相同的方向上(或者彼此平行地)从中间显示区域MDA延伸。
外围区域PA可以固定多个延伸区域LA的端部部分。因此，多个延伸区域LA可以由外围区域PA固定。在实施例中，电力布线和/或驱动电路可以位于外围区域PA中。在实施例中，外围区域PA可以彼此间隔开以分别与多个延伸区域LA相对应。在这样的实施例中，贯穿部分PNP可以延伸到相邻的延伸区域LA之间的外围区域PA。
图6A和图6B是图示根据实施例的延伸区域LA中的一个的平面图。
参考图6A，在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。在这样的实施例中，包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于延伸区域LA中，并且包括第三显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
显示面板可以包括位于基板上的凹槽Gv。凹槽Gv可以在基板的厚度方向上凹入(或者凹陷)。在本实施例中，至少一个凹槽Gv可以位于延伸区域LA中。在一个实施例中，例如，凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1和第二凹槽Gv2可以位于延伸区域LA中，并且第二凹槽Gv2可以围绕第一凹槽Gv1。第三凹槽Gv3可以与延伸区域LA间隔开。第三凹槽Gv3可以沿着拐角显示区域CDA延伸。在实施例中，第三凹槽Gv3可以在一个方向上延伸。
至少一个凹槽Gv可以围绕第二像素PX2。在一个实施例中，例如，第一凹槽Gv1和第二凹槽Gv2可以围绕多个第二像素PX2。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1和第二凹槽Gv2可以围绕第二显示元件。可替代地，第一凹槽Gv1可以逐个围绕第二像素PX2。
在实施例中，无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上，并且可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端。无机图案层PVX2由图6A和图6B中的虚线示出。
在这样的实施例中，凹槽Gv和包括突出尖端的无机图案层PVX2中的至少一个可以位于延伸区域LA中。当包括在第二像素PX2中的第二显示元件是有机发光二极管时，第二显示元件可以包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极213。在这样的实施例中，中间层可以包括像素电极与发射层之间的第一功能层和/或发射层与对电极213之间的第二功能层。第一功能层和第二功能层可以完全地形成在延伸区域LA和中间显示区域MDA上方。第一功能层和第二功能层可以各自包括有机材料，并且外部的氧气或者湿气可以通过第一功能层和第二功能层被引入到中间显示区域MDA和延伸区域LA中。外部的氧气或者湿气可能损坏中间显示区域MDA和延伸区域LA内部的有机发光二极管。在实施例中，第一功能层和第二功能层可以被凹槽Gv和突出尖端分隔(或者断开)，并且外部的湿气和氧气可以被防止引入到有机发光二极管中。因此，可以有效地防止对有机发光二极管的损坏。
显示面板可以包括位于基板上的坝状部分DP。坝状部分DP可以在基板的厚度方向上突出。在实施例中，至少一个坝状部分DP可以位于延伸区域LA中。在一个实施例中，例如，坝状部分DP可以包括第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2。在这样的实施例中，第一坝状部分DP1可以位于延伸区域LA中，并且第二坝状部分DP2可以与延伸区域LA间隔开。第二坝状部分DP2可以沿着拐角显示区域CDA延伸。
至少一个坝状部分DP可以围绕第二像素PX2。也就是说，至少一个坝状部分DP可以围绕第二显示元件。在一个实施例中，例如，第一坝状部分DP1可以围绕多个第二像素PX2。在这样的实施例中，第一坝状部分DP1可以位于第一凹槽Gv1与第二凹槽Gv2之间。
在实施例中，至少一个坝状部分DP可以位于延伸区域LA中。在这样的实施例中，当包括在第二像素PX2中的第二显示元件是有机发光二极管时，如以上所描述的，有机发光二极管可能容易受氧气和湿气的影响。因此，用于封装有机发光二极管的薄膜封装层可以位于第二像素PX2上。在这样的实施例中，薄膜封装层可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在这样的实施例中，坝状部分DP在基板的厚度方向上突出，使得坝状部分DP可以控制至少一个有机封装层的流动。在这样的实施例中，坝状部分DP可以分隔至少一个有机封装层。在这样的实施例中，至少一个有机封装层可以填充第一凹槽Gv1和第三凹槽Gv3。
在实施例中，接触孔CNT可以被限定为在延伸区域LA的端部部分处贯穿堆叠在延伸区域LA中的多个层中的至少一个。在这样的实施例中，接触孔CNT可以位于第一凹槽Gv1内部。也就是说，接触孔CNT可以被第一凹槽Gv1围绕。接触孔CNT可以位于第一凹槽Gv1与离中间显示区域MDA最远的第二像素PX2之间。在实施例中，对电极213也可以像第一功能层或者第二功能层一样完全地形成在延伸区域LA和中间显示区域MDA上方。在这样的实施例中，对电极213可以被凹槽Gv分隔。因此，用于供给电力的连接布线CL可以位于延伸区域LA中，并且连接布线CL可以通过接触孔CNT向第二像素PX2供给第二电源电压ELVSS(参见图3)。
参考图6B，在替代实施例中，凹槽Gv可以进一步包括第四凹槽Gv4。第四凹槽Gv4可以位于延伸区域LA中，并且可以围绕第二凹槽Gv2。
坝状部分DP可以进一步包括第三坝状部分DP3。第三坝状部分DP3可以围绕第一坝状部分DP1。在实施例中，第三坝状部分DP3可以位于第二凹槽Gv2与第四凹槽Gv4之间。这样，在实施例中，坝状部分DP和凹槽Gv可以被交替地布置。在替代实施例中，凹槽Gv可以连续地定位，或者坝状部分DP可以连续地定位。
在下文中，为了便于描述，将详细描述如图6A中所示的凹槽Gv包括第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3并且坝状部分DP包括第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2的实施例。
图7A和图7B是图示根据实施例的延伸区域LA的子像素布置结构的平面图。在图7A和图7B中，与图6A中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图7A和图7B，在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。在这样的实施例中，包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于延伸区域LA中，并且包括第三显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
可以在延伸区域LA中提供多个第二像素PX2。在这样的实施例中，多个第二像素PX2可以沿着延伸区域LA的延伸方向EDR彼此平行地定位。
在实施例中，可以在中间显示区域MDA中提供多个第三像素PX3。在实施例中，多个第三像素PX3可以沿着延伸方向EDR布置。在这样的实施例中，多个第三像素PX3可以平行于多个第二像素PX2布置。
第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别发射红色光、绿色光和蓝色光。本文中使用的术语‘子像素’是指是用于形成图像的最小单元的发射区域。在显示元件包括有机发光二极管的实施例中，发射区域可以由像素限定膜的开口限定，这将在下面描述。
参考图7A，在实施例中，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以以条纹结构提供。在这样的实施例中，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在垂直于延伸方向EDR的垂直方向VDR上彼此平行地定位。在这样的实施例中，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别在延伸方向EDR上彼此平行地定位。在这样的实施例中，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每一个可以具有在延伸方向EDR上的长边。
可替代地，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以在延伸方向EDR上彼此平行地定位。在这样的实施例中，红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb中的每一个可以具有在垂直方向VDR上的长边。
在实施例中，第三像素PX3的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb可以分别平行于第二像素PX2的红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb定位。
参考图7B，在替代实施例中，第二像素PX2的子像素布置结构和第三像素PX3的子像素布置结构可以是S条纹结构。第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个可以包括红色子像素Pr、绿色子像素Pg和蓝色子像素Pb。
在这样的实施例中，绿色子像素Pg可以位于第一列1l中，并且红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以位于与第一列1l相邻的第二列2l中。在这样的实施例中，绿色子像素Pg可以具有在垂直方向VDR上具有长边的四边形形状，并且红色子像素Pr和蓝色子像素Pb可以具有四边形形状。在这样的实施例中，红色子像素Pr的一边和蓝色子像素Pb的一边可以面对绿色子像素Pg的长边。
在另一替代实施例中，第二像素PX2和第三像素PX3中的每一个的子像素布置结构可以是蜂窝(pentile)结构。
图8A是图示根据实施例的前显示区域FDA的截面图。图8B是图8A的圈住部分的放大图。
参考图8A和图8B，显示面板的实施例可以包括基板100、缓冲层111、像素电路层PCL、显示元件层DEL和薄膜封装层TFE。
缓冲层111可以位于基板100上。缓冲层111可以包括诸如氮化硅、氮氧化硅或者氧化硅的无机绝缘材料，并且可以具有包括以上无机绝缘材料的单层结构或者多层结构。
像素电路层PCL可以位于缓冲层111上。像素电路层PCL可以包括第一薄膜晶体管TFT1、位于第一薄膜晶体管TFT1的元件下方和/或上方的无机绝缘层IIL、第一平坦化层115以及第二平坦化层116。无机绝缘层IIL可以包括第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。
在实施例中，第一薄膜晶体管TFT1可以包括半导体层Act，并且半导体层Act可以包括多晶硅。可替代地，半导体层Act可以包括非晶硅、氧化物半导体或者有机半导体。半导体层Act可以包括沟道区以及位于沟道区的相对侧上的漏极区和源极区。栅电极GE可以与沟道区重叠。
栅电极GE可以包括低电阻金属材料。栅电极GE可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上导电材料的单层结构或者多层结构。
半导体层Act与栅电极GE之间的第一栅绝缘层112可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。
第二栅绝缘层113可以覆盖栅电极GE。第二栅绝缘层113可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料，并且可以包括与第一栅绝缘层112的材料相同的材料。
存储电容器Cst的上电极CE2可以位于第二栅绝缘层113上方。上电极CE2可以与位于上电极CE2下方的栅电极GE重叠。在这样的实施例中，彼此重叠并且其间有第二栅绝缘层113的栅电极GE和上电极CE2可以构成存储电容器Cst。在这样的实施例中，栅电极GE可以用作存储电容器Cst的下电极CE1。
在这样的实施例中，存储电容器Cst和第一薄膜晶体管TFT1可以彼此重叠。在替代实施例中，存储电容器Cst可以不与第一薄膜晶体管TFT1重叠。
上电极CE2可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和/或铜(Cu)，并且可以具有包括以上材料的单层结构或者多层结构。
层间绝缘层114可以覆盖上电极CE2。层间绝缘层114可以包括诸如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNX)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5)、氧化铪(HfO2)或者氧化锌(ZnO)的无机绝缘材料。层间绝缘层114可以具有包括以上无机绝缘材料的单层结构或者多层结构。
漏电极DE和源电极SE中的每一个可以位于层间绝缘层114上。漏电极DE和源电极SE中的每一个可以包括具有高导电率的材料。漏电极DE和源电极SE中的每一个可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上导电材料的单层结构或者多层结构。在实施例中，漏电极DE和源电极SE中的每一个可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第一平坦化层115可以覆盖漏电极DE和源电极SE。第一平坦化层115可以包括有机绝缘层。第一平坦化层115可以包括诸如通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(“PMMA”)或者聚苯乙烯(“PS”))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者其组合(例如，混合物)的有机绝缘材料。
第一连接电极CML1可以位于第一平坦化层115上。在这样的实施例中，第一连接电极CML1可以通过限定在第一平坦化层115中的接触孔连接到漏电极DE或者源电极SE。第一连接电极CML1可以包括具有高导电率的材料。第一连接电极CML1可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上导电材料的单层结构或者多层结构。在实施例中，第一连接电极CML1可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
