CN113659046B - 深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘 - Google Patents
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Abstract
本公开提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，属于光电子制造技术领域。该生长方法包括：提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。本公开能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。
Description
技术领域
本公开涉及光电子制造技术领域，特别涉及一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是光电子产业中极具影响力的新产品，LED的核心结构是外延片，外延片的制作对LED的光电特性有着较大的影响。外延片通常包括n型层、多量子阱层和p型层。深紫外发光二极管是发光波长在200nm至350nm的发光二极管，深紫外发光二极管的外延片中n型层通常为AlGaN层。
相关技术中，通常会采用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备进行外延片的生长。在深紫外发光二极管的外延片生长完成后，则会将外延片从石墨盘的表面取出，然而石墨盘表面往往会产生较多的AlGaN残留物，因此，通常会采用高温烘烤或者氯气刻蚀石墨盘的方法清理残留物。
然而，采用高温烘烤石墨盘的方式，清理石墨盘表面的AlGaN残留物的清理效果较差；采用氯气刻蚀法对石墨盘表面的AlGaN残留物刻蚀的方式，则存在较高的危险性，且对MOCVD设备也会造成一定损伤；采用化学腐蚀液清理残留物的方式，也容易对石墨盘造成较大的腐蚀，降低了石墨盘的使用寿命。
发明内容
本公开实施例提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法和石墨盘，能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且降低清理成本。所述技术方案如下：
一方面，本公开实施例提供了一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法，所述生长方法包括：
提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。
可选地，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。
可选地，所述提供一石墨盘之前，包括：采用化学气相沉积的方式在所述石墨盘的表面沉积所述隔离层。
可选地，所述隔离层的厚度为1μm至100μm。
可选地，所述采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘，包括：重复以下过程：将胶带粘贴在具有所述残留物的石墨盘的表面；将所述胶带从所述隔离层的表面剥离。
可选地，重复的次数为2至5次。
可选地，所述在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构之前，还包括：检测所述隔离层的厚度；若所述隔离层的厚度不大于1μm，在所述石墨盘的表面重新沉积所述隔离层。
另一方面，本公开实施例提供了一种用于MOCVD设备的石墨盘，所述石墨盘包括：盘体和位于所述盘体的表面的隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。
在本公开实施例的另一种实现方式中，所述盘体的表面设有多个间隔分布的凹槽，所述隔离层位于所述凹槽外。
本公开实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
本公开实施例提供的深紫外发光二极管外延结构的生长方法，通过在石墨盘的表面沉积一层隔离层，其中，隔离层为二维原子晶体材料层；这样在石墨盘的表面形成的隔离层上生长深紫外发光二极管的外延结构时，通过隔离层将深紫外发光二极管的外延结构和石墨盘隔断开，以避免外延结构直接生长在石墨盘的表面；然后，在完成外延结构的生长后需要清理残留物时，由于隔离层是二维原子晶体材料层，且二维原子晶体材料具有二维平面结构，层间以弱的范德华力相互作用，故采用胶带剥离的方法，就能较为容易地将附着二维原子晶体材料层的表面的残留物从二维原子晶体材料层的表面分离开。并且，由于二维原子晶体材料具有优异的导热性，所以也不会影响石墨盘的温场均匀性。也即，通过该生长方法能在生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且无需高温烘烤或添加其他化合物进行清理，因而能降低清理成本。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本公开实施例提供的一种用于MOCVD设备的石墨盘的结构示意图；
图2是本公开实施例提供的另一种用于MOCVD设备的石墨盘的结构示意图；
图3是本公开实施例提供的一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法的流程图。
图中各标记说明如下：
10-盘体，11-凹槽；
20-隔离层。
具体实施方式
为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
深紫外发光二极管的外延片通常采用MOCVD设备生长，深紫外发光二极管的外延片通常依次层叠的缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层。其中，缓冲层为AlN材料层，n型层为AlGaN层，因此，在外延片生长完毕后，在石墨盘的表面往往会残留较多的AlN或AlGaN残留物。
相关技术通常采用以下三种方式清除残留物，第一种是采用高温烘烤石墨盘，通过高温烘烤的方式促使残留物从石墨盘的表面脱离，但该种清理方式清理效果差，且会消耗过多的能量，清理成本较高；第二种是采用氯气刻蚀法对石墨盘表面的残留物刻蚀，由于氯气具有毒性，因此存在较高的危险性，且氯气也会对MOCVD设备造成一定的侵蚀；第三种是采用化学腐蚀液清理残留物，使用化学药品也容易对石墨盘造成较大的腐蚀，以降低石墨盘的使用寿命、为此，本公开实施例提供了一种用于MOCVD设备的石墨盘。图1是本公开实施例提供的一种用于MOCVD设备的石墨盘的结构示意图。如图1所示，该石墨盘包括：盘体10和位于盘体10的表面的隔离层20，隔离层20为二维原子晶体材料层。
使用该用于MOCVD设备石墨盘时，先在石墨盘的表面形成的隔离层20上生长深紫外发光二极管的外延结构，这样通过隔离层20将深紫外发光二极管的外延结构和石墨盘隔断开，以避免外延结构直接生长在石墨盘的表面；然后，在完成外延结构的生长后需要清理残留物时，由于隔离层20是二维原子晶体材料层，且二维原子晶体材料具有二维平面结构，层间以弱的范德华力相互作用，故可以采用胶带剥离的方法，就能较为容易地将附着二维原子晶体材料层的表面的残留物从二维原子晶体材料层的表面分离开。并且，由于二维原子晶体材料具有优异的导热性，所以也不会影响石墨盘的温场均匀性。这样就能对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且无需高温烘烤或添加其他化合物进行清理，因而能降低清理成本。
本公开实施例中，胶带剥离的方式可以是指：用胶带缓慢、均匀地粘在石墨盘表面，并将粘住AlN或AlGaN残留物的胶带完整地从石墨盘表面剥离，从而完成残留物的剥离。
相较于相关技术中的采用高温烘烤的方式，无需加热消耗能量；相较于相关技术中的采用氯气刻蚀或化学药品腐蚀，均无需添加其他化合物，因而能降低清理成本，且还能提高石墨盘的使用寿命。
同时，采用胶带剥离的方式，能快速将残留物从隔离层20中抽离下来，因此能提高残留物的清理效率，并对石墨盘表面的残留物进行有效清理。
可选地，隔离层20为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。石墨烯、硅烯、锗烯和六方氮化硼均属于二维原子晶体材料，由于二维原子晶体材料具有二维平面结构，层间以弱的范德华力相互作用，故采用胶带抽离的方法，就能较为容易地将附着二维原子晶体材料层的表面的残留物从二维原子晶体材料层的表面分离开。
作为示例，本公开实施例中，隔离层20为石墨烯层。
可选地，隔离层20的厚度为1μm至100μm。隔离层20的厚度设置过小，则容易经几次胶带剥离后，就与残留物一起从石墨盘中被剥离，需要技术人员频繁地在石墨盘上沉积隔离层20，使用效率低；而隔离层20的厚度设置过大，则会增加制备成本。通过将隔离层20的厚度控制在这一范围值内，能够满足隔离层20高效使用的需求，且缩减清理残留物的成本。
作为示例，本公开实施例中，隔离层20的厚度为1μm。
图2是本公开实施例提供的另一种用于MOCVD设备的石墨盘的结构示意图。如图2所示，盘体10的表面设有多个间隔分布的凹槽11，隔离层20位于凹槽11外。
如图2所示，盘体10的表面上的多个凹槽11可以为圆形凹槽。在生长深紫外发光二极管的外延片时，该凹槽11用于放置衬底，接着即可在衬底上依次生长缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层。
图3是本公开实施例提供的一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法的流程图。如图3所示，该生长方法包括：
步骤S11：提供一石墨盘。
其中，石墨盘的表面沉积有一层隔离层，隔离层为二维原子晶体材料层。
步骤S12：在隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构。
步骤S13：采用胶带将位于隔离层的表面的残留物粘离石墨盘。
本公开实施例提供的深紫外发光二极管外延结构的生长方法，通过在石墨盘的表面沉积一层隔离层，其中，隔离层为二维原子晶体材料层；这样在石墨盘的表面形成的隔离层上生长深紫外发光二极管的外延结构时，通过隔离层将深紫外发光二极管的外延结构和石墨盘隔断开，以避免外延结构直接生长在石墨盘的表面；然后，在完成外延结构的生长后需要清理残留物时，由于隔离层是二维原子晶体材料层，且二维原子晶体材料具有二维平面结构，层间以弱的范德华力相互作用，故采用胶带剥离的方法，就能较为容易地将附着二维原子晶体材料层的表面的残留物从二维原子晶体材料层的表面分离开。并且，由于二维原子晶体材料具有优异的导热性，所以也不会影响石墨盘的温场均匀性。也即，通过该生长方法能生长完成外延结构后对石墨盘表面的残留物进行有效清理，提高石墨盘的使用寿命，且无需高温烘烤或添加其他化合物进行清理，因而能降低清理成本。
在步骤S11中，石墨盘的表面上的隔离层，可以采用化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition，简称CVD)的方式在石墨盘的表面沉积形成。
其中，化学气相沉积是一种应用气态物质在固体上产生化学反应和传输反应等并产生固态沉积物的一种工艺。通过化学气相沉积的方式能快速在石墨盘的表面形成隔离层。
可选地，隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。石墨烯、硅烯、锗烯和六方氮化硼均属于二维原子晶体材料，由于二维原子晶体材料具有二维平面结构，层间以弱的范德华力相互作用，故采用胶带抽离的方法，就能较为容易地将附着二维原子晶体材料层的表面的残留物从二维原子晶体材料层的表面分离开。
可选地，隔离层的厚度为1μm至100μm。隔离层的厚度设置过小，则容易经几次胶带剥离后，就与残留物一起从石墨盘中被剥离，需要技术人员频繁地在石墨盘上沉积隔离层，使用效率低；而隔离层的厚度设置过大，则会增加制备成本。通过将隔离层的厚度控制在这一范围值内，能够满足隔离层高效使用的需求，且缩减清理残留物的成本。
作为示例，本公开实施例中，隔离层的厚度为1μm。
经步骤S11之后，石墨盘即可正常使用，以便于制备深紫外发光二极管的外延结构。
可选地，在执行步骤S12前，可以基于隔离层的状态确定是否沉积隔离层具体可以包括以下两步：
第一步，检测隔离层的厚度。
其中，隔离层的厚度可以采用台阶仪进行检测。
第二步，若隔离层的厚度不大于μm，在石墨盘的表面重新沉积隔离层。
若采用胶带剥离残留物后，隔离层的厚度小于1μm，表明石墨盘的表面无隔离层或隔离层过于稀薄，则需要在石墨盘表面重新沉积隔离层。也即经过胶带剥离后，石墨盘的表面上的隔离层被完全消耗完，此时石墨盘上无隔离层，因此，需在石墨盘的表面上再次沉积隔离层，以便于后续胶带剥离残留物。
若采用胶带剥离残留物后，隔离层的厚度大于1μm，表明石墨盘的表面存在的隔离层仍满足使用需求，则无需再沉积隔离层。也即经过胶带剥离后，石墨盘的表面上的隔离层未被完全消耗完，此时石墨盘上还存在有隔离层，因此，无需在石墨盘的表面上再次沉积隔离层，可在石墨盘上直接生长深紫外发光二极管的外延结构。
步骤S12中，在隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构可以包括以下步骤。以生长包括缓冲层、n型层、多量子阱层和p型层的深紫外发光二极管的外延片为例。
第一步，将衬底置于石墨盘的表面。
可选地，衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底。衬底可以为平片衬底，也可以为图形化衬底。
作为示例，本公开实施例中，衬底为蓝宝石衬底。蓝宝石衬底为一种常用衬底，技术成熟，成本低。具体可以为图形化蓝宝石衬底或蓝宝石平片衬底。
其中，可以对蓝宝石衬底进行预处理，将蓝宝石衬底置于MOCVD反应腔中，对蓝宝石衬底进行烘烤处理12分钟至18分钟。作为示例，本公开实施例中，对蓝宝石衬底进行烘烤处理15分钟。
具体地，烘烤温度可以为1000℃至1200℃，烘烤时MOCVD反应腔内的压力可以为100mbar至200mbar。
第二步，在衬底上外延生长缓冲层。
其中，缓冲层可以是AlN层。AlN层均在MOCVD反应腔中生长。
可选地，生长AlN层时，以氨气和三甲基铝作为反应物，且Ⅴ/Ⅲ摩尔比为100至1000，工艺时间为30s至1000s。
作为一种示例，本公开实施例中，生长AlN层时，以氨气和三甲基铝作为反应物，且Ⅴ/Ⅲ摩尔比为200，工艺时间为500s，以形成AlN层。
可选地，AlN层的生长温度为1000℃至1100℃。生长温度会对生长的AlN薄膜产生影响，在这一温度范围下能生长出质量较好的AlN层。
示例性地，本公开实施例中，AlN层的生长温度为1050℃。
可选地，AlN层的厚度均为1nm至100nm。AlN层的厚度设置的过薄，无法起到AlN膜层应有的缓冲作用；而AlN层的厚度设置的过厚，则会增加AlN层对于光线的吸收。
作为示例，本公开实施例中，AlN层的厚度为50nm。
第三步，在AlN层上生长n型层。
其中，深紫外发光二极管的外延片中，n型层为n型AlGaN层。
可选地，n型AlGaN层的生长温度为1000℃至1100℃。作为示例，本公开实施例中，n型AlGaN层的生长温度为1060℃。
可选地，n型AlGaN层的生长压力可以为80mbar至110mbar。作为示例，本公开实施例中，n型AlGaN层的生长压力为100mbar。
在生长n型AlGaN层时，进行硅掺杂，n型AlGaN层中的硅掺杂浓度可以为1017cm-3至1018cm-3。硅的掺杂浓度过高会降低晶体质量，导致缺陷的增加，硅的掺杂浓度过低会降低n型AlGaN层的电导率。将Si的掺杂浓度控制在这一范围值内，能够使n型AlGaN层具有较好的晶体质量，同时也具有足够的电导率。
作为示例，本公开实施例中，n型AlGaN层中的Si掺杂浓度为5×1017cm-3。
n型AlGaN层的厚度可以为600nm至800nm，在本公开实施例中，n型AlGaN层的厚度为700nm。
第四步，在n型AlGaN层上生长多量子阱层。
实现时，多量子阱层可以包括交替层叠的多层AlxGa1-xN量子阱层和多层AlyGa1-yN量子垒层，其中0＜x＜y＜1。
可选地，AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层交替层叠的周期数可以为3至8。示例性地，本公开实施例中，AlxGa1-xN量子阱层和AlyGa1-yN量子垒层交替层叠的周期数为5。
可选地，AlxGa1-xN量子阱层的厚度可以为2nm至4nm。AlyGa1-yN量子垒层的厚度可以为9cm至14nm。
示例性地，本公开实施例中，AlxGa1-xN量子阱层的厚度为3nm。AlyGa1-yN量子垒层的厚度为11nm。
在生长完多量子阱层之后，在多量子阱层上生长p型层，在本公开实施例中，p型层包括依次层叠在多量子阱层上的p型阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层。p型阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层均为Mg掺杂。
第五步，在多量子阱层上生长p型阻挡层。
可选地，p型阻挡层可以为p型AlGaN阻挡层。
具体地，p型阻挡层的生长温度可以为960℃至990℃，作为示例，本公开实施例中，p型阻挡层的生长温度为980℃。
具体地，p型阻挡层的生长压力可以为100mbar至200mbar。作为示例，本公开实施例中，p型阻挡层的生长压力为150mbar。
可选地，p型阻挡层的厚度可以为5nm至15nm。作为示例，本公开实施例中，p型阻挡层的厚度为10nm。若p型阻挡层的厚度过薄，会降低对电子的阻挡作用，若p型阻挡层的厚度过厚，则会增加p型阻挡层对光的吸收，从而导致LED的发光效率降低。
第六步，在p型阻挡层上生长p型AlGaN层。
具体地，p型AlGaN层的生长温度可以为880℃至920℃，作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层的生长温度为900℃。
具体地，p型AlGaN层的生长压力可以为180mbar至220mbar。作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层的生长压力为200mbar。
可选地，p型AlGaN层的厚度可以为20nm至30nm。作为示例，本公开实施例中，p型AlGaN层的厚度为25nm。
第七步，在p型AlGaN层上生长p型GaN层。
可选地，p型GaN层的生长温度可以为800℃至900℃。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层的生长温度为850℃。
可选地，p型GaN层的生长压力可以为250mbar至350mbar。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层的生长压力为300mbar。
可选地，p型GaN层的厚度可以为20nm至70nm。作为示例，本公开实施例中，p型GaN层的厚度为50nm。
在生长p型阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层时，以采用三甲基镓或三乙基镓作为镓源，采用二茂镁进行Mg掺杂。
第八步，对外延片进行退火。
可选地，可以在氮气氛围下进行退火30分钟，结束外延片的生长。之后关闭加热系统和给气系统，待反应腔温度降低至室温。
在具体实现时，本公开实施例可以采用高纯H2或/和N2作为载气，采用TEGa或TMGa作为Ga源，TMIn作为In源，SiH4作为n型掺杂剂，TMAl作为铝源，Cp2Mg作为p型掺杂剂。
生长完成深紫外发光二极管的外延结构后，可以将生长完成的深紫外发光二极管的外延片从石墨盘中取出，此时，在石墨盘的表面还存在有AlN或AlGaN残留物。接着即可执行步骤S13。
在步骤S13中，胶带剥离抽离残留物的过程可以包括以下几步：
第一步，将胶带粘贴在具有残留物的石墨盘的表面。
在采用胶带覆盖石墨盘的表面时，可以缓慢且均匀地将胶带粘在石墨片的表面。
由于生长外延结构时凹槽被衬底盖住了，凹槽内不会有残留物，因此在粘接石墨盘时，可以仅在石墨盘上的凹槽以外的区域粘附胶带。
其中，若粘贴在石墨盘上的胶带数量有多条，在粘贴的多条胶带时可以控制多条胶带相互平行，且相邻两个胶带之间，可以将一条胶带的部分区域粘贴在另一条胶带上，以避免将多条胶带粘贴在石墨盘的表面上时，相邻两个胶带之间存在间隙，而使间隙区域残留的残留物被遗漏清理。
第二步，将粘住残留物的胶带从隔离层的表面剥离。
这样粘住残留物的胶带，就能将残留物完整地从石墨盘表面剥离，从而完成残留物的剥离。
相较于相关技术中的采用高温烘烤的方式，无需加热消耗能量；相较于相关技术中的采用氯气刻蚀或化学药品腐蚀，均无需添加其他化合物，因而能降低清理成本，且还能提高石墨盘的使用寿命。同时，采用胶带剥离的方式，能快速将残留物从隔离层中抽离下来，因此能提高残留物的清理效率，并对石墨盘表面的残留物进行有效清理。
可选地，为保证残留物完全被剥离，可以采用胶带对残留物进行2至5次剥离。
其中，执行一次剥离残留物可以包括：采用胶带粘住残留物，并将胶带扯离隔离层的表面，完成一次剥离。这样通过多次采用胶带对残留物进行剥离的方法，能有效提高残留物的剥离效果。
以上，并非对本公开作任何形式上的限制，虽然本公开已通过实施例揭露如上，然而并非用以限定本公开，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本公开技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本公开技术方案的内容，依据本公开的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本公开技术方案的范围内。
Claims (9)
1.一种深紫外发光二极管外延结构的生长方法，其特征在于，所述生长方法包括：
提供一石墨盘，所述石墨盘的表面沉积有一层隔离层，所述隔离层为二维原子晶体材料层；
检测所述隔离层的厚度，若所述隔离层的厚度不大于1μm，在所述石墨盘的表面重新沉积所述隔离层；
在所述隔离层的表面生长深紫外发光二极管的外延结构；
采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘。
2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。
3.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述提供一石墨盘之前，包括：
采用化学气相沉积的方式在所述石墨盘的表面沉积所述隔离层。
4.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，所述隔离层的厚度为1μm至100μm。
5.根据权利要求1至4任一项所述的生长方法，其特征在于，所述采用胶带将位于所述隔离层的表面的残留物粘离所述石墨盘，包括：
重复以下过程：
将胶带粘贴在具有所述残留物的石墨盘的表面；
将所述胶带从所述隔离层的表面剥离。
6.根据权利要求5所述的生长方法，其特征在于，重复的次数为2至5次。
7.一种用于MOCVD设备的石墨盘，其特征在于，所述石墨盘适用于执行如权利要求1至6任一项所述的深紫外发光二极管外延结构的生长方法，包括：盘体（10）和位于所述盘体（10）的表面的隔离层（20），所述隔离层（20）为二维原子晶体材料层。
8.根据权利要求7所述的石墨盘，其特征在于，所述隔离层为石墨烯层、硅烯层、锗烯层和六方氮化硼层中的一种。
9.根据权利要求7所述的石墨盘，其特征在于，所述盘体（10）的表面设有多个间隔分布的凹槽（11），所述隔离层（20）位于所述凹槽（11）外。
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