CN113668023A - 电镀方法、电镀装置以及电镀系统 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种电镀方法、电镀装置以及电镀系统，其中，待电镀结构具有沟槽，该电镀方法包括：在电镀槽中存在待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对待电镀结构进行电镀，以在沟槽中形成第一电镀层；控制以单向脉冲电流对形成有第一电镀层的待电镀结构进行电镀，以填充部分沟槽，剩余的沟槽为凹槽；控制以第二恒电流对形成有凹槽的待电镀结构进行电镀，以填满凹槽，形成最终结构。本申请的方法缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
Description
技术领域
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种电镀方法、电镀装置、计算机可读存储介质、处理器以及电镀系统。
背景技术
目前待电镀结构100的沟槽101的铜(Cu)电镀工艺主要分三步完成：
第一步，如图1和图2所示，小电流负责关键尺寸的沟槽101的填充；
第二步，较大电流确保大小沟槽已被填满，得到如图3所示；
第三步，大电流主要是为了生长一层平坦的厚铜，以使后续退火时铜晶粒能够尽量长大，并给CMP(Chemical Mechanical Planariation，化学机械抛光)提供工艺空间，得到如图4所示的结构，图4中铜的厚度D2大于图3中铜的厚度D1。
对于三步Cu电镀工艺中，主要难点在第一步小电流对关键尺寸沟槽的填充，尤其在沟槽的图案(Pattern)密度大的位置。如图3和图4所示，由于在沟槽开口处电流密度较大，叠加上Pattern密度的影响，导致此时沟槽开口处Cu电镀填充过快，沟槽提前封口形成沟槽内的空隙、孔洞102等缺陷。
在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。
发明内容
本申请的主要目的在于提供一种电镀方法、电镀装置、计算机可读存储介质、处理器以及电镀系统，以解决现有技术中电镀过程中沟槽开口处提前封口，造成沟槽内部的空隙、孔洞等缺陷的问题。
根据本发明实施例的一个方面，提供了一种电镀方法，待电镀结构具有沟槽，所述方法包括：在电镀槽中存在所述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对所述待电镀结构进行电镀，以在所述沟槽中形成第一电镀层；控制以单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，以填充部分所述沟槽，剩余的所述沟槽为凹槽；控制以第二恒电流对形成有所述凹槽的所述待电镀结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成最终结构。
可选地，控制以单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，包括：控制以所述单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，并向所述电镀槽中加入预定溶液，所述预定溶液包括添加剂以及预定元素的离子，所述预定元素为所述第一电镀层的组成元素。
可选地，所述单向脉冲电流的最大值与所述第一恒电流相同。
可选地，控制以第二恒电流对形成有所述凹槽的所述待电镀结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成最终结构，包括：控制以第一子电流对所述最终结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成中间结构；控制以第二子电流对所述中间结构进行电镀，以在所述中间结构的裸露表面上形成第二电镀层，得到所述最终结构，所述第一子电流以及所述第二子电流构成所述第二恒电流，所述第一子电流小于所述第二子电流，所述第一恒电流小于所述第一子电流。
可选地，所述第一电镀层的材料为铜，所述电镀槽中的电镀液包括硫酸铜溶液、稀硫酸以及盐酸。
可选地，所述电镀液还包括添加剂，所述添加剂包括抑制剂、平整剂以及加速剂。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种电镀装置，待电镀结构具有沟槽，所述装置包括第一控制单元、第二控制单元以及第三控制单元，其中，所述第一控制单元用于在电镀槽中存在所述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对所述待电镀结构进行电镀，以在所述沟槽中形成第一电镀层；所述第二控制单元用于控制以单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，以填充部分所述沟槽，剩余的所述沟槽为凹槽；所述第三控制单元用于控制以第二恒电流对形成有所述凹槽的所述待电镀结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成最终结构。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。
根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种电镀系统，包括电镀设备以及所述电镀设备的控制装置，其中，所述电镀设备包括电镀槽；所述控制装置用于执行任一种所述的方法。
