CN113552042A - 一种湿法刻蚀设备及其管理方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种湿法刻蚀设备及其管理方法，湿法刻蚀设备包括缓冲区和刻蚀区，在缓冲区内靠近刻蚀区的入口处设置有气雾监控装置，以在入口打开时监控从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量；气雾监控装置与湿法刻蚀设备的上位机连接，在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置向上位机发送报警信号；上位机根据报警信号控制报警器报警。本发明的技术方案可以对扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量进行监控，在气雾的颗粒数量达到需要清理的阈值时，通知人员及时对缓冲区进行清理，避免现有技术中清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。

Description

一种湿法刻蚀设备及其管理方法

技术领域

本发明涉及湿法刻蚀设备管理技术，尤其涉及一种湿法刻蚀设备及其管理方法。

背景技术

在显示面板的制备工艺中，常常用到湿法刻蚀工艺，此工艺利用刻蚀液将玻璃基板上未被光刻胶覆盖的部分刻蚀掉，以形成所需的金属图案。

湿法刻蚀设备主要包括缓冲区、刻蚀区、清洗区、缓冲区和干燥区等，刻蚀设备通过传送轴将基板传送至各个区间，进行相应的处理。其中，刻蚀区中设置有一定数量的喷管，用于喷洒刻蚀液，喷管会在基板进入前提前打开，以对刻蚀区进行清洗。缓冲区与刻蚀区之间具有旋转门，在基板准备进入时，旋转门打开，再通过传送轴将基板从缓冲区传送至刻蚀区。由于刻蚀区提前喷洒刻蚀液，而刻蚀液中含有挥发性的酸，因此，旋转门打开后，会有酸性气雾从刻蚀区扩散至缓冲区，气雾凝结后会残留在传送轴、旋转门的转轴、或基板上，造成残渣不良，影响基板的最终刻蚀形貌，因此需要及时对缓冲区进行清理。

目前的一种解决方案是定期对缓冲区进行清理，然而，由于不同时间内，湿法刻蚀设备的使用情况以及刻蚀液的流量等因素存在差异，若固定周期对缓冲区进行清理，可能会出现清理不及时残渣过量造成严重不良或清理过于频繁残渣较少暂时无需清理的情况，导致清理不及时或清理过于频繁。另一种解决方案是在缓冲区设置清洗装置，在设备使用过程中持续对扩散至缓冲区的气雾进行清洗，但是，在气雾颗粒较少时便对其进行清洗会造成能源浪费。

发明内容

本发明提供一种湿法刻蚀设备及其管理方法，以对扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量进行监控，在气雾的颗粒数量达到需要清理的阈值时，通知人员及时对缓冲区进行清理，避免清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。

第一方面，本发明提供了一种湿法刻蚀设备，包括缓冲区和刻蚀区；

在缓冲区内靠近刻蚀区的入口处设置有气雾监控装置，以在入口打开时监控从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量；

气雾监控装置与湿法刻蚀设备的上位机连接，在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置向上位机发送报警信号；

上位机根据报警信号控制报警器报警。

可选的，气雾监控装置包括激光光源、光路调整元件和第一感光元件；光路调整元件包括第一反射器；

第一反射器和第一感光元件固定于缓冲区靠近刻蚀区的腔壁上，且分别位于入口的相对两侧；激光光源出射的激光经第一反射器反射后形成封闭入口的光幕，在无气雾遮挡时，光幕中与入口投影重叠的光线入射至第一感光元件；

第一感光元件感测入射至第一感光元件的第一光强信息，并根据第一光强信息确定扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量。

