CN113675222B - 一种tft基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明具体涉及一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法，该TFT基板包括：基板，所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层，所述有源层沿纵向被分割为n个，n个所述有源层交错排布，每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度；采用本申请的设计可以有效增大交叠宽度，从而提高源漏极对有源层中载流子的控制能力，有效避免沟道漏电，进而有效降低显示端出现水波纹不良的概率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法。
背景技术
柔性电子纸，也叫数码纸。它是一种超薄、超轻的显示屏，即理解为"像纸一样薄、柔软、可擦写的显示器"；形像地说，电子纸是一张薄胶片，而在胶片上"涂"上的一层带电的物质，则是电子墨。这也可看作是一个薄薄的内嵌式遥控显示板；目前电子纸主要由两个铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides，简称ITO)电极层之间的电子墨水层中反射能力强的白色粒子来显示亮态，由吸收能力强的黑色粒子来显示暗态，因此，电子纸显示屏只要借助环境光源就可显示内容，完全不需要背光源。
柔性电子纸一种类似纸张的电子显示器，其兼有纸的优点(如视觉感观几乎完全和纸一样等)，又可以像我们常见的液晶显示器一样不断转换刷新显示内容，并且比液晶显示器电子书省电得多。电子纸具有低功耗和可折叠弯曲功能，画面显示细腻和可视角度宽、相比其他显示技术，最大的优点是阳光下可视效果好，没有死角。
但是，目前柔性电子纸产品由于TFT基板中有源层在横向方向上的边缘，与源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间的交叠宽度较小，从而导致源漏极不能充分对有源层中的载流子进行控制，进而导致沟道出现漏电，最终在柔性电子纸上出现宏观表现为水波纹状的显示不良现象。
发明内容
本申请的目的在于提供一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法，以解决现有技术中存在水波纹状显示不良的技术问题。
(一)技术方案
为实现上述目的，本发明第一方面提供了一种TFT基板，包括：基板，所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层，所述有源层沿纵向被分割为n个，n个所述有源层交错排布，每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
作为本技术方案的可选方案之一，所述第一交叠宽度a1和所述第二交叠宽度a2均大于生产制程的偏移精度。
作为本技术方案的可选方案之一，所述第一交叠宽度a1的设置范围为2.6μm-3.5μm；所述第二交叠宽度a2的设置范围为2μm-2.5μm。
作为本技术方案的可选方案之一，每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层远离沟道一侧的边缘之间分别具有第一间距b1和第二间距b2，所述第二间距b2大于所述第一间距b1。
作为本技术方案的可选方案之一，所述第一间距b1的设置范围为1μm-2.5μm。
作为本技术方案的可选方案之一，每个所述有源层在纵向方向的宽度c设置范围为1-10μm。
为实现上述目的，本发明第二方面提供了一种TFT基板的制备方法，所述方法包括：
提供一个基板；
在所述基板上从下至上依次图案化形成栅极金属层和栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沿纵向图案化形成n个有源层，n个所述有源层交错排布；
n个所述有源层的外侧图案化形成源漏极层以及沟道；
所述源漏极层的外侧从下至上依次图案化形成第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层；
其中，所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘与每个所述有源层在横向方向上的边缘分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
作为本技术方案的可选方案之一，所述在所述栅极绝缘层上沿纵向方向图案化形成n个有源层，n个所述有源层交错排布的步骤中，所述方法具体包括：
在所述栅极绝缘层上沿纵向涂覆一层金属氧化物；
在所述金属氧化物外侧涂覆n个作为掩膜的第一PR层；
对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述第一PR层，以形成n个交错排布的有源层。
作为本技术方案的可选方案之一，所述n个所述有源层的外侧图案化形成源漏极层以及沟道的步骤中，所述方法具体包括：
在n个所述有源层的外侧涂覆一层金属材料；
在所述金属材料外侧涂覆有作为掩膜的第二PR层；
对待开设沟槽的位置进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述第二PR层，以形成源漏极层以及沟道。
为实现上述目的，本发明第三方面提供了一种电子纸显示屏，包括：如前述中任一项所述的TFT基板。
为实现上述目的，本发明第四方面提供了一种显示设备，包括：如前述所述的电子纸显示屏。
(二)有益效果
本发明与现有技术相比，具有以下有益效果：
本发明提供了一种TFT基板、电子纸显示屏、显示设备及其制备方法，该TFT基板包括：基板，所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层，所述有源层沿纵向被分割为n个，n个所述有源层交错排布，每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度；综上所述，采用本申请的设计可以有效增大交叠宽度，从而提高源漏极对有源层中载流子的控制能力，有效避免沟道漏电，进而有效降低显示端出现水波纹不良的概率，并且还可以满足生产制程中对偏移量的要求，从而提升产品的良率，降低制程难度。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：
图1是现有技术中TFT基板的结构示意图；
图2是图1的局部放大图；
图3是图1沿A-A’方向的剖视图；
图4是本发明中TFT基板的结构示意图；
图5是图4的局部放大图。
图中：1、基板；2、栅极金属层；3、栅极绝缘层；4、有源层；5、源漏极层；6、第一绝缘层；7、第二绝缘层；8、电极层；9、沟道。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
目前电子纸主要由两个铟锡金属氧化物(Indium Tin Oxides，简称ITO)电极层8(ITO)之间的电子墨水层中反射能力强的白色粒子来显示亮态，由吸收能力强的黑色粒子来显示暗态，因此，电子纸显示屏只要借助环境光源就可显示内容，完全不需要背光源。
但是，目前柔性电子纸产品如图1-图3所示，由于TFT基板1中有源层4(ACT)在横向方向上的边缘，与源漏极层5(SD)靠近沟道9一侧的边缘之间的交叠宽度较小，也就是说，如图2所示，交叠宽度a较小，间距b过大，示例性的，现有技术中，间距b一般大于1.5μm；从而导致源漏极不能充分对有源层4(ACT)中的载流子进行控制，进而导致沟道9出现漏电，最终在柔性电子纸上出现宏观表现为水波纹状的显示不良现象。
为了解决上述技术问题，本发明提出了一种显示设备，优选的应用电子纸显示屏，当然，本申请不仅限于电子纸显示屏，其他显示屏亦适用于本申请，均属于本申请的保护范围；下面为理解方便以电子纸显示屏进行举例说明，本发明提供了一种电子纸显示屏，包括：电子纸薄膜和TFT基板1，电子纸薄膜包括：电子墨水层、电极层8(ITO)以及基板1，电子墨水层由内到外依次包括：第一电子墨水区域、空白区域、第二电子墨水区域，TFT基板1上与空白区域相对应的区域设有黑色边框显示区。当然，电子墨水层也可以根据需要省略第二电子墨水区域，即电子墨水层由内到外可以依次仅包括：第一电子墨水区域和空白区域，上述结构的连接关系以及工作过程均为现有技术，故不在此做过多赘述。
下面结合附图对TFT基板1的具体结构以及制备方法进行举例说明：
如图1-图5所示，本发明第一方面提供了一种TFT基板1，包括：基板1，所述基板1上从下至上依次设置有栅极金属层2(GAT)、栅极绝缘层3(GI)、有源层4(ACT)、源漏极层5(SD)、第一绝缘层6(PVX)、第二绝缘层7(ACR)以及电极层8(ITO)；研发人员在面对现有技术中存在水波纹状显示不良的技术问题时，设计了多种设计思路，其中之一设计思路为：采用将源漏极层5(SD)的尺寸增大的方式，将有源层4(ACT)在横向方向上的边缘与源漏极层5(SD)靠近沟道9一侧的边缘之间的交叠宽度增大，也就是说，将交叠宽度a增大，间距b减小，但是，采用本实施例的设计同时将会增加栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠面积，从而导致数据信号线负载电容增大，从而挑战IC驱动能力；另一个设计思路为：考虑到在不增加栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠面积的前提下，实现将有源层4(ACT)在横向方向上的边缘与源漏极层5(SD)靠近沟道9一侧的边缘之间的交叠宽度增大，本实施例采用将有源层4(ACT)尺寸减小，从而增大交叠宽度的方式，经过多次测试确定，采用本实施例的设计将造成TFT基板1生产制程中偏移精度较小，导致生产管控困难，最终造成产品良率下降。
吸取上述两种设计思路的经验，研发人员设计出了一条优选的实施方式，具体如下：如图4和图5所示，所述有源层4(ACT)沿纵向被分割为n个，n个所述有源层4(ACT)交错排布，每个所述有源层4(ACT)在横向方向上的边缘与所述源漏极层5(SD)靠近沟道9一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2；每个所述有源层4(ACT)在横向方向上的边缘与所述源漏极层5(SD)远离沟道9一侧的边缘之间分别具有第一间距b1和第二间距b2，所述第二间距b2大于所述第一间距b1；并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度，在本实施例中，仅需保证第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度，即可形成有效的TFT基板1，并且采用本实施例的设计还可以缩小有源层4(ACT)整体尺寸，降低生产成本；具体的，如图5所示，在每个有源层4(ACT)的横向方向上，沟道9其中一侧，栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度为a1+b1；沟道9另一侧，栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度为a2+b2；更为具体的，每相邻两个有源层4(ACT)在横向方向上，沟道9两侧中栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度不同，具体的，其中一个有源层4(ACT)在横向方向上，沟道9的第一侧中栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度为a1+b1；沟道9的第二侧中栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度为a2+b2；与其相邻的有源层4(ACT)在横向方向上，沟道9的第一侧中栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度为a2+b2；沟道9的第二侧中栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠宽度为a1+b1；为了进一步降低制程难度，在一个优选的实施例中，所述第一交叠宽度a1和所述第二交叠宽度a2均大于生产制程的偏移精度，从而保证在生产制程出现偏移时，都可以满足偏移精度；综上所述，采用本申请的设计可以有效增大交叠宽度，从而提高源漏极对有源层4(ACT)中载流子的控制能力，有效避免沟道9漏电，进而有效降低显示端出现水波纹不良的概率，并且还可以满足生产制程中对偏移量的要求，从而提升产品的良率，降低制程难度。
根据本发明的一个实施例，生产制程的偏移精度一般在2μm，所述第一交叠宽度a1的设置范围为2.6μm-3.5μm，示例性的，第一交叠宽度a1设置为3μm；其中，b1按照现有技术设计即可，进一步的，所述第二交叠宽度a2的设置范围为2μm-2.5μm，示例性的，第二交叠宽度a2设置为2.2μm；
所述第一间距b1的设置范围为1μm-2.5μm，示例性的，第一间距b1设置为1.5μm；所述第二间距b2的设置范围为2.3μm附近，示例性的，第二间距b2设置为2.3μm；每个所述有源层4(ACT)在纵向方向的宽度c设置范围为1-10μm，示例性的，宽度c设置为2μm；综上所述，与现有技术相比，采用本实施例的设计可以有效提高源漏极对有源层4(ACT)中载流子的控制能力，有效避免沟道9漏电，进而有效降低显示端出现水波纹不良的概率，并且还可以满足生产制程中对偏移量的要求，从而提升产品的良率，降低制程难度。
现有技术中产品的栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠面积为(a+b)*c*n，其中，交叠宽度a一般为大于1.5μm，间距b一般为大于1.5μm，而本申请中产品的栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠面积为(a2+b2)*c*n，根据上述参数设定可知，本申请中产品的栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠面积小于现有技术中产品的栅极金属层2(GAT)与源漏极层5(SD)的交叠面积，从而有效降低数据信号线负载电容，保证IC驱动能力。
为实现上述目的，本发明第二方面提供了一种TFT基板1的制备方法，所述方法包括：
提供一个基板1；
具体的，如图3所示，基板1可以为玻璃基材、透明塑料基材、可挠式基材等透光基材。当然，本实施例的基板1也可以设置有钝化保护层，例如基板1可以包括衬底基材和形成于衬底基材上的钝化保护层，衬底基材可以为玻璃基材、透明塑料基材、可挠式基材等透光基材，钝化保护层的材料包括但不限于硅氮化合物，例如Si3N4(四氮化三硅，简称氮化硅)，以保护基板1表面的结构稳定性。
在所述基板1上从下至上依次图案化形成栅极金属层2(GAT)和栅极绝缘层3(GI)；
具体的，首先在基板1上溅射一侧金属材料，之后在金属材料上涂覆一层PR胶层，并对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述PR胶层，以形成栅极金属层2(GAT)；之后在栅极金属层2(GAT)上溅射一侧无机材料，示例性的，可以采用SiNx，之后在无机材料上涂覆一层PR胶层，并对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述PR胶层，以形成栅极绝缘层3(GI)。
在所述栅极绝缘层3(GI)上沿纵向图案化形成n个有源层4(ACT)，n个所述有源层4(ACT)交错排布；
具体的，在所述栅极绝缘层3(GI)上沿纵向涂覆一层金属氧化物；
在所述金属氧化物外侧涂覆n个作为掩膜的第一PR层；
对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述第一PR层，以形成n个交错排布的有源层4(ACT)。
n个所述有源层4(ACT)的外侧图案化形成源漏极层5(SD)以及沟道9；
其中，所述源漏极层5(SD)靠近沟道9一侧的边缘与每个所述有源层4(ACT)在横向方向上的边缘分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
具体的，在n个所述有源层4(ACT)的外侧涂覆一层金属材料；
在所述金属材料外侧涂覆有作为掩膜的第二PR层；
对待开设沟槽的位置进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述第二PR层，以形成源漏极层5(SD)以及沟道9。
根据本发明的一个实施例，生产制程的偏移精度一般在2μm，所述第一交叠宽度a1的设置范围为2.6μm-3.5μm，示例性的，第一交叠宽度a1设置为3μm；其中，b1按照现有技术设计即可，进一步的，所述第二交叠宽度a2的设置范围为2μm-2.5μm，示例性的，第二交叠宽度a2设置为2.2μm；
所述第一间距b1的设置范围为1μm-2.5μm，示例性的，第一间距b1设置为1.5μm；所述第二间距b2的设置范围为2.3μm附近，示例性的，第二间距b2设置为2.3μm；每个所述有源层4(ACT)在纵向方向的宽度c设置范围为1-10μm，示例性的，宽度c设置为2μm。
所述源漏极层5(SD)的外侧从下至上依次图案化形成第一绝缘层6(PVX)、第二绝缘层7(ACR)以及电极层8(ITO)；
具体的，首先在源漏极层5(SD)上溅射一侧绝缘材料，之后在绝缘材料上涂覆一层PR胶层，并对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述PR胶层，以形成第一绝缘层6(PVX)；之后在第一绝缘层6(PVX)上涂覆一层有机树脂材料，之后在有机树脂材料上涂覆一层PR胶层，并对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述PR胶层，以形成第二绝缘层7(ACR)；最后，在第二绝缘层7(ACR)上涂覆一层金属氧化物，之后在金属氧化物上涂覆一层PR胶层，并对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述PR胶层，以形成电极层8(ITO)。
综上所述，本申请的TFT基板1由7个膜层构成，制备时可以依次利用掩膜板进行制备，也就是说利用7个掩膜板进行制备，为了降低成本，优选的，可以采用半掩膜工艺进行制备，以降低使用掩膜板数量，示例性的，可以利用半掩膜工艺制备栅极金属层2(GAT)和栅极绝缘层3(GI)，具体的，栅极金属层2(GAT)和栅极绝缘层3(GI)在同一个掩膜板中图案化形成，从而实现仅需6个掩膜板即可制备出7个膜层结构，掩膜板顺序依次为栅极金属层2(GAT)-有源层4(ACT)-源漏极层5(SD)-第二绝缘层7(ACR)-第一绝缘层6(PVX)-电极层8(ITO)，当然，多个膜层的成型工艺不仅限于上述掩膜板设计，还可以采用其他制备方式，本实施例中对此不作具体限定。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，若干个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中，诸如“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施方式例如能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。
而且，术语“包括”、“包含”和“具有”以及他们的任何变形或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
以上所述仅是本申请的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本申请。对这些实施例的多种修改和变化对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
Claims (11)
1.一种TFT基板，其特征在于，包括：基板，所述基板上从下至上依次设置有栅极金属层、栅极绝缘层、有源层、源漏极层、第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层，所述有源层沿纵向被分割为n个，n个所述有源层交错排布，每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘之间分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
2.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一交叠宽度a1和所述第二交叠宽度a2均大于生产制程的偏移精度。
3.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，所述第一交叠宽度a1的设置范围为2.6μm-3.5μm；所述第二交叠宽度a2的设置范围为2μm-2.5μm。
4.根据权利要求3所述的TFT基板，其特征在于，每个所述有源层在横向方向上的边缘与所述源漏极层远离沟道一侧的边缘之间分别具有第一间距b1和第二间距b2，所述第二间距b2大于所述第一间距b1。
5.根据权利要求4所述的TFT基板，其特征在于，所述第一间距b1的设置范围为1μm-2.5μm。
6.根据权利要求1所述的TFT基板，其特征在于，每个所述有源层在纵向方向的宽度c设置范围为1-10μm。
7.一种TFT基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一个基板；
在所述基板上从下至上依次图案化形成栅极金属层和栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上沿纵向图案化形成n个有源层，n个所述有源层交错排布；
n个所述有源层的外侧图案化形成源漏极层以及沟道；
所述源漏极层的外侧从下至上依次图案化形成第一绝缘层、第二绝缘层以及电极层；
其中，所述源漏极层靠近沟道一侧的边缘与每个所述有源层在横向方向上的边缘分别具有第一交叠宽度a1和第二交叠宽度a2，所述第一交叠宽度a1大于所述第二交叠宽度a2，并且至少所述第一交叠宽度a1大于生产制程的偏移精度。
8.根据权利要求7所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层上沿纵向方向图案化形成n个有源层，n个所述有源层交错排布的步骤中，所述方法具体包括：
在所述栅极绝缘层上沿纵向涂覆一层金属氧化物；
在所述金属氧化物外侧涂覆n个作为掩膜的第一PR层；
对不需要的部分进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述第一PR层，以形成n个交错排布的有源层。
9.根据权利要求7所述的TFT基板的制备方法，其特征在于，所述n个所述有源层的外侧图案化形成源漏极层以及沟道的步骤中，所述方法具体包括：
在n个所述有源层的外侧涂覆一层金属材料；
在所述金属材料外侧涂覆有作为掩膜的第二PR层；
对待开设沟槽的位置进行全曝光显影以及刻蚀，并去除残留所述第二PR层，以形成源漏极层以及沟道。
10.一种电子纸显示屏，其特征在于，包括：如权利要求1-6中任一项所述的TFT基板。
11.一种显示设备，其特征在于，包括：如权利要求10所述的电子纸显示屏。
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