CN113745445A - 显示基板及其制作方法、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示基板及其制作方法、显示装置,用于减少制作工序,简化制作工艺流程,降低工艺复杂程度,以及确保表面纳米柱的良好形貌。显示基板的制作方法包括:提供掩膜板;掩膜板一侧设置有多个凹槽;提供衬底;在衬底的一侧形成压印胶层;采用掩膜板对压印胶层进行压印,形成多个柱状结构;对压印后的压印胶层进行固化;在多个柱状结构的表面及多个柱状结构之间的间隙形成第一金属纳米层;在第一金属纳米层远离衬底的一侧形成多个发光器件;发光器件包括阳极;第一金属纳米层和多个柱状结构被配置为,和阳极相配合,对发光层发出的光进行处理,使得发光器件发出单色光。显示基板及其制作方法、显示装置用于图像显示。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
由于OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光二极管)具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高等优点,逐渐应用于显示装置中。
发明内容
本发明实施例的目的在于提供显示基板及其制作方法、显示装置,用于减少制作工序,简化制作工艺流程,降低制作的工艺复杂程度,以及确保表面纳米柱的良好形貌,避免转移过程中表面纳米柱的精确度损失的现象,以及潜在的转移过程中不良的产生。
为达到上述目的,本发明实施例提供了如下技术方案:
本发明实施例提供了显示基板制作方法,所述制作方法包括:提供掩膜板;所述掩膜板一侧具有间隔设置的多个凹槽;提供衬底;在所述衬底的一侧形成压印胶层;采用所述掩膜板对所述压印胶层进行压印,形成与所述多个凹槽相对应的多个柱状结构;对压印后的压印胶层进行固化;在所述多个柱状结构的表面及所述多个柱状结构之间的间隙形成第一金属纳米层;在所述第一金属纳米层远离所述衬底的一侧形成多个发光器件;发光器件包括依次层叠的阳极、发光层和阴极;所述第一金属纳米层和所述多个柱状结构被配置为,和所述阳极相配合,对所述发光层发出的光进行处理,使得所述发光器件发出单色光。
本发明的一些实施例所提供的显示基板的制作方法,通过在衬底一侧形成积压印胶层,使用掩模板对压印胶层进行压印,形成柱状结构,然后以柱状结构为基础,在柱状结构的表面及间隙形成与柱状结构的形貌相对应的第一金属纳米层,便可以得到符合预设参数要求的表面纳米柱。在上述制作方法中,仅需要采用一次压印工艺,且无需对表面纳米柱进行转移,即可以在表面纳米柱远离衬底的一侧形成发光器件。相比于相关技术,可以避免使用第一转印板和第二转印板,省略第一转印板和第二转印板的图案转印过程,并省略金属纳米柱转移至基板、并将金属纳米柱和紫外光固化胶剥离的过程,这样不仅减少了制作工序,简化了制作工艺流程,降低了制作的工艺复杂程度,还可以确保表面纳米柱的良好形貌,避免了转移过程中表面纳米柱的精确度的损失的现象,以及潜在的转移过程中不良的产生。而且,本发明中所形成的具有超表面结构的表面纳米柱,包括内部为压印胶的柱状结构及覆盖在其表面的第一金属纳米层的部分,而相关技术中制作形成的具有超表面结构的金属纳米柱整体全部为金属纳米材料。与相关技术相比,本发明节约了金属纳米材料的使用量。此外,通过调节掩模板的凹槽的参数信息,可以调节压印后的压印胶层的形貌,从而精确地控制形成的柱状结构的形貌,进而调节位于柱状结构表面的第一金属纳米层的形貌,从而制作出具有超表面结构的表面纳米柱,有利于节约制作成本,提高显示基板的良率。
在一些实施例中,所述压印胶层的材料包括无溶剂胶。
在一些实施例中,所述压印胶层的材料包括醋酸乙烯共聚物热熔胶。
在一些实施例中,在形成与所述多个凹槽相对应的多个柱状结构之后,所述多个柱状结构和所述衬底之间具有压印胶残留。所述制作方法还包括:在所述对压印后的压印胶层进行固化之后,进行灰化处理,暴露所述衬底的部分。
在一些实施例中,所述制作方法还包括:所述在所述衬底的一侧形成压印胶层之前,在所述衬底的一侧形成第二金属纳米层。
在一些实施例中,所述第一金属纳米层和所述第二金属纳米层的材料相同。
在一些实施例中,所述第一金属纳米层的材料包括金、银或铝;所述第二金属纳米层的材料包括金、银或铝。
在一些实施例中,所述第二金属纳米层的厚度为300nm~400nm。
在一些实施例中,所述第一金属纳米层的厚度为40nm~100nm。
本发明实施例还提供了一种显示基板,所述显示基板包括:衬底;设置在所述衬底一侧的多个柱状结构;设置在所述多个柱状结构的表面及所述多个柱状结构之间间隙的第一金属纳米层;以及,设置在所述第一金属纳米层远离所述衬底一侧的多个发光器件。其中,发光器件包括依次层叠的阳极、发光层和阴极。所述第一金属纳米层和所述多个柱状结构被配置为,和所述阳极相配合,对所述发光层发出的光进行处理,使得所述发光器件发出单色光。
本发明的一些实施例所提供的显示基板所能实现的有益效果,与上述一些实施例中提供的显示基板的制作方法所能实现的有益效果相同,此处不再赘述。
在一些实施例中,所述多个柱状结构的材料包括无溶剂胶或无机材料。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:设置在所述衬底和所述多个柱状结构之间的第二金属纳米层。
在一些实施例中,所述多个发光器件沿第一方向排列为多行,沿第二方向排列为多列。一行发光器件的阳极相连接,呈一体结构;一列发光器件的阴极相连接,呈一体结构。
在一些实施例中,所述显示基板还包括:设置在所述衬底和所述多个柱状结构之间的多个像素驱动电路;像素驱动电路与所述发光器件的阳极电连接。
在一些实施例中,所述发光器件包括红色发光器件、绿色发光器件或蓝色发光器件。与所述红色发光器件相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成红色柱状结构;与所述绿色发光器件相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成绿色柱状结构;与所述蓝色发光器件相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成蓝色柱状结构。所述红色柱状结构的分布密度大于所述绿色柱状结构的分布密度,所述绿色柱状结构的分布密度大于所述蓝色柱状结构的分布密度。
在一些实施例中,所述红色柱状结构、所述绿色柱状结构和所述蓝色柱状结构的高度相同。
在一些实施例中,与所述红色发光器件相对应的任意相邻两个红色柱状结构之间的间距,小于或等于与所述绿色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构之间的间距。与所述绿色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构之间的间距,小于或等于与所述蓝色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构之间的间距。
在一些实施例中,所述红色柱状结构的直径与所述绿色柱状结构的直径之比为3:8~1:1。所述绿色柱状结构的直径和所述蓝色柱状结构的直径之比为5:12~1:1。
在一些实施例中,至少两个所述发光层相连接,呈一体结构。
本发明的一些实施例还提供了一种显示装置,包括如上任一实施例中所述的显示基板。
本发明的一些实施例所提供的显示装置所能实现的有益效果,与上述一些实施例中提供的显示基板所能实现的有益效果相同,此处不再赘述。
附图说明
为了更清楚地说明本发明中的技术方案,下面将对本发明一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例的附图,对于本领域普通技术人员来讲,还可以根据这些附图获得其他的附图。此外,以下描述中的附图可以视作示意图,并非对本发明实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程等的限制。
图1a~图1f为相关技术中一种显示基板中金属纳米柱的制作方法的步骤图;
图2为根据本发明一些实施例中的一种显示基板的制作方法的流程图;
图3a~图3g为根据本发明一些实施例中的一种显示基板制作方法的步骤图;
图4a~图4b为根据本发明一些实施例中的另一种显示基板制作方法的步骤图;
图5为根据本发明一些实施例中的一种掩膜板的结构图;
图6为根据本发明一些实施例中的另一种掩膜板的结构图;
图7为根据本发明一些实施例中的一种显示基板的结构图;
图8为图7所示显示基板的沿A-A’向的一种剖视图;
图9为图7所示显示基板的沿B-B’向的一种剖视图;
图10为图7所示显示基板的沿A-A’向的另一种剖视图;
图11为根据本发明一些实施例中的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本发明一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明所提供的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非上下文另有要求,否则,在整个说明书和权利要求书中,术语“包括”被解释为开放、包含的意思,即为“包含,但不限于”。在说明书的描述中,术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例性实施例”、“示例”或“一些示例”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本发明的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外,所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
“A和/或B”,包括以下三种组合:仅A,仅B,及A和B的组合。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中,为了清楚,放大了层和区域的厚度。因此,可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此,示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状,而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如,示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此,附图中所示的区域本质上是示意性的,且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状,并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
随着科学技术的快速发展,人们对显示装置的分辨率的要求越来越高。为了获得较高的分辨率,需要提高显示装置中每英寸所拥有的像素数目,也即需要提高显示装置的像素密度(Pixels Per Inch,简称PPI)。
对于OLED显示装置而言,目前,通常是采用精细金属掩模板(Fine Metal Mask,简称FMM),并通过蒸镀工艺对OLED的发光材料进行蒸镀这种制作方法由于FMM的存在,限制了OLED显示装置的PPI的提高。为了满足日益增长的需求,于是出现了超表面镜(也即在OLED显示装置中设置具有超表面结构的金属纳米柱)的概念,以克服FMM的瓶颈,实现高PPI。但是在超表面镜概念中,需要制作金属纳米柱。
相关技术中,如图1a~图1f所示,制作具有超表面结构的金属纳米柱的方法中,首先采用掩模板10’将待形成图案转印至具有全氟聚醚(Perfluorinated Polyether,简称PFPE)11’的第一转印板上,然后将第一转印板上的图案转印到第二转印板的紫外光固化胶(Ormostamp)12’上,接着将金属纳米材料沉积在该紫外光固化胶12’上的图案中,形成金属纳米柱2’(与上述待形成图案相对应),最后将第二转印板及金属纳米柱2’粘贴到基板1’上,将金属纳米柱2’和紫外光固化胶12’剥离开,将金属纳米柱保留在基板1’,得到具有超表面结构的金属纳米柱2’。该制作方法中,需要使用第一转印板和第二转印板,并进行两次图案的转印,然后在第二转印板的上沉积金属纳米材料后,还需要进行纳米金属柱2’的转移。该制作方法的制作工艺流程较长,工艺较为复杂,容易对保留在基板1’上的金属纳米柱2’的形貌造成损伤,进而降低良率。
基于此,本发明的一些实施例提供一种显示基板100的制作方法,如图2所示,包括:S100~S700。
S100,如图3a及图5所示,提供掩膜板10。掩膜板10一侧具有间隔设置的多个凹槽。该多个凹槽例如可以呈阵列状设置。
示例性的,上述掩膜板10的材料可以为硅。
示例性的,可以根据需要形成的结构特征对掩膜板10所具有的凹槽的参数信息进行对应设置。
例如,掩膜板10所具有的凹槽的参数信息可以包括凹槽的形状、深度、内径以及任意相邻两个凹槽之间的间距等。
示例性的,如图5所示,掩膜板10具有多个区域,每个区域内设置有多个凹槽。
示例性的,不同的区域内的凹槽的形状可以相同,也可以不同。
例如,不同的区域内的凹槽的形状相同,且凹槽的形状可以包括但不局限于圆柱形。
示例性的,图5中掩膜板10的H区域内多个凹槽的深度、F区域内多个凹槽的深度及G区域内多个凹槽的深度相同;而H区域内任意相邻两个凹槽之间的间距、F区域内任意相邻两个凹槽之间的间距及G区域内任意相邻两个凹槽之间的间距不同。
例如,H区域内任意相邻两个凹槽之间的间距,小于或等于F区域内任意相邻两个凹槽之间的间距。F区域内任意相邻两个凹槽之间的间距小于或等于G区域内任意相邻两个凹槽之间的间距。
示例性的,图5中掩膜板10的H区域内多个凹槽的深度、F区域内多个凹槽的深度及G区域内多个凹槽的深度相同;而H区域内多个凹槽的内径、F区域内多个凹槽的内径及G区域内多个凹槽的内径不同。
例如,H区域内多个凹槽的内径,小于或等于F区域内多个凹槽的内径;F区域内多个凹槽的内径小于或等于G区域内多个凹槽的内径。
示例性的,如图6所示,掩膜板10的H区域内多个凹槽的深度、F区域内多个凹槽的深度及G区域内多个凹槽的深度相同;H区域内多个凹槽的内径、F区域内多个凹槽的内径及G区域内多个凹槽的内径相同。
S200,提供衬底1。
示例性的,上述衬底1可以为柔性衬底,也可以为刚性衬底。
示例性的,在衬底1为柔性衬底的情况下,衬底1的材料可以为二甲基硅氧烷、PI(Polyimide,聚酰亚胺)、PET(Polyethylene terephthalate,聚对苯二甲酸乙二醇酯)等具有高弹性的材料。
示例性的,在衬底1为刚性衬底的情况下,衬底1的材料可以为玻璃等。
S300,如图3c所示,在衬底1的一侧形成压印胶层21d。
示例性的,可以采用沉积工艺沉积压印胶的材料,形成压印胶层21d。其中,所形成的压印胶层21d的厚度或体积可以根据实际需要进行选择,此处不作限制。
示例性的,所形成的压印胶层21d的厚度比较均匀,且该压印胶层远离衬底1一侧的表面为较平整的表面。这样可以保证后续制作工艺中所形成的各柱状结构具有良好的形貌及均一性。
S400,如图3d和图4a所示,采用掩膜板10对压印胶层21d进行压印,形成与多个凹槽相对应的多个柱状结构21。
示例性的,首先将掩膜板10与压印胶层21d进行对位,然后调节机械压力、温度、压印时间等,使压印胶层21d逐渐填充在掩膜板10上的多个凹槽内,进而可以改变压印胶层21d的形貌,形成与掩膜板10的多个凹槽相对应的多个柱状结构21。
例如,上述“相对应”指的是,掩膜板10的凹槽和柱状结构21一一对应。各柱状结构21具有和其对应的凹槽相同的参数信息。这样,例如,与位于H区域的凹槽对应的柱状结构21的高度,与位于F区域的凹槽对应的柱状结构21的高度以及与位于G区域的凹槽对应的柱状结构21的高度可以相同;与位于H区域的凹槽对应形成的柱状结构21的直径,与位于F区域的凹槽对应形成的柱状结构21的直径以及位于G区域的凹槽对应形成的柱状结构21的直径不同;与位于H区域的凹槽对应形成的相邻两个柱状结构21之间的间距,与位于F区域的凹槽对应形成的相邻两个柱状结构21之间的间距以及位于G区域的凹槽对应形成的相邻两个柱状结构21之间的间距不同。
示例性的,如图3d所示,当压印胶层21d的体积等于掩膜板10上多个凹槽的容积之和时,在形成与该多个凹槽相对应的多个柱状结构21之后,任意相邻两个柱状结构21之间可以不存在压印胶残留,且任意相邻两个柱状结构21之间暴露出衬底。也就是说,在进行压印的过程中,压印胶层21d完全填充到掩膜板10的凹槽内。
示例性的,如图4a所示,当压印胶层21d的体积大于掩膜板10上多个凹槽的容积之和时,在形成与该多个凹槽相对应的多个柱状结构21之后,该多个柱状结构21和衬底之间具有压印胶残留K(如图4a中虚线框K中的部分)。也就是说,在进行压印的过程中,压印胶层21d中的一部分完全填充到掩膜板10的凹槽内,而剩余的另一部分压印胶未被压印进入掩膜板10的凹槽内的压印胶层21d连接在一起,呈一体结构。
需要说明的是,在多个柱状结构21和衬底1之间具有压印胶残留K的情况下,柱状结构21为独立结构,仅包括相对于压印胶残留K突出的部分,而不包括未被压进掩膜板10凹槽的、且位于柱状结构21和衬底1之间的压印胶残留K。
S500,如图3e所示,对压印后的压印胶层进行固化。
示例性的,可以采用高温固化工艺对压印胶层进行固化。
示例性的,对压印胶层进行高温固化的温度范围可以为230℃~250℃。
例如,对压印胶层进行高温固化的温度可以为230℃、237℃、241℃、246℃或250℃。
通过对压印后的压印胶层进行固化,可以消除柱状结构21的流动性,使得柱状结构21能够保持一定的形状,避免在后续工艺中柱状结构21的形状发生变化,进而可以使得在后续工艺中形成在柱状结构21表面上的第一金属纳米层22具有稳定的形貌,保证显示基板100的结构稳定性。
S600,如图3f所示,在上述多个柱状结构21的表面及多个柱状结构21之间的间隙形成第一金属纳米层22。
示例性的,可以采用沉积工艺,在各柱状结构21的表面及任意相邻两个柱状结构21之间的间隙沉积金属纳米材料,形成上述第一金属纳米层22。
上述第一金属纳米层22包括多种,可以根据实际需要选择设置。
示例性的,第一金属纳米层22的材料可以包括金、银或铝。
此处,柱状结构21的表面,例如可以包括柱状结构21的侧面和柱状结构21远离衬底1一侧的顶面。也就是说,除了柱状结构21靠近衬底1一侧的底面外,第一金属纳米层22包裹柱状结构21的侧面,并覆盖其顶面。
示例性的,第一金属纳米层22为整层结构。第一金属纳米层22的一部分位于多个柱状结构21的间隙;第一金属纳米层22的另一部分位于多个柱状结构21的表面上。
由于采用沉积工艺及金属纳米材料形成上述第一金属纳米层22,因此,不仅可以使得第一金属纳米层22为厚度均匀的膜层,具有与上述多个柱状结构21相同的形貌,还可以使得第一金属纳米层22的各部分远离衬底1一侧的表面为较为光滑、平整的表面,并具有超表面结构。
示例性的,第一金属纳米层22中位于各柱状结构21的表面上的部分,及相应的柱状结构21,可以构成表面纳米柱23。
S700,如图3g所示,在第一金属纳米层22远离衬底1的一侧形成多个发光器件4。发光器件4包括依次层叠的阳极41、发光层42和阴极43;第一金属纳米层22和多个柱状结构21被配置为,和阳极41相配合,对发光层42发出的光进行处理,使得发光器件4发出单色光。
示例性的,一个发光器件4相对应于掩膜板10的一个区域(例如G区域)形成。
示例性的,阳极41和阴极43,均可以采用透明的导电材料、并采用溅射成膜工艺形成。
