CN116626467B - 快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法 - Google Patents
快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116626467B CN116626467B CN202310630327.6A CN202310630327A CN116626467B CN 116626467 B CN116626467 B CN 116626467B CN 202310630327 A CN202310630327 A CN 202310630327A CN 116626467 B CN116626467 B CN 116626467B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- sipm
- chip
- probe
- sipm chip
- reverse
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000002950 deficient Effects 0.000 title claims abstract description 45
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 31
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 20
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 238000011895 specific detection Methods 0.000 description 2
- RFVFQQWKPSOBED-PSXMRANNSA-N 1-myristoyl-2-palmitoyl-sn-glycero-3-phosphocholine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)O[C@@H](COP([O-])(=O)OCC[N+](C)(C)C)COC(=O)CCCCCCCCCCCCC RFVFQQWKPSOBED-PSXMRANNSA-N 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000013100 final test Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 238000009206 nuclear medicine Methods 0.000 description 1
- 230000005658 nuclear physics Effects 0.000 description 1
- 230000005433 particle physics related processes and functions Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- 238000004832 voltammetry Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
- G01R31/2603—Apparatus or methods therefor for curve tracing of semiconductor characteristics, e.g. on oscilloscope
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
Abstract
本发明公开的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，利用半导体精密参数分析仪与探针台测量SiPM芯片的伏安特性曲线，芯片无需切片封装，可以直接通过肉眼观察SiPM芯片的反向伏安特性曲线是否有两个凹拐点判断SiPM芯片是否能够正常工作，如果反向伏安特性曲线没有两个凹拐点，则可以判定为次品。本发明提出的检测方法也可以通过人工智能图像识别判断SiPM芯片的反向伏安(I‑V)特性曲线是否有两个凹拐点，进而判定待测SiPM芯片是否为次品，还可以通过本发明提出的算法利用计算机自动检出SiPM芯片中的次品。
Description
技术领域
本发明属于半导体芯片检测方法技术领域，具体涉及一种快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法。
背景技术
硅光电倍增管(Silicon photomultiplier，SiPM)又名多像素光子计数器(Multi-pixel photon counter，MPPC)，是一种在室温下就具有优秀的光子数分辨能力的单光子灵敏探测器，自2006年首先由日本滨松公司实现商品化以来，在激光雷达、高能粒子物理、核物理、天体物理、核医学成像、光谱学等多个领域的应用逐渐受到重视。然而目前国内外对SiPM关键特性参数的测试方法尚未见到统一的标准或规范。在SiPM芯片批量化生产过程中，准确检出大量SiPM芯片中的少数次品是产品质量保障的前提。现有检出Si PM芯片次品的方法主要是通过封装好的SiPM器件进行测试，主要表征参数有光子探测效率、暗记数、伏安特性、光学串扰概率以及光子数分辨能力等。然而，测量这些参数需要较为繁琐复杂的测试步骤，测试周期较长，测试工作量大、成本较高，不利于批量化快速检出SiPM芯片中的次品。在这样的技术背景下，本发明提出通过SiPM芯片的反向伏安特性曲线形貌快速判定待测SiPM芯片是否为次品。
发明内容
本发明的目的在于提供一种快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，解决现有检测方法效率低的问题。
本发明所采用的技术方案是：快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，包括将待测SiPM芯片在光学显微镜下放置在探针台上，金属探针与SiPM芯片阳极对准接触，通过与金属探针相连的检测分析装置施加电压并检测SiPM芯片的暗电流，在计算机上记录数据得到SiPM芯片的反向伏安特性曲线，若反向伏安特性曲线无两个凹拐点则判定SiPM芯片未发生限制性盖革雪崩，即所测SiPM芯片为次品。
本发明的特点还在于：
快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，包括以下步骤：
步骤1、设置探针台，在探针台上设置金属探针，将检测分析装置通过三同轴电缆分别连接到金属探针和探针台底座，检测分析装置另外连接计算机，在探针台一侧设置光学显微镜，使光学显微镜视野在探针台中心，金属探针在光学显微镜视野内；
步骤2、将待测SiPM芯片放置在探针台上，在光学显微镜下调节SiPM芯片和金属探针位置使金属探针置于SiPM芯片阳极上并确保良好接触，探针台底座与SiPM芯片阴极良好接触；
步骤3、计算机控制软件选定探针台底座为阴极，金属探针为阳极；
步骤4、计算机控制程序使检测分析装置通过金属探针给SiPM芯片施加反向偏压，探针台底座接收经过SiPM芯片的电流，再经检测分析装置测量SiPM芯片的反向I-V曲线，计算机运行程序采集SiPM芯片的反向I-V曲线并直接显示；
步骤5、判断SiPM芯片的反向I-V曲线是否有两个凹拐点，若凹拐点个数非2，则所测SiPM芯片为次品。
步骤1中探针台和光学显微镜外共同设有遮光屏蔽罩。
步骤4中施加反向偏压的电压范围为0V到100V。
步骤5中凹拐点个数的判断方法既可以为人工肉眼观察，也可以通过人工智能图像识别来判断，还可以通过本发明提出的算法来判断。判断算法为：
S(V)＝dI(V)/dV/I(V) (1)
式(1)中，dI(V)/dV表示对电流随偏压变化的数据求一阶导数，I(V)表示待测SiPM芯片的反向偏置暗电流随偏压的改变而改变的数据，S(V)表示运算后的数值；
获得S(V)数据后，再基于S(V)数据获得极值点数目，如果7伏以上极值点数目非2，则所测SiPM芯片判定为次品。
检测分析装置为半导体精密参数分析仪或精密电流测量源表。
本发明的有益效果是：
(1)提出了一种在SiPM芯片制造初测过程中快速检出SiPM芯片中次品的检测方法，降低了检测成本，提高终测前样品的良率；
(2)本发明检测方法实施简单，既能够通过反向伏安特性(简称I-V)曲线人工检出SiPM芯片的次品，也能够通过计算机程序或人工智能识别图像自动检出大量待检SiPM芯片中的次品，可大幅提高SiPM芯片的生产效率。
附图说明
图1是本发明的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法的结构示意图；
图2是本发明的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法采用的实施装置的结构示意图；
图3是测量得到的SiPM芯片次品反向伏安特性曲线(简称I-V曲线)；
图4是不具有双拐点I-V曲线的SiPM芯片(次品)输出的波形；
图5是测量得到的SiPM芯片良品反向伏安特性曲线；
图6是具有双拐点I-V曲线的SiPM芯片(良品)的脉冲波形；
图7是对图5中I-V曲线数据，利用式(1)的算法获得的曲线。
图中，1.半导体精密参数分析仪，2.金属探针，3.探针台，4.计算机，5.光学显微镜，6.遮光屏蔽罩，7.三同轴电缆。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施方式对本发明进行详细说明。
实施例1
本发明提供了一种快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，需要的设备有半导体精密参数分析仪1、金属探针2、探针台3、计算机4、光学显微镜5、遮光屏蔽罩6、三同轴电缆7。将待测SiPM芯片在光学显微镜5下放置在探针台3上，金属探针2与SiPM芯片阳极对准接触，通过半导体精密参数分析仪1施加电压并检测SiPM芯片的暗电流，在计算机4上记录数据得到待测SiPM芯片的反向伏安特性曲线，若反向伏安特性曲线无两个凹拐点则可判定SiPM芯片未发生限制性盖革雪崩，该SiPM芯片可判定为次品。如图1所示，具体检测步骤如下：
步骤1：半导体精密参数分析仪1按图2通过三同轴电缆7分别连接到金属探针2和探针台3底座，三同轴电缆7可以很完整的传输信号以及减少干扰和装置的漏电流。半导体精密参数分析仪1另外需连接计算机4，通过计算机软件来控制设备。光学显微镜5视野在探针台3中心，金属探针2在光学显微镜5视野内，光学显微镜5、金属探针2、SiPM芯片、探针台3需竖直对准，测试时在遮光屏蔽罩6中以屏蔽来自外界光线的干扰。
步骤2：将待测SiPM芯片放置在探针台3上，在光学显微镜5下调节待测SiPM芯片和金属探针2的位置，待测SiPM芯片电极大小在50微米左右，肉眼难以分辨，需要用光学显微镜5来观察待测SiPM芯片的表面结构确定待测SiPM芯片的阳极位置，将金属探针2置于SiPM阳极上并确保二者有良好的接触，半导体精密参数分析仪1将通过金属探针2向SiPM施加反向偏压；探针台3底座与SiPM阴极接触，接收来自待测SiPM芯片的电流。
步骤3：在计算机4控制软件选定探针台3底座为阴极，金属探针2为阳极。以此与硅光电倍增管的电极相匹配，金属探针2在SiPM阳极施加电压，探针台3底座与SiPM阴极接触以收集经过SiPM产生的电流信号。
步骤4：用计算机4中的控制程序给SiPM芯片施加扫描电压，测量芯片的反向I-V曲线，反向电压范围0V到100V。运行程序采集SiPM的I-V特性曲线在计算机4上直接显示，保存数据。
步骤5：人工肉眼观察判断SiPM的反向I-V曲线是否有两个凹拐点，也可通过计算机根据一定算法判断拐点个数，算法如式(1)所示。若凹拐点个数非2，则所测SiPM芯片为次品。
通过计算机自动判定和检出待测SiPM芯片次品的核心算法为：
S(V)＝dI(V)/dV/I(V) (1)
式(1)中，dI(V)/dV表示对电流随偏压变化的数据求一阶导数，I(V)表示待测SiPM芯片的反向偏置暗电流随偏压的改变而改变的数据，S(V)表示运算后的数值。获得S(V)数据后，通过常见的数学软件即可方便地获得极值点数目，极值点数目如果非2，则所测SiPM芯片可判定为次品。
可以根据式(1)所示的算法编写程序，计算I-V曲线的一阶导数，再除以对应偏压下的电流数值，得出一条随偏压变化的曲线。根据根据该曲线峰值数目自动判定待测SiPM芯片是否为次品。如果7伏以上曲线峰值数目不等于2，则可判定待测SiPM芯片为次品。
步骤6：改变金属探针2的位置，重复步骤4-5，则可以检测同一晶圆上的多个待测SiPM芯片。
实施例2
其余步骤与实施例1相同，区别在于检测分析装置采用的是精密电流测量源表。
实施例3
本发明提供了一种快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，需要的设备有半导体精密参数分析仪1(安捷伦4155C)、金属探针2、探针台3、计算机4、光学显微镜5、遮光屏蔽罩6、三同轴电缆7。如图1所示，具体检测步骤如下：
步骤1：半导体精密参数分析仪1按图2通过三同轴电缆7分别连接到金属探针2和探针台3底座，三同轴电缆7可以完整地传输信号以及减少干扰和装置的漏电流。半导体精密参数分析仪1另外需连接计算机4，通过计算机软件来控制设备。光学显微镜5视野在探针台3中心，金属探针2在光学显微镜5视野内。
步骤2：将待测SiPM芯片放置在探针台3上，在光学显微镜5下调节待测SiPM芯片和金属探针2的位置，结合SiPM的结构，将金属探针2置于SiPM阳极上并确保二者有良好的接触，半导体精密参数分析仪1将通过金属探针向SiPM施加电压。
步骤3：在计算机4的控制程序中选定探针台3底座为阴极，金属探针2为阳极。以此与硅光电倍增管的电极相匹配，金属探针2在SiPM阳极施加电压，探针台3底座与SiPM阴极接触以收集经过SiPM产生的电流信号。
步骤4：用计算机4中的控制程序给SiPM芯片施加扫描电压，测量芯片的反向I-V曲线，反向电压范围0V到100V。运行程序采集SiPM的I-V特性曲线在计算机4上直接显示，保存数据。
步骤5：人工肉眼观察判断SiPM的反向I-V曲线是否有两个凹拐点，若凹拐点个数非2，则所测SiPM芯片为次品。也可利用计算机通过如式(1)所示的算法对I-V曲线的数据进行处理后判定。
通过计算机自动判定和检出待测SiPM芯片次品的算法为：
S(V)＝dI(V)/dV/I(V) (1)
式(1)中，dI(V)/dV表示对数据求一阶导数，I(V)表示待测SiPM芯片的反向偏置暗电流随偏压改变而改变的数据，S(V)表示运算后的数据。获得S(V)数据后，通过常见的数学软件即可方便地获得极值点(峰值)数目，如果7伏以上峰值个数非2，则所测SiPM芯片可判定为次品。此处数据曲线选择7伏以上，是因为7伏以下以齐纳击穿为主，非雪崩倍增效应，可以不予考虑。
步骤6：改变金属探针2的位置，重复步骤4-5，则可以检测同一晶圆上的多个待测SiPM芯片。
本发明通过反向伏安特性曲线快速检出SiPM芯片次品方法的原理如下：
带有淬灭电阻的SiPM芯片正常的工作模式为限制性盖革模式(Limited Geigermode)，对应的反向伏安特性曲线应有两个明显的凹拐点，曲线类似于由半导体器件热效应引起的不可恢复的二次击穿。所不同的是这种二次击穿可以恢复，不会损坏SiPM芯片。反偏电压低于伏安特性曲线的第一个拐点对应的电压Vb时，盖革雪崩光电二极管(G-APD)单元不处于盖革雪崩状态，不具有其应有的高增益的微弱光探测能力。而当反偏电压高于伏安特性曲线的第一个凹拐点对应的电压Vb，同时小于第二个凹拐点对应的电压VB时，才会出现正常的雪崩脉冲，如图5所示。当SiPM的反偏电压高于VB时，则会出现平顶脉冲或反常脉冲，雪崩淬灭效果恶化。当平顶脉冲出现时，将影响到SiPM对后续光子的计数，从而造成SiPM的光子计数能力下降。同时，平顶脉冲的出现，使得一个脉冲波形对应的输出电荷量涨落很大，光子数分辨谱急剧恶化，SiPM将不能正常工作。因此，SiPM正常工作的电压范围为Vb到VB。
考虑到SiPM芯片反向伏安特性曲线的这种特点，可以通过待测SiPM芯片I-V曲线中双凹拐点的存在与否快速检出次品。不存在凹拐点说明芯片没有发生击穿，不具有光子探测能力，是次品。只有一个凹拐点说明没有成功淬灭雪崩，如图3所示，对应的示波器波形如图4所示，示波器基线直线平移上升，没有脉冲波形，无法探测光子，也是次品。多于两个凹拐点的I-V曲线说明SiPM芯片制备工艺不均匀，其内部G-APD单元击穿电压不一致或暗电流过大，也是次品。只有存在两个双凹拐点的SiPM芯片才表明工作在正常的限制性盖革模式，对应的典型反向伏安特性曲线如图5所示，对应的雪崩脉冲波形如图6所示。图7为对图5中I-V曲线数据利用式(1)的算法获得的曲线，可以明显地看到曲线峰的个数为2。
Claims (5)
1.快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，其特征在于，包括将待测SiPM芯片在光学显微镜下放置在探针台上，金属探针与SiPM芯片阳极对准接触，通过与金属探针相连的检测分析装置施加电压并检测SiPM芯片的暗电流，在计算机上记录数据得到SiPM芯片的反向伏安特性曲线，若反向伏安特性曲线无两个凹拐点则判定SiPM芯片未发生限制性盖革雪崩，即所测SiPM芯片为次品；凹拐点个数的判断算法为：
S(V)＝ dI(V) /dV/I(V) (1)
式(1)中，dI(V)/dV表示对电流随偏压变化的数据求一阶导数，I(V)表示待测SiPM芯片的反向偏置暗电流随偏压的改变而改变的数据，S(V)表示运算后的数值；
获得S(V)数据后，再基于S(V)数据获得极值点数目，如果7伏以上极值点数目非2，则所测SiPM芯片判定为次品。
2.如权利要求1所述的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1、设置探针台(3)，在探针台(3)上设置金属探针(2)，将检测分析装置通过三同轴电缆(7)分别连接到金属探针(2)和探针台(3)底座，检测分析装置另外连接计算机(4)，在探针台(3)一侧设置光学显微镜(5)，使光学显微镜(5)视野在探针台(3)中心，金属探针(2)在光学显微镜(5)视野内；
步骤2、将待测SiPM芯片放置在探针台(3)上，在光学显微镜(5)下调节SiPM芯片和金属探针(2)位置使金属探针(2)置于SiPM芯片阳极上并确保良好接触，探针台(3)底座与SiPM芯片阴极良好接触；
步骤3、计算机(4)控制软件选定探针台(3)底座为阴极，金属探针(2)为阳极；
步骤4、计算机(4)控制程序使检测分析装置通过金属探针(2)给SiPM芯片施加反向偏压，探针台(3)底座接收经过SiPM芯片的电流，再经检测分析装置测量SiPM芯片的反向I-V曲线，计算机(4)运行程序采集SiPM芯片的反向I-V曲线并直接显示；
步骤5、判断SiPM芯片的反向I-V曲线是否有两个凹拐点，若凹拐点个数非2，则所测SiPM芯片为次品。
3.如权利要求2所述的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，其特征在于，所述步骤1中探针台(3)和光学显微镜(5)外共同设有遮光屏蔽罩(6)。
4.如权利要求2所述的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，其特征在于，所述步骤4中施加反向偏压的电压范围为0V到100V。
5.如权利要求2所述的快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法，其特征在于，所述检测分析装置为半导体精密参数分析仪(1)或精密电流测量源表。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310630327.6A CN116626467B (zh) | 2023-05-31 | 2023-05-31 | 快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310630327.6A CN116626467B (zh) | 2023-05-31 | 2023-05-31 | 快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116626467A CN116626467A (zh) | 2023-08-22 |
| CN116626467B true CN116626467B (zh) | 2024-01-05 |
Family
ID=87641446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310630327.6A Active CN116626467B (zh) | 2023-05-31 | 2023-05-31 | 快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116626467B (zh) |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097047A2 (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Dnaprint Genomics, Inc. | Compositions and methods for the inference of pigmentation traits |
| CN102445622A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-05-09 | 河南省电力公司洛阳供电公司 | 便携式电流互感器伏安特性测试仪 |
| CN102638926A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-15 | 刘晓博 | 一种基于全桥拓扑封装结构的高压交流led灯 |
| JP2013070046A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池の欠陥不良検出方法及び装置 |
| CN103616629A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-05 | 南阳理工学院 | 一种全自动二极管伏安特性测试装置 |
| CN204515079U (zh) * | 2015-03-09 | 2015-07-29 | 赤峰学院 | 二极管特性曲线测定装置 |
| CN110146799A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法 |
| CN112433137A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-02 | 西安工程大学 | 硅光电倍增管的PDE和Pct空间二维分布的测量方法 |
| CN113393894A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-14 | 西安理工大学 | 一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统 |
| CN113740693A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-03 | 珠海零边界集成电路有限公司 | 器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备 |
| CN216646688U (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-31 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种半导体激光器伏安特性分析测试装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6991948B2 (en) * | 2003-11-05 | 2006-01-31 | Solid State Measurements, Inc. | Method of electrical characterization of a silicon-on-insulator (SOI) wafer |
-
2023
- 2023-05-31 CN CN202310630327.6A patent/CN116626467B/zh active Active
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002097047A2 (en) * | 2001-05-25 | 2002-12-05 | Dnaprint Genomics, Inc. | Compositions and methods for the inference of pigmentation traits |
| JP2013070046A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-04-18 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 太陽電池の欠陥不良検出方法及び装置 |
| CN102445622A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-05-09 | 河南省电力公司洛阳供电公司 | 便携式电流互感器伏安特性测试仪 |
| CN102638926A (zh) * | 2012-04-25 | 2012-08-15 | 刘晓博 | 一种基于全桥拓扑封装结构的高压交流led灯 |
| CN103616629A (zh) * | 2013-12-02 | 2014-03-05 | 南阳理工学院 | 一种全自动二极管伏安特性测试装置 |
| CN204515079U (zh) * | 2015-03-09 | 2015-07-29 | 赤峰学院 | 二极管特性曲线测定装置 |
| CN110146799A (zh) * | 2019-04-29 | 2019-08-20 | 全球能源互联网研究院有限公司 | 一种半导体芯片漏电位置的测试装置及方法 |
| CN112433137A (zh) * | 2020-11-10 | 2021-03-02 | 西安工程大学 | 硅光电倍增管的PDE和Pct空间二维分布的测量方法 |
| CN113393894A (zh) * | 2021-05-31 | 2021-09-14 | 西安理工大学 | 一种辐照环境下的阻变存储器伏安特性测试系统 |
| CN113740693A (zh) * | 2021-08-26 | 2021-12-03 | 珠海零边界集成电路有限公司 | 器件性能测试方法、装置、存储介质和电子设备 |
| CN216646688U (zh) * | 2021-12-31 | 2022-05-31 | 日照市艾锐光电科技有限公司 | 一种半导体激光器伏安特性分析测试装置 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| 硅光电倍增器的变温伏安特性及水汽凝结对伏安特性的影响;张国青;《半导体光电》;说明书第1-4页 * |
| 耦合状态等离子体高频电源特性;谭凯;曹琪;杜凯;;绥化学院学报(02);全文 * |
| 雪崩光电二极管芯片自动测试系统;杨红伟;张岩;齐利芳;尹顺政;;半导体技术(06);全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116626467A (zh) | 2023-08-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7898280B2 (en) | Electrical characterization of semiconductor materials | |
| US6788093B2 (en) | Methodology and apparatus using real-time optical signal for wafer-level device dielectrical reliability studies | |
| US4730158A (en) | Electron-beam probing of photodiodes | |
| KR102255968B1 (ko) | 단일 광자 검출기를 이용한 고주파 동기 열 화상 촬영 | |
| CN104020365A (zh) | 一种非晶硅薄膜的低频噪声测试方法 | |
| CN109031059B (zh) | 一种新型碳化硅雪崩二极管阵列良率及击穿电压测试方法 | |
| US6917209B2 (en) | Non- contacting capacitive diagnostic device | |
| CN106442716B (zh) | 一种复合绝缘子内部缺陷检测方法 | |
| CN116626467B (zh) | 快速检出硅光电倍增管芯片次品的检测方法 | |
| Villarreal et al. | Characterization of thin LGAD sensors designed for beam monitoring in proton therapy | |
| CN201725011U (zh) | 一种太阳能电池量子效率的交流测量装置 | |
| CN101871992A (zh) | 一种太阳能电池量子效率的交流测量装置及其使用方法 | |
| CN109298368B (zh) | 一种局部放电特高频传感器等效高度补偿测量系统及方法 | |
| US4875004A (en) | High speed semiconductor characterization technique | |
| US8598903B1 (en) | Testing method and testing device for photoelectric conversion die | |
| KR20200055457A (ko) | 혼합물 반도체 웨이퍼의 결함(defect)을 검출하는 비파괴 검사 시스템 및 그 동작 방법 | |
| CN211014592U (zh) | 晶圆漏电测试装置 | |
| CN109254315B (zh) | 对闪烁晶体光衰减时间差异测量方法和系统 | |
| CN111766215A (zh) | 氧含量检测设备的校准方法及装置 | |
| KR100744233B1 (ko) | 테스트 패턴의 메탈 브리지 모니터링방법 | |
| CN214225297U (zh) | Led测试整合静电放电侦测系统 | |
| CN108680850B (zh) | 少子寿命检测装置及检测方法 | |
| CN106841146A (zh) | 采用变温pl谱获取半导体材料杂质电离能的无损测量方法 | |
| US20230377837A1 (en) | Charged particle beam apparatus | |
| CN101881807A (zh) | 一种太阳能电池量子效率的交流测量装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |