CN113740693A - 器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。该方法包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。本发明解决了器件性能测试效率低的技术问题。

Description

器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备

技术领域

本发明涉及测试领域，具体而言，涉及一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备。

背景技术

现有技术中，在对半导体器件进行测试的过程中，通常，需要获取半导体的击穿(Breakdown voltage，简称为BV)曲线，从而通过击穿曲线查看半导体器件是否为合格产品。然而，击穿曲线的获取需要消耗大量的时长，每测试一个器件都要获取该器件的击穿曲线，造成对器件的测试效率低。

发明内容

本发明实施例提供了一种器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备，以至少解决对半导体器件进行测试时，测试效率低的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种器件性能测试方法，包括：获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件。

根据本发明实施例的另一方面，提供了一种器件性能测试装置，包括：第一获取单元，用于获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；第一确定单元，用于在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二获取单元，用于在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，获取第一器件的电压电流曲线，其中，上述电压电流曲线记录有上述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，上述第一器件为预先检测为合格的器件。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二确定单元，用于在获取第一器件的电压电流曲线之后，在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值，其中，上述击穿值对应上述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在上述第一器件的电压等于上述击穿电压的情况下，上述第一器件的漏电值大于上述击穿电流，在上述第一器件的电流大于或等于上述击穿电流的情况下，上述第一器件的耐压值等于上述击穿电压。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第三获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上小于上述击穿电压的两个不同的电压值；第三确定单元，用于将上述两个不同的电压值分别确定为上述第一电压和上述第二电压。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第四获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上大于上述击穿电流的两个不同的电流值；第四确定单元，用于将上述两个不同的电流值分别确定为上述第一电流和上述第二电流。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种存储介质，该存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述器件性能测试方法。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，上述存储器中存储有计算机程序，上述处理器被设置为通过上述计算机程序执行上述的器件性能测试方法。

在本发明实施例中，采用了获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；在上述第一漏电值与上述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者上述第一耐压值与上述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定上述目标器件为不合格器件的方法，由于在上述方法中，可以通过使用为目标器件设置不同的电压测量漏电值，查看漏电值差异，或者通过为目标器件设置不同的电流，查看耐压值差异，以对目标器件进行性能测试，不需要每一个器件都测试其BV曲线，提高了对器件进行测试的效率，进而解决了器件性能测试效率低的技术问题。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1是根据本发明实施例的一种可选的器件性能测试方法的流程图；

图2是根据本发明实施例的一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；

图3是根据本发明实施例的另一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；

图4是根据本发明实施例的另一种可选的器件性能测试方法的流程图；

图5是根据本发明实施例的又一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；

图6是根据本发明实施例的又一种可选的器件性能测试方法的BV曲线示意图；

图7是根据本发明实施例的一种可选的器件性能测试装置的组成结构框图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

根据本发明实施例的第一方面，提供了一种器件性能测试方法，可选地，如图1所示，上述方法包括：

S102，获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；

S104，在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。

可选地，在本实施例中，目标器件为待测器件，如果存在多个待测器件，则将每一个待测器件作为目标器件进行测试。目标器件可以为半导体器件。

目标器件在接入不同的电压的情况下，会有对应不同的漏电值。通过获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值，并获取第一漏电值和第二漏电值的差值的绝对值，将绝对值和第一阈值进行比对，如果绝对值大于第一阈值，则说明目标器件是不合格的器件。或者，还可以为目标器件接入不用的电流，测量目标器件不同的耐压值。耐压值最差，并获取差的绝对值，绝对值和第二阈值进行比对，绝对值大于第二阈值，则确定目标器件为不合格的器件。相比于现有技术的确定BV曲线，本实施例可以提高对目标器件的测试速度。

作为一种可选的示例，在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，上述方法还包括：

获取第一器件的电压电流曲线，其中，电压电流曲线记录有第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，第一器件为预先检测为合格的器件。

可选地，本实施例中，可以先对部分器件采用常规测试方法进行测试，测试后，获取合格器件的BV曲线。合格的器件的BV曲线上，记录有对于合格产品的不同的电压对应的漏电值，和不同的电流下的耐压值。

作为一种可选的示例，在获取第一器件的电压电流曲线之后，上述方法还包括：

在电压电流曲线上确定第一器件的击穿值，其中，击穿值对应电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在第一器件的电压等于击穿电压的情况下，第一器件的漏电值大于击穿电流，在第一器件的电流大于或等于击穿电流的情况下，第一器件的耐压值等于击穿电压。

可选地，在本实施例中，对于获取的合格器件的BV曲线，可以确定合格产品的击穿值。合格产品在电压小于击穿值的电压的情况下，随着电压的增大，漏电值逐渐增大，在电压等于击穿值的电压的情况下，漏电值直线上升。而合格产品的电流在小于击穿值的电流的情况下，随着电流的增大，耐压值逐渐增大。在电流大于或者等于击穿值的电流的情况下，耐压值固定不变，为一个定值。

作为一种可选的示例，在电压电流曲线上确定第一器件的击穿值之后，上述方法还包括：

获取电压电流曲线上小于击穿电压的两个不同的电压值；

将两个不同的电压值分别确定为第一电压和第二电压。

可选地，本实施例中，可以将击穿值之前的两个电压作为第一电压和第二电压。使用该第一电压和第二电压测试目标器件。由于合格产品的第一电压和第二电压对应的漏电值差异小，因此，计算出差值的绝对值后，绝对值会小于或等于第一阈值。而如果差值的绝对值大于第一阈值，说明目标器件的漏电值差异大，说明目标器件的性能是不达标的。

作为一种可选的示例，在电压电流曲线上确定第一器件的击穿值之后，上述方法还包括：

获取电压电流曲线上大于击穿电流的两个不同的电流值；

将两个不同的电流值分别确定为第一电流和第二电流。

可选地，本实施例中，可以将击穿值之后的两个电流作为第一电流和第二电流。使用该第一电流和第二电流测试目标器件。由于合格产品的第一电流和第二电流对应的耐压值基本相同，因此，计算出差值的绝对值后，绝对值会小于或等于第二阈值。而如果差值的绝对值大于第二阈值，说明目标器件的耐压值差异大，说明目标器件的性能是不达标的。

结合一个示例进行说明。

图2是本实施例的一种BV曲线的示意图。图2中两个同规格(600V平台)的器件的BV曲线，实线为合格产品，虚线为不合格品。图中横坐标为耐压(V)(电压)，纵坐标为漏电(A)(电流)。从合格产品曲线看，该器件在700V前漏电一直保持在1nA～10nA左右，漏电极小，当达到690V左右时器件达到击穿耐压(拐点处)，漏电极速上升，耐压不继续上涨，此曲线属于“硬击穿”(曲线接近一个直角，例如可以认为曲线夹角小于一个值则为硬击穿，如曲线夹角小于95度为硬击穿)，一般业界认为600V平台的器件，击穿电压可达690V左右，余量充足，且漏电极小，此种曲线的器件性能良好。而不合格器件，在未达到所要求的耐压600V即出现拐点(480V左右，且漏电偏大)，在600V电压下，漏电已达10uA左右，漏电较大，长期可靠性验证时，此种器件容易因漏电较大而损坏，不合格产品曲线为“软击穿”，此种器件需要在测试过程进行剔除。图3是另一种BV曲线示意图。图3中，虚线为合格产品，每一条实线都是一个不合格产品的BV曲线。

本实施例中，提供的器件性能测试方法，流程图如图4所示。产品封装完后，不测BV曲线，转变为从不同的耐压或漏电条件下测试，再取两者之间的差值。

本实施例中，对于目标器件，可以获取相同类型的多个合格器件的BV曲线，然后确定BV曲线的平均值以及击穿值的平均值。根据BV曲线的平均值以及击穿值的平均值确定出合适的第一电压、第二电压和第一电流、第二电流。

如图5BV曲线及图6所示，合格产品一般为“硬击穿”，判定器件是何种方式击穿，可以在拐点附近设置不同的测试条件，不同条件下呈现不同的测试值，再通过这两种测试值作差，设置在某个特定范围，若小于这个范围，判定器件不合格，折射成曲线则为“硬击穿”，若大于这个范围，则为“软击穿”，器件性能不佳，判定不合格，进行剔除。主要有两种方法，一为不同漏电下的耐压值作差，二为不同耐压下的漏电值作差，两种方法原理相同。

如果是使用第一电压和第二电压进行测试，不同耐压(电压)下的漏电值作差，漏电作差，如分别测试520V及650V下的漏电，两者漏电作差，良品520V下的漏电为9nA，650V下的漏电为12nA，两者作差为3nA，可以设定delta值在20nA，不良品520V下的漏电约为200nA，650V下漏电则变为200uA，已经远超delta规范值，则判定器件失效。

以图5为例子作说明，图中圆圈分别为合格产品与不合格产品在520V和650V条件下对应的漏电值，测试条件为520V和650V条件下分别测试器件对应的漏电值，两者再作差(以上条件、最小值/最大值等列出仅作为参考，不同器件需根据实际作调整)

测试条件和标准：

经过测试，例如520V下合格品的IR1：约9nA；不合格品的IR1:约200nA，650V下合格品的IR2：约12nA；不合格品的IR2：约200uA，则合格品delta:3nA；不合格品delta:约200uA。例如第二阈值为20nA，则200uA远大于20nA。

如果是使用第一电流和第二电流进行测试，不同漏电(电流)下的耐压值作差，如图6，图中圆圈分别为合格与不合格产品在1uA和10uA条件下对应的耐压值，耐压作差，如在1uA和10uA漏电下分别测试其耐压值，合格产品在两种条件下耐压值差异不大，从曲线看，基本在690V左右，delta值可设定为5V内，而不合格产品，1uA下耐压只有540V左右，10uA下耐压在600V，两者作差为60V，远远大于设定的5V，则判定此器件失效。

测试条件和标准：

测试条件为1uA和10uA条件下分别测试器件对应的耐压值，两者再作差(以上条件、最小值/最大值等列出仅作为参考，不同器件需根据实际作调整)

在1uA下，合格产品VR1：约680V；不合格产品VR1:约550V

在10uA下，合格产品VR2：约682V；不合格产品VR2：约600V

合格产品delta:2V；不合格产品delta:约50V。

因此，通过以上方法看出，不合格产品不仅在VR1/VR2/Delta三个测试项都表现不合格，按以上测试即可把不合格产品剔出。以上不合格产品性能比较恶劣，如果仅测试到VR1即将其剔出，但部分器件疲软程度不太大，即使进行VR1和VR2均会在测试范围内(660～800V)，如附图3举例所示，大部分器件拐点在650V左右，但为“软击穿”，曲线接近钝角，这种曲线性能也不太好，若对器件性能要求严格的话，需要将此部分筛出。

本实施例中，具体delta值(第一阈值和第二阈值)范围根据器件的使用环境和等级决定，如果对器件性能要求较高，则将delta值范围适当缩小，则反映到的BV曲线则越接近直角，器件静态参数性能越佳，但若设置过小，保证了器件性能的前提下，也会损失一部分合格率，因此delta值需根据实际情况进行综合评估。

需要说明的是，对于前述的各方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作和模块并不一定是本发明所必须的。

根据本申请实施例的另一方面，还提供了一种器件性能测试装置，如图7所示，包括：

第一获取单元702，用于获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；

第一确定单元704，用于在第一漏电值与第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者第一耐压值与第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定目标器件为不合格器件。

可选地，在本实施例中，目标器件为待测器件，如果存在多个待测器件，则将每一个待测器件作为目标器件进行测试。目标器件可以为半导体器件。

目标器件在接入不同的电压的情况下，会有对应不同的漏电值。通过获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值，并获取第一漏电值和第二漏电值的差值的绝对值，将绝对值和第一阈值进行比对，如果绝对值大于第一阈值，则说明目标器件是不合格的器件。或者，还可以为目标器件接入不用的电流，测量目标器件不同的耐压值。耐压值最差，并获取差的绝对值，绝对值和第二阈值进行比对，绝对值大于第二阈值，则确定目标器件为不合格的器件。相比于现有技术的确定BV曲线，本实施例可以提高对目标器件的测试速度。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二获取单元，用于在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取上述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，获取第一器件的电压电流曲线，其中，上述电压电流曲线记录有上述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，上述第一器件为预先检测为合格的器件。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第二确定单元，用于在获取第一器件的电压电流曲线之后，在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值，其中，上述击穿值对应上述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在上述第一器件的电压等于上述击穿电压的情况下，上述第一器件的漏电值大于上述击穿电流，在上述第一器件的电流大于或等于上述击穿电流的情况下，上述第一器件的耐压值等于上述击穿电压。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第三获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上小于上述击穿电压的两个不同的电压值；第三确定单元，用于将上述两个不同的电压值分别确定为上述第一电压和上述第二电压。

作为一种可选的示例，上述装置还包括：第四获取单元，用于在上述电压电流曲线上确定上述第一器件的击穿值之后，获取上述电压电流曲线上大于上述击穿电流的两个不同的电流值；第四确定单元，用于将上述两个不同的电流值分别确定为上述第一电流和上述第二电流。

结合一个示例进行说明。

图2是本实施例的一种BV曲线的示意图。图2中两个同规格(600V平台)的器件的BV曲线，实线为合格产品，虚线为不合格品。图中横坐标为耐压(V)，纵坐标为漏电(A)。从合格产品曲线看，该器件在700V前漏电一直保持在1nA～10nA左右，漏电极小，当达到690V左右时器件达到击穿耐压(拐点处)，漏电极速上升，耐压不继续上涨，此曲线属于“硬击穿”(曲线接近一个直角)，一般业界认为600V平台的器件，击穿电压可达690V左右，余量充足，且漏电极小，此种曲线的器件性能良好。而不合格器件，在未达到所要求的耐压600V即出现拐点(480V左右，且漏电偏大)，在600V电压下，漏电已达10uA左右，漏电较大，长期可靠性验证时，此种器件容易因漏电较大而损坏，不合格产品曲线为“软击穿”，此种器件需要在测试过程进行剔除。图3是另一种BV曲线示意图。图3中，虚线为合格产品，每一条实线都是一个不合格产品的BV曲线。

本实施例中，提供的器件性能测试方法，流程图如图4所示。产品封装完后，不测BV曲线，转变为从不同的耐压或漏电条件下测试，再取两者之间的差值。

本实施例中，对于目标器件，可以获取相同类型的多个合格器件的BV曲线，然后确定BV曲线的平均值以及击穿值的平均值。根据BV曲线的平均值以及击穿值的平均值确定出合适的第一电压、第二电压和第一电流、第二电流。

如图5BV曲线及图6所示，合格产品一般为“硬击穿”，判定器件是何种方式击穿，可以在拐点附近设置不同的测试条件，不同条件下呈现不同的测试值，再通过这两种测试值作差，设置在某个特定范围，若小于这个范围，判定器件不合格，折射成曲线则为“硬击穿”，若大于这个范围，则为“软击穿”，器件性能不佳，判定不合格，进行剔除。主要有两种方法，一为不同漏电下的耐压值作差，二为不同耐压下的漏电值作差，两种方法原理相同。

如果是使用第一电压和第二电压进行测试，不同耐压(电压)下的漏电值作差，漏电作差，如分别测试520V及650V下的漏电，两者漏电作差，良品520V下的漏电为9nA，650V下的漏电为12nA，两者作差为3nA，可以设定delta值在20nA，不良品520V下的漏电约为200nA，650V下漏电则变为200uA，已经远超delta规范值，则判定器件失效。

以图5为例子作说明，图中圆圈分别为合格产品与不合格产品在520V和650V条件下对应的漏电值，测试条件为520V和650V条件下分别测试器件对应的漏电值，两者再作差(以上条件、最小值/最大值等列出仅作为参考，不同器件需根据实际作调整)

测试条件和标准：

经过测试，例如520V下合格品的IR1：约9nA；不合格品的IR1:约200nA，650V下合格品的IR2：约12nA；不合格品的IR2：约200uA，则合格品delta:3nA；不合格品delta:约200uA。例如第二阈值为20nA，则200uA远大于20nA。

如果是使用第一电流和第二电流进行测试，不同漏电(电流)下的耐压值作差，如图6，图中圆圈分别为合格与不合格产品在1uA和10uA条件下对应的耐压值，耐压作差，如在1uA和10uA漏电下分别测试其耐压值，合格产品在两种条件下耐压值差异不大，从曲线看，基本在690V左右，delta值可设定为5V内，而不合格产品，1uA下耐压只有540V左右，10uA下耐压在600V，两者作差为60V，远远大于设定的5V，则判定此器件失效。

测试条件和标准：

测试条件为1uA和10uA条件下分别测试器件对应的耐压值，两者再作差(以上条件、最小值/最大值等列出仅作为参考，不同器件需根据实际作调整)

在1uA下，合格产品VR1：约680V；不合格产品VR1:约550V

在10uA下，合格产品VR2：约682V；不合格产品VR2：约600V

合格产品delta:2V；不合格产品delta:约50V。

因此，通过以上方法看出，不合格产品不仅在VR1/VR2/Delta三个测试项都表现不合格，按以上测试即可把不合格产品剔出。以上不合格产品性能比较恶劣，如果仅测试到VR1即将其剔出，但部分器件疲软程度不太大，即使进行VR1和VR2均会在测试范围内(660～800V)，如附图3举例所示，大部分器件拐点在650V左右，但为“软击穿”，曲线接近钝角，这种曲线性能也不太好，若对器件性能要求严格的话，需要将此部分筛出。

本实施例中，具体delta值(第一阈值和第二阈值)范围根据器件的使用环境和等级决定，如果对器件性能要求较高，则将delta值范围适当缩小，则反映到的BV曲线则越接近直角，器件静态参数性能越佳，但若设置过小，保证了器件性能的前提下，也会损失一部分合格率，因此delta值需根据实际情况进行综合评估。

根据本发明实施例的又一方面，还提供了一种用于实施上述器件性能测试方法的电子设备，该电子设备可以包括存储器和处理器，该存储器中存储有计算机程序，该处理器被设置为通过计算机程序执行上述的器件性能测试方法中的步骤。

根据本发明的实施例的又一方面，还提供了一种计算机可读的存储介质，该计算机可读的存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述器件性能测试方法中的步骤。

可选地，在本实施例中，本领域普通技术人员可以理解上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤是可以通过程序来指令终端设备相关的硬件来完成，该程序可以存储于一计算机可读存储介质中，存储介质可以包括：闪存盘、只读存储器(Read-Only Memory，ROM)、随机存取器(Random Access Memory，RAM)、磁盘或光盘等。

上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

上述实施例中的集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在上述计算机可读取的存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在存储介质中，包括若干指令用以使得一台或多台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。

在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的客户端，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种器件性能测试方法，其特征在于，包括：

获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取所述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；

在所述第一漏电值与所述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者所述第一耐压值与所述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定所述目标器件为不合格器件。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取所述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，所述方法还包括：

获取第一器件的电压电流曲线，其中，所述电压电流曲线记录有所述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，所述第一器件为预先检测为合格的器件。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在获取第一器件的电压电流曲线之后，所述方法还包括：

在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值，其中，所述击穿值对应所述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在所述第一器件的电压等于所述击穿电压的情况下，所述第一器件的漏电值大于所述击穿电流，在所述第一器件的电流大于或等于所述击穿电流的情况下，所述第一器件的耐压值等于所述击穿电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值之后，所述方法还包括：

获取所述电压电流曲线上小于所述击穿电压的两个不同的电压值；将所述两个不同的电压值分别确定为所述第一电压和所述第二电压。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值之后，所述方法还包括：

获取所述电压电流曲线上大于所述击穿电流的两个不同的电流值；

将所述两个不同的电流值分别确定为所述第一电流和所述第二电流。

6.一种器件性能测试装置，其特征在于，包括：

第一获取单元，用于获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值；和/或获取所述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值；

第一确定单元，用于在所述第一漏电值与所述第二漏电值的差的绝对值大于第一阈值或者所述第一耐压值与所述第二耐压值的差的绝对值大于第二阈值的情况下，确定所述目标器件为不合格器件。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第二获取单元，用于在获取目标器件在第一电压下的第一漏电值和在第二电压下的第二漏电值或者在获取所述目标器件在第一电流下的第一耐压值和在第二电流下的第二耐压值之前，获取第一器件的电压电流曲线，其中，所述电压电流曲线记录有所述第一器件在不同的电压下的漏电值和不同电流下的耐压值，所述第一器件为预先检测为合格的器件。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述装置还包括：

第二确定单元，用于在获取第一器件的电压电流曲线之后，在所述电压电流曲线上确定所述第一器件的击穿值，其中，所述击穿值对应所述电压电流曲线上的一个点，包括击穿电压和击穿电流，在所述第一器件的电压等于所述击穿电压的情况下，所述第一器件的漏电值大于所述击穿电流，在所述第一器件的电流大于或等于所述击穿电流的情况下，所述第一器件的耐压值等于所述击穿电压。

9.一种计算机可读的存储介质，所述计算机可读的存储介质存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序运行时执行所述权利要求1至5任一项中所述的方法。

10.一种电子设备，包括存储器和处理器，其特征在于，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器被设置为通过所述计算机程序执行所述权利要求1至5任一项中所述的方法。

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