CN113618939A - 一种晶体材料薄片的制备方法 - Google Patents

一种晶体材料薄片的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113618939A
CN113618939A CN202110965757.4A CN202110965757A CN113618939A CN 113618939 A CN113618939 A CN 113618939A CN 202110965757 A CN202110965757 A CN 202110965757A CN 113618939 A CN113618939 A CN 113618939A
Authority
CN
China
Prior art keywords
cutting
crystal material
wire
steel wire
spiral steel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110965757.4A
Other languages
English (en)
Inventor
赵心田
师杰
周长青
颜海雷
廖青春
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Hesheng New Material Co ltd
Original Assignee
Ningbo Hesheng New Material Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Hesheng New Material Co ltd filed Critical Ningbo Hesheng New Material Co ltd
Priority to CN202110965757.4A priority Critical patent/CN113618939A/zh
Publication of CN113618939A publication Critical patent/CN113618939A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/04—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools
    • B28D5/042—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by tools other than rotary type, e.g. reciprocating tools by cutting with blades or wires mounted in a reciprocating frame
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0064—Devices for the automatic drive or the program control of the machines
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供了一种晶体材料薄片的制备方法，属于晶体材料加工技术领域。本发明提供了一种晶体材料薄片的制备方法，本发明通过控制螺旋钢丝的波长，波高，罗拉的槽角和槽深，多线切割机的张力，工作台的进给速度等参数，能够提高切割晶片的加工精度和切片速率；采用螺旋钢丝对切割晶体材料进行切割，能够提高对半导体材料的切削力，进而可以降低生产周期，同时提高了晶体材料的加工精度；细线径的螺旋钢丝适配低槽距罗拉提高了单位长度晶体材料的出片数，在相同的时间内生产更多的晶体材料薄片；使用螺旋钢丝对晶体材料进行切割，螺旋钢丝具有较强的切割能力，降低对于金刚石切削液的质量要求，同时减少了切削液中金刚石微粉的损耗速率。

Description

一种晶体材料薄片的制备方法
技术领域
本发明涉及晶体材料加工技术领域，尤其涉及一种晶体材料薄片的制备方法。
背景技术
SiC具有宽禁带、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和迁移速度等特点，在高温、高频、大功率、微电子器件等方面具有巨大的应用潜力，同时SiC又是制备高性能半导体器件一种理想的衬底材料，是当前第三代半导体材料中最有代表意义的一种单晶化合物。
SiC的莫氏硬度为9.2，属于超硬材料，仅次于金刚石，导致切割速度非常慢，而随着生长SiC晶体直径的增加，其加工工艺时间也越来越长。此外SiC衬底材料又要求切割后的晶片，在经过磨抛加工后必须具备低翘曲度(Warp)和弯曲度(Bow)，同时具有低的总厚度变化值(TTV)，进一步增加了SiC薄片的加工难度。
目前多线切割是半导体材料切割的主流方法，切割钢丝通过导向轮组在罗拉上形成一张平行线网，线网以一定张力高速往复运动并携带含有切割刃料的切削液与半导体材料摩擦，工作台装载待半导体材料工件通过上升或下降方式垂直进给，将半导体硅、SiC和蓝宝石等硬脆材料切割成薄片的加工方式。