根据本发明的实施例，所述的电镀方法中，首先使用第一恒电流对所述待电镀结构进行电镀，以在所述沟槽中形成第一电镀层；然后使用单向脉冲电流再次进行电镀，来填充部分所述沟槽，形成凹槽；最后，使用第二恒电流对所述待电镀结构继续电镀，填满所述凹槽，形成最终结构。本申请的所述方法，在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀所述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
附图说明
构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1至图4示出了现有技术中铜电镀在不同步骤后形成的结构示意图；
图5示出了根据本申请的实施例的电镀方法生成的流程示意图；
图6示出了根据本申请的实施例的以第一恒电流对待电镀结构进行电镀形成的结构示意图；
图7示出了根据本申请的实施例的以单向脉冲电流对待电镀结构进行电镀形成的结构示意图；
图8示出了根据本申请的实施例的电镀过程中电流随时间的变化示意图；
图9示出了根据本申请的实施例的电镀装置的示意图。
其中，上述附图包括以下附图标记：
100、待电镀结构；101、沟槽；102、孔洞；103、电镀材料；104、凹槽；200、第一恒电流；201、单向脉冲电流；202、第一子电流；203、第二子电流。
具体实施方式
需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。
为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。
需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
应该理解的是，当元件(诸如层、膜、区域、或衬底)描述为在另一元件“上”时，该元件可直接在该另一元件上，或者也可存在中间元件。而且，在说明书以及权利要求书中，当描述有元件“连接”至另一元件时，该元件可“直接连接”至该另一元件，或者通过第三元件“连接”至该另一元件。
正如背景技术中所说的，现有技术中存在电镀过程中沟槽开口处提前封口，造成沟槽内部的空隙、孔洞等缺陷的问题，为了解决上述问题，本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种电镀方法、电镀装置、计算机可读存储介质、处理器以及电镀系统。
根据本申请的实施例，提供了一种电镀方法，待电镀结构具有沟槽。
图5是根据本申请实施例的电镀方法的流程图，其中，图8示出了电镀电流随时间变化图。如图5所示，该方法包括以下步骤：
步骤S101，在电镀槽中存在上述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流200对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层，得到如图6所示的结构，其中，上述第一电镀层由电镀材料103构成；
步骤S102，控制以单向脉冲电流201对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，以填充部分上述沟槽，剩余的上述沟槽为凹槽104，得到如图7所示的结构；
步骤S103，控制以第二恒电流对形成有上述凹槽的上述待电镀结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成最终结构。
上述的电镀方法中，首先使用第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；然后使用单向脉冲电流再次进行电镀，来填充部分上述沟槽，形成凹槽；最后，使用第二恒电流对上述待电镀结构继续电镀，填满上述凹槽，形成最终结构。本申请的上述方法，在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀上述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
在实际的应用过程中，上述待电镀结构可以为具有沟槽的基底，当然上述待电镀结构并不限于上述的基底，其还可以为其他的结构。上述沟槽可以为孔洞、狭缝以及凹槽等。
本领域技术人员可以选用现有技术中任意可行的材料作为电镀材料，为了进一步地保证上述的电镀过程较为简单，并且进一步地保证电镀效果较好，本申请的一种具体的实施例中，上述第一电镀层的材料为铜，上述电镀槽中的电镀液包括硫酸铜溶液、稀硫酸以及盐酸。上述电镀液还包括添加剂，上述添加剂包括抑制剂、平整剂以及加速剂。在单向脉冲电流电镀阶段，当电流为0时，酸性的上述电镀液可以腐蚀掉沟槽的开口处较薄的Cu膜，来保证沟槽内电镀材料可以较好地沉积，这样进一步地保证了上述沟槽的开口处不会提前封口，进一步地保证了电镀效果较好。
电镀过程中，由于电镀速率的不同，沟槽局部微观环境的离子和添加剂含量会有差异，其中，上述离子的成分与上述第一电镀层的组成成分相同，此种情况下，为了进一步地保证沟槽的电镀效果较好，本申请的再一种具体的实施例中，控制以单向脉冲电流对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，包括：控制以上述单向脉冲电流对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，并向上述电镀槽中加入预定溶液，上述预定溶液包括添加剂以及预定元素的离子，上述预定元素为上述第一电镀层的组成元素。在使用脉冲电流对沟槽进行电镀的过程中，通过向上述电镀槽中补充添加剂以及含有上述预定元素的离子，这样保证了沟槽附近的离子以及添加剂可以得到及时的补充，从而进一步地保证了沟槽的电镀效果较好。
