CN111725359A - 一种钝化接触太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。该制备方法包括：对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；对晶体硅基体的双面进行钝化处理；对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种钝化接触太阳能电池的制备方法。
背景技术
由于晶体硅电池硅片厚度的不断降低，且对于一定厚度的电池片而言，当少数载流子的扩散长度大于硅片厚度时，表面的复合速率对太阳能电池的效率影响特别明显。因此现行的技术多是对晶体硅表面进行钝化处理。目前比较主流的钝化技术是在电池正背面沉积氮化硅钝化膜，改善复合问题。一种较为先进的技术是采用隧穿氧化层钝化接触技术(TOPCon)；钝化隧穿技术采用n型硅片作为基底，在硅片正面和背面先沉积一层隧穿层；然后再覆盖一层薄膜硅层；从而形成隧穿氧化层钝化接触。隧穿氧化层钝化技术能在电极与基底之间形成隧穿薄膜，隔绝金属电极与基底接触，减少接触复合损失，并且电子能隧穿薄膜不会影响电流传递。然而，在隧穿氧化层上部设置的薄膜硅层一般都具有很强的光吸收能力，当该钝化结构应用在正面的时候，其会降低电池的电流密度，进而影响太阳能电池的转换效率。
因此，如何开发一种钝化接触晶体硅太阳能电池，使其既能发挥钝化接触技术的优势，又能避免由晶硅薄膜吸收能力而导致电流变低的问题，从而充分提高电池转换效率，成为研究者关注的重点。
目前，制备正面局域钝化接触的方法有直接印刷图形化掺杂非晶硅，用耐酸碱浆料作图形化掩膜等，这些方法在制备的过程中引入了化学浆料的印刷、掩膜的制备、掩膜的清洗等，工艺过程复杂，且容易引起污染。因此，如何简单快捷地制备正面局域钝化接触结构，是目前研究者关注的重点。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种钝化接触太阳能电池的制备方法。本发明采用在正面局域制备钝化接触结构的方法，既发挥了钝化接触的优势，又避免了正面多晶硅薄膜光吸收带来的电流损失。
本发明的一种钝化接触太阳能电池的制备方法，其技术方案为：
包括以下步骤：
(1)、对激光图形化扫描之前的晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；
(2)、对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；
(3)、清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；
(4)、在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；
(5)、对晶体硅基体的双面进行钝化处理；
(6)、对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
本发明提供的一种钝化接触太阳能电池的制备方法，还包括如下附属技术方案：
其中，在步骤(2)中，所述激光器为纳秒激光器，所述纳秒激光器的扫描速度为1500～20000mm/s。
其中，在步骤(3)中，
使用酸溶液和/或碱溶液清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的所述正面非晶硅层和正面隧穿氧化层。
其中，使用氢氧化钠溶液、氨水、氢氟酸、或硝酸与氢氟酸的混合溶液清洗晶体硅基体。
其中，在步骤(1)中，所述对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层包括：
(1)’、对晶体硅基体进行双面制绒处理，并扩散，形成正面P+发射极和正面硼硅玻璃层，同时在背面形成背面硼硅玻璃层；
(2)’、去除正面硼硅玻璃层和背面硼硅玻璃层；
(3)’、在晶体硅基体的正面P+发射极上沉积正面隧穿氧化层和正面非晶硅层。
在步骤(2)’中，
采用链式刻蚀机对扩散后的晶体硅基体的背面进行刻蚀，以去除晶体硅基体背面硼硅玻璃层和正面硼硅玻璃层；
刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸、以及硫酸的混合溶液；
刻蚀完成后，晶体硅基体减重0.2g～0.5g，晶体硅基体背面反射率大于30％。
其中，在步骤(1)’中，
硼扩散的硼源为三溴化硼或者硼浆，扩散温度为900～1070℃，扩散时间为90～240min。
其中，在步骤(3)’中，所述正面隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，所述正面非晶硅层的厚度为20nm～150nm。
在步骤(4)中，
所述背面隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，所述背面非晶硅层的厚度为20nm～150nm；
对所述背面非晶硅层进行掺杂的方式为磷离子注入法或者磷扩散法。
其中，在步骤(5)中，