当前多线切割使用的钢丝为直钢丝，直钢丝切割SiC薄片的工艺周期一般为4inchSiC晶体70h～85h，6inch SiC晶体120h～160h，加工的周期长，另外直钢丝对金刚石切削液的要求较高，一般切削液的使用次数仅为1～2次就必须重新更换且在第二次切割时晶片翘曲度，弯曲度，总厚度变化等参数随着切削液中金刚石微粉切割力的衰减而变差，给后续的磨抛加工带来困难。随着SiC晶体生长直径的增大直钢丝多线切割的加工成本、加工周期、加工精度等难以承受住考验。专利(CN107457926A-一种螺旋结构金刚线及其生产工艺)记载了一种螺旋结构金刚线，能够提高金刚线冷却、排屑能力，提高切片效率，但是金刚线上的磨粒容易在切割过程中脱落，损耗高，需要时常更换，增加了生产成本，同时磨粒的脱落造成金刚线使得SiC的切割变得不稳定，使切割效率降低，切割周期变长。
因此，需要提供一种能够使切割过程稳定、切割效率高、切割周期短的晶体材料薄片的制备方法。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶体材料薄片的制备方法，本发明提供的制备方法切割SiC薄片的周期短，SiC薄片的加工精度高。
为了实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种晶体材料薄片的制备方法，包括：
使用多线切割机对晶体材料进行切割，得到晶体材料薄片；
所述多线切割机中罗拉的槽距为0.58～1mm，罗拉的槽深为0.3～0.5mm，罗拉的槽角为30°～70°；
所述多线切割机中的切割钢丝为螺旋钢丝，所述螺旋钢丝的直径为0.08～0.2mm，螺旋钢丝的波长为0.5～5mm，螺旋钢丝的波高为0.09～0.25mm。
优选地，所述罗拉的材质为高密度聚乙烯或聚氨酯。
优选地，所述切割的方式为双向往复切割方式。
优选地，所述切割时螺旋钢丝的线速度为500m/min～1500m/min。
优选地，所述切割时的新线供给速度为5m/min～50m/min。
优选地，所述切割时使用的金刚石切削液由金刚石微粉和切割油组成。
优选地，所述金刚石切削液的温度为20℃～28℃。
优选地，所述切割时晶体材料的进给速度为1.2mm/h～5mm/h。
优选地，所述晶体材料为SiC、蓝宝石、砷化镓或硅类半导体。
优选地，所述SiC的直径尺寸大于2inch。
本发明提供了一种晶体材料薄片的制备方法，包括以下步骤：使用多线切割机对晶体材料进行切割，得到晶体材料薄片；所述多线切割机中罗拉的槽距为0.58～1mm，罗拉的槽深为0.3～0.5mm，罗拉的槽角为30°～70°；所述多线切割机中的切割钢丝为螺旋钢丝，所述螺旋钢丝的直径为0.08～0.2mm，螺旋钢丝的波长为0.5～5mm，螺旋钢丝的波高为0.09～0.25mm。本发明通过控制螺旋钢丝的波长，波高，罗拉的槽角和槽深，多线切割机的张力，工作台的进给速度等参数，能够提高切割晶片的加工精度和切片速率；采用螺旋钢丝对切割晶体材料进行切割，能够提高对半导体材料的切削力，进而可以降低生产周期，同时提高了晶体材料的加工精度；细线径的螺旋钢丝适配低槽距罗拉提高了单位长度晶体材料的出片数，在相同的时间内生产更多的晶体材料薄片；使用螺旋钢丝对晶体材料进行切割，螺旋钢丝具有较强的切割能力，降低对于金刚石切削液的质量要求，同时减少了切削液中金刚石微粉的损耗速率。实施例的结果显示，采用本发明提供的方法切割SiC，切割时长90h，实收片数16片，切割时长105h，实收片数18片，使用谦视FabXlab测试设备对所得SiC薄片进行测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于20μm，弯曲度(BOW)小10μm，总厚度变化(TTV)小于10μm。
附图说明
图1为本发明提供的多线切割机切割晶体结构示意图；
图中，1和6为收放线轮单元，1为放线轮，6为收线轮，2为螺旋钢丝，3为工作台进给单元，4为晶体材料，5为罗拉，7为金刚石切削液供给单元，8为绕线导向轮单元；
图2为本发明提供的螺旋钢丝的结构示意图；
图中，D为螺旋钢丝的直径，H为螺旋钢丝的波高，L为螺旋钢丝的波长；
图3为本发明提供的罗拉的切割槽的结构示意图；
图中，d为罗拉的槽深；h为罗拉的槽距；α为罗拉的槽角。
具体实施方式
本发明提供了一种晶体材料薄片的制备方法，包括：
使用多线切割机对晶体材料进行切割，得到晶体材料薄片；
所述多线切割机中罗拉的槽距为0.58～1mm，罗拉的槽深为0.3～0.5mm，罗拉的槽角为30°～70°；
所述多线切割机中的切割钢丝为螺旋钢丝，所述螺旋钢丝的直径为0.08～0.2mm，螺旋钢丝的波长为0.5～5mm，螺旋钢丝的波高为0.09～0.25mm。
在本发明中，所述罗拉的槽距为0.58～1mm，优选为0.6～0.9mm，更优选为0.7～0.8mm，进一步优选为0.75mm；所述罗拉的槽角为30°～70°，优选为40°～60°，进一步优选为50°；所述罗拉的槽深为0.3～0.5mm，优选为0.35～0.45mm，进一步优选为0.4mm。本发明通过将罗拉的参数限定在上述范围内，低槽距罗拉与细线径的螺旋钢丝适配，提高了单位长度晶体材料薄片的出片数，同时可以实现2inch以上各种直径晶体材料单晶的切割。
在本发明中，所述罗拉的材质优选为高密度聚乙烯或聚氨酯，所述罗拉的邵氏硬度优选为90～98A，更优选为93～95A。在本发明中，当所述罗拉为高密度聚乙烯材质时，所述罗拉的槽角优选为40°～70°，更优选为50°～60°；当所述罗拉为聚氨酯材质时，所述罗拉的槽角优选为30°～60°，更优选为40°～50°。本发明通过采用高硬度材质制备罗拉，能够与螺旋钢丝的强度相匹配，减少罗拉切割槽的变形，防止罗拉切割槽的变形对于切割晶片加工精度的影响，进一步提高晶体材料的加工精度。
在本发明中，所述多线切割机中的切割钢丝为螺旋钢丝，所述螺旋钢丝的直径为0.08～0.2mm，优选为0.1～0.18mm，更优选为0.12～0.15mm；所述螺旋钢丝的波长为0.5～5mm，优选为1～4mm，进一步优选为2～3mm；所述螺旋钢丝的波高为0.09～0.25mm，优选为0.12～0.20mm，进一步优选为0.15～0.18mm。在本发明中，所述螺旋钢丝的波高含螺旋钢丝的直径。本发明通过控制螺旋钢丝的直径、波长和波高等参数，细线径的螺旋钢丝适配低槽距罗拉提高了单位长度SiC单晶棒的出片数。
在本发明中，所述晶体材料优选为SiC、蓝宝石、砷化镓或硅类半导体，更优选为SiC。在本发明中，当所述晶体材料为SiC时，所述SiC的直径尺寸优选为大于2inch，更优选为4inch、6inch或8inch。
在本发明中，所述切割的方式优选为双向往复切割方式。在本发明中，当切割方式为双向往复切割方式时螺旋钢丝的线速度优选为500m/min～1500m/min，更优选为600～1300m/min，进一步优选为800～1000m/min。在本发明中，所述双向往复切割方式时的新线供给速度优选为5m/min～50m/min，更优选为10～40m/min，进一步优选为20～30m/min。本发明采用双向往复切割方式对晶体材料进行切割，可以加快切割速率，降低切割周期。
在本发明中，所述切割时使用的金刚石切削液优选由金刚石微粉和切割油组成；所述金刚石切削液中金刚石微粉的质量百分比优选为10～20％，更优选13～16％，进一步优选为14～15％。在本发明中，所述金刚石切削液的粘度优选为150～250mPa·s，更优选为150～180mPa·s，优选为160～170mPa·s；所述金刚石切削液的温度优选为20～28℃，更优选为22～26℃，最优选为23～25℃。本发明对所述切割油的具体成分没有特殊的限定，采用本领域常用的切削液即可。本发明采用低浓度的金刚石切削液，对于金刚石切削液的质量要求降低，同时增加了切削液的使用次数，大幅度降低了加工成本，同时通过控制金刚石切削液的温度和粘度，可以使金刚石切削液具有很好的黏附性能和分散性能。
在本发明中，所述切割时晶体材料的进给速度优选为1.2mm/h～5mm/h，更优选为1.5～3.5mm/h，进一步优选为2～3mm/h。在本发明中，所述晶体材料的进给速度与螺旋钢丝的直径相关，螺旋钢丝的直径大时，所述晶体材料的进给速度高，螺旋钢丝的直径小时，所述晶体材料的进给速度低。本发明通过控制晶体材料的进给速度与钢丝直径向配合，可以进一步提高晶体材料薄片的精度。
在本发明中，所述切割时螺旋钢丝的张力优选为20～50N，更优选为25～35N，进一步优选为30N。本发明通过控制螺旋钢丝的张力，可以避免由于张力过大将螺旋钢丝的波高拉平，从而导致切割力降低和切割晶体材料薄片的精度参数变差。
在本发明中，所述多线切割机优选为日本高鸟MWS-610SD多线切割机。在本发明中，所述多线切割机优选包括罗拉、收放线轮单元、张力单元、绕线导向轮单元、工作台进给单元、金刚石切削液供给单元和切削液冷却单元。
在本发明中，所述收放线轮单元控制切割时螺旋钢丝的线速度，所述张力单元控制切割时螺旋钢丝的张力，所述绕线导向轮单元控制螺旋钢丝的缠绕方式，所述工作台进给单元控制切割时晶体材料的进给速度，所述金刚石切削液供给单元控制金刚石切削液的供给，所述切削液冷却单元控制切削液的冷却。
本发明对所述多线切割机中切削液冷却单元的冷却方式没有特殊的限定，能够使金刚石切削液冷却即可。本发明使用切削液冷却单元可以降低快速切割过程中所产生的高温，使切割温度始终保持在合理的范围内，从而保证金刚石切削液的黏附性能和分散性能最佳，进一步提高切割过程的稳定性。
在本发明中，所述螺旋钢丝在多线切割机中的缠绕方式优选为：将螺旋钢丝从所述收放线轮单元的放线轮处引出，经过所述绕线导向轮单元中的绕线导轮，然后绕至所述罗拉并布满罗拉上的所有槽，再经过所述绕线导向轮单元中的绕线导轮，最后绕至所述收放线轮单元的收线轮完成绕线。本发明采用上述绕线方式可以更好的控制切割晶体材料薄片的过程，从而进一步提高晶体材料薄片的加工精度。
本发明的制备方法简单，使用现有的多线切割机即可进行晶体材料的切割，切割速率快，生产周期短，晶体材料薄片的加工精度高，增强了企业竞争力。
本发明的制备方法制备的SiC薄片的的翘曲度(Warp)小于20μm，弯曲度BOW)小于15μm，总厚度变化(TTV)小于10μm，具有很高的加工精度。
