CN113608382A - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板。其中，阵列基板，包括：第一基底，以及位于第一基底上的有机平坦化层；其中，有机平坦化层远离第一基底的一侧设置有多个间隔设置的凹槽；沿第一基底的厚度方向，凹槽的深度小于有机平坦化层的厚度；凹槽的底部包括呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿第一基底的厚度方向，凹槽的侧壁的高度高于凹槽的底部的第一凸部的高度；第一阵列的行方向垂直于第一阵列的列方向。本发明实施例提供的技术方案可以减少阵列基板及对置基板之间的隔垫物发生滑动的可能性。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板。
背景技术
液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)主要包括阵列基板、彩膜基板、设置在阵列基板及彩膜基板之间且有一定排列方向的液晶层。为了保持阵列基板及彩膜基板之间具有一定的间隙，以保护液晶层，通常在阵列基板及彩膜基板之间的液晶层内部设置一定数量的隔垫物(又称光学间隙子，Photo Spacer，简称PS)，以支撑阵列基板及彩膜基板。
但是，在薄化、抛光、盖板玻璃贴合、运送等制造程序或任何产品可靠度试验当中，光学间隙子受到外力挤压时，易发生滑动。
发明内容
本发明实施例提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板，以减少阵列基板及对置基板之间的隔垫物发生滑动的可能性。
第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：第一基底，以及位于第一基底上的有机平坦化层；
其中，有机平坦化层远离第一基底的一侧设置有多个间隔设置的凹槽；沿第一基底的厚度方向，凹槽的深度小于有机平坦化层的厚度；凹槽的底部包括呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿第一基底的厚度方向，凹槽的侧壁的高度高于凹槽的底部的第一凸部的高度；第一阵列的行方向垂直于第一阵列的列方向。
进一步地，第一凸部的边缘的厚度沿第一凸部的中间区域指向边缘的方向逐渐减小。
进一步地，沿第一基底的厚度方向，第一凸部在凹槽的底部的投影的长度小于曝光机的解析力；第一凸部在凹槽的底部的投影的宽度小于曝光机的解析力。
进一步地，沿第一基底的厚度方向，第一凸部在凹槽的底部的投影包括下述一种或多种：长方形、正方形、圆形、菱形、椭圆、三角形。
进一步地，沿第一基底的厚度方向，第一凸部在凹槽的底部的投影的形状与第一凹部在凹槽的底部的投影的形状相同；第一凸部在凹槽的底部的投影的面积与第一凹部在凹槽的底部的投影的面积相同。
进一步地，阵列基板还包括：驱动阵列层和配向层，其中，驱动阵列层和有机平坦化层位于第一基底和配向层之间。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括：对置基板、液晶层和本发明任意实施例提供的阵列基板；
其中，对置基板与阵列基板相对设置；液晶层位于对置基板和阵列基板之间；有机平坦化层位于液晶层和第一基底之间；对置基板靠近阵列基板的一侧设置有多个隔垫物；隔垫物远离对置基板的一端位于有机平坦化层的凹槽内，并与凹槽内的第一凸部接触。
进一步地，任一隔垫物远离对置基板的一端设置有多个第二凸部和多个第二凹部；第二凸部位于对应的第一凹部内；第一凸部位于对应的第二凹部内。
第三方面，本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：
提供第一基底；
在第一基底上形成有机平坦化层；
通过曝光显影工艺，在有机平坦化层远离第一基底的一侧形成多个间隔设置的凹槽，在凹槽的底部形成呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；其中，第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿第一基底的厚度方向，凹槽的侧壁的高度高于凹槽的底部的第一凸部的高度，沿第一基底的厚度方向，凹槽的深度小于有机平坦化层的厚度；第一阵列的行方向垂直于第一阵列的列方向。
进一步地，曝光显影工艺中所用掩膜版上与第一凸部对应的第一区域的透光率是均匀相等的。
本发明实施例的技术方案中的阵列基板包括第一基底，以及位于第一基底上的有机平坦化层；其中，有机平坦化层远离第一基底的一侧设置有多个间隔设置的凹槽；沿第一基底的厚度方向，凹槽的深度小于有机平坦化层的厚度；凹槽的底部包括呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿第一基底的厚度方向，凹槽的侧壁的高度高于凹槽的底部的第一凸部的高度；第一阵列的行方向垂直于第一阵列的列方向。本发明实施例通过在阵列基板上设置交替排列的凹凸结构的凹槽，增大了阵列基板和对置基板之间的隔垫物与接触面的粗糙度，使摩擦力增加，以防止隔垫物滑动。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部俯视结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图；
图7为与图6各步骤对应的阵列基板的局部剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供一种阵列基板。图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部剖面结构示意图。图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的局部俯视结构示意图。图3为本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图。该阵列基板可设置于显示面板中，例如可以是液晶显示面板。该阵列基板100包括：第一基底10，以及位于第一基底10上的有机平坦化层20。
其中，有机平坦化层20远离第一基底10的一侧设置有多个间隔设置的凹槽21；沿第一基底10的厚度方向Z，凹槽21的深度H1小于有机平坦化层20的厚度D；凹槽21的底部包括呈第一阵列排布的多个第一凸部211和多个第一凹部212；第一阵列的任一行中的第一凸部211和第一凹部212交替排列；第一阵列的任一列中的第一凸部211和第一凹部212交替排列；沿第一基底10的厚度方向Z，凹槽21的侧壁的高度H1高于凹槽21的底部的第一凸部211的高度H2；第一阵列的行方向X垂直于第一阵列的列方向Y。
其中，第一基底10可包括硬性基底等，例如可以是玻璃基板等。有机平坦化层20可包括光敏性有机材料等。光敏性有机材料可包括基体材料和掺杂在基体材料中的光敏剂。基体材料可为聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的至少一种。光敏剂可为水杨脂酸苯脂和/或重氮萘醌磺酸酯。有机平坦化层20具有平坦化作用。有机平坦化层20远离第一基底10的一侧未设置有凹槽21的区域是平坦的。有机平坦化层20的厚度D1较大，远大于第一基底10上的其他膜层的厚度，故有利于在有机平坦化层20上设置深度较大的凹槽21，并在凹槽21的底部形成凹凸程度较大的第一凸部211和第一凹部212，以便将对置基板200上的隔垫物400坐落于凹槽21内，受断差影响可防止隔垫物400滑动。呈交错矩阵式排布的第一凸部211和第一凹部212，有利于提高第一凸部211的数量和密度，有利于增大凹槽21的底部的粗糙程度，可以增大隔垫物400与凹槽21的底部的摩擦力，有利于防止隔垫物400滑动。凹槽21的深度越大，第一凸部211和第一凹部212的凹凸程度越大，第一凸部211的数量越多，隔垫物400越不易滑动。图1可为沿图2中A1A2方向的剖面示意图。
本实施例的技术方案中的阵列基板包括第一基底，以及位于第一基底上的有机平坦化层；其中，有机平坦化层远离第一基底的一侧设置有多个间隔设置的凹槽；沿第一基底的厚度方向，凹槽的深度小于有机平坦化层的厚度；凹槽的底部包括呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿第一基底的厚度方向，凹槽的侧壁的高度高于凹槽的底部的第一凸部的高度；第一阵列的行方向垂直于第一阵列的列方向。本实施例通过在阵列基板上设置交替排列的凹凸结构的凹槽，增大了阵列基板和对置基板之间的隔垫物与接触面的粗糙度，使摩擦力增加，以防止隔垫物滑动。
可选的，在上述实施例的基础上，沿第一基底10的厚度方向Z，第一凸部211在凹槽21的底部的投影的长度X1小于曝光机的解析力(又称解析度或曝光精度)；第一凸部211在凹槽21的底部的投影的宽度Y1小于曝光机的解析力。
其中，可通过曝光显影工艺，形成第一凸部211和第一凹部212。曝光显影工艺中所用的掩膜版上与第一凸部211对应的第一区域的透光率可以是均匀相等的，而非渐变的。第一凸部211在凹槽21的底部的投影的长度X1大于或等于第一凸部211在凹槽21的底部的投影在任意方向的长度。长度方向可垂直于宽度方向。将第一凸部211在凹槽21的底部的投影的长度X1和宽度Y1均小于曝光机的解析力，即掩膜版上与第一凸部211对应的第一区域的长度和宽度小于曝光机的解析力，以在曝光过程中，光源发出的光经掩膜版的第一区域后，照射至第一凸部211的待形成区域，光经掩膜版的第一区域后会发生衍射等，产生光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)，导致照射第一凸部211的待形成区域的边缘的光强与中间区域的光强不同，经显影后，使得第一凸部211的边缘的坡度是渐变的，而非竖直的，从而可以增大凹槽21的底部的粗糙程度，此外，相比于采用成本较高的半色调掩膜版(half tone mask)来形成边缘坡度渐变的第一凸部的方式，可以降低生产成本。