第二平坦化层116可以覆盖第一连接电极CML1。第二平坦化层116可以包括有机绝缘层。第二平坦化层116可以包括诸如通用聚合物(例如，PMMA或者PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者其组合的有机绝缘材料。
显示元件层DEL可以位于像素电路层PCL上。显示元件层DEL可以包括第一有机发光二极管OLED1，并且第一有机发光二极管OLED1的像素电极211可以通过限定在第二平坦化层116中的接触孔电连接到第一连接电极CML1。
像素电极211可以包括诸如铟锡氧化物(“ITO”)、铟锌氧化物(“IZO”)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(“IGO”)或者铝锌氧化物(“AZO”)的导电氧化物。在替代实施例中，像素电极211可以包括反射膜，该反射膜包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或者其组合(例如，化合物)。在另一替代实施例中，像素电极211可以进一步包括在反射膜上方/下方的由ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的膜。
开口118OP通过其被限定以暴露像素电极211的中心部分的像素限定膜118可以位于像素电极211上。像素限定膜118可以包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。开口118OP可以限定由第一有机发光二极管OLED1发射的光的发射区域EA。在一个实施例中，例如，开口118OP的宽度可以与发射区域EA的宽度相对应。
隔离物119可以位于像素限定膜118上。在制造显示装置的方法中，隔离物119可以防止对基板100的损坏。在制造显示面板的方法的实施例中可以使用掩模片，并且在这样的实施例中，隔离物119可以有效地防止掩模片被引入到像素限定膜118的开口118OP中或者被紧密地附着到像素限定膜118，使得当沉积材料被沉积在基板100上时，有效地防止基板100的一部分被掩模片损坏。
隔离物119可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。可替代地，隔离物119可以包括诸如氮化硅或者氧化硅的无机绝缘材料，或者可以包括有机绝缘材料和无机绝缘材料。
在实施例中，隔离物119可以包括与像素限定膜118的材料不同的材料。在替代实施例中，隔离物119可以包括与像素限定膜118的材料相同的材料，并且在这样的实施例中，像素限定膜118和隔离物119可以在使用半色调掩模等的相同的掩模过程期间一起形成。
在实施例中，如图8B中所示，中间层212可以位于像素限定膜118上。中间层212可以包括位于像素限定膜118的开口118OP中的发射层212b。发射层212b可以包括发射特定颜色的光的高分子量有机材料或者低分子量有机材料。
第一功能层212a和第二功能层212c可以分别位于发射层212b下方和上方。第一功能层212a可以包括例如空穴传输层(“HTL”)，或者可以包括空穴传输层和空穴注入层(“HIL”)。位于发射层212b上方的第二功能层212c可以是可选的。第二功能层212c可以包括电子传输层(“ETL”)和/或电子注入层(“EIL”)。第一功能层212a和/或第二功能层212c可以是被形成为完全地覆盖基板100的公共层，如下面描述的对电极213。
对电极213可以由具有低功函数的导电材料形成。在一个实施例中，例如，对电极213可以包括(半)透明层，该(半)透明层包括银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)或者其组合。可替代地，对电极213可以进一步包括在包括以上材料的(半)透明层上的由ITO、IZO、ZnO或者In2O3形成的层。
在实施例中，覆盖层(未示出)可以进一步位于对电极213上。覆盖层可以包括LiF、无机材料和/或有机材料。
薄膜封装层TFE可以位于对电极213上。在实施例中，薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，如图8A中所示，薄膜封装层TFE包括顺序地堆叠的第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
第一无机封装层310和第二无机封装层330中的每一个可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料。在实施例中，有机封装层320可以包括聚合物类材料。在这样的实施例中，聚合物类材料可以包括选自丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯中的至少一种。在一个实施例中，例如，有机封装层320可以包括丙烯酸酯。
在实施例中，尽管在图8A中未示出，但是触摸电极层可以位于薄膜封装层TFE上，并且光学功能层可以位于触摸电极层上。触摸电极层可以根据外部输入(例如，触摸事件)获取坐标信息。光学功能层可以降低入射到显示装置上的光(外部光)的反射率，和/或提高从显示装置发射的光的颜色纯度。在实施例中，光学功能层可以包括相位延迟器和/或偏振器。相位延迟器可以是膜型或者液晶涂层型，并且可以包括λ/2相位延迟器和/或λ/4相位延迟器。偏振器也可以是膜型或者液晶涂层型。膜型偏振器可以包括可拉伸的合成树脂膜，并且液晶涂层型偏振器可以包括以特定布置布置的液晶。相位延迟器和偏振器可以进一步包括保护膜。
在替代实施例中，光学功能层可以包括黑色矩阵和滤色器。可以考虑由显示装置的像素中的每一个发射的光的颜色来布置滤色器。滤色器中的每一个可以包括红色、绿色或者蓝色的颜料或者染料。可替代地，除了颜料或者染料之外，滤色器中的每一个还可以进一步包括量子点。可替代地，滤色器中的一些可以不包括颜料或者染料，并且可以包括诸如氧化钛的散射颗粒。
在另一替代实施例中，光学功能层可以具有相消干涉结构。相消干涉结构可以包括位于不同层上的第一反射层和第二反射层。分别由第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉，从而降低外部光的反射率。
在实施例中，粘合构件(未示出)可以被置于触摸电极层与光学功能层之间。可以不受限制地使用相关领域中已知的任何粘合构件。在一个实施例中，例如，粘合构件可以是压敏粘合剂(“PSA”)。
图9是图示根据实施例的显示面板中的凹槽Gv的截面图。
参考图9，在实施例中，可以在基层BL和下层LL中限定或者提供凹槽Gv。凹槽Gv可以位于基板上，并且可以在基板的厚度方向上凹入。在这样的实施例中，凹槽Gv可以由基层BL的顶表面和下层LL的孔H限定。
在实施例中，基层BL可以是下无机层或者下无机图案层。在这样的实施例中，基层BL可以具有包括氮化硅(SiNX)和/或硅氧化物(SiOX)的单层结构或者多层结构。在替代实施例中，基层BL可以是金属图案层。在这样的实施例中，基层BL可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上导电材料的单层结构或者多层结构。
下层LL可以与图8A的显示面板的元件中的一些相对应。在一个实施例中，例如，下层LL可以是图8A的第二平坦化层116。可替代地，下层LL可以包括第一平坦化层115和第二平坦化层116。可替代地，下层LL可以进一步包括第一平坦化层115与第二平坦化层116之间的第三平坦化层。在这样的实施例中，下层LL可以包括第一平坦化层115、第二平坦化层116和第三平坦化层中的至少一个。
在基层BL是下无机图案层或者金属图案层的实施例中，下层LL可以覆盖下无机图案层或者金属图案层的边缘。在实施例中，下层LL的孔H可以暴露下无机图案层的中心部分或者金属图案层的中心部分。
在这样的实施例中，无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上。无机图案层PVX2可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端PT。在这样的实施例中，突出尖端PT之间的第一宽度W1可以小于下层LL的孔H的第二宽度(或者直径)W2。在这样的实施例中，第二宽度W2是下层LL的彼此面对并且与无机图案层PVX2相接的侧表面之间的距离。
第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以位于无机图案层PVX2上。在这样的实施例中，第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个可以被突出尖端PT和凹槽Gv分隔。
第一功能层图案212Pa和第二功能层图案212Pc中的至少一个可以位于凹槽Gv中。在这样的实施例中，第一功能层图案212Pa和第二功能层图案212Pc可以包括与第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个的材料相同的材料。第一功能层图案212Pa和第二功能层图案212Pc中的至少一个可以在第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个形成的同时形成。
对电极213可以位于第一功能层212a和第二功能层212c中的至少一个上。对电极213可以被突出尖端PT和凹槽Gv分隔。对电极图案213P可以位于凹槽Gv中。在这样的实施例中，对电极图案213P可以包括与对电极213的材料相同的材料。对电极图案213P可以在对电极213形成的同时形成。
因此，在实施例中，第一功能层212a和第二功能层212c以及对电极213中的至少一个可以被突出尖端PT和凹槽Gv分隔。为了便于描述，将详细描述第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213被突出尖端PT和凹槽Gv分隔的实施例。
图10A是沿着图6A的线X-X’截取的截面图。图10B是图示图10A的凹槽Gv和坝状部分DP的放大图。在图10A和图10B中，与图8A中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图10A和图10B，显示面板的实施例可以包括拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。拐角显示区域CDA可以包括第二薄膜晶体管TFT2和是第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2，并且中间显示区域MDA可以包括是第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3。第二薄膜晶体管TFT2和第二有机发光二极管OLED2可以构成拐角显示区域CDA中的第二子像素，并且第三有机发光二极管OLED3可以构成中间显示区域MDA中的第三子像素。
在实施例中，显示面板可以包括基板100上的凹槽Gv，并且凹槽Gv可以在基板100的厚度方向上凹入。在这样的实施例中，凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3。第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3中的每一个可以与图9的凹槽Gv相同或者相似。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3的下层可以是第二平坦化层116。
在下文中，将详细描述中间显示区域MDA和拐角显示区域CDA中的显示面板的结构。
在实施例中，基板100、缓冲层111、像素电路层PCL、显示元件层DEL和薄膜封装层TFE可以被堆叠在中间显示区域MDA和拐角显示区域CDA中。像素电路层PCL可以包括无机绝缘层IIL、第一连接布线CL1、第一平坦化层115、第二连接布线CL2、第二平坦化层116和无机图案层PVX2。
缓冲层111可以位于基板100上。在实施例中，缓冲层111可以包括拐角显示区域CDA中的突出尖端。缓冲层111的突出尖端可以防止第一功能层212a和/或第二功能层212c形成在相邻的延伸区域LA之间。
无机绝缘层IIL可以位于缓冲层111上。无机绝缘层IIL可以包括第一栅绝缘层112、第二栅绝缘层113和层间绝缘层114。
第一连接布线CL1可以位于无机绝缘层IIL上。第一连接布线CL1可以从中间显示区域MDA延伸到拐角显示区域CDA。第一连接布线CL1可以是用于供给电力的电力布线或者用于向拐角显示区域CDA的第二像素PX2施加电信号的信号线。
第一平坦化层115可以位于无机绝缘层IIL上，并且第一平坦化层115可以覆盖第一连接布线CL1。第二连接布线CL2、第二连接电极CML2和第三连接电极CML3可以位于第一平坦化层115上。
第二连接布线CL2可以从中间显示区域MDA延伸到拐角显示区域CDA。如同第一连接布线CL1，第二连接布线CL2可以是用于供给电力的电力布线或者用于向拐角显示区域CDA的第二薄膜晶体管TFT2施加电信号的信号线。
在实施例中，下无机图案层PVX1可以位于第二连接布线CL2上。在实施例中，多个下无机图案层PVX1可以位于第二连接布线CL2上，并且多个下无机图案层PVX1可以在第二连接布线CL2上彼此间隔开。
第二平坦化层116可以覆盖第二连接布线CL2、第二连接电极CML2和第三连接电极CML3。在实施例中，第二平坦化层116可以是用于限定凹槽Gv的下层。在这样的实施例中，孔H可以被限定为贯穿第二平坦化层116，并且孔H可以与下无机图案层PVX1相对应。在这样的实施例中，第二平坦化层116可以覆盖下无机图案层PVX1的边缘。因此，凹槽Gv可以由下无机图案层PVX1的中心部分和第二平坦化层116的孔H限定。
在实施例中，无机图案层PVX2可以位于第二平坦化层116上。无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上，并且可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端PT。
位于无机图案层PVX2上的第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以被凹槽Gv和突出尖端PT分隔。在这样的实施例中，第一功能层图案212Pa、第二功能层图案212Pc和对电极图案213P可以位于凹槽Gv中。
在实施例中，可以在无机图案层PVX2上方提供在基板100的厚度方向上突出的坝状部分DP。在实施例中，坝状部分DP可以包括第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2。在这样的实施例中，坝状部分DP和凹槽Gv可以被交替地布置。在一个实施例中，例如，第一凹槽Gv1、第一坝状部分DP1、第二凹槽Gv2、第二坝状部分DP2和第三凹槽Gv3可以在从拐角显示区域CDA到中间显示区域MDA的方向上被顺序地布置。
第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2可以包括第一层118a和118b，以及位于第一层118a和118b上的第二层119a和119b。在这样的实施例中，第一层118a和118b可以包括与像素限定膜118的材料相同的材料。在实施例中，第一层118a和118b可以在像素限定膜118形成的同时形成。第二层119a和119b可以包括与隔离物119(参见图8A)的材料相同的材料。在这样的实施例中，第二层119a和119b可以在隔离物119形成的同时形成。
薄膜封装层TFE可以覆盖第二有机发光二极管OLED2和第三有机发光二极管OLED3。薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，如图10A和图10B中所示，薄膜封装层TFE包括第一无机封装层310、有机封装层320和第二无机封装层330。
薄膜封装层TFE可以从第二有机发光二极管OLED2延伸到第一坝状部分DP1。在这样的实施例中，薄膜封装层TFE可以从第三有机发光二极管OLED3延伸到第二坝状部分DP2。
第一无机封装层310可以完全地并且连续地覆盖拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。在实施例中，第一无机封装层310可以完全地并且连续地位于第一凹槽Gv1、第一坝状部分DP1、第二凹槽Gv2、第二坝状部分DP2和第三凹槽Gv3上方。另外，第一无机封装层310可以覆盖位于凹槽Gv中的第一功能层图案212Pa、第二功能层图案212Pc和对电极图案213P。第一无机封装层310可以接触无机图案层PVX2。在实施例中，第一无机封装层310可以接触无机图案层PVX2的突出尖端PT。
在实施例中，有机封装层320可以被坝状部分DP分隔。在一个实施例中，例如，有机封装层320可以从第二有机发光二极管OLED2延伸到第一坝状部分DP1，并且可以填充第一凹槽Gv1。在这样的实施例中，有机封装层320可以从第三有机发光二极管OLED3延伸到第二坝状部分DP2，并且可以填充第三凹槽Gv3。在这样的实施例中，有机封装层320可以由第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2控制。在这样的实施例中，有机封装层320可以不填充第二凹槽Gv2。
如同第一无机封装层310，第二无机封装层330可以完全地并且连续地覆盖拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。在实施例中，第二无机封装层330可以接触第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2上的第一无机封装层310。在这样的实施例中，第二无机封装层330可以接触第二凹槽Gv2中的第一无机封装层310。因此，有机封装层320可以被坝状部分DP分隔。在替代实施例中，第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2的第一层118a和118b以及第二层119a和119b中的至少一个可以被省略，并且有机封装层320可以从中间显示区域MDA延伸到拐角显示区域CDA。在这样的实施例中，有机封装层320可以在中间显示区域MDA和拐角显示区域CDA中被整体地提供。
在实施例中，第一无机封装层310和第二无机封装层330可以覆盖基板100、缓冲层111、无机绝缘层IIL和第一平坦化层115的暴露的侧表面。
在实施例中，可以通过使用蚀刻过程形成第二平坦化层116的孔H。在省略下无机图案层PVX1的情况下，可以在蚀刻过程期间蚀刻第二连接布线CL2。在这种情况下，第二连接布线CL2的电阻可能增加。在本发明的实施例中，下无机图案层PVX1位于第二连接布线CL2上以与第二平坦化层116的孔H相对应，使得可以有效地防止第二连接布线CL2被蚀刻。
在实施例中，驱动电路或者电力布线可以位于中间显示区域MDA中，并且第三有机发光二极管OLED3可以与驱动电路或者电力布线重叠。在实施例中，如图10A中所示，第三有机发光二极管OLED3与包括在驱动电路中的驱动电路晶体管DC-TFT重叠。在实施例中，连接到第三有机发光二极管OLED3的第三薄膜晶体管可以与中间显示区域MDA间隔开。在这样的实施例中，第三有机发光二极管OLED3可以通过第三连接电极CML3连接到第三薄膜晶体管。在替代实施例中，第三薄膜晶体管可以位于中间显示区域MDA中。在这样的实施例中，第三有机发光二极管OLED3可以连接到位于中间显示区域MDA中的第三薄膜晶体管。
图10C是图示根据替代实施例的凹槽Gv和坝状部分DP的放大图。在图10C中，与图10B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图10C，显示面板的实施例可以包括基板100上的凹槽Gv，并且凹槽Gv可以在基板100的厚度方向上凹入。在这样的实施例中，凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3。第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3中的每一个可以与图9的凹槽Gv相同或者相似。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3的下层可以包括第一平坦化层115和第二平坦化层116。
在实施例中，基板100、缓冲层111、像素电路层PCL、显示元件层DEL和薄膜封装层TFE可以被堆叠在中间显示区域MDA和拐角显示区域CDA中。像素电路层PCL可以包括无机绝缘层IIL、第一连接布线CL1、下无机层PVX1-1、第一平坦化层115、第二平坦化层116和无机图案层PVX2。
缓冲层111和无机绝缘层IIL可以位于基板100上，并且第一连接布线CL1可以从中间显示区域MDA延伸到拐角显示区域CDA。
在实施例中，下无机层PVX1-1可以覆盖第一连接布线CL1。在这样的实施例中，下无机层PVX1-1可以完全地覆盖第一连接布线CL1。在一些实施例中，下无机层PVX1-1可以暴露第一连接布线CL1的至少一部分。下无机层PVX1-1可以具有包括诸如氮化硅(SiNX)或者硅氧化物(SiOX)的无机材料的单层结构或者多层结构。
包括第一平坦化层115和第二平坦化层116的下层可以位于下无机层PVX1-1上。下层可以暴露下无机层PVX1-1的一部分。在这样的实施例中，孔H被限定为贯穿包括第一平坦化层115和第二平坦化层116的下层。在这样的实施例中，下层的孔H可以通过连接第一平坦化层115的孔和第二平坦化层116的孔来形成。因此，在这样的实施例中，凹槽Gv可以由下无机层PVX1-1的该一部分和下层的孔H限定。
无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上，并且第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以被无机图案层PVX2的突出尖端PT和凹槽Gv分隔。
在实施例中，因为孔H被限定在包括第一平坦化层115和第二平坦化层116的下层中，所以凹槽Gv的深度可以增加。因此，因为第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以通过凹槽Gv和突出尖端PT被更有效地分隔，所以显示面板的可靠性可以被确保。
图11A是根据替代实施例的沿着图6A的线X-X’截取的截面图。图11B是图示图11A的凹槽Gv和坝状部分DP的放大图。在图11A和图11B中，与图10A和图10B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
除了提供第三连接布线CL3和第三平坦化层117之外，图11A和图11B的实施例与图10A和图10B的实施例基本上相同。
参考图11A和图11B，显示面板的实施例可以包括拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。拐角显示区域CDA可以包括第二薄膜晶体管TFT2和是第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2，并且中间显示区域MDA可以包括是第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3。
在实施例中，显示面板可以包括基板100上的凹槽Gv，并且凹槽Gv可以在基板100的厚度方向上凹入。无机图案层PVX2可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端PT，并且凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。
在实施例中，第三平坦化层117可以位于第一平坦化层115与第二平坦化层116之间。第三平坦化层117可以包括诸如通用聚合物(例如，PMMA或者PS)、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者其组合的有机绝缘材料。
第三连接布线CL3可以位于第一平坦化层115与第三平坦化层117之间。第三连接布线CL3可以从中间显示区域MDA延伸到拐角显示区域CDA。因此，在这样的实施例中，由位于中间显示区域MDA中的驱动电路施加的信号或者电力电压可以通过第一连接布线CL1、第二连接布线CL2和第三连接布线CL3被传输到拐角显示区域CDA。如同第一连接布线CL1或者第二连接布线CL2，第三连接布线CL3可以包括包含钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)或者钛(Ti)的导电材料，并且可以具有包括以上导电材料的单层结构或者多层结构。在实施例中，第三连接布线CL3可以具有包括Ti/Al/Ti的多层结构。
在实施例中，可以提供用于将第二薄膜晶体管TFT2连接到第二有机发光二极管OLED2的第二连接电极CML2。第二连接电极CML2可以包括第二下连接电极CMLa2和第二上连接电极CMLb2。第二下连接电极CMLa2可以位于第一平坦化层115与第三平坦化层117之间，并且可以通过限定在第一平坦化层115中的接触孔连接到第二薄膜晶体管TFT2。第二下连接电极CMLa2可以包括与第三连接布线CL3的材料相同的材料，并且可以在第三连接布线CL3形成的同时形成。
第二上连接电极CMLb2可以位于第三平坦化层117与第二平坦化层116之间。第二上连接电极CMLb2可以通过限定在第三平坦化层117中的接触孔连接到第二下连接电极CMLa2。在这样的实施例中，第二上连接电极CMLb2可以通过形成在第二平坦化层116中的接触孔连接到第二有机发光二极管OLED2。第二上连接电极CMLb2可以包括与第二连接布线CL2的材料相同的材料，并且可以在第二连接布线CL2形成的同时形成。
图12A、图12B和图12C是图示根据各种实施例的凹槽Gv和坝状部分DP的放大图。在图12A至图12C中，与图11A和图11B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图12A至图12C，显示面板的实施例可以包括拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。拐角显示区域CDA可以包括第二薄膜晶体管TFT2和是第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2，并且中间显示区域MDA可以包括是第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3。
在这样的实施例中，显示面板可以包括基板100上的凹槽Gv，并且凹槽Gv可以在基板100的厚度方向上凹入。在这样的实施例中，凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3。
参考图12A和图12B，在实施例中，第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3中的每一个可以与图9的凹槽Gv相同或者相似。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3的下层可以包括第三平坦化层117和第二平坦化层116。
参考图12B，在这样的实施例中，金属图案层CLP可以位于第一平坦化层115上。在实施例中，多个金属图案层CLP可以位于第一平坦化层115上，并且多个金属图案层CLP可以彼此间隔开。在实施例中，金属图案层CLP可以通过第一平坦化层115的接触孔115CNT连接到第一连接布线CL1。
第三平坦化层117和第二平坦化层116可以覆盖金属图案层CLP的边缘。在这样的实施例中，孔H可以被限定为贯穿包括第三平坦化层117和第二平坦化层116的下层，并且下层的孔H可以暴露金属图案层CLP的中心部分。因此，下层的孔H和金属图案层CLP的中心部分可以限定凹槽Gv。
在这样的实施例中，可以省略下无机图案层，并且金属图案层CLP可以在连接布线形成的同时形成。因此，可以简化制造显示面板的过程。
参考图12C，在另一替代实施例中，第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3中的每一个可以与图9的凹槽Gv相同或者相似。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3的下层可以包括第一平坦化层115、第三平坦化层117和第二平坦化层116。
下无机层PVX1-1可以覆盖第一连接布线CL1。包括第一平坦化层115、第三平坦化层117和第二平坦化层116的下层可以位于下无机层PVX1-1上。在这样的实施例中，下层的孔H可以暴露下无机层PVX1-1的一部分。在这样的实施例中，下层的孔H可以通过连接第一平坦化层115的孔、第三平坦化层117的孔和第二平坦化层116的孔来形成。因此，凹槽Gv可以由下无机层PVX1-1的该一部分和下层的孔H限定。
