CN113604869A - 一种单晶硅的生长方法以及引晶结构 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种单晶硅的生长方法以及引晶结构。该单晶硅的生长方法包括：在籽晶的下端连接晶体预热块，晶体预热块与籽晶为两个分离体；将连接在籽晶的下端的晶体预热块与硅溶液接触并熔接；下降籽晶和晶体预热块，直至晶体预热块完全浸入硅溶液中，并使籽晶的下端与硅溶液熔接；向上提拉所述籽晶进行引晶操作或者直接进入放肩工艺。该单晶硅的生长方法能够有效地提高单晶的细颈的生长尺寸，以满足大投料量的需求，提高单晶硅的产量。

Description

一种单晶硅的生长方法以及引晶结构

技术领域

本发明涉及一种单晶硅的生长方法以及引晶结构。

背景技术

目前直拉法生长单晶硅包括籽晶浸入、熔接、引晶、放肩、转肩、等径、收尾和冷却等步骤。其中，引晶是指，在籽晶与硅溶液熔接且硅溶液温度合适之后，通过提升拉速来进行细颈的生长。在籽晶接触硅溶液的过程中，籽晶受到热冲击会形成较多的位错等晶格缺陷，这样容易使得在籽晶上生长的单晶硅出现位错等晶格缺陷。

目前主要采用缩颈工艺，消除籽晶产生的位错等晶格缺陷对单晶硅生长的影响。缩颈工艺拉制的细颈的直径越小，长度越长，越有利于消除位错等晶格缺陷。

但是，细颈作为单晶硅中最薄弱的部分，其所能承受的单晶硅的重量是有限的。因此，现有的缩颈工艺拉制出的细颈很难满足大投料量和生长大尺寸单晶硅的需求。

发明内容

有鉴于此，本发明所要解决的技术问题在于，提供一种单晶硅的生长方法以及引晶结构，能够有效地提高单晶细颈的生长尺寸，以满足大投料量的需求，提高单晶硅的产量。

为了解决上述技术问题，本发明提供以下技术方案：

第一方面，本发明提供一种单晶硅的生长方法，包括：

步骤(a)、在籽晶的下端连接晶体预热块，所述晶体预热块与所述籽晶为两个分离体；

步骤(b)、将连接在所述籽晶下端的所述晶体预热块与硅溶液接触并熔接；

步骤(c)、下降所述籽晶和所述晶体预热块，直至所述晶体预热块完全浸入所述硅溶液中，并使所述籽晶的下端与所述硅溶液熔接；

步骤(d)、向上提拉所述籽晶进行引晶操作或者直接进入放肩工艺。

第二方面，本发明提供一种引晶结构，应用于上述第一方面提供的单晶硅的生长，所述引晶结构包括：籽晶和连接于所述籽晶的下端的晶体预热块，所述晶体预热块与所述籽晶为两个分离体。

上述发明的第一方面的技术方案具有如下优点或有益效果：

本发明通过使籽晶的下端连接的晶体预热块与硅溶液接触并熔接，以通过晶体预热块将硅溶液的热量传导给籽晶，即在籽晶与硅溶液接触前，先通过晶体预热块过渡，传导热量给籽晶，缩小籽晶与硅溶液之间的温度差，降低籽晶与硅溶液熔接而受到的热量冲击，从而减少或消除籽晶产生的位错等晶格缺陷。并且，由于晶体预热块与籽晶为两个分离体，这使晶体预热块熔接产生的位错等晶格缺陷不会攀移至籽晶上，这也避免或减少籽晶产生位错等晶格缺陷。这样可以扩大生长的细颈的直径，以满足大投料量的需求和生长大尺寸单晶硅的需求，提高单晶硅的产量。

附图说明

图1是根据本发明一实施例示出的单晶硅的生长方法的流程图；

图2是根据本发明一实施例示出的籽晶与晶体预热块连接的示意图；

图3是根据本发明一实施例示出的晶体预热块与硅溶液接触的示意图；

图4是根据本发明一实施例示出的晶体预热块与硅溶液熔接的示意图；

图5是根据本发明一实施例示出的晶体预热块完全浸入硅溶液的示意图；

图6是根据本发明一实施例示出的籽晶与硅溶液熔接的示意图；

图7是根据本发明一实施例示出的籽晶引细颈晶体的示意图。

附图标记如下：

201 籽晶 202 晶体预热块

203 硅溶液 204 坩埚 205 细颈

具体实施方式

在下面的描述中和所附的权利要求中，籽晶或晶体预热块与硅溶液“熔接”是指，该籽晶或晶体预热块浸入硅溶液中，且该籽晶或晶体预热块的浸入部分的晶体发生部分或全部熔化。

籽晶是指，采用直拉法生长单晶硅所使用的晶种，其由具有与待生长的单晶硅相同晶向且尺寸小于单晶硅的晶体组装而成。籽晶的下端是指，在单晶炉内，籽晶靠近或者浸入硅溶液的部分，籽晶的上端与籽晶的下端相对。

另外，晶体预热块可以由与单晶硅相同晶向或者不同晶向且尺寸小于单晶硅的晶体组装而成，晶体预热块的晶向可以与生长的单晶硅相同，也可以不同。

晶体预热块与籽晶为两个分离体是指晶体预热块和籽晶是通过物理连接的两个部件，而不是一个部件。同时，晶体预热块的晶形、晶向等晶体特性与籽晶的晶形、晶向等晶体特性相对独立、互不影响。

第一下降速度或第二下降速度是指，通过程序控制的籽晶和晶体预热块的下降速度，其可以为一个固定的值，也可以在一个范围内变化，还可以从一个值切换为另一个值。其中“第一”和“第二”只是为了区分不同阶段的下降速度，而不是对下降速度的排序。

等径是指单晶硅生长过程中，其细颈的外径的变化范围在误差范围(比如不大于2mm)内。

在现有直拉法生长单晶硅方式中，将籽晶直接浸入高温的硅溶液，籽晶受到高热量冲击会产生位错等晶格缺陷。由于籽晶边缘的晶体能量比较低，导致位错等晶格缺陷更容易出现在籽晶边缘。因此，在现有技术中，如果直接按照籽晶横截面生长单晶硅，在固液界面处已生长出的晶体中产生大量的位错等晶格缺陷。为了保证单晶硅的无位错生长，目前在引晶生长过程中采用Dash缩颈工艺，来消除籽晶在接触硅溶液时受到热冲击产生的位错等晶格缺陷，Dash缩颈工艺需要拉制一定粗细和长度的细颈单晶体，特别地，为了尽可能避免单晶硅生长过程产生晶格缺陷或者位错，有的缩颈工艺甚至需要经过两次缩小单晶硅直径的过程，以得到直径更小的单晶体，这是因为细颈的直径越小，长度越长，位错排出的成功率就越高。但在实际单晶硅生长期间，细颈不仅要满足并提供无位错的晶体生长条件，还要负责连接整个生长的单晶硅，即细颈作为单晶硅生长过程中最细的部分，承受着生长出的单晶硅的全部重量。但是，细颈太细，强度就弱，这可导致现有的细颈生长工艺(引晶阶段)很难满足大投料以及生长大尺寸的单晶硅的需求，也很难降低生产成本。

而解决现有技术存在的上述问题，可通过打破细颈直径生长的局限，并能够避免细颈生长过程产生位错等晶格缺陷实现。

本发明实施例提供的单晶硅的生长方法通过降低籽晶受到的热冲击，以尽可能避免籽晶产生位错等晶格缺陷，从而打破细颈直径生长的局限，并能够避免细颈生长过程产生位错等晶格缺陷。

如图1所示，本发明实施例提供的一种单晶硅的生长方法，该单晶硅的生长方法可包括如下步骤：

步骤S101：在籽晶的下端连接晶体预热块，晶体预热块与籽晶为两个分离体。

其中，图2示出了籽晶201与晶体预热块202的连接关系的示意图。晶体预热块202与籽晶201作为两个分离体，虽然它们的晶体特性可以相对独立、互不影响，但是籽晶201的下端与晶体预热块202可相连接，该连接方式可以为固定连接，也可为活动连接，比如籽晶201的下端嵌入在晶体预热块202内，又比如籽晶201的下端作为“钉”，晶体预热块202作为与“钉”相匹配的“帽”形成活动连接等。

值得说明的是，本发明实施例提供的各个示意图，仅是示例性地示出了晶体预热块202的纵向(以附图2或3中的竖直方向为准)剖面为正方形或长方形的结构，其纵向剖面还可以为梯形、圆形、不规则多边形等，相应地，晶体预热块202可以为正方体、长方体、球形、圆台形、不规则多面体等立体结构，本发明实施例所使用的晶体预热块202可根据实际生产需求设置相应地形状。一般来说，籽晶201和晶体预热块202的材料相同，以保证生长的单晶硅的组分。其中，籽晶201和晶体预热块202作为两个分离体的设计的原因是晶体预热块上的位错不会攀移到籽晶上。如果籽晶201和晶体预热块202为一个整体，则晶体预热块202产生的位错等晶格缺陷会攀升到籽晶201上，则不会达到本发明实施例提供的方案所能得到的技术效果。

步骤S102：将连接在籽晶下端的晶体预热块与硅溶液接触并熔接。

在该步骤S102中，如图3和图4所示的不同状态(图3为晶体预热块202与硅溶液203接触的状态、图4为晶体预热块202与硅溶液203熔接的状态)下，晶体预热块202与硅溶液203之间相对位置关系图。从图3和图4中可以看出，设置在籽晶201下端的晶体预热块202与坩埚204中的硅溶液203接触并熔接的过程为：将籽晶201和晶体预热块202下降，首先使晶体预热块202与坩埚204中的硅溶液203接触，然后继续下降籽晶201和晶体预热块202，使晶体预热块202与坩埚204中的硅溶液203熔接，该熔接过程主要是借助硅溶液高温熔化晶体预热块202。值得说明的是，该晶体预热块202与坩埚204中的硅溶液203接触并熔接的过程中，籽晶201和晶体预热块202的下降速度可以根据晶体预热块202的高度和体积或与硅溶液203接触的横截面积来确定，比如，晶体预热块202高度比较大，在晶体预热块202与硅溶液203接触并熔接过程中，可以采用较大的下降速度下降籽晶201和晶体预热块202。又比如，晶体预热块202与硅溶液203接触的横截面积比较大，在晶体预热块202与硅溶液203接触并熔接过程中，可以降低籽晶201和晶体预热块202的下降速度，以使晶体预热块202能够更好地熔接。

由于晶体具有导热性，通过该步骤S102可以使晶体预热块202将热量逐步传导给籽晶201，使籽晶201升温，在后续籽晶201与硅溶液203接触时，籽晶201与硅溶液203之间的温差被大大缩小，从而避免籽晶201因热量冲击而造成较多的位错等晶格缺陷。另外，由于籽晶201和晶体预热块202是两个分离体，晶体预热块202的位错等晶格缺陷不会攀升到籽晶201上，避免籽晶201晶格缺陷的产生，以可以扩大生长的细颈的直径，以满足大投料量的需求和生长大尺寸(较大直径)单晶硅的需求，提高单晶硅的产量。

步骤S103：下降籽晶和晶体预热块，直至晶体预热块完全浸入硅溶液中，并使籽晶的下端与硅溶液熔接。

该步骤一种具体实现方式可包括：步骤A：按照第一下降速度下降籽晶201和晶体预热块202，并控制籽晶201的下端到硅溶液203的表面的距离在5～30mm范围内，比如可以为5mm、6mm、8mm、10mm、13mm、15mm、18mm、20mm、22mm、25mm、27mm、30mm等；步骤B：在晶体预热块202与硅溶液203的熔接状态稳定后，按照第二下降速度继续下降籽晶201和晶体预热块202，直至晶体预热块202完全浸入硅溶液203中。该晶体预热块202完全浸入硅溶液203中的状态可如图5所示，即晶体预热块202完全浸入硅溶液中，但仍未完全熔化，并可继续通过第二下降速度下降籽晶201，使籽晶201浸入硅溶液，完成如图6所示的籽晶201与硅溶液203熔接。其中，第一下降速度和第二下降速度可以相同，也可以不同。第一下降速度一般不超过5mm/min，第二下降速度一般也不超过5mm/min，一个优选地实施例中，第一下降速度在0.1～5mm/min范围内。一个优选地实施例中，第二下降速度在0.1～5mm/min范围内。第一下降速度和第二下降速度可以为1mm/min、2mm/min、2.5mm/min、3mm/min、3.5mm/min、4mm/min或4.5mm/min等。具体地，第一下降速度的大小与晶体预热块202的高度、晶体预热块202与硅溶液203接触面积、晶体预热块202的下降时长等有关。一般来说，需要控制步骤A中按照第一下降速度，下降籽晶201和晶体预热块202的下降时长在10～60min范围内，且需要保证籽晶201的下端到硅溶液203的表面的距离在5～30mm范围内。那么，在籽晶201的下端到晶体预热块202的底部的距离为h时，如果

则第一下降速度的最大值为

如果

则第一下降速度的最大值为5mm/min。通过上述第一下降速度的控制，一方面可以控制晶体预热块202能够完全与硅溶液203熔接，另一方面可以保证籽晶201逐步升温的时长，从而有效地降低籽晶201产生位错等晶格缺陷的概率。

上述步骤B中晶体预热块202与硅溶液203的熔接状态稳定可通过肉眼观测或者设备检测出来，即在硅溶液203表面、围绕晶体预热块202产生亮度均匀且比较亮的光环。通过控制晶体预热块202与硅溶液203的熔接状态稳定，可以保证后续籽晶201与硅溶液203熔接的稳定性以及后续引晶过程的顺利完成。

另外，在该步骤中，在籽晶201的下端与硅溶液203熔接后，可在籽晶201的下端出现四个凸起(该现象说明籽晶201的下端与硅溶液203充分熔接)后，继续维持籽晶201的下端与硅溶液203熔接5～20min，比如可以为5min、8min、10min、15min、17min或20min等。通过该过程可以使籽晶201进一步升温，以进一步缩小与硅溶液203的温差，同时保证硅溶液203中不存在未熔化晶体，以保证后续生长出的单晶硅的完整性。

步骤S104：向上提拉籽晶进行引晶操作或者直接进入放肩工艺。

该步骤的执行需保证单晶硅的生长条件已经稳定，其中，单晶硅的生长条件稳定是指在籽晶201与硅溶液203熔接后，籽晶201与硅溶液203接触区域出现四个凸起，该单晶硅的生长条件稳定可通过肉眼观测或者设备检测得到。

在该步骤中，引晶操作可以引出等径细颈。其中，提拉籽晶201引等径的细颈过程中，拉速一般控制在0.1～15mm/min范围内，比如可以为0.1mm/min、1mm/min、2mm/min、5mm/min、6mm/min、8mm/min、9mm/min10mm/min、12mm/min、13mm/min、15mm/min等，即提拉的速度(拉速)可以在0.1～15mm/min范围内变化。具体拉速的控制需结合硅溶液温度以及拉制细颈的直径进行调整，比如，当前硅溶液温度比较低，会使单晶硅横向生长趋势提高，可以适当提升拉速。当前硅溶液温度比较高，可以适当降低拉速。当前硅溶液温度在细颈生长所需温度范围内，且细颈直径也在所需范围内，则可继续保持当前的拉速，如果当前细颈生长直径超过所设置的直径则可适当提高拉速等。通过控制提拉速度(拉速)，一方面可以保证细颈的正常生长，另一方面，可有效地保证细颈生长效率。另外，在该步骤中，在整个等径的细颈生长过程中一般维持拉速相对稳定的升高或降低，即拉速不会从0.1直接提升到15mm/min，以保证细颈和籽晶稳定。

另外，为了能够提高细颈的直径，从而提高细颈的承载能力，以满足大投料和提高产量的需求，在该步骤S104中，针对籽晶201的直径不大于10mm的情况，可控制细颈的直径与籽晶201的直径之间的差值不超过1mm。比如，图7所示的，通过籽晶引出等径的细颈205。即细颈205的直径基本与籽晶201的直径一致，同时能够有效地保证细颈205的直径以及细颈205能够正确的生长。即在生产小直径的细颈时，可选用小直径的籽晶201，比如生产直径2mm的细颈205，可选用直径2mm的籽晶201，生产直径6mm的细颈205可选用直径6mm的籽晶201等，可实现降低籽晶成本。值得说明的是，上述籽晶201的直径与细颈205的直径之间的关系是一种优选的。本发明实施例提供的方案可通过任意直径的籽晶201提拉出任意期望的直径的单晶硅。比如，直径为10mm的籽晶可提拉出直径为2mm的细颈或者直径为20mm的单晶硅等。又比如，直径为2mm的籽晶201可提拉出直径为2mm的细颈205或者直径为30mm的单晶硅等。

另外，在该步骤S104中，还可选用直径大于10mm的籽晶201。针对籽晶201的直径大于10mm的情况，一般可控制细颈205的直径不小于9mm。保证籽晶利用率，同时能够有效地保证并提高细颈的直径以及细颈能够正确的生长。

值得说明的是，不管籽晶201的直径是多大，其也可用来生长小于9mm的细颈。比如，籽晶201的直径为10mm或者15mm或者20mm等，利用本发明实施例提供的方案也可用来生长1mm、2mm、5mm、6mm、8mm等小直径的细颈。

另外，在该步骤中还可忽略引细颈操作，直接进入放肩工艺，以有效地缩短单晶硅生长周期。

因此，本发明实施例提供的方案，通过晶体预热块202作为过渡和缓冲，可以实现预热籽晶201，缩小籽晶201与硅溶液203之间的温差，避免籽晶201受到热量冲击，从而降低籽晶201产生位错等晶格缺陷的概率，能够满足大直径细颈的无位错生长，提高细颈的机械强度，提高细颈的承重能力，从而解决细颈承重的问题。

另外，本发明实施例提供的方案通过使籽晶201的下端连接的晶体预热块202与硅溶液203接触并熔接，以通过晶体预热块202将硅溶液203的热量传导给籽晶201，即在籽晶201与硅溶液203接触前，先通过晶体预热块202过渡，传导热量给籽晶201，缩小籽晶201与硅溶液203之间的温度差，降低籽晶201与硅溶液203熔接而受到的热量冲击，从而减少或消除籽晶产生的位错等晶格缺陷。并且，由于晶体预热块202与籽晶201为两个分离体，这使晶体预热块202熔接产生的位错等晶格缺陷不会攀移至籽晶201上，这也避免籽晶201产生位错等晶格缺陷。这样可以扩大生长的细颈205的直径，以满足大投料量的需求和生长大尺寸单晶硅的需求，提高单晶硅的产量。

本发明实施例还提供了一种引晶结构，该引晶结构可应用于上述实施例提供的单晶硅的生长方法。如图2至图4所示，该引晶结构可包括：籽晶201和连接于籽晶201的下端的晶体预热块202，晶体预热块202与籽晶201为两个分离体。

其中，该引晶结构在引晶过程中，晶体预热块202，用于与硅溶液203熔接，并将硅溶液203的热量传导给籽晶201。

其中，晶体预热块202设有凹槽，籽晶201的下端嵌入凹槽内。

其中，晶体预热块202的高度范围为10～100mm，晶体预热块202的直径范围为10～50mm，籽晶201嵌入晶体预热块202，籽晶201嵌入晶体预热块202的深度范围为3～43mm。比如，晶体预热块202的高度可以为10mm、15mm、18mm、20mm、25mm、30mm、35mm、50mm、55mm、60mm、70mm、80mm、90mm、95mm或100mm等。晶体预热块202的直径可以为10mm、15mm、18mm、20mm、22mm、25mm、28mm、30mm、35mm、40mm、45mm或50mm等。籽晶201嵌入晶体预热块202的深度可以为3mm、5mm、8mm、10mm、15mm、20mm、25mm、30mm、35mm或43mm等。

由于该引晶结构包括的晶体预热块与籽晶为两个分离体，这使晶体预热块熔接产生的位错等晶格缺陷不会攀移至籽晶上，这也避免或减少籽晶产生位错等晶格缺陷。这样可以扩大生长的细颈的直径，以满足大投料量的需求和生长大尺寸单晶硅的需求，提高单晶硅的产量。

下面通过几个具体实施例详细说明，通过上述引晶结构实现的单晶硅的生长。

实施例1：

步骤s11：选用下端直径为10mm的籽晶，并选择总高度为30mm、直径为30mm的圆柱形晶体预热块，并将籽晶嵌入晶体预热块的深度为10mm。

步骤s12：将籽晶和晶体预热块下降，使晶体预热块与硅溶液接触，此时晶体预热块将溶液的高温，通过热传导的方式传导给籽晶，避免籽晶直接受到比较大的热冲击，直接产生位错。

步骤s13：待晶体预热块与硅溶液充分熔接后，按照1mm/min的第一下降速度将晶体预热块下降15mm后，观察晶体预热块的熔化状态，待充分熔接后，再以1mm/min的第二下降速度将晶体预热块完全浸没入硅溶液，让籽晶和硅溶液充分熔接。

步骤s14：待籽晶充分熔接，籽晶下端出现四个凸起时，稳定10min，保持状态稳定后，进入自动引晶状态；其中细颈的直径设置成10mm，细颈长度设置成100mm，待细颈长度达到100mm，进入放肩阶段。

实施例2：

步骤s21：选用下端直径为20mm的籽晶，并选择总高度为40mm、边长为40mm的正方体晶体预热块，并将籽晶嵌入晶体预热块内的深度为10mm。

步骤s22：与上述步骤s12一致。

步骤s23：与上述步骤s13一致，并将第一下降速度和第二下降速度均调整为2mm/min，并在下降25mm后观察晶体预热块的熔化状态。

步骤s24：待籽晶充分熔接，籽晶下端出现四个凸起时，继续稳定20min，保持状态稳定后，进入自动引晶状态；其中细颈的直径设置成10mm，细颈长度设置成100mm，待细颈长度达到100mm，进入放肩阶段。

实施例3：

步骤s31：与上述步骤s21一致；

步骤s32：与上述步骤s22一致；

步骤s33：与上述步骤s23一致，并将第一下降速度和第二下降速度均调整为1.5mm/min，并在下降20mm后观察晶体预热块的熔化状态；

步骤s34：待籽晶充分熔接，籽晶下端出现四个凸起时，继续稳定30min，保持状态稳定后，进入自动引晶状态；其中细颈的直径设置成15mm，细颈长度设置成80mm，待细颈长度达到80mm，进入放肩阶段。

实施例4：

步骤s41：与上述步骤s21一致；

步骤s42：与上述步骤s22一致；

步骤s43：与上述步骤s23一致，并将第一下降速度和第二下降速度下降速度调整为1.5mm/min，并在下降20mm观察晶体预热块的熔化状态；

步骤s44：待籽晶充分熔接，籽晶下端出现四个凸起时，继续稳定30min，保持状态稳定后，进入自动引晶状态；其中细颈的直径设置成20mm，细颈长度设置成70mm，待细颈长度达到70mm，进入放肩阶段。

实施例5：

步骤s51：与上述步骤s21一致；

步骤s52：与上述步骤s22一致；

步骤s53：与上述步骤s23一致，并将第一下降速度和第二下降速度调整为3mm/min，并在下降15mm后观察晶体预热块的熔化状态；

步骤s54：待籽晶充分熔接，籽晶下端出现四个凸起时，继续稳定20min，保持状态稳定后，直接进入放肩工艺。

以上步骤所提供的介绍，只是用于帮助理解本发明的方法、结构及核心思想。对于本技术领域内的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也同样属于本发明权利要求保护范围之内。

Claims (10)

1.一种单晶硅的生长方法，其特征在于，包括：

步骤(a)、在籽晶的下端连接晶体预热块，所述晶体预热块与所述籽晶为两个分离体；

步骤(b)、将连接在所述籽晶的下端的所述晶体预热块与硅溶液接触并熔接；

步骤(c)、下降所述籽晶和所述晶体预热块，直至所述晶体预热块完全浸入所述硅溶液中，并使所述籽晶的下端与所述硅溶液熔接；

步骤(d)、向上提拉所述籽晶进行引晶操作或者直接进入放肩工艺。

2.根据权利要求1所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，维持所述籽晶的下端与所述硅溶液的熔接时间在5～30min范围内。

3.根据权利要求1所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，所述步骤(c)包括：

步骤(c1)、按照第一下降速度下降所述籽晶和所述晶体预热块，并控制所述籽晶的下端到所述硅溶液的表面的距离在5～30mm范围内；

步骤(c2)、在所述晶体预热块与所述硅溶液的熔接状态稳定后，按照第二下降速度继续下降所述籽晶和所述晶体预热块，直至所述晶体预热块完全浸入所述硅溶液中。

4.根据权利要求3所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，

在所述步骤(c1)中，所述籽晶和所述晶体预热块的下降时长在10～60min范围内。

5.根据权利要求3所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，

所述第一下降速度在0.1～5mm/min范围内；

和/或，

所述第二下降速度在0.1～5mm/min范围内。

6.根据权利要求1所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，在所述步骤(c)中，

在所述籽晶的下端出现四个凸起后，继续维持所述籽晶的下端与所述硅溶液熔接5～20min。

7.根据权利要求1所述的单晶硅的生长方法，其特征在于，

步骤(d)中，向上提拉所述籽晶的提拉速度在0.1～15mm/min范围内。

8.一种引晶结构，其特征在于，应用于权利要求1～7中任一项所述的单晶硅的生长方法，所述引晶结构包括：籽晶(201)和连接于所述籽晶(201)的下端的晶体预热块(202)，所述晶体预热块(202)与所述籽晶(201)为两个分离体。

9.根据权利要求8所述的引晶结构，其特征在于，

所述晶体预热块(202)设有凹槽，所述籽晶(201)的下端嵌入所述凹槽内。

10.根据权利要求8或9所述的引晶结构，其特征在于，

所述晶体预热块(202)的高度范围为10～100mm，所述晶体预热块(202)的直径范围为10～50mm，所述籽晶(201)嵌入所述晶体预热块(202)，所述籽晶(201)嵌入所述晶体预热块(202)的深度范围为3～43mm。

Images