具体地，上述预定溶液为包括铜离子的溶液，更为具体的一种实施例中，上述预定溶液包括硫酸铜溶液以及添加剂。当然，上述预定溶液的组分并不限于上述的硫酸铜溶液以及添加剂，其还可以包括其他成分，如稀硫酸等。本领域技术人员可以根据实际电镀情况灵活选择上述预定溶液的成分。
本申请的再一种具体的实施例中，上述添加剂包括抑制剂、平整剂以及加速剂。
在实际的应用过程中，为了进一步地保证电镀的效果较好，本领域技术人员可以根据实际的实验来确定上述第一恒电流以及上述单向脉冲电流的大小以及持续时间，上述脉冲电流的频率也可以通过多次实验确定最优值。根据本申请的又一种具体的实施例，上述单向脉冲电流的最大值与上述第一恒电流相同。
根据本申请的另一种具体的实施例，如图8所示，控制以第二恒电流对形成有上述凹槽的上述待电镀结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成最终结构，包括：控制以第一子电流202对上述最终结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成中间结构；控制以第二子电流203对上述中间结构进行电镀，以在上述中间结构的裸露表面上形成第二电镀层，得到上述最终结构，上述第一子电流202以及上述第二子电流203构成上述第二恒电流，上述第一子电流202小于上述第二子电流203，上述第一恒电流200小于上述第一子电流202。上述方法通过控制上述第一恒电流小于上述第一子电流，即控制第一阶段的电镀速率较慢，这样可以进一步地保证沟槽底部的填充效果较好，进一步地避免电镀速率较快时沟槽开口处较快地封口的问题，进一步地保证电镀后的上述沟槽内基本没有孔洞以及空隙。控制较大的第一子电流和第二子电流对沟槽继续进行填充，这样可以保证了较为快速地得到上述最终结构。提供第二子电流对上述中间结构进行电镀，以在上述中间结构的裸露表面上形成第二电镀层，这样可以在沟槽上方形成一层平坦厚度的电镀层，方便了后续工艺的进行。
在实际的应用过程中，上述第一子电流和上述第二子电流的大小以及持续时间可以根据需要的电镀厚度进行灵活调整。
需要说明的是，在附图的流程图示出的步骤可以在诸如一组计算机可执行指令的计算机系统中执行，并且，虽然在流程图中示出了逻辑顺序，但是在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤。
本申请实施例还提供了一种电镀装置，待电镀结构具有沟槽。需要说明的是，本申请实施例的电镀装置可以用于执行本申请实施例所提供的用于电镀方法。以下对本申请实施例提供的电镀装置进行介绍。
图9是根据本申请实施例的电镀装置的示意图。如图9所示，该装置包括第一控制单元10、第二控制单元20以及第三控制单元30，其中，上述第一控制单元10用于在电镀槽中存在上述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；上述第二控制单元20用于控制以单向脉冲电流对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，以填充部分上述沟槽，剩余的上述沟槽为凹槽；上述第三控制单元30用于控制以第二恒电流对形成有上述凹槽的上述待电镀结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成最终结构。
上述的电镀装置中，通过上述第一控制单元控制以第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；通过上述第二控制单元以单向脉冲电流再次进行电镀，来填充部分上述沟槽，形成凹槽；通过上述第三控制单元以第二恒电流对上述待电镀结构继续电镀，填满上述凹槽，形成最终结构。本申请的上述装置，在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀上述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
在实际的应用过程中，上述待电镀结构可以为具有沟槽的基底，当然上述待电镀结构并不限于上述的基底，其还可以为其他的结构。上述沟槽可以为孔洞、狭缝以及凹槽等。
本领域技术人员可以选用现有技术中任意可行的材料作为电镀材料，为了进一步地保证上述的电镀过程较为简单，并且进一步地保证电镀效果较好，本申请的一种具体的实施例中，上述第一电镀层的材料为铜，上述电镀槽中的电镀液包括硫酸铜溶液、稀硫酸以及盐酸。上述电镀液还包括添加剂，上述添加剂包括抑制剂、平整剂以及加速剂。在单向脉冲电流电镀阶段，当电流为0时，酸性的上述电镀液可以腐蚀掉沟槽的开口处较薄的Cu膜，来保证沟槽内电镀材料可以较好地沉积，这样进一步地保证了上述沟槽的开口处不会提前封口，进一步地保证了电镀效果较好。
电镀过程中，由于电镀速率的不同，沟槽局部微观环境的离子和添加剂含量会有差异，其中，上述离子的成分与上述第一电镀层的组成成分相同，此种情况下，为了进一步地保证沟槽的电镀效果较好，本申请的再一种具体的实施例中，上述第二控制单元包括第一控制模块，上述第一控制模块用于控制以上述单向脉冲电流对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，并向上述电镀槽中加入预定溶液，上述预定溶液包括添加剂以及预定元素的离子，上述预定元素为上述第一电镀层的组成元素。在使用脉冲电流对沟槽进行电镀的过程中，通过向上述电镀槽中补充添加剂以及含有上述预定元素的离子，这样保证了沟槽附近的离子以及添加剂可以得到及时的补充，从而进一步地保证了沟槽的电镀效果较好。
具体地，上述预定溶液为包括铜离子的溶液，更为具体的一种实施例中，上述预定溶液包括硫酸铜溶液以及添加剂。当然，上述预定溶液的组分并不限于上述的硫酸铜溶液以及添加剂，其还可以包括其他成分，如稀硫酸等。本领域技术人员可以根据实际电镀情况灵活选择上述预定溶液的成分。
本申请的再一种具体的实施例中，上述添加剂包括抑制剂、平整剂以及加速剂。
在实际的应用过程中，为了进一步地保证电镀的效果较好，本领域技术人员可以根据实际的实验来确定上述第一恒电流以及上述单向脉冲电流的大小以及持续时间，上述脉冲电流的频率也可以通过多次实验确定最优值。根据本申请的又一种具体的实施例，上述单向脉冲电流的最大值与上述第一恒电流相同。
根据本申请的另一种具体的实施例，如图8所示，上述第三控制单元包括第二控制模块以及第三控制模块，其中，上述第二控制模块用于控制以第一子电流202对上述最终结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成中间结构；上述第三控制模块用于控制以第二子电流203对上述中间结构进行电镀，以在上述中间结构的裸露表面上形成第二电镀层，得到上述最终结构，上述第一子电流202以及上述第二子电流203构成上述第二恒电流，上述第一子电流202小于上述第二子电流203，上述第一恒电流200小于上述第一子电流202。上述装置通过控制上述第一恒电流小于上述第一子电流，即控制第一阶段的电镀速率较慢，这样可以进一步地保证沟槽底部的填充效果较好，进一步地避免电镀速率较快时沟槽开口处较快地封口的问题，进一步地保证电镀后的上述沟槽内基本没有孔洞以及空隙。控制较大的第一子电流和第二子电流对沟槽继续进行填充，这样可以保证了较为快速地得到上述最终结构。提供第二子电流对上述中间结构进行电镀，以在上述中间结构的裸露表面上形成第二电镀层，这样可以在沟槽上方形成一层平坦厚度的电镀层，方便了后续工艺的进行。
在实际的应用过程中，上述第一子电流和上述第二子电流的大小以及持续时间可以根据需要的电镀厚度进行灵活调整。
上述电镀装置包括处理器和存储器，上述第一控制单元、上述第二控制单元以及上述第三控制单元等均作为程序单元存储在存储器中，由处理器执行存储在存储器中的上述程序单元来实现相应的功能。
处理器中包含内核，由内核去存储器中调取相应的程序单元。内核可以设置一个或以上，通过调整内核参数来解决现有技术中电镀过程中沟槽开口处提前封口，造成沟槽内部的空隙、孔洞等缺陷的问题。
存储器可能包括计算机可读介质中的非永久性存储器，随机存取存储器(RAM)和/或非易失性内存等形式，如只读存储器(ROM)或闪存(flash RAM)，存储器包括至少一个存储芯片。
本发明实施例提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有程序，该程序被处理器执行时实现上述电镀方法。
本发明实施例提供了一种处理器，上述处理器用于运行程序，其中，上述程序运行时执行上述电镀方法。
本发明实施例提供了一种设备，设备包括处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的程序，处理器执行程序时实现至少以下步骤：
步骤S101，在电镀槽中存在上述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；
步骤S102，控制以单向脉冲电流对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，以填充部分上述沟槽，剩余的上述沟槽为凹槽；
步骤S103，控制以第二恒电流对形成有上述凹槽的上述待电镀结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成最终结构。
本文中的设备可以是服务器、PC、PAD、手机等。
本申请还提供了一种计算机程序产品，当在数据处理设备上执行时，适于执行初始化有至少如下方法步骤的程序：
步骤S101，在电镀槽中存在上述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；
步骤S102，控制以单向脉冲电流对形成有上述第一电镀层的上述待电镀结构进行电镀，以填充部分上述沟槽，剩余的上述沟槽为凹槽；
步骤S103，控制以第二恒电流对形成有上述凹槽的上述待电镀结构进行电镀，以填满上述凹槽，形成最终结构。
根据本申请的另一种典型的实施例，还提供了一种电镀系统，包括电镀设备以及上述电镀设备的控制装置，其中，上述电镀设备包括电镀槽；上述控制装置用于执行任一种上述的方法。
上述的电镀系统，包括电镀设备以及其控制装置，上述控制装置用于执行任一种上述的方法。上述方法在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀上述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
在本发明的上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的技术内容，可通过其它的方式实现。其中，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如上述单元的划分，可以为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，单元或模块的间接耦合或通信连接，可以是电性或其它的形式。
上述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。
另外，在本发明各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。
上述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可为个人计算机、服务器或者网络设备等)执行本发明各个实施例上述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：
1)、本申请上述的电镀方法中，首先使用第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；然后使用单向脉冲电流再次进行电镀，来填充部分上述沟槽，形成凹槽；最后，使用第二恒电流对上述待电镀结构继续电镀，填满上述凹槽，形成最终结构。本申请的上述方法，在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀上述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
2)、本申请上述的电镀装置中，通过上述第一控制单元控制以第一恒电流对上述待电镀结构进行电镀，以在上述沟槽中形成第一电镀层；通过上述第二控制单元以单向脉冲电流再次进行电镀，来填充部分上述沟槽，形成凹槽；通过上述第三控制单元以第二恒电流对上述待电镀结构继续电镀，填满上述凹槽，形成最终结构。本申请的上述装置，在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀上述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
3)、本申请上述的电镀系统，包括电镀设备以及其控制装置，上述控制装置用于执行任一种上述的方法。上述方法在待电镀结构的沟槽中填充部分电镀材料后，使用单向脉冲电流电镀，这样在此阶段的电镀过程中，当电流为零时，电镀液可以腐蚀上述沟槽开口处的电镀材料，来抑制开口处电镀材料的沉积，避免开口处提前封口，从而缓解了现有技术中沟槽开口处电镀材料填充过快，导致沟槽未填充完全就提前封口形成空隙、孔洞等缺陷的问题，保证了沟槽的填充效果较好，从而保证了得到的最终结构的性能较好。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种电镀方法，其特征在于，待电镀结构具有沟槽，所述方法包括：
在电镀槽中存在所述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对所述待电镀结构进行电镀，以在所述沟槽中形成第一电镀层；
控制以单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，以填充部分所述沟槽，剩余的所述沟槽为凹槽；
控制以第二恒电流对形成有所述凹槽的所述待电镀结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成最终结构。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制以单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，包括：
控制以所述单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，并向所述电镀槽中加入预定溶液，所述预定溶液包括添加剂以及预定元素的离子，所述预定元素为所述第一电镀层的组成元素。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单向脉冲电流的最大值与所述第一恒电流相同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，控制以第二恒电流对形成有所述凹槽的所述待电镀结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成最终结构，包括：
控制以第一子电流对所述最终结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成中间结构；
控制以第二子电流对所述中间结构进行电镀，以在所述中间结构的裸露表面上形成第二电镀层，得到所述最终结构，所述第一子电流以及所述第二子电流构成所述第二恒电流，所述第一子电流小于所述第二子电流，所述第一恒电流小于所述第一子电流。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一电镀层的材料为铜，所述电镀槽中的电镀液包括硫酸铜溶液、稀硫酸以及盐酸。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述电镀液还包括添加剂，所述添加剂包括抑制剂、平整剂以及加速剂。
7.一种电镀装置，其特征在于，待电镀结构具有沟槽，所述装置包括：
第一控制单元，用于在电镀槽中存在所述待电镀结构的情况下，控制以第一恒电流对所述待电镀结构进行电镀，以在所述沟槽中形成第一电镀层；
第二控制单元，用于控制以单向脉冲电流对形成有所述第一电镀层的所述待电镀结构进行电镀，以填充部分所述沟槽，剩余的所述沟槽为凹槽；
第三控制单元，用于控制以第二恒电流对形成有所述凹槽的所述待电镀结构进行电镀，以填满所述凹槽，形成最终结构。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行权利要求1至6中任意一项所述的方法。
9.一种处理器，其特征在于，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行权利要求1至6中任意一项所述的方法。
10.一种电镀系统，其特征在于，包括：
电镀设备，包括电镀槽；
所述电镀设备的控制装置，所述控制装置用于执行权利要求1至6中任一项所述的方法。
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