图13是沿着图6A的线XIII-XIII’截取的截面图。在图13中，与图10A和图10B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图13，显示面板的实施例可以包括拐角显示区域CDA。拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。第二有机发光二极管OLED2和第二薄膜晶体管TFT2可以位于延伸区域LA中。图13的第二有机发光二极管OLED2是位于延伸区域LA中的第二有机发光二极管OLED2中的离中间显示区域最远的有机发光二极管。
连接布线CL可以从中间显示区域延伸到延伸区域LA。在一个实施例中，例如，连接布线CL可以包括第一连接布线CL1和第二连接布线CL2。在实施例中，第一连接布线CL1可以位于无机绝缘层IIL与第一平坦化层115之间，并且第二连接布线CL2可以位于第一平坦化层115与第二平坦化层116之间。在实施例中，第二连接布线CL2可以向第二有机发光二极管OLED2供给第二电源电压ELVSS(参见图3)。
在这样的实施例中，接触孔CNT被限定为贯穿第二平坦化层116以暴露第二连接布线CL2的至少一部分。在这样的实施例中，接触孔CNT可以位于延伸区域LA的端部部分中。在这样的实施例中，接触孔CNT可以位于第二凹槽Gv2与在位于延伸区域LA中的第二有机发光二极管OLED2中离中间显示区域MDA(参见例如图10A和图10B)最远的第二有机发光二极管OLED2之间。在实施例中，无机图案层PVX2可以彼此间隔开，以与第二平坦化层116的接触孔CNT相对应并且暴露第二连接布线CL2。
第二连接布线CL2可以连接到对电极213。在实施例中，第二连接布线CL2和对电极213可以通过像素电极图案211P连接，像素电极图案211P包括与像素电极211的材料相同的材料。像素电极图案211P可以与像素电极211间隔开并且可以位于接触孔CNT中。在实施例中，像素电极图案211P可以在像素电极211形成的同时形成。
在实施例中，第二平坦化层116的接触孔CNT可以形成在延伸区域LA的端部部分中。在这样的实施例中，第一功能层212a和第二功能层212c可以与接触孔CNT间隔开以暴露接触孔CNT。也就是说，第一功能层212a和第二功能层212c可以不延伸到第二连接布线CL2通过其被暴露的接触孔CNT。因此，通过像素电极图案211P连接的第二连接布线CL2和对电极213可以保持低电阻。也就是说，可以调整或者限制第一功能层212a和第二功能层212c形成在延伸区域LA的整个表面上的范围，使得第一功能层212a和第二功能层212c不形成在延伸区域LA的端部部分上。另外，可以调整或者限制第一功能层212a和第二功能层212c形成在延伸区域LA的整个表面上的范围，使得对电极213也形成在延伸区域LA的端部部分上。
在这样的实施例中，第二凹槽Gv2内部的对电极图案213P可以接触下无机图案层PVX1或者第一平坦化层115，并且无机图案层PVX2的突出尖端PT可以接触对电极213。
图14是图示根据替代实施例的延伸区域LA中的一个的平面图。在图14中，与图6A中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图14，在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。在这样的实施例中，包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于延伸区域LA中，并且包括第三显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
在这样的实施例中，显示面板可以包括位于基板上的凹槽Gv。凹槽Gv可以在基板的厚度方向上凹入。在这样的实施例中，包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端的无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上。在这样的实施例中，至少一个凹槽Gv可以位于延伸区域LA中。在一个实施例中，例如，凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2和第三凹槽Gv3。
在实施例中，连接布线CL可以从中间显示区域MDA延伸到延伸区域LA。
在实施例中，多个第二像素PX2可以位于延伸区域LA中。在这样的实施例中，第二有机发光二极管的对电极213可以彼此间隔开，并且可以各自连接到连接布线CL。也就是说，多个接触孔CNT可以贯穿延伸区域LA中的平坦化层。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1和无机图案层PVX2可以围绕多个第二像素PX2中的每一个。
在通过使用精细金属掩模(“FMM”)形成有机发光二极管的第一功能层和第二功能层的实施例中，第一功能层和第二功能层可以在每个有机发光二极管中彼此间隔开。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1和无机图案层PVX2围绕多个第二像素PX2中的每一个，使得第二有机发光二极管的对电极213可以被第一凹槽Gv1和无机图案层PVX2的突出尖端分隔。因此，第二有机发光二极管的对电极213可以各自连接到连接布线CL以接收第二电源电压。
图15是图示根据实施例的拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA的平面图。在图15中，与图6A中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图15，在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分PNP可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。在这样的实施例中，包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于延伸区域LA中，并且包括第三显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
可以在延伸区域LA中提供多个第二像素PX2，并且可以在中间显示区域MDA中提供多个第三像素PX3。在这样的实施例中，第二像素PX2和第三像素PX3可以在延伸区域LA的延伸方向上彼此平行地定位。
第三像素PX3可以包括内像素IPX3和外像素OPX3。在这样的实施例中，外像素OPX3可以面对第二像素PX2。在这样的实施例中，外像素OPX3可以位于内像素IPX3与第二像素PX2之间。
在实施例中，多个延伸区域LA中的每一个可以包括第一延伸区域LA1和第二延伸区域LA2。在这样的实施例中，第二延伸区域LA2可以位于第一延伸区域LA1与中间显示区域MDA之间。在这样的实施例中，多个延伸区域LA中的第二延伸区域LA2可以彼此连接。在一个实施例中，例如，第二延伸区域LA2可以彼此整体地形成。因此，贯穿部分PNP可以由相邻的第一延伸区域LA1的边缘和第二延伸区域LA2的边缘限定。
凹槽Gv可以位于拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA中。凹槽Gv可以在基板的厚度方向上凹入。在实施例中，至少一个凹槽Gv可以位于延伸区域LA中。凹槽Gv可以包括例如第一凹槽Gv1、第二凹槽Gv2、第三凹槽Gv3、第五凹槽Gv5、第六凹槽Gv6和第七凹槽Gv7。
第一凹槽Gv1可以位于延伸区域LA中。在一个实施例中，例如，第一凹槽Gv1可以围绕多个第二像素PX2。可替代地，第一凹槽Gv1可以逐个围绕第二像素PX2。
第二凹槽Gv2可以位于第二像素PX2与第三像素PX3之间。在实施例中，第二凹槽Gv2可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。在一个实施例中，例如，第二凹槽Gv2可以在一个方向上延伸。可替代地，第二凹槽Gv2可以沿着中间显示区域MDA的边缘延伸。
第三凹槽Gv3可以位于第二凹槽Gv2与第三像素PX3之间。在实施例中，第三凹槽Gv3可以平行于第二凹槽Gv2延伸。在一个实施例中，例如，第三凹槽Gv3可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。
第五凹槽Gv5可以位于延伸区域LA中。在这样的实施例中，第五凹槽Gv5可以围绕第一凹槽Gv1。在一个实施例中，例如，第五凹槽Gv5可以围绕第一凹槽Gv1和多个第二像素PX2。
第六凹槽Gv6可以位于第三凹槽Gv3与第三像素PX3之间。在实施例中，第六凹槽Gv6可以平行于第二凹槽Gv2和/或第三凹槽Gv3延伸。在一个实施例中，例如，第六凹槽Gv6可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。
第七凹槽Gv7可以位于第二延伸区域LA2中。在实施例中，第七凹槽Gv7可以位于相邻的第一凹槽Gv1之间。在这样的实施例中，第七凹槽Gv7可以位于相邻的延伸区域LA的第一坝状部分DP1之间。
无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上，并且可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端。
至少一个坝状部分DP可以围绕第二像素PX2。在实施例中，至少一个坝状部分DP可以围绕第二显示元件。坝状部分DP可以包括第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2。
第一坝状部分DP1可以围绕多个第二像素PX2。在实施例中，第一坝状部分DP1可以围绕第一凹槽Gv1和第五凹槽Gv5。在实施例中，第一坝状部分DP1的一部分可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。在一个实施例中，例如，第一坝状部分DP1可以沿着中间显示区域MDA的边缘延伸。在这样的实施例中，第一坝状部分DP1可以整体地形成为单个整体单元。
第二坝状部分DP2可以位于第一坝状部分DP1与第三像素PX3之间。在实施例中，第二坝状部分DP2可以位于第二凹槽Gv2与第三凹槽Gv3之间。在这样的实施例中，第二坝状部分DP2可以在第二凹槽Gv2和/或第三凹槽Gv3延伸的方向上延伸。第二坝状部分DP2可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。
在实施例中，第一辅助坝状部分ADP1可以位于第二像素PX2与第一坝状部分DP1之间。在实施例中，第一辅助坝状部分ADP1可以位于第一凹槽Gv1与第五凹槽Gv5之间。因此，第一辅助坝状部分ADP1可以围绕第二像素PX2和第一凹槽Gv1。
第二辅助坝状部分ADP2可以位于第三像素PX3与第二坝状部分DP2之间。在实施例中，第二辅助坝状部分ADP2可以位于第三凹槽Gv3与第六凹槽Gv6之间。在这样的实施例中，第二辅助坝状部分ADP2可以在第三凹槽Gv3和/或第六凹槽Gv6延伸的方向上延伸。在一个实施例中，例如，第二辅助坝状部分ADP2可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。
第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2可以位于无机图案层PVX2上方，并且可以在基板的厚度方向上突出。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1的厚度和第二辅助坝状部分ADP2的厚度各自可以小于坝状部分DP的厚度。
图16A是沿着图15的线XVI-XVI’截取的截面图。图16B是图示图16A的凹槽和坝状部分的放大图。在图16A和图16B中，与图10A、图10B和图15中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图16A和图16B，显示面板的实施例可以包括拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。拐角显示区域CDA可以包括第二薄膜晶体管TFT2和是第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2，并且中间显示区域MDA可以包括是第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3。第二薄膜晶体管TFT2和第二有机发光二极管OLED2可以构成拐角显示区域CDA中的第二子像素，并且第三有机发光二极管OLED3可以构成中间显示区域MDA中的第三子像素。
第三有机发光二极管OLED3的外(或者最外)有机发光二极管OOLED3可以被定位成在第三有机发光二极管OLED3中最靠近中间显示区域MDA的边缘，并且可以面对拐角显示区域CDA中的第二有机发光二极管OLED2。
在实施例中，显示面板可以包括基板100上的凹槽Gv，并且凹槽Gv可以在基板100的厚度方向上凹入。在这样的实施例中，凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。凹槽Gv的下层可以是第二平坦化层116。
基板100、缓冲层111、像素电路层PCL、显示元件层DEL、薄膜封装层TFE和光学功能层OFL可以被堆叠在中间显示区域MDA和拐角显示区域CDA中。像素电路层PCL可以包括无机绝缘层IIL、连接布线CL、第一平坦化层115、第二平坦化层116和无机图案层PVX2。连接布线CL可以包括下连接布线LCL、第一连接布线CL1和第二连接布线CL2。
在实施例中，下连接布线LCL可以位于第一栅绝缘层112与第二栅绝缘层113之间。在替代实施例中，下连接布线LCL可以位于第二栅绝缘层113与层间绝缘层114之间。在这样的实施例中，下连接布线LCL可以包括与图8A的栅电极GE和上电极CE2中的一个的材料相同的材料。
在替代实施例中，下连接布线LCL可以位于缓冲层111与第一栅绝缘层112之间。在这样的实施例中，下连接布线LCL可以包括与图8A的半导体层Act的材料相同的材料。
下连接布线LCL可以从中间显示区域MDA延伸到拐角显示区域CDA。下连接布线LCL可以是用于供给电力的电力布线或者用于向第二有机发光二极管OLED2施加电信号的信号线。
第一连接布线CL1可以位于无机绝缘层IIL上，并且第一平坦化层115可以位于第一连接布线CL1上。在实施例中，第一平坦化层115可以被凹槽Gv分隔成拐角平坦化层115C和中间平坦化层115M。在这样的实施例中，第一平坦化层115可以被第二凹槽Gv2分隔成拐角平坦化层115C和中间平坦化层115M。在这样的实施例中，拐角平坦化层115C可以覆盖第二薄膜晶体管TFT2，并且中间平坦化层115M可以覆盖驱动电路晶体管DC-TFT。在实施例中，拐角平坦化层115C和中间平坦化层115M可以暴露第一连接布线CL1的一部分。
第二连接布线CL2、第二连接电极CML2和第三连接电极CML3可以位于第一平坦化层115上。在这样的实施例中，第二连接电极CML2可以位于拐角平坦化层115C上。在实施例中，第三连接电极CML3可以由第二连接布线CL2的一部分限定。
第三连接电极CML3可以位于中间平坦化层115M上。在实施例中，第三连接电极CML3可以连接到第一连接布线CL1。在这样的实施例中，第三连接电极CML3可以从中间平坦化层115M延伸到拐角平坦化层115C，并且可以覆盖彼此面对的中间平坦化层115M的侧表面和拐角平坦化层115C的侧表面。在这样的实施例中，第三连接电极CML3可以连接到暴露于拐角平坦化层115C与中间平坦化层115M之间的第一连接布线CL1。因此，第一连接布线CL1和第三连接电极CML3可以有效地防止外部的湿气渗透到第二有机发光二极管OLED2或者第三有机发光二极管OLED3中。
下无机图案层PVX1可以位于第二连接布线CL2和第三连接电极CML3上。在实施例中，多个下无机图案层PVX1可以位于第二连接布线CL2和/或第三连接电极CML3上，并且多个下无机图案层PVX1可以在第二连接布线CL2和/或第三连接电极CML3上彼此间隔开。在这样的实施例中，多个下无机图案层PVX1中的一个可以覆盖彼此面对的中间平坦化层115M的侧表面和拐角平坦化层115C的侧表面。
第二平坦化层116可以覆盖第二连接布线CL2、第二连接电极CML2和第三连接电极CML3。在实施例中，第二平坦化层116可以是用于限定凹槽Gv的下层。在这样的实施例中，孔H可以被限定为贯穿第二平坦化层116，并且孔H可以与下无机图案层PVX1相对应。在这样的实施例中，第二平坦化层116可以覆盖下无机图案层PVX1的边缘。因此，凹槽Gv可以由下无机图案层PVX1的中心部分和第二平坦化层116的孔H限定。
无机图案层PVX2可以位于第二平坦化层116上。在这样的实施例中，无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上，并且可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端PT(参见例如图10B)。
位于无机图案层PVX2上的第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以被凹槽Gv和突出尖端PT分隔。在这样的实施例中，第一功能层图案212Pa、第二功能层图案212Pc和对电极图案213P可以位于凹槽Gv中。
可以在无机图案层PVX2上方提供在基板100的厚度方向上突出的坝状部分DP。在实施例中，坝状部分DP可以包括彼此间隔开的第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2。
在实施例中，第一辅助坝状部分ADP1可以位于第二有机发光二极管OLED2与第一坝状部分DP1之间。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1可以位于第一凹槽Gv1与第五凹槽Gv5之间。在实施例中，第二辅助坝状部分ADP2可以位于第三有机发光二极管OLED3与第二坝状部分DP2之间。在这样的实施例中，第二辅助坝状部分ADP2可以位于第三凹槽Gv3与第六凹槽Gv6之间。
第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2可以位于无机图案层PVX2上方，并且可以在基板100的厚度方向上突出。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2可以分别包括第一层118c和118d。在这样的实施例中，第一层118c和118d中的每一个可以包括与像素限定膜118的材料相同的材料。
在实施例中，坝状部分DP的厚度可以大于第一辅助坝状部分ADP1的厚度。在这样的实施例中，坝状部分DP的厚度可以大于第二辅助坝状部分ADP2的厚度。在这样的实施例中，因为坝状部分DP的第一坝状部分DP1和第二坝状部分DP2包括第一层118a和118b以及第二层119a和119b，并且第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2包括第一层118c和118d，所以坝状部分DP的厚度与第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2的厚度可以彼此不同。在这样的实施例中，坝状部分DP的厚度可以是从无机图案层PVX2的顶表面到第二层119a和119b的顶表面的距离。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1的厚度或者第二辅助坝状部分ADP2的厚度可以是从无机图案层PVX2的顶表面到第一层118c和118d的顶表面的距离。
在实施例中，从基板100的顶表面到第二层119a和119b的顶表面的距离可以大于从基板100的顶表面到第一辅助坝状部分ADP1的第一层118c的顶表面的距离。在这样的实施例中，从基板100的顶表面到第二层119a和119b的顶表面的距离可以大于从基板100的顶表面到第二辅助坝状部分ADP2的第一层118d的顶表面的距离。
在实施例中，坝状部分DP的第二层119a和119b可以执行与图8A的隔离物119的功能类似的功能。在制造显示面板的方法的一个实施例中，例如，坝状部分DP的第二层119a和119b可以防止由于掩模片导致的对像素电路层PCL和显示元件层DEL中的至少一个的损坏。在这样的实施例中，坝状部分DP的第二层119a和119b可以接触掩模片，并且坝状部分DP的第二层119a和119b的形状可以变形。
如果坝状部分DP的第二层119a和119b的形状变形，则第一无机封装层310可以沿着坝状部分DP的第二层119a和119b的变形的形状形成，从而降低阻挡特性。
在实施例中，第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2可以位于有机发光二极管与坝状部分DP之间。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1的厚度和第二辅助坝状部分ADP2的厚度各自小于坝状部分DP的厚度，使得第一辅助坝状部分ADP1和第二辅助坝状部分ADP2可以不接触掩模片。因此，第一无机封装层310可以形成在均是平坦无变形的第一辅助坝状部分ADP1的顶表面和第二辅助坝状部分ADP2的顶表面上。因此，可以延迟外部的空气或者湿气到达有机发光二极管所用的时间。因此，可以改善第一无机封装层310的阻挡特性。
光学功能层OFL可以位于薄膜封装层TFE上。在实施例中，光学功能层OFL可以包括遮光图案410、滤色器420和外涂层430。遮光图案410可以通过至少部分地吸收外部光或者内部反射光来防止由于外部光导致的质量劣化。遮光图案410可以包括黑色颜料。
滤色器420可以包括与每个有机发光二极管相对应的滤色器。在一个实施例中，例如，当有机发光二极管的发射层发射蓝色光、绿色光或者红色光时，根据由每个有机发光二极管的发射层发射的光的颜色，滤色器420可以包括蓝色滤色器、绿色滤色器或者红色滤色器。在一个实施例中，例如，当有机发光二极管的发射层发射红色光时，有机发光二极管的发射层上的滤色器420可以是在红色波段中具有高透射率的红色滤色器。
外涂层430可以位于遮光图案410和滤色器420上。外涂层430可以整体地形成在拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA中。在实施例中，外涂层430可以位于第二凹槽Gv2中，并且可以填充第二凹槽Gv2。外涂层430的顶表面可以是基本上平坦的，并且外涂层430可以包括诸如丙烯醛基、苯并环丁烯(“BCB”)或者六甲基二硅氧烷(“HMDSO”)的有机材料。
在实施例中，输入感测层可以位于光学功能层OFL与薄膜封装层TFE之间。
图17是沿着图15的线XVII-XVII’截取的截面图。在图17中，与图16A和图16B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图17，在实施例中，驱动电路晶体管DC-TFT可以位于中间显示区域MDA中的基板100上，并且第一平坦化层115和第二平坦化层116可以覆盖驱动电路晶体管DC-TFT。内有机发光二极管IOLED3和外有机发光二极管OOLED3可以位于第二平坦化层116上。在这样的实施例中，外有机发光二极管OOLED3可以位于第六凹槽Gv6与内有机发光二极管IOLED3之间。薄膜封装层TFE可以位于外有机发光二极管OOLED3和内有机发光二极管IOLED3上。
在实施例中，第二平坦化层116可以包括内有机发光二极管IOLED3与外有机发光二极管OOLED3之间的凹入部分(或者凹陷部分)CCP。在这样的实施例中，凹入部分CCP可以由在内有机发光二极管IOLED3与外有机发光二极管OOLED3之间彼此面对的第二平坦化层116的顶表面和第二平坦化层116的侧表面限定。
在实施例中，从基板100的顶表面到第二平坦化层116的顶表面的第一距离d1可以在内有机发光二极管IOLED3与外有机发光二极管OOLED3之间限定，并且从基板100的顶表面到第二平坦化层116的面对像素限定膜118的顶表面的第二距离d2可以在内有机发光二极管IOLED3与外有机发光二极管OOLED3之间限定。在这样的实施例中，第一距离d1可以小于第二距离d2。
当第二平坦化层116形成时，凹入部分CCP可以通过使用半色调掩模形成。
在实施例中，第二平坦化层116可以包括内有机发光二极管IOLED3与外有机发光二极管OOLED3之间的凹入部分CCP。因此，当薄膜封装层TFE的有机封装层320形成时，可以控制用于形成有机封装层320的有机材料的回流。在这样的实施例中，因为凹入部分CCP在内有机发光二极管IOLED3与外有机发光二极管OOLED3之间提供，所以有机封装层320的顶表面可以是平坦的。在这样的实施例中，凹入部分CCP可以防止或者减少用于形成有机封装层320的有机材料溢出超过图16A的第二坝状部分DP2。
无机图案层PVX2可以位于第二平坦化层116上。无机图案层PVX2可以位于第六凹槽Gv6的相对侧上。在这样的实施例中，无机图案层PVX2可以位于第六凹槽Gv6与中间显示区域MDA中的外有机发光二极管OOLED3之间。
在实施例中，无机图案层PVX2的至少一部分可以与外有机发光二极管OOLED3的外像素电极211O重叠。在这样的实施例中，外像素电极211O可以包括台阶部分。
图18是沿着图15的线XVIII-XVIII’截取的截面图。图19是沿着图15的线XIX-XIX’截取的截面图。在图18和图19中，与图15和图16A以及图16B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图18和图19，在实施例中，拐角显示区域可以包括从中间显示区域延伸的多个延伸区域，并且贯穿部分PNP可以在相邻的延伸区域之间被提供。第二有机发光二极管OLED2可以位于延伸区域中。多个延伸区域中的每一个包括第一延伸区域LA1和第二延伸区域LA2，并且第二延伸区域LA2可以通过彼此连接而彼此整体地形成。因此，贯穿部分PNP可以由相邻的第一延伸区域LA1的边缘限定。
参考图18，像素电路层PCL、显示元件层DEL和薄膜封装层TFE可以位于第二延伸区域LA2中。像素电路层PCL可以包括第二薄膜晶体管TFT2、第一连接布线CL1、第二连接布线CL2、无机绝缘层IIL、第一平坦化层115、第二平坦化层116和无机图案层PVX2。显示元件层DEL可以包括第二有机发光二极管OLED2。
第一凹槽Gv1、第五凹槽Gv5和第七凹槽Gv7可以位于第二延伸区域LA2中。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1可以位于第一凹槽Gv1与第五凹槽Gv5之间，并且第一坝状部分DP1可以位于第五凹槽Gv5与第七凹槽Gv7之间。
在实施例中，基板100和无机绝缘层IIL可以连续地定位。在实施例中，第一平坦化层115可以被第七凹槽Gv7分隔。在一个实施例中，例如，第一平坦化层115可以被第七凹槽Gv7分隔成第一拐角平坦化层115C1和第二拐角平坦化层115C2。在实施例中，无机绝缘层IIL也可以被第七凹槽Gv7分隔。
第二连接布线CL2和第二连接电极CML2可以位于第一平坦化层115上。在实施例中，第二连接电极CML2可以由第二连接布线CL2的一部分限定。
在实施例中，第二连接布线CL2可以覆盖第一拐角平坦化层115C1和第二拐角平坦化层115C2。在一个实施例中，例如，第二连接布线CL2可以覆盖彼此面对的第一拐角平坦化层115C1的侧表面和第二拐角平坦化层115C2的侧表面。第二连接布线CL2可以连接到暴露于第一拐角平坦化层115C1与第二拐角平坦化层115C2之间的第一连接布线CL1。因此，第一连接布线CL1和第二连接布线CL2可以防止外部的湿气渗透到第二有机发光二极管OLED2中。
下无机图案层PVX1可以位于第二连接布线CL2上。多个下无机图案层PVX1可以位于第二连接布线CL2上，并且多个下无机图案层PVX1可以在第二连接布线CL2上彼此间隔开。在实施例中，多个下无机图案层PVX1中的一个可以覆盖彼此面对的第一拐角平坦化层115C1的侧表面和第二拐角平坦化层115C2的侧表面。
在实施例中，有机封装层320可以被第一坝状部分DP1和第七凹槽Gv7分隔。
参考图19，像素电路层PCL、显示元件层DEL和薄膜封装层TFE可以位于第一延伸区域LA1中。像素电路层PCL可以包括第二薄膜晶体管TFT2、第一连接布线CL1、第二连接布线CL2、无机绝缘层IIL、第一平坦化层115、第二平坦化层116和无机图案层PVX2。显示元件层DEL可以包括第二有机发光二极管OLED2。
第一凹槽Gv1和第五凹槽Gv5中的每一个可以位于第一延伸区域LA1中。在这样的实施例中，第一辅助坝状部分ADP1可以位于第一凹槽Gv1与第五凹槽Gv5之间，并且第一坝状部分DP1可以位于第五凹槽Gv5与贯穿部分PNP之间。
在实施例中，基板100、无机绝缘层IIL、第一平坦化层115、第二平坦化层116和薄膜封装层TFE可以被贯穿部分PNP分隔。
