CN106646176A - 一种筛选晶体管的方法及装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种筛选晶体管的方法及装置，该方法中，确定大于晶体管的额定漏电电流值的第一漏电电流值，并获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，再根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。通过本发明实施例以筛选出合格率较高的晶体管。

Description

一种筛选晶体管的方法及装置

技术领域

本发明涉及晶体管测试技术领域，尤其涉及一种筛选晶体管的方法及装置。

背景技术

晶体管由于具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能，故被广泛应用。晶体管在制作的过程中不可避免的会掺杂杂质，掺杂杂质的晶体管的性能较低，甚至是属于不合格的晶体管，故在使用晶体管之前，需要通过相应的测试系统对晶体管进行测试，以筛选出合格的晶体管。

目前，用于详细介绍晶体管规格、性能的数据手册(Date sheet)上记载的规格参数中会包括有晶体管的额定耐压值和额定漏电电流值。进行晶体管筛选时，通常使用Datesheet上记载的额定耐压值和额定漏电电流值进行测试。若晶体管在额定漏电电流值时测试得到的耐压大于Date sheet上记载的额定耐压值并小于击穿电压，或者晶体管在额定耐压值时测试得到的漏电电流值小于所述额定漏电电流值，则确定晶体管为合格的晶体管。然而，由于Date sheet上记载的额定耐压值会小于晶体管实际的击穿电压，额定漏电电流值会小于晶体管实际的击穿电流，故很难将发生软击穿的晶体管筛选出来。例如图1所示为发生软击穿的晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图，假如Date sheet上记载的额定耐压值为800V，额定漏电电流值为Ice1，而晶体管实际的击穿电压为1000V，击穿电流为Ice2，则按照上述筛选合格晶体管的方式，晶体管在额定漏电电流值Ice1时测试得到的耐压值Vce1大于Date sheet上记载的额定耐压值800V并小于击穿电压1000V，晶体管在额定耐压值800V时测试得到的漏电电流值也小于额定漏电电流值Ice1，故会将该发生了软击穿的晶体管确定为合格的晶体管。所以，目前的晶体管筛选方法并不能筛选出发生软击穿的晶体管，筛选出的晶体管的合格率比较低。

发明内容

本发明实施例提供一种筛选晶体管的方法及装置，以筛选出合格率较高的晶体管。

第一方面，本发明实施例提供一种筛选晶体管的方法，该方法中，获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，所述第一漏电电流值大于所述晶体管的额定漏电电流值；

根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。

本发明实施例提供一种筛选晶体管的方法，该方法包括，确定大于晶体管的额定漏电电流值的第一漏电电流值，并获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值。根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管，进而提高晶体管的合格率。

较佳的，获取晶体管在额定漏电电流值时测试得到的第二耐压值；在所述第一耐压值与所述第二耐压值之间的差值，大于设定的耐压阈值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

较佳的，确定第三耐压值，所述第三耐压值小于所述晶体管的击穿电压，并且所述第三耐压值与所述第一耐压值之间的差值小于设定的耐压阈值；获取所述晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值；在所述第二漏电电流值大于所述额定漏电电流值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

其中，所述设定的耐压阈值依据所述第一耐压值确定。

进一步的，根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管之后，若所述设定的耐压阈值数量为至少两个，则分别根据所述至少两个耐压阈值中每一耐压阈值，筛选出软击穿晶体管，得到至少两类软击穿晶体管。

第二方面，本发明实施例提供一种筛选晶体管的装置，该装置包括获取单元和处理单元，其中：

获取单元，用于获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，所述第一漏电电流值大于所述晶体管的额定漏电电流值；

处理单元，用于根据所述获取单元获取的第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。

具体的，所述处理单于具体用于：

获取晶体管在额定漏电电流值时测试得到的第二耐压值；在所述第一耐压值与所述第二耐压值之间的差值，大于设定的耐压阈值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

具体的，所述处理单于具体用于：

确定第三耐压值，所述第三耐压值小于所述晶体管的击穿电压，并且所述第三耐压值与所述第一耐压值之间的差值小于设定的耐压阈值；获取所述晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值；在所述第二漏电电流值大于所述额定漏电电流值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

其中，所述设定的耐压阈值依据所述第一耐压值确定。

进一步的，根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管之后，所述处理单元还用于：

若所述设定的耐压阈值数量为至少两个，则分别根据所述至少两个耐压阈值中每一耐压阈值，筛选出软击穿晶体管，得到至少两类软击穿晶体管。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种发生软击穿的晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图；

图2为本发明实施例提供的一种筛选晶体管的方法流程图；

图3为本发明实施例提供的一种合格晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图；

图4为本发明实施例提供的一种根据第一耐压值筛选晶体管的实施流程图；

图5为本发明实施例提供的另一种合格晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图；

图6为本发明实施例提供的另一种发生软击穿的晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图；

图7所示为本发明实施例提供的另一种根据第一耐压值筛选晶体管的实施流程图；

图8所示为本发明实施例提供的筛选晶体管并对晶体管进行分类的实施流程图；

图9为本发明实施例提供的一种筛选晶体管的装置结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，并不是全部的实施例。

本发明实施例提供一种筛选晶体管的方法，以筛选出合格率较高的晶体管。

由于晶体管在制作的过程中不可避免的会掺杂杂质，或者是在运输过程中发生撞击、挤压等，都会造成晶体管发生不同程度的软击穿，但是应用目前筛选晶体管的方法并不能筛选出发生软击穿的晶体管，导致筛选出的晶体管的合格率较低。

本发明实施例提供一种筛选晶体管的方法，该方法包括，确定大于晶体管的额定漏电电流值的第一漏电电流值，并获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值。根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管，进而提高晶体管的合格率。

需要说明的是，本发明实施例的说明书和权利要求书及附图中涉及的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序，例如本发明实施例中上述涉及的第一漏电电流值和第一耐压值仅是用于方便描述，并不构成对电流值或电压值的限定。

本发明实施例中提供的筛选晶体管的方法，通过获取晶体管在大于晶体管额定漏电电流值的第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管，进而可以提高筛选晶体管的合格率。

本发明实施例以下对筛选出发生软击穿晶体管的具体实现过程进行举例说明。

图2为本发明实施例提供的一种筛选晶体管的方法，可以包括以下步骤：

S11、获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值。

具体的，由于当对晶体管施加大于额定漏电电流的漏电电流时，会发生击穿，故本发明实施例中可通过大于额定漏电电流值的漏电电流值对应的耐压值筛选晶体管。其中，所述额定漏电电流值可从Date sheet中获取。

本发明实施例以下为描述方便，将选取的大于额定漏电电流值的漏电电流值，称为第一漏电电流值，将对晶体管施加第一漏电电流值测试得到的耐压值称为第一耐压值。

本发明实施例中对于第一漏电电流值的具体取值并不作限定，例如，可以选取额定漏电电流值的整数倍的漏电电流值作为第一漏电电流值。

其中，所述第一耐压值，可通过测试系统中对晶体管施加第一漏电电流值测试得到。

S12、根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。

图3所示为合格晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图。图3中晶体管的额定漏电电流值为Ice1，晶体管的击穿电压为1000V。当施加给合格晶体管的电压值接近击穿电压时，晶体管的漏电电流值变化很小，并且不会超过额定漏电电流Ice1。当施加给合格晶体管的电压值达到击穿电压并继续增加时，该晶体管的漏电电流值会急剧增加，且晶体管的耐压值在额定漏电电流对应的耐压值与击穿电压之间的电压变化范围较小。而通过图1可知，发生软击穿的晶体管，在额定漏电电流对应的耐压值(第二耐压值)与击穿电压之间的电压变化范围，相对图3正常的晶体管的电压变化范围相对较大。故本发明实施例中，可通过大于额定漏电电流值的第一漏电电流值对应的第一耐压值，进行晶体管筛选。若第一耐压值与第二耐压值之间的变化范围较小，则该晶体管为合格的晶体管，若第一耐压值与第二耐压值之间的变化范围较大，则该晶体管为发生软击穿的晶体管。

图4所示为本发明实施例提供的一种根据第一耐压值筛选晶体管的一种实施流程图，如图4所示，包括：

S21、获取晶体管在额定漏电电流值时测试得到的第二耐压值。

本发明实施例中可通过测试系统测试得到晶体管在额定漏电电流值时对应的耐压值。本发明实施例中为描述方便，将晶体管在额定漏电电流值时对应的耐压值，称为第二耐压值。

S22、获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值。

S23、确定第一耐压值与第二耐压值之间的差值，并判断所述差值是否大于设定的耐压阈值。

本发明实施例中，所述耐压阈值可根据所筛选出的晶体管合格率的高低进行设定，例如，若要求筛选出的晶体管合格率较高，则可将所述耐压阈值设置的相对较小，若要求筛选出的晶体管合格率较低，则可将所述耐压阈值设置的相对较大。

本发明实施例中并不限定所述耐压阈值的具体设定方式，一种可能的实施方式中，本发明实施例中可依据所述第一耐压值确定，例如可设置所述耐压值为所述第一耐压值的设定百分比。例如可设定所述第一耐压值的2％为耐压阈值，例如图5中第一耐压值为1000V，耐压阈值可设置为20V。

若第一耐压值与第二耐压值之间的差值，大于设定的耐压阈值，则执行S24、确定该晶体管为发生软击穿的晶体管。若第一耐压值与第二耐压值之间的差值，小于或等于设定的耐压阈值，则执行S25、确定该晶体管为正常的晶体管。

本发明实施例以下结合实际应用对上述筛选软击穿晶体管的实施过程进行说明。

假设Date sheet上记载的晶体管的额定耐压值为800V，额定漏电电流值为Ice2，Ice2的取值为250uA，Ice2对应的第二耐压值为Vce2。第一漏电电流值为Ice1，Ice1的取值为1mA，Ice1对应的第一耐压值为Vce1，设定的耐压阈值为20V。在图5所示的合格晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图中，Vce2的取值为985V，Vce1的取值为1000V，差值小于20V。在图6所示的发生软击穿晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图中，Vce2的取值为850V，Vce1的取值为980V，差值大于20V。

图7所示为本发明实施例提供的另一种根据第一耐压值筛选晶体管的实施流程图，如图7所示，包括：

S31、获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值。

S32、将第一耐压值与设定的耐压阈值作差，得到第三耐压值，并获取晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值。

本发明实施例中，所述耐压阈值可根据所筛选出的晶体管合格率的高低进行设定，例如，若要求筛选出的晶体管合格率较高，则可将所述耐压阈值设置的相对较大，若要求筛选出的晶体管合格率较低，则可将所述耐压阈值设置的相对较小。

本发明实施例中并不限定所述耐压阈值的具体设定方式，一种可能的实施方式中，本发明实施例中可依据所述第一耐压值确定，例如可设置所述耐压值为所述第一耐压值的设定百分比。例如可设定所述第一耐压值的5％为耐压阈值，例如图6中第一耐压值为980V，耐压阈值可设置为49V。

本发明实施例中为描述方便，将第一耐压值与设定的耐压阈值作差得到的耐压值，称为第三耐压值。当得到第三耐压值时，再获取晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值。由于，对于合格的晶体管，当耐压值小于击穿电压时，其漏电电流值是在一个很低的水平范围内，并且小于晶体管的额定电流值，所以可以执行S33、判断第二漏电电流值是否大于额定漏电电流值，若大于，则执行S34、确定晶体管为发生软击穿的晶体管。若小于或等于，则执行S35、确定晶体管为未发生软击穿的晶体管。

本发明实施例以下结合实际应用对上述筛选软击穿晶体管的实施过程进行说明。

假设Date sheet上记载的晶体管的额定耐压值为800V，额定漏电电流值为Ice2，Ice2的取值为250uA。第一漏电电流值为Ice1的取值为1mA，Ice1对应的第一耐压值为Vce1，设定的耐压阈值为49V。在图5所示的合格晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图中，Vce2的取值为985V，Vce1的取值为1000V。在图6所示的发生软击穿晶体管的耐压与漏电电流之间曲线示意图中，Vce2的取值为850V，Vce1的取值为980V。图5中，Vce1与耐压阈值的差值为951V，在951V时测试得到的晶体管的漏电电流值明显小于250mA，图6中，Vce1与耐压阈值的差值为931V，在931V时测试得到的晶体管的漏电电流值明显大于250mA。

进一步的，在上述实施例中根据第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管之后，还包括以下步骤，如图8所示：

S13、若所述设定的耐压阈值数量为至少两个，则分别根据所述至少两个耐压阈值中每一耐压阈值，筛选出软击穿晶体管，得到至少两类软击穿晶体管。

具体的，在上述实施例中，由于发生软击穿的晶体管并不代表不能再使用，所以可以根据耐压阈值的设定，筛选出不同种类的晶体管。

例如，若耐压阈值分别取值为20V和50V，则可将第一耐压值与第二耐压值的差值大于20V小于50V的归为A类晶体管，将第一耐压值与第二耐压值的差值大于50V的归为B类晶体管。其中，A类晶体管合格率高于B类晶体管。

同样的，根据与第一耐压作差的耐压阈值的取值不同，也可将晶体管进行归类，例如，若耐压阈值分别取值为50V和100V，则可将第三耐压值与第一耐压值之间的差值小于50V的晶体管划分为C类晶体管，将第三耐压值与第一耐压值之间的差值小于100V的晶体管划分为D类晶体管。其中，C类晶体管合格率低于D类晶体管。

本发明实施例中，通过设定多个耐压阈值，可筛选出不同种类的晶体管，进而合理利用晶体管。

基于上述实施例提供的筛选晶体管的方法，本发明实施例提供一种筛选晶体管的装置，图9所示为本发明实施例提供的筛选晶体管的装置结构示意图，如图9所示，该装置包括获取单元91和处理单元92，其中：

获取单元91，用于获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，所述第一漏电电流值大于所述晶体管的额定漏电电流值；

处理单元92，用于根据所述获取单元91获取的第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。

具体的，所述处理单于92具体用于：

获取晶体管在额定漏电电流值时测试得到的第二耐压值；在所述第一耐压值与所述第二耐压值之间的差值，大于设定的耐压阈值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

具体的，所述处理单于92具体用于：

确定第三耐压值，所述第三耐压值小于所述晶体管的击穿电压，并且所述第三耐压值与所述第一耐压值之间的差值小于设定的耐压阈值；获取所述晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值；在所述第二漏电电流值大于所述额定漏电电流值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

其中，所述设定的耐压阈值依据所述第一耐压值确定。

进一步的，根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管之后，所述处理单元92还用于：

若所述设定的耐压阈值数量为至少两个，则分别根据所述至少两个耐压阈值中每一耐压阈值，筛选出软击穿晶体管，得到至少两类软击穿晶体管。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种筛选晶体管的方法，其特征在于，所述方法包括：

获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，所述第一漏电电流值大于所述晶体管的额定漏电电流值；

根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管，包括：

获取晶体管在额定漏电电流值时测试得到的第二耐压值；

在所述第一耐压值与所述第二耐压值之间的差值，大于设定的耐压阈值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管，包括：

确定第三耐压值，所述第三耐压值小于所述晶体管的击穿电压，并且所述第三耐压值与所述第一耐压值之间的差值小于设定的耐压阈值；

获取所述晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值；

在所述第二漏电电流值大于所述额定漏电电流值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，所述设定的耐压阈值依据所述第一耐压值确定。

5.如权利要求2至4任一项所述的方法，其特征在于，根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管之后，所述方法还包括：

若所述设定的耐压阈值数量为至少两个，则分别根据所述至少两个耐压阈值中每一耐压阈值，筛选出软击穿晶体管，得到至少两类软击穿晶体管。

6.一种筛选晶体管的装置，其特征在于，所述装置包括：

获取单元，用于获取晶体管在第一漏电电流值时测试得到的第一耐压值，所述第一漏电电流值大于所述晶体管的额定漏电电流值；

处理单元，用于根据所述获取单元获取的第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管。

7.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述处理单于具体采用如下方式根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管：

获取晶体管在额定漏电电流值时测试得到的第二耐压值；

在所述第一耐压值与所述第二耐压值之间的差值，大于设定的耐压阈值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

8.如权利要求6所述的装置，其特征在于，所述处理单于具体采用如下方式根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管：

确定第三耐压值，所述第三耐压值小于所述晶体管的击穿电压，并且所述第三耐压值与所述第一耐压值之间的差值小于设定的耐压阈值；

获取所述晶体管在第三耐压值时测试得到的第二漏电电流值；

在所述第二漏电电流值大于所述额定漏电电流值时，确定所述晶体管为发生软击穿的晶体管。

9.如权利要求7或8所述的装置，其特征在于，所述设定的耐压阈值依据所述第一耐压值确定。

10.如权利要求7至9任一项所述的装置，其特征在于，根据所述第一耐压值，筛选出发生软击穿的晶体管之后，所述处理单元还用于：

若所述设定的耐压阈值数量为至少两个，则分别根据所述至少两个耐压阈值中每一耐压阈值，筛选出软击穿晶体管，得到至少两类软击穿晶体管。