可选的，气雾监控装置还包括第二感光元件，第二感光元件固定于缓冲区靠近刻蚀区的腔壁上；激光光源出射的部分激光经光路调整元件后入射至第二感光元件；

第二感光元件感测入射至第二感光元件的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机；

上位机根据第二光强信息调整激光光源的功率。

可选的，光路调整元件还包括半透半反射器；

激光光源出射的部分激光经半透半反射器反射至第一反射器，再经第一反射器反射至半透半反射器，并从半透半反射器透射至第一感光元件；

激光光源出射的部分激光经半透半反射器透射至第二感光元件。

可选的，光路调整元件还包括分光器和第二反射器；

激光光源出射的部分激光经分光器透射至第一反射器，再经第一反射器反射至第一感光元件；

激光光源出射的部分激光经分光器反射至第二反射器，再经第二反射器反射至第二感光元件。

可选的，光路调整元件还包括限束器和第三反射器；

限束器和第三反射器依次设置于半透半反射器或第二反射器与第二感光元件的光路中。

可选的，光路调整元件还包括收集器；

收集器设置于第一反射器与第一感光元件的光路中。

第二方面，本发明还提供了一种湿法刻蚀设备的管理方法，采用第一方面提供的湿法刻蚀设备执行，其特征在于，包括：

气雾监控装置在刻蚀区的入口打开时监控从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量；

在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置向上位机发送报警信号；

上位机根据报警信号控制报警器报警。

可选的，气雾监控装置包括激光光源和第一感光元件；

气雾监控装置在刻蚀区的入口打开时监控从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，包括：

上位机控制激光光源出射激光；

第一感光元件感测入射至第一感光元件的第一光强信息，并根据第一光强信息确定扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，并将每次入口打开时的气雾的颗粒数量进行累加。

可选的，气雾监控装置还包括第二感光元件；

管理方法还包括：

第二感光元件感测入射至第二感光元件的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机；

上位机根据第二光强信息调整激光光源的功率。

本发明通过在缓冲区靠近刻蚀区的入口处设置气雾监控装置，使气雾监控装置与湿法刻蚀设备的上位机连接，从而可以利用气雾监控装置监控入口打开时从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，并在气雾的颗粒数量积累到预设值时，向上位机发送报警信号，使上位机根据报警信号控制报警器报警，通知人员及时对缓冲区进行清理，避免现有技术中清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的一种湿法刻蚀设备的管理方法的流程示意图；

图10是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的管理方法的流程示意图。

附图标记：

100-湿法刻蚀设备；10-缓冲区，11-传送轴；110-腔壁；20-刻蚀区；21-旋转门；210-入口；22-喷头；220-气雾颗粒；23-传送轴；30-基板；40-气雾监控装置；41-激光光源；42-光路调整元件；421-第一反射器；4210-光幕；422-半透半反射器；423-分光器；424-第二反射器；425-限束器；426-第三反射器；427-收集器；43-第一感光元件；44-第二感光元件。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构，且附图中各元件的形状和大小不反映其真实比例，目的只是示意说明本发明内容。

图1是本发明实施例提供的一种湿法刻蚀设备的结构示意图，参见图1，本发明实施例提供一种湿法刻蚀设备100，包括缓冲区10和刻蚀区20；在缓冲区10内靠近刻蚀区20的入口210处设置有气雾监控装置40，以在入口210打开时监控从刻蚀区20扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量；气雾监控装置40与湿法刻蚀设备的上位机连接，在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置40向上位机发送报警信号；上位机根据报警信号控制报警器报警。

参照图1，刻蚀区20中设置有一定数量的喷管22，用于喷洒刻蚀液，喷管22会在基板30进入前提前打开，以对刻蚀区20进行清洗。缓冲区10与刻蚀区20之间具有旋转门21，在基板30准备进入刻蚀区20时，旋转门21打开(即入口210打开)，再通过传送轴11和23将基板30从缓冲区10传送至刻蚀区20，并关闭旋转门21。由于刻蚀区20提前喷洒刻蚀液，而刻蚀液中含有挥发性的酸，因此，旋转门21打开后，会有气雾颗粒220从刻蚀区20扩散至缓冲区10，气雾颗粒220凝结后会残留在传送轴11、旋转门21的转轴、或基板30上，造成残渣不良，影响基板30的最终刻蚀形貌。

本实施例中，在缓冲区10内靠近刻蚀区20的入口210处设置有气雾监控装置40，如此，在入口210打开时，可以利用气雾监控装置40对从刻蚀区20扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量进行监控，并将每次入口打开阶段扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量进行累加，当气雾的颗粒数量积累到预设值时，向上位机发送报警信号，使上位机根据报警信号控制报警器报警，通知人员及时对缓冲区10进行清理，从而避免了现有技术中清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。

其中，气雾可以理解为一个个雾滴(气雾颗粒)形成的雾气，预设值是指需要对缓冲区10进行清理时气雾的颗粒数量的阈值，若气雾的颗粒数量达到此阈值，则需要对缓冲区10进行清理。预设值的具体数值可以根据需要进行设定，本发明实施例对此不作限定。

其中，报警器例如可以是蜂鸣器或语音报警器等，也可以是本领域技术人员任意可知的报警器，本发明实施例对此不作限定。可选的，报警器为湿法刻蚀设备中原有的报警器，如此可以节省成本，实用性更高。

需要说明的是，图1仅示出了湿法刻蚀设备中缓冲区10和刻蚀区20的局部结构，并非整个湿法刻蚀设备。示例性的，刻蚀区20后还包括清洗区、缓冲区和干燥区等处理区间，在此不做过多说明。

本发明实施例通过在缓冲区靠近刻蚀区的入口处设置气雾监控装置，使气雾监控装置与湿法刻蚀设备的上位机连接，从而可以利用气雾监控装置监控入口打开时从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，并在气雾的颗粒数量积累到预设值时，向上位机发送报警信号，使上位机根据报警信号控制报警器报警，通知人员及时对缓冲区进行清理，避免现有技术中清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。

在上述实施例的基础上，下面对气雾监控装置40的结构和设置方式做如下说明。

继续参见图1，可选的，气雾监控装置40包括激光光源41、光路调整元件42和第一感光元件43；光路调整元件42包括第一反射器421；第一反射器421和第一感光元件43固定于缓冲区10靠近刻蚀区20的腔壁110上，且分别位于入口210的相对两侧；激光光源41出射的激光经第一反射器421反射后形成封闭入口210的光幕，在无气雾遮挡时，光幕中与入口210投影重叠的光线入射至第一感光元件43；第一感光元件43感测入射至第一感光元件43的第一光强信息，并根据第一光强信息确定扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量。可选第一感光元件43为光电检测器。

图1中，第一反射器421和第一感光元件43固定于缓冲区10靠近刻蚀区20的腔壁110上，且沿z方向分别位于入口210的相对两侧，此时，可选旋转门21为透明的，以避免对第一反射器421反射的激光造成遮挡。或者，在另一实施方式中，可以在旋转门21开门后朝向第一反射器421的一面安装所述第一感光元件43，开门后第一感光元件43正对第一反射器421，此种方式无需旋转门21为透明材料。其他替代实施例中，可以在旋转门21远离第一反射器421的一侧的门框安装所述第一感光元件43，此时所述旋转门21开门的方向朝向刻蚀区20设置，此种方式同样无需旋转门21为透明材料。

本实施例中，第一反射器421、第一感光元件43以及入口210沿z方向的投影交叠，以使第一反射器421反射的光可以形成封闭入口210的光幕，并且使第一感光元件43可以接收到光幕中的光线。具体的，若无气雾遮挡，光幕的光线中至少与入口210重叠的光线可以入射至第一感光元件43，当然，若无气雾遮挡，也可使光幕中的光线可以全部入射至第一感光元件43，具体可以根据第一感光元件43的尺寸而定。

当旋转门21打开时，气雾颗粒220会从刻蚀区20扩散至缓冲区10，气雾颗粒220会遮挡第一反射器421反射的光，使部分第一反射器421反射的光无法入射至第一感光元件43，使得无气雾遮挡时和有气雾遮挡时，第一感光元件43感测到的光强(第一光强信息)存在差异，如此，第一感光元件43可以根据实际感测到的第一光强信息，确定此次入口打开阶段扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量。后续再次打开旋转门21时，将该入口打开阶段扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量与之前的气雾的颗粒数量进行累加，可以得到扩散至缓冲区10的气雾的总数量，直到气雾的总数量达到预设值，向上位机发送报警信号，通知人员清理缓冲区10。

需要说明的是，激光光源41出射的激光可以全部入射至第一反射器421，也可以部分入射至第一反射器421，本发明实施例对此不作限定，具体可以根据需要进行设置。示例性的，图1中，激光光源41出射的全部激光均入射至第一反射器421，并由第一反射器421将其反射至第一感光元件43，若反射光在传播途中受到气雾颗粒220的遮挡，则会影响第一感光元件43感测到的光强，进而第一感光元件43可以根据实际感测到的第一光强信息确定扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量。

还需要说明的是，图1仅以激光光源41固定于缓冲区10远离刻蚀区20一侧的腔壁为例进行示意，该结构并非限定，在其他实施例中，参见图2，图2是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，可选激光光源41固定于缓冲区10靠近刻蚀区20一侧的腔壁110上，如此，便于调整激光光源41与第一反射器421之间的光程，降低激光的能量损耗。

以图2所示结构为例，激光光源41出射的激光经第一反射器421反射后形成封闭入口210的光幕4210，在本实施例中，若无气雾遮挡，光幕4210中的光线均可以入射至第一感光元件43。当入口210打开，气雾颗粒220从入口210向外扩散至缓冲区10时，气雾颗粒220会遮挡光幕4210中的部分光线，使得有气雾遮挡和无气雾遮挡时，第一感光元件43感测到的光强不同，进而可以确定气雾的颗粒数量。

具体的，第一感光元件43可以由多个子感光器件构成，子感光器件的尺寸例如可以与气雾颗粒220的尺寸相当，如此，每个子感光器件可以感测一条光路，若有气雾颗粒220遮挡光线，则有部分子感光元件接收不到光，从而使得有雾气遮挡时第一感光元件43感测到的光强与无气雾遮挡时第一感光元件43感测到的光强不同，进而可以确定气雾的颗粒数量。或者，第一感光元件43可以感测整个入口210对应区域的光，根据有气雾遮挡和无气雾遮挡时感测到的光强的差异，可以确定气雾遮挡的面积，再根据气雾颗粒220的尺寸可以确定气雾的颗粒数量。

还需要说明的是，图1和图2仅以第一反射器421和第一感光元件43沿z方向分别位于入口210的相对两侧为例进行示意，该结构并非限定，在其他实施例中，参见图3，图3是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，可选第一反射器421和第一感光元件43固定于缓冲区10靠近刻蚀区20的腔壁110上，且沿y方向分别位于入口210的相对两侧，如此，旋转门21是否透明均不会对第一反射器421至第一感光元件43的光线传播造成影响，因而无需将旋转门21调整为透明的旋转门，对原有湿法刻蚀设备的改动较小，可以降低成本。

如图2或图3所示，第一感光元件43感测单一方向(z方向或y方向)的光强，进而确定气雾的颗粒数量，此时，若气雾颗粒220在光线传播方向上交叠，则会导致气雾的颗粒数量计数不准确。图4是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，参见图4，可选气雾监控装置40包括两组第一反射器421和第一感光元件43，第一组第一反射器421和第一感光元件43沿z方向分别位于入口210的上下侧，第二组第一反射器421和第一感光元件43沿y方向分别位于入口210的左右侧，如此，在z方向交叠的气雾颗粒220，在y方向上不交叠，同理，在y方向交叠的气雾颗粒220，在z方向上不交叠，因而可以在不同方向上感测光强的变化，进而确定气雾的颗粒数量，提高计数结果的准确性。

需要说明的是，图4仅以每组第一反射器421和第一感光元件43分别对应一个激光光源41进行示意，在其他实施例中，可选两组第一反射器421和第一感光元件43对应一个激光光源41，并通过诸如分光器等光学元件使激光光源41出射的激光可以分别入射至两个第一反射器41上，本发明实施例对此不作限定。

图1至图3均以激光光源41出射的激光全部入射至第一反射器421为例进行示意，在其他实施例中，可选的，气雾监控装置40还包括第二感光元件，第二感光元件固定于缓冲区10靠近刻蚀区20的腔壁上；激光光源41出射的部分激光经光路调整元件42后入射至第二感光元件；第二感光元件感测入射至第二感光元件的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机；上位机根据第二光强信息调整激光光源41的功率。可选第二感光元件为光电检测器。

具体的，除第一反射器421以外，光路调整元件42还可以包括其他器件，以使激光光源41出射的部分激光入射至第一感光元件43，另一部分激光入射至第二感光元件，使第二感光元件将感测到的第二光强信息发送至上位机，如此，上位机可以根据第二光强信息确定激光光源41的发光强度，进而可以根据需求调整激光光源41的功率，提高设备实用性。下面提供两种可选的光路调整元件42的具体结构。

作为其中一种可行的方案，图5是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，参见图5，可选光路调整元件42还包括半透半反射器422；激光光源41出射的部分激光经半透半反射器422反射至第一反射器421，再经第一反射器421反射至半透半反射器422，并从半透半反射器422透射至第一感光元件43；激光光源41出射的部分激光经半透半反射器422透射至第二感光元件44。

如图5所示，半透半反射器422以及第二感光元件44可以固定于缓冲区10靠近刻蚀区20一侧的腔壁110上。激光光源41出射的激光经半透半反射器422后，一部分激光被反射至第一反射器421，再经第一反射器421反射至半透半反射器422，并从半透半反射器422透射至第一感光元件43，另一部分激光透射至第二感光元件44。如此，第一感光元件43可以感测入射至第一感光元件43的第一光强信息，并根据第一光强信息确定扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量；并且，第二感光元件44可以感测入射至第二感光元件44的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机，使上位机根据第二光强信息调整激光光源41的功率。此外，参照图5，可选激光光源41至第二感光元件44的光路远离入口210所在位置，以降低气雾遮挡此部分激光的概率，提高第二光强信息的准确性。

作为另一种可行的方案，图6是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，参见图6，可选光路调整元件42还包括分光器423和第二反射器424；激光光源41出射的部分激光经分光器423透射至第一反射器421，再经第一反射器421反射至第一感光元件43；激光光源41出射的部分激光经分光器423反射至第二反射器424，再经第二反射器424反射至第二感光元件44。

如图6所示，分光器423、第二反射器424和第二感光元件44可以固定于缓冲区10靠近刻蚀区20一侧的腔壁110上。激光光源41出射的激光经分光器423后，一部分激光透射至第一反射器421，再经第一反射器421反射至第一感光元件43，另一部分激光被反射至第二反射器424，再经第二反射器424反射至第二感光元件44。如此，第一感光元件43可以感测入射至第一感光元件43的第一光强信息，并根据第一光强信息确定扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量；并且，第二感光元件44可以感测入射至第二感光元件44的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机，使上位机根据第二光强信息调整激光光源41的功率。此外，参照图6，可选激光光源41至第二感光元件44的光路远离入口210所在位置，以降低气雾遮挡此部分激光的概率，提高第二光强信息的准确性。

在此基础上，图7是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，参照图7，可选光路调整元件42还包括限束器425和第三反射器426；限束器425和第三反射器426依次设置于半透半反射器422与第二感光元件44的光路中；或者，图8是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的结构示意图，参照图8，可选光路调整元件42还包括限束器425和第三反射器426；限束器425和第三反射器426依次设置于第二反射器424与第二感光元件44的光路中。

通过限束器425可以减小激光的投射范围，使光线集中。此外，可以根据需要设置第三反射器426，以调整光路，便于在有限的空间设置较多的光学元件。

继续参见图7或图8，可选的，光路调整元件42还包括收集器427；收集器427设置于第一反射器421与第一感光元件43的光路中。通过设置收集器427，可以使激光光线集中，提高第一感光元件43感测激光的第一光强信息的准确性，进而提高对气雾的颗粒数量的计数准确性。

综上，上述实施例对气雾监控装置的结构和设置方式做了详细说明，上述实施例在不矛盾的情况下可以组合，本领域技术人员可以根据需求设置。

基于相同的构思，本发明实施例还提供了一种湿法刻蚀设备的管理方法，采用上述任一实施例提供的湿法刻蚀设备100执行，相同之处请参照上述实施例的解释，在此不再赘述。图9是本发明实施例提供的一种湿法刻蚀设备的管理方法的流程示意图，参见图9，该管理方法包括如下步骤：

S101、气雾监控装置在刻蚀区的入口打开时监控从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量。

参照图1，具体的，气雾监控装置40可以在入口210打开前或者入口210打开的时刻启动，以监控从刻蚀区20扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量。

S102、在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置向上位机发送报警信号。

具体的，气雾监控装置40可以对多次入口打开阶段扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量进行累加，当气雾的颗粒数量积累到需要对缓冲区进行清理的阈值(即预设值)时，向上位机发送报警信号。

S103、上位机根据报警信号控制报警器报警。

示例性的，报警器可以为蜂鸣器或语音报警器等类型的报警器，上位机可以根据报警信号控制报警器报警，以通知人员对缓冲区进行清理。

本发明实施例提供的管理方法，通过气雾监控装置监控入口打开时从刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，并在气雾的颗粒数量积累到预设值时，向上位机发送报警信号，使上位机根据报警信号控制报警器报警，通知人员及时对缓冲区进行清理，可以避免现有技术中清理不及时容易污染基板增加不良率，或清理过于频繁造成能源浪费。

在此基础上，可选气雾监控装置40包括激光光源41、光路调整元件42和第一感光元件43；光路调整元件42包括第一反射器421；第一反射器421和第一感光元件43固定于缓冲区10靠近刻蚀区20的腔壁110上，且分别位于入口210的相对两侧；激光光源41出射的激光经第一反射器421反射后形成封闭入口210的光幕，在无气雾遮挡时，光幕中与入口210投影重叠的光线入射至第一感光元件43。相应的，图10是本发明实施例提供的另一种湿法刻蚀设备的管理方法的流程示意图，对上述管理方法进行细化，参见图10，该管理方法包括如下步骤：

S201、上位机控制激光光源出射激光。

S202、第一感光元件感测入射至第一感光元件的第一光强信息，并根据第一光强信息确定扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，并将每次入口打开时的气雾的颗粒数量进行累加。

参照图1，具体的，由于气雾颗粒220会遮挡部分激光，使得无气雾遮挡时和有气雾遮挡时，第一感光元件43感测到的光强存在差异，因而第一感光元件可以根据感测到的第一光强信息确定扩散至缓冲区10的气雾的颗粒数量。进一步的，通过将每次入口打开时的气雾的颗粒数量进行累加，可以得到一段时间内气雾的总数量，进而可以在气雾的总数量达到预设值时，向上位机发送报警信号。

S203、在气雾的颗粒数量积累到预设值时，气雾监控装置向上位机发送报警信号。

S204、上位机根据报警信号控制报警器报警。

此外，可选气雾监控装置40还包括第二感光元件44；相应的，参见图10，管理方法还包括：

S205、第二感光元件感测入射至第二感光元件的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机。

S206、上位机根据第二光强信息调整激光光源的功率。

S205至S206与S202至S204互不冲突，可以同步执行。本实施例通过第二感光元件44感测入射至第二感光元件44的第二光强信息，并将第二光强信息发送至上位机，便于上位机根据需求调整激光光源41的功率，提高设备的实用性。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (10)

1.一种湿法刻蚀设备，包括缓冲区和刻蚀区；其特征在于，

在所述缓冲区内靠近所述刻蚀区的入口处设置有气雾监控装置，以在所述入口打开时监控从所述刻蚀区扩散至所述缓冲区的气雾的颗粒数量；

所述气雾监控装置与所述湿法刻蚀设备的上位机连接，在气雾的颗粒数量积累到预设值时，所述气雾监控装置向所述上位机发送报警信号；

所述上位机根据所述报警信号控制报警器报警。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述气雾监控装置包括激光光源、光路调整元件和第一感光元件；所述光路调整元件包括第一反射器；

所述第一反射器和所述第一感光元件固定于所述缓冲区靠近所述刻蚀区的腔壁上，且分别位于所述入口的相对两侧；所述激光光源出射的激光经所述第一反射器反射后形成封闭所述入口的光幕，在无气雾遮挡时，所述光幕中与所述入口投影重叠的光线入射至所述第一感光元件；

所述第一感光元件感测入射至所述第一感光元件的第一光强信息，并根据所述第一光强信息确定扩散至所述缓冲区的气雾的颗粒数量。

3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述气雾监控装置还包括第二感光元件，所述第二感光元件固定于所述缓冲区靠近所述刻蚀区的腔壁上；所述激光光源出射的部分激光经所述光路调整元件后入射至所述第二感光元件；

所述第二感光元件感测入射至所述第二感光元件的第二光强信息，并将所述第二光强信息发送至所述上位机；

所述上位机根据所述第二光强信息调整所述激光光源的功率。

4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述光路调整元件还包括半透半反射器；

所述激光光源出射的部分激光经所述半透半反射器反射至所述第一反射器，再经所述第一反射器反射至所述半透半反射器，并从所述半透半反射器透射至所述第一感光元件；

所述激光光源出射的部分激光经所述半透半反射器透射至所述第二感光元件。

5.根据权利要求3所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述光路调整元件还包括分光器和第二反射器；

所述激光光源出射的部分激光经所述分光器透射至所述第一反射器，再经所述第一反射器反射至所述第一感光元件；

所述激光光源出射的部分激光经所述分光器反射至所述第二反射器，再经所述第二反射器反射至所述第二感光元件。

6.根据权利要求4或5所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述光路调整元件还包括限束器和第三反射器；

所述限束器和所述第三反射器依次设置于所述半透半反射器或所述第二反射器与所述第二感光元件的光路中。

7.根据权利要求2所述的湿法刻蚀设备，其特征在于，所述光路调整元件还包括收集器；

所述收集器设置于所述第一反射器与所述第一感光元件的光路中。

8.一种湿法刻蚀设备的管理方法，采用权利要求1-7任一项所述的湿法刻蚀设备执行，其特征在于，包括：

气雾监控装置在刻蚀区的入口打开时监控从所述刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量；

在气雾的颗粒数量积累到预设值时，所述气雾监控装置向上位机发送报警信号；

所述上位机根据所述报警信号控制报警器报警。

9.根据权利要求8所述的管理方法，其特征在于，所述气雾监控装置包括激光光源和第一感光元件；

所述气雾监控装置在刻蚀区的入口打开时监控从所述刻蚀区扩散至缓冲区的气雾的颗粒数量，包括：

所述上位机控制所述激光光源出射激光；

所述第一感光元件感测入射至所述第一感光元件的第一光强信息，并根据所述第一光强信息确定扩散至所述缓冲区的气雾的颗粒数量，并将每次入口打开时的气雾的颗粒数量进行累加。

10.根据权利要求9所述的管理方法，其特征在于，所述气雾监控装置还包括第二感光元件；

所述管理方法还包括：

所述第二感光元件感测入射至所述第二感光元件的第二光强信息，并将所述第二光强信息发送至所述上位机；

所述上位机根据所述第二光强信息调整所述激光光源的功率。

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