CN113659040B - Perc太阳能电池碱抛不良片处理工艺 - Google Patents
Perc太阳能电池碱抛不良片处理工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113659040B CN113659040B CN202111049274.6A CN202111049274A CN113659040B CN 113659040 B CN113659040 B CN 113659040B CN 202111049274 A CN202111049274 A CN 202111049274A CN 113659040 B CN113659040 B CN 113659040B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- polishing
- bad
- alkali
- sheet
- alkaline
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 98
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 title claims abstract description 18
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 title claims abstract description 18
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 69
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 16
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 14
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 13
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 6
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 6
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 abstract description 3
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 5
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，包括如下步骤：收集碱抛不良片；在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅；对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理；对所述碱抛不良片进行碱抛处理。本发明通过在硅片衬底背面生长Al2O3薄膜，在Al2O3薄膜表面沉淀三层SiNx薄膜，从而可以提高电池片转换效率。本发明的碱抛不良片无需经过二次制绒、扩散、正面激光开槽、前氧化、背面去PSG等复杂的制程工艺，大大减少了碱抛不良片的处理流程，从而可以提高碱抛不良片的良率和转换效率，降低碱抛不良片的碎片率，进而可以提高产能，达到降本增效的目的。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺。
背景技术
目前，PERC太阳能电池生产工艺已经日趋成熟，可以实现标准化生产，其主要工艺步骤如下：制绒→扩散→正面激光开槽→前氧化→背面去PSG→碱抛→后氧化→背钝化→正背镀膜→背面激光→丝网印刷→烧结→测试分选→包装入库。其中，碱抛工艺过程中受反应温度、反应时间、油污、灰尘或者其他杂质导致抛光不完全，生产过程中会产生一定比例背抛光不良的硅片，局部区域抛光度不够或者根本未进行抛光，如果不进行返工处理会造成局部钝化不良，甚至严重外观和EL异常，影响产线整体良率、效率，所以必须经过返工处理后再生产，使其成为合格电池片。由于碱抛后正面的氧化层保护膜被清洗，无法进行直接碱抛处理，通常采用如图1所示的常规返工工艺来处理碱抛不良片：将碱抛不良片集中进行二次制绒后再生产。具体而言，将碱抛不良片重新进行制绒(二次制绒)→扩散→正面激光开槽→前氧化→背面去PSG→碱抛(二次碱抛)的工艺。
然而，通过常规返工工艺处理碱抛不良片需要对硅片进行二次腐蚀，增加了硅片碎片概率和生产成本；二次制绒后需要重新进行850℃高温扩散，能耗高且对硅片损失严重；由于硅片正面的SE重掺杂区域被腐蚀，还需要对硅片局部进行二次激光掺杂，对硅片的损伤大，在后面的工艺生产过程中容易产生碎片等不良。故，常规返工工艺制程工艺复杂，由于经过二次制绒，导致硅片碎片率高且影响产线制程产能和良率；由于经过的工序较多，影响硅片的成品良率，并且生产出的电池片平均转换效率低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，以解决上述技术问题。
为此，本发明采用的一个技术方案是提供一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，包括如下步骤：
收集碱抛不良片；
在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅；
对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理；
对所述碱抛不良片进行碱抛处理。
在本发明的一个实施例中，所述在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅包括：
将收集好的所述碱抛不良片放入等离子沉积设备的腔体内；
对所述腔体进行升温，使得温度达到400-480℃；
向所述腔体内充氮气进行保护，维持所述腔体内的压力稳定在1000-1500mtor；
调整所述腔体内的压力至150-250mtor，向所述腔体内充硅烷和笑气，在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅。
在本发明的一个实施例中，所述对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理包括：
使用氢氟酸溶液去除所述碱抛不良片背面的氧化层；
使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗；
在45-60℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。
在本发明的一个实施例中，所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理包括：
使用含氢氧化钾和添加剂的混合溶液对所述碱抛不良片进行腐蚀。
在本发明的一个实施例中，在所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理之后还包括：
使用氢氟酸溶液对所述碱抛不良片进行酸洗，去除所述碱抛不良片正面的二氧化硅；
使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗；
在85-100℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。
本发明的有益之处在于：
区别于现有技术，本发明的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，实际应用时，碱抛不良片无需经过二次制绒、扩散、正面激光开槽、前氧化、背面去PSG等复杂的制程工艺，大大减少了碱抛不良片的处理流程，从而可以提高碱抛不良片的良率和转换效率，降低碱抛不良片的碎片率，进而可以提高产能，达到降本增效的目的。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺的流程示意图；
图2是本发明一实施例中PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
参见图2所示，本发明的一实施例中提供的一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，该PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺包括如下步骤：
收集碱抛不良片；
在碱抛不良片的正面沉积二氧化硅；
对碱抛不良片进行背面去PSG处理；
对碱抛不良片进行碱抛处理。
上述PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，实际应用时，碱抛不良片无需经过二次制绒、扩散、正面激光开槽、前氧化、背面去PSG等复杂的制程工艺，大大减少了碱抛不良片的处理流程，从而可以提高碱抛不良片的良率和转换效率，降低碱抛不良片的碎片率，进而可以提高产能，达到降本增效的目的。
本发明的实施例中，在碱抛不良片的正面沉积二氧化硅包括：
将收集好的碱抛不良片放入等离子沉积设备的腔体内；
对腔体进行升温，使得温度达到400-480℃；
向腔体内充氮气进行保护，维持腔体内的压力稳定在1000-1500mtor；其中，氮气流量为500-2000sccm。
调整腔体内的压力至150-250mtor，向腔体内充硅烷和笑气，在碱抛不良片的正面沉积二氧化硅。具体地，硅烷流量为700-1200sccm，笑气流量为3000-7000sccm，使用高频电源使气体离子态，反应时间为400-1200秒，在碱抛不良片的正面沉积一层2-20nm的二氧化硅。
本发明的实施例中，对碱抛不良片进行背面去PSG处理包括：
使用2-10％氢氟酸溶液去除碱抛不良片背面的氧化层；
使用纯水对碱抛不良片进行漂洗；
在45-60℃的热风下对碱抛不良片进行干燥。
本发明的实施例中，对碱抛不良片进行碱抛处理包括：
使用含氢氧化钾和添加剂的混合溶液对碱抛不良片进行腐蚀。
本发明的实施例中，对碱抛不良片进行碱抛处理之后还包括：
使用5-10％氢氟酸溶液对碱抛不良片进行酸洗，去除碱抛不良片正面的二氧化硅；
使用纯水对碱抛不良片进行漂洗；
在85-100℃的热风下对碱抛不良片进行干燥。
本发明的有益效果在于：
本发明的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，使用等离子沉积设备在碱抛不良片的正面沉积二氧化硅，该工艺使用现有的PECVD工序设备进行生产，不增加设备成本投入，只需要使用少量的特气进行沉积，在碱抛工艺前进行正面保护准备，后续工艺流程与原产线工艺流程一致，没有重复，并且减少了二次制绒、扩散等工序，提高了生产效率，降低了产线辅料的使用。
碱抛不良片使用等离子沉积设备做正面二氧化硅沉积，这种处理工艺可以在完全保护正面的同时做好背面抛光，为钝化做准备，并减少了二次制绒、扩散等工序，消除二次制绒对绒面的影响，同时也降低了碎片率，提高碱抛后不良片的转换效率、良率。相比常规返工工艺流程，使用本发明处理的碱抛不良片，转换效率提高0.2％以上，碎片率降低0.1％以上，产品整体良率提升10％以上。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (5)
1.一种PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，其特征在于，包括如下步骤：
收集碱抛不良片；
在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅；
对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理；
对所述碱抛不良片进行碱抛处理。
2.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，其特征在于，所述在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅包括：
将收集好的所述碱抛不良片放入等离子沉积设备的腔体内；
对所述腔体进行升温，使得温度达到400-480℃；
向所述腔体内充氮气进行保护，维持所述腔体内的压力稳定在1000-1500mtor；
调整所述腔体内的压力至150-250mtor，向所述腔体内充硅烷和笑气，在所述碱抛不良片的正面沉积二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，其特征在于，所述对所述碱抛不良片进行背面去PSG处理包括：
使用氢氟酸溶液去除所述碱抛不良片背面的氧化层；
使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗；
在45-60℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。
4.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，其特征在于，所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理包括：
使用含氢氧化钾和添加剂的混合溶液对所述碱抛不良片进行腐蚀。
5.根据权利要求1所述的PERC太阳能电池碱抛不良片处理工艺，其特征在于，在所述对所述碱抛不良片进行碱抛处理之后还包括：
使用氢氟酸溶液对所述碱抛不良片进行酸洗，去除所述碱抛不良片正面的二氧化硅；
使用纯水对所述碱抛不良片进行漂洗；
在85-100℃的热风下对所述碱抛不良片进行干燥。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111049274.6A CN113659040B (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Perc太阳能电池碱抛不良片处理工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202111049274.6A CN113659040B (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Perc太阳能电池碱抛不良片处理工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113659040A CN113659040A (zh) | 2021-11-16 |
| CN113659040B true CN113659040B (zh) | 2023-12-12 |
Family
ID=78493710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202111049274.6A Active CN113659040B (zh) | 2021-09-08 | 2021-09-08 | Perc太阳能电池碱抛不良片处理工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113659040B (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106784161A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种perc太阳能电池的抛光刻蚀方法 |
| CN110444633A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-12 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种单晶perc太阳电池的制备方法 |
| CN111900230A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种链式氧化碱抛光se—perc太阳能电池制备方法 |
| CN112466986A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-03-09 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法 |
| CN113257954A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-08-13 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种解决碱抛se-perc电池el不良的方法 |
-
2021
- 2021-09-08 CN CN202111049274.6A patent/CN113659040B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106784161A (zh) * | 2017-01-18 | 2017-05-31 | 常州捷佳创精密机械有限公司 | 一种perc太阳能电池的抛光刻蚀方法 |
| CN110444633A (zh) * | 2019-08-01 | 2019-11-12 | 宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司 | 一种单晶perc太阳电池的制备方法 |
| CN111900230A (zh) * | 2020-08-03 | 2020-11-06 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种链式氧化碱抛光se—perc太阳能电池制备方法 |
| CN112466986A (zh) * | 2020-10-30 | 2021-03-09 | 江苏润阳悦达光伏科技有限公司 | 一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法 |
| CN113257954A (zh) * | 2021-04-20 | 2021-08-13 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 一种解决碱抛se-perc电池el不良的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113659040A (zh) | 2021-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2024077795A1 (zh) | 一种无掩膜层联合钝化背接触电池及其制备方法 | |
| CN102185035B (zh) | 一种二次制绒法制备晶体硅太阳能电池的工艺 | |
| CN111640823B (zh) | 一种n型钝化接触电池及其制备方法 | |
| CN111029436B (zh) | 可改善LeTID现象的P型单晶PERC电池及其制作方法 | |
| CN105576080A (zh) | 一种金刚线切割多晶硅片的单面制绒方法及单面制绒的金刚线切割多晶硅片 | |
| CN108231917B (zh) | 一种perc太阳能电池及其制备方法 | |
| CN110391318B (zh) | 一种p型单晶perc电池及其制作方法 | |
| CN109037112B (zh) | 一种晶硅太阳能se电池刻蚀使用无机碱的方法 | |
| EP3190633A1 (en) | Wet-etching method for n-type double-sided battery | |
| CN105118898A (zh) | 一种硅片表面钝化方法及基于其的n型双面电池的制作方法 | |
| CN111584343A (zh) | 一种可同时实现抛光和制绒的单晶硅片的制备方法 | |
| CN111725359A (zh) | 一种钝化接触太阳能电池的制备方法 | |
| CN111129221A (zh) | 一种perc太阳能电池碱抛光制备方法 | |
| CN112466986A (zh) | 一种选择性发射极电池的碱抛光制造方法 | |
| CN103904157A (zh) | 一种硅片制绒方法 | |
| CN116504877A (zh) | 异质结电池及其制备方法 | |
| CN117410385B (zh) | 一种去除部分掩膜层的联合钝化背接触电池的制备方法 | |
| CN113659040B (zh) | Perc太阳能电池碱抛不良片处理工艺 | |
| JP4532008B2 (ja) | 反射防止膜の成膜方法 | |
| CN115347063B (zh) | 一种新型TOPCon碱抛小塔基硅片基底及其制作方法 | |
| CN116913981A (zh) | 太阳电池的开槽方法及制备方法 | |
| CN103078008A (zh) | 一种晶体硅背面点接触的制备方法 | |
| CN112447863B (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| CN111755563B (zh) | 一种p型单晶硅硼背场双面电池及其制备方法 | |
| CN115020508A (zh) | 一种全背接触太阳能电池及其制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |