CN113702866A - Mosfet漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质 - Google Patents

Mosfet漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质 Download PDF

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CN113702866A CN202110905628.6A CN202110905628A CN113702866A CN 113702866 A CN113702866 A CN 113702866A CN 202110905628 A CN202110905628 A CN 202110905628A CN 113702866 A CN113702866 A CN 113702866A
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Abstract

本发明公开了一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质，该MOSFET漏电流检测装置包括：电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。本发明提高了MOSFET漏电流的检测精确度，并降低了检测成本。

Description

MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及可读存储介质
技术领域
本发明涉及电路电子领域，尤其涉及一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质。
背景技术
电动汽车的电机控制器(以下简称控制器)的功率输出部分由较多数量的功率MOSFET(以下简称MOSFET)组成三相六臂桥式电路。MOSFET由于芯片、封装等制造缺陷，会出现高压下漏电流超出标称漏电流上限的问题，通常表现为耐压能力不足，在装机后的高压带载运行中击穿失效，导致电机控制器受损，整车动力丢失。
目前，常用的MOSFET漏电流的检测方式为通过电机控制器下线带载运行，使缺陷件失效暴露，但是受限于下线检测节拍时间，下线检测无法筛除所有潜在缺陷件，而且一旦出现失效，会导致MOSFET PCB连同整机一起报废，造成高额损失。
上述内容仅用于辅助理解本发明的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质，旨在解决控制器MOSFET潜在缺陷无法被检出，导致整车应用时电机控制器受损的问题。
为了实现上述目的，本发明提供一种MOSFET漏电流检测装置，包括电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；
所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。
可选地，所述MOSFET漏电流检测装置还包括控制模块和开关模块，所述开关模块的第一端与所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端连接，所述开关模块的第二端与电源连接，所述开关模块的控制端与所述控制模块的输出端连接，所述控制模块的采样端与所述电流检测模块的输出端连接；
所述控制模块，用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通电源信号，在接收到停止信号时，向所述开关模块输出截止信号；所述控制模块，还用于接收所述电流检测模块采样的漏电流信号；
所述开关模块，用于在接收到所述导通电源信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通，在接收到关断信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源断开。
可选地，所述开关模块的第三端与所述控制模块的采样端连接，所述开关模块的第四端与所述电流检测模块的输出端连接；
所述控制模块，还用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通采样端信号；
所述开关模块，用于在接收到导通采样端信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端导通，在接收到关断信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端断开。
可选地，所述上桥MOSFET电路包括上桥MOSFET，所述上桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述上桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。
可选地，所述下桥MOSFET电路包括下桥MOSFET，所述下桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述下桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种MOSFET漏电流检测系统，所述MOSFET漏电流检测系统包括上位机系统、继电器系统、产品夹具和待检测MOSFET桥臂电路PCB；所述产品夹具用于对所述待检测MOSFET桥臂电路PCB进行固定，以使所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端连接，所述继电器系统设置在所述所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源之间，所述继电器系统还设置在所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端之间，所述继电器系统的控制端与所述上位机系统的输出端连接。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种MOSFET漏电流检测方法，其特征在于，应用于如上所述的MOSFET漏电流检测电路或应用于如上所述的MOSFET漏电流检测系统，所述方法包括步骤：
将所述MOSFET桥臂电路PCB的上桥MOSFET或下桥MOSFET与电源导通；
通过对应的电流检测模块对所述上桥MOSFET的漏电流信号或所述下桥MOSFET的漏电流信号进行采样，以得到上桥MOSFET的漏电流值或下桥MOSFET的漏电流值；
所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断。
可选地，所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断的步骤，包括：
判断所述上桥MOSFET漏电流值是否小于预设上桥漏电流故障阈值；
若所述上桥MOSFET漏电流值小于预设上桥漏电流故障阈值，则所述上桥MOSFET检测合格；
若所述上桥MOSFET漏电流值不小于预设上桥漏电流故障阈值，则所述上桥MOSFET检测不合格。
可选地，所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断的步骤，包括：
根据所述漏电电流判断所述下桥MOSFET漏电流值是否小于预设下桥漏电流故障阈值；
若所述下桥MOSFET漏电流值小于预设下桥漏电流故障阈值，则所述下桥MOSFET检测合格；
若所述下桥MOSFET漏电流值不小于预设下桥漏电流故障阈值，则所述下桥MOSFET检测不合格。
此外，为实现上述目的，本发明还提供一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有MOSFET漏电流检测程序，所述MOSFET漏电流检测程序被处理器执行时实现如上所述的MOSFET漏电流检测方法的步骤。
本发明公开了一种MOSFET漏电流检测装置、系统、方法及存储介质，MOSFET漏电流检测装置包括：电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥臂MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。通过将已经焊接好的桥臂电路的PCB板上的MOSFET的电源端引出，从而可以检测PCB板上的所有MOSFET的漏电流值是否达标，提高了检测精确度，有效的避免了焊接有带缺陷MOSFET的PCB板被安装到电机控制器上，引起电机控制器受损的问题发生。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明MOSFET漏电流检测装置一实施例的模块示意图；
图2为本发明MOSFET漏电流检测装置另一实施例的模块示意图；
图3为图2MOSFET漏电流检测装置另一实施例的模块示意图；
图4为本发明MOSFET漏电流检测装置上桥MOSFET电路的电路结构示意图；
图5为本发明MOSFET漏电流检测装置下桥MOSFET电路的电路结构示意图；
图6为本发明MOSFET漏电流检测方法一实施例的流程示意图。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。
附图标号说明：
标号 名称 标号 名称
10 电流检测模块 B+ 电源的正极
20 MOSFET桥臂电路PCB B- 电源的负极
30 控制模块 Q1 上桥MOSFET
40 开关模块 Q2 下桥MOSFET
具体实施方式
应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
另外，在本发明中涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供一种MOSFET漏电流检测装置，参照图1，在一实施例中，该MOSFET漏电流检测装置包括：电流检测模块10和MOSFET桥臂电路PCB20，所述MOSFET桥臂电路PCB20上包括至少一组上、下桥臂MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB20的电源端与电源连接，所述电流检测模块10设置于所述MOSFET桥臂电路PCB20与电源之间；
所述电流检测模块10，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB20与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB20上的MOSFET的漏电流信号进行采样。
上述MOSFET桥臂电路可以为三桥六臂驱动电路，具体的，MOSFET桥臂电路PCB20的电源端可以包括为上桥MOSFET电路的电源端和的下桥MOSFET电路的电源端。上桥MOSFET的源极为与电源正极连接的正电源端，漏极为与电源负极连接的负电源端；下桥MOSFET的源极为与电源正极连接的正电源端，漏极为与电源负极连接的负电源端。电源尽量使用接近但小于等于MOSFET标称电压的直流电源，电流检测模块10可以是电流表、电流传感器等，在此不作限定。
本实施例可以在MOSFET桥臂电路PCB20与电源导通时，对MOSFET桥臂电路PCB20上的MOSFET的漏电流信号进行采样，具体的，当上桥MOSFET电路的电源端与电源导通，或下桥MOSFET电路的电源端与电源导通时，通过电流检测模块10可以分别检测得到上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值。
本方案由于设置了电流检测模块10和MOSFET桥臂电路PCB20，所述MOSFET桥臂电路PCB20上包括至少一组上、下桥臂MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB20的电源端与电源连接，所述电流检测模块10设置于所述MOSFET桥臂电路PCB20与电源之间；电流检测模块10，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB20与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB20上的MOSFET的漏电流信号进行采样。通过将已经焊接好的桥臂电路的PCB板上的MOSFET的电源端引出，从而可以检测PCB板上的所有MOSFET的漏电流值是否达标，提高了检测精确度，有效的避免了焊接有带缺陷MOSFET的PCB板被安装到电机控制器上，引起电机控制器受损的问题发生。
进一步地，参见图2，上述MOSFET漏电流检测装置还包括控制模块30和开关模块40，所述开关模块40的第一端与所述MOSFET桥臂电路PCB20的电源端连接，所述开关模块40的第二端与电源连接，所述开关模块40的控制端与所述控制模块30的输出端连接，所述控制模块30的采样端与所述电流检测模块10的输出端连接。
所述控制模块30，用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块40输出导通电源信号，在接收到停止信号时，向所述开关模块40输出截止信号；所述控制模块30，还用于接收所述电流检测模块10采样的漏电流信号；
所述开关模块40，用于在接收到所述导通电源信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB20与电源导通，在接收到关断信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB20与电源断开。
开关模块40设置于电源与MOSFET桥臂电路PCB20的电源输入端之间，可以实现通过控制模块30对MOSFET桥臂电路PCB20是否通电的控制。具体的，控制模块30接收到的检测信号可以为输入的开始检测信号，控制模块30根据接收到的信号发出将上桥MOSFET电路的电源端与电源导通的信号或下桥MOSFET电路的电源端与电源导通的信号。同时，控制模块30接收电流检测模块10采样的漏电流信号，控制模块30内部可以预设符合标准的漏电流值，控制模块30根据接收到的漏电流值对上桥MOSFET和下桥MOSFET是否符合标准进行判断，进而可以根据检测结果信号对下一级模块进行控制，例如，将检测合格的PCB板进行放行，将检测不合格的PCB筛选出等，或者检测合格时为绿色指示灯亮，不合格时红色指示灯亮并发出声音报警。
需要说明的是，开关模块40可以为继电器模块，开关模块40的结构无需进行限定，本领域技术人员可以参考本领域常用技术进行设置，只需要实现上述对应的功能即可。
在本实施例中，通过将开关模块40设置于控制模块30与MOSFET桥臂电路PCB20之间，可以由控制模块30根据接收到的检测信息，有选择性地导通或断开电源。具体的，可以根据接收到的检测信息选择导通某一个或某一组MOSFET的电源，提高检测效率，减少了电量的消耗。
进一步地，参见图3，述开关模块40的第三端与所述控制模块30的采样端连接，所述开关模块40的第四端与所述电流检测模块10的输出端连接；
所述控制模块30，还用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块40输出导通采样端信号；
所述开关模块40，用于在接收到导通采样端信号时，将所述控制模块30的采样端与所述电流检测模块10的输出端导通，在接收到关断信号时，将所述控制模块30的采样端与所述电流检测模块10的输出端断开。
通过将开关模块40设置于控制模块30与MOSFET桥臂电路PCB20之间，可以由控制模块30根据接收到的检测信息，有选择性接地收检测信号。具体的，可以根据接收到的检测信息选择导通某一个或某一组MOSFET的电源，同时只将这一个或者一组MOSFET的输出信号输出至控制模块30，其它MOSFET不导通，从而节约了端口的使用，并减少了电量的消耗。
进一步地，参见图4，所述上桥MOSFET电路包括上桥MOSFETQ1，所述上桥MOSFETQ1的源极与电源的正极B+连接，所述上桥MOSFETQ1的漏极与电源的负极B-连接。
进一步地，参见图5，所述下桥MOSFET电路包括下桥MOSFETQ2，所述下桥MOSFETQ2的源极与电源的正极B+连接，所述下桥MOSFETQ2的漏极与电源的负极B-连接。
本实施例中，通过将已经焊接好的桥臂电路的PCB板上的每个MOSFET的电源端引出，从而可以对每个MOSFET的漏电流值是否达标进行检测，提高了检测精确度，有效的避免了焊接有带缺陷MOSFET的PCB板被安装到电机控制器上，引起电机控制器受损的问题发生，提高了整车安全性，节约了检测成本。
本发明还提供一种MOSFET漏电流检测系统，在一实施例中，该系统包括上位机系统、继电器系统、产品夹具和待检测MOSFET桥臂电路PCB；所述产品夹具用于对所述待检测MOSFET桥臂电路PCB进行固定，以使所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端连接，所述继电器系统设置在所述所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源之间，所述继电器系统还设置在所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端之间，所述继电器系统的控制端与所述上位机系统的输出端连接。该MOSFET桥臂电路PCB的结构可参照上述实施例，在此不再赘述。
本实施例中，通过将已经焊接好的桥臂电路的PCB板上信号端引出，从而可以实现对PCB板上的所有MOSFET的漏电流值进行检测，可以对每一个MOSFET或者对某一个相的MOSFET进行检测，提高了检测效率和检测精确度，有效的避免了焊接有带缺陷MOSFET的PCB板被安装到电机控制器上，引起电机控制器受损的问题发生，控制了检测成本。
本发明还提供了一种MOSFET漏电流检测方法，请参见图6，图6为本发明MOSFET漏电流检测方法一实施例的结构示意图，所述MOSFET漏电流检测方法包括以下步骤：
步骤S10，将所述MOSFET桥臂电路PCB的上桥MOSFET或下桥MOSFET与电源导通；
步骤S20，通过对应的电流检测模块对所述上桥MOSFET的漏电流信号或所述下桥MOSFET的漏电流信号进行采样，以得到上桥MOSFET的漏电流值或下桥MOSFET的漏电流值；
所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB的上MOSFET漏电流值是否合格进行判断。
本实施例中，通过对已经焊接好的桥臂电路的PCB板上的上桥MOSFET或下桥MOSFET进行上电，从而可以实现对PCB板上的上桥MOSFET和下桥MOSFET的漏电流值进行检测，当上桥MOSFET和下桥MOSFET的漏电流值都符合标准时，该PCB上的MOSFET检测才合格，若有一个不合格，则该PCB检测不合格。可以理解的，实际操作中可以对一块PCB板上的每一个MOSFET或者对某一个相的MOSFET进行检测，提高了检测效率和检测精确度，有效的避免了焊接有带缺陷MOSFET的PCB板被安装到电机控制器上，引起电机控制器受损的问题发生，控制了检测成本。
进一步地，上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断的步骤，包括：
步骤a，判断所述上桥MOSFET漏电流值是否小于预设上桥漏电流故障阈值；
步骤b，若所述上桥MOSFET漏电流值小于预设上桥漏电流故障阈值，则所述上桥MOSFET检测合格；
步骤c，若所述上桥MOSFET漏电流值不小于预设上桥漏电流故障阈值，则所述上桥MOSFET检测不合格。
进一步地，上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断的步骤，包括：
步骤d，根据所述漏电电流判断所述下桥MOSFET漏电流值是否小于预设下桥漏电流故障阈值；
步骤e，若所述下桥MOSFET漏电流值小于预设下桥漏电流故障阈值，则所述下桥MOSFET检测合格；
步骤f，若所述下桥MOSFET漏电流值不小于预设下桥漏电流故障阈值，则所述下桥MOSFET检测不合格。
所述下桥漏电流故障阈值和下桥漏电流故障阈值可以根据待检测PCB上所选择的MOSFET的数据手册上给出的漏电流值进行设定，可以是一个符合标准的固定值或者区间，所述电源为直流高压电源，如60V。可以理解的，当所述上桥MOSFET和下桥MOSFET都检测合格时，该PCB板上的MOSFET漏电流检测合格，若其中之一检测不合格，则该PCB检测不合格。本实施例中，实现了智能检测，提高了检测效率和检测精确度，有效的避免了焊接有带缺陷MOSFET的PCB板被安装到电机控制器上，引起电机控制器受损的问题发生，并有效控制了检测成本。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质存储有一个或者一个以上程序，所述一个或者一个以上程序还可被一个或者一个以上的处理器执行以用于实现上述MOSFET漏电流检测方法各实施例的步骤。
本发明计算机可读存储介质具体实施方式与上述MOSFET漏电流检测方法各实施例基本相同，在此不再赘述。
需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者系统中还存在另外的相同要素。
上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
以上仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，包括电流检测模块和MOSFET桥臂电路PCB，所述MOSFET桥臂电路PCB上包括至少一组上、下桥MOSFET电路，所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述电流检测模块设置于所述MOSFET桥臂电路PCB与电源之间；
所述电流检测模块，用于在所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通时，对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET的漏电流信号进行采样。
2.如权利要求1所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述MOSFET漏电流检测装置还包括控制模块和开关模块，所述开关模块的第一端与所述MOSFET桥臂电路PCB的电源端连接，所述开关模块的第二端与电源连接，所述开关模块的控制端与所述控制模块的输出端连接，所述控制模块的采样端与所述电流检测模块的输出端连接；
所述控制模块，用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通电源信号，在接收到停止信号时，向所述开关模块输出截止信号；所述控制模块，还用于接收所述电流检测模块采样的漏电流信号；
所述开关模块，用于在接收到所述导通电源信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源导通，在接收到关断信号时，将所述MOSFET桥臂电路PCB与电源断开。
3.如权利要求2所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述开关模块的第三端与所述控制模块的采样端连接，所述开关模块的第四端与所述电流检测模块的输出端连接；
所述控制模块，还用于在接收到检测信号时，根据所述检测信号向所述开关模块输出导通采样端信号；
所述开关模块，用于在接收到导通采样端信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端导通，在接收到关断信号时，将所述控制模块的采样端与电流检测模块的输出端断开。
4.如权利要求1所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述上桥MOSFET电路包括上桥MOSFET，所述上桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述上桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。
5.如权利要求1所述的MOSFET漏电流检测装置，其特征在于，所述下桥MOSFET电路包括下桥MOSFET，所述下桥MOSFET的源极与电源的正极连接，所述下桥MOSFET的漏极与电源的负极连接。
6.一种MOSFET漏电流检测系统，其特征在于，所述MOSFET漏电流检测系统包括上位机系统、继电器系统、产品夹具和待检测MOSFET桥臂电路PCB；所述产品夹具用于对所述待检测MOSFET桥臂电路PCB进行固定，以使所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源连接，所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端连接，所述继电器系统设置在所述所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的电源端与电源之间，所述继电器系统还设置在所述待检测MOSFET桥臂电路PCB的信号端与所述上位机系统的输入端之间，所述继电器系统的控制端与所述上位机系统的输出端连接。
7.一种MOSFET漏电流检测方法，其特征在于，应用于如权利要求1～5中任一项所述的MOSFET漏电流检测电路或应用于如权利要求6中所述的MOSFET漏电流检测系统，所述方法包括步骤：
将所述MOSFET桥臂电路PCB的上桥MOSFET或下桥MOSFET与电源导通；
通过对应的电流检测模块对所述上桥MOSFET的漏电流信号或所述下桥MOSFET的漏电流信号进行采样，以得到上桥MOSFET的漏电流值或下桥MOSFET的漏电流值；
所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断。
8.如权利要求7所述的MOSFET漏电流检测方法，其特征在于，所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断的步骤，包括：
判断所述上桥MOSFET漏电流值是否小于预设上桥漏电流故障阈值；
若所述上桥MOSFET漏电流值小于预设上桥漏电流故障阈值，则所述上桥MOSFET检测合格；
若所述上桥MOSFET漏电流值不小于预设上桥漏电流故障阈值，则所述上桥MOSFET检测不合格。
9.如权利要求7所述的MOSFET漏电流检测方法，其特征在于，所述上桥MOSFET的漏电流值和下桥MOSFET的漏电流值用于对所述MOSFET桥臂电路PCB上的MOSFET漏电流值是否合格进行判断的步骤，包括：
根据所述漏电电流判断所述下桥MOSFET漏电流值是否小于预设下桥漏电流故障阈值；
若所述下桥MOSFET漏电流值小于预设下桥漏电流故障阈值，则所述下桥MOSFET检测合格；
若所述下桥MOSFET漏电流值不小于预设下桥漏电流故障阈值，则所述下桥MOSFET检测不合格。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有MOSFET漏电流检测程序，所述MOSFET漏电流检测程序被处理器执行时实现如权利要求7～9中任一项所述的MOSFET漏电流检测方法的步骤。
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