CN113588701A - 检测三维存储器结构缺陷的方法、装置、设备和存储介质 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种检测三维存储器结构缺陷的方法、装置、设备和存储介质。三维存储器包括堆叠结构和至少两个贯穿所述堆叠结构的共源线结构，该方法包括：对至少两个共源线结构的端面进行电子束扫描，使得具有漏电破损的共源线结构比合格的共源线结构发出更多的电子；根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面；以及若识别出亮端面，获取亮端面对应的共源线结构在堆叠结构中的位置。

Description

检测三维存储器结构缺陷的方法、装置、设备和存储介质

技术领域

本申请涉及半导体领域，更具体的，涉及一种检测三维存储器的结构缺陷的方法、装置、设备和存储介质。

背景技术

消费者不断追求大容量、高密度的存储器件，继而三维存储器应运而生。

随着3D NAND型的三维存储器的发展，其堆叠层数不断增多、各种功能层的厚度不断变小。在制造三维存储器的过程中，较薄的层结构可能破损，进而该层两侧被间隔的结构可能连通。

例如，三维存储器的共源线结构包括由内向外设置的：导电层、粘合层和绝缘层。共源线结构外套设有多个栅极层。当共源线结构破损时，栅极层可能与导电层连接，进而在工作时栅极层与导电层之间会漏电。三维存储器中设置了大量的共源线结构，本领域技术人员期望检测出具体是哪个共源线结构漏电。

发明内容

本申请的实施例提供了一种检测三维存储器的结构缺陷的方法，该三维存储器可包括堆叠结构和至少两个贯穿堆叠结构的共源线结构，该方法包括：对至少两个共源线结构的端面进行电子束扫描，使得具有漏电破损的共源线结构比合格的共源线结构发出更多的电子；根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面；以及若识别出亮端面，获取亮端面对应的共源线结构在堆叠结构中的位置。

在一个实施方式中，根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面的步骤包括：根据共源线结构被进行电子束扫描后发出的二次电子得到端面的亮度。

在一个实施方式中，在进行电子束扫描后，方法还包括：获取堆叠结构的顶面的亮度，其中，堆叠结构的顶面的亮度比暗端面的亮度低；以及至少根据堆叠结构的顶面的亮度与至少两个端面的亮度得到三维存储器的亮度图像。

在一个实施方式中，获取共源线结构的位置的步骤包括：获取亮端面在亮度图像中的位置。

第二方面，本申请的实施例提供了一种检测三维存储器的结构缺陷的装置，三维存储器可包括堆叠结构和至少两个贯穿堆叠结构的共源线结构，该装置包括：扫描单元，被配置为对至少两个共源线结构的端面进行电子束扫描，使得具有漏电破损的共源线结构比合格的共源线结构发出更多的电子；取像单元，被配置为根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面；以及识别单元，被配置为若识别出亮端面，获取亮端面对应的共源线结构在堆叠结构中的位置。

在一个实施方式中，取像单元被配置为：根据共源线结构被进行电子束扫描后发出的二次电子得到端面的亮度。

在一个实施方式中，取像单元被配置为：获取堆叠结构的顶面的亮度，其中，堆叠结构的顶面的亮度比暗端面的亮度低；以及至少根据堆叠结构的顶面的亮度与至少两个端面的亮度得到三维存储器的亮度图像。

在一个实施方式中，获取共源线结构的位置的步骤包括：获取亮端面在亮度图像中的位置。

本申请的另一方面提供一种电子设备，包括：至少一个处理器；以及存储器，与述至少一个处理器通信连接并存储有可被至少一个存储器执行的指令，指令被至少一个处理器执行，以使至少一个处理器能够执行前述的方法。

本申请的第四方面提供一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其特征在于，计算机指令用于使计算机执行前述的方法。

本申请的实施例提供的检测三维存储器结构缺陷的方法，能够快速地得到三维存储器对电子束扫描的响应，进而能够较快地获得检测结果。该方法可以准确地确定出大量的共源线结构中具体哪个位置的共源线结构发生了破损、漏电。进而可以根据检测结果作进一步地分析，例如分析漏电位置对三维存储器使用性能的影响。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1是本申请的一个实施方式可以应用于其中的示意性系统架构图；

图2是根据本申请实施方式的检测三维存储器结构缺陷的方法的流程图；

图3是一种三维存储器的示意性剖视图；

图4是一种待检测的三维存储器的示意性剖视图；

图5是图3中A处的放大图；

图6是图3中B处的放大图；

图7是被检测的共源线结构的检测原理示意图；

图8是图7中被检测的共源线结构的示意性亮度图；

图9是一种三维存储器所形成的亮度图像；

图10是根据本申请实施方式的检测三维存储器的结构缺陷的装置的结构示意图；以及

图11是用来实现本申请实施方式的检测三维存储器结构缺陷的方法电子设备的框图。

具体实施方式

为了更好地理解本申请，将参考附图对本申请的各个方面做出更详细的说明。应理解，这些详细说明只是对本申请的示例性实施方式的描述，而非以任何方式限制本申请的范围。在说明书全文中，相同的附图标号指代相同的元件。表述“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任何和全部组合。

应注意，在本说明书中，第一、第二、第三等的表述仅用于将一个特征与另一个特征区分开来，而不表示对特征的任何限制。因此，在不背离本申请的教导的情况下，下文中讨论的第一栅极层也可被称作第二栅极层。反之亦然。

在附图中，为了便于说明，已稍微调整了部件的厚度、尺寸和形状。附图仅为示例而并非严格按比例绘制。例如，第一栅极层的厚度和绝缘层的厚度并非按照实际生产中的比例。如在本文中使用的，用语“大致”、“大约”以及类似的用语用作表近似的用语，而不用作表程度的用语，并且旨在说明将由本领域普通技术人员认识到的、测量值或计算值中的固有偏差。

还应理解的是，用语“包括”、“包括有”、“具有”、“包含”和/或“包含有”，当在本说明书中使用时表示存在所陈述的特征、元件和/或部件，但不排除存在或附加有一个或多个其它特征、元件、部件和/或它们的组合。此外，当诸如“...中的至少一个”的表述出现在所列特征的列表之后时，修饰整个所列特征，而不是修饰列表中的单独元件。此外，当描述本申请的实施方式时，使用“可”表示“本申请的一个或多个实施方式”。并且，用语“示例性的”旨在指代示例或举例说明。

除非另外限定，否则本文中使用的所有措辞(包括工程术语和科技术语)均具有与本申请所属领域普通技术人员的通常理解相同的含义。还应理解的是，除非本申请中有明确的说明，否则在常用词典中定义的词语应被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应以理想化或过于形式化的意义解释。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。另外，除非明确限定或与上下文相矛盾，否则本申请所记载的方法中包含的具体步骤不必限于所记载的顺序，而可以任意顺序执行或并行地执行。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。

图1示出了可以应用本申请实施例的检测三维存储器的结构缺陷的方法、检测三维存储器的结构缺陷的装置的示例性系统架构100。

如图1所示，系统架构100可以包括终端101、网络102和服务器103。网络102用以在终端101与服务器103之间提供通信链路的介质。网络102可以包括各种连接类型，例如有线、无线通信链路或者光纤电缆等。用户110可以使用终端101通过网络102与服务器103进行交互，以接收或发送消息等。终端101、102上可以安装有各种应用。这里的终端101可以是硬件，也可以是软件。当终端101为硬件时，可以是具有显示屏的各种电子设备，包括但不限于平板电脑和台式计算机等。

当终端101为软件时，可以安装在上述所列举的电子设备中。其可以实现成多个软件或软件模块(例如用来提供分布式服务)，也可以实现成单个软件或软件模块。在此不做具体限定。当终端101为硬件时，其上还可以安装有图像采集设备。图像采集设备可以是各种能实现采集图像功能的设备，如摄像头、传感器等等。用户110可以利用终端101上的图像采集设备，来采集三维存储器的亮度信息，然后可生成电子文档。终端101也可直接获取电子文档。

服务器103也可以是提供各种服务的服务器，例如对终端101上显示的各种应用提供支持的后台服务器。服务器也可接收待分析的亮度信息，将分析结果反馈给终端。服务器103同样可以是硬件，也可以是软件。当它为硬件时，可以实现成多个服务器组成的分布式服务器集群，也可以实现成单个服务器。当它为软件时，可以实现成多个软件或软件模块(例如用来提供分布式服务)，也可以实现成单个软件或软件模块。在此不做具体限定。本申请实施例所提供的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法可由服务器103执行。相应地，用于检测三维存储器的结构缺陷的装置也可设置于服务器103中。

应该理解，图1中的终端、网络、数据库服务器和服务器的数目仅仅是示意性的。根据实现需要，可以具有任意数目的终端、网络、数据库服务器和服务器。

继续参见图2至图6，图2示出了一种三维存储器的示意性剖视图。图3出了待检测的三维存储器的示意性剖视图，图3示出的三维存储器200是在三维存储器200’的制造过程中形成共源线结构203之后的结构。三维存储器200’的顶面为待检测的表面，共源线结构203的端面213暴露于三维存储器200’的顶面。图6示出了根据本申请的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法的一个实施例的流程图。

该方法300可以包括以下步骤：

步骤S301，对至少两个共源线结构的端面进行电子束扫描。

步骤S302，根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面。

示例性地，步骤S303，若识别出亮端面，获取亮端面对应的共源线结构在堆叠结构中的位置。

以下参考图3至图5详述本申请可以去检测的三维存储器的具体结构，并参考附图7至附图9进一步详述本申请提供的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法300。

如图2所示，三维存储器200’包括衬底201、堆叠结构202、共源线结构203和沟道结构204。

堆叠结构202设置于衬底201上。堆叠结构202包括栅层结构205和填充绝缘层206。三维存储器200’在水平面内可划分有台阶区SS和存储区GB。

栅层结构205包括交替堆叠的栅极层207～208和绝缘层209。栅层结构205在台阶区SS的部分形成台阶结构，每阶台阶可对应一个栅极层。填充绝缘层206覆盖栅层结构205，可包括填充台阶结构的部分。填充绝缘层206的各部分的材料可以相同。

图2中，以竖直方向为z方向，台阶延伸的方向可以是x方向。沟道结构204可设置于存储区GB，其贯穿栅层结构205并可延伸至衬底201中。共源线结构203设置于存储区GB，其沿z方向贯穿堆叠结构202并可延伸至衬底201中。共源线结构203可沿x方向延伸一定长度。图2中共源线结构203沿垂直于x方向的y方向被剖视。

三维存储器200’还包括导电通道210～212。第一导电通道210可贯穿填充绝缘层206并与第一栅极层207电连接，第二导电通道211可贯穿填充绝缘层206并与第二栅极层208电连接，第三导电通道212可贯穿填充绝缘层206并与沟道结构204电连接。沟道结构204在对应栅极层207～208(作为控制栅的栅极层)的部分可包括由外至内依次设置的阻挡层、电荷存储层、隧穿层、沟道层和绝缘芯填充层(层状结构未图示)。进一步地，沟道结构204还包括其顶部的漏极和底部的源极。沟道结构204与每个栅极层207～208对应的部分与该栅极层一起构成一个浮栅控制型的存储单元。

参考图3，在制造三维存储器200’的过程中，形成共源线结构203之后的三维存储器200的表面暴露出共源线结构203的端面213。

如图4所示，衬底201可包括进行了P型掺杂的基底214和进行了N型掺杂的掺杂部215。共源线结构203可与掺杂部215欧姆接触，进而通过掺杂部215与基底213连接。基底214和掺杂部215形成PN结且N区连接共源线结构203。

如图5所示，共源线结构203外侧还包覆有绝缘防护层216。共源线结构203在水平方向上可包括由外至内设置的连接层217和导电层218。示例性地，连接层217的材料为TIN，也可具有导电性能。若在制造过程中绝缘防护层216破损，则连接层217或导电层218可能与第一栅极层207电连接。而正常的结构例如第二栅极层208处，第二栅极层208与导电层218之间被绝缘防护层216隔绝。

本申请提供用于检测三维存储器的结构缺陷的方法300。

步骤S301

对至少两个共源线结构203的端面213进行电子束扫描。电子束经过加速后可照射到三维存储器200的顶面。三维存储器200的各结构会在电子束的影响下产生很多信号。例如电子束中的电子撞击到质量大的原子核会被反弹，这些被反弹的电子可称为背散射电子。三维存储器200中的元素包括一些核外电子，这些核外电子获得能量后可脱离三维存储器200，进而可被称为二次电子。三维存储器200还可产生例如X射线、俄歇电子等。电子束的扫射可保证待检测区域都被照射到。

步骤S302

根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面。进一步地，根据至少两个共源线结构的端面的亮度来进行识别。

示例性地，根据多个共源线结构213被进行电子束扫描后发出的二次电子得到端面的亮度。进而可通过二次电子的量将多个端面213中的每一个识别为亮端面或暗端面。

被激发出的二次电子的产率σ可满足公式：

σ＝Ns/Ne；

其中，Ns是发射出的二次电子的数目；Ne是入射电子的数目。而被激发出二次电子的产率σ可通过控制电子束的电压而控制。在一些实施例中，可控制σ大于1，即发射出的二次电子的数目多于入射电子的数目。

具体地，参考图7，图7中示出了两个共源线结构203a～203b。两个共源线结构203a～203b下端分别连接衬底。衬底对应共源线结构203a～203b的部分分别形成了一个PN结，且N区连接在共源线结构203a～203b。由于PN结的设置，共源线结构203a～203b与衬底形成的电路中电流只能从衬底流向共源线结构203a～203b，不能由共源线结构203a～203b流向衬底。

第一栅极层207被共源线结构203a～203b穿过。具体地，第一共源线结构203a与第一栅极层207之间有绝缘防护层(未示出)；第二共源线结构203b与第二栅极层207之间接触而可漏电。

电子束照射到第一共源线结构203a时，第一共源线结构203a被激发出二次电子。发出二次电子后的第一共源线结构203a呈正电性，且由于第一共源线结构203a处于不与其他结构电连接的浮空状态(floating)，因此第一共源线结构203a的端面212a会堆积正电荷。在第一共源线结构203a的正电荷作用下，二次电子的运动轨迹会弯向三维存储器，进而较难被捕捉。

电子束照射到第二共源线结构203b时，第二共源线结构203b被激发出二次电子。发出二次电子后的第二共源线结构203b呈正电性，且由于第二共源线结构203b与第一栅极层207之间电连接，因此第二共源线结构203b的端面213b表面较难积蓄电荷，进而没有较高的正电位。二次电子能够更容易地远离三维存储器，进而较容易被捕捉。即具有漏电破损的第二共源线结构203b比合格的第一共源线结构203a向预定方向/高度发出更多的电子。

如图8所示，自第一共源线结构203a的端面213a处发出的电子被捕捉的较少，进而该端面213a被识别为暗端面。自第二共源线结构203b处发出的电子被捕捉的电子较多，进而该端面213b被识别为亮端面。

示例性地，在进行电子束扫描后，方法300还包括：获取堆叠结构202的顶面的亮度。然后至少根据堆叠结构202的顶面的亮度与多个端面213a～213b的亮度得到三维存储器200的亮度图像。

如图9所示，堆叠结构的顶面的亮度最暗。暗端面的亮度略高于堆叠结构的顶面亮度。亮端面在亮度图像中近乎显示为白色。

步骤S303

若识别出亮端面，获取亮端面对应的共源线结构在堆叠结构中的位置。示例性地，若未识别出亮端面，则可结束检测。

参考图9，示例性地，获取共源线结构的位置的步骤包括：获取亮端面在亮度图像中的位置。亮度图像可以准确地展现三维存储器中共源线结构的排布方式，进而能够用于确定各个亮端面对应的共源线结构在三维存储中的位置。

本申请提供的检测三维存储器的结构缺陷的方法，可以在制造赛维存储器的过程中，较早地发现三维存储器中的结构缺陷，并且可以确定出具体是哪个共源线结构发生了泄漏。进而可以分析共源线结构漏电后对三维存储器造成的影响。而且共源线结构对电子束的响应较快，可以更快地获得检测结果。

如图10所示，作为对上述方法的实现，本申请提供一种检测三维存储器的结构缺陷的装置的实施例。该装置可与图6所示的方法实施例相对应，该装置具体可应用于电子设备中。

如图10所示，该装置400包括：扫描单元401、取像单元402和识别单元403。

扫描单元401可对至少两个共源线结构的端面进行电子束扫描。示例性地，扫描单元401可设置电子束的具体参数、设置扫描区域等，继而使得具有漏电破损的共源线结构比合格的共源线结构发出更多的电子。

取像单元402可根据端面的亮度，将端面识别为亮端面或暗端面。示例性地，取像单元402可根据三维存储器被进行电子束扫描后发出的二次电子的数量而获取不同区域的亮度。示例性地，取像单元402被配置为：获取叠结构的顶面的亮度，至少根据堆叠结构的顶面的亮度与至少两个端面的亮度得到三维存储器的亮度图像。堆叠结构的顶面的亮度比暗端面的亮度低。

识别单元403可被配置为若识别出亮端面，获取亮端面对应的共源线结构在堆叠结构中的位置。通常多个端面中有亮端面和暗端面。但是在一定视野范围内，可能多个端面全部为亮端面或者全部为暗端面。示例性地，识别单元403被配置为：获取亮端面在亮度图像中的位置。

根据本申请的实施例，本申请还提供了一种电子设备和一种可读存储介质。

图11示出本申请实施方式的用于检测三维存储器的结构缺陷的电子设备。电子设备旨在表示各种形式的数字计算机，诸如，膝上型计算机、台式计算机、工作台、个人数字助理、服务器、刀片式服务器、大型计算机和其它适合的计算机。本文所示的部件、它们的连接和关系、以及它们的功能仅仅作为示例，并且不意在限制本文中描述的和/或者要求的本申请的实现。

如图11所示，该电子设备包括：一个或多个处理器501、存储器502，以及用于连接各部件的接口，包括高速接口和低速接口。各个部件利用不同的总线互相连接，并且可以被安装在公共主板上或者根据需要以其它方式安装。处理器可以对在电子设备内执行的指令进行处理，包括存储在存储器中或者存储器上以在外部输入/输出装置(诸如，耦合至接口的显示设备)上显示GUI的图形信息的指令。在其它实施方式中，若需要，可以将多个处理器和/或多条总线与多个存储器和多个存储器一起使用。同样，可以连接多个电子设备，各个设备提供部分必要的操作(例如，作为服务器阵列、一组刀片式服务器、或者多处理器系统)。图11中以一个处理器501为例。

存储器502即为本申请所提供的非瞬时计算机可读存储介质。存储器502存储有可由至少一个处理器执行的指令，以使至少一个处理器501执行本申请所提供的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法。本申请的非瞬时计算机可读存储介质存储计算机指令，该计算机指令用于使计算机执行本申请所提供的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法。

存储器502作为一种非瞬时计算机可读存储介质，可用于存储非瞬时软件程序、非瞬时计算机可执行程序以及模块，如本申请实施例中的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法对应的程序指令/模块(例如，附图10所示的各单元)。处理器501通过运行存储在存储器502中的非瞬时软件程序、指令以及模块，从而执行服务器的各种功能应用以及数据处理，即实现上述方法实施例中的用于检测三维存储器的结构缺陷的方法。

存储器502可以包括存储程序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统、至少一个功能所需要的应用程序；存储数据区可存储根据用于检测三维存储器的结构缺陷的电子设备的使用所创建的数据等。此外，存储器502可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非瞬时存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非瞬时固态存储器件。在一些实施例中，存储器502可选包括相对于处理器501远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至用于控制质量的电子设备。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

示例性地，该电子设备还包括电子束发射装置、机台等。电子束发射装置、机台等可受处理器501的控制而工作。

用于检测三维存储器的结构缺陷的方法的电子设备还可以包括：输入装置503和输出装置504。处理器501、存储器502、输入装置503和输出装置504可以通过总线或者其他方式连接，图11中以通过总线连接为例。

输入装置503可接收输入的数字或字符信息，以及产生与用于控制质量的电子设备的用户设置以及功能控制有关的键信号输入，例如触摸屏、小键盘、鼠标、轨迹板、触摸板、指示杆、一个或者多个鼠标按钮、轨迹球、操纵杆等输入装置。输出装置504可以包括显示设备、辅助照明装置(例如，LED)和触觉反馈装置(例如，振动电机)等。该显示设备可以包括但不限于，液晶显示器(LCD)、发光二极管(LED)显示器和等离子体显示器。在一些实施方式中，显示设备可以是触摸屏。

根据本申请实施例的技术方案，可以构建用于检测半导体器件的设备。可在制造三维存储器的过程中，使用该设备检测三维存储器。能够在整个制造工序中，较早较好地检测出三维存储器中，共源线与栅极层的漏电处，进而可较早地获知每个三维存储的性能。

应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发申请中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本申请公开的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。

以上描述仅为本申请的较佳实施方式以及对所运用技术原理的说明。本领域技术人员应当理解，本申请中所涉及的保护范围，并不限于上述技术特征的特定组合而成的技术方案，同时也应涵盖在不脱离所述技术构思的情况下，由上述技术特征或其等同特征进行任意组合而形成的其它技术方案。例如上述特征与本申请中的(但不限于)具有类似功能的技术特征进行互相替换而形成的技术方案。

Claims (10)

1.一种检测三维存储器的结构缺陷的方法，所述三维存储器包括堆叠结构和至少两个贯穿所述堆叠结构的共源线结构，其特征在于，所述方法包括：

对至少两个所述共源线结构的端面进行电子束扫描，使得具有漏电破损的共源线结构比合格的共源线结构发出更多的电子；

根据所述端面的亮度，将所述端面识别为亮端面或暗端面；以及

若识别出亮端面，获取所述亮端面对应的共源线结构在所述堆叠结构中的位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述根据所述端面的亮度，将所述端面识别为亮端面或暗端面的步骤包括：

根据所述共源线结构被进行所述电子束扫描后发出的二次电子得到所述端面的亮度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在进行电子束扫描后，所述方法还包括：

获取所述堆叠结构的顶面的亮度，其中，所述堆叠结构的顶面的亮度比所述暗端面的亮度低；以及

至少根据所述堆叠结构的顶面的亮度与至少两个所述端面的亮度得到所述三维存储器的亮度图像。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，获取所述共源线结构的位置的步骤包括：

获取所述亮端面在所述亮度图像中的位置。

5.一种检测三维存储器的结构缺陷的装置，所述三维存储器包括堆叠结构和至少两个贯穿所述堆叠结构的共源线结构，其特征在于，所述装置包括：

扫描单元，被配置为对至少两个所述共源线结构的端面进行电子束扫描，使得具有漏电破损的共源线结构比合格的共源线结构发出更多的电子；

取像单元，被配置为根据所述端面的亮度，将所述端面识别为亮端面或暗端面；以及

识别单元，被配置为若识别出亮端面，获取所述亮端面对应的共源线结构在所述堆叠结构中的位置。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述取像单元被配置为：根据所述共源线结构被进行所述电子束扫描后发出的二次电子得到所述端面的亮度。

7.根据权利要求5所述的装置，其中，所述取像单元被配置为：

获取所述堆叠结构的顶面的亮度，其中，所述堆叠结构的顶面的亮度比所述暗端面的亮度低；以及

至少根据所述堆叠结构的顶面的亮度与至少两个所述端面的亮度得到所述三维存储器的亮度图像。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，获取所述共源线结构的位置的步骤包括：

获取所述亮端面在所述亮度图像中的位置。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

至少一个处理器；以及

存储器，与所述至少一个处理器通信连接并存储有可被所述至少一个存储器执行的指令，所述指令被所述至少一个处理器执行，以使所述至少一个处理器能够执行权利要求1-4中任一项所述的方法。

10.一种存储有计算机指令的非瞬时计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机指令用于使计算机执行权利要求1-4中任一项所述的方法。

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