CN113541663A - 射频开关切换控制电路 - Google Patents

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CN113541663A CN202110719110.3A CN202110719110A CN113541663A CN 113541663 A CN113541663 A CN 113541663A CN 202110719110 A CN202110719110 A CN 202110719110A CN 113541663 A CN113541663 A CN 113541663A
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Abstract

本申请涉及射频开关技术领域,具体涉及射频开关切换控制电路,包括:边沿检测延迟电路,用于在电源电压信号和射频切换控制输入信号的上升沿或下降沿,使得输出的时延脉冲信号产生高电平;稳压电路,用于对电源电压信号进行稳压,通过时延脉冲信号进行增压调整,输出稳定的增压电源信号;振荡电路,用于输出具有对应频率及幅度的振荡信号;振荡信号包括:对应时延脉冲信号的高电平期间的第一振荡信号,和对应时延脉冲信号低电平区间的第二振荡信号,第一振荡信号的频率及幅度大于第二振荡信号的频率及幅度;负电荷泵电路,被配置为能够实现负压快速建立并增加负压输出;射频电路利能够进行快速充放电实现射频开关的快速切换。

Description

射频开关切换控制电路
技术领域
本申请涉及射频开关技术领域,具体涉及一种能够提高射频开关启动和切换速度的射频开关切换控制电路。
背景技术
射频开关是射频通路中常用的器件,用于控制射频信号传输路径及信号大小,千其性能指标包括隔离度、插入损耗及开关时间等。
在相关技术中,器件的射频开关时间包括射频开关瞬变用时和射频开关切换用时。该射频开关瞬变用时为:射频开关导通时,射频输出从10%增加到90%所需时间(即射频开关启动用时),或射频开关导通时,射频输出从90%减小到10%所需时间(即射频开关关断用时)。该射频开关切换用时为:射频开关导通时,从控制电压位于50%点开始,到射频输出增加达到90%所需时间,或者射频开关断开时,从控制电压位于50%点开始,到射频输出减小达到10%所需时间
但是在相关技术中,射频开关器件的尺寸、栅偏置电阻、体偏置电阻的设置需要器件的隔离度和插入损耗方面,以及器件的射频开关时间方面进行折衷和平衡,从而使得缩短该射频开关瞬变用时和射频开关切换较为困难。
发明内容
本申请提供了一种能够提高射频开关启动和切换速度的射频开关切换控制电路,可以解决相关技术中缩短该射频开关瞬变用时和射频开关切换较为困难的问题。
本申请提供一种射频开关切换控制电路,所述射频开关切换控制电路包括:
边沿检测延迟电路,用于在电源电压信号和射频切换控制输入信号的上升沿或下降沿,使得输出的时延脉冲信号产生高电平;
稳压电路,所述稳压电路的输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号,用于对所述电源电压信号进行稳压,通过在所述时延脉冲信号的高电平期间进行增压调整,输出稳定的增压电源信号;
振荡电路,所述振荡电路的幅频调整端配置为接收所述时延脉冲信号,用于根据所述时延脉冲信号输出具有对应频率及幅度的振荡信号;所述振荡信号包括:对应所述时延脉冲信号的高电平期间的第一振荡信号,和对应所述时延脉冲信号低电平区间的第二振荡信号;所述第一振荡信号具有第一振荡频率和第一电压幅度,所述第二振荡信号具有第二振荡频率和第二电压幅度;所述第一振荡频率大于所述第二振荡频率,第一电压幅度大于第二电压幅度;
负电荷泵电路,被配置为根据所述振荡信号进行快速充放电,使得负压快速建立并快速增加负压产生电荷泵输出信号;
射频电路,被配置为根据所述电荷泵输出信号和所述电荷泵输出信号,控制射频开关快速切换。
可选地,所述振荡信号的第一振荡信号,被配置为使得所述负电荷泵电路以第一变换频率及幅度进行充、放电,并输出第一负压;
所述振荡信号的第二振荡信号,被配置为使得所述负电荷泵电路以第二变换频率及幅度进行充、放电,并输出第二负压;
所述第一变换频率及幅度大于所述第二变换频率及幅度,所述第一负压的幅值大于所述第二负压的幅值。
可选地,所述边沿检测延迟电路包括:
边沿检测电路,用于检测所述电源电压信号和射频切换控制输入信号的上升沿或下降沿,输出短脉冲信号;
延迟控制电路,用于对所述短脉冲信号进行脉冲宽度时延控制,产生高电平宽度固定的时延脉冲信号。