正面钝化减反膜为SiO2、SiNX或Al2O3介质膜中的一种或任几种的组合；
背面钝化减反膜为SiO2、SiNX介质膜中的一种或两种的组合。
其中，在步骤(6)中，
采用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅，采用银浆印刷背面主栅和背面副栅；其中，
正面副栅线宽为35～90um，其互相平行设置；
背面副栅线宽为30～90um，其互相平行设置。
本发明的实施包括以下技术效果：
本发明采用激光对晶体硅基体的正面非晶硅层进行图形化扫描，以对正面钝化接触结构进行退火，再利用退火区域与非退火区域与酸溶液或者碱溶液反应速率的差异来制备正面局域钝化接触结构。该方法制备局域钝化接触结构相较现有方法，如印刷耐酸碱浆料，利用掩膜工艺等，该方法实现过程简单，制备时间短，只需要增加激光一个步骤，不需要额外增加很多步骤，不会额外带入化学污染，且容易实现大批量生产。
附图说明
图1为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(1)’后的电池结构截面示意图。
图2为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(2)’后的电池结构截面示意图。
图3为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(3)’后的电池结构截面示意图。
图4为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(2)后的电池结构截面示意图。
图5为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(3)后的电池结构截面示意图。
图6为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(4)后的电池结构截面示意图。
图7为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(5)后的电池结构截面示意图。
图8为本发明实施例的一种钝化接触太阳能电池的制备方法步骤(6)后的电池结构截面示意图。
图中，1-N型晶体硅基体，2-硼硅玻璃层，3-正面隧穿氧化层，4-正面非晶硅层，5-正面掺杂多晶硅层，6-背面隧穿氧化层，7-背面非晶硅层，8-背面钝化薄膜，9-正面钝化膜，10-背面副栅，11-正面副栅
具体实施方式
下面结合实例对本发明进行详细的说明。
具体实施例仅仅是对本发明的解释，并不是对本发明的限制，本领域技术人员在阅读完本说明书后可以根据需要对本实施例做出没有创造性贡献的修改，但只要在本发明的权利要求范围内都受到保护。
本发明的一种钝化接触太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
(1)、对激光图形化扫描之前的晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；
(2)、对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，；其中，激光器的功率为20～38W；激光扫描图形与金属化细栅线相同；
(3)、清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；
(4)、在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；
(5)、对晶体硅基体的双面进行钝化处理；
(6)、对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
本发明采用激光对晶体硅基体的正面非晶硅层进行图形化扫描，以对正面钝化接触结构进行退火，再利用退火区域与非退火区域与酸溶液或者碱溶液反应速率的差异来制备正面局域钝化接触结构。该方法制备局域钝化接触结构相较现有方法，如印刷耐酸碱浆料，利用掩膜工艺等，该方法实现过程简单，制备时间短，只需要增加激光一个步骤，不需要额外增加很多步骤，不会额外带入化学污染，且容易实现大批量生产。
在一个实施例中，所述激光器为纳秒激光器，所述纳秒激光器的扫描速度为1500～20000mm/s。
在一个实施例中，在步骤(3)中，
使用酸溶液和/或碱溶液清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的所述正面非晶硅层和正面隧穿氧化层。
在一个实施例中，使用氢氧化钠溶液、氨水、氢氟酸、或硝酸与氢氟酸的混合溶液清洗晶体硅基体。
在步骤(1)中，所述对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层包括：
(1)’、对晶体硅基体进行双面制绒处理，并扩散，形成正面P+发射极和正面硼硅玻璃层，同时在背面形成背面硼硅玻璃层；
(2)’、去除正面硼硅玻璃层和背面硼硅玻璃层；
(3)’、在晶体硅基体的正面P+发射极上沉积正面隧穿氧化层和正面非晶硅层。
在一个实施例中，在步骤(2)’中，
采用链式刻蚀机对扩散后的晶体硅基体的背面进行刻蚀，以去除晶体硅基体背面硼硅玻璃层和正面硼硅玻璃层；
刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸、以及硫酸的混合溶液；
刻蚀完成后，晶体硅基体减重0.2g～0.5g，晶体硅基体背面反射率大于30％。
在一个实施例中，在步骤(1)’中，
硼扩散的硼源为三溴化硼或者硼浆，扩散温度为900～1070℃，扩散时间为90～240min。
在一个实施例中，在步骤(3)’中，所述正面隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，所述正面非晶硅层的厚度为20nm～150nm。
在一个实施例中，在步骤(2)中，
采用纳秒激光器对晶体硅基体的所述正面非晶硅层进行图形化扫描；其中，纳秒激光器的功率为20～38W，激光的扫描速度为1500～20000mm/s。
在一个实施例中，在步骤(4)中，
所述背面隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，所述背面非晶硅层的厚度为20nm～150nm；
对所述背面非晶硅层进行掺杂的方式为磷离子注入法或者磷扩散法。
在一个实施例中，在步骤(5)中，
正面钝化减反膜为SiO2、SiNX或Al2O3介质膜中的一种或任几种的组合；
背面钝化减反膜为SiO2、SiNX介质膜中的一种或两种的组合。
在一个实施例中，在步骤(6)中，
采用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅，采用银浆印刷背面主栅和背面副栅；其中，
正面副栅线宽为35～90um，其互相平行设置；
背面副栅线宽为30～90um，其互相平行设置。
在一个实施例中，N型晶体硅基体的电阻率为1～5Ω·cm，厚度为80～200μm。
下面将以具体的实施例对发明的制备方法进行详细地说明。
实施例1
步骤(1)’、择N型晶体硅基体1，并对N型晶体硅基体1进行双面制绒处理；其中，N型晶体硅基体1的电阻率为5Ω·cm；N型晶体硅基体1的厚度为170μm。接着进行扩散处理，扩散源为三溴化硼，插片方式为两片背靠背，扩散温度为950℃，扩散时间为180min。扩散形成正面P+发射极，同时在正面形成正面硼硅玻璃层2，在扩散过程中，部分硼源绕扩到背面，形成背面硼硅玻璃层2。完成本步骤后的电池结构如图1所示。
步骤(2)’、选用HF/HNO3/H2SO4的混合溶液对步骤(1)’处理后的N型晶体硅基体1的背面进行刻蚀，将背面硼硅玻璃层2去除，同时将绒面刻蚀成平缓的平面，同时将正面的硼硅玻璃层2去除，刻蚀减重0.3g，完成本步骤后的电池结构如图2所示。
步骤(3)’、将步骤(2)’处理后的N型晶体硅基体1，采用PVD的方法在正面沉积正面隧穿氧化层3，正面隧穿氧化层的厚度为1nm，在正面隧穿氧化层3上面再沉积正面非晶硅层4，正面非晶硅层4的厚度为100nm，完成本步骤后的电池结构如图3所示。
步骤(2)、将步骤(3)’处理后的N型晶体硅基体1选用波长532nm，功率为30W的纳秒激光器对正面非晶硅层4进行图形化扫描，扫描速度为10000mm/s。利用激光的热效应，使被激光扫描过的正面非晶硅层4区域完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层5，完成本步骤后的电池结构如图4所示。
步骤(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体1放进NaOH溶液进行清洗，由于被激光激活的正面掺杂多晶硅层5和未被激光激活的正面非晶硅层4与NaOH反应存在速率差异，使得正面未被激光激活区域的正面非晶硅层4以及正面隧穿氧化层3被去除，正面被激光激活区域的正面掺杂多晶硅层5被保留，完成本步骤后的电池结构如图5所示。
步骤(4)、将步骤(3)处理后的N型晶体硅基体1采用PVD方法，在背面沉积背面隧穿氧化层6，厚度为1nm，在隧穿氧化层6上面沉积背面非晶硅层7，厚度为150nm。同时采用磷扩散的方式对背面非晶硅层7进行掺杂，使其完成晶化，完成本步骤后的电池结构如图6所示。
步骤(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体在其背面沉积一层氮化硅钝化薄膜作为背面钝化膜8，膜厚为120nm，在其正面沉积一层氧化铝和氮化硅的叠层膜作为正面钝化膜9，完成本步骤后的电池结构如图7所示。
步骤(6)、将步骤(5)处理后的N型晶体硅基体1，首先在背表面使用银浆印刷背面主栅和背面副栅10并进行烘干，其中背面副栅线宽为45um，互相平行。在N型晶体硅基体1的正表面使用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅11，其中正面副栅线宽为45um，且互相平行。再进行烧结，至此完成钝化接触太阳能电池的制备。完成本步骤后的电池结构如图8所示。
实施例2