图20A图示当拐角显示区域包括多个延伸区域时关于薄膜封装层的变形的模拟结果。图20B图示当拐角显示区域被整体地形成时关于薄膜封装层的变形的模拟结果。
当在拐角显示区域被弯曲的状态下的薄膜封装层的最大应变等于或者小于0.7％时，可以确保显示元件的稳定性。
参考图20A，发现当拐角显示区域包括多个延伸区域时，在拐角显示区域被弯曲时薄膜封装层的最大应变为0.31％。
参考图20B，发现当拐角显示区域被整体地形成时，在拐角显示区域被弯曲时薄膜封装层的最大应变为1％。
因此，在拐角显示区域包括多个延伸区域的本发明的实施例中，可以确保位于多个延伸区域中的显示元件的稳定性。
图21A和图21B是各自图示根据替代实施例的拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA的平面图。在图21A和图21B中，与图15中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。除了在中间显示区域MDA中提供中间凹槽MGv之外，图21A和图21B的实施例与图15的实施例基本上相同。
参考图21A，在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分PNP可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。在这样的实施例中，包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于延伸区域LA中，并且包括第三显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
在实施例中，中间显示区域MDA可以包括第一中间显示区域MDA1和第二中间显示区域MDA2。在这样的实施例中，第二中间显示区域MDA2可以位于第一中间显示区域MDA1与拐角显示区域CDA之间。
中间凹槽MGv可以位于第一中间显示区域MDA1与第二中间显示区域MDA2之间。中间显示区域MDA可以被中间凹槽MGv分隔成第一中间显示区域MDA1和第二中间显示区域MDA2。中间凹槽MGv可以与图9的凹槽Gv相同或者相似。
中间凹槽MGv可以在多个延伸区域LA彼此间隔开的方向上延伸。在一个实施例中，例如，中间凹槽MGv可以在一个方向上延伸。可替代地，中间凹槽MGv可以沿着中间显示区域MDA的边缘延伸。
在实施例中，无机图案层PVX2可以位于中间凹槽MGv的相对侧上，并且可以包括朝向中间凹槽MGv的中心突出的一对突出尖端。因此，形成在中间显示区域MDA中的对电极213可以被中间凹槽MGv和无机图案层PVX2分隔。在一个实施例中，例如，第一对电极213A可以位于第一中间显示区域MDA1中，并且第二对电极213B可以位于第二中间显示区域MDA2中。
在实施例中，第一接触孔CNT1和第二接触孔CNT2可以被限定为贯穿堆叠在中间显示区域MDA中的多个层中的至少一个，以分别与第一中间显示区域MDA1和第二中间显示区域MDA2相对应。
位于第一中间显示区域MDA1中的第三像素PX3可以通过第一接触孔CNT1连接到连接布线CL，以接收第二电源电压。在实施例中，位于第一中间显示区域MDA1中的第一对电极213A可以通过第一接触孔CNT1连接到连接布线CL。在实施例中，位于第二中间显示区域MDA2中的第三像素PX3可以通过第二接触孔CNT2连接到连接布线CL，以接收第二电源电压。在这样的实施例中，位于第二中间显示区域MDA2中的第二对电极213B可以通过第二接触孔CNT2连接到连接布线CL。
参考图21B，在替代实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA，并且贯穿部分PNP可以在相邻的延伸区域LA之间被提供。在这样的实施例中，包括第二显示元件的第二像素PX2可以位于延伸区域LA中，并且包括第三显示元件的第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
在实施例中，可以在中间显示区域MDA中提供多个第三像素PX3。在这样的实施例中，中间凹槽MGv可以围绕多个第三像素PX3中的每一个。在这样的实施例中，无机图案层PVX2可以位于中间凹槽MGv的相对侧上，并且可以包括朝向中间凹槽MGv的中心突出的一对突出尖端。因此，形成在中间显示区域MDA中的对电极213可以彼此间隔开以分别与多个第三像素PX3相对应。
在实施例中，中间接触孔MCNT可以被限定为贯穿堆叠在中间显示区域MDA中的多个层中的至少一个，以与多个第三像素PX3中的每一个相对应。在这样的实施例中，位于中间显示区域MDA中的多个第三像素PX3中的每一个可以通过中间接触孔MCNT连接到连接布线CL，以接收第二电源电压。在这样的实施例中，位于中间显示区域MDA中的对电极213中的每一个可以通过中间接触孔MCNT连接到连接布线CL。
图22是图示根据替代实施例的显示面板的一部分的放大图。图23是图示根据另一实施例的拐角显示区域CDA的平面图。在图22中，与图5A中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。
参考图22和图23，显示面板的实施例可以包括显示区域和外围区域，并且显示区域可以包括前显示区域FDA、第一侧显示区域SDA1和第二侧显示区域SDA2、拐角显示区域CDA以及中间显示区域MDA。
第一像素PX1可以位于前显示区域FDA中，第二像素PX2可以位于拐角显示区域CDA中，并且第三像素PX3可以位于中间显示区域MDA中。
拐角显示区域CDA可以包括像素布置区域PDA和连接区域CA。第二像素PX2可以位于像素布置区域PDA中。可以在拐角显示区域CDA中提供多个像素布置区域PDA，并且多个像素布置区域PDA可以彼此间隔开。
连接区域CA可以被用于将中间显示区域MDA连接到像素布置区域PDA。在实施例中，连接区域CA可以从中间显示区域MDA以蛇形形状延伸。在一个实施例中，例如，连接区域CA可以包括其延伸方向改变至少两次的方向改变区域。可替代地，连接区域CA可以以正弦曲线形状延伸。
可以在拐角显示区域CDA中提供多个连接区域CA，并且多个连接区域CA可以彼此间隔开。连接布线可以位于连接区域CA中。在一个实施例中，例如，连接布线可以是用于供给电压的电力布线和/或用于将电信号传输到第二像素PX2的信号线。
在实施例中，相邻的连接区域CA可以在像素布置区域PDA彼此间隔开的方向上对称布置。在一个实施例中，例如，第一连接区域CA1和第二连接区域CA2可以从中间显示区域MDA以蛇形形状延伸，并且第一像素布置区域PDA1和第二像素布置区域PDA2中的每一个可以连接到第一连接区域CA1和第二连接区域CA2。在这样的实施例中，相邻的第一连接区域CA1和第二连接区域CA2可以在彼此相邻的第一像素布置区域PDA1和第二像素布置区域PDA2彼此间隔开的方向上对称布置。
相邻的像素布置区域PDA和相邻的连接区域CA可以限定贯穿区域PNA。在实施例中，闭合曲线CC可以在相邻的像素布置区域PDA和相邻的连接区域CA之间限定，并且闭合曲线CC内部的空白空间可以被限定为贯穿区域PNA。在这样的实施例中，像素布置区域PDA、中间显示区域MDA和相邻的连接区域CA可以限定贯穿区域PNA。
在这样的实施例中，因为拐角显示区域CDA包括彼此间隔开的像素布置区域PDA和用于将像素布置区域PDA连接到中间显示区域MDA的连接区域CA，所以拐角显示区域CDA的一部分可以被拉伸，并且同时拐角显示区域CDA的另一部分可以被收缩。
图24是沿着图22的线XXIV-XXIV’截取的截面图。图25是沿着图23的线XXV-XXV’截取的截面图。在图24和图25中，与图10A和图10B中的元件相同的元件用相同的附图标记表示，并且因此将省略其任何重复的详细描述。除了在中间显示区域MDA和拐角显示区域CDA周围提供贯穿区域PNA之外，图24和图25的实施例与图10A和图10B的实施例基本上相同。
参考图24和图25，显示面板的实施例可以包括拐角显示区域CDA和中间显示区域MDA。拐角显示区域CDA可以包括第二薄膜晶体管TFT2和是第二显示元件的第二有机发光二极管OLED2，并且中间显示区域MDA可以包括是第三显示元件的第三有机发光二极管OLED3。
拐角显示区域CDA包括像素布置区域PDA和连接区域，并且连接区域可以被用于将中间显示区域MDA连接到像素布置区域PDA。在这样的实施例中，相邻的像素布置区域PDA和相邻的连接区域可以限定贯穿区域PNA，并且像素布置区域PDA、中间显示区域MDA和相邻的连接区域可以限定贯穿区域PNA。
在这样的实施例中，显示面板可以包括基板100上的凹槽Gv，并且凹槽Gv可以在基板100的厚度方向上凹入。在实施例中，像素布置区域PDA中的凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与贯穿区域PNA之间。在这样的实施例中，中间显示区域MDA中的凹槽Gv可以位于第三有机发光二极管OLED3与贯穿区域PNA之间。
在实施例中，凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。在一个实施例中，例如，像素布置区域PDA中的一个和中间显示区域MDA可以被定位成在它们之间具有贯穿区域PNA。在这样的实施例中，凹槽Gv可以位于像素布置区域PDA中的一个的第二有机发光二极管OLED2与贯穿区域PNA之间。在这样的实施例中，凹槽Gv可以位于中间显示区域MDA的第三有机发光二极管OLED3与贯穿区域PNA之间。因此，凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与第三有机发光二极管OLED3之间。
无机图案层PVX2可以位于第二平坦化层116上。在这样的实施例中，无机图案层PVX2可以位于凹槽Gv的相对侧上，并且可以包括朝向凹槽Gv的中心突出的一对突出尖端PT。
在这样的实施例中，位于无机图案层PVX2上的第一功能层212a、第二功能层212c和对电极213可以被凹槽Gv和突出尖端PT分隔。在这样的实施例中，第一功能层图案212Pa、第二功能层图案212Pc和对电极图案213P可以位于凹槽Gv中。
参考图24，坝状部分DP可以位于中间显示区域MDA的第三有机发光二极管OLED3与贯穿区域PNA之间。在这样的实施例中，坝状部分DP可以位于无机图案层PVX2上方并且可以在基板100的厚度方向上突出。
在实施例中，可以提供多个坝状部分DP和/或多个凹槽Gv。在一个实施例中，例如，坝状部分DP可以包括第一坝状部分DP1-1和第二坝状部分DP2-1，并且凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1-1和第二凹槽Gv2-1。在这种情况下，第一凹槽Gv1-1、第一坝状部分DP1-1、第二凹槽Gv2-1和第二坝状部分DP2-1可以在从中间显示区域MDA到贯穿区域PNA的方向上被顺序地布置。
薄膜封装层TFE可以覆盖第三有机发光二极管OLED3。在这样的实施例中，薄膜封装层TFE可以从第三有机发光二极管OLED3延伸到坝状部分DP。
第一无机封装层310可以完全地并且连续地覆盖中间显示区域MDA。在实施例中，第一无机封装层310可以完全地并且连续地位于凹槽Gv中和坝状部分DP上。在这样的实施例中，第一无机封装层310可以覆盖位于凹槽Gv内部的第一功能层图案212Pa、第二功能层图案212Pc和对电极图案213P。第一无机封装层310可以接触无机图案层PVX2。在实施例中，第一无机封装层310可以接触无机图案层PVX2的突出尖端PT。
在实施例中，第一无机封装层310可以覆盖基板100、缓冲层111、无机绝缘层IIL和第一平坦化层115的面对贯穿区域PNA的侧表面。
有机封装层320可以从第三有机发光二极管OLED3延伸到坝状部分DP，并且可以填充凹槽Gv。在一个实施例中，例如，有机封装层320可以从第三有机发光二极管OLED3延伸到第一坝状部分DP1-1，并且可以填充第一凹槽Gv1-1。在这样的实施例中，有机封装层320可以由第一坝状部分DP1-1和第二坝状部分DP2-1控制。在这种情况下，有机封装层320可以不填充第二凹槽Gv2-1。
像第一无机封装层310一样，第二无机封装层330可以完全地并且连续地覆盖中间显示区域MDA。在实施例中，第二无机封装层330可以接触第一坝状部分DP1-1和第二坝状部分DP2-1上的第一无机封装层310。在这样的实施例中，第二无机封装层330可以接触第二凹槽Gv2-1中的第一无机封装层310。第二无机封装层330可以覆盖基板100、缓冲层111、无机绝缘层IIL和第一平坦化层115的面对贯穿区域PNA的侧表面。
参考图25，像素布置区域PDA的第二有机发光二极管OLED2可以被坝状部分DP和凹槽Gv围绕。在一个实施例中，例如，坝状部分DP和凹槽Gv可以位于第二有机发光二极管OLED2与贯穿区域PNA之间。
在一些实施例中，可以提供多个坝状部分DP和/或多个凹槽Gv。在一个实施例中，例如，凹槽Gv可以包括第一凹槽Gv1-2和第二凹槽Gv2-2。在这样的实施例中，第一凹槽Gv1-2、坝状部分DP和第二凹槽Gv2-2可以在从第二有机发光二极管OLED2到贯穿区域PNA的方向上被顺序地布置。
薄膜封装层TFE可以覆盖第二有机发光二极管OLED2。在这样的实施例中，薄膜封装层TFE可以从第二有机发光二极管OLED2延伸到坝状部分DP。
第一无机封装层310可以完全地并且连续地覆盖像素布置区域PDA。在实施例中，第一无机封装层310可以完全地并且连续地位于凹槽Gv中和坝状部分DP上。在这样的实施例中，第一无机封装层310可以覆盖位于凹槽Gv内部的第一功能层图案212Pa、第二功能层图案212Pc和对电极图案213P。第一无机封装层310可以接触无机图案层PVX2。在实施例中，第一无机封装层310可以接触无机图案层PVX2的突出尖端PT。
在实施例中，第一无机封装层310可以覆盖基板100、缓冲层111、无机绝缘层IIL和第一平坦化层115的面对贯穿区域PNA的侧表面。
有机封装层320可以从第二有机发光二极管OLED2延伸到坝状部分DP，并且可以填充凹槽Gv。在一个实施例中，例如，有机封装层320可以从第二有机发光二极管OLED2延伸到坝状部分DP，并且可以填充第一凹槽Gv1-2。在这样的实施例中，有机封装层320可以由坝状部分DP控制。在这样的实施例中，有机封装层320可以不填充第二凹槽Gv2-2。因此，有机封装层320可以位于每个像素布置区域PDA中，并且中间显示区域MDA的有机封装层320和像素布置区域PDA的有机封装层320可以彼此分隔。
像第一无机封装层310一样，第二无机封装层330可以完全地并且连续地覆盖像素布置区域PDA。在实施例中，第二无机封装层330可以接触坝状部分DP上的第一无机封装层310。在这样的实施例中，第二无机封装层330可以接触第二凹槽Gv2-2中的第一无机封装层310。第二无机封装层330可以覆盖基板100、缓冲层111、无机绝缘层IIL和第一平坦化层115的面对贯穿区域PNA的侧表面。
图26是沿着图23的线XXVI-XXVI’截取的截面图。
参考图26，基板100、缓冲层111、无机绝缘层IIL、第一平坦化层115、第二平坦化层116、下有机绝缘层UOL和连接布线CL可以位于连接区域CA中。在实施例中，连接布线CL可以包括第一连接布线CL1和第二连接布线CL2。第一连接布线CL1和第二连接布线CL2中的每一个可以是用于向像素布置区域施加电信号或者电压的电力布线。连接区域CA的第一连接布线CL1和第二连接布线CL2可以分别连接到位于图25的像素布置区域PDA中的第一连接布线CL1和第二连接布线CL2。
在实施例中，缓冲层111和无机绝缘层IIL可以位于基板100的一部分上，并且下有机绝缘层UOL可以位于基板100的另一部分上。像第一平坦化层115或者第二平坦化层116一样，下有机绝缘层UOL可以包括诸如聚酰亚胺的有机绝缘材料。下有机绝缘层UOL可以减小基板100的边缘部分上的应力。在替代实施例中，可以省略缓冲层111和无机绝缘层IIL，并且下有机绝缘层UOL可以完全地位于基板100上。
第一连接布线CL1可以位于基板100上，并且第一平坦化层115可以覆盖第一连接布线CL1。第二连接布线CL2可以位于第一平坦化层115上，并且第二平坦化层116可以覆盖第二连接布线CL2。
在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括从中间显示区域MDA延伸的多个延伸区域LA。在这样的实施例中，拐角显示区域CDA可以被收缩。在实施例中，拐角显示区域CDA可以包括像素布置区域PDA和连接到像素布置区域PDA的连接区域CA。因此，拐角显示区域CDA的一部分可以被拉伸，并且同时拐角显示区域CDA的另一部分可以被收缩(参见例如图21B、图22和图23)。
根据本文中所阐述的本发明的实施例，可拉伸的和/或可收缩的拐角显示区域被包括在显示面板中，使得显示面板和包括显示面板的显示装置可以具有改进的可靠性。
在这样的实施例中，包括能够显示图像的拐角显示区域，使得非显示区域可以被减小。
本发明不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反，这些实施例被提供使得本公开将是彻底的和完整的，并且将把本发明的构思完全传达给本领域技术人员。
虽然已经参考本发明的实施例具体地示出和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解，可以在其中进行形式和细节上的各种改变而不脱离由所附权利要求限定的本发明的精神或者范围。
Claims (36)
1.一种显示面板，包括：
基板，包括：
前显示区域，其中，第一显示元件在所述前显示区域中；
第一侧显示区域，在第一方向上连接到所述前显示区域；
第二侧显示区域，在与所述第一方向相交的第二方向上连接到所述前显示区域；
拐角显示区域，在所述第一侧显示区域与所述第二侧显示区域之间，其中，所述拐角显示区域至少部分地围绕所述前显示区域，并且第二显示元件在所述拐角显示区域中；和
中间显示区域，在所述前显示区域与所述拐角显示区域之间，其中，第三显示元件在所述中间显示区域中，其中，凹槽被限定在所述基板上并且在所述基板的厚度方向上凹陷；以及
无机图案层，在所述基板上的所述凹槽的相对侧上，
其中，所述无机图案层包括朝向所述凹槽的中心突出的一对突出尖端，
其中，所述凹槽在所述第二显示元件与所述第三显示元件之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述拐角显示区域包括从所述中间显示区域延伸的多个延伸区域，
其中，贯穿部分被限定在相邻的延伸区域之间，并且
其中，所述第二显示元件在所述多个延伸区域中。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述凹槽围绕所述第二显示元件。
4.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
坝状部分，在所述无机图案层上方并且在所述基板的所述厚度方向上突出，
其中，所述坝状部分包括第一坝状部分和第二坝状部分，
其中，所述第一坝状部分围绕所述第二显示元件，并且所述第二坝状部分沿着所述拐角显示区域延伸。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，
所述多个延伸区域中的每一个包括第一延伸区域和在所述第一延伸区域与所述中间显示区域之间的第二延伸区域，
其中，所述多个延伸区域的所述第二延伸区域彼此连接为单一体，并且所述凹槽位于相邻的延伸区域的所述第一坝状部分之间。
6.根据权利要求4所述的显示面板，进一步包括：
第一辅助坝状部分，在所述无机图案层上方并且在所述第二显示元件与所述第一坝状部分之间，并且在所述基板的所述厚度方向上突出，
其中，所述第一坝状部分的厚度大于所述第一辅助坝状部分的厚度。
7.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
平坦化层，位于所述基板上，
其中，所述平坦化层被所述凹槽分隔成拐角平坦化层和中间平坦化层，
其中，所述第二显示元件在所述拐角平坦化层上，并且所述第三显示元件在所述中间平坦化层上。
8.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第三显示元件包括内显示元件和与所述凹槽相邻的外显示元件，
其中，所述外显示元件包括像素电极和对电极，并且
其中，所述像素电极覆盖所述无机图案层的至少一部分。
9.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
平坦化层，在所述基板与所述第三显示元件之间，
其中，所述第三显示元件包括内显示元件和与所述凹槽相邻的外显示元件，并且
其中，所述平坦化层包括所述内显示元件与所述外显示元件之间的凹陷部分。
10.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
连接布线，在所述基板上并且从所述中间显示区域延伸到所述多个延伸区域，
其中，所述第二显示元件包括像素电极、中间层和对电极，并且
其中，所述连接布线和所述对电极在所述多个延伸区域的端部部分处彼此连接。
11.根据权利要求10所述的显示面板，进一步包括：
平坦化层，位于所述连接布线与所述第二显示元件之间，
其中，接触孔被限定为贯穿所述平坦化层以暴露所述连接布线，并且
其中，所述连接布线和所述对电极通过所述接触孔中的像素电极图案彼此连接。
12.根据权利要求2所述的显示面板，进一步包括：
连接布线，在所述基板上并且从所述中间显示区域延伸到所述多个延伸区域，
其中，多个第二显示元件在所述多个延伸区域中的一个中，
其中，所述多个第二显示元件分别包括彼此间隔开的对电极，并且
其中，所述对电极中的每一个连接到所述连接布线。
13.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第三显示元件包括像素电极和对电极，
其中，所述中间显示区域包括第一中间显示区域和位于所述第一中间显示区域与所述拐角显示区域之间的第二中间显示区域，
所述显示面板进一步包括：
连接布线，位于所述中间显示区域中；和
中间凹槽，被限定在所述第一中间显示区域与所述第二中间显示区域之间，
其中，所述第一中间显示区域中的所述第三显示元件的所述对电极和所述第二中间显示区域中的所述第三显示元件的所述对电极中的每一个通过接触孔连接到所述连接布线。
14.根据权利要求2所述的显示面板，其中，
所述第三显示元件包括像素电极和对电极，并且所述第三显示元件在所述中间显示区域中被提供为多个，
所述显示面板进一步包括：
连接布线，在所述中间显示区域中；和
中间凹槽，被限定在所述中间显示区域中以围绕多个所述第三显示元件中的每一个，
其中，所述中间显示区域中的多个所述第三显示元件的对电极通过所述中间凹槽彼此间隔开，并且各自连接到所述连接布线。
15.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述拐角显示区域包括：
像素布置区域，所述第二显示元件位于所述像素布置区域中的每一个中；和
连接区域，将所述像素布置区域连接到所述中间显示区域，
其中，相邻的像素布置区域和相邻的连接区域限定贯穿区域，
其中，所述显示面板进一步包括从所述中间显示区域延伸到所述像素布置区域的连接布线。
16.根据权利要求15所述的显示面板，其中，
所述连接区域从所述中间显示区域以蛇形形状延伸，并且
相邻的连接区域在所述像素布置区域彼此间隔开的方向上对称布置。
17.根据权利要求1所述的显示面板，其中，
所述第二显示元件包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极，
所述中间层包括：
第一功能层，在所述像素电极与所述发射层之间；和
第二功能层，在所述对电极与所述发射层之间，
其中，所述对电极以及选自所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一个被所述一对突出尖端和所述凹槽分隔。
18.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
坝状部分，在所述无机图案层上方并且在所述基板的所述厚度方向上突出；和
薄膜封装层，覆盖所述第二显示元件和所述第三显示元件，其中，所述薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层，
其中，所述薄膜封装层从所述第二显示元件和所述第三显示元件延伸到所述坝状部分，并且所述有机封装层被所述坝状部分分隔。
19.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
无机绝缘层，在所述基板上；
连接布线，在所述无机绝缘层上并且从所述中间显示区域延伸到所述拐角显示区域；
下无机图案层，在所述连接布线上；和
下层，覆盖所述下无机图案层的边缘，其中，孔被限定为贯穿所述下层以与所述下无机图案层相对应，
其中，所述凹槽由所述孔和所述下无机图案层的中心部分限定。
20.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
无机绝缘层，在所述基板上；
连接布线，在所述无机绝缘层上并且从所述中间显示区域延伸到所述拐角显示区域；
下无机层，在所述连接布线上；和
下层，包括第一平坦化层和第二平坦化层，其中，孔被限定为贯穿所述下层以暴露所述下无机层的一部分，
其中，所述凹槽由所述下无机层的所述一部分和所述孔限定。
21.根据权利要求1所述的显示面板，进一步包括：
无机绝缘层，在所述基板上；
连接布线，在所述无机绝缘层上并且从所述中间显示区域延伸到所述拐角显示区域；
金属图案层，在所述连接布线上；和
下层，覆盖所述金属图案层的边缘，其中，孔被限定为贯穿所述下层以与所述金属图案层相对应，
其中，所述凹槽由所述孔和所述金属图案层的中心部分限定。
22.一种显示装置，包括：
显示面板，包括：前显示区域、在所述前显示区域的待弯曲的拐角处的拐角显示区域以及所述前显示区域与所述拐角显示区域之间的中间显示区域，其中，第一显示元件在所述前显示区域中，第二显示元件在所述拐角显示区域中，并且第三显示元件在所述中间显示区域中；和
覆盖窗口，覆盖所述显示面板，
其中，所述拐角显示区域包括从所述中间显示区域延伸的多个延伸区域，
其中，所述第二显示元件在所述多个延伸区域中。
23.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
基板，其中，在所述基板的厚度方向上凹陷的凹槽被限定在所述基板上；和
无机图案层，在所述凹槽的相对侧上并且包括朝向所述凹槽的中心突出的一对突出尖端，
其中，所述凹槽在所述第二显示元件与所述第三显示元件之间。
24.根据权利要求23所述的显示装置，其中，
所述第二显示元件包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极，
其中，所述中间层包括：
第一功能层，在所述像素电极与所述发射层之间；和
第二功能层，在所述对电极与所述发射层之间，并且
其中，所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一个以及所述对电极被所述一对突出尖端和所述凹槽分隔。
25.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述凹槽围绕所述第二显示元件。
26.根据权利要求23所述的显示装置，其中，
所述显示面板进一步包括：
坝状部分，在所述无机图案层上方并且在所述基板的所述厚度方向上突出，
其中，所述坝状部分包括第一坝状部分和第二坝状部分，
其中，所述第一坝状部分围绕所述第二显示元件，并且所述第二坝状部分沿着所述拐角显示区域延伸。
27.根据权利要求26所述的显示装置，其中，
所述显示面板进一步包括：
第一辅助坝状部分，在所述无机图案层上方并且在所述第二显示元件与所述第一坝状部分之间，并且在所述基板的所述厚度方向上突出，
其中，所述第一坝状部分的厚度大于所述第一辅助坝状部分的厚度。
28.根据权利要求23所述的显示装置，其中，所述显示面板进一步包括：
坝状部分，在所述无机图案层上方并且在所述基板的所述厚度方向上突出；和
薄膜封装层，覆盖所述第二显示元件和所述第三显示元件，其中，所述薄膜封装层包括无机封装层和有机封装层，
其中，所述薄膜封装层从所述第二显示元件和所述第三显示元件延伸到所述坝状部分，
其中，所述有机封装层被所述坝状部分分隔。
29.根据权利要求23所述的显示装置，其中，
所述显示面板进一步包括：
连接布线，在所述基板上并且从所述中间显示区域延伸到所述多个延伸区域，
其中，所述第二显示元件包括像素电极、中间层和对电极，
其中，所述连接布线和所述对电极在所述多个延伸区域的端部部分处彼此连接。
30.根据权利要求23所述的显示装置，其中，
所述显示面板进一步包括：
连接布线，在所述基板上并且从所述中间显示区域延伸到所述多个延伸区域，
其中，多个第二显示元件在所述多个延伸区域中的一个中，
其中，所述多个第二显示元件分别包括彼此间隔开的对电极，
