CN113763865A - 一种新型闸极驱动电路及其使用方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种新型闸极驱动电路及其使用方法，包括VGL、TFT器件、CK、G（n）、G（n‑4）、G（n+4）、C1和闸级电路，闸级电路包括一个T10器件，一个C2电容器件以及BCK输入讯号，所述T10器件分别连接于BCK输入讯号、C2电容器件和G（n），所述C2电容器件和G（n）并联于C1，所述C1连接于T4，所述T4连接于CK；所述BCK输入讯号的低准位为VGL，高准位为VBCK，周期与CK相同，BCK输入讯号的高准位占空比小于CK的高准位占空比。本发明通过新闸级电路的工作，我们可以得到更高准位的闸级电压，从而提高显示区TFT的开态电流，改善面内画素充电。可改善或提高面板显示区域画素充电，以改善因面内画素充电不足而导致的一系列显示问题。

Description

一种新型闸极驱动电路及其使用方法
技术领域
本发明属于闸极驱动电路技术领域，具体涉及一种新型闸极驱动电路及其使用方法。
背景技术
随着时代发展，人们对显示面板需求和规格要求越来越高，而近年来，人们对面板刷新率规格的提升需求也越发强烈，但是面板刷新率越高，导致面内画素充电的时间越短，然而当面板的规格，如解析度，刷新率等参数确定时，充电时间即可视为定量，无法再做更改，为此，我们提出一种新型闸极驱动电路及其使用方法，以改善高刷新率面板画素充电不足的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新型闸极驱动电路及其使用方法，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种新型闸极驱动电路，包括VGL、TFT器件、CK、G（n）、G（n-4）、G（n+4）、C1和闸级电路，TFT器件包括T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9；
所述VGL通过T2连接于T1，所述T1连接于G（n-4）和FW，所述VGL通过T3连接于T7，所述T7连接于G（n+4）和BW，所述VGL通过T9分别连接于T8和CKB，所述T8连接于CK，所述VGL连接于T5和T6，所述T6连接于T2和T3之间，所述T5通过T4连接于CKB以及T1和T2之间；
所述闸级电路包括一个T10器件，一个C2电容器件以及BCK输入讯号，所述T10器件分别连接于BCK输入讯号、C2电容器件和G（n），所述C2电容器件和G（n）并联于C1，所述C1连接于T4，所述T4连接于CK；
所述BCK输入讯号的低准位为VGL，高准位为VBCK，周期与CK相同，BCK输入讯号的高准位占空比小于CK的高准位占空比。
所述VGL为低电平，且为闸级电路的输入信号。
所述CK为时钟信号，且为闸级电路的输入信号
所述C1、C2电容器件为电容。
所述G（n）、G（n-4）、G（n+4）为闸级电路输出的级传信号，用于控制面内像素TFT。
一种新型闸极驱动电路的使用方法，具体包括以下步骤：
S1、当闸级电路的T4开启后，阶段①开始，CK讯号输入至G（n）,此时G（n）会逐渐输出和CK同电压的讯号，而当G（n）电压准位达到和CK一样时，开始准备进入第二阶段；
S2、阶段②开始时，因G（n）电压准位与CK相同，所以T10开启，T10开启后，BCK讯号由低准位转至高准位，通过电容C2对G（n）讯号进行耦合效应，通过BCK对G（n）讯号的耦合,G（n）会实现输出更高准位的电压，理论上可达到（VGH+V1）, V1等于VBCK和VGL间的差值；
通过新闸级电路的工作，可以得到更高准位的闸级电压，从而提高显示区TFT的开态电流，改善面内画素充电。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明提供的一种新型闸极驱动电路及其使用方法，本发明通过新闸级电路的工作，我们可以得到更高准位的闸级电压，从而提高显示区TFT的开态电流，改善面内画素充电。可改善或提高面板显示区域画素充电，以改善因面内画素充电不足而导致的一系列显示问题。
附图说明
图1为原始栅极驱动示意图；
图2为图1中原始栅极驱动时序；
图3为画素充电电路示意图；
图4为本发明一种新型闸极驱动电路的示意图；
图5为本发明一种新型闸极驱动电路的驱动时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
传统闸级电路设计中，显示区域的闸级电压为在T4器件开启后，当前闸级CK讯号经过T4器件后变为了闸级输出讯号，通常称为Gout或者G（n）,以传统闸级电路为例，其电路图及驱动时序如图1和图2。
在这种电路的驱动时，G（n）输出的波形为一个的简单的方波（如图2中G（n）波形）,其方波的时长和电压准位均与CK讯号相同。由于面板的充电时间是固定的，为改善显示区画素充电效果，我们要提高的闸级输出电压，才何以获得更高TFT器件开态电流（Ion），增大画素的充电率，以改善面内画素充电效果，因此本发明提供了如图3-5的一种新型闸极驱动电路，包括VGL、TFT器件、CK、G（n）、G（n-4）、G（n+4）、C1和闸级电路，TFT器件包括T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9；
所述VGL通过T2连接于T1，所述T1连接于G（n-4）和FW，所述VGL通过T3连接于T7，所述T7连接于G（n+4）和BW，所述VGL通过T9分别连接于T8和CKB，所述T8连接于CK，所述VGL连接于T5和T6，所述T6连接于T2和T3之间，所述T5通过T4连接于CKB以及T1和T2之间；
所述闸级电路包括一个T10器件，一个C2电容器件以及BCK输入讯号，所述T10器件分别连接于BCK输入讯号、C2电容器件和G（n），所述C2电容器件和G（n）并联于C1，所述C1连接于T4，所述T4连接于CK；
所述BCK输入讯号的低准位为VGL，高准位为VBCK，周期与CK相同，BCK输入讯号的高准位占空比小于CK的高准位占空比。
所述VGL为低电平，且为闸级电路的输入信号。
所述CK为时钟信号，且为闸级电路的输入信号
所述C1、C2电容器件为电容。
所述G（n）、G（n-4）、G（n+4）为闸级电路输出的级传信号，用于控制面内像素TFT。
如图4所示，在电路上引入一个T10器件，一个C2电容器件以及BCK输入讯号，形成一种新型闸级电路，此电路可以用于在提高G（n）的输出方波的电压，从而使得TFT获得的更高的开态电流，以改善面内画素充电问题。
在如图4所示电路中BCK讯号的低准位为VGL，高准位为VBCK（通常要大于0V），周期与CK相同，但BCK高准位占空比要小于CK的高准位占空比，驱动时序图如图5所示；
一种新型闸极驱动电路的使用方法，具体包括以下步骤：
S1、当闸级电路的T4开启后，阶段①开始，CK讯号输入至G（n）,此时G（n）会逐渐输出和CK同电压的讯号，而当G（n）电压准位达到和CK一样时，开始准备进入第二阶段；
S2、阶段②开始时，因G（n）电压准位与CK相同，所以T10开启，T10开启后，BCK讯号由低准位转至高准位，通过电容C2对G（n）讯号进行耦合效应，通过BCK对G（n）讯号的耦合,G（n）会实现输出更高准位的电压，理论上可达到（VGH+V1）, V1等于VBCK和VGL间的差值；
通过新闸级电路的工作，可以得到更高准位的闸级电压，从而提高显示区TFT的开态电流，改善面内画素充电。
综上所述，与现有技术相比，本发明通过新闸级电路的工作，我们可以得到更高准位的闸级电压，从而提高显示区TFT的开态电流，改善面内画素充电。可改善或提高面板显示区域画素充电，以改善因面内画素充电不足而导致的一系列显示问题。
最后应说明的是：以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (6)

1.一种新型闸极驱动电路，包括VGL、TFT器件、CK、G（n）、G（n-4）、G（n+4）、C1和闸级电路，其特征在于：TFT器件包括T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8和T9；
所述VGL通过T2连接于T1，所述T1连接于G（n-4）和FW，所述VGL通过T3连接于T7，所述T7连接于G（n+4）和BW，所述VGL通过T9分别连接于T8和CKB，所述T8连接于CK，所述VGL连接于T5和T6，所述T6连接于T2和T3之间，所述T5通过T4连接于CKB以及T1和T2之间；
所述闸级电路包括一个T10器件，一个C2电容器件以及BCK输入讯号，所述T10器件分别连接于BCK输入讯号、C2电容器件和G（n），所述C2电容器件和G（n）并联于C1，所述C1连接于T4，所述T4连接于CK；
所述BCK输入讯号的低准位为VGL，高准位为VBCK，周期与CK相同，BCK输入讯号的高准位占空比小于CK的高准位占空比。
2.根据权利要求1所述的一种新型闸极驱动电路，其特征在于：所述VGL为低电平，且为闸级电路的输入信号。
3.根据权利要求1所述的一种新型闸极驱动电路，其特征在于：所述CK为时钟信号，且为闸级电路的输入信号。
4.根据权利要求1所述的一种新型闸极驱动电路，其特征在于：所述C1、C2电容器件为电容。
5.根据权利要求1所述的一种新型闸极驱动电路，其特征在于：所述G（n）、G（n-4）、G（n+4）为闸级电路输出的级传信号，用于控制面内像素TFT。
6.一种权利要求1-5任意一项所述的新型闸极驱动电路的使用方法，其特征在于：具体包括以下步骤：
S1、当闸级电路的T4开启后，阶段①开始，CK讯号输入至G（n）,此时G（n）会逐渐输出和CK同电压的讯号，而当G（n）电压准位达到和CK一样时，开始准备进入第二阶段；
S2、阶段②开始时，因G（n）电压准位与CK相同，所以T10开启，T10开启后，BCK讯号由低准位转至高准位，通过电容C2对G（n）讯号进行耦合效应，通过BCK对G（n）讯号的耦合,G（n）会实现输出更高准位的电压，理论上可达到（VGH+V1）, V1等于VBCK和VGL间的差值。
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