CN113823752B - 空穴注入材料、电致发光器件和显示装置 - Google Patents

空穴注入材料、电致发光器件和显示装置 Download PDF

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Abstract

一种空穴注入材料、电致发光器件和显示装置，所述空穴注入材料包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：|LUMO(B)‑HOMO(A)|≤0.3eV；Rs(A)≥1×1011Ω/sq；其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻。本公开实施例的空穴注入材料可以实现良好的空穴注入，增加纵向空穴密度，提高器件的电学性能；横向电阻较大，横向漂移电流较小，可以解决颜色串扰问题。

Description

空穴注入材料、电致发光器件和显示装置
技术领域
本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种空穴注入材料、电致发光器件和显示装置。
背景技术
电致发光器件(Electroluminescence Device,ELD)包括有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)和无机发光二极管(Light-Emitting Diode,LED)。近年来，有机电致发光器件作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率要求越来越高，功耗要求数值越来越低。因此需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。
目前产品中的EL器件为了优化电压和载流子的注入，均采用空穴传输(HoleTransport,HT)材料的p型掺杂技术。通过对HT材料的p型掺杂，增加空穴从阳极的注入，增加迁移率以改善器件的电压。图1为EL器件中的红绿蓝(RGB)像素的分布示意图；如图1所示，该EL器件包括阴极1、p型掺杂HT材料形成的功能层2、蓝色像素区3、红色像素区4、绿色像素区5、像素定义层(Pixel Definition Layer,PDL)6、沉积在基底上的氧化铟锡(IndiumTin Oxide,ITO)层7等，其中RGB三个颜色的像素是通用的。虽然蓝色像素区3、红色像素区4、绿色像素区5三个像素区域之间由像素定义层6隔开，但是由于p型掺杂HT材料形成的功能层2是通用层，在通电时会有电流的横向漂移。这就造成了低灰阶下，纯色的G像素工作时，会看到微弱的R像素发光。这就是颜色的串扰问题。
发明内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
本公开实施例提供一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：
|LUMO(B)-HOMO(A)|≤0.3eV；
Rs(A)≥1×1011Ω/sq；
其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻。
在示例性实施例中，所述p型掺杂材料的重量可以占所述第一空穴传输材料重量的1％至5％，并且
Rs(AB)≥1×109Ω/sq；
其中，Rs(AB)为所述空穴注入材料的横向电阻。
在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料可以为以9-苯基咔唑为核的线性第一空穴传输材料。
在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料的结构通式可以为：
其中，R3可以选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
在示例性实施例中，R3的结构通式可以为：
其中，R4和R5可以各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
在示例性实施例中，所述p型掺杂材料可以选自通式III化合物、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基对苯醌(F4TCNQ)和1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；
其中，X、Y可以各自独立地选自O、S、取代或未取代的C、N；R1、R2可以各自独立地选自取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至20个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子数的芳烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳氧基；并且，当R1、R2选自取代的烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基时，所述烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基的取代基中可以含有氟。
在示例性实施例中，所述p型掺杂材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
本公开实施例还提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料为如上所述的空穴注入材料。
在示例性实施例中，所述电致发光器件还可以包括：阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
在示例性实施例中，所述空穴传输层的材料可以包括第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料的结构通式可以为：
其中，R3可以选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
在示例性实施例中，R3的结构通式可以为：
其中，R4和R5可以各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
在示例性实施例中，所述第二空穴传输材料可以选自化合物1-1、化合物1-2、化合物1-3、化合物1-4、化合物1-5、化合物1-6和化合物1-7中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子阻挡层的材料可以包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述蓝色电致发光器件的发光层的材料包括蓝色发光材料，所述绿色电致发光器件的发光层的材料包括绿色发光材料，所述红色电致发光器件的发光层的材料可以包括红色发光材料；
所述蓝色发光材料可以选自芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料、苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料和金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种；
所述绿色发光材料可以选自香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种；
所述红色发光材料可以选自DCM类列红色发光材料和金属配合物类红色发光材料中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述空穴阻挡层的材料可以包括苯并咪唑衍生物类空穴阻挡材料、咪唑并吡啶衍生物类空穴阻挡材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类空穴阻挡材料、嘧啶衍生物类空穴阻挡材料、三嗪衍生物类空穴阻挡材料、喹啉衍生物类空穴阻挡材料、异喹啉衍生物类空穴阻挡材料、菲咯啉衍生物类空穴阻挡材料中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子传输层的材料可以包括苯并咪唑衍生物类电子传输材料、咪唑并吡啶衍生物类电子传输材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类电子传输材料、嘧啶衍生物类电子传输材料、三嗪衍生物类电子传输材料、喹啉衍生物类电子传输材料、异喹啉衍生物类电子传输材料、菲咯啉衍生物类电子传输材料中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子注入层的材料可以包括碱金属电子注入材料和金属电子注入材料中的任意一种或多种。
本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的电致发光器件。
本公开实施例的空穴注入材料的p型掺杂材料的LUMO能级与第一空穴传输材料的HOMO能级之间的差值≤0.3eV，可以实现良好的空穴注入，增加纵向空穴密度，提高器件的电学性能；而且，常规空穴传输材料的横向电阻一般＞1×1010Ω/sq，而本公开实施例的空穴注入材料的第一空穴传输材料的横向电阻Rs(A)≥1×1011Ω/sq，约是常规空穴传输材料横向电阻的10倍，甚至能达到100倍，第一空穴传输材料的横向电阻较大，可以提高与p型掺杂材料掺杂后的空穴注入材料的横向电阻，减小横向漂移电流，进而解决颜色串扰问题。
在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。
本申请的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的其他优点可通过在说明书以及附图中所描述的方案来实现和获得。
附图说明
附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。
图1为EL器件中的红绿蓝(RGB)像素的分布示意图；
图2为本公开示例性实施例的电致发光器件的结构示意图；
图3为对比例的电致发光器件组的单色发光的光谱图；
图4为本公开实施例1的电致发光器件组的单色发光的光谱图。
附图中的标记符号的含义为：
1-阴极；2-p型掺杂HT材料形成的功能层；3-蓝色像素区；4-红色像素区；5-绿色像素区；6-像素定义层；7-ITO层；100-阴极；200-空穴注入层；300-空穴传输层；400-电子阻挡层；500-发光层；600-空穴阻挡层；700-电子传输层；800-电子注入层；900-阴极；1000-光学覆盖层。
具体实施方式
本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。
在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。
本公开实施例提供一种空穴注入材料，所述空穴注入材料包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：
|LUMO(B)-HOMO(A)|≤0.3eV；
Rs(A)≥1×1011Ω/sq；
其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻。
本公开实施例的空穴注入材料的p型掺杂材料的LUMO能级与第一空穴传输材料的HOMO能级之间的差值≤0.3eV，可以实现良好的空穴注入，增加纵向空穴密度，提高器件的电学性能；而且，常规空穴传输材料的横向电阻一般＞1×1010Ω/sq，而本公开实施例的空穴注入材料的第一空穴传输材料的横向电阻Rs(A)≥1×1011Ω/sq，约是常规空穴传输材料横向电阻的10倍，甚至能达到100倍，第一空穴传输材料的横向电阻较大，可以提高与p型掺杂材料掺杂后得到的空穴注入材料的横向电阻，减小横向漂移电流，进而解决颜色串扰问题。
在示例性实施例中，所述p型掺杂材料的重量可以占所述第一空穴传输材料重量的1％至5％，例如，1％、2％、3％、4％、5％，并且，
Rs(AB)≥1×109Ω/sq；
其中，Rs(AB)为所述空穴注入材料的横向电阻。
常规的p型掺杂空穴传输材料的横向电阻一般＞1×108Ω/sq，而本公开实施例的空穴注入材料的横向电阻Rs(AB)≥1×109Ω/sq，大大提高了横向电阻，因此可以减小横向漂移电流，进而解决颜色串扰问题。
在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料可以为以9-苯基咔唑为核的线性第一空穴传输材料。
在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料的结构通式可以为：
其中，R3可以选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
在示例性实施例中，R3的结构通式可以为：
其中，R4和R5可以各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
在示例性实施例中，所述第一空穴传输材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
/>
在示例性实施例中，所述p型掺杂材料可以选自通式III化合物、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基对苯醌(F4TCNQ)和1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；
其中，X、Y可以各自独立地选自O、S、取代或未取代的C、N；R1、R2可以各自独立地选自取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至20个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子数的芳烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳氧基；并且，当R1、R2选自取代的烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基时，所述烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基的取代基中可以含有氟。
在示例性实施例中，所述p型掺杂材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
本公开实施例还提供一种电致发光器件，所述电致发光器件包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料为如上所述的空穴注入材料。
在示例性实施例中，所述电致发光器件还可以包括：阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。此外，所述电致发光器件还可以包括光学覆盖层，以提高光学输出。
图2为本公开示例性实施例的电致发光器件的结构示意图。如图2所示，所述电致发光器件可以包括：阳极100、空穴注入层200、空穴传输层300、电子阻挡层400、发光层500、空穴阻挡层600、电子传输层700、电子注入层800、阴极900和光学覆盖层1000。所述空穴注入层200设置在所述阳极100一侧的表面上，所述空穴传输层300设置在所述空穴注入层200的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子阻挡层400设置在所述空穴传输层300的远离所述阳极100一侧的表面上，所述发光层500设置在所述电子阻挡层400的远离所述阳极100一侧的表面上，所述空穴阻挡层600设置在所述发光层500的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子传输层700设置在所述空穴阻挡层600的远离所述阳极100一侧的表面上，所述电子注入层800设置在所述电子传输层700的远离所述阳极100一侧的表面上，所述阴极900设置在所述电子注入层800的远离所述阳极100一侧的表面上，所述光学覆盖层1000设置在所述阴极900的远离所述阳极100一侧的表面上。
在示例性实施例中，所述阳极可以为具有高功函数的材料。示例性地，对于底发射型器件，阳极可以采用透明氧化物材料，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(Indium ZincOxide,IZO)等。或者，对于顶发射型器件，阳极可以采用金属和透明氧化物的复合结构，如Ag/ITO、Ag/IZO、Al/ITO、Al/IZO或者ITO/Ag/ITO等，可保证良好的反射率。
在示例性实施例中，所述空穴传输层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述空穴传输层的材料可以包括第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料的结构通式可以为：
其中，R3可以选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
在示例性实施例中，R3的结构通式可以为：
其中，R4和R5可以各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
在示例性实施例中，所述第二空穴传输材料可以选自以下化合物中的任意一种或多种：
/>
在示例性实施例中，所述空穴传输层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述电子阻挡层的材料可以包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种。
例如，所述电子阻挡层的材料可以选自4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)、N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)、4-苯基-4’-(9-苯基芴-9-基)三苯基胺(BAFLP)、4,4’-双[N-(9,9-二甲基芴-2-基)-N-苯基氨基]联苯(DFLDPBi)、4,4’-二(9-咔唑基)联苯(CBP)和9-苯基-3-[4-(10-苯基-9-蒽基)苯基]-9H-咔唑(PCzPA)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述发光层的材料可以包括一种发光材料，也可以包括两种或两种以上的发光材料。例如，可以包括主体发光材料和掺杂到所述主体发光材料中的客体发光材料。
在示例性实施例中，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述蓝色电致发光器件的发光层的材料包括蓝色发光材料，所述绿色电致发光器件的发光层的材料包括绿色发光材料，所述红色电致发光器件的发光层的材料可以包括红色发光材料。
在示例性实施例中，所述蓝色发光材料可以包括芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料、苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料和金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。
例如，所述蓝色发光材料可以包括N1,N6-二([1,1’-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1’-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)、4,4’-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAV Bi)、4,4’-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述绿色发光材料可以包括香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种。
例如，所述绿色发光材料可以包括香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10,N10'-二苯基-N10,N10’-二苯二甲酰-9,9’-二蒽-10,10’-二胺(简称：BA-NPB)、三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称：Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述红色发光材料可以包括DCM类列红色发光材料和金属配合物类红色发光材料中的任意一种或多种。
例如，所述红色发光材料可以包括4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(简称：PtOEP)、二(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)合铱(简称：Ir(btp)2(acac)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述发光层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述空穴阻挡层的材料可以包括芳族杂环类空穴阻挡材料，例如，可以包括苯并咪唑衍生物类空穴阻挡材料、咪唑并吡啶衍生物类空穴阻挡材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类空穴阻挡材料、嘧啶衍生物类空穴阻挡材料、三嗪衍生物类空穴阻挡材料、喹啉衍生物类空穴阻挡材料、异喹啉衍生物类空穴阻挡材料、菲咯啉衍生物类空穴阻挡材料中的任意一种或多种。
再例如，所述空穴阻挡层材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述空穴阻挡层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述电子传输层的材料可以包括芳族杂环类电子传输材料，例如，可以包括苯并咪唑衍生物类电子传输材料、咪唑并吡啶衍生物类电子传输材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类电子传输材料、嘧啶衍生物类电子传输材料、三嗪衍生物类电子传输材料、喹啉衍生物类电子传输材料、异喹啉衍生物类电子传输材料、菲咯啉衍生物类电子传输材料中的任意一种或多种。
再例如，所述电子传输层的材料可以包括2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPhen)、(BCP)、4,4’-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子传输层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述电子注入层的材料可以包括碱金属电子注入材料和金属电子注入材料中的任意一种或多种。
例如，所述电子注入层材料可以包括LiF、Yb、Mg、Ca中的任意一种或多种。
在示例性实施例中，所述电子注入层可以通过蒸镀形成。
在示例性实施例中，所述阴极可以采用Al、Ag、Mg等较低功函数的金属形成，或采用含有低功函数金属材料的合金形成。
在示例性实施例中，所述光学覆盖层可以采用折射率大于1.8的有机小分子材料蒸镀形成。
本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括如上所述的电致发光器件。
在示例性实施例中，所述显示装置可以包括多个所述电致发光器件。例如，所述电致发光器件可以为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述显示装置可以包括蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件和红色电致发光器件。
所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、智能手表、智能手环等任何具有显示功能的产品或部件。
下面对本公开的一些示例性实施例的电致发光器件的性能进行测试和对比。
其中采用的部分原料的化学结构如下：
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对比例的器件组包括：
子蓝色器件单元：ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA100nm/CBP 10nm/BH:BD 5％20nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1:1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/NPB 60nm
子绿色器件单元：ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA100nm/CBP 40nm/GH:GD 10％40nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1:1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/NPB 60nm
子红色器件单元：ITO/m-MTDATA：F4TCNQ 3％10nm/m-MTDATA100nm/CBP 80nm/RH:RD 3％45nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1:1 30nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/NPB 60nm
实施例的器件组包括：
子蓝色器件单元：ITO/第一空穴传输材料：p型掺杂材料3％10nm/第二空穴传输材料100nm/CBP 10nm/BH:BD 5％20nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1:130nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/NPB60nm
子绿色器件单元：ITO/第一空穴传输材料：p型掺杂材料3％10nm/第二空穴传输材料100nm/CBP 40nm/GH:GD 10％40nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1:130nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/NPB 60nm
子红色器件单元：ITO/第一空穴传输材料：p型掺杂材料3％10nm/第二空穴传输材料100nm/CBP 80nm/RH:RD 3％45nm/TPBI 5nm/BCP:Liq 1:130nm/Yb 1nm/Mg：Ag 13nm/NPB60nm
其中，第一空穴传输材料与第二空穴传输材料采用同一种材料。
第一/第二空穴传输材料、p型掺杂材料的具体材料和器件的性能如表1所示。
其中，实施例中的第一空穴传输材料、p型掺杂材料均满足：
|LUMO(B)-HOMO(A)|≤0.3eV；
Rs(A)≥1×1011Ω/sq；
Rs(AB)≥1×109Ω/sq；
其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻；Rs(AB)为第一空穴传输材料与p型掺杂材料掺杂后形成的空穴注入材料的横向电阻。
表1
可以看出，与对比例的电致发光器件组相比，本公开示例性实施例的电致发光器件组的电压较低，外量子效率(EQE)较高，因此光电性能更优。
图3为对比例的电致发光器件组的单色发光的光谱图；图4为本公开实施例1的电致发光器件组的单色发光的光谱图，本公开实施例2至实施例9的单色发光的光谱图与图4相似。
从图3和图4可以看出，对比例的电致发光器件组，在测试单色光谱时，其他颜色伴随发光，存在颜色串扰问题；本公开实施例的电致发光器件组，在测试单色光谱时，不存在颜色串扰问题。
虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (18)

1.一种空穴注入材料，其特征在于，包括：第一空穴传输材料和p型掺杂材料，所述第一空穴传输材料为以9-苯基咔唑为核的线性第一空穴传输材料，所述第一空穴传输材料和所述p型掺杂材料满足：
|LUMO(B)-HOMO(A)|≤0.3eV；
Rs(A)≥1×1011Ω/sq；
其中，LUMO(B)为所述p型掺杂材料的最低未占分子轨道能级；HOMO(A)为所述第一空穴传输材料的最高占据分子轨道能级；Rs(A)为所述第一空穴传输材料的横向电阻。
2.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述p型掺杂材料的重量占所述第一空穴传输材料重量的1％至5％，
Rs(AB)≥1×109Ω/sq；
其中，Rs(AB)为所述空穴注入材料的横向电阻。
3.根据权利要求1所述的空穴注入材料，其特征在于，所述第一空穴传输材料的结构通式为：
其中，R3选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子的芳基取代的硅烷基。
4.根据权利要求3所述的空穴注入材料，其特征在于，R3的结构通式为：
其中，R4和R5各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
5.根据权利要求3所述的空穴注入材料，其特征在于，所述第一空穴传输材料选自以下化合物中的任意一种或多种：
6.根据权利要求1至5中任一项所述的空穴注入材料，其特征在于，所述p型掺杂材料选自通式III化合物、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲、2,3,5,6-四氟-7,7’,8,8’-四氰基对苯醌和1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；
其中，X、Y各自独立地选自O、S、取代或未取代的C、N；R1、R2各自独立地选自取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有3至20个环碳原子的环烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子数的芳烷基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的烷氧基、取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳氧基；并且，当R1、R2选自取代的烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基时，所述烷基、环烷基、杂烷基、芳烷基、烷氧基、芳氧基的取代基中含有氟。
7.根据权利要求1至5中任一项所述的空穴注入材料，其特征在于，所述p型掺杂材料选自以下化合物中的任意一种或多种：
化合物2-5 化合物2-6。
8.一种电致发光器件，其特征在于，包括空穴注入层，所述空穴注入层的材料为根据权利要求1至7中任一项所述的空穴注入材料。
9.根据权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，还包括：阳极、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
10.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括第二空穴传输材料，所述第二空穴传输材料的结构通式为：
其中，R3选自取代或未取代的具有6至40个碳原子的芳基、取代或未取代的具有1至20个碳原子的杂烷基、取代或未取代的具有7至30个碳原子的芳烷基、取代或未取代的具有3至40个碳原子的杂芳基、取代或未取代的具有3至20个碳原子的硅烷基、或取代或未取代的具有6至20个碳原子
的芳基取代的硅烷基。
11.根据权利要求10所述的电致发光器件，其特征在于，R3的结构通式为：
其中，R4和R5各自独立地选自取代或未取代的具有6至30个碳原子的芳基或具有6至30个碳原子的杂芳基。
12.根据权利要求10所述的电致发光器件，其特征在于，所述第二空穴传输材料选自以下化合物中的任意一种或多种：
13.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子阻挡层的材料包括芳胺类电子阻挡材料、二甲基芴类电子阻挡材料和咔唑类电子阻挡材料中的任意一种或多种。
14.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件为蓝色电致发光器件、绿色电致发光器件或红色电致发光器件，所述蓝色电致发光器件的发光层的材料包括蓝色发光材料，所述绿色电致发光器件的发光层的材料包括绿色发光材料，所述红色电致发光器件的发光层的材料包括红色发光材料；
所述蓝色发光材料包括芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料、苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料和金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种；
所述绿色发光材料包括香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种；
所述红色发光材料包括DCM类列红色发光材料和金属配合物类红色发光材料中的任意一种或多种。
15.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴阻挡层的材料包括苯并咪唑衍生物类空穴阻挡材料、咪唑并吡啶衍生物类空穴阻挡材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类空穴阻挡材料、嘧啶衍生物类空穴阻挡材料、三嗪衍生物类空穴阻挡材料、喹啉衍生物类空穴阻挡材料、异喹啉衍生物类空穴阻挡材料、菲咯啉衍生物类空穴阻挡材料中的任意一种或多种。
16.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括苯并咪唑衍生物类电子传输材料、咪唑并吡啶衍生物类电子传输材料、苯并咪唑并菲啶衍生物类电子传输材料、嘧啶衍生物类电子传输材料、三嗪衍生物类电子传输材料、喹啉衍生物类电子传输材料、异喹啉衍生物类电子传输材料、菲咯啉衍生物类电子传输材料中的任意一种或多种。
17.根据权利要求9所述的电致发光器件，其特征在于，所述电子注入层的材料包括碱金属电子注入材料和金属电子注入材料中的任意一种或多种。
18.一种显示装置，其特征在于，包括根据权利要求8至17中任一项所述的电致发光器件。
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