CN113745207A - 一种2835高光效光源的制作方法 - Google Patents
一种2835高光效光源的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113745207A CN113745207A CN202111070603.5A CN202111070603A CN113745207A CN 113745207 A CN113745207 A CN 113745207A CN 202111070603 A CN202111070603 A CN 202111070603A CN 113745207 A CN113745207 A CN 113745207A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- light
- product
- efficiency
- improved
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 16
- 230000001795 light effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 claims description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000282414 Homo sapiens Species 0.000 description 2
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明公开了一种2835高光效光源的制作方法，它涉及LED技术领域。本发明通过改变基板正负焊盘比例，达到可以放置3颗22*35mil芯片，极大的提高了产品的亮度和光效；采用“门字形”固晶，可有效的提升产品的出光效率、产品的散热速度和出光均匀性；引线涂覆高反射胶可有效地提升线材的反射率，减少线材对出光率的影响，从而提升产品的亮度和光效。
Description
技术领域
本发明涉及的是LED技术领域，具体涉及一种2835高光效光源的制作方法。
背景技术
随着社会文明的发展，为人类提供照明的光源产品经历了由白炽灯、荧光灯及节能灯、LED 灯的发展过程，它们为人类的生产、生活发挥了不可或缺的作用，而作为第三代光源 LED 灯具有亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定等优点，是目前用来替代普通白炽灯、节能灯及荧光灯较为理想的光源，LED的发展前景极为广阔，目前正朝着更高亮度、更高的效率、更高的发光均匀性、更低的成本方向发展。然而，作为朝阳产业的LED，同样面临着高成本、低利润等现实问题，LED照明灯具的平均毛利率越来越低，目前LED封装环节所占成本较高，随着LED器件整体成本的降低，需要选择一种低成本、高效率的封装结构。因此，如何改变现有封装结构，实现合理的低封装成本、高亮度、高光效产品，成为当前业界提高LED照明市场渗透率的最有效和最直接途经。因此，提高产品亮度、提高产品光效及可靠性研究是每个封装厂的趋势。
目前行业主流的2835型号LED光源制作流程基本上都是在支架上→固蓝光芯片→打引线→灌荧光胶”最终做出白光LED光源，LED经过二十几年的飞速发展，LED价格相比以前下降了几倍，毛利也越来越低，各种原物料由于成本压力及技术已经趋于成熟，产品亮度均没有提升，单靠原物料来提升产品亮度和光效已经不现实，需从封装结构和封装工艺着手来提升产品的亮度和光效，目前谁能率先提升产品亮度和光效，将可以处在行业的领先位置。
本发明原理针对一类2835型号LED光源开发设计,众所周知，平面2835型号LED光源支架结构为传统的2/8比例结构，芯片集中固在一边且最多能放2颗22*35mil的大尺寸芯片，LED光源升温快散热慢，出光效率不佳。因此本发明围绕提高2835型号LED光源的出光效率、提升产品的散热速度,优化结构充分利用空间放3颗22*35mil大尺寸芯片，来提升产品的亮度和光效。
发明内容
针对现有技术上存在的不足，本发明目的是在于提供一种2835高光效光源的制作方法，工艺方法简单合理，制备得的光源出光效率更高，发光更均匀，散热效果好，实用性强。
为了实现上述目的，本发明是通过如下的技术方案来实现：一种2835高光效光源的制作方法，包括以下步骤：
1、改变金属基板正、负极焊盘的比例为4/6，正、负极焊盘放芯片，充分利用空间，使得焊盘最多放置3颗22*35mil大尺寸的芯片，从而来提升光源的亮度和光效；
2、在4/6分基板上的小焊盘上放置1颗大尺寸芯片，大焊盘放置2颗大尺寸芯片，采用“门字型”摆放充分利用有限空间，增加出光效率，缩短散热路径，降低产品温度，从而可以提升产品光效；
3、通过引线把芯片与基板连接起来，形成回路，使光源可以正常导通；
4、将焊接好引线的半成品，采用真空溅射技术将白色高反射胶涂覆引线，减少引线吸光情况，引线由于是使用的金线或者合金线材质反射率低，也会吸收一部分光，涂覆白色高反射胶后可提升产品的亮度和光效；
5、将涂覆好白色高反胶的半成品，通过改变灌胶工艺，采用离心工艺把荧光粉沉积在基板底部，荧光粉激发产出的热量可直接从基板散热出去，提高了灯珠的散热速度，从而提升产品亮度和光效。
本发明的具有以下有益效果：
1.可放3颗大尺寸的22*35mil芯片，产品的散热性更好。通过改变支架金属基板正、负极焊盘的比例，把芯片固芯片分别固两边，使灯珠热量支架从两边焊盘直接散热出去，热量不需要从负极焊盘传导到正极焊盘再散热出去（热传导原理）；
2. 产品的出光效率更高、发光更均匀。 采用“门字形 ”固晶和荧光粉沉淀工艺，提高了荧光粉与芯片的激发效应，减少芯片间相互遮挡，有着更高的出光率、更高的发光均匀性；
3. 高亮度、高光效。通过改变基板结构放置3颗大尺寸芯片，提升产品亮度，降低产品电压，通过“门字型”固晶和覆高反射胶可有效的提升线材的反射率，减少线材对出光率的影响，从而提升产品的亮度和光效；
4．产品热阻更低。采用“门字形”固晶，增加了芯片与基板导热面积， 采用离心工艺，将荧光粉沉降到焊盘上，缩短散热路径，散热更快，热阻更低。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明；
图1为本发明的4/6比例基板示意图；
图2为本发明的门字形固晶示意图；
图3为本发明的引线连接示意图；
图4为本发明的白色高反射胶涂覆引线示意图；
图5为传统的荧光粉与封装胶均匀分布示意图；
图6为本发明的荧光粉沉淀在支架底部上的示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施方式，进一步阐述本发明。
参照图1-6，本具体实施方式采用以下技术方案：一种2835高光效光源的制作方法，包括以下步骤：
1、通过改变金属基板正、负极焊盘的比例，由传统的负极焊盘放芯片正极不放，改成正、负极焊盘放芯片，充分利用空间，由以前的最多可以放置2颗22*35mil大尺寸芯片，到优化后的最多可以放置3颗22*35mil大尺寸的芯片从而来提升光源的亮度和光效；
2、在4/6分基板上在小焊盘放置1颗大尺寸芯片，大焊盘放置2颗大尺寸芯片，采用“门字型”摆放充分利用有限空间，增加出光效率，也可以缩短散热路径，降低产品温度，从而可以提升产品光效；
3、通过引线把芯片与基板链接起来，形成回路，使光源可以正常导通；
4、将焊接好引线的半成品，采用真空溅射技术将白色高反射胶涂覆引线，减少引线吸光情况，引线由于是使用的金线或者合金线材质反射率低，也会吸收一部分光，涂覆白色高反射胶后可提升产品的亮度和光效；
5、将涂覆好白色高反胶的半成品，通过改变灌胶工艺，由传统的荧光粉和封装胶均匀分布A，改成采用离心工艺把荧光粉沉积在基板底部，荧光粉激发产出的热量可直接从基板散热出去，提高了灯珠的散热速度，从而提升产品亮度和光效。
一种2835高光效光源，包括4/6比例基板1，所述的4/6比例基板1上的正极焊盘设置有第一芯片2、负极焊盘上设置有第二芯片3、第三芯片4，所述的第一芯片2、第二芯片3、第三芯片4呈门字形；所述的第一芯片2、第二芯片3、第三芯片4均通过引线5与4/6比例基板1连接形成回路；所述的引线5上采用真空溅射技术涂覆有白色高反射胶6，荧光粉7通过离心工艺沉积在4/6比例基板1底部。
本具体实施方式的工作原理：
1. 用模具冲压金属基板，正、负焊盘由传统的2/8比例结构改成4/6比例结构，在小焊盘放置1颗大尺寸芯片，大焊盘放置2颗大尺寸芯片，充分利用空间，放置更多及更大尺寸芯片，从而来提升光源的亮度和光效
2. 固晶方式由传统的单边固晶改成两边 “门字型”固晶，充分利用焊盘，增加出光效率，也可以缩短散热路径，降低产品温度，从而可以提升产品光效
3.经过正常打引线，实现LED芯片电极与支架连接，从而实现电路回路
4.把打好引线的半成品，采用真空溅射技术将高反射白胶涂覆引线，减少引线吸光情况，从而提升产品的亮度和光效
5.将涂覆好白胶的半成品空烤干，再点上荧光粉胶，点完荧光胶后采用离心机，将荧光粉沉淀到基板支架底部上，可以提升产品的散热速度，从而提升产品亮度和光效。
本具体实施方式通过改变基板正负焊盘比例，达到可以放置3颗22*35mil芯片，极大的提高了产品的亮度和光效；采用“门字形”固晶，可有效的提升产品的出光效率、产品的散热速度和出光均匀性；引线涂覆高反射胶可有效的提升线材的反射率，减少线材对出光率的影响，从而提升产品的亮度和光效。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
Claims (1)
1.一种2835高光效光源的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)、改变金属基板正、负极焊盘的比例为4/6，正、负极焊盘放芯片，充分利用空间，使得焊盘最多放置3颗22*35mil大尺寸的芯片，从而来提升光源的亮度和光效；
(2)、在4/6分基板上的小焊盘上放置1颗大尺寸芯片，大焊盘放置2颗大尺寸芯片，采用“门字型”摆放充分利用有限空间，增加出光效率，缩短散热路径，降低产品温度，从而可以提升产品光效；
(3)、通过引线把芯片与基板连接起来，形成回路，使光源可以正常导通；
(4)、将焊接好引线的半成品，采用真空溅射技术将白色高反射胶涂覆引线，减少引线吸光情况，引线由于是使用的金线或者合金线材质反射率低，也会吸收一部分光，涂覆白色高反射胶后可提升产品的亮度和光效；
(5)、将涂覆好白色高反胶的半成品，通过改变灌胶工艺，采用离心工艺把荧光粉沉积在基板底部，荧光粉激发产出的热量可直接从基板散热出去，提高了灯珠的散热速度，从而提升产品亮度和光效。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111070603.5A CN113745207A (zh) | 2021-09-13 | 2021-09-13 | 一种2835高光效光源的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111070603.5A CN113745207A (zh) | 2021-09-13 | 2021-09-13 | 一种2835高光效光源的制作方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113745207A true CN113745207A (zh) | 2021-12-03 |
Family
ID=78738632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111070603.5A Pending CN113745207A (zh) | 2021-09-13 | 2021-09-13 | 一种2835高光效光源的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113745207A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116504906A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 厦门普为光电科技有限公司 | 高光效发光二极管光源 |
-
2021
- 2021-09-13 CN CN202111070603.5A patent/CN113745207A/zh active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116504906A (zh) * | 2023-06-29 | 2023-07-28 | 厦门普为光电科技有限公司 | 高光效发光二极管光源 |
| CN116504906B (zh) * | 2023-06-29 | 2023-10-27 | 厦门普为光电科技有限公司 | 高光效发光二极管光源 |
| JP7471033B1 (ja) | 2023-06-29 | 2024-04-19 | 厦門普為光電科技有限公司 | 高光効率発光ダイオード光源 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN201363572Y (zh) | 一种led光源模块 | |
| CN201112411Y (zh) | 提高发光二极管发光效率的封装结构 | |
| CN101696790A (zh) | 一种大功率led散热封装结构 | |
| CN106449625A (zh) | 基于荧光基板的倒装led灯丝及其封装工艺 | |
| CN101621107A (zh) | 一种高光效发光二极管及其封装方法 | |
| CN206370440U (zh) | 一种led灯丝及led灯丝灯 | |
| CN201359209Y (zh) | 平板式透镜一体化led光源 | |
| CN202013883U (zh) | 大功率led模块封装结构 | |
| CN205752232U (zh) | 一种cob光模组 | |
| CN113745207A (zh) | 一种2835高光效光源的制作方法 | |
| CN103325926B (zh) | 一种用于板上芯片led封装结构及其荧光粉涂覆方法 | |
| CN207353289U (zh) | 一种提高光效的led封装结构及汽车远近光照明系统 | |
| CN216213438U (zh) | 一种2835高光效光源 | |
| CN2911965Y (zh) | 白光发光二极管 | |
| CN202839748U (zh) | 一种基于倒装led芯片的白光光源模组 | |
| CN108006490A (zh) | Led隧道灯 | |
| CN208620092U (zh) | 一种稳固型发光灯条 | |
| CN209418539U (zh) | 一种高光效大功率led光源封装结构 | |
| CN110767792A (zh) | 一种cob光源及其制备方法 | |
| CN110808327A (zh) | 一种led倒装封装结构及制作方法 | |
| CN207458998U (zh) | 一种改善g9灯泡的封装结构 | |
| CN207009472U (zh) | 一种led灯丝 | |
| CN201373280Y (zh) | 一种led照明装饰灯泡 | |
| CN216528887U (zh) | 一种光型集中的led灯 | |
| CN219457651U (zh) | 三晶四脚直插led灯 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |