CN113760030B - 应用于ldo的动态偏置电路及使用该动态偏置电路的ldo - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种应用于LDO的动态偏置电路，包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块、自适应瞬态偏置电流产生模块以及偏置电压产生模块；自适应稳态偏置电流产生模块提供自适应稳态偏置电流，自适应稳态偏置电流可以根据负载电流的大小，自适应调整环路的偏置电流；自适应瞬态偏置电流产生模块提供自适应瞬态偏置电流，通过应用瞬态检测技术，使负载跳变瞬间消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。本发明还公开了一种应用动态偏置电路的LDO，通过动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管M_Power、补偿电容C_m、电容C_L和电阻R_L等模块的连接，增强了瞬态特性，使LDO可以在保持低功耗的同时高性能地应对不同的负载情况。

Description

应用于LDO的动态偏置电路及使用该动态偏置电路的LDO

技术领域

本发明涉及模拟集成电路设计技术领域，具体为一种应用于LDO的动态偏置电路及使用该动态偏置电路的LDO。

背景技术

先进的便携式电子设备，如智能手环、笔记本电脑等通常内部都包含不同的电路模块，如模拟模块、数字模块、射频模块以及接口电路模块等，不同的模块需要的供电电压不同，因此，这些设备中通常都会集成一个特定的电源管理单元，专门为不同的模块提供稳定、干净的电压。特别的，低压差线性稳压器由于其噪声低、纹波小的特点广泛应用与各种电子设备。作为集成在便携式电子设备内部的电源模块，为了缩小芯片制作成本、使产品更加精巧便携，设计的LDO(低压差线性稳压器)往往需要具备面积小的特点，因此本设计采用无片外电容LDO。此外，便携式电子产品通常使电池供电，为了提高电池使用寿命，还需设计的LDO消耗尽量低的静态功耗。

LDO的大信号和小信号瞬态响应速度分别与压摆率和环路带宽成正比，而想要提高环路带宽和压摆率又需要增大电路的静态功耗。因此，如何解决好低功耗和快速瞬态响应之间的矛盾是本领域的一个难题。

公开号为CN111880596A公开了一种应用于超低静态电流LDO的动态偏置电路，该专利虽然通过设置动态电流的上下限，解决了超低静态电流LDO的动态偏置问题，实现了空载时的低静态电流的偏置和重载时偏置电流可控；但仍然存在上述缺陷。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于：解决LDO设计中低功耗和快速瞬态响应之间的矛盾。

为解决上述技术问题，本发明提供如下技术方案：

一种应用于LDO的动态偏置电路，包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块和偏置电压产生模块；

所述恒定偏置电流产生模块包括PMOS管M_A1、M_A2、M_A3、M_A4，NMOS管M_A5、M_A6、M_A7、M_A8和电流源I_B；所述自适应稳态偏置电流产生模块包括NMOS管M_B1、M_B2、M_B3；所述偏置电压产生模块包括PMOS管M_D；

所述电源电压VIN分别接所述电流源I_B的一端、所述NMOS管M_B1的漏极、所述PMOS管M_A4、所述PMOS管M_D、PMOS管M_A1、PMOS管M_A2的源极；

所述电流源I_B的另一端接所述NMOS管M_A7的栅极和漏极，所述NMOS管M_A7的栅极接所述NMOS管M_B3和所述NMOS管M_A8的栅极；

所述NMOS管M_B1的栅极接功率管栅极V_X，源极接所述NMOS管M_B3的漏极和所述NMOS管M_B2的栅极；

所述PMOS管M_A4的栅极接PMOS管M_A2的栅极，漏极接所述NMOS管M_A8的漏极，且所述PMOS管M_A4的栅极和漏极连接；

所述PMOS管M_D管的栅极和漏极连接作为输出端V_B，漏极还接所述PMOS管M_A1的漏极和所述NMOS管M_B2的漏极；

所述PMOS管M_A1的栅极接使能端EN，漏极接所述NMOS管M_A5的漏极，所述NMOS管M_A5的栅极接所述NMOS管M_A6的栅极和漏极；

所述PMOS管M_A2的漏极接所述PMOS管M_A3的漏极，所述PMOS管M_A3的栅极接使能端EN，源极接NMOS管M_A6的漏极；

所述NMOS管M_A5、所述NMOS管M_A6、所述NMOS管M_A7、所述NMOS管M_A8、所述NMOS管M_B2、所述NMOS管M_B3的源极均接地。

优点：本发明通过设置恒定偏置电流产生模块提供一路恒定偏置电流；还设置有自适应稳态偏置电流产生模块提供一路自适应稳态偏置电流，能自适应调节控制环路的偏置电流，在静态或者小负载电流的情况下保持较小的静态电流来降低功耗，在大负载电流的情况下提高偏置电流来提高环路带宽，从而提高瞬态响应速率。

优选地，还包括自适应瞬态偏置电流产生模块，所述自适应瞬态偏置电流产生模块包括NMOS管M_C1、M_C2、M_C3、M_C4、M_C5，PMOS管M_C6、M_C7、M_C8、电容C₁和电容C₂；

所述电源电压VIN接所述PMOS管M_C6和所述PMOS管M_C7的源极；

所述PMOS管M_C6的栅极接所述PMOS管M_C7的栅极和漏极；所述PMOS管M_C8的栅极接所述PMOS管M_C6的栅极，漏极通过电容C2接所述PMOS管M_C6的栅极，源极接所述PMOS管M_C7的漏极；

所述PMOS管M_C6的漏极接所述NMOS管M_C1的栅极和漏极，所述NMOS管M_C1的栅极接所述NMOS管M_C2的栅极，所述NMOS管M_C2的漏极接所述NMOS管M_C4和所述NMOS管M_B2的漏极，所述NMOS管M_C4的栅极接所述NMOS管M_C3的栅极和漏极、所述NMOS管M_C5的栅极，并通过电容C1接所述NMOS管M_C5的漏极，所述NMOS管M_C5的源极接所述NMOS管M_C3的漏极；

所述NMOS管M_C1、所述NMOS管M_C2、所述NMOS管M_C3、所述NMOS管M_C4的源极均接地。

优点：所述自适应瞬态偏置电流产生模块，在负载发生跳变时，通过应用瞬态检测技术，使负载跳变瞬间消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。而当负载稳定，电路也稳定时，其提供的偏置电流值极低，接近于零。

本发明还公开了一种应用该动态偏置电路的LDO，包括动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管M_Power、补偿电容C_m、电容C_L和电阻R_L，所述动态偏置电路的输入端接基准电流I_BIAS流，输出端接所述推挽放大器的V_B端，所述推挽放大器的同相输入端通过反馈网络接输出端V_out，反相输入端接基准电压V_ref，输出端接所述功率调整管M_Power的栅极，所述功率调整管M_Power的漏极接输入端V_IN，源极接输出端V_out，所述补偿电容C_m的一端接所述推挽放大器的输出端，另一端接地，所述电容C_L和所述电阻R_L的一端接输出端V_out，另一端接地。

优选地，所述推挽放大器包括PMOS管M₁、M₄、M₆、M₈、M₁₁、M₁₂，NMOS管M₂、M₃、M₅、M₇、M₉、M₁₀、M₁₃、M₁₄；

输入端V_IN接所述PMOS管M₁、所述PMOS管M₄、所述PMOS管M₆、所述PMOS管M₈、所述PMOS管M₁₁、所述PMOS管M₁₂的源极；

所述PMOS管M₁₂的栅极接所述PMOS管M₄的栅极和漏极，漏极接所述NMOS管M₁₄的栅极和漏极；

所述PMOS管M₁₁的栅极接所述PMOS管M₆的栅极和漏极，漏极接所述NMOS管M₁₃的栅极和漏极；所述PMOS管M₁₁的漏极为所述推挽放大器的输出端；

所述PMOS管M₄的漏极接所述NMOS管M₅的漏极，所述NMOS管M₅的源极接所述NMOS管M₂的源极和所述NMOS管M₃的漏极，所述NMOS管M₂的漏极接所述PMOS管M₁的漏极和所述NMOS管M₃的栅极；

所述PMOS管M₆的漏极接所述NMOS管M₇的漏极，所述NMOS管M₇的源极接所述NMOS管M₉的源极和所述NMOS管M₁₀的漏极，所述NMOS管M₉的漏极接所述PMOS管M₈的漏极和所述NMOS管M₁₀的栅极；

所述NMOS管M₅和所述NMOS管M₉的栅极为所述推挽放大器的同相输入端，所述NMOS管M₂和所述NMOS管M₇的栅极为所述推挽放大器的反相输入端；

所述PMOS管M₃、所述PMOS管M₁₀、所述PMOS管M₁₃、所述PMOS管M₁₄的源极接地。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

(1)本发明通过同时检测与负载相关的动态电流和与瞬态相关的动态电流，实时调节偏置电压的大小，使轻载时功耗更低，实现了低功耗设计，也使负载跳变瞬间LDO消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。实现了无片外电容LDO的低功耗和快速瞬态响应的设计。

(2)本发明通过设置恒定偏置电流产生模块提供一路恒定偏置电流；还设置有自适应稳态偏置电流产生模块提供一路自适应稳态偏置电流，能自适应调节控制环路的偏置电流，在静态或者小负载电流的情况下保持较小的静态电流来降低功耗，在大负载电流的情况下提高偏置电流来提高环路带宽，从而提高瞬态响应速率。

(3)本发明还增设自适应瞬态偏置电流产生模块提供一路瞬态偏置电流。在负载发生跳变时，其提供的偏置电流值瞬间增大，误差放放大器偏置电流瞬间增大，从而极大地提高LDO瞬态时的性能。而当负载稳定，电路也稳定时，其提供的偏置电流值极低，接近于零。

附图说明

图1为本发明的实施例一的电路原理图；

图2为本发明的实施例一的三种偏置电流瞬态响应功能图；

图3为本发明的实施例二的结构示意图；

图4为本发明的实施例二的推挽放大器的电路原理图；

图5为本发明的实施例二与传统偏置的LDO的性能对比图。

具体实施方式

为便于本领域技术人员理解本发明技术方案，现结合说明书附图对本发明技术方案做进一步的说明。

术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

实施例一

参阅图1，本实施例公开了一种应用于LDO动态偏置电路，包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块、自适应瞬态偏置电流产生模块和偏置电压产生模块；

偏置电压产生模块包括PMOS管M_D，PMOS管M_D源极接电源电压VIN，栅极和漏极连接作为输出端V_B，漏极还接PMOS管M_A1的漏极和NMOS管M_B2的漏极。

偏置电压产生模块能将输入的不同类型的偏置电流转换成偏置电压从输出端V_B输出。

恒定偏置电流产生模块包括PMOS管M_A1、M_A2、M_A3、M_A4，NMOS管M_A5、M_A6、M_A7、M_A8和电流源I_B。

电流源I_B的一端接电源电压VIN,电流源I_B的另一端接NMOS管M_A7的栅极和漏极,PMOS管M_A4、PMOS管M_A1和PMOS管M_A2的源极接电源电压VIN，NMOS管M_A7的栅极接NMOS管M_A8的栅极；PMOS管M_A4的栅极接PMOS管M_A2的栅极，漏极接NMOS管M_A8的漏极，且PMOS管M_A4的栅极和漏极连接；PMOS管M_A1的栅极接使能端EN，漏极接NMOS管M_A5的漏极，NMOS管M_A5的栅极接NMOS管M_A6的栅极和漏极；PMOS管M_A2的漏极接PMOS管M_A3的漏极，PMOS管M_A3的栅极接使能端EN，源极接NMOS管M_A6的漏极；NMOS管M_A5、NMOS管M_A6、NMOS管M_A7、NMOS管M_A8的源极均接地。

恒定偏置电流产生模块为偏置电压产生模块提供固定的恒定偏置电流I_B1，由于PMOS管M_A1和M_A3的栅极接使能端EN，从而接收使能信号。当使能信号高时，电流能够正常工作；当使能信号低时，电路闭合，此时从偏置电压产生模块的输出端V_B输出的电压近似等于电源电压，偏置电流接近于零。

自适应稳态偏置电流产生模块包括NMOS管M_B1、M_B2、M_B3；NMOS管M_B1的漏极接电源电压VIN，栅极接功率管栅极V_X，源极接NMOS管M_B3的漏极和NMOS管M_B2的栅极；NMOS管M_B3的栅极接NMOS管M_A7的栅极，NMOS管M_B2和NMOS管M_B3的源极接地。

自适应稳态偏置电流产生模块为偏置电压产生模块提供自适应稳态偏置电流I_B2，自适应稳态偏置电流产生模块的电流是与负载相关的动态电流，且自适应稳态偏置电流I_B2与负载电流正相关。由于功率管的栅极V_X的电压在不同负载下是不同的，所以功率管的栅极电压包含了负载电流的信息。通过检测栅极V_X的电压并以此调整误差放大器的偏置电流，从而可以实现根据负载电流调整自适应稳态偏置电流I_B2。当功率管的栅极电压较小时，NMOS管M_B1的栅极电压较低，因此自适应稳态偏置电流I_B2较低。当功率管的栅极电压较大时，NMOS管M_B1的栅极电压较高，自适应稳态偏置电流I_B2较大。

因此，电路可以在静态或者小负载电流的情况下保持小的静态电流来降低功耗，在大负载电流的情况下提高偏置电流来提高偏置电流来提高环路带宽，进而提高瞬态响应速率。同时NMOS管M_B1的作用是降低NMOS管M_B2的栅极电压，避免大输入信号引起的大静态电压。

自适应瞬态偏置电流产生模块包括NMOS管M_C1、M_C2、M_C3、M_C4、M_C5，PMOS管M_C6、M_C7、M_C8、电容C₁和电容C₂；电源电压VIN接PMOS管M_C6和PMOS管M_C7的源极；PMOS管M_C6的栅极接PMOS管M_C7的栅极和漏极；PMOS管M_C8的栅极接PMOS管M_C6的栅极，漏极通过电容C2接PMOS管M_C6的栅极，源极接PMOS管M_C7的漏极；PMOS管M_C6的漏极接NMOS管M_C1的栅极和漏极，NMOS管M_C1的栅极接NMOS管M_C2的栅极，NMOS管M_C2的漏极接NMOS管M_C4和NMOS管M_B2的漏极，NMOS管M_C4的栅极接NMOS管M_C3的栅极和漏极、NMOS管M_C5的栅极，并通过电容C1接NMOS管M_C5的漏极，NMOS管M_C5的源极接NMOS管M_C3的漏极；NMOS管M_C1、NMOS管M_C2、NMOS管M_C3、NMOS管M_C4的源极均接地。

其中，电压V₁为PMOS管M_C8的漏极处的电压，电压V₂为NMOS管M_C5的漏极处的电压。

自适应瞬态偏置电流产生模块为偏置电压产生模块提供自适应瞬态偏置电流I_B3，自适应瞬态偏置电流I_B3是与瞬态相关的动态电流，其作用是在负载发生跳变时使推挽放大器偏置电流值更大。

当负载电流突然减小时，电压V₂也随之增大，使NMOS管M_C4导通，从而使自适应瞬态偏置电流I_B3增大；当负载电流突然增大时，电压V₁也突然减小，使PMOS管M_C6导通，通过PMOS管M_C6的电流流入PMOS管M_D，则自适应瞬态偏置电流I_B3增大。而当负载稳定时，电路也稳定，其提供的偏置电流值极低，接近于零。

因此自适应瞬态偏置电流产生模块在负载发生跳变时，通过应用瞬态检测技术，使负载跳变瞬间消耗更多电流，提升了瞬态时的性能。

当负载电流在200uA之间20mA跳变时，恒定偏置电流I_B1、自适应稳态偏置电流I_B2和自适应瞬态偏置电流I_B3的瞬态响应波形图如图2所示：

恒定偏置电流I_B1除了在负载跳变瞬间有轻微波动外，保持恒定；自适应稳态偏置电流I_B2，在大负载时提供大偏置电流，在小负载时提供小偏置电流，能够实现根据负载电流自适应调节功能；自适应瞬态偏置电流I_B3，在负载跳变瞬间提供更多偏置电流，此外，提供的偏置电流接近于零。

本实施例的工作原理如下：PMOS管M_D将流入的电流转换成偏置电压从输出端V_B输出，在本实施例中，有三股电流流入PMOS管M_D中，分别是由恒定偏置电流产生模块送出的恒定偏置电流I_B1、自适应稳态偏置电流产生模块送出的自适应稳态偏置电流I_B2和自适应瞬态偏置电流产生模块送出的自适应瞬态偏置电流I_B3。且后两股电流是动态的。

实施例二

参阅图3，本实施例公开了一种应用实施例一的动态偏置电路的电容LDO，包括动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管M_Power、补偿电容C_m、电容C_L和电阻R_L，动态偏置电路为增强型动态偏置电路，增强型动态偏置电路的输入端接基准电流I_BIAS流，输出端接推挽放大器的V_B端，推挽放大器的同相输入端通过反馈网络接输出端V_out，反相输入端接基准电压V_ref，输出端接功率调整管M_Power的栅极，功率调整管M_Power的漏极接输入端V_IN，源极接输出端V_out，补偿电容C_m的一端接推挽放大器的输出端，另一端接地，电容C_L和电阻R_L的一端接输出端V_out，另一端接地。

参阅图4，推挽放大器包括PMOS管M₁、M₄、M₆、M₈、M₁₁、M₁₂，NMOS管M₂、M₃、M₅、M₇、M₉、M₁₀、M₁₃、M₁₄。

输入端V_IN接PMOS管M₁、PMOS管M₄、PMOS管M₆、PMOS管M₈、PMOS管M₁₁、PMOS管M₁₂的源极；PMOS管M₁₂的栅极接PMOS管M₄的栅极和漏极，漏极接NMOS管M₁₄的栅极和漏极；PMOS管M₁₁的栅极接PMOS管M₆的栅极和漏极，漏极接NMOS管M₁₃的栅极和漏极；PMOS管M₁₁的漏极为推挽放大器的输出端；PMOS管M₄的漏极接NMOS管M₅的漏极，NMOS管M₅的源极接NMOS管M₂的源极和NMOS管M₃的漏极，NMOS管M₂的漏极接PMOS管M₁的漏极和NMOS管M₃的栅极；PMOS管M₆的漏极接NMOS管M₇的漏极，NMOS管M₇的源极接NMOS管M₉的源极和NMOS管M₁₀的漏极，NMOS管M₉的漏极接PMOS管M₈的漏极和NMOS管M₁₀的栅极；NMOS管M₅和NMOS管M₉的栅极为推挽放大器的同相输入端，NMOS管M₂和NMOS管M₇的栅极为推挽放大器的反相输入端；PMOS管M₃、PMOS管M₁₀、PMOS管M₁₃、PMOS管M₁₄的源极接地。

本实施例的LDO的电路采用全反馈的方式，不仅增加了整个环路的带宽，也提高了输出电压的精度。

图5为本实施例采用的动态偏置电路设计的LDO与传统偏置的LDO的瞬态响应特性对比图，其中实线为本实施例的动态偏置电路设计的LDO的瞬态响应曲线，虚线为传统偏置的LDO的瞬态响应曲线；从图5可知，本实施例的动态偏置电路设计的LDO的瞬态特性相较于传统偏置的LDO得到大大提升。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内，不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。

以上所述实施例仅表示发明的实施方式，本发明的保护范围不仅局限于上述实施例，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明保护范围。

Claims (4)

1.一种应用于LDO的动态偏置电路，其特征在于：包括恒定偏置电流产生模块、自适应稳态偏置电流产生模块和偏置电压产生模块；

所述恒定偏置电流产生模块包括PMOS管M_A1、M_A2、M_A3、M_A4，NMOS管M_A5、M_A6、M_A7、M_A8和电流源I_B；所述自适应稳态偏置电流产生模块包括NMOS管M_B1、M_B2、M_B3；所述偏置电压产生模块包括PMOS管M_D；

电源电压VIN分别接所述电流源I_B的一端、所述NMOS管M_B1的漏极、所述PMOS管M_A4、所述PMOS管M_D、PMOS管M_A1、PMOS管M_A2的源极；

所述电流源I_B的另一端接所述NMOS管M_A7的栅极和漏极，所述NMOS管M_A7的栅极接所述NMOS管M_B3和所述NMOS管M_A8的栅极；

所述NMOS管M_B1的栅极接功率管栅极V_X，源极接所述NMOS管M_B3的漏极和所述NMOS管M_B2的栅极；

所述PMOS管M_A4的栅极接PMOS管M_A2的栅极，漏极接所述NMOS管M_A8的漏极，且所述PMOS管M_A4的栅极和漏极连接；

所述PMOS管M_D管的栅极和漏极连接作为输出端V_B，漏极还接所述PMOS管M_A1的漏极和所述NMOS管M_B2的漏极；

所述PMOS管M_A1的栅极接使能端EN，漏极接所述NMOS管M_A5的漏极；

所述NMOS管M_A5的栅极接所述NMOS管M_A6的栅极和漏极；

所述PMOS管M_A2的漏极接所述PMOS管M_A3的漏极；

所述PMOS管M_A3的栅极接使能端EN，源极接NMOS管M_A6的漏极；

所述NMOS管M_A5、所述NMOS管M_A6、所述NMOS管M_A7、所述NMOS管M_A8、所述NMOS管M_B2、所述NMOS管M_B3的源极均接地。

2.根据权利要求1所述的应用于LDO的动态偏置电路，其特征在于：还包括自适应瞬态偏置电流产生模块，所述自适应瞬态偏置电流产生模块包括NMOS管M_C1、M_C2、M_C3、M_C4、M_C5，PMOS管M_C6、M_C7、M_C8、电容C₁和电容C₂；

所述电源电压VIN接所述PMOS管M_C6和所述PMOS管M_C7的源极；

所述PMOS管M_C6的栅极接所述PMOS管M_C7的栅极和漏极；所述PMOS管M_C8的栅极接所述PMOS管M_C6的栅极，漏极通过电容C2接所述PMOS管M_C6的栅极，源极接所述PMOS管M_C7的漏极；

所述PMOS管M_C6的漏极接所述NMOS管M_C1的栅极和漏极，所述NMOS管M_C1的栅极接所述NMOS管M_C2的栅极，所述NMOS管M_C2的漏极接所述NMOS管M_C4和所述NMOS管M_B2的漏极，所述NMOS管M_C4的栅极接所述NMOS管M_C3的栅极和漏极、所述NMOS管M_C5的栅极，并通过电容C1接所述NMOS管M_C5的漏极，所述NMOS管M_C5的源极接所述NMOS管M_C3的漏极；

所述NMOS管M_C1、所述NMOS管M_C2、所述NMOS管M_C3、所述NMOS管M_C4的源极均接地。

3.一种应用权利要求1或2所述的动态偏置电路的LDO，其特征在于：包括动态偏置电路、推挽放大器、功率调整管M_Power、补偿电容C_m、电容C_L和电阻R_L，所述动态偏置电路的输入端接基准电流I_BIAS，输出端接所述推挽放大器的V_B端，所述推挽放大器的同相输入端通过反馈网络接输出端V_out，反相输入端接基准电压V_ref，输出端接所述功率调整管M_Power的栅极，所述功率调整管M_Power的漏极接输入端V_IN，源极接输出端V_out，所述补偿电容C_m的一端接所述推挽放大器的输出端，另一端接地，所述电容C_L和所述电阻R_L的一端接输出端V_out，另一端接地。

4.根据权利要求3所述的LDO，其特征在于：所述推挽放大器包括PMOS管M₁、M₄、M₆、M₈、M₁₁、M₁₂，NMOS管M₂、M₃、M₅、M₇、M₉、M₁₀、M₁₃、M₁₄；

输入端V_IN接所述PMOS管M₁、所述PMOS管M₄、所述PMOS管M₆、所述PMOS管M₈、所述PMOS管M₁₁、所述PMOS管M₁₂的源极；

所述PMOS管M₁₂的栅极接所述PMOS管M₄的栅极和漏极，漏极接所述NMOS管M₁₄的栅极和漏极；

所述PMOS管M₁₁的栅极接所述PMOS管M₆的栅极和漏极，漏极接所述NMOS管M₁₃的栅极和漏极；所述PMOS管M₁₁的漏极为所述推挽放大器的输出端；

所述PMOS管M₄的漏极接所述NMOS管M₅的漏极，所述NMOS管M₅的源极接所述NMOS管M₂的源极和所述NMOS管M₃的漏极，所述NMOS管M₂的漏极接所述PMOS管M₁的漏极和所述NMOS管M₃的栅极；

所述PMOS管M₆的漏极接所述NMOS管M₇的漏极，所述NMOS管M₇的源极接所述NMOS管M₉的源极和所述NMOS管M₁₀的漏极，所述NMOS管M₉的漏极接所述PMOS管M₈的漏极和所述NMOS管M₁₀的栅极；

所述NMOS管M₅和所述NMOS管M₉的栅极为所述推挽放大器的同相输入端，所述NMOS管M₂和所述NMOS管M₇的栅极为所述推挽放大器的反相输入端；

所述PMOS管M₃、所述PMOS管M₁₀、所述PMOS管M₁₃、所述PMOS管M₁₄的源极接地。

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