下面将结合本发明中的实施例，对本发明中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种SiC薄片的制备方法，具体为：
将待切SiC晶棒安装至多线切割机的工作台上进行锁死，使用多线切割机对晶体材料进行切割，得到SiC薄片；
所述多线切割机中罗拉为高密度聚乙烯材质，罗拉的槽距为0.65mm，罗拉的槽深为0.4mm，罗拉的槽角为50°；
所述多线切割机中的切割钢丝为螺旋钢丝，所述螺旋钢丝的直径为0.16mm；所述螺旋钢丝的波长为4mm；所述螺旋钢丝的波高为0.18mm；
所述待切SiC晶棒的直径尺寸为6inch；所述切割方式为双向往复切割方式；
所述切割时使用的金刚石切削液由金刚石微粉和切割油组成；所述金刚石切削液中金刚石微粉的质量百分比为15％；所述金刚石切削液的粘度为170mPa·s，金刚石切削液的温度为23℃；所述金刚石切削液使用次数为第一次；
所述切割时螺旋钢丝的线速度为600m/min，所述切割时的新线供给速度为20m/min，所述切割时待切SiC晶棒的进给速度为2.5mm/h；所述切割时螺旋钢丝的张力为30N；
所述多线切割机为日本高鸟MWS-610SD多线切割机；所述多线切割机的组成为罗拉、收放线轮单元、张力单元、绕线导向轮单元、工作台进给单元、金刚石切削液供给单元和切削液冷却单元；
所述螺旋钢丝在多线切割机中的缠绕方式为：将螺旋钢丝从所述收放线轮单元的放线轮处引出，经过所述绕线导向轮单元中的绕线导轮，然后绕至所述罗拉并布满罗拉上的所有槽，再经过所述绕线导向轮单元中的绕线导轮，最后绕至所述收放线轮单元的收线轮完成绕线；
实施例1中，多线切割机的切割时长为90h，实收SiC薄片的片数为16片，所述SiC薄片的厚度为500±10μm，使用谦视FabXlab测试设备对所得SiC薄片测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于15μm，弯曲度(BOW)小于8μm，总厚度变化(TTV)小于9μm。
实施例2
所述罗拉的槽距为0.6mm，罗拉的槽深为0.4mm，罗拉的槽角为45°；
所述切割时螺旋钢丝的线速度为600m/min，所述切割时的新线供给速度为20m/min，所述切割时待切SiC晶棒的进给速度为1.9mm/h；所述切割时螺旋钢丝的张力为25N；
所述螺旋钢丝的直径为0.09mm；所述螺旋钢丝的波长为3mm；所述螺旋钢丝的波高为0.11mm；
其他条件和实施例1相同。
实施例2中，多线切割机的切割时长为105h，实收SiC薄片的片数为18片，所述SiC薄片的厚度为500±10μm，使用谦视FabXlab测试设备对所得晶片测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于20μm，弯曲度(BOW)小10μm，总厚度变化(TTV)小于10μm。
实施例3
所述金刚石切削液为按照实施例1的方案重复进行三次切割之后的金刚石切削液，使用次数为第四次；
其他条件和实施例1相同。
实施例3中，多线切割机的切割时长为90h，实收SiC薄片的片数为16片，所述SiC薄片的厚度为500±10μm，使用谦视FabXlab测试设备对所得晶片测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于30μm，弯曲度(BOW)小20μm，总厚度变化(TTV)小于10μm。
对比例1
选用直径为0.16mm的直钢丝进行切割；
所述切割时螺旋钢丝的线速度为500m/min，所述切割时的新线供给速度为20m/min，所述切割时待切SiC晶棒的进给速度为1.3mm/h；
其他条件和实施例1相同。
对比例1中，多线切割机的切割时长为125h，实收SiC薄片的片数为16片，所述SiC薄片的厚度为500±10μm，使用谦视FabXlab测试设备对所得晶片测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于30μm，弯曲度(BOW)小20μm，总厚度变化(TTV)小于10μm。
对比例2
所述罗拉的槽距为0.63mm，罗拉的槽深为0.4mm，罗拉的槽角为50°；
所述切割时螺旋钢丝的线速度为500m/min，所述切割时的新线供给速度为40m/min，所述切割时待切SiC晶棒的进给速度为1.1mm/h；所述切割时螺旋钢丝的张力为28N；
选用直径为0.12mm的直钢丝进行切割；
其他条件和实施例2相同。
对比例2中，多线切割机的切割时长为138h，实收SiC薄片的片数为16片，所述SiC薄片的厚度为500±10μm，使用谦视FabXlab测试设备对所得晶片测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于60μm，弯曲度(BOW)小40μm，总厚度变化(TTV)小于18μm。
对比例3
所述罗拉的槽距为0.65mm，罗拉的槽深为0.4mm，罗拉的槽角为50°；
所述切割时螺旋钢丝的线速度为500m/min，所述切割时的新线供给速度为40m/min，所述切割时待切SiC晶棒的进给速度为1.1mm/h；所述切割时螺旋钢丝的张力为30N；
选用直径为0.16mm的直钢丝进行切割；
其他条件和实施例3相同。
对比例3中，多线切割机的切割时长为125h，实收SiC薄片的片数为16片，所述SiC薄片的厚度为500±10μm，使用谦视FabXlab测试设备对所得晶片测试，SiC薄片的翘曲度(Warp)小于70μm，弯曲度(BOW)小40μm，总厚度变化(TTV)小于30μm。
根据实施例1和实施例2的记载可以看出，通过对罗拉的槽距、槽角进行调整，同时改变螺旋钢丝的参数，能够调控切割过程中的切割速率，同时得到的SiC薄片的加工精度会出现细微的偏差，但是在可允许的误差范围之内。
根据实施例1和实施例3的记载可以看出，本发明的技术方案对于金刚石切削液的质量要求有所降低，使得金刚石切削液可以重复多次使用，且对于SiC薄片的加工精度影响较小。
根据实施例1和对比例1、实施例2和对比例2、实施例3和对比例3的对比可以看出，使用本发明中提供的螺旋钢丝进行晶体材料的切割，能够大幅度地降低切割周期，同时提高加工精度，使SiC薄片的性能更好。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶体材料薄片的制备方法，包括：
使用多线切割机对晶体材料进行切割，得到晶体材料薄片；
所述多线切割机中罗拉的槽距为0.58～1mm，罗拉的槽深为0.3～0.5mm，罗拉的槽角为30°～70°；
所述多线切割机中的切割钢丝为螺旋钢丝，所述螺旋钢丝的直径为0.08～0.2mm，螺旋钢丝的波长为0.5～5mm，螺旋钢丝的波高为0.09～0.25mm。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述罗拉的材质为高密度聚乙烯或聚氨酯。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割的方式为双向往复切割方式。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述切割时螺旋钢丝的线速度为500m/min～1500m/min。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述切割时的新线供给速度为5m/min～50m/min。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割时使用的金刚石切削液由金刚石微粉和切割油组成。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述金刚石切削液的温度为20℃～28℃。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述切割时晶体材料的进给速度为1.2mm/h～5mm/h。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述晶体材料为SiC、蓝宝石、砷化镓或硅类半导体。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述SiC的直径尺寸大于2inch。
CN202110965757.4A 2021-08-23 2021-08-23 一种晶体材料薄片的制备方法 Pending CN113618939A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110965757.4A CN113618939A (zh) 2021-08-23 2021-08-23 一种晶体材料薄片的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110965757.4A CN113618939A (zh) 2021-08-23 2021-08-23 一种晶体材料薄片的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113618939A true CN113618939A (zh) 2021-11-09

Family

ID=78387107

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110965757.4A Pending CN113618939A (zh) 2021-08-23 2021-08-23 一种晶体材料薄片的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113618939A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115958709A (zh) * 2022-12-28 2023-04-14 宁波合盛新材料有限公司 碳化硅晶片的多线切割方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104108141A (zh) * 2014-04-29 2014-10-22 株式会社晓星 切割用波纹单丝型钢丝
CN105058604A (zh) * 2015-07-24 2015-11-18 山东大学 一种实现SiC单晶不同直径切割的多线切割机罗拉及其使用方法
CN207696287U (zh) * 2017-12-22 2018-08-07 廊坊京磁精密材料有限公司 多线切割机罗拉开槽的辅助设备
CN208179987U (zh) * 2017-09-03 2018-12-04 盛利维尔（中国）新材料技术股份有限公司 一种螺旋结构金刚线
CN109352846A (zh) * 2018-12-06 2019-02-19 中电工业互联网有限公司 一种用于玉石切割的智能多线切割机

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104108141A (zh) * 2014-04-29 2014-10-22 株式会社晓星 切割用波纹单丝型钢丝
CN105058604A (zh) * 2015-07-24 2015-11-18 山东大学 一种实现SiC单晶不同直径切割的多线切割机罗拉及其使用方法
CN208179987U (zh) * 2017-09-03 2018-12-04 盛利维尔（中国）新材料技术股份有限公司 一种螺旋结构金刚线
CN207696287U (zh) * 2017-12-22 2018-08-07 廊坊京磁精密材料有限公司 多线切割机罗拉开槽的辅助设备
CN109352846A (zh) * 2018-12-06 2019-02-19 中电工业互联网有限公司 一种用于玉石切割的智能多线切割机

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115958709A (zh) * 2022-12-28 2023-04-14 宁波合盛新材料有限公司 碳化硅晶片的多线切割方法
CN115958709B (zh) * 2022-12-28 2023-06-20 宁波合盛新材料有限公司 碳化硅晶片的多线切割方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103722625B (zh) 一种利用金刚石线切割大直径碳化硅单晶的方法和设备
US9573296B2 (en) Method for simultaneously cutting a multiplicity of slices of particularly uniform thickness from a workpiece
JP4525353B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
US5878737A (en) Apparatus and method for slicing a workpiece utilizing a diamond impregnated wire
US6568384B1 (en) Semiconductor material cutting and processing method
US9579826B2 (en) Method for slicing wafers from a workpiece using a sawing wire
JP5127209B2 (ja) 半導体基板の製造方法
CN113618939A (zh) 一种晶体材料薄片的制备方法
KR20140106583A (ko) 워크의 절단방법
CN111511504B (zh) 工件切断方法及线锯
CN105818284B (zh) 利用金刚石线和金刚石砂浆同时切割SiC单晶的方法
KR102103712B1 (ko) 고경도 재료의 멀티 와이어 쏘에 의한 절단 방법
WO2013018534A1 (ja) Ｉｉｉ族窒化物結晶基板の製造方法
JP5003696B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物基板及びその製造方法
KR102100839B1 (ko) 워크의 절단방법
EP2647458A1 (en) Wire for semiconductor wire saw and wire saw
CN109531844B (zh) 多线切割装置、多线切割方法及其用途
CN217476315U (zh) 一种用于碳化硅晶体多线切割的罗拉
JP2005297156A (ja) ワイヤソー
WO2013041140A1 (en) Method and apparatus for cutting semiconductor workpieces
CN210256793U (zh) 一种大尺寸碳化硅晶片金刚石线切割机床
CN103182747A (zh) 一种多线锯线网系统
JP6705399B2 (ja) ウェーハの製造方法
JP2013043268A (ja) 固定砥粒ワイヤおよび半導体基板の製造方法
JP4325655B2 (ja) 化合物半導体基板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination