CN111308389A - 一种变流器及其功率半导体器件漏电流自检方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种变流器及其功率半导体器件漏电流自检方法，以准确检测功率半导体器件S1在高压条件下的漏电流，确保安全启机。变流器箱体内部设有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路，变流器主电路包含至少一个半桥，该自检电路具有开关K1和稳压二极管D1，K1闭合后，D1与同一半桥上的一个管子并联后再与另一管子S1串联。该方法包括：在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值，以及确保S1处于一个上下桥臂均截止的半桥，闭合K1；获取变流器启机前箱体内部温度；采样D1在该温度下的稳定电压；根据D1在该温度下的伏安特性确定D1在该稳定电压下的反向漏电流，若该电流超过阈值，禁止变流器启机并输出报警信号。

Description

一种变流器及其功率半导体器件漏电流自检方法
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域，更具体地说，涉及一种变流器及其功率半导体器件漏电流自检方法。
背景技术
变流器中的功率半导体器件(例如IGBT、MOSFET等)在长期使用过程中出现老化、疲劳等问题，会造成功率半导体器件可靠性降低，有可能导致变流器启机时功率半导体器件高压击穿，进而引起变流器短路烧毁。
功率半导体器件的漏电流大小是评估其可靠性的重要静态参数。所以，在变流器启机前，有必要检测功率半导体器件在高压条件下的漏电流大小，以评判变流器是否具备安全启机条件。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种变流器及其功率半导体器件漏电流自检方法，以准确检测功率半导体器件在高压条件下的漏电流大小，确保安全启机。
一种功率半导体器件漏电流自检方法，应用于变流器，变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路，所述变流器主电路包含至少一个半桥或者能够变形出至少一个半桥；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与所述半桥上的一个功率半导体器件并联后再与同一半桥上的另一功率半导体器件串联，所述另一功率半导体器件为被测功率半导体器件；
所述功率半导体器件漏电流自检方法包括：
在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值，以及确保被测功率半导体器件处于一个上下桥臂均截止的半桥，以及闭合所述启动开关；
获取变流器启机前的箱体内部温度；
采样所述稳压二极管在所述温度条件下的稳定电压；
根据所述稳压二极管在所述温度条件下的反向伏安特性曲线，确定所述稳压二极管在所述稳定电压下对应的反向漏电流；
判断所述反向漏电流是否超过预设电流值，若是，禁止变流器启机并输出报警信号。
可选的，所述变流器中的多个待测功率半导体器件共同一个漏电流自检电路。
可选的，当所述变流器为全桥两电平逆变器时，共用的漏电流自检电路包括第一稳压二极管、第二稳压二极管、第一开关、第二开关和第三开关，其中：
第一稳压二极管与第一开关串联后一端接母线正极、一端接第三开关的第一端子；
第二稳压二极管与第二开关串联后一端接母线负极、一端接第三开关的第一端子；第三开关的第二端子可选择性的连接到全桥两电平逆变器的任一桥臂输出端。
可选的，所述获取变流器启机前的箱体内部温度，包括：
在变流器启机前，获取变流器内任一功率半导体器件内置的热敏电阻测得的温度值，作为变流器启机前的箱体内部温度。
可选的，所述闭合所述启动开关后，还包括：
判断所述半桥的上下桥臂压差是否大于设定阈值，若是，禁止变流器启机并输出报警信号。
可选的，所述稳压二极管能够替换为瞬态电压抑制二极管。
又一种功率半导体器件漏电流自检方法，应用于变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路；所述变流器主电路内包含至少一个能够并联在变流器输入端的功率半导体器件；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与一个所述功率半导体器件串联；
所述功率半导体器件漏电流自检方法包括：
在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值，以及确保被测功率半导体器件截止后并联在变流器输入端，以及闭合所述启动开关；
获取变流器启机前的箱体内部温度；
采样所述稳压二极管在所述温度条件下的稳定电压；
根据所述稳压二极管在所述温度条件下的反向伏安特性曲线，确定所述稳压二极管在所述稳定电压下对应的反向漏电流；
判断所述反向漏电流是否超过预设电流值，若是，禁止变流器启机并输出报警信号。
可选的，所述稳压二极管能够替换为瞬态电压抑制二极管。
一种变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路，所述变流器主电路包含至少一个半桥或者能够变形出至少一个半桥；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与所述半桥上的一个功率半导体器件并联后再与同一半桥上的另一功率半导体器件串联，所述另一功率半导体器件为被测功率半导体器件；
所述变流器内包含一存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述公开的任一种适用于本变流器的功率半导体器件漏电流自检方法。
又一种变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路；所述变流器主电路内包含至少一个能够并联在变流器输入端的功率半导体器件；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与一个所述功率半导体器件串联；
所述变流器内包含一存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述公开的任一种适用于本变流器的功率半导体器件漏电流自检方法。
从上述的技术方案可以看出，本发明在变流器启机前，利用稳压二极管反向击穿时的低电压钳位作用和伏安特性，构造稳压二极管与被测功率半导体器件的串联(或近似串联)关系，那么依据稳压二极管反向击穿时的反向伏安特性曲线获得的稳压二极管漏电流大小，就近似等于被测功率半导体器件的漏电流大小，据此评判变流器是否具备安全启机条件。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术公开的一种全桥两电平逆变器电路拓扑结构示意图；
图2为现有技术公开的一种I型三电平逆变器电路拓扑结构示意图；
图3为现有技术公开的一种T型三电平逆变器电路拓扑结构示意图；
图4为现有技术公开的又一种T型三电平逆变器电路拓扑结构示意图；
图5为本发明实施例公开的一种漏电流自检电路拓扑结构示意图；
图6为本发明实施例公开的一种功率半导体器件漏电流检测方法流程图；
图7为电压温度系数为负值的稳压二极管在不同温度条件下的反向伏安特性曲线；
图8为电压温度系数为正值的稳压二极管在不同温度条件下的反向伏安特性曲线；
图9为功率半导体器件的漏电流与其截止电压和温度的关系示意图；
图10为本发明实施例公开的一种共用的漏电流自检电路拓扑结构示意图；
图11为本发明实施例公开的又一种漏电流自检电路拓扑结构示意图；
图12为本发明实施例公开的又一种功率半导体器件漏电流检测方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例公开了一种功率半导体器件漏电流自检方法，应用于变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路。
所述变流器主电路包含至少一个半桥或者能够变形出至少一个半桥，其中包含的/变形出的至少一个半桥均并联在变流器输入端。具体的，所述变流器可以是逆变器或DC/DC电路。当为逆变器时，从相数上来说，所述逆变器可以是单相逆变器也可以是三相逆变器；从拓扑结构上来说，所述逆变器可以是半桥两电平逆变器、全桥两电平逆变器(如图1所示)、I型三电平逆变器(如图2所示)或者T型三电平逆变器(如图3或图4所示)等。其中，单相半桥两电平逆变器和单相T型三电平逆变器本身均具有一个半桥(图3/图4中用虚线框框出的结构即为单相T型三电平逆变器中的半桥)，单相全桥两电平逆变器本身具有两个半桥，而单相I型三电平逆变器可以通过变形得到一个半桥。参见图2，假设从母线正极连接到母线负极的四个功率半导体器件依次是S1、S2、S3、S4，通过闭合S1、S4，可变形得到一个由S2和S3组成的半桥。
所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与所述半桥上的一个功率半导体器件并联后再与同一半桥上的另一功率半导体器件串联(可以是所述稳压二极管与所述半桥的上管并联后再与下管串联，也可以是所述稳压二极管与所述半桥的下管并联后再与上管串联)，所述另一功率半导体器件为被测功率半导体器件。以图5为例，所述半桥包括上管Sa1和下管Sa2，将下管Sa2作为被测功率半导体器件，下管Sa2对应的漏电流自检电路包括相串联的稳压二极管D1和开关K1。
如图6所示，所述功率半导体器件漏电流自检方法包括：
步骤S01：在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值Vin，以及确保被测功率半导体器件处于一个上下桥臂均截止的半桥，以及闭合所述启动开关。
具体的，当被测功率半导体器件所在半桥是变流器主电路中直接存在的一个半桥时，所述确保被测功率半导体器件处于一个上下桥臂均截止的半桥，就是控制该半桥的上下管截止。当被测功率半导体器件所在半桥是变流器主电路中变形得到的一个半桥时，所述确保被测功率半导体器件处于一个上下桥臂均截止的半桥，就是在保证变流器内元器件不会出现过压/过流损坏的前提下，先通过控制变流器内开关管通断而变形得到该半桥，再控制该半桥的上下管截止。
另外，想要检测被测功率半导体器件哪一电压状态下的漏电流，预设电压值Vin就可以取值为多少(当然也可以根据设置为略高于或略低于)。例如在半桥两电平逆变器、全桥两电平逆变器、I型三电平逆变器或T型三电平逆变器中，逆变器正常工作时内部功率半导体器件最高承受电压基本上就等于逆变器正常工作时的母线电压，所以可直接利用逆变器直流侧连接的直流电源放电来将逆变器输入电压提升到该母线电压值，当然在误差允许的情况下，预设电压值Vin的取值也可以略大于或略小于该母线电压值。
步骤S02：获取变流器启机前的箱体内部温度。
具体的，本发明实施例可以在变流器箱体内部专门设置一温度传感器来测量变流器启机前的箱体内部温度。不过为了节省成本，本发明实施例推荐在变流器启机前，直接将变流器内任一功率半导体器件内部现有的热敏电阻测得的温度值作为变流器启机前的箱体内部温度，该热敏电阻一般为NTC(Negative Temperature Coefficient，负温度系数)。具体分析如下：
结温是功率半导体器件内半导体芯片(晶圆、裸片)的实际工作温度，它通常高于功率半导体器件封装外壳温度。功率半导体器件的结温无法直接测量得到，需要借助其它的温度传感器，比如利用功率半导体器件内置的NTC电阻间接计算得到。而变流器启机前，功率半导体器件尚未工作，所以功率半导体器件内置的NTC电阻测得的温度值也就等于变流器启机前的箱体内部温度。
步骤S03：采样所述稳压二极管在所述温度条件下的稳定电压。
步骤S04：根据所述稳压二极管在所述温度条件下的反向伏安特性曲线，确定所述稳压二极管在所述稳定电压下对应的反向漏电流。
具体的，稳压二极管的反向伏安特性，是指在反向电压较低时，稳压二极管截止；当反向电压达到一定阈值时，稳压二极管进入击穿区也即正常工作区间，此时其反向漏电流在很大范围内变化时反向电压变化范围却很小。在保证稳压二极管最大电流不超过最高限值的前提下，在特定温度条件下，稳压二极管的反向电压与反向漏电流具有确定的定量关系曲线，由此可以事先测量出稳压二极管在不同温度条件下的反向伏安特性曲线。
如果稳压二极管的温度变化，其稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是电压温度系数(单位：﹪/℃)。一般说来稳压电压低于6V的属于齐纳击穿，电压温度系数是负的，如图7所示；稳压电压高于6V的一般属于雪崩击穿，电压温度系数是正的，如图8所示；图7和图8中，T1＞T2，Uz1表示稳压二极管在T1温度下进入击穿区的临界点，Uz2表示稳压二极管在T2温度下进入击穿区的临界点。本发明实施例中采用的稳压二极管可以是电压温度系数为负值的管子，也可以是电压温度系数为正值的管子，并不局限。
稳压二极管接入变流器后，稳压二极管进入击穿区。本发明实施例根据其在当前温度条件下的稳定电压采样值，对照其在当前温度条件下的反向伏安特性曲线，确定其当前漏电流大小。由于稳定电压变化范围很小时反向漏电流变化范围却很大，为了保证漏电流对照精度，本实施例对稳定电压采样精度要求高。
步骤S05：判断所述反向漏电流是否超过预设值，若是，进入步骤S06，若否，进入步骤S07。
步骤S06：禁止变流器启机并输出报警信号。
具体的，以图5为例，稳压二极管D1与上管并联后再与下管串联，由于稳压二极管D1的反向电压远小于施加在半桥上的电压Vin，所以施加在半桥上的电压Vin基本都是由下管承担，也即是说上管截止电压远小于下管截止电压，下管截止电压接近于电压Vin。又根据图9可知在特定温度条件下，功率半导体器件的截止电压Vds越小时其流过的漏电流Ileak也越小(温度T1＜T2＜T3)，所述上管的漏电流远小于下管的漏电流，所以稳压二极管D1的漏电流与下管的漏电流基本是相等的，此时稳压二极管与下管近似于串联关系。由于下管截止电压接近于电压Vin，并且稳压二极管与下管近似于串联关系，所以可以通过检测稳压二极管D1的漏电流作为下管承受电压Vin时的漏电流。
步骤S07：对下一待测功率半导体器件进行漏电流自检或控制变流器启机。
具体的，在对一个待测功率半导体器件进行漏电流自检完成后，可采用同样方法继续对下一待测功率半导体器件进行漏电流自检，直至完成对所有待测功率半导体器件的漏电流自检工作后，控制变流器启机。当然，也可以只针对个别待测功率半导体器件进行漏电流自检，而不必全部自检。
由以上述描述可知，本发明实施例在变流器启机前，利用稳压二极管反向击穿时的低电压钳位作用和伏安特性，构造稳压二极管与被测功率半导体器件的近似串联关系，那么依据稳压二极管反向击穿时的反向伏安特性曲线获得的稳压二极管漏电流大小，就近似等于被测功率半导体器件的漏电流大小，从而完成了变流器的启机安全检测。
在上述公开的任一实施例中，稳压二极管可以是稳压二极管单管也可以是多个单稳压二极管的串并联组合，或者稳压二极管也可替换为与其工作原理相似的瞬态电压抑制二极管，所述瞬态电压抑制二极管可以是单管或者多管的组合形式。
在上述公开的任一实施例中，通过为变流器主电路中每一个要检测的功率半导体器件分别配置一个漏电流自检电路，并单独执行上述功率半导体器件漏电流自检方法，即可完成对每一个功率半导体器件的漏电流检测。当然为节省成本，也可以让多个待测功率半导体器件共同一个漏电流自检电路。例如图10所示，当变流器为三相全桥两电平逆变器时，共用的漏电流自检电路包括：第一稳压二极管D11、第二稳压二极管D12、第一开关K11、第二开关K12、第三开关K13；
第一稳压二极管D11与第一开关K11串联后一端接母线正极、一端接第三开关K13的第一端子；
第二稳压二极管D12与第二开关K12串联后一端接母线负极、一端接第三开关K13的第一端子；第三开关K13的第二端子可选择性的连接到三相全桥两电平逆变器的任一桥臂输出端。
在图10中，根据需要检测的被测功率半导体器件对应选择第一开关K11的通断、第二开关K12的通断以及第三开关K13的第二端子连接到全桥两电平逆变器的哪一桥臂输出端，即可得到该被测功率半导体器件的漏电流自检电路。另外，可以设置一个母线电压采样电路和下管(或上管)电压采样电路，以采样漏电流检测过程中需要的电压值，上管(或下管)电压采样直接根据母线电压采样与下管(或上管)电压采样做差得到。
可选的，在上述公开的任一实施例中，所述步骤S01后，还包括：测量判断所述半桥的上下桥臂压差Δα是否大于设定阈值Δαset，器件分压越低说明该器件截止特性退化越严重，当上下管分压的差值大于该设定阈值(一般可设定为5％)时，可直接判定所述半桥故障，禁止变流器启机并输出报警信号。
其中，Δα可通过公式
Figure BDA0002424107550000091
计算得到，Vbus表示母线电压，Vbus2表示下管电压。
本发明实施例还公开了又一种功率半导体器件漏电流自检方法，应用于变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路。所述变流器主电路内包含至少一个能够并联在变流器输入端的功率半导体器件，例如boost电路；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与一个所述功率半导体器件串联。以图11为例，通过闭合变流器内的开关K4使被测功率半导体器件Sa6并联在变流器输入端，被测功率半导体器件Sa6对应的漏电流自检电路包括相串联的稳压二极管D3和开关K3。
如图12所示，所述功率半导体器件漏电流自检方法包括：
步骤S11：在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值Vin，以及确保被测功率半导体器件截止后并联在变流器输入端，以及闭合所述启动开关。
步骤S12：获取变流器启机前的箱体内部温度。
步骤S13：采样所述稳压二极管在所述温度条件下的稳定电压。
步骤S14：根据所述稳压二极管在所述温度条件下的反向伏安特性曲线，确定所述稳压二极管在所述稳定电压下对应的反向漏电流。
步骤S15：判断所述反向漏电流是否超过预设电流值，若是，进入步骤S16，若否，进入步骤S17。
步骤S16：禁止变流器启机并输出报警信号。
步骤S17：对下一待测功率半导体器件进行漏电流自检或控制变流器启机。
相较于图6所示实施例将稳压二极管与被测功率半导体器件近似串联，图12所示实施例是将稳压二极管与被测功率半导体器件直接串联，通过检测稳压二极管的漏电流作为下管承受电压Vin时的漏电流，两方案原理相似，互相参考即可。另外，在图6所示实施例基础上附加的技术内容同样适用于图12所示实施例，此处不再赘述。
与上述方法实施例相对应的，本发明实施例还公开了一种变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路，所述变流器主电路包含至少一个半桥或者能够变形出至少一个半桥；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与所述半桥上的一个功率半导体器件并联后再与同一半桥上的另一功率半导体器件串联，所述另一功率半导体器件为被测功率半导体器件；
所述变流器内包含一存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述任一种适用于本变流器的功率半导体器件漏电流自检方法，例如图6所示实施例公开的功率半导体器件漏电流自检方法。
与上述方法实施例相对应的，本发明实施例还公开了又一种变流器，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路；所述变流器主电路内包含至少一个能够并联在变流器输入端的功率半导体器件；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与一个所述功率半导体器件串联；
所述变流器内包含一存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述任一种适用于本变流器的功率半导体器件漏电流自检方法，例如图10所示实施例公开的功率半导体器件漏电流自检方法。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的变流器而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明实施例的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明实施例将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种功率半导体器件漏电流自检方法，应用于变流器，其特征在于，变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路，所述变流器主电路包含至少一个半桥或者能够变形出至少一个半桥；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与所述半桥上的一个功率半导体器件并联后再与同一半桥上的另一功率半导体器件串联，所述另一功率半导体器件为被测功率半导体器件；
所述功率半导体器件漏电流自检方法包括：
在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值，以及确保被测功率半导体器件处于一个上下桥臂均截止的半桥，以及闭合所述启动开关；
获取变流器启机前的箱体内部温度；
采样所述稳压二极管在所述温度条件下的稳定电压；
根据所述稳压二极管在所述温度条件下的反向伏安特性曲线，确定所述稳压二极管在所述稳定电压下对应的反向漏电流；
判断所述反向漏电流是否超过预设电流值，若是，禁止变流器启机并输出报警信号。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件漏电流自检方法，其特征在于，所述变流器中的多个待测功率半导体器件共同一个漏电流自检电路。
3.根据权利要求2所述的功率半导体器件漏电流自检方法，其特征在于，当所述变流器为全桥两电平逆变器时，共用的漏电流自检电路包括第一稳压二极管、第二稳压二极管、第一开关、第二开关和第三开关，其中：
第一稳压二极管与第一开关串联后一端接母线正极、一端接第三开关的第一端子；
第二稳压二极管与第二开关串联后一端接母线负极、一端接第三开关的第一端子；第三开关的第二端子可选择性的连接到全桥两电平逆变器的任一桥臂输出端。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件漏电流自检方法，其特征在于，所述获取变流器启机前的箱体内部温度，包括：
在变流器启机前，获取变流器内任一功率半导体器件内置的热敏电阻测得的温度值，作为变流器启机前的箱体内部温度。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件漏电流自检方法，其特征在于，所述闭合所述启动开关后，还包括：
判断所述半桥的上下桥臂压差是否大于设定阈值，若是，禁止变流器启机并输出报警信号。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件漏电流自检方法，其特征在于，所述稳压二极管能够替换为瞬态电压抑制二极管。
7.一种功率半导体器件漏电流自检方法，应用于变流器，其特征在于，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路；所述变流器主电路内包含至少一个能够并联在变流器输入端的功率半导体器件；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与一个所述功率半导体器件串联；
所述功率半导体器件漏电流自检方法包括：
在变流器启机前，将变流器输入电压提升至预设电压值，以及确保被测功率半导体器件截止后并联在变流器输入端，以及闭合所述启动开关；
获取变流器启机前的箱体内部温度；
采样所述稳压二极管在所述温度条件下的稳定电压；
根据所述稳压二极管在所述温度条件下的反向伏安特性曲线，确定所述稳压二极管在所述稳定电压下对应的反向漏电流；
判断所述反向漏电流是否超过预设电流值，若是，禁止变流器启机并输出报警信号。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件漏电流自检方法，其特征在于，所述稳压二极管能够替换为瞬态电压抑制二极管。
9.一种变流器，其特征在于，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路，所述变流器主电路包含至少一个半桥或者能够变形出至少一个半桥；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与所述半桥上的一个功率半导体器件并联后再与同一半桥上的另一功率半导体器件串联，所述另一功率半导体器件为被测功率半导体器件；
所述变流器内包含一存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现如权利要求1-6中任一项所述的功率半导体器件漏电流自检方法。
10.一种变流器，其特征在于，所述变流器箱体内部设置有一挂接在变流器主电路上的漏电流自检电路；所述变流器主电路内包含至少一个能够并联在变流器输入端的功率半导体器件；所述漏电流自检电路具有启动开关和一稳压二极管，所述启动开关闭合后，所述稳压二极管与一个所述功率半导体器件串联；
所述变流器内包含一存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现如权利要求7或8所述的功率半导体器件漏电流自检方法。
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