可选的，第一阵列中的任意相邻两行中，前一行中的第一凸部211与后一行中的第一凹部212沿第一阵列的列方向Y相对设置；前一行中的第一凹部212与后一行中的第一凸部211沿第一阵列的列方向Y相对设置；前一行中的第一凸部211与后一行中的第一凸部211沿第一阵列的列方向Y错位设置；前一行中的第一凹部212与后一行中的第一凹部212沿第一阵列的列方向Y错位设置。第一阵列中的任意相邻三行中，相邻三行包括第一行、第二行和第三行，第二行位于第一行和第三行之间，第一行中的第一凸部211与第三行中的第一凸部211沿第一阵列的列方向Y相对设置；第一行中的第一凹部212与第三行中的第一凹部212沿第一阵列的列方向Y相对设置。
可选的，第一阵列中的任意相邻两列中，前一列中的第一凸部211与后一列的第一凹部212沿第一阵列的行方向X相对设置；前一列中的第一凹部212与后一列的第一凸部211沿第一阵列的行方向X相对设置；前一列中的第一凸部211与后一列的第一凸部211沿第一阵列的行方向X错位设置；前一列中的第一凹部212与后一列的第一凹部212沿第一阵列的行方向X错位设置。第一阵列中的任意相邻三列中，相邻三列包括第一列、第二列和第三列，第二列位于第一列和第三列之间，第一列中的第一凸部211与第三列中的第一凸部211沿第一阵列的行方向X相对设置；第一列中的第一凹部212与第三列中的第一凹部212沿第一阵列的行方向X相对设置。
可选的，沿第一基底10的厚度方向Z，第一凸部211在凹槽21的底部的投影包括下述一种或多种：长方形、正方形、圆形、菱形、椭圆、三角形。图2示例性的画出沿第一基底10的厚度方向Z，第一凸部211在凹槽21的底部的投影为矩形的情况。
可选的，沿第一基底10的厚度方向Z，第一凸部211在凹槽21的底部的投影的形状与第一凹部212在凹槽21的底部的投影的形状相同。可选的，第一凸部211在凹槽21的底部的投影的面积与第一凹部212在凹槽21的底部的投影的面积相同。第一凸部211和第一凹部212均匀排布，布满凹槽21的底部，使得隔垫物400与凹槽21的底部之间的摩擦力均匀。
可选的，在上述实施例的基础上，图4为本发明实施例提供的又一种阵列基板的局部剖面结构示意图，阵列基板还包括：驱动阵列层30和配向层40，其中，驱动阵列层30和有机平坦化层20位于第一基底10和配向层40之间。
其中，驱动阵列层30可包括：用于形成薄膜晶体管的薄膜晶体管层31，以及用于形成信号线和电力线等的导电层32和层间绝缘层33等。薄膜晶体管层31可包括有源层、栅极绝缘层、栅极层、源漏极层(图中未示出)。配向层40可用于提供液晶预倾角，使得液晶初始状态的排列呈现一定规律。配向层40可包括聚酰亚胺等。有机平坦化层20的厚度D1可远大于导电层32和层间绝缘层33的厚度。示例性的，有机平坦化层20的厚度D1可为20000埃，导电层32的厚度可为3850埃，层间绝缘层33的厚度可为2500埃，配向层40的厚度可为300埃。
可选的，有机平坦化层20可位于驱动阵列层30和第一基底10之间。可选的，有机平坦化层20可位于驱动阵列层30中的部分膜层之间，例如有机平坦化层20可位于薄膜晶体管层31和导电层32之间，层间绝缘层33可位于导电层32和配向层40之间。
本发明实施例提供一种显示面板。在上述实施例的基础上，继续参见图3，该显示面板包括：对置基板200、液晶层300和本发明任意实施例提供的阵列基板100。
其中，对置基板200与阵列基板100相对设置；液晶层300位于对置基板200和阵列基板100之间；有机平坦化层20位于液晶层300和第一基底10之间；对置基板200靠近阵列基板100的一侧设置有多个隔垫物400；隔垫物400远离对置基板200的一端位于有机平坦化层20的凹槽21内，并与凹槽21内的第一凸部211接触。
本发明实施例提供的显示面板包括上述实施例中的阵列基板，因此本发明实施例提供的显示面板也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
可选的，对置基板200为彩膜基板。
可选的，在上述实施例的基础上，图5为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图，任一隔垫物400远离对置基板200的一端设置有多个第二凸部401和多个第二凹部402。可选的，第二凸部401位于对应的第一凹部212内；第一凸部211位于对应的第二凹部402内。
其中，将隔垫物400远离对置基板200的一端设置凹凸结构，可以增大隔垫物400远离对置基板200的一端的粗糙程度，可以增大隔垫物400与凹槽21的底部的接触面积，从而可以进一步增大隔垫物400与凹槽21的底部的摩擦力，有利于防止隔垫物400滑动。
可选的，在上述实施例的基础上，任一隔垫物400的多个第二凸部401和多个第二凹部402呈第二阵列排布；第二阵列的任一行中的第二凸部401和第二凹部402可交替排列；第二阵列的任一列中的第二凸部401和第二凹部402可交替排列。
本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法。图6为本发明实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程图。图7为与图6各步骤对应的阵列基板的局部剖面结构示意图。该阵列基板的制作方法可用于制作本发明任意实施例提供的阵列基板。在上述实施例的基础上，该阵列基板的制作方法包括：
步骤110、提供第一基底。
步骤120、在第一基底上形成有机平坦化层。
其中，如图7所示，在第一基底10上形成有机平坦化层20。可选的，在第一基底10上形成有机平坦化层20之前，可在第一基底10形成驱动阵列层30，进而在驱动阵列层30上形成有机平坦化层20。
步骤130、通过曝光显影工艺，在有机平坦化层远离第一基底的一侧形成多个间隔设置的凹槽，在凹槽的底部形成呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部。
其中，第一阵列的任一行中的第一凸部211和第一凹部212交替排列；第一阵列的任一列中第一凸部211和第一凹部212交替排列；沿第一基底10的厚度方向Z，凹槽21的侧壁H1的高度高于凹槽21的底部的第一凸部211的高度H2，沿第一基底10的厚度方向Z，凹槽21的深度H1小于有机平坦化层20的厚度D1；第一阵列的行方向X垂直于第一阵列的列方向Y。
本发明实施例提供的阵列基板的制作方法可用于制作本发明任意实施例提供的阵列基板，因此本发明实施例提供的阵列基板的制作方法也具备上述实施例中所描述的有益效果，此处不再赘述。
可选的，在上述实施例的基础上，继续参见图7，曝光显影工艺中所用掩膜版800上与第一凸部211对应的第一区域801的透光率是均匀相等的。图8为本发明实施例提供的一种掩膜版的俯视结构示意图，第一区域801的长度X2和宽度Y2可均小于曝光机的解析力，以在曝光过程中，光源发出的光经掩膜版800的第一区域801后，照射至第一凸部211的待形成区域，光经掩膜版800的第一区域801后会发生衍射等，产生光学邻近效应(OpticalProximity Effect，OPE)，导致照射第一凸部211的待形成区域的边缘的光强与中间区域的光强不同，经显影后，使得第一凸部211的边缘的坡度是渐变的，而非竖直的，从而可以增大凹槽21的底部的粗糙程度，此外，相比于采用成本较高的半色调掩膜版(half tone mask)来形成边缘坡度渐变的第一凸部的方式，可以降低生产成本。第一区域801的长度大于或等于第一区域801在任意方向的长度。长度方向可垂直于宽度方向。
可选的，在上述实施例的基础上，曝光显影工艺中所用掩膜版800上与第一凹部21对应的第二区域802的透光率是均匀相等的。第二区域802的长度和宽度可均小于曝光机的解析力。第二区域802的长度大于或等于第二区域802在任意方向的长度。长度方向可垂直于宽度方向。
可选的，掩膜版800的第三区域对应有机平坦化层20未设置凹槽的平整区域，掩膜版800的第三区域的透光率是均匀相等的。
可选的，在上述实施例的基础上，有机平坦化层20包括正性光刻型光敏性有机材料。掩膜版800的第一区域801的透光率小于掩膜版800的第二区域802的透光率。掩膜版800的第三区域的透光率小于掩膜版800的第一区域801的透光率。掩膜版800的第三区域的透光率可为0。光源发出的光透过掩膜版800的第一区域801后的光的强度小于光源发出的光透过掩膜版800的第二区域802后的光的强度。其中，被曝光后的正性光刻型光敏性有机材料层在显影液的溶解度将变大。经掩膜版800过滤后，照射至正性光刻型光敏性有机材料层的光的强度越大，被曝光后的正性光刻型光敏性有机材料层在显影液的溶解度越大，经显影后，被去除的厚度越大，保留的厚度越小。
可选的，在上述实施例的基础上，有机平坦化层20包括负性光刻型光敏性有机材料。掩膜版800的第一区域801的透光率大于掩膜版800的第二区域802的透光率。掩膜版800的第三区域的透光率大于掩膜版800的第一区域801的透光率。掩膜版800的第三区域的透光率可为100％。光源发出的光透过掩膜版800的第一区域801后的光的强度大于光源发出的光透过掩膜版800的第二区域802后的光的强度。其中，被曝光后的负性光刻型光敏性有机材料层在显影液的溶解度将变小。经掩膜版800过滤后，照射至负性光刻型光敏性有机材料层的光的强度越大，被曝光后的负性光刻型光敏性有机材料层在显影液的溶解度越小，经显影后，被去除的厚度越小，保留的厚度越大。
示例性的，曝光机的解析力最小可为3微米，掩膜版800的第一区域801可为矩形，第一区域801的宽度X2和长度Y2均为1.5微米。掩膜版800上与任一凹槽21对应的区域810可包括：呈第三阵列排布的第一区域801和第二区域802。第三阵列中的任一行的第一区域801和第二区域802可交替排列。第三阵列中的任一列的第一区域801和第二区域802可交替排列。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整、相互结合和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：第一基底，以及位于所述第一基底上的有机平坦化层；
其中，所述有机平坦化层远离所述第一基底的一侧设置有多个间隔设置的凹槽；沿所述第一基底的厚度方向，所述凹槽的深度小于所述有机平坦化层的厚度；所述凹槽的底部包括呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；所述第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；所述第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿所述第一基底的厚度方向，所述凹槽的侧壁的高度高于所述凹槽的底部的第一凸部的高度；所述第一阵列的行方向垂直于所述第一阵列的列方向。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一凸部的边缘的厚度沿所述第一凸部的中间区域指向边缘的方向逐渐减小。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一基底的厚度方向，所述第一凸部在所述凹槽的底部的投影的长度小于曝光机的解析力；所述第一凸部在所述凹槽的底部的投影的宽度小于曝光机的解析力。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一基底的厚度方向，所述第一凸部在所述凹槽的底部的投影包括下述一种或多种：长方形、正方形、圆形、菱形、椭圆、三角形。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，沿所述第一基底的厚度方向，所述第一凸部在所述凹槽的底部的投影的形状与所述第一凹部在所述凹槽的底部的投影的形状相同；所述第一凸部在所述凹槽的底部的投影的面积与所述第一凹部在所述凹槽的底部的投影的面积相同。
6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：驱动阵列层和配向层，其中，所述驱动阵列层和所述有机平坦化层位于所述第一基底和所述配向层之间。
7.一种显示面板，其特征在于，包括：对置基板、液晶层和如权利要求1-6任一所述的阵列基板；
其中，所述对置基板与所述阵列基板相对设置；所述液晶层位于所述对置基板和所述阵列基板之间；所述有机平坦化层位于所述液晶层和所述第一基底之间；所述对置基板靠近所述阵列基板的一侧设置有多个隔垫物；所述隔垫物远离所述对置基板的一端位于所述有机平坦化层的凹槽内，并与所述凹槽内的第一凸部接触。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，任一所述隔垫物远离所述对置基板的一端设置有多个第二凸部和多个第二凹部；所述第二凸部位于对应的第一凹部内；所述第一凸部位于对应的第二凹部内。
9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供第一基底；
在所述第一基底上形成有机平坦化层；
通过曝光显影工艺，在所述有机平坦化层远离所述第一基底的一侧形成多个间隔设置的凹槽，在所述凹槽的底部形成呈第一阵列排布的多个第一凸部和多个第一凹部；其中，所述第一阵列的任一行中的第一凸部和第一凹部交替排列；所述第一阵列的任一列中的第一凸部和第一凹部交替排列；沿所述第一基底的厚度方向，所述凹槽的侧壁的高度高于所述凹槽的底部的第一凸部的高度，沿所述第一基底的厚度方向，所述凹槽的深度小于所述有机平坦化层的厚度；所述第一阵列的行方向垂直于所述第一阵列的列方向。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述曝光显影工艺中所用掩膜版上与所述第一凸部对应的第一区域的透光率是均匀相等的。
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