例如,阳极41或阴极43的材料可以包括但不限于铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、铟镓氧化物(IGO)、偶氮化合物(AZO)等导电氧化物。
示例性的,发光层42可以采用磷光发光材料或荧光发光材料,并采用喷墨打印工艺或蒸镀工艺形成。
示例性的,各发光器件42的发光层的发出的光的颜色可以相同。其中,各发光器件42的发光层的发出的光可以为白色光。
示例性的,至少两个发光器件4的发光层42连接在一起,为一体结构。
例如,两个发光器件4的发光层2连接在一起,为一体结构。
又如,四个发光器件4的发光层2连接在一起,为一体结构。
又如,上述多个发光器件4的发光层2连接在一起,为一体结构。
这样一来,可以在一次制作工艺中,同时形成至少两个相连接的发光层42,有利于降低制作发光器件4的工艺难度。
示例性的,发光器件4可以包括但不限于阳极41、发光层42和阴极43。
需要说明的是,在形成上述多个发光器件4之前,可以采用涂覆工艺,在第一金属纳米层22远离衬底1的一侧形成平坦层3。其中,平坦层3可以覆盖第一金属纳米层22,且平坦层3远离衬底1一侧的表面为平坦表面。
例如,平坦层3的材料可以为PI、PET等。
通过在第一金属纳米层22和上述多个发光器件4之间形成平坦层3,可以隔开各发光器件的阳极41与第一金属纳米层22,实现隔绝绝缘的效果,避免各发光器件的阳极41与第一金属纳米层22形成短接;而且,可以使得各发光器件的阳极41形成在平坦的表面上,避免因段差导致各阳极容易断裂,降低发光器件4的寿命。
需要说明的是,第一金属纳米层22远离衬底1的一侧表面具有超表面结构,该超表面结构由许多纳米单元组成。在各发光器件4的阳极41及与其对应的第一金属纳米层22的部分所形成的腔体中,各发光器件4的发光层42发出的光可以透过阳极41入射到相应的腔体内、并入射到相应的超表面结构的过程中,会在该相应的超表面结构的每一个纳米单元处发生散射,使散射后的光与入射到该超表面结构的光之间具有一个相位突变。这样在上述光入射到第一金属纳米材料层22相应部分的超表面结构的过程中以及散射后的光在传播的过程中,就会产生金属局部表面等离子体共振,便可以使得从第一金属纳米层22相应部分到阳极41再到阴极43出射的光为单色光,进而使得各个发光器件4能够发出单色光。
示例性的,上述单色光可以包括但不限于红光、绿光或蓝光。各个发光器件4发出的单色光相互配合,使得显示基板100实现显示。
本发明的一些实施例所提供的显示基板100的制作方法,通过在衬底1一侧形成积压印胶层21d,使用掩模板10对压印胶层21d进行压印,形成柱状结构21,然后以柱状结构21为基础,在柱状结构21的表面及间隙形成与柱状结构21的形貌相对应的第一金属纳米层22,便可以得到符合预设参数要求的表面纳米柱23。在上述制作方法中,仅需要采用一次压印工艺,且无需对表面纳米柱23进行转移,即可以在表面纳米柱23远离衬底的一侧形成发光器件4。相比于相关技术,可以避免使用第一转印板和第二转印板,省略第一转印板和第二转印板的图案转印过程,并省略金属纳米柱转移至基板、并将金属纳米柱和紫外光固化胶剥离的过程,这样不仅减少了制作工序,简化了制作工艺流程,降低了制作的工艺复杂程度,还可以确保表面纳米柱的良好形貌,避免了转移过程中表面纳米柱23的精确度的损失的现象,以及潜在的转移过程中不良的产生。
而且,本发明中所形成的具有超表面结构的表面纳米柱23,包括内部为压印胶的柱状结构21及覆盖在其表面的第一金属纳米层22的部分,而相关技术中制作形成的具有超表面结构的金属纳米柱整体全部为金属纳米材料。与相关技术相比,本发明节约了金属纳米材料的使用量。
此外,通过调节掩模板10的凹槽的参数信息,可以调节压印后的压印胶层的形貌,从而精确地控制形成的柱状结构21的形貌,进而调节位于柱状结构21表面的第一金属纳米层22的形貌,从而制作出具有超表面结构的表面纳米柱23,有利于节约制作成本,提高显示基板100的良率。
需要说明的是,上述压印胶层21d的材料可以包括多种,具体可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中,压印胶层21d的材料可以包括普通胶。
例如,压印胶层21d的材料可以为聚氨酯胶。
在另一些示例中,压印胶层21d的材料可以包括无溶剂胶。
由于无溶剂胶中不含溶剂,在无溶剂胶受到高温作用时,可以有效的减少溶剂在高温下变成气体而溢出的现象。本发明采用无溶剂胶形成压印胶层,在显示基板100进行后序其他结构的高温制程(如形成发光层43的过程)的情况下,可以有效地避免出现溶剂变为气体而溢出的现象,进而避免位于柱状结构21表面上的第一金属纳米层22出现鼓包现象,避免对第一金属纳米层22的形貌精准性造成破坏,提高制作形成的显示基板100的良率。
例如,压印胶层21d的材料可以为醋酸乙烯共聚物热熔胶。
在一些实施例中,如图4a及图4b所示,在形成与多个凹槽相对应的多个柱状结构21之后,该多个柱状结构21和衬底1之间具有压印胶残留K,制作方法还包括:在对压印后的压印胶层进行固化之后,进行灰化处理,暴露衬底1的部分。
示例性的,可以采用干灰化法对固化后的压印胶层21d进行灰化处理。灰化处理后,位于任意相邻两个柱状结构21之间的压印胶残留被去除,暴露出衬底1部分。
此处,在灰化处理的过程中,各柱状结构21远离衬底1的一部分也会被去除,并保留压印胶残留K位于衬底1和该柱状结构21之间的部分。在灰化处理完成后,各柱状结构21未被去除的部分和压印胶残留K位于衬底1和该柱状结构之间的部分,构成新的柱状结构(如图4a中虚线框所示)。该新的柱状结构的参数信息,和在上述S400中形成的柱状结构的参数信息,可以相同。
通过对固化后的压印胶层进行灰化处理,一方面可以减薄显示基板100的厚度,实现显示基板100的轻薄化设计;另一方面,在显示基板100的制作过程包括后续形成第二金属纳米层6的情况下,可以增加第二金属纳米层6的厚度,有效地避免发光层42发出的光,从第一金属纳米层22和/或第二金属纳米层6透过而发生严重的光损耗现象。
示例性的,第一金属纳米层22的厚度为40nm~100nm。
例如,第一金属纳米层22的厚度可以为40nm、50nm、60nm、80nm或100nm。
通过将第一金属纳米层22的厚度设置在上述范围内,一方面可以避免发光层42发出的光透过第一金属纳米层22发生光损耗,另一方面可以使得第一金属纳米层22可以随着柱状结构21的表面以及柱状结构21之间的间隙,呈高低起伏状,从而保证第一金属纳米层22可以与发光器件4的阳极41相配合,使得发光器件4发出单色光。
在一些实施例中,如图3b所示,制作方法还包括:在衬底1的一侧形成压印胶层之前,在衬底1的一侧形成第二金属纳米层6。
示例性的,第二金属纳米层6的形成可以采用沉积工艺。
示例性的,第二金属纳米层6为厚度均匀的薄膜,其远离衬底1的一侧的表面为光滑、平整的表面。
这样可以使得形成在第二金属纳米层6上的压印胶层具有较为平整的结构,确保后续形成的柱状结构21的均一性。
示例性的,第二金属纳米层6远离衬底1的一侧的表面具有超表面结构。
通过形成第二金属纳米层6,在发光层42发出的光透过第一金属纳米层22的情况下,可以利用第二金属纳米层6对该光进行阻挡等,避免因发光层42发出的光透过第一金属纳米层22,造成光的大量损耗,从而影响发光器件4的发光亮度;进一步地,透过第一金属纳米层22如入射到第二金属纳米层6上光,也会在第二金属纳米层6表面的超表面结构处发生散射,并与发光器件4的阳极配合,使得发光器件4发出单色光。
示例性的,第二金属纳米层6的厚度为300nm~400nm。
例如,第二金属纳米层6的厚度可以为300nm、320nm、350nm、380nm或400nm。
通过将第二金属纳米层6的厚度设置在上述范围内,可以有效的避免发光层42发出的光透过第二金属纳米层6后造成光的损耗,从而影响发光器件4的发光亮度。
示例性的,第一金属纳米层22和第二金属纳米层6的材料可以相同,也可以不同。
示例性的,第二金属纳米层6的材料可以包括金、银或铝。
在制作方法包括在衬底1的一侧形成第二金属纳米层6的情况下,在对柱状结构21进行灰化处理后,暴露出的是第二金属纳米层6的部分。
在一些实施例中,如图3g所示,显示基板100的制作方法还包括:在发光器件4远离衬底1的一侧形成封装层5。
示例性的,封装层5可以覆盖上述多个发光器件4。
示例性的,封装层5可以包括多层封装薄膜。该多层封装薄膜例如可以包括依次层叠的第一无机层、有机层和第二无机层。
例如,可以采用沉积工艺形成第一无机层,采用涂覆工艺形成有机层,然后采用沉积工艺形成第二无机层。
通过设置封装层5,可以利用封装层对发光器件4进行保护,避免受到水氧的侵蚀,进而有利于提高发光器件4的寿命。
本发明的一些实施例还提供了一种显示基板100(该显示基板100例如可以采用上述制作方法制作形成)。如图7~图9所示,显示基板100包括:衬底1;设置在衬底1一侧的多个柱状结构21;设置在该多个柱状结构21的表面及该多个柱状结构21之间间隙的第一金属纳米层22;以及,设置在该第一金属纳米层22远离衬底1一侧的多个发光器件4。
示例性的,上述衬底1的结构特征可参考本发明上述一些实施例的说明,此处不再赘述。
示例性的,每个发光器件4可以与多个柱状结构21相对应,其中,与各发光器件相对应的多个柱状结构21可以呈阵列状间隔排列。
需要说明的是,与不同发光器件4相对应的多个柱状结构21,可以具有不同的参数信息。关于参数信息可以参照上述一些实施例的说明,此处不再赘述。
示例性的,柱状结构21的表面包括侧面及其远离衬底1一侧的顶面。此时,如图8所示,第一金属纳米层22则覆盖各柱状结构21的侧面及其远离衬底1一侧的顶面。
在一些示例中,如图8所示,发光器件4包括依次层叠的阳极41、发光层42和阴极43。
示例性的,阳极41和阴极43的材料可以均为透明导电材料。
在上述发光器件4工作的情况下,可以向阳极41提供驱动信号,并向阴极43提供公共电压,其中,驱动信号和公共电压之间具有压差。此时,发光器件4的发光层42可以在该压差的作用下,发出光。
在一些示例中,第一金属纳米层22和多个柱状结构21被配置为,和阳极41相配合,对发光层42发出的光进行处理,使得发光器件4发出单色光。
需要说明的是,第一金属纳米层22远离衬底1的一侧表面具有超表面结构,该超表面结构由许多纳米单元组成。在各发光器件4的阳极41及与其对应的第一金属纳米层22的部分所形成的腔体中,各发光器件4的发光层42发出的光可以透过阳极41入射到相应的腔体内、并入射到相应的超表面结构的过程中,会在该相应的超表面结构的每一个纳米单元处发生散射,使散射后的光与入射到该超表面结构的光之间具有一个相位突变。这样在上述光入射到第一金属纳米材料层22相应部分的超表面结构的过程中以及散射后的光在传播的过程中,就会产生金属局部表面等离子体共振,便可以使得从第一金属纳米层22相应部分到阳极41再到阴极43出射的光为单色光,进而使得各个发光器件4能够发出单色光。
示例性的,上述单色光可以包括但不限于红光、绿光或蓝光。
本发明的一些实施例所提供的显示基板100,通过在衬底1一侧形成积压印胶层21d,使用掩模板10对压印胶层21d进行压印,形成柱状结构21,然后以柱状结构21为基础,在柱状结构21的表面及间隙形成与柱状结构21的形貌相对应的第一金属纳米层22,便可以得到符合预设参数要求的表面纳米柱23。在上述制作方法中,仅需要采用一次压印工艺,且无需对表面纳米柱进行转移,即可以在表面纳米柱远离衬底1的一侧形成发光器件。相比于相关技术,可以避免使用第一转印板和第二转印板,省略第一转印板和第二转印板的图案转印过程,并省略金属纳米柱转移至基板、并将金属纳米柱和紫外光固化胶剥离的过程,这样不仅减少了制作工序,简化了制作工艺流程,降低了制作的工艺复杂程度,还可以确保表面纳米柱23的良好形貌,避免了转移过程中表面纳米柱23的精确度的损失的现象,以及潜在的转移过程中不良的产生。
而且,本发明中所提供的具有超表面结构的表面纳米柱,包括内部为压印胶的柱状结构21及覆盖在其表面的第一金属纳米层22的部分,而相关技术中制作形成的具有超表面结构的金属纳米柱整体全部为金属纳米材料。与相关技术相比,本发明节约了金属纳米材料的使用量。
此外,通过调节掩模板10的凹槽的参数信息,可以调节压印后的压印胶层的形貌,从而精确地控制形成的柱状结构21的形貌,进而调节位于柱状结构21表面的第一金属纳米层22的形貌,从而制作出具有超表面结构的表面纳米柱23,有利于节约制作成本,提高显示基板100的良率。
第一金属纳米层22设置在多个柱状结构21的表面及多个柱状结构21之间间隙,可以有效地防止发光器件4发出的光透过第一金属纳米层22,发生光损耗。
在一些示例中,第一金属纳米层22的材料可以包括金、银或铝。
在一些示例中,如图8所示,显示基板还包括:设置在上述多个发光器件4和第一金属纳米层22之间的平坦层3。
例如,平坦层3覆盖第一金属纳米层22远离衬底1一侧的表面,且平坦层3远离衬底1一侧的表面为平坦表面。
通过在第一金属纳米层22和上述多个发光器件4之间形成平坦层3,可以隔开各发光器件的阳极41与第一金属纳米层22,实现隔绝绝缘的效果,避免各发光器件的阳极41与第一金属纳米层22形成短接;而且,可以使得各发光器件的阳极41形成在平坦的表面上,避免因段差导致各阳极容易断裂,降低发光器件4的寿命。
在一些实施例中,上述柱状结构21的材料包括多种,可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中,柱状结构21的材料可以为有机材料。
示例性的,柱状结构21的材料包括压印胶。其中,该压印胶例如可以包括普通胶。
例如,上述普通胶可以为聚氨酯胶。
示例性的,上述压印胶也可以包括无溶剂胶。
例如,上述无溶剂胶可以为醋酸乙烯共聚物热熔胶。
在另一些示例中,柱状结构21的材料可以为无机材料。
示例性的,柱状结构21的材料可以包括氮化硅等。
采用上述材料形成柱状结构21,可以使得柱状结构21的形状稳定,对第一金属纳米层22的形状起到塑形和支撑作用,从而可以使得第一金属纳米层22能够与阳极41配合,使得发光器件4发出单色光。
在一些实施例中,如图9所示,显示基板100还包括:设置在衬底1和多个柱状结构21之间的第二金属纳米层6。
示例性的,第二金属纳米层6远离衬底1的一侧的表面为光滑表面,且具有超表面结构。
示例性的,第一金属纳米层22位于上述多个柱状结构21之间间隙的部分,可以和第二金属纳米层6直接接触。
第二金属纳米层6的设置,可以避免发光层42发出的光透过第一金属纳米层22,造成光的大量损耗,进而可以提高发光器件4的发光亮度。
示例性的,第一金属纳米层222和第二金属纳米层6的材料可以相同,也可以不同。
示例性的,第二金属纳米层6的材料可以包括金、银或铝。
本发明提供的显示基板100中发光器件4的设置方式有多种,可以根据实际情况进行选择设置。
在一些实施例中,发光器件为PMOLED(Passive matrix Organic Light-EmittingDiode,无源驱动有机电致发光二极管)。此时,多个发光器件4沿第一方向X排列为多行,沿第二方向Y排列为多列。也即,该多个发光器件4可以呈矩阵状排列。
示例性的,如图7沿与行方向X平行的A-A’向剖开,一行发光器件4的阳极41相连接,呈一体结构。也即,各行发光器件4的阳极41可以呈条状,阳极41的数量和发光器件4的行数可以相等。
示例性的,如图7沿与列方向Y平行的B-B’向剖开,一列发光器件4的阴极43相连接,呈一体结构。也即,各行发光器件4的阴极43可以呈条状,阴极43的数量和发光器件4的列数可以相等。
示例性的,第一方向X和第二方向Y相交。各阴极41和各阳极43重叠的位置则对应为发光器件。
在上述发光器件工作的情况下,可以向相应的条状的阳极41提供阳极电压(也即上述驱动信号),并向相应的条状的阴极43接收公共电压。在该条状的阳极41和条状的阴极43的重叠位置,可以形成压差,该发光器件4的发光层42可以在阳极电压和公共电压的作用下发出光(例如为白光)。
发光层42发出的光可以透过阳极41,入射到第一金属纳米层22上,在第一金属纳米层22的超表面结构上发生散射和相位突变,使得出射的光为单色光。多个发光器件4发出的单色光相互配合,使得显示基板100实现正常显示。
在另一些实施例中,发光器件为AMOLED(Active matrix Organic Light-Emitting Diode,有源驱动有机电致发光二极管)。此时,如图10所示,显示基板100还包括:设置在衬底1和多个柱状结构21之间的多个像素驱动电路7;像素驱动电路7与发光器件4的阳极41电连接。需要说明的是,像素驱动电路7的结构可以包括多种,本发明对此不作限制。例如像素驱动电路12的结构可以为“2T1C”、“6T1C”、“7T1C”、“6T2C”或“7T2C”等结构。此处,“T”表示为晶体管,位于“T”前面的数字表示为晶体管的个数,“C”表示为存储电容器,“C”前面的数字表示为存储电容器的个数。
例如,像素驱动电路7所包括的晶体管可以为底栅结构的晶体管。又如,像素驱动电路7所包括的晶体管可以为顶栅结构的晶体管。
本发明以像素驱动电路7所包括的晶体管为顶栅结构的晶体管、且发光器件的出光方式为顶出光为例进行示意性说明。
示例性的,各发光器件4的阳极41之间相互独立设置,未形成连接。各发光器件的阴极43可以相互连接,呈一体结构。
在上述发光器件4工作的情况下,可以向发光器件4的阴极43提供公共电压,并利用像素驱动电路7给相应的发光器件4的阳极41施加驱动信号,进而可以利用公共电压和驱动信号之间的压差在阳极和阴极之间形成电场,使得该发光器件4的发光层42发光(例如为白光)。
在本发明中,各发光器件4的发光层42可以有多种设置方式,具体可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中,各发光器件4的发光层42可以相互独立设置。
在另一些示例中,如图8和图9所示,至少两个发光器件4中的发光层42相连接呈一体结构。
示例性的,上述“至少两个发光器件”包括两个或两个以上的发光器件4。
相连接的发光层42的材料相同,不同发光器件4的发光层42发出的光的颜色相同,例如均为白光。这样可以在一次构图工艺中制作形成不同发光器件4的发光层42,有利于简化显示基板100的制备工艺。
由于本发明中至少两个发光器件4的发光层42相连接,该至少两个发光层42之间无需设置像素界定层,这样,有利于减小任意两个发光器件4之间的间距,从而在每英寸内可以设置更多的发光器件4,有利于实现超高PPI显示效果。
需要说明的是,发光器件4的发光区域为阳极41、发光层42和阴极43在垂直于衬底的方向上的重叠区域。从显示基板100的出光侧来看,每个发光器件4的发光区域,对应为子像素区域。
在一些实施例中,如图8所示,显示基板100还包括:设置在各发光器件4远离衬底1一侧的封装层5。
示例性的,封装层5的结构特征可以参照本发明上述一些实施例中的说明,此处不再赘述。
示例性的,如图9所示,在发光器件为PMOLED的情况下,封装层5的一部分可以填充在任意相邻两列阴极43之间的空隙,另一部分可以覆盖在阴极43远离衬底1一侧的表面上。
在一些实施例中,发光器件4包括红色发光器件4a、绿色发光器件4b或蓝色发光器件4c。
需要说明的是,红色发光器件4a是指从显示基板的出光侧来看,发光器件发出的光为红光;绿色发光器件4b是指从显示基板的出光侧来看,发光器件发出的光为绿光;蓝色发光器件4c是指从显示基板的出光侧来看,发光器件发出的光为蓝光。
在一些示例中,与红色发光器件4a相对应的柱状结构21及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成红色柱状结构23a;与绿色发光器件4b相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成绿色柱状结构23b;与蓝色发光器件4c相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成蓝色柱状结构23c。
示例性的,红色柱状结构23a的分布密度大于绿色柱状结构23b的分布密度,绿色柱状结构23b的分布密度大于蓝色柱状结构23c的分布密度。
以下为方便描述,将红色柱状结构23a、绿色柱状结构23b和蓝色柱状结构23c统称为表面柱状结构23。
需要说明的,多个表面纳米柱23的分布密度越大,发光层发出的光经过该多个表面纳米柱23表面的第一金属纳米层及位于该多个表面纳米柱23间隙的第一金属纳米层的作用后,出射的光的波长则越大。多个表面纳米柱23的分布密度越小,发光层发出的光经过该多个表面纳米柱23表面的第一金属纳米层及位于该多个表面纳米柱23间隙的第一金属纳米层的作用后,出射的光的波长越小。
由于红光的波长大于绿光,绿光的波长大于蓝光,因此,采用红色柱状结构23a的分布密度大于绿色柱状结构23b的分布密度,绿色柱状结构23b的分布密度大于蓝色柱状结构23c的分布密度的设置,便于发光器件发出相应的单色光。
在一些实施例中,如图8所示,红色柱状结构23a、绿色柱状结构23b和蓝色柱状结构23c的高度相同。
示例性的,红色柱状结构23a、绿色柱状结构23b或蓝色柱状结构23c的高度范围均可以为60nm~100nm。
例如,表面纳米柱23的高度可以为60nm、70nm、80nm、90nm或100nm。
通过将表面纳米柱23的高度设置在上述范围内,能够使得发光层发出的白光经过合适的光程累加,得到合适的单色光。
在一些实施例中,如图8所示,与红色发光器件相对应的任意相邻两个红色柱状结构23a之间的间距小于或等于与绿色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构23b之间的间距;与绿色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构23b之间的间距小于或等于与蓝色发光器件相对应的任意相邻两个蓝色柱状结构23c之间的间距。
任意相邻的两个表面纳米柱23的间距越大,表面纳米柱23的分布密度则越小,发光层出的光经过相应的多个表面纳米柱23的作用后,出射的光的波长越小,例如为波长较小的蓝光。任意相邻的两个表面纳米柱23的间距越小,表面纳米柱23的分布密度则越大,发光层发出的光经过相应的多个表面纳米柱23的作用后,出射的光的波长越大,例如为波长较大的红光。
通过任意对相邻的两个表面纳米柱23之间的间距进行设置,便于对表面纳米柱23的分布密度进行设置,从而便于使得不同发光器件发出不同的单色光。
示例性的,任意相邻两个红色柱状结构23a之间的间距范围为150nm~170nm。
例如,任意相邻两个红色柱状结构23a之间的间距可以为150nm、155nm、160nm、165nm或170nm。
示例性的,任意相邻两个绿色柱状结构23b之间的间距范围为230nm~250nm。
例如,任意相邻两个绿色柱状结构23b之间的间距可以为230nm、235nm、240nm、245nm或250nm。
示例性的,任意相邻两个蓝色柱状结构23c之间的间距范围为350nm~380nm。
例如,任意相邻两个蓝色柱状结构23c之间的间距可以为350nm、360nm、370nm、375nm或380nm。
在一些实施例中,红色柱状结构23a的直径与绿色柱状结构23b的直径之比为3:8~1:1。绿色柱状结构23b的直径和蓝色柱状结构23c的直径之比为5:12~1:1。
表面纳米柱23的直径越小,与不同颜色的发光器件4相对应的衬底1区域可以设置的表面纳米柱23的分布密度越大,从而便于设置更多的表面纳米柱23。同时,表面纳米柱23的直径越小,表面纳米柱23的侧面曲率越大,则发光层发出的光经过多个表面纳米柱23的作用后,出射的光的波长越大。表面纳米柱23的直径越大,在衬底1上可以设置的表面纳米柱23的分布密度越小,表面纳米柱23的侧面曲率越小,则发光层42发出的光经过多个表面纳米柱23的作用后,出射的光的波长越小。此外,从不同发光器件4中出射的光较多,有利于提高从显示基板100出光面出射光的强度,提高显示基板100的出光效率。
示例性的,红色柱状结构23a的直径与绿色柱状结构23b的直径之比可以为3:8、1:2、5:8、3:4或1:1。
示例性的,绿色柱状结构23b的直径与蓝色柱状结构23c的直径之比可以为5:12、1:2、7:12、2:3、3:4或1:1。
示例性的,红色柱状结构23a的直径范围为30nm~50nm;绿色柱状结构23b的直径范围为50nm~80nm;蓝色柱状结构23c的直径范围为80nm~120nm。
例如,红色柱状结构23a的直径可以为30nm、35nm、40nm、45nm或50nm。
例如,绿色柱状结构23b的直径可以为50nm、55nm、65nm、75nm或80nm。
例如,蓝色柱状结构23c的直径可以为80nm、90nm、100nm、110nm或120nm。
本发明的一些实施例还提供了一种显示装置1000,如图11所示,包括如上实施例中任一项的显示基板100。
本发明的一些实施例所提供的显示装置1000所能实现的有益效果,与上述一些实施例中提供的显示基板100能实现的有益效果相同,此处不再赘述。
示例性的,如图11所示,该显示装置1000可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供掩膜板;所述掩膜板一侧具有间隔设置的多个凹槽;
提供衬底;
在所述衬底的一侧形成压印胶层;
采用所述掩膜板对所述压印胶层进行压印,形成与所述多个凹槽相对应的多个柱状结构;
对压印后的压印胶层进行固化;
在所述多个柱状结构的表面及所述多个柱状结构之间的间隙形成第一金属纳米层;
在所述第一金属纳米层远离所述衬底的一侧形成多个发光器件;发光器件包括依次层叠的阳极、发光层和阴极;所述第一金属纳米层和所述多个柱状结构被配置为,和所述阳极相配合,对所述发光层发出的光进行处理,使得所述发光器件发出单色光。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述压印胶层的材料包括无溶剂胶。
3.根据权利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述压印胶层的材料包括醋酸乙烯共聚物热熔胶。
4.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,在形成与所述多个凹槽相对应的多个柱状结构之后,所述多个柱状结构和所述衬底之间具有压印胶残留;
所述制作方法还包括:
在所述对压印后的压印胶层进行固化之后,进行灰化处理,暴露所述衬底的部分。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述制作方法还包括:
所述在所述衬底的一侧形成压印胶层之前,在所述衬底的一侧形成第二金属纳米层。
6.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述第一金属纳米层和所述第二金属纳米层的材料相同。
7.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述第一金属纳米层的材料包括金、银或铝;
所述第二金属纳米层的材料包括金、银或铝。
8.根据权利要求5所述的制作方法,其特征在于,所述第二金属纳米层的厚度为300nm~400nm。
9.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一金属纳米层的厚度为40nm~100nm。
10.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
衬底;
设置在所述衬底一侧的多个柱状结构;
设置在所述多个柱状结构的表面及所述多个柱状结构之间间隙的第一金属纳米层;以及,
设置在所述第一金属纳米层远离所述衬底一侧的多个发光器件;其中,发光器件包括依次层叠的阳极、发光层和阴极;所述第一金属纳米层和所述多个柱状结构被配置为,和所述阳极相配合,对所述发光层发出的光进行处理,使得所述发光器件发出单色光。
11.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述多个柱状结构的材料包括无溶剂胶或无机材料。
12.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述衬底和所述多个柱状结构之间的第二金属纳米层。
13.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述多个发光器件沿第一方向排列为多行,沿第二方向排列为多列;
一行发光器件的阳极相连接,呈一体结构;
一列发光器件的阴极相连接,呈一体结构。
14.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述衬底和所述多个柱状结构之间的多个像素驱动电路;像素驱动电路与所述发光器件的阳极电连接。
15.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,所述发光器件包括红色发光器件、绿色发光器件或蓝色发光器件;
与所述红色发光器件相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成红色柱状结构;
与所述绿色发光器件相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成绿色柱状结构;
与所述蓝色发光器件相对应的柱状结构及第一金属纳米层中覆盖其表面的部分构成蓝色柱状结构;
所述红色柱状结构的分布密度大于所述绿色柱状结构的分布密度,所述绿色柱状结构的分布密度大于所述蓝色柱状结构的分布密度。
16.根据权利要求15所述的显示基板,其特征在于,所述红色柱状结构、所述绿色柱状结构和所述蓝色柱状结构的高度相同。
17.根据权利要求15所述的显示基板,其特征在于,与所述红色发光器件相对应的任意相邻两个红色柱状结构之间的间距,小于或等于与所述绿色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构之间的间距;
与所述绿色发光器件相对应的任意相邻两个绿色柱状结构之间的间距小于或等于与所述蓝色发光器件相对应的任意相邻两个蓝色柱状结构之间的间距。
18.根据权利要求16所述的显示基板,其特征在于,所述红色柱状结构的直径与所述绿色柱状结构的直径之比为3:8~1:1;所述绿色柱状结构的直径与所述蓝色柱状结构的直径之比为5:12~1:1。
19.根据权利要求10所述的显示基板,其特征在于,至少两个所述发光层相连接,呈一体结构。
20.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求10~19中任一项所述的显示基板。
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---|---|---|---|---|
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CN111446274A (zh) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 三星电子株式会社 | 包括纳米结构镜的有机发光显示装置 |
CN111490178A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 三星电子株式会社 | 发光器件和包括发光器件的显示装置 |
CN113066843A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制作方法 |
CN113327967A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108075047A (zh) * | 2017-12-11 | 2018-05-25 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 有机发光二极管器件及其制造方法、显示面板 |
CN111446274A (zh) * | 2019-01-16 | 2020-07-24 | 三星电子株式会社 | 包括纳米结构镜的有机发光显示装置 |
CN111490178A (zh) * | 2019-01-28 | 2020-08-04 | 三星电子株式会社 | 发光器件和包括发光器件的显示装置 |
CN113066843A (zh) * | 2021-03-24 | 2021-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制作方法 |
CN113327967A (zh) * | 2021-06-01 | 2021-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示装置 |
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