CN118076132A - Woled器件及显示装置 - Google Patents

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杜小波
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Abstract

本申请公开了WOLED器件及显示装置，属于显示技术领域。WOLED器件包括依次层叠的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极，有机发光单元包括依次层叠布置的蓝色发光层、隔层、绿色发光层和红色发光层；隔层具有电子传输特征，且隔层的|HOMO|大于或等于第一设定阈值。或者，有机发光单元包括依次层叠布置的红色发光层、隔层、蓝色发光层和绿色发光层；隔层具有空穴传输特征，且隔层的|LUMO|小于或等于第二设定阈值。该WOLED器件能够兼顾其RGB发光层三者的均衡发光和器件的使用寿命。

Description

WOLED器件及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及WOLED器件及显示装置。
背景技术
白色有机发光二极管(White Organic Light Emitting Diode，WOLED)，又称白光有机发光器件，其不仅能够用于照明，还能够用于液晶显示器的背光源及全彩色的OLED显示器。
根据器件结构的不同，白光有机发光器件包括单叠层发光器件、双叠层发光器件等。对于双叠层发光器件，其两个有机发光层之间通过电荷产生层(Charge GenerationLayer，CGL)相连，电荷产生层通常包括P型掺杂的空穴传输材料和N型掺杂电子传输材料，其导电性强于其他有机膜层，导致其横向漏电的风险也相应增大。单叠层发光器件因不使用电荷产生层，能够有效避免横向漏电问题。
然而，对于目前的单叠层发光器件来说，很难同时兼顾其RGB发光层三者的均衡发光和器件的使用寿命。
发明内容
鉴于此，本公开提供了WOLED器件及显示装置，能够解决相关技术中存在的技术问题。
具体而言，包括以下的技术方案：
一方面，提供了一种WOLED器件，所述WOLED器件包括：依次层叠布置的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极；
所述有机发光单元包括：依次层叠布置的蓝色发光层、隔层、绿色发光层和红色发光层，所述蓝色发光层还与所述空穴传输单元层叠布置，所述红色发光层还与所述电子传输单元层叠布置；
其中，所述隔层具有电子传输特征，且所述隔层的|HOMO|大于或等于第一设定阈值。
本公开实施例提供的WOLED器件，通过对有机发光单元进行改进，使其包括依次层叠布置的蓝色发光层、隔层、绿色发光层和红色发光层。由于隔层具有电子传输特征，这利于部分电子从阴极依次经过红色发光层、绿色发光层并传输至蓝色发光层。且隔层的|HOMO|大于或等于第一设定阈值，即隔层还具有深HOMO绝对值的特性，这利于阻挡部分空穴由阳极经蓝色发光层传输至红色发光层和绿色发光层，从而使得部分电子和空穴被局限于蓝色发光层以进行复合跃迁发光，而剩余部分的电子和空穴分别在红色发光层和绿色发光层中进行复合跃迁发光。从而，蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层三者在各自对应波长波段发光，实现均衡RGB三色发光，且利于使WOLED器件具有较强的使用寿命。
在一些可能的实现方式中，所述隔层满足以下条件：电子迁移率μe为1×10-6cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs，以及，|HOMO|≥6.01eV。
在一些可能的实现方式中，所述隔层采用以下材料中的至少一种制备得到：
在一些可能的实现方式中，所述蓝色发光层包括第一主体材料和蓝光掺杂剂，且所述蓝光掺杂剂的质量百分比为1％-5％；
所述绿色发光层包括第二主体材料和绿光掺杂剂，且所述绿光掺杂剂的质量百分比为5％-15％；
所述红色发光层包括第三主体材料和红光掺杂剂，且所述红光掺杂剂的质量百分比为1％-5％。
在一些可能的实现方式中，所述第一主体材料为芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料中的至少一种，所述蓝光掺杂剂为蓝色荧光材料；
所述第二主体材料为香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的至少一种，所述绿光掺杂剂为绿色磷光材料；
所述第三主体材料为4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃中的至少一种，所述红光掺杂剂为红色磷光材料。
另一方面，提供了一种WOLED器件，所述WOLED器件包括：依次层叠布置的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极；
所述有机发光单元包括：依次层叠布置的红色发光层、隔层、蓝色发光层和绿色发光层，所述红色发光层还与所述空穴传输单元层叠布置，所述绿色发光层还与所述电子传输单元层叠布置；
其中，所述隔层具有空穴传输特征，且所述隔层的|LUMO|小于或等于第二设定阈值。
本公开实施例提供的WOLED器件，通过对有机发光单元进行改进，使其包括依次层叠布置的红色发光层、隔层、蓝色发光层和绿色发光层。由于隔层具有空穴传输特征，这利于部分空穴从阳极依次经过红色发光层并传输至蓝色发光层和绿色发光层。且隔层的|LUMO|小于或等于第二设定阈值，即隔层还具有浅LUMO绝对值的特性，这利于阻挡部分电子由阴极经绿色发光层和蓝色发光层传输至红色发光层，从而使得部分电子和空穴被局限于蓝色发光层和绿色发光层以进行复合跃迁发光，而剩余部分的电子和空穴在红色发光层中进行复合跃迁发光。从而，蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层三者在各自对应波长波段发光，实现均衡RGB三色发光，且利于使WOLED器件具有较强的使用寿命。
在一些可能的实现方式中，所述隔层满足以下条件：空穴迁移率μh为1×10-5cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs，以及，|LUMO|≤2.48eV。
在一些可能的实现方式中，所述隔层采用以下材料中的至少一种制备得到：
在一些可能的实现方式中，所述蓝色发光层包括第一主体材料和蓝光掺杂剂，且所述蓝光掺杂剂的质量百分比为1％-5％；
所述绿色发光层包括第二主体材料和绿光掺杂剂，且所述绿光掺杂剂的质量百分比为5％-15％；
所述红色发光层包括第三主体材料和红光掺杂剂，且所述红光掺杂剂的质量百分比为1％-5％。
在一些可能的实现方式中，所述第一主体材料为芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料中的至少一种，所述蓝光掺杂剂为蓝色荧光材料；
所述第二主体材料为香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的至少一种，所述绿光掺杂剂为绿色磷光材料；
所述第三主体材料为4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃中的至少一种，所述红光掺杂剂为红色磷光材料。
再一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述任一所述的WOLED器件。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开提供的一示例性WOLED器件的结构布置图；
图2为本公开提供的另一示例性WOLED器件的结构布置图；
图3为实施例1和对比例1提供的WOLED器件的PL光谱图；
图4为实施例2和对比例2提供的WOLED器件的PL光谱图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图，对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
本公开实施例对WOLED器件涉及的一些功能层的术语进行如下解释：空穴注入层-HIL；空穴传输层-HTL；电子阻挡层-EBL；空穴阻挡层-HBL；电子传输层-ETL；电子注入层-EIL；最高占据分子轨道-HOMO；最低未占据分子轨道-LUMO。
为使本公开的技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本公开实施方式作进一步地详细描述。
对于单叠层的WOLED器件，由于不使用电荷产生层，能够有效避免横向漏电问题。然而，对于目前的单叠层的WOLED器件来说，其蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层三者(简称RGB发光层)可以任意顺序层叠布置，这使得三者既要发光，又要传输电荷给彼此，所以，如何均衡RGB发光层三者的发光，同时确保WOLED器件的使用寿命十分重要，然而，目前的WOLED器件很难同时兼顾其RGB发光层三者的均衡发光和器件的使用寿命。
根据本公开实施例的一个方面，提供了一种WOLED器件，该WOLED器件包括：依次层叠布置的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极。有机发光单元包括：依次层叠布置的蓝色发光层、隔层、绿色发光层和红色发光层，蓝色发光层还与空穴传输单元层叠布置，红色发光层还与电子传输单元层叠布置。也就是说，沿着自阳极至阴极的方向，空穴传输单元、蓝色发光层、隔层、绿色发光层、红色发光层和电子传输单元依次层叠布置。其中，隔层具有电子传输特征，且隔层的|HOMO|(即最高占据分子轨道HOMO能级的绝对值)大于或等于第一设定阈值。
例如，图1针对该实现方式，示例了一种WOLED器件的结构，其包括依次层叠布置的阳极Anode、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、蓝色发光层BEML、隔层IL、绿色发光层GEML、红色发光层REML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL和阴极Cathode。
本公开实施例提供的WOLED器件，通过对有机发光单元进行改进，使其包括依次层叠布置的蓝色发光层、隔层、绿色发光层和红色发光层。由于隔层具有电子传输特征，这利于部分电子从阴极依次经过红色发光层、绿色发光层并传输至蓝色发光层。且隔层的|HOMO|大于或等于第一设定阈值，即隔层还具有深HOMO绝对值的特性，这利于阻挡部分空穴由阳极经蓝色发光层传输至红色发光层和绿色发光层，从而使得部分电子和空穴被局限于蓝色发光层以进行复合跃迁发光，而剩余部分的电子和空穴分别在红色发光层和绿色发光层中进行复合跃迁发光。从而，蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层三者在各自对应波长波段发光，实现均衡RGB三色发光，且利于使WOLED器件具有较强的使用寿命。
在一些实现方式中，对于上述涉及的隔层具有电子传输特征，可以使隔层满足其电子迁移率μe为1×10-6cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs，从而确保隔层具有优异的电子传输特性。
对于上述涉及的隔层的|HOMO|大于或等于第一设定阈值，该第一设定阈值可以是6.01eV，即隔层的|HOMO|≥6.01eV，从而确保隔层具有深HOMO绝对值的特性。
能够满足上述电子迁移率和|HOMO|特征的材料均适用于制备该WOLED器件中涉及的隔层，该隔层采用以下材料中的至少一种制备得到，以下各材料的简称备注于其化学结构式的下方：
在形成隔层时，可以采用上述材料中的任意一种，也可以采用上述材料中至少一种的组合。
本公开实施例涉及的WOLED器件，其蓝色发光层包括第一主体材料和蓝光掺杂剂，且蓝光掺杂剂的质量百分比为1％-5％，这包括但不限于1％、2％、3％、4％、5％等。
绿色发光层包括第二主体材料和绿光掺杂剂，且绿光掺杂剂的质量百分比为5％-15％，这包括5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％等。
红色发光层包括第三主体材料和红光掺杂剂，且红光掺杂剂的质量百分比为1％-5％，这包括但不限于1％、2％、3％、4％、5％等。
蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层均采用主体材料和掺杂剂构成的体系，且各类掺杂剂的掺杂比例分别如上所示，确保蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层各自兼具优异的效率和寿命。
对于蓝色发光层，其涉及的第一主体材料为可以包括：芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。
例如，蓝色发光材料可以包括：N1,N6-二([1,1’-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1’-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)中的任意一种或多种。
其涉及的蓝光掺杂剂为蓝色荧光材料，该蓝色荧光材料的光致发光光谱(Photoluminescence Spectroscopy，PL)的峰值范围为430nm-480nm。
示例性地，蓝色荧光材料包括芳香类发光基团、苯胺类发光基团等。进一步举例来说，蓝色荧光材料可以为苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料、金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。
例如，蓝色发光材料可以包括4,4’-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、4,4’-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)中的任意一种或多种。
对于绿色发光层，其涉及的第二主体材料可以包括：香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种。
例如，第二主体材料所涉及的绿色发光材料可以包括：香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10,N10'-二苯基-N10,N10’-二苯二甲酰-9,9’-二蒽-10,10’-二胺(简称：BA-NPB)等。
其涉及的绿光掺杂剂为绿色磷光材料，示例性地，该绿色磷光材料的PL谱的峰值为520nm-550nm，示例性地，该绿色磷光材料包括重金属原子中心和连接于重金属原子中心的有机共轭基团，其中，重金属原子可以是Ir原子或者Pt原子，有机共轭基团可以是苯环类基团。
示例性地，绿色磷光材料可以包括三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称：Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任意一种或多种。
对于红色发光层，其涉及的第三主体材料可以包括4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)中的任意一种或多种。
其涉及的红光掺杂剂为红色磷光材料，该红色磷光材料的PL谱的峰值范围为580nm-650nm。示例性地，该红色磷光材料包括重金属原子中心和连接于重金属原子中心的有机共轭基团，其中，重金属原子可以是Ir原子或者Pt原子，有机共轭基团可以是苯环类基团。
示例性地，红色磷光材料可以包括：二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(简称：PtOEP)、二(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)合铱(简称：Ir(btp)2(acac)中的任意一种或多种。
根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种WOLED器件，该WOLED器件包括：依次层叠布置的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极；有机发光单元包括：依次层叠布置的红色发光层、隔层、蓝色发光层和绿色发光层，红色发光层还与空穴传输单元层叠布置，绿色发光层还与电子传输单元层叠布置。也就是说，沿着自阳极至阴极的方向，空穴传输单元、红色发光层、隔层、蓝色发光层、绿色发光层和电子传输单元依次层叠布置。
其中，隔层具有空穴传输特征，且隔层的|LUMO|(即最低未占据分子轨道LUMO的绝对值)小于或等于第二设定阈值。
例如，图2针对该实现方式，示例了一种WOLED器件的结构，其包括依次层叠布置的阳极Anode、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、红色发光层REML、隔层IL、蓝色发光层BEML、绿色发光层GEML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL和阴极Cathode。
本公开实施例提供的WOLED器件，通过对有机发光单元进行改进，使其包括依次层叠布置的红色发光层、隔层、蓝色发光层和绿色发光层。由于隔层具有空穴传输特征，这利于部分空穴从阳极依次经过红色发光层并传输至蓝色发光层和绿色发光层。且隔层的|LUMO|小于或等于第二设定阈值，即隔层还具有浅LUMO绝对值的特性，这利于阻挡部分电子由阴极经绿色发光层和蓝色发光层传输至红色发光层，从而使得部分电子和空穴被局限于蓝色发光层和绿色发光层以进行复合跃迁发光，而剩余部分的电子和空穴在红色发光层中进行复合跃迁发光。从而，蓝色发光层、红色发光层和绿色发光层三者在各自对应波长波段发光，实现均衡RGB三色发光，且利于使WOLED器件具有较强的使用寿命。
在一些实现方式中，对于上述涉及的隔层具有空穴传输特征，可以使隔层满足其空穴迁移率μh为1×10-5cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs，从而确保隔层具有优异的空穴传输特性。
对于上述涉及的隔层的|LUMO|小于或等于第二设定阈值，该第二设定阈值可以是2.48eV，即|LUMO|≤2.48eV，从而确保隔层具有浅LUMO绝对值的特性。
能够满足上述空穴迁移率和|LUMO|特征的材料均适用于制备该WOLED器件中涉及的隔层，该隔层采用以下材料中的至少一种制备得到，以下各材料的简称备注于其化学结构式的下方：
在形成隔层时，可以采用上述材料中的任意一种，也可以采用上述材料中至少一种的组合。
本公开实施例涉及的WOLED器件，其蓝色发光层包括第一主体材料和蓝光掺杂剂，且蓝光掺杂剂的质量百分比为1％-5％，这包括但不限于1％、2％、3％、4％、5％等。
绿色发光层包括第二主体材料和绿光掺杂剂，且绿光掺杂剂的质量百分比为5％-15％，这包括5％、6％、7％、8％、9％、10％、11％、12％、13％、14％、15％等。
红色发光层包括第三主体材料和红光掺杂剂，且红光掺杂剂的质量百分比为1％-5％，这包括但不限于1％、2％、3％、4％、5％等。
蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层均采用主体材料和掺杂剂构成的体系，且各类掺杂剂的掺杂比例分别如上所示，确保蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层各自兼具优异的效率和寿命。
对于蓝色发光层，其涉及的第一主体材料为可以包括：芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。
例如，蓝色发光材料可以包括：N1,N6-二([1,1’-联苯]-2-基)-N1,N6-二([1,1’-联苯]-4-基)芘-1,6-二胺、9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)、2-甲基-9,10-二-2-萘基蒽(MADN)、2,5,8,11-四叔丁基苝(TBPe)中的任意一种或多种。
其涉及的蓝光掺杂剂为蓝色荧光材料，该蓝色荧光材料的光致发光光谱(Photoluminescence Spectroscopy，PL)的峰值范围为430nm-480nm。
示例性地，蓝色荧光材料包括芳香类发光基团、苯胺类发光基团等。进一步举例来说，蓝色荧光材料可以为苯乙烯基胺衍生物类蓝色发光材料、金属配合物类蓝色发光材料中的任意一种或多种。
例如，蓝色发光材料可以包括4,4’-二[4-(二苯氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、4,4’-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)、二(4,6-二氟苯基吡啶-C2,N)吡啶甲酰合铱(FIrpic)中的任意一种或多种。
对于绿色发光层，其涉及的第二主体材料可以包括：香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的任意一种或多种。
例如，第二主体材料所涉及的绿色发光材料可以包括：香豆素6(C-6)、香豆素545T(C-525T)、喹吖啶铜(QA)、N,N’-二甲基喹吖啶酮(DMQA)、5,12-二苯基萘并萘(DPT)、N10,N10'-二苯基-N10,N10’-二苯二甲酰-9,9’-二蒽-10,10’-二胺(简称：BA-NPB)等。
其涉及的绿光掺杂剂为绿色磷光材料，示例性地，该绿色磷光材料的PL谱的峰值为520nm-550nm，示例性地，该绿色磷光材料包括重金属原子中心和连接于重金属原子中心的有机共轭基团，其中，重金属原子可以是Ir原子或者Pt原子，有机共轭基团可以是苯环类基团。
示例性地，绿色磷光材料可以包括三(8-羟基喹啉)合铝(III)(简称：Alq3)、三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)、乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)2(acac))中的任意一种或多种。
对于红色发光层，其涉及的第三主体材料可以包括4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB)中的任意一种或多种。
其涉及的红光掺杂剂为红色磷光材料，该红色磷光材料的PL谱的峰值范围为580nm-650nm。示例性地，该红色磷光材料包括重金属原子中心和连接于重金属原子中心的有机共轭基团，其中，重金属原子可以是Ir原子或者Pt原子，有机共轭基团可以是苯环类基团。
示例性地，红色磷光材料可以包括：二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))、八乙基卟啉铂(简称：PtOEP)、二(2-(2’-苯并噻吩基)吡啶-N,C3’)(乙酰丙酮)合铱(简称：Ir(btp)2(acac)中的任意一种或多种。
对于上述有机发光单元，其蓝色发光层、红色发光层、绿色发光层的厚度根据实际发光需求进行设定，例如，蓝色发光层的厚度范围可以是10nm-40nm；红色发光层的厚度范围可以是2nm-20nm；绿色发光层的厚度范围可以是5nm-30nm。并且，隔层的厚度范围可以是2nm-20nm。
本公开实施例中，空穴传输单元包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层中的至少一种；电子传输单元包括电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层中的至少一种。
在一些示例(1)中，空穴传输单元包括空穴传输层，其中，阳极、空穴传输层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(2)中，空穴传输单元包括空穴注入层和空穴传输层，其中，阳极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(3)中，空穴传输单元包括空穴传输层和电子阻挡层，其中，阳极、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(4)中，空穴传输区包括空穴传输层、电子阻挡层和空穴注入层，其中，阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(5)中，电子传输区包括电子传输层，其中，阴极、电子传输层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(6)中，电子传输区包括电子传输层和电子注入层，其中，阴极、电子注入层、电子传输层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(7)中，电子传输区包括电子传输层和空穴阻挡层，其中，阴极、电子传输层、空穴阻挡层、有机发光单元依次层叠布置。
在一些示例(8)中，电子传输区包括电子传输层、空穴阻挡层、电子注入层，其中，阴极、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、有机发光单元依次层叠布置。
其中，上述示例(1)至示例(4)中的任一示例与示例(5)至示例(8)中的任一示例可以任意组合，在此不再一一赘述。
另外，空穴传输单元、电子传输单元、阳极和阴极均可以采用目前已知的相关材料，以下分别进行示例性说明。
对于空穴注入层，一种示例可以是钼、钛、钒、铼、钌、铬、锆、铪、钽、银、钨、锰等金属的氧化物，另一种示例可以是六氰基六氮杂三亚苯基、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基对醌二甲烷(F4TCNQ)、2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲(HAT-CN)、1,2,3-三[(氰基)(4-氰基-2,3,5,6-四氟苯基)亚甲基]环丙烷等。在一些示例中，空穴注入层的厚度可以为3nm-20nm。
对于空穴传输层，其可以为芳胺类或者咔唑类材料，这包括但不限于：4,4',4'-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、NPB、TPD、BAFLP、DFLDPBi等。在一些示例中，空穴传输层的厚度可以为20nm-100nm。
对于电子阻挡层，其可以是TCTA、mCBP、PCzPA等，在一些示例中，电子阻挡层的厚度可以为5nm-100nm。
对于空穴阻挡层、电子传输层，两者各自独立地选自包括但不限于以下：2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)、1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)、3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)、3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(p-EtTAZ)、红菲咯啉(BPDen)、4,4'-双(5-甲基苯并噁唑-2-基)芪(BzOs)、BCP、TPBi等。在一些示例中，电子传输层或者空穴阻挡层的厚度为3nm-50nm。
对于电子注入层，其包括但不限于：LiF、Yb、Mg、Ca及其氧化物等。在一些示例中，电子注入层的厚度可以为0.5nm-5nm。
对于上述涉及的阳极，其可以为单层结构，也可以为多层结构，对于多层结构的阳极，其包括层叠布置的反射层和透射导电层。其中，透射导电层可以通过ITO、IZO、ZnO或者ITZO制备得到，反射层可以采用金属、金属合金或者金属化合物制备得到，举例来说，这包括但不限于：银(Ag)、镁(Mg)、铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、LiF/Ca、LiF/Al、钼(Mo)、钛(Ti)及其合金或者化合物中的至少一种。
对于阴极，其类型包括但不限于：透射电极、透反射电极、或者反射电极。对于透射电极，其可以包括透明金属氧化物，例如ITO、IZO、ZnO、ITZO等。对于透反射电极或反射电极，其制备原料可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Mo、Ti，以及它们的化合物或者合金中的至少一种。
本公开实施例提供的WOLED器件，其阳极布置于基板上，其中，该基板可以是硅基板，例如单晶硅，从而形成硅基WOLED器件，该基板也可以是玻璃基板。
根据本公开实施例的再一方面，还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述所述的任一种WOLED器件。
本公开实施例提供的显示装置，具有本公开实施例所提供的WOLED器件的所有优点。
示例性地，该显示装置包括但不限于手机显示屏、电脑显示屏、电视显示屏、智能手表显示屏、智能汽车显示屏、VR或AR头盔显示屏等。
在一些示例中，该显示装置除了包括上述的WOLED器件之外，还可以包括显示装置所必备的结构和部件，以手机显示屏为例，还可以包括显示背板、彩膜基板、玻璃盖板、壳体、触控面板等。
下面将更详细地描述本公开的具体实施方式。虽然以下描述了本公开的具体实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
实施例1
实施例1提供了一种WOLED器件，其包括硅基板和设置于硅基板上的WOLED结构，如附图1所示，WOLED结构包括依次层叠布置的阳极、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、蓝色发光层BEML、隔层IL1、绿色发光层GEML、红色发