CN113540374B - 发光器件、显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种发光器件，还涉及包含有该发光器件的显示面板和显示装置。发光器件包括电子阻挡层和发光层，发光层包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层，电子阻挡层包括：第一电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于42％；第二电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于41％；第三电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于44.2％。通过搭配和设计红绿蓝三个颜色对应的电子阻挡层在阴离子和阳离子冲击下最小的键解离能(BDE)，提升材料和器件的稳定性。

Description

发光器件、显示面板和显示装置

技术领域

本发明涉及显示设备技术领域，具体而言，涉及一种发光器件，还涉及包含有该发光器件的显示面板和显示装置。

背景技术

近年来，有机电致发光显示器(OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率越来越高，功耗要求数值越来越低，需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。现有的有机电致发光显示器依然存在材料和器件的稳定性差，器件的寿命衰减严重的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了发光器件，以及包含有该发光器件的显示面板和显示装置，以解决现有技术中存在的材料和器件的稳定性差，器件的寿命衰减严重的技术问题。

为了实现上述目的，根据发明实施例的一个方面，提供了一种发光器件。

根据本发明实施例第一方面的发光器件，其包括层叠设置的电子阻挡层和发光层，所述发光层包括第一颜色发光层、第二颜色发光层和第三颜色发光层，所述电子阻挡层包括：

与所述第一颜色发光层连接的第一电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于42％；

与所述第二颜色发光层连接的第二电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于41％；

与所述第三颜色发光层连接的第三电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于44.2％。

进一步地，在发光器件中，所述电子阻挡层在阳离子状态下的最小键解离能大于3eV。

进一步地，在发光器件中，所述第一电子阻挡层材料的分解温度大于370℃，所述第二电子阻挡层材料的分解温度大于310℃，所述第三电子阻挡层材料的分解温度大于400℃。

进一步地，在发光器件中，所述电子阻挡层背离所述发光层的一侧依次设置有空穴传输层、空穴注入层和阳极。

进一步地，所述发光器件为红光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.34-0.99μs。

进一步地，所述发光器件为绿光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.30-0.50μs。

进一步地，所述发光器件为蓝光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.21-0.40μs。

进一步地，在发光器件中，所述空穴传输层的空穴迁移率为2×10^-4cm²/Vs-9×10^{- 4}cm²/V·s；所述第一电子阻挡层的空穴迁移率为1×10^-4cm²/Vs-8×10^-4cm²/V·s；所述第二电子阻挡层的空穴迁移率为1×10^-4cm²/Vs-7×10^-5cm²/V·s；所述第三电子阻挡层的空穴迁移率为1×10^-5cm²/Vs-7×10^-6cm²/V·s。

进一步地，在发光器件中，所述空穴传输层、所述第一电子阻挡层、所述第二电子阻挡层和所述第三电子阻挡层中的至少三种含有：

进一步地，在发光器件中，所述发光层背离所述电子阻挡层的一侧依次设置有空穴阻挡层、电子传输层和阴极。

为了实现上述目的，根据发明实施例的第二个方面，还提供了一种显示面板，该显示面板包括本发明实施例第一方面提供的发光器件。

为了实现上述目的，根据发明实施例的第三个方面，还提供了一种显示装置，该显示装置包括本发明实施例第二方面提供的显示面板。

采用本发明实施例提供发光器件中，通过搭配和设计红绿蓝三个颜色对应的电子阻挡层在阴离子(电子)和阳离子(空穴)冲击下最小的键解离能(BDE)，提升材料和器件的稳定性。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本申请的进一步理解，使得本申请的其它特征、目的和优点变得更明显。本申请的示意性实施例附图及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本发明实施例提供的发光器件的结构示意图；以及

图2为相关技术中发光器件内有机物的键扭转示意图。

图中：

100、阳极；

200、空穴注入层；

300、空穴传输层；

400、电子阻挡层；401、第一电子阻挡层；402、第二电子阻挡层；403、第三电子阻挡层；

500、发光层；501、第一颜色发光层；502、第二颜色发光层；503、第三颜色发光层；

600、空穴阻挡层；

700、电子传输层；

800、阴极。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本申请方案，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本申请保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些产品或设备固有的其单元。

在本申请中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本申请及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。

并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本申请中的具体含义。

此外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

如图1所示，本发明实施例提供的发光器件包括依次层叠设置的阳极100(Anode)、空穴注入层200(HIL)、空穴传输层300(HTL)、电子阻挡层400(EBL)、发光层500(EML)、空穴阻挡层600(HBL)、电子传输层700(ETL)和阴极800(Cathode)。其中所述发光层500包括第一颜色发光层501(R-EML)、第二颜色发光层502(G-EML)和第三颜色发光层503(B-EML)，所述电子阻挡层400包括第一电子阻挡层401(R-EBL)、第二电子阻挡层402(G-EBL)和第三电子阻挡层403(B-EBL)，所述第一颜色发光层501与所述第一电子阻挡层401连接，所述第二颜色发光层502与第二电子阻挡层402连接，所述第三颜色发光层503与所述第三电子阻挡层403连接。

需要说明的是，在本发明下文的实施例介绍中，以第一颜色发光层为红色发光层、第二颜色发光层为绿色发光层、第三颜色发光层为蓝色发光层为例来进行详细的示例说明。

技术人员研究发现，RGB单色OLED器件寿命的衰减，归根结底可以归结为两个方面的原因，一是界面的老化，二是材料的缺陷产生的材料劣化。

第一方面，界面的老化，主要是由于界面处的能垒过大，累积电荷过多造成。电致发光器件当中，由于蓝光host需要宽带系，所以其HOMO能级很深，这就造成了空穴型的电子阻挡层和host之间的能级差较大。这个能垒的存在造成过多的空穴累积，导致界面容易劣化，器件寿命衰减。

第二方面，在OLED器件中，最容易劣化的材料为电子阻挡层的材料，这是因为电子阻挡层或者说Prime层的材料本身一般都是富电子体系的材料，同时一般含有苯胺的结构。过多的电子就会和电子阻挡层或者prime材料本身上的富电子产生排斥力的作用，这种排斥力就会造成苯胺上的苯环δ键扭曲，外力造成的δ键扭曲的结果为键的断裂，如图2所示。而苯胺结构的苯环δ键的断裂产生的缺陷就成为材料和器件寿命衰减的根本原因。

技术人员研究发现，通过减少电子阻挡层400的材料上的电子堆积可以改善器件稳定性并且能够增加器件寿命。技术人员测试了现有技术中器件结构整体的激子复合区域，复合区域在电子阻挡层/发光层界面。这也表明整个器件的电子的传输过剩，电子更容易传输积累到电子阻挡层上，这就决定了电子阻挡层400的材料势必会接收电子的累积。这将对电子阻挡层400材料的稳定性造成很大的考验，从而对器件的稳定性和寿命造成考验。

在上述研究结果的基础上，技术人员确定出通过设计和限定发光器件中电子阻挡层400的prime材料在阳离子和阴离子电荷作用下的键解离能(BDE)参数的技术方案，来增加prime材料的稳定性，从而改善器件的整体寿命。

作为RGB三个颜色器件R-EBL、G-EBL、B-EBL的prime材料，除了传输空穴，接受空穴的冲击外，同时由于其紧邻器件的复合中心，所以也会接受电子的冲击，空穴和电子的冲击同时影响了电子阻挡层材料的稳定性，同时影响器件的寿命。通过模拟计算以及实验验证，搭配和设计了R-EBL、G-EBL、B-EBL的prime材料在阴离子(电子)，阳离子(空穴)冲击下，最小的键解离能(BDE)，通过对BDE的搭配和限定，达到器件稳定并进一步提高器件寿命的作用。

具体的，第一电子阻挡层401的材料在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于42％；第二电子阻挡层402的材料在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于41％；第三电子阻挡层403的材料在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于44.2％。优选地，所述电子阻挡层400在阳离子状态下的最小键解离能大于3eV。阴离子状态下的最小键解离能BDE是优化器件性能的关键，通常阴离子状态下的稳定性在材料整体中的比重越大，越有利材料和器件的稳定。由于蓝光器件的EM电子传输更多，所以对于B-EBL prime材料的耐电子性要更高。

通常在R-EBL、G-EBL、B-EBL的prime材料均含有C-C键和C-N键，C-N键的键解离能为最小键解离能，该情况下对材料中的C-N键的键解离能进行限定和搭配即可。

技术人员研究发现，电子阻挡层400中材料的分解温度Td(1％lose)也会对材料和器件的稳定性造成影响。通过模拟计算以及实验验证，当满足下列参数要求时，材料和器件具有优良的稳定性：在发光器件中，所述第一电子阻挡层401材料的分解温度大于370℃，所述第二电子阻挡层402材料的分解温度大于310℃，所述第三电子阻挡层403材料的分解温度大于400℃。可以看出，B-EBL的prime材料的分解温度要求会更高。通过对R-EBL、G-EBL、B-EBL的prime材料的分解温度Td(1％lose)的参数进行选定，进一步增加了材料的稳定性，提高了器件的寿命。

在一些实施例中，为了减小电子阻挡层400的prime材料接受过多的电子轰击，在器件结构中增加设置了空穴传输层300，增大了prime材料的迁移率，有利于增加空穴的传输，也起到了增加器件稳定性的作用。通过上述实施方式的实施，在发光器件中，所述空穴传输层300的空穴迁移率为2×10^-4cm²/Vs-9×10^-4cm²/V·s，所述第一电子阻挡层401的空穴迁移率为1×10^-4cm²/Vs-8×10^-4cm²/V·s，所述第二电子阻挡层402的空穴迁移率为1×10^-4cm²/Vs-7×10^-5cm²/V·s，所述第三电子阻挡层403的空穴迁移率为1×10^-5cm²/Vs-7×10^-6cm²/V·s。空穴传输层300的设置提高了空穴的迁移率，使载流子复合区域尽量的避开电子阻挡层/发光层这个界面，降低prime材料受到的阴离子攻击。

技术人员进一步发现，除了迁移率，空穴从发光器件的阳极100到达发光层500还和器件结构中各层的膜厚相关，所以可以用渡越时间t来衡量空穴到达发光界面的快慢，该渡越时间t与膜厚和空穴迁移率相关。本发明实施例中，对于红光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.34-0.99μs；对于绿光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.30-0.50μs；对于蓝光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.21-0.40μs。在上述的参数设计范围内，相对于现有技术，渡越时间t更大，空穴传输到界面更快，有利于复合中心的优化，减小prime材料受到的电子轰击，有利于器件的稳定和提高器件寿命。需要说明的是，本实施例中发光界面表示发光层500朝向电子阻挡层400的表面。

为了增大材料的空穴型迁移率，需要对发光器件中空穴传输层300以及电子阻挡层400的材料在现有技术的基础上进一步进行改进，当空穴传输层300和电子阻挡层400的材料中包含有二甲基芴结构时，通过调整其用量可以获得所需的空穴迁移率和渡越时间，二甲基芴的标准名称为2,6-二乙酰基-7,9-二羟基-8,9B-二甲基-1,3(2H,9BH)-氧芴，其结构式为：

另外，二甲基芴在富电子的情况下，不会出现图2中所示的苯胺结构的苯环δ键扭曲现象，不会导致键的断裂及其带来的一系列缺陷，降低材料的劣化，保持材料的稳定性并可以降低器件寿命的衰减。优选地，在发光器件中，所述空穴传输层、所述第一电子阻挡层、所述第二电子阻挡层和所述第三电子阻挡层中的至少三种含有上述的二甲基芴结构。

在本发明实施例提供的发光器件结构中，空穴注入层的材料可以为无机的氧化物，包括但不限于钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物和锰氧化物等。空穴注入层的材料也可以为强吸电子体系的p型掺杂剂和空穴传输材料的掺杂物，包括但不限于六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷(F4TCNQ)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷等。

在本发明实施例提供的发光器件结构中，空穴传输层和电子阻挡层的材料可以为具有空穴传输特性的芳胺类以及二甲基芴或者咔唑材料，包括但不限于4,4'-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)、9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)等。

在本发明实施例提供的发光器件结构中，发光层可以包含一种材料，也可以包含两种以上的混合材料，所述发光材料分为蓝色发光材料、绿色发光材料以及红色发光材料。

蓝色发光材料选自芘衍生物、蒽衍生物、芴衍生物、苝衍生物、苯乙烯基胺衍生物、金属配合物等。例如N1,N6-二([1,1'-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1'-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4'-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、4,4'-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)。

绿色发光材料选自如香豆素染料、喹吖啶铜类衍生物、多环芳香烃、二胺蒽类衍生物、咔唑衍生物、金属配合物等。例如香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N'-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10，N10'-二苯基-N10，N10'-二苯二甲酰-9,9'-二蒽-10,10'-二胺(简称:BA-NPB)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称:Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))。

红色发光材料选自如DCM系列材料、金属配合物等。例如4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(简称:PtOEP)、二(2-(2'-苯并噻吩基)吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)合铱(简称:Ir(btp)2(acac)等。

在本发明实施例提供的发光器件结构中，空穴阻挡层以及电子传输层一般为芳族杂环化合物，例如苯并咪唑衍生物、咪唑并吡啶衍生物、苯并咪唑并菲啶衍生物等咪唑衍生物；嘧啶衍生物、三嗪衍生物等嗪衍生物；喹啉衍生物、异喹啉衍生物、菲咯啉衍生物等包含含氮六元环结构的化合物(也包括在杂环上具有氧化膦系的取代基的化合物)等。具体可以为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4'-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)等。

在本发明实施例提供的发光器件结构中，电子注入层一般为碱金属或者金属，例如LiF、Yb、Mg、Ca或者他们的化合物等。

下面参考具体实施例，对本发明进行描述，需要说明的是，这些实施例仅是描述性的，而不以任何方式限制本发明。

对比例

本对比例提供的发光器件包括依次层叠设置的阳极(Anode)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和阴极(Cathode)。

空穴注入层(HIL)采用Pdopant(F4TCNQ)掺杂的HT(m-MTDATA)，掺杂比例为3％，膜层厚度为10nm，Pdopant(F4TCNQ)的结构式为：

HT(m-MTDATA)的结构式为：

空穴传输层(HTL)和电子阻挡层(EBL)采用CBP，空穴传输层膜层厚度为90nm，电子阻挡层膜层厚度为10nm，CBP的具体结构式为：

空穴阻挡层(HBL)采用TPBi，膜层厚度为5nm，TPBi的具体结构式为：

电子传输层(ETL)采用BCP，膜层厚度为30nm，BCP的具体结构式为：

发光层的厚度为20nm，其中发光层的蓝光发光层的主体材料(BH)的具体结构式为：

第三颜色发光层的客体材料(BD)的具体结构式为：

第二颜色发光层或第一颜色发光层的主体材料GH/RH为CBP，具体结构式为：

第二颜色发光层的客体材料GD为Ir(ppy)₃，具体结构式为：

第一颜色发光层的客体材料RD为Ir(piq)(acac)，具体结构式为：

电子注入层(EIL)的厚度为1nm，材料为LiF。

实施例1-4

与对比例不同之处在于，电子阻挡层包括第二电子阻挡层，使用的材料分别为Gprime1、G prime2、G prime3和G prime4。各实施例中电子阻挡层材料在阳离子状态下的最小键解离能(阳离子BDE)、电子阻挡层材料在阴离子状态下的最小键解离能(阴离子BDE)、电子阻挡层材料的分解温度Td(1％lose)记录在表1中。

实施例5-8

与对比例不同之处在于，电子阻挡层包括第三电子阻挡层，使用的材料分别为Bprime1、B prime2、B prime3和B prime4。各实施例中电子阻挡层材料在阳离子状态下的最小键解离能(阳离子BDE)、电子阻挡层材料在阴离子状态下的最小键解离能(阴离子BDE)、电子阻挡层材料的分解温度Td(1％lose)记录在表1中。

实施例9-12

与对比例不同之处在于，电子阻挡层包括第一电子阻挡层，使用的材料分别为Rprime1、R prime2、R prime3和R prime4。各实施例中电子阻挡层材料在阳离子状态下的最小键解离能(阳离子BDE)、电子阻挡层材料在阴离子状态下的最小键解离能(阴离子BDE)、电子阻挡层材料的分解温度Td(1％lose)记录在表1中。

表1实施例1-12发光器件参数表

对对比例和实施例1～12的发光器件，分别进行电压、发光效率和寿命测试，其中，寿命测试按照LT95@1000nit，各个实施例的各指标测试结果与对比例进行对比，获得的不同测试结果如表2所示。可以看出，当采用阴离子键能占比更大且分解温度Td高的电子阻挡层材料时，器件的寿命可以得到明显的优化和改善。

表2对比例及实施例1-12发光器件测试结果表

以上为本发明实施例关于发光器件的示例性描述和说明，发光器件的其他构成以及其制备方法对于本领域的普通技术人员来说是可知的，在此不再详细描述，本领域技术人员可以参考现有技术的记载进行理解和应用。

本发明实施例还提供了一种显示面板及显示装置，该显示面板采用了本发明实施例提供的发光器件。

本申请实施例提供的显示装置可以为：液晶面板、电子纸、有机发光二极管(OLED)面板、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。本申请实施例所公开的显示装置由于包括上述实施例提供的显示模组，因此具有该发光器件的显示面板和显示装置也具有上述所有的技术效果，在此不再一一赘述。显示面板和显示装置的其他构成、原理以及制备方法对于本领域的普通技术人员来说是可知的，在此不再详细描述。

本说明书中部分实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

以上仅是本发明的具体实施方式，使本领域技术人员能够理解或实现本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所申请的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种发光器件，其特征在于，包括层叠设置的电子阻挡层和发光层，所述发光层包括第一颜色红色发光层、第二颜色绿色发光层和第三颜色蓝色发光层，所述电子阻挡层在阳离子状态下的最小键解离能大于3eV；所述电子阻挡层包括：

与所述第一颜色红色发光层连接的第一电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于42％；

与所述第二颜色绿色发光层连接的第二电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于41％；

与所述第三颜色蓝色发光层连接的第三电子阻挡层，其在阴离子状态下的最小键解离能与在阳离子状态下的最小键解离能的比值大于44.2％；

所述第一电子阻挡层材料的分解温度大于370℃，所述第二电子阻挡层材料的分解温度大于310℃，所述第三电子阻挡层材料的分解温度大于400℃。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层背离所述发光层的一侧依次设置有空穴传输层、空穴注入层和阳极。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为红光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.34-0.99μs。

4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为绿光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.30-0.50μs。

5.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件为蓝光发光器件，空穴从所述阳极到达发光界面的渡越时间为0.21-0.40μs。

6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，

所述空穴传输层的空穴迁移率为2×10^-4cm²/V·s-9×10^-4cm²/V·s；

所述第一电子阻挡层的空穴迁移率为1×10^-4cm²/V·s-8×10^-4cm²/V·s；

所述第二电子阻挡层的空穴迁移率为1×10^-4cm²/V·s-7×10^-5cm²/V·s；

所述第三电子阻挡层的空穴迁移率为1×10^-5cm²/V·s-7×10^-6cm²/V·s。

7.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层、所述第一电子阻挡层、所述第二电子阻挡层和所述第三电子阻挡层中的至少三种含有：

8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光层背离所述电子阻挡层的一侧依次设置有空穴阻挡层、电子传输层和阴极。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1至8中任一项所述的发光器件。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。

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