其中，所述对电极中的每一个连接到所述连接布线。
31.根据权利要求22所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
第一侧显示区域，在第一方向上连接到所述前显示区域并且以第一曲率半径被弯曲；和
第二侧显示区域，在与所述第一方向相交的第二方向上连接到所述前显示区域，并且以与所述第一曲率半径不同的第二曲率半径被弯曲；
其中，所述拐角显示区域在所述第一侧显示区域与所述第二侧显示区域之间。
32.一种显示装置，包括：
显示面板，包括：前显示区域、在所述前显示区域的待弯曲的拐角处的拐角显示区域以及所述前显示区域与所述拐角显示区域之间的中间显示区域，其中，第一显示元件在所述前显示区域中，第二显示元件在所述拐角显示区域中，并且第三显示元件在所述中间显示区域中；和
覆盖窗口，覆盖所述显示面板，
其中，所述拐角显示区域包括：
像素布置区域，所述第二显示元件在所述像素布置区域中的每一个中；和
连接区域，用于将所述像素布置区域连接到所述中间显示区域，
其中，相邻的像素布置区域和相邻的连接区域限定贯穿区域，
其中，从所述中间显示区域延伸到所述像素布置区域的连接布线在所述连接区域中。
33.根据权利要求32所述的显示装置，其中，
所述连接区域从所述中间显示区域以蛇形形状延伸，并且
相邻的连接区域在所述像素布置区域彼此间隔开的方向上对称布置。
34.根据权利要求32所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
基板，其中，在所述基板的厚度方向上凹陷的凹槽被限定在所述基板上；和
无机图案层，在所述凹槽的相对侧上，其中，所述无机图案层包括朝向所述凹槽的中心突出的一对突出尖端，
其中，所述凹槽在所述第二显示元件与所述贯穿区域之间。
35.根据权利要求34所述的显示装置，其中，
所述第二显示元件包括像素电极、包括发射层的中间层和对电极，
其中，所述中间层包括：
第一功能层，在所述像素电极与所述发射层之间；和
第二功能层，在所述对电极与所述发射层之间，
其中，所述对电极以及选自所述第一功能层和所述第二功能层中的至少一个被所述一对突出尖端和所述凹槽分隔。
36.根据权利要求32所述的显示装置，其中，所述显示面板包括：
第一侧显示区域，在第一方向上连接到所述前显示区域并且以第一曲率半径被弯曲；和
第二侧显示区域，在与所述第一方向相交的第二方向上连接到所述前显示区域，并且以与所述第一曲率半径不同的第二曲率半径被弯曲；
其中，所述拐角显示区域在所述第一侧显示区域与所述第二侧显示区域之间。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20200067863 | 2020-06-04 | ||
| KR10-2020-0067863 | 2020-06-04 | ||
| KR1020200109469A KR20210151634A (ko) | 2020-06-04 | 2020-08-28 | 표시 패널 및 표시 장치 |
| KR10-2020-0109469 | 2020-08-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113764486A true CN113764486A (zh) | 2021-12-07 |
Family
ID=75223040
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110619407.2A Pending CN113764486A (zh) | 2020-06-04 | 2021-06-03 | 显示面板和显示装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11825684B2 (zh) |
| EP (1) | EP3920230A1 (zh) |
| CN (1) | CN113764486A (zh) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111681547B (zh) * | 2020-06-10 | 2022-05-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示屏、装配柔性显示屏的方法及电子设备 |
| CN111682049B (zh) * | 2020-06-19 | 2023-08-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示装置及掩膜版 |
| KR20220007798A (ko) | 2020-07-10 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR20220034278A (ko) * | 2020-09-10 | 2022-03-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 표시 장치, 및 표시 장치의 제조방법 |
| KR20220036404A (ko) * | 2020-09-14 | 2022-03-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 표시 장치 |
| CN112234090B (zh) * | 2020-10-20 | 2024-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| KR20220097772A (ko) * | 2020-12-31 | 2022-07-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 이를 구비한 표시 장치, 및 표시 패널의 제조방법 |
| KR20220140094A (ko) * | 2021-04-08 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널, 표시 장치, 및 표시 장치의 제조방법 |
| KR20230121182A (ko) * | 2022-02-09 | 2023-08-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100667933B1 (ko) | 2004-12-10 | 2007-01-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR101373435B1 (ko) | 2007-03-22 | 2014-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법 |
| CN105116480A (zh) | 2015-10-15 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板、显示面板及显示装置 |
| CN108475489B (zh) * | 2015-12-22 | 2021-08-03 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
| CN107565041B (zh) | 2016-06-30 | 2019-12-31 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| KR102624878B1 (ko) | 2016-06-30 | 2024-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102567958B1 (ko) | 2016-11-10 | 2023-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 표시 장치의 제어 방법, 및 단말 |
| KR102520696B1 (ko) | 2017-06-02 | 2023-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| KR102367971B1 (ko) | 2017-06-16 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 커버 윈도우 및 커버 윈도우를 포함하는 표시 장치 |
| KR102083315B1 (ko) | 2017-09-11 | 2020-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102565936B1 (ko) | 2018-03-26 | 2023-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN108766977B (zh) * | 2018-05-24 | 2021-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板、显示面板及其制备方法 |
| US10541380B1 (en) | 2018-08-30 | 2020-01-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device with substrate comprising an opening and adjacent grooves |
| KR102705784B1 (ko) * | 2018-11-27 | 2024-09-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102669067B1 (ko) | 2019-04-29 | 2024-05-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
-
2021
- 2021-01-13 US US17/147,786 patent/US11825684B2/en active Active
- 2021-03-24 EP EP21164532.0A patent/EP3920230A1/en active Pending
- 2021-06-03 CN CN202110619407.2A patent/CN113764486A/zh active Pending
-
2023
- 2023-10-16 US US18/380,379 patent/US20240040826A1/en active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20210384465A1 (en) | 2021-12-09 |
| US20240040826A1 (en) | 2024-02-01 |
| US11825684B2 (en) | 2023-11-21 |
| EP3920230A1 (en) | 2021-12-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP3920230A1 (en) | Display panel | |
| US11683951B2 (en) | Display panel and display device | |
| US11678537B2 (en) | Display apparatus | |
| US11895862B2 (en) | Display device having a display panel with a bent corner display area, and method of manufacturing the display device | |
| US20240023390A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| US20230147646A1 (en) | Display panel and display device | |
| KR20220064479A (ko) | 디스플레이 패널 및 이를 구비하는 디스플레이 장치 | |
| US20240244944A1 (en) | Display panel, display apparatus, and method of manufacturing display apparatus | |
| US20220328590A1 (en) | Display panel and display device | |
| KR20210151634A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
| US11985868B2 (en) | Display apparatus | |
| US20230134423A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| US20230006174A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| US20240179974A1 (en) | Bending area structure of display apparatus and method of providing the same | |
| US20240276770A1 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US20230292583A1 (en) | Display panel and display device | |
| US20230034664A1 (en) | Display panel and display device | |
| US20240040900A1 (en) | Display panel and display apparatus | |
| KR20230022375A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
| KR20230050548A (ko) | 표시 패널 및 표시 장치 | |
| KR20240144597A (ko) | 표시 장치 | |
| CN118695679A (zh) | 显示设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |