CN113691230A - 声学装置封装结构 - Google Patents
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Abstract
本发明提出了一种声学装置封装结构，包括：电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；多个凸块，设置在所述电路基板的第一表面上；声学装置，通过所述多个凸块与所述电路基板电连接，所述多个凸块使所述声学装置与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元，所述第一信号屏蔽单元设置在所述电路基板的第一表面上，其中，所述第一信号屏蔽单元位于所述多个凸块与所述电路基板的第一表面的接触点和所述第一表面的边缘之间。根据本发明的声学装置封装结构，能够提高声学装置的屏蔽性能，提高声学装置的工作质量，并且能够改善声学装置封装结构的散热性能，提高器件的寿命。
Description
技术领域
本发明涉及声表面波技术领域，具体而言，涉及一种声学装置封装结构。
背景技术
近年来，功能元件等的芯片通过凸块设置在布线板上，芯片与布线板之间保持中空而密封，此类电子部件在以手机为首的各种电子设备中被广泛使用。典型地，这包括表面声波(SAW)滤波器，表面声波传感器、双工器、多工器、晶体振子，压电振子等。SAW滤波器表面具有IDT电极，IDT电极表面非常敏感，如果密封树脂或基板面与IDT电极接触，则SAW滤波器无法正常工作，必须在保持IDT电极表面中空的情况下进行树脂密封，因此倒装芯片封装技术成为包括SAW滤波器的电子部件的主流封装技术。
SAW滤波器的屏蔽性对它的性能很重要，如果有信号干扰，对滤波效果会产生很大影响，目前的封装技术都无法实现有效的屏蔽，而且由于模块的高集成度，模组内部的器件数量和功能都在增加，互相之间也会产生干扰，影响性能，如何在SAW滤波器封装件中实现有效的屏蔽，避免外界电场、磁场和电磁场对SAW滤波器内部元件造成干扰成为亟待解决的问题。
另外，作为SAW滤波器的具体应用，具有收发信息功能的双工器正在增加。双工器与SAW滤波器相比，工作电流值高，因此双工器的散热成为更为重要的问题。一般来说，芯片散热是通过凸块进行的，但是，对于像SAW滤波器和双工器这样凸块数量较少的芯片，通过凸块进行充分的散热是很困难的。
发明内容
为了解决现有技术中的相关问题，本发明提供了一种声学装置封装结构，包括：电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；多个凸块，设置在所述电路基板的第一表面上；声学装置，通过所述多个凸块与所述电路基板电连接，所述多个凸块使所述声学装置与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元，所述第一信号屏蔽单元设置在所述电路基板的第一表面上，其中，所述第一信号屏蔽单元位于所述多个凸块与所述电路基板的第一表面的接触点和所述第一表面的边缘之间。
其中，所述第一信号屏蔽单元在所述电路基板的第一表面上的正投影具有靠近所述电路基板的边缘的方形外边缘，以及远离所述电路基板边缘的方形内边缘，所述方形外边缘与所述方形内边缘的距离为100-150um。
其中，所述方形外边缘具有长边和短边，所述方形内边缘具有长边和短边，所述方形外边缘的长边与方形内边缘的长边之间的距离与所述方形外边缘的短边与方形内边缘的短边之间的距离不同。
其中，所述方形内边缘具有长边和短边，所述方形内边缘的长边与所述方形内边缘的短边的至少一个连接处，设置为斜切角或圆弧角。
其中，所述第一信号屏蔽单元为两层结构，靠近所述电路基板的第一表面为第一层，材质为铜；远离所述电路基板的第一表面为第二层，材质为金，所述第二层的材质与所述凸块的材质相同。
其中，所述第一信号屏蔽单元为两层结构，靠近所述电路基板的第一表面为第一层，材质为铜；远离所述电路基板的第一表面为第二层，材质为金。
其中，所述信号屏蔽单元还包括第二信号屏蔽单元，所述第二信号屏蔽单元与所示第一信号屏蔽单元相连，所述第二信号屏蔽单元与所述电路基板围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块。
其中，所述第二信号屏蔽单元包括导热层、覆盖所述导热层的信号屏蔽层、覆盖所述信号覆盖层的环氧树脂层，所述导热层覆盖远离所述电路基板的第一表面的所述声学装置的上表面，以及垂直于所述电路基板的第一表面的所述声学装置的侧表面。
其中，所述环氧树脂层、所述信号屏蔽层和所述导热层的室温热导率依次增大，所述导热层的室温热导率为4W/mK以上。
其中，所述第二信号屏蔽单元为包含导热填料与屏蔽填料的环氧树脂膜，所述导热层包括所述导热填料，所述信号屏蔽层包括所述屏蔽填料。
其中，所述屏蔽填料为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。
其中，所述导热填料包覆在所述屏蔽填料外侧，所述导热填料为石墨烯、金属、金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物中的一种或几种。
其中，所述信号屏蔽单元还包括第三信号屏蔽单元，所述第三信号屏蔽单元具有第一端和第二端，所述第一端与所述第一信号屏蔽单元相连，所述第三信号屏蔽单元贯穿所述电路基板(1)，所述第二端与所述电路基板的第二表面的接地引脚相连。
其中，所述第三信号屏蔽单元为接地探针。
其中，所述接地探针在所述电路基板中的路径沿水平或者竖直方向延伸设置。
其中，所述声学装置包括第一声学装置和第二声学装置，所述第一声学装置与所述第二声学装置之间设置间隔件，所述中空结构容置所述第一声学装置、所述第二声学装置、所述间隔件和所述凸块。
其中，所述间隔件为环氧树脂件。
其中，所述间隔件为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板的第一表面接触的区域内设置金属膜。
根据本发明的声学装置封装结构，能够提高声学装置的屏蔽性能，提高声学装置的工作质量，并且能够改善声学装置封装结构的散热性能，提高器件的寿命。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图2是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图3是示出根据本发明一实施方式的第一信号屏蔽单元的俯视图。
图4是示出根据本发明一实施方式的第一信号屏蔽单元的俯视图。
图5是示出根据本发明一实施方式的第一信号屏蔽单元的俯视图。
图6是示出根据本发明一实施方式的第一信号屏蔽单元的俯视图。
图7是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图8是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图9是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图10是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图11是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
图12是根据本发明一实施方式的声学装置封装结构的结构示意图。
附图标记：101、201、301、401-电路基板
111、211、311、411-第一表面
112、212、312、412-第二表面
102、202、302、402-凸块
103、203、303、403-声学装置
104、204、304、404-第一信号屏蔽单元
104-1 方形外边缘
104-2 方形内边缘
104-3 第一层
104-4 第二层
104-5 连接处
105、205、305、405-第二信号屏蔽单元
205-1、405-1 导热层
205-2、405-2 信号屏蔽层
205-3、405-3 环氧树脂层
108-第三信号屏蔽单元
303-1、403-1 第一声学装置
303-2、403-2 第二声学装置
313、413-间隔件
414-金属膜
具体实施方式
为了可以更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
具体实施方式：
(1)实施例一
如图1至图3所示，本实施例提供一种声学装置封装结构，包括：电路基板(101)，具有相对的第一表面(111)和第二表面(112)；多个凸块(102)，设置在所述电路基板(101)的第一表面(111)上；声学装置(103)，通过所述多个凸块(102)与所述电路基板(101)电连接，所述多个凸块(102)使所述声学装置(103)与所述电路基板(101)的第一表面(111)之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元(104)，所述第一信号屏蔽单元(104)设置在所述电路基板(101)的第一表面(111)上，其中，所述第一信号屏蔽单元(104)位于所述多个凸块(102)与所述电路基板(101)的第一表面(111)的接触点和所述第一表面(101)的边缘之间。
该声学装置封装结构还包括第二信号屏蔽单元(105)，所述第二信号屏蔽单元(105)与第一信号屏蔽单元(104)相连，所述第二信号屏蔽单元(105)与所述电路基板(101)围成中空结构，容置所述声学装置(103)和所述凸块(102)。
第二信号屏蔽单元(105)的材质包括环氧树脂。
本实施例中采用倒装芯片封装方式封装声学装置(103)，声学装置(103)可以为SAW、BAW等。声学装置(103)具有IDT电极的一面设置在声学装置(103)与所述电路基板(101)的第一表面(111)之间形成的间隙中，避免密封树脂或基板面与IDT电极接触，对敏感的IDT电极造成影响。
电路基板(101)为常用的HTCC基板或者其他形式的多层布线电路板，本发明不限于此。
凸块(102)通常采用导电性能良好的金属制成，例如金、锡等，以使得电路基板(101)与声学装置(103)之间形成良好的电连接。凸块(102)的数量可以设置为4个或6个，但本发明不限于此。凸块(102)除了具有电连接作用之外，还具有散热作用。
声学装置(103)中的SAW或BAW滤波器的屏蔽设置对它的性能很重要，如果有信号干扰，对滤波效果会产生很大影响。在声学装置封装结构中，如果不能实现有效的屏蔽，外界的电信号、磁场信号等干扰会对滤波器造成干扰，对产品的频率特性造成影响。因此，本发明提出在声学装置封装结构的内部设置信号屏蔽模块，以减少外界电信号、磁场信号等的干扰，降低声学装置的插入损耗。
本实施例中的信号屏蔽模块包括第一信号屏蔽单元(104)，所述第一信号屏蔽单元(104)位于所述多个凸块(102)与所述电路基板(101)的第一表面(111)的接触点和所述第一表面(101)的边缘之间。
在图1示出的声学装置封装结构中，凸块的形状为球形，第一信号屏蔽单元(104)设置于球形凸块(102)与电路基板(101)的第一表面(111)的接触点和所述第一表面(101)的边缘之间，第一信号屏蔽单元(104)不与凸块(102)接触。多个凸块与电路基板(101)的第一表面(111)的接触点会限定出一定的空间，在该空间与电路基板(101)边缘之间的区域都可以设置第一信号屏蔽单元(104)，为清楚起见，以2和图3为例说明。
在图2示出的声学装置封装结构中，凸块的形状为圆柱形，图3为图2从A向的俯视图，。在俯视图中，圆柱形凸块与电路基板(101)接触的点为圆形，第一信号屏蔽单元(104)设置在四个凸块与(111)的接触点所限定出的空间之外，设置于于电路基板(101)的第一表面(111)的接触点和所述第一表面(101)的边缘之间。
第一信号屏蔽单元(104)设置于凸块(102)与电路基板(101)的第一表面(111)的接触点和所述第一表面(101)的边缘之间，第一信号屏蔽单元(104)不与凸块(102)接触。
由于凸块与电路基板的接触点限定的区域之内设置有声表面波装置的IDT电极，在电路基板上凸块与电路基板的接触点之外区域设置，第一信号屏蔽单元能够有效地将可能引起干扰的电信号、电磁信号引走，避免对凸块与电路基板的接触点限定的区域之内的声表面波装置的IDT电极造成信号干扰，影响产品的频率特性。
第一信号屏蔽单元(104)采用导电性能良好的金属制成，例如其材质可以与凸块(102)的材质类似或相同。
第一信号屏蔽单元(104)尽量做成规则形状，便于气相沉积工艺的掩模设计。优选地，第一信号屏蔽单元(104)在电路基板(101)的第一表面(111)的正投影为长方形，如图3所示，其正投影具有靠近所述电路基板的边缘的方形外边缘(104-1)，以及远离所述电路基板边缘的方形内边缘(104-2)。
所述方形外边缘与所述方形内边缘的距离为100-150um。
如图3和图4所示，方形外边缘(104-1)具有长边和短边，所述方形内边缘(104-2)也具有长边和短边，所述方形外边缘的长边与方形内边缘的长边之间的距离h1与所述方形外边缘的长边与方形内边缘的短边之间的距离h2不同，以更好地实现信号屏蔽。
如图5和如图6所示，第一信号屏蔽单元(104)的内边缘的长边与短边的其中一个连接处104-5，设置为斜切角或者圆弧角。这是为了避免90度角对于高频信号在尖角的布线处容易的引起反射，另外，90度长度相对长，并且90度的尖角在高温的时候容易脱掉；同时对其中一个连接处104-5进行倒角处理，在封装工艺实施中，更利于对芯片定位为了避免以上问题，将第一信号屏蔽单元(104)的角度设置为斜切角或圆弧角，以提高产品的良率和定位便利。由此，可以其中一个连接处104-5做斜切角或者圆弧角，其余三个连接处不做处理，亦或其中一个连接处104-5做斜切角处理，其余三个连接处圆弧角处理，或者反过来，只要能明显识别出其中一个连接处，便于定位即可。
在另一具体实施方式中，如图7所示，第一信号屏蔽单元(104)为两层结构，靠近所述电路基板(101)的第一表面(111)为第一层(104-3)，材质为铜；远离所述电路基板(1)的第一表面(111)为第二层(104-4)，材质为金。第一信号屏蔽单元(104)也可以包括两层以上的多层结构，本发明不限于此。
根据本实施例的声学装置封装结构，根据本实施例的声学装置封装结构能够提高声学装置的屏蔽性能，提高声学装置的工作质量，提高产品的频率特性以及产品的良率。
(2)实施例二
本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例的声学装置封装结构与实施例一的声学装置封装结构类似，区别在于在本实施例中的第二信号屏蔽单元205包括导热层(205-1)、信号屏蔽层(205-2)和环氧树脂层(205-3)。
如图8所示，本实施例提供的声学装置封装结构包括：电路基板(201)，具有相对的第一表面(211)和第二表面(212)；多个凸块(202)，设置在所述电路基板(201)的第一表面(211)上；声学装置(203)，通过所述多个凸块(202)与所述电路基板(201)电连接，所述多个凸块(202)使所述声学装置(203)与所述电路基板(201)的第一表面(211)之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元(204)，所述第一信号屏蔽单元(204)设置在所述电路基板(201)的第一表面(211)上，其中，所述第一信号屏蔽单元(204)位于所述多个凸块(203)与所述电路基板(201)的第一表面(211)的接触点和所述第一表面(201)的边缘之间。
第一信号屏蔽单元(204)的结构和材质与实施例一中的相同，在此不再赘述。
如图8所示，本实施例提供的声学装置封装结构的信号屏蔽模块还包括第二信号屏蔽单元(205)，所述第二信号屏蔽单元(205)与所示第一信号屏蔽单元(204)相连，第二信号屏蔽单元(205)与所述电路基板(201)围成中空结构，容置所述声学装置(203)和多个凸块(102)。
所述第二信号屏蔽单元(205)包括导热层(205-1)、覆盖所述导热层的信号屏蔽层(205-2)、覆盖所述信号覆盖层的环氧树脂层(205-3)，所述导热层(205-1)覆盖远离所述电路基板(201)的第一表面(211)的所述声学装置(203)的上表面，以及垂直于所述电路基板(101)的第一表面(211)的所述声学装置(203)的侧表面。
传统的封装结构中，仅有凸块起到散热作用，将声学装置工作时产生的热量传递到电路基板上，这样的散热效率有限，而且将热量传递到电路基板上也会加重电路基板本身的散热负担。
在本实施例的声学装置封装结构中，采用兼有信号屏蔽和导热功能的第二信号屏蔽单元(205)取代传统的封装层，声学装置工作时产生的热量不再仅通过凸块传递到电路基板上，而是还能通过导热层将热量传递到封装结构的外部，增强了热量散发的效率，提高了滤波器的工作稳定性和寿命。
所述环氧树脂层(205-3)、所述信号屏蔽层(205-2)和所述导热层(205-1)的室温热导率依次增大，所述导热层的室温热导率为4W/mK以上。
第二信号屏蔽单元(205)包括的环氧树脂层(205-3)、所述信号屏蔽层(205-2)和所述导热层(205-1)中，主要起导热作用的是与声学装置(203)距离最近的导热层(205-1)，导热层覆盖所述声学装置(203)的上表面和侧表面，能够将声学装置工作时产生的热量从向上方向和侧向方向传递到信号屏蔽层(205-2)和环氧树脂层(205-3)，使热量向外散发，增强散热能力。
导热层的材质是导热性良好的金属、金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物或者非金属化合物，本发明不限于此。
第二信号屏蔽单元包括的信号屏蔽层(205-2)覆盖导热层(205-1)，将声学装置(203)包覆起来，能够够更好地屏蔽外界的电场、磁场信号对声学装置(203)，信号屏蔽层(205-2)与第一信号屏蔽单元(204)连接，将信号导出到第一信号屏蔽单元(204)。
在一具体实施方式中，信号屏蔽层(205-2)与导热层(205-1)的材质可以是不同的，例如导热层为石墨烯，信号屏蔽层为金、银或铜，可以根据性能需求选择合适的材质，增加了声学装置性能设计的自由度。
在一具体实施方式中，信号屏蔽层(205-2)与导热层(205-1)的材质可以是相同的，同为金属，例如金、银或铜。在此实施方式中，可以采用一步法工艺同时沉积信号屏蔽层与导热层，相对于信号屏蔽层与导热层材质不同的方式，简化了生产工艺。
信号屏蔽层(205-2)的材料可以与第一信号屏蔽单元(204)的材料相同可以为金、铜等金属，本发明不限于此。
在一具体实施方式中，所述第二信号屏蔽单元(205)为包含导热填料与屏蔽填料的环氧树脂膜，包括导热填料的环氧树脂膜形成所述导热层(205-1)，包括所述屏蔽填料的环氧树脂膜形成信号屏蔽层(205-2)，所述信号屏蔽层包括所述屏蔽填料。
所述屏蔽填料为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。所述导热填料包覆在所述屏蔽填料外侧，所述导热填料为石墨烯、金属、金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物中的一种或几种。
在具体的制备工艺中，首先在声学装置(203)的外表面(也就是上表面和侧面)制备包含有导热填料的环氧树脂膜形成导热层(205-1)，然后在导热层(205-1)的外表面上制备包含有屏蔽材料的环氧树脂膜形成信号屏蔽层(205-2)，最后在信号屏蔽层(205-2)的外表面制备环氧树脂层(205-3)。
导热层(205-1)可以由金属等导热性良好的材质制备，也可以由在环氧树脂层中添加导热填料形成。信号屏蔽层(205-2)可以由金属等能够屏蔽外界电场、磁场信号的材质制备，也可以由在环氧树脂层中添加屏蔽填料形成，采用在环氧树脂膜中添加导热填料和屏蔽材料形成导热层和信号屏蔽层导热层能够更好地与用于封装的环氧树脂层结合，使声学装置封装结构保证封装质量，同时兼具导热和信号屏蔽功能。
根据本实施例的声学装置封装结构能够进一步提高对声学装置的信号屏蔽能力，同时兼顾声学装置的散热，能够提高声学装置的产品的频率特性以及工作稳定性和寿命。
本实施例三
本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例的声学装置封装结构与实施例一的声学装置封装结构类似，区别在于在本实施例中信号屏蔽模块除了包括第一信号屏蔽单元(104)和第二信号屏蔽单元(105)之外还包括第三信号屏蔽单元(108)。
如图9所示，所述信号屏蔽模块还包括第三信号屏蔽单元(108)，所述第三信号屏蔽单元(108)具有第一端和第二端，所述第一端与所述第一信号屏蔽单元(104)相连，所述第三信号屏蔽单元(108)贯穿所述电路基板(101)，所述第二端与所述电路基板(101)的第二表面(112)的接地引脚相连。其他结构与实施例一相同，在此不再赘述。
所述第三信号屏蔽单元(108)为接地探针。可以将第一信号屏蔽单元(104)中的信号引出到电路基板(101)之外，避免电荷聚集在第一信号屏蔽单元(104)中。
所述接地探针在所述电路基板(101)中的路径沿水平或者竖直方向延伸设置。图9中示例性地示出了第三信号屏蔽单元(108)在电路基板(101)沿竖直方向延伸设置，但本发明不限于此。
根据本实施例的声学装置封装结构能够进一步提高对声学装置的信号屏蔽能力，提高声学装置的产品的频率特性以及工作稳定性。
本实施例四
本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例的声学装置封装结构与实施例二的声学装置封装结构类似，区别在于在本实施例中信号屏蔽模块除了包括第一信号屏蔽单元(204)和第二信号屏蔽单元(205)之外还包括第三信号屏蔽单元(208)。
如图10所示，所述信号屏蔽模块还包括第三信号屏蔽单元(208)，所述第三信号屏蔽单元(208)具有第一端和第二端，所述第一端与所述第一信号屏蔽单元(204)相连，所述第三信号屏蔽单元(208)贯穿所述电路基板(201)，所述第二端与所述电路基板(201)的第二表面(212)的接地引脚相连。其他结构与实施例二相同，在此不再赘述。
所述第三信号屏蔽单元(208)为接地探针。可以将第一信号屏蔽单元(204)和第二信号屏蔽单元(205)中的信号引出到电路基板(201)之外，避免电荷聚集在第一信号屏蔽单元(204)中。
所述接地探针在所述电路基板(201)中的路径沿水平或者竖直方向延伸设置。图10中示例性地示出了第三信号屏蔽单元(208)在电路基板(201)沿竖直方向延伸设置，但本发明不限于此。
根据本实施例的声学装置封装结构能够进一步提高对声学装置的信号屏蔽能力，提高声学装置的产品的频率特性以及工作稳定性。
本实施例五
本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例的声学装置封装结构与实施例一的声学装置封装结构类似，区别在于在本实施例中声学装置包括第一声学装置(303-1)和第二声学装置(303-2)。
如图11所示，声学装置封装结构包括：电路基板(301)，具有相对的第一表面(311)和第二表面(312)；多个凸块(302)，设置在所述电路基板(301)的第一表面(311)上；声学装置包括第一声学装置(303-1)和第二声学装置(303-2)，所述第一声学装置(303-1)与所述第二声学装置(303-2)之间设置间隔件(313)，所述第一声学装置(303-1)与所述第二声学装置(303-2)通过所述多个凸块(302)与所述电路基板(301)电连接，所述多个凸块(302)使所述第一声学装置(303-1)和第二声学装置(303-2)与所述电路基板(301)的第一表面(311)之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元(304)，所述第一信号屏蔽单元(303)设置在所述电路基板(301)的第一表面(311)上，其中，所述第一信号屏蔽单元(304)位于所述多个凸块(302)与所述电路基板(301)的第一表面(311)的接触点和所述第一表面(301)的边缘之间。
该声学装置封装结构还包括第二信号屏蔽单元(305)，所述第二信号屏蔽单元(305)与第一信号屏蔽单元(304)相连，所述第二信号屏蔽单元(305)与所述电路基板(301)围成中空结构，容置所述第一声学装置(303-1)与所述第二声学装置(303-2)和所述凸块(302)。
本实施例提供的声学装置封装结构集成有两个声学装置，能够缩小封装尺寸，提高集成度，并且提高对声学装置的屏蔽，同时提高封装结构的散热能力，避免外界信号影响声学装置，提高产品的频率特征、工作稳定性和寿命。
本实施例六
本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例提供一种声学装置封装结构，本实施例的声学装置封装结构与实施例五的声学装置封装结构类似，区别在于在本实施例中第二信号屏蔽单元包括导热层(405-1)、信号屏蔽层(405-2)和环氧树脂层(405-3)。
如图12所示，声学装置封装结构包括：电路基板(401)，具有相对的第一表面(411)和第二表面(412)；多个凸块(402)，设置在所述电路基板(401)的第一表面(411)上；声学装置包括第一声学装置(403-1)和第二声学装置(403-2)，所述第一声学装置(403-1)与所述第二声学装置(403-2)之间设置间隔件(313)，所述第一声学装置(403-1)与所述第二声学装置(403-2)通过所述多个凸块(402)与所述电路基板(401)电连接，所述多个凸块(402)使所述第一声学装置(403-1)和第二声学装置(403-2)与所述电路基板(401)的第一表面(411)之间形成间隙；信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元(404)，所述第一信号屏蔽单元(404)设置在所述电路基板(401)的第一表面(411)上，其中，所述第一信号屏蔽单元(404)位于所述多个凸块(402)与所述电路基板(401)的第一表面(411)的接触点和所述第一表面(401)的边缘之间。
该声学装置封装结构还包括第二信号屏蔽单元(405)，所述第二信号屏蔽单元(405)与第一信号屏蔽单元(404)相连，所述第二信号屏蔽单元(405)与所述电路基板(401)围成中空结构，容置所述第一声学装置(403-1)与所述第二声学装置(403-2)和所述凸块(402)。
本实施例提供的声学装置封装结构的信号屏蔽模块还包括第二信号屏蔽单元(405)，所述第二信号屏蔽单元(405)与所示第一信号屏蔽单元(404)相连，第二信号屏蔽单元(405)与所述电路基板(401)围成中空结构，容置所述声学装置(403)和多个凸块(402)。
所述间隔件(413)为环氧树脂件。在一具体实施方式中，所述间隔件为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板(401)的第一表面(411)接触的区域内可以设置金属膜(414)，以作为第一信号屏蔽单元的一部分，提高屏蔽性能。
本实施例提供的所述第二信号屏蔽单元(405)包括导热层(405-1)、覆盖所述导热层的信号屏蔽层(405-2)、覆盖所述信号覆盖层的环氧树脂层(405-3)，所述导热层(405-1)覆盖远离所述电路基板(401)的第一表面(411)的所述声学装置(403)的上表面，以及垂直于所述电路基板(401)的第一表面(411)的所述第一声学装置(403-1)与所述第二声学装置(403-2)的侧表面。其结构与材质与实施例二中的第二信号屏蔽单元(205)相同，在此不再赘述。
本实施例提供的声学装置封装结构集成有两个声学装置，能够缩小封装尺寸，提高集成度，并且提高对声学装置的屏蔽，比如外界信号影响声学装置，提高产品的频率特征和工作稳定性。
在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；术语“多个”表示两个或两个以上。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (18)
1.一种声学装置封装结构，包括：
电路基板，具有相对的第一表面和第二表面；
多个凸块，设置在所述电路基板的第一表面上；
声学装置，通过所述多个凸块与所述电路基板电连接，所述多个凸块使所述声学装置与所述电路基板的第一表面之间形成间隙；
信号屏蔽模块，包括第一信号屏蔽单元，所述第一信号屏蔽单元设置在所述电路基板的第一表面上，其中，所述第一信号屏蔽单元位于所述多个凸块与所述电路基板的第一表面的接触点和所述第一表面的边缘之间。
2.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第一信号屏蔽单元在所述电路基板的第一表面上的正投影具有靠近所述电路基板的边缘的方形外边缘，以及远离所述电路基板边缘的方形内边缘，所述方形外边缘与所述方形内边缘的距离为100-150um。
3.根据权利要求2所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述方形外边缘具有长边和短边，所述方形内边缘具有长边和短边，所述方形外边缘的长边与方形内边缘的长边之间的距离与所述方形外边缘的短边与方形内边缘的短边之间的距离不同。
4.根据权利要求3所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述方形内边缘的长边与所述方形内边缘的短边的至少一个连接处，设置为斜切角或圆弧角。
5.根据权利要求2所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第一信号屏蔽单元为金属膜，所述第一信号屏蔽单元的材质与所述凸块的材质相同。
6.根据权利要求5所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第一信号屏蔽单元为两层结构，靠近所述电路基板的第一表面为第一层，材质为铜；远离所述电路基板的第一表面为第二层，材质为金，所述第二层的材质与所述凸块的材质相同。
7.根据权利要求1所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述信号屏蔽单元还包括第二信号屏蔽单元，所述第二信号屏蔽单元与所示第一信号屏蔽单元相连，所述第二信号屏蔽单元与所述电路基板围成中空结构，容置所述声学装置和所述凸块。
8.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第二信号屏蔽单元包括导热层、覆盖所述导热层的信号屏蔽层、覆盖所述信号覆盖层的环氧树脂层，所述导热层覆盖远离所述电路基板的第一表面的所述声学装置的上表面，以及垂直于所述电路基板的第一表面的所述声学装置的侧表面。
9.根据权利要求8所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述环氧树脂层、所述信号屏蔽层和所述导热层的室温热导率依次增大，所述导热层的室温热导率为4W/mK以上。
10.根据权利要求7所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第二信号屏蔽单元为包含导热填料与屏蔽填料的环氧树脂膜。
11.根据权利要求10所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述屏蔽填料为金属网、金属粉、导电碳中的一种或几种。
12.根据权利要求11所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述导热填料包覆在所述屏蔽填料外侧，所述导热填料为石墨烯、金属、金属氮化物、金属碳化物、金属硼化物、金属氧化物中的一种或几种。
13.根据权利要求1或7中所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述信号屏蔽单元还包括第三信号屏蔽单元，所述第三信号屏蔽单元具有第一端和第二端，所述第一端与所述第一信号屏蔽单元相连，所述第三信号屏蔽单元贯穿所述电路基板，所述第二端与所述电路基板的第二表面的接地引脚相连。
14.根据权利要求13中所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述第三信号屏蔽单元为接地探针。
15.根据权利要求14所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述接地探针在所述电路基板中的路径沿水平或者竖直方向延伸设置。
16.根据权利要求7或8所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述声学装置包括第一声学装置和第二声学装置，所述第一声学装置与所述第二声学装置之间设置间隔件，所述中空结构容置所述第一声学装置、所述第二声学装置、所述间隔件和所述凸块。
17.根据权利要求16所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述间隔件为环氧树脂件。
18.根据权利要求16所述的声学装置封装结构，其特征在于，所述间隔件为包含屏蔽填料的环氧树脂件，所述间隔件与所述电路基板的第一表面接触的区域内设置金属膜。
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