步骤(1)’、择N型晶体硅基体1，并对N型晶体硅基体1进行双面制绒处理；其中，N型晶体硅基体1的电阻率为1Ω·cm；N型晶体硅基体1的厚度为80μm。同时进行扩散处理，扩散源为硼浆，插片方式为两片背靠背，扩散温度为900℃，扩散时间为90min。扩散形成正面P+发射极，同时在正面形成正面硼硅玻璃层2，在扩散过程中，部分硼源绕扩到背面，形成背面硼硅玻璃层2。完成本步骤后的电池结构如图1所示。
步骤(2)’、选用HF/HNO3的混合溶液对步骤(1)’处理后的N型晶体硅基体1的背面进行刻蚀，将背面硼硅玻璃层2去除，同时将绒面刻蚀成平缓的平面，同时将正面的硼硅玻璃层2去除，刻蚀减重0.2g，完成本步骤后的电池结构如图2所示。
步骤(3)’、将步骤(2)’处理后的N型晶体硅基体1，采用PVD的方法在正面沉积正面隧穿氧化层3，正面隧穿氧化层的厚度为0.5nm，在正面隧穿氧化层3上面再沉积正面非晶硅层4，正面非晶硅层4的厚度为20nm，完成本步骤后的电池结构如图3所示。
步骤(2)、将步骤(3)’处理后的N型晶体硅基体1选用波长532nm，功率为20W的纳秒激光器对正面非晶硅层4进行图形化扫描，扫描速度为1500mm/s。利用激光的热效应，使被激光扫描过的正面非晶硅层4区域完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层5，完成本步骤后的电池结构如图4所示。。
步骤(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体1放进NH3·H2O溶液溶液进行清洗，由于被激光激活的正面掺杂多晶硅层5和未被激光激活的正面非晶硅层4与NH3·H2O溶液反应存在速率差异，使得正面未被激光激活区域的正面非晶硅层4以及正面隧穿氧化层3被去除，正面被激光激活区域的正面掺杂多晶硅层5被保留，完成本步骤后的电池结构如图5所示。
步骤(4)、将步骤(3)处理后的N型晶体硅基体1采用PVD方法，在背面沉积背面隧穿氧化层6，厚度为0.5nm，在隧穿氧化层6上面沉积背面非晶硅层7，厚度为20nm。同时采用磷扩散的方式对背面非晶硅层7进行掺杂，使其完成晶化，完成本步骤后的电池结构如图6所示。
步骤(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体在其背面沉积一层二氧化硅钝化薄膜作为背面钝化膜8，膜厚100nm，在其正面沉积一层二氧化硅和氮化硅的叠层膜作为正面钝化膜9，完成本步骤后的电池结构如图7所示。
步骤(6)、将步骤(5)处理后的N型晶体硅基体1，首先在背表面使用银浆印刷背面主栅和背面副栅10并进行烘干，其中背面副栅线宽为35um，互相平行。在N型晶体硅基体1的正表面使用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅11，其中正面副栅线宽为30um，且互相平行。再进行烧结，至此完成钝化接触太阳能电池的制备。完成本步骤后的电池结构如图8所示。
实施例3
步骤(1)’、择N型晶体硅基体1，并对N型晶体硅基体1进行双面制绒处理；其中，N型晶体硅基体1的电阻率为3Ω·cm；N型晶体硅基体1的厚度为200μm。同时进行扩散处理，扩散源为三溴化硼，插片方式为两片背靠背，扩散温度为1070℃，扩散时间为240min。扩散形成正面P+发射极，同时在正面形成正面硼硅玻璃层2，在扩散过程中，部分硼源绕扩到背面，形成背面硼硅玻璃层2。完成本步骤后的电池结构如图1所示。
步骤(2)’、选用HF/H2SO4的混合溶液对步骤(1)’处理后的N型晶体硅基体1的背面进行刻蚀，将背面硼硅玻璃层2去除，同时将绒面刻蚀成平缓的平面，同时将正面的硼硅玻璃层2去除，刻蚀减重0.5g，完成本步骤后的电池结构如图2所示。
步骤(3)’、将步骤(2)’处理后的N型晶体硅基体1，采用PVD的方法在正面沉积正面隧穿氧化层3，正面隧穿氧化层的厚度为2nm，在正面隧穿氧化层3上面再沉积正面非晶硅层4，正面非晶硅层4的厚度为150nm，完成本步骤后的电池结构如图3所示。
步骤(2)、将步骤(3)’处理后的N型晶体硅基体1选用波长532nm，功率为38W的纳秒激光器对正面非晶硅层4进行图形化扫描，扫描速度为20000mm/s。利用激光的热效应，使被激光扫描过的正面非晶硅层4区域完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层5，完成本步骤后的电池结构如图4所示。
步骤(3)、将步骤(2)处理后的N型晶体硅基体1放进HNO3/HF溶液进行清洗，由于被激光激活的正面掺杂多晶硅层5和未被激光激活的正面非晶硅层4与HNO3/HF溶液反应存在速率差异，使得正面未被激光激活区域的正面非晶硅层4以及正面隧穿氧化层3被去除，正面被激光激活区域的正面掺杂多晶硅层5被保留，完成本步骤后的电池结构如图5所示。
步骤(4)、将步骤(3)处理后的N型晶体硅基体1采用PVD方法，在背面沉积背面隧穿氧化层6，厚度为2nm，在隧穿氧化层6上面沉积背面非晶硅层7，厚度为100nm。同时采用磷扩散的方式对背面非晶硅层7进行掺杂，使其完成晶化，完成本步骤后的电池结构如图6所示。
步骤(5)、将步骤(4)处理后的N型晶体硅基体在其背面沉积一层氮化硅钝化薄膜作为背面钝化膜8，膜厚为120nm，在其正面沉积一层氧化铝和二氧化硅的叠层膜作为正面钝化膜9，完成本步骤后的电池结构如图7所示。
步骤(6)、将步骤(5)处理后的N型晶体硅基体1，首先在背表面使用银浆印刷背面主栅和背面副栅10并进行烘干，其中背面副栅线宽为90um，互相平行。在N型晶体硅基体1的正表面使用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅11，其中正面副栅线宽为90um，且互相平行。再进行烧结，至此完成钝化接触太阳能电池的制备。完成本步骤后的电池结构如图8所示。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细地说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (10)
1.一种钝化接触太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)、对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层；
(2)、对晶体硅基体的正面非晶硅层用激光器进行图形化扫描，使得被激光器扫描区域的正面非晶硅层完成晶化，形成正面掺杂多晶硅层；其中，激光器的功率为20～38W；
(3)、清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的正面非晶硅层和正面隧穿氧化层；
(4)、在晶体硅基体的背面依次沉积背面隧穿氧化层和背面非晶硅层，并对背面非晶硅层进行掺杂，使背面非晶硅层完成晶化，形成背面掺杂多晶硅层；
(5)、对晶体硅基体的双面进行钝化处理；
(6)、对晶体硅基体的双面进行金属化处理。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)中，
所述激光器为纳秒激光器，所述纳秒激光器的扫描速度为1500～20000mm/s。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(3)中，
使用酸溶液和/或碱溶液清洗晶体硅基体，以去除未被激光器扫描区域的所述正面非晶硅层和正面隧穿氧化层。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，使用氢氧化钠溶液、氨水、氢氟酸、或硝酸与氢氟酸的混合溶液清洗晶体硅基体。
5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)中，所述对晶体硅基体进行预处理，以在晶体硅基体正面依次形成正面发射极、正面隧穿氧化层和正面非晶硅层包括：
(1)’、对晶体硅基体进行双面制绒处理，并扩散，形成正面P+发射极和正面硼硅玻璃层，同时在背面形成背面硼硅玻璃层；
(2)’、去除正面硼硅玻璃层和背面硼硅玻璃层；
(3)’、在晶体硅基体的正面P+发射极上沉积正面隧穿氧化层和正面非晶硅层。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤(2)’中，
采用链式刻蚀机对扩散后的晶体硅基体的背面进行刻蚀，以去除晶体硅基体背面硼硅玻璃层和正面硼硅玻璃层；
刻蚀溶液为氢氟酸、硝酸、以及硫酸的混合溶液；
刻蚀完成后，晶体硅基体减重0.2g～0.5g，晶体硅基体背面反射率大于30％。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在步骤(1)’中，
硼扩散的硼源为三溴化硼或硼浆，扩散温度为900～1070℃，扩散时间为90～240min。
8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，
在步骤(3)’中，所述正面隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，所述正面非晶硅层的厚度为20nm～150nm；
在步骤(4)中，背面隧穿氧化层的厚度为0.5-2nm，背面非晶硅层的厚度为20nm～150nm；对所述背面非晶硅层进行掺杂的方式为磷离子注入法或者磷扩散法。
9.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(5)中，正面钝化减反膜为SiO2、SiNX或Al2O3介质膜中的一种或任几种的组合；
背面钝化减反膜为SiO2、SiNX介质膜中的一种或两种的组合。
10.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在步骤(6)中，采用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅，采用银浆印刷背面主栅和背面副栅；其中，正面副栅线宽为35～90um，其互相平行设置；背面副栅线宽为30～90um，其互相平行设置。
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