可选地,所述边沿检测电路包括或门、第一检测支路和第二检测支路;
所述第一检测支路的输出端和所述第二检测支路的输出端分别连接所述或门的一输入端,所述或门的输出端为所述边沿检测电路的输出端;
所述第一检测支路,包括第一缓冲器和第一异或门,所述第一缓冲器的输入端和所述第一异或门的一输入端被配置为接收所述电源电压信号,所述第一缓冲器的输出端连接所述第一异或门的另一输入端,所述第一异或门的输出端为所述第一检测支路的输出端;
所述第二检测支路,包括第二缓冲器和第二异或门,所述第二缓冲器的输入端和所述第二异或门的一输入端被配置为接收所述射频切换控制输入信号,所述第二缓冲器的输出端连接所述第二异或门的另一输入端,所述第二异或门的输出端为所述第二检测支路的输出端。
可选地,所述延迟控制电路包括:第一NMOS管、第二MOS管、可变电阻、可变极性电容和第一反相器;
所述第一NMOS管的栅极连接所述边沿检测电路的输出端,所述第一NMOS管漏极连接所述可变电阻的一端,所述第一NMOS管的源极接地,所述可变电阻的另一端被配置为接收所述增压电源信号;
所述第二MOS管的栅极、可变极性电容的正极和所述第一反相器的输入端相连并连接所述第一NMOS管漏极,所述第二MOS管的源极和漏极,以及所述可变极性电容的负极相连并连接所述第一NMOS管源极;
所述第一反相器的输出端为所述延迟控制电路的输出端。
可选地,所述振荡电路包括n级反相级联的振荡单元,最后一级振荡单元的输出端反相连接至第一级振荡单元的输入端;其中,n为大于1的奇数;
任一所述振荡单元均包括输入端、输出端和幅频调整端;
在前一级振荡单元的输出端反相连接在后一级振荡单元的输入端,最后一级振荡单元的输出端反相连接至第一级振荡单元的输入端;
所述幅频调整端被配置为接收所述边沿检测延迟电路产生的时延脉冲信号;
最后一级振荡单元的输出端反相连接第四反相器的输入端,所述第四反相器的输出端为所述振荡电路的输出端。
可选地,任一所述振荡单元包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第二反相器、第三反相器、第三NMOS管和第四NMOS管;
所述振荡单元的输入端连接所述第二反相器的输入端、第一PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极,所述第二反相器的输出端、第一PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极相连并连接所述振荡单元的输出端;
所述幅频调整端连接第三反相器的输入端和第四NMOS管的栅极,所述第三反相器的输出端连接第二PMOS管的栅极,所述第二PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的源极,所述第二PMOS管的源极被配置为接收所述增压电源信号;
所述第四NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极,所述第四NMOS管的源极接地。
可选地,所述稳压电路包括带隙基准电路、误差放大器、第三PMOS管和输出电压调整电路;
所述带隙基准电路的输入端被配置为获取所述电源电压信号,输出端输出基准电压信号;
所述输出电压调整电路的输入端被配置为接收所述增压电源信号,输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号,根据所述增压电源信号和所述时延脉冲信号输出反馈信号;
所述误差放大器的输入端被配置为分别接收所述基准电压信号和所述反馈信号,所述误差放大器的输出端连接所述第三PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的漏极为所述稳压电路的输出端,所述第三PMOS管的源极被配置为接收所述电源电压信号。
可选地,所述输出电压调整电路包括串联的第一电阻调整单元和第二电阻调整单元;
所述第一电阻调整单元和第二电阻调整单元的相连节点用于输出所述反馈信号;
所述第一电阻调整单元包括第一输出电压调整端,所述第二电阻调整单元包括第二输出电压调整端;所述第一输出电压调整端和所述第二输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号;
所述第一电阻调整单元的电阻值被所述时延脉冲信号调整增大,所述第二电阻调整单元的电阻值被所述时延脉冲信号调整减小。
可选地,所述第一电阻调整单元包括:第一调整电阻、第二调整电阻、第一调整NMOS管和第一调整PMOS管;
所述第一调整NMOS管的栅极和第一调整PMOS管的栅极相连,作为所述第一输出电压调整端;所述第一调整NMOS管的源极和第一调整PMOS管的漏极相连,作为所述第一电阻调整单元与所述第二电阻调整单元的相连节点;
所述第一调整电阻的一端和所述第二调整电阻的一端相连,被配置为接收所述增压电源信号,所述第一调整电阻的另一端连接所述第一调整NMOS管的漏极,所述第二调整电阻的另一端连接所述第一调整PMOS管的源极。
可选地,所述第二电阻调整单元包括:第三调整电阻、第四调整电阻和第二调整NMOS管;
所述第二调整NMOS管的栅极为所述第二输出电压调整端,所述第二调整NMOS管的漏极,作为所述第一电阻调整单元与所述第二电阻调整单元的相连节点;
所述第三调整电阻的两端分别连接所述第二调整NMOS管的源极和漏极,所述第二调整NMOS管的源极还连接所述第四调整电阻的一端,所述第四调整电阻的另一端接地。
本申请技术方案,至少包括如下优点:通过边沿检测延迟电路检测电源电压信号的上电启动时刻,和射频切换控制输入信号的切换时刻,并产生具有固定宽度延时的时延脉冲信号,该时延脉冲信号在电源电压信号的上电启动时刻,和射频切换控制输入信号的切换时刻为高电平。该时延脉冲信号的高电平期间一方面能够抬升稳压电路的输出,以产生增压电源信号,另一方面能使得振荡电路产生交替发生的第一变换频率的信号和第二变换频率的信号,该第一变换频率较第二变换频率高,使得负电荷泵电路在第一变换频率期间能够快速抬升,从而使得该负电荷泵电路产生的电荷泵输出信号VSS能够快速达到需求电压,缩短负电荷泵电路的充放电时间,实现该负电荷泵电路的快速启动和射频开关的快速切换。
附图说明
为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本申请的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本申请一实施例提供的射频开关切换控制电路原理图;
图2示出了图1所示实施例中各信号的时序图;
图3示出了边沿检测延迟电路一实施例的电路原理图;
图4示出了本申请一实施例提供的振荡电路原理图;。
图5示出了图4中任一振荡单元OSC Cell一实施例的电路原理图;
图6示出了稳压电路一实施例的电路原理图;
图7示出了图6中所示输出电压调整电路一实施例的电路原理图。
具体实施方式
下面将结合附图,对本申请中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电气连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,还可以是两个元件内部的连通,可以是无线连接,也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
此外,下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
图1示出了本申请一实施例提供的射频开关切换控制电路原理图,参照图1,可以看出该射频开关切换控制电路包括:稳压电路110、边沿检测延迟电路120、振荡电路130、负电荷泵电路140和射频电路150。
所述边沿检测延迟电路120被配置为接收电源电压信号VDD和射频切换控制输入信号VC,根据电源电压信号VDD和射频切换控制输入信号VC输出时延脉冲信号VDP。在电源电压信号VDD和射频切换控制输入信号VC的上升沿或下降沿时刻,该边沿检测延迟电路120产生该时延脉冲信号VDP的高电平,否则该边沿检测延迟电路120产生该时延脉冲信号VDP的低电平。其中,该时延脉冲信号VDP高电平具有可调的固定脉冲宽度。该射频切换控制输入信号VC和电源电压信号VDD由其他外接电路输入提供(图中未示出)。
所述稳压电路110的输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号VDP,用于对所述电源电压信号VDD进行稳压,通过在所述时延脉冲信号VDP高电平时进行增压调整,输出稳定的增压电源信号VCC。
所述振荡电路130的幅频调整端配置为接收所述时延脉冲信号VDP,用于根据所述时延脉冲信号VDP,输出具有对应频率及幅度的振荡信号CLK。参照图2,其示出了图1所示实施例中各信号的时序图,从图2中可以看出,该所述振荡信号CLK包括:对应时延脉冲信号VDP的高电平期间DH的第一振荡信号C1,和对应所述时延脉冲信号VDP低电平区间DL的第二振荡信号C2。其中第一振荡信号C1具有第一振荡频率f1及第一电压幅度V1,第二振荡信号C2具有第二振荡频率f2及第二电压幅度V2。所述第一振荡信号C1的第一振荡频率f1大于第二振荡信号C2的第二振荡频率f2,第一振荡信号C1的第一电压幅度V1大于第二振荡信号C2的第二电压幅度V2。
所述负电荷泵电路140被配置为接收所述振荡电路130输出的振荡信号CLK,和增压电源信号VCC,用于根据该振荡信号CLK频率及幅度进行快速充放电实现负压快速建立并增加负压输出产生电荷泵输出信号VSS。本实施例中,该振荡信号CLK的第一振荡频率f1及第一电压幅度V1能够使得该负电荷泵电路140以第一变换频率及幅度进行充、放电并输出第一负压,该振荡信号CLK的第二振荡频率f2及第二电压幅度V2能够使得该负电荷泵电路140以第二变换频率及幅度进行充、放电并输出第二负压,所述第一变换频率及幅度均大于所述第二变换频率及幅度,所述第一负压大于所述第二负压,从而使得该负电荷泵电路140产生的电荷泵输出信号VSS能够快速建立需求电压,缩短负电荷泵电路140的充放电时间,实现该负电荷泵电路140的快速启动。
所述射频电路150被配置为接收所述负电荷泵电路140输出的电荷泵输出信号VSS及稳压电路110输出的增压电源信号VCC,利用增压电源信号VCC及负压增加的电荷泵输出信号VSS,进行射频开关内部所有实际控制信号的快速充放电,实现射频开关快速切换。
本实施例通过边沿检测延迟电路120检测电源电压信号VDD的上电启动时刻,和射频切换控制信号VC的切换时刻,并产生具有可调的固定宽度延时的时延脉冲信号VDP,该时延脉冲信号VDP在电源电压信号VDD的上电启动时刻,和射频切换控制输入信号VC的切换时刻为高电平。该时延脉冲信号VDP的高电平期间DH一方面能够抬升稳压电路110的输出,以产生增压电源信号VCC,另一方面能使得振荡电路130产生交替发生的第一振荡信号C1和第二振荡信号C2,该第一振荡信号C1的第一振荡频率f1大于第二振荡信号C2的第二振荡频率f2,第一振荡信号C1的第一电压幅度V1大于第二振荡信号C2的第二电压幅度V2,使得负电荷泵电路140在第一变换频率f1期间能够快速抬升并输出增加的负压,从而使得该负电荷泵电路140产生的电荷泵输出信号VSS能够快速达到需求电压,缩短负电荷泵电路140的充放电时间,实现该负电荷泵电路140的快速启动和射频开关的快速切换。
继续参照图1,该边沿检测延迟电路120,包括边沿检测电路121和延迟控制电路122。
其中,该边沿检测电路121被配置为接收输入的电源电压信号VDD和射频切换控制输入信号VC,用于检测该电源电压信号VDD的上电启动时刻,和射频切换控制输入信号VC的切换时刻,输出短脉冲信号VP,在电源电压信号VDD和射频切换控制输入信号VC的上升沿或下降沿时刻,所输出的短脉冲信号VP为宽度较窄的高电平。
可以参照图2,从图2中可看出在电源电压信号VDD的上电启动时刻,即在上电启动时刻,该电源电压信号VDD产生上升沿,该时刻短脉冲信号VP形成宽度较窄的高电平;在射频切换控制输入信号VC的切换时刻,即图2中所示射频切换控制输入信号VC的下降沿,该时刻短脉冲信号VP也形成宽度较窄的高电平。
该延迟控制电路122被配置为接收该边沿检测电路121产生的短脉冲信号VP,用于对该短脉冲信号VP进行脉冲宽度时延可调控制,以产生高电平宽度固定可调的时延脉冲信号VDP。
继续参照图2,对比图2中的短脉冲信号VP和时延脉冲信号VDP,可以看出,该时延脉冲信号VDP将该短脉冲信号VP的高电平进行了时延拓宽,以形成时延脉冲信号VDP中宽度较宽的高电平期间DH。
继续参照图1,该射频电路150包括逻辑译码电位平移电路151和射频开关电路152。其中,该逻辑译码电位平移电路151被配置为接收射频切换控制输入信号VC、电荷泵输出信号VSS和增压电源信号VCC,输出射频切换电位平移信号。该射频切换电位平移信号用于控制射频开关电路152中射频开关进行切换操作,该射频开关的切换操作能够为射频输入端RFin和射频输出端RFout之间建立不同的传输路径。
图3示出了边沿检测延迟电路一实施例的电路原理图,从图3中可以看出,该边沿检测延迟电路120包括边沿检测电路121和延迟控制电路122。
其中,该边沿检测电路121包括或门OR、第一检测支路310和第二检测支路320。
第一检测支路310的输出端和第二检测支路320的输出端分别连接该或门OR的一输入端,该或门OR的输出端为该边沿检测电路121的输出端,用于输出短脉冲信号VP。
第一检测支路310包括第一缓冲器311和第一异或门XOR1,该第一缓冲器311的输入端和所该第一异或门XOR1的一输入端被配置为接收电源电压信号VDD。该第一缓冲器311的输出端连接该第一异或门XOR1的另一输入端,该第一异或门XOR1的输出端为该第一检测支路310的输出端。
该第二检测支路320包括第二缓冲器312和第二异或门XOR2,该第二缓冲器312的输入端和该第二异或门XOR2的一输入端被配置为接收射频切换控制输入信号VC,该第二缓冲器312的输出端连接该第二异或门XOR2的另一输入端,该第二异或门XOR2的输出端为所述第二检测支路320的输出端。
其中,该延迟控制电路122包括:第一NMOS管N1、第二MOS管N2、可变电阻R1、可变极性电容C1和第一反相器INV1。
该第一NMOS管N1的栅极连接边沿检测电路121的输出端,第一NMOS管N1漏极连接所述可变电阻R1的一端,第一NMOS管N1的源极接地,可变电阻R1的另一端被配置为接收该增压电源信号VCC。
第二MOS管N2的栅极、可变极性电容C1的正极和第一反相器INV1的输入端相连并连接该第一NMOS管N1漏极,该第二MOS管N2的源极和漏极,以及可变极性电容C1的负极相连并连接第一NMOS管N1源极。
该第一反相器INV1的输出端为延迟控制电路122的输出端,用于输出高电平宽度固定的时延脉冲信号VDP。
图4示出了本申请一实施例提供的振荡电路原理图,参照图4,可以看出该振荡电路130包括n级反相级联的振荡单元OSC Cell,n为大于1的奇数。
图4中的任一振荡单元OSC Cell均包括:输入端IN、输出端OUT和幅频调整端AD;其中,在前一级振荡单元OSC Cell的输出端OUT反相连接在后一级振荡单元OSC Cell的输入端IN,最后一级振荡单元OSC Cell的输出端OUT反相连接至第一级振荡单元OSC Cell的输入端IN,该幅频调整端AD被配置为接收边沿检测延迟电路120产生的时延脉冲信号VDP,最后一级振荡单元OSC Cell,即第三级振荡单元OSC Cell3,其输出端反相后还连接第四反相器INV4的输入端,该第四反相器INV4的输出端为该振荡电路130的输出端,用于输出第一振荡信号C1和第二振荡信号C2交替的振荡信号CLK。
本实施例中的n=3,即本实施例的振荡电路130包括三级反相级联的振荡单元OSCCell1,分别为第一级振荡单元OSC Cell1、第二级振荡单元OSC Cell2和第三级振荡单元OSC Cell3。
图5示出了图4中任一振荡单元OSC Cell一实施例的电路原理图,从图5中可以看出,该振荡单元OSC Cell包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4。振荡单元OSC Cell的输入端IN连接所述第二反相器INV2的输入端、第一PMOS管P1的栅极和第三NMOS管N3的栅极。第二反相器INV2的输出端、第一PMOS管P1的漏极和第三NMOS管N3的漏极相连并连接振荡单元OSC Cell的输出端OUT。
振荡单元OSC Cell的幅频调整端AD连接第三反相器INV3的输入端和第四NMOS管N4的栅极,第三反相器INV3的输出端连接第二PMOS管P2的栅极,所述第二PMOS管P2的漏极连接所述第一PMOS管P1的源极,所述第二PMOS管P2的源极被配置为接收所述增压电源信号VCC。
该振荡单元OSC Cell的第四NMOS管N4的漏极连接第三NMOS管N3的源极,第四NMOS管N4的源极接地。
图6示出了稳压电路一实施例的电路原理图,从图6中可以看出,该稳压电路110包括带隙基准电路610、误差放大器620、第三PMOS管P3和输出电压调整电路630。
该带隙基准电路610的输入端被配置为获取所述电源电压信号VDD,输出端输出基准电压信号Vref。
该输出电压调整电路630的输入端被配置为接收所述增压电源信号VCC,输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号VDP,根据所述增压电源信号VCC和所述时延脉冲信号VDP输出反馈信号Vf。
该误差放大器320的输入端被配置为分别接收基准电压信号Vref和所述反馈信号Vf,该误差放大器320的输出端连接所述第三PMOS管P3的栅极,该第三PMOS管P3的漏极为该稳压电路110的输出端,该第三PMOS管P3的源极被配置为接收所述电源电压信号VDD。
图7示出了图6中所示输出电压调整电路一实施例的电路原理图,从图7中可以看出,该输出电压调整电路630包括串联的第一电阻调整单元631和第二电阻调整单元632,该第一电阻调整单元631和第二电阻调整单元632的相连节点用于输出所述反馈信号Vf。
其中,该第一电阻调整单元631包括第一输出电压调整端,该第二电阻调整单元632包括第二输出电压调整端;该第一输出电压调整端和所述第二输出电压调整端被配置为接收时延脉冲信号VDP。
该第一电阻调整单元631的电阻值被该时延脉冲信号VDP调整而增大,第二电阻调整单元632的电阻值被该时延脉冲信号VDP调整减小。
继续参照图7,该第一电阻调整单元631包括第一调整电阻R11、第二调整电阻R12、第一调整NMOS管N11和第一调整PMOS管P11。
第一调整NMOS管N11的栅极和第一调整PMOS管P11的栅极相连,作为所述第一输出电压调整端。第一调整NMOS管N11的源极和第一调整PMOS管P11的漏极相连,作为所述第一电阻调整单元631与所述第二电阻调整单元632的相连节点;
所述第一调整电阻R11的一端和所述第二调整电阻R12的一端相连,被配置为接收所述增压电源信号VCC,第一调整电阻R11的另一端连接第一调整NMOS管N11的漏极,第二调整电阻R12的另一端连接第一调整PMOS管P11的源极。
继续参照图7,该第二电阻调整单元632包括:第三调整电阻R21、第四调整电阻R22和第二调整NMOS管N21;
该第二调整NMOS管N21的栅极为该第二输出电压调整端。该第二调整NMOS管N21的漏极,作为该第一电阻调整单元631与第二电阻调整单元632的相连节点;
第三调整电阻R21的两端分别连接第二调整NMOS管N21的源极和漏极,该第二调整NMOS管N21的源极还连接第四调整电阻R22的一端,该第四调整电阻R22的另一端接地GND。
显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本申请创造的保护范围之中。

Claims (11)

1.一种射频开关切换控制电路,其特征在于,所述射频开关切换控制电路包括:
边沿检测延迟电路,用于在电源电压信号和射频切换控制输入信号的上升沿或下降沿,使得输出的时延脉冲信号产生高电平;
稳压电路,所述稳压电路的输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号,用于对所述电源电压信号进行稳压,通过在所述时延脉冲信号的高电平期间进行增压调整,输出稳定的增压电源信号;
振荡电路,所述振荡电路的幅频调整端配置为接收所述时延脉冲信号,用于根据所述时延脉冲信号输出具有对应频率及幅度的振荡信号;所述振荡信号包括:对应所述时延脉冲信号的高电平期间的第一振荡信号,和对应所述时延脉冲信号低电平区间的第二振荡信号;所述第一振荡信号具有第一振荡频率和第一电压幅度,所述第二振荡信号具有第二振荡频率和第二电压幅度;所述第一振荡频率大于所述第二振荡频率,第一电压幅度大于第二电压幅度;
负电荷泵电路,被配置为根据所述振荡信号进行快速充放电,使得负压快速建立并快速增加负压产生电荷泵输出信号;
射频电路,被配置为根据所述电荷泵输出信号和所述增压电源信号,控制射频开关快速切换。
2.如权利要求1所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述振荡信号的第一振荡信号,被配置为使得所述负电荷泵电路以第一变换频率及幅度进行充、放电,并输出第一负压;
所述振荡信号的第二振荡信号,被配置为使得所述负电荷泵电路以第二变换频率及幅度进行充、放电,并输出第二负压;
所述第一变换频率及幅度均大于所述第二变换频率及幅度,所述第一负压的幅值大于所述第二负压的幅值。
3.如权利要求1所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述边沿检测延迟电路包括:
边沿检测电路,用于检测所述电源电压信号和射频切换控制输入信号的上升沿或下降沿,输出短脉冲信号;
延迟控制电路,用于对所述短脉冲信号进行脉冲宽度时延控制,产生高电平宽度固定的时延脉冲信号。
4.如权利要求3所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述边沿检测电路包括或门、第一检测支路和第二检测支路;
所述第一检测支路的输出端和所述第二检测支路的输出端分别连接所述或门的一输入端,所述或门的输出端为所述边沿检测电路的输出端;
所述第一检测支路,包括第一缓冲器和第一异或门,所述第一缓冲器的输入端和所述第一异或门的一输入端被配置为接收所述电源电压信号,所述第一缓冲器的输出端连接所述第一异或门的另一输入端,所述第一异或门的输出端为所述第一检测支路的输出端;
所述第二检测支路,包括第二缓冲器和第二异或门,所述第二缓冲器的输入端和所述第二异或门的一输入端被配置为接收所述射频切换控制输入信号,所述第二缓冲器的输出端连接所述第二异或门的另一输入端,所述第二异或门的输出端为所述第二检测支路的输出端。
5.如权利要求3所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述延迟控制电路包括:第一NMOS管、第二MOS管、可变电阻、可变极性电容和第一反相器;
所述第一NMOS管的栅极连接所述边沿检测电路的输出端,所述第一NMOS管漏极连接所述可变电阻的一端,所述第一NMOS管的源极接地,所述可变电阻的另一端被配置为接收所述增压电源信号;
所述第二MOS管的栅极、可变极性电容的正极和所述第一反相器的输入端相连并连接所述第一NMOS管漏极,所述第二MOS管的源极和漏极,以及所述可变极性电容的负极相连并连接所述第一NMOS管源极;
所述第一反相器的输出端为所述延迟控制电路的输出端。
6.如权利要求1所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述振荡电路包括n级反相级联的振荡单元,最后一级振荡单元的输出端反相连接至第一级振荡单元的输入端;其中,n为大于1的奇数;
任一所述振荡单元均包括输入端、输出端和幅频调整端;
在前一级振荡单元的输出端反相连接在后一级振荡单元的输入端,最后一级振荡单元的输出端反相连接至第一级振荡单元的输入端;
所述幅频调整端被配置为接收所述边沿检测延迟电路产生的时延脉冲信号;
最后一级振荡单元的输出端反相连接第四反相器的输入端,所述第四反相器的输出端为所述振荡电路的输出端。
7.如权利要求6所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,任一所述振荡单元包括:第一PMOS管、第二PMOS管、第二反相器、第三反相器、第三NMOS管和第四NMOS管;
所述振荡单元的输入端连接所述第二反相器的输入端、第一PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极,所述第二反相器的输出端、第一PMOS管的漏极和第三NMOS管的漏极相连并连接所述振荡单元的输出端;
所述幅频调整端连接第三反相器的输入端和第四NMOS管的栅极,所述第三反相器的输出端连接第二PMOS管的栅极,所述第二PMOS管的漏极连接所述第一PMOS管的源极,所述第二PMOS管的源极被配置为接收所述增压电源信号;
所述第四NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极,所述第四NMOS管的源极接地。
8.如权利要求1所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述稳压电路包括带隙基准电路、误差放大器、第三PMOS管和输出电压调整电路;
所述带隙基准电路的输入端被配置为获取所述电源电压信号,输出端输出基准电压信号;
所述输出电压调整电路的输入端被配置为接收所述增压电源信号,输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号,根据所述增压电源信号和所述时延脉冲信号输出反馈信号;
所述误差放大器的输入端被配置为分别接收所述基准电压信号和所述反馈信号,所述误差放大器的输出端连接所述第三PMOS管的栅极,所述第三PMOS管的漏极为所述稳压电路的输出端,所述第三PMOS管的源极被配置为接收所述电源电压信号。
9.如权利要求8所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述输出电压调整电路包括串联的第一电阻调整单元和第二电阻调整单元;
所述第一电阻调整单元和第二电阻调整单元的相连节点用于输出所述反馈信号;
所述第一电阻调整单元包括第一输出电压调整端,所述第二电阻调整单元包括第二输出电压调整端;所述第一输出电压调整端和所述第二输出电压调整端被配置为接收所述时延脉冲信号;
所述第一电阻调整单元的电阻值被所述时延脉冲信号调整增大,所述第二电阻调整单元的电阻值被所述时延脉冲信号调整减小。
10.如权利要求9所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述第一电阻调整单元包括:第一调整电阻、第二调整电阻、第一调整NMOS管和第一调整PMOS管;
所述第一调整NMOS管的栅极和第一调整PMOS管的栅极相连,作为所述第一输出电压调整端;所述第一调整NMOS管的源极和第一调整PMOS管的漏极相连,作为所述第一电阻调整单元与所述第二电阻调整单元的相连节点;
所述第一调整电阻的一端和所述第二调整电阻的一端相连,被配置为接收所述增压电源信号,所述第一调整电阻的另一端连接所述第一调整NMOS管的漏极,所述第二调整电阻的另一端连接所述第一调整PMOS管的源极。
11.如权利要求9所述的射频开关切换控制电路,其特征在于,所述第二电阻调整单元包括:第三调整电阻、第四调整电阻和第二调整NMOS管;
所述第二调整NMOS管的栅极为所述第二输出电压调整端,所述第二调整NMOS管的漏极,作为所述第一电阻调整单元与所述第二电阻调整单元的相连节点;
所述第三调整电阻的两端分别连接所述第二调整NMOS管的源极和漏极,所述第二调整NMOS管的源极还连接所述第四调整电阻的一端,所述第四调整电阻的另一端接地。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114244334A (zh) * 2021-11-26 2022-03-25 上海迦美信芯通讯技术有限公司 射频开关辅助电路及射频开关系统
CN117294286A (zh) * 2023-11-27 2023-12-26 深圳新声半导体有限公司 射频开关控制电路
WO2024046104A1 (zh) * 2022-09-01 2024-03-07 江苏卓胜微电子股份有限公司 射频开关控制链路、系统及其控制方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102739217A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 日立金属株式会社 高频开关模块
JP2013175834A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール
CN104218947A (zh) * 2013-06-03 2014-12-17 特里奎恩特半导体公司 利用跳频的快速稳定电荷泵
US20160094207A1 (en) * 2014-09-30 2016-03-31 Skyworks Solutions, Inc. Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus
CN209692727U (zh) * 2019-05-16 2019-11-26 上海猎芯半导体科技有限公司 一种用于射频开关的偏置电路、及射频通信装置
CN110870203A (zh) * 2017-07-06 2020-03-06 株式会社村田制作所 电压供给电路以及高频电路模块

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102739217A (zh) * 2011-03-29 2012-10-17 日立金属株式会社 高频开关模块
JP2013175834A (ja) * 2012-02-23 2013-09-05 Hitachi Metals Ltd 高周波スイッチモジュール
CN104218947A (zh) * 2013-06-03 2014-12-17 特里奎恩特半导体公司 利用跳频的快速稳定电荷泵
US20160094207A1 (en) * 2014-09-30 2016-03-31 Skyworks Solutions, Inc. Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus
CN110870203A (zh) * 2017-07-06 2020-03-06 株式会社村田制作所 电压供给电路以及高频电路模块
CN209692727U (zh) * 2019-05-16 2019-11-26 上海猎芯半导体科技有限公司 一种用于射频开关的偏置电路、及射频通信装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114244334A (zh) * 2021-11-26 2022-03-25 上海迦美信芯通讯技术有限公司 射频开关辅助电路及射频开关系统
WO2024046104A1 (zh) * 2022-09-01 2024-03-07 江苏卓胜微电子股份有限公司 射频开关控制链路、系统及其控制方法
CN117294286A (zh) * 2023-11-27 2023-12-26 深圳新声半导体有限公司 射频开关控制电路
CN117294286B (zh) * 2023-11-27 2024-04-02 深圳新声半导体有限公司 射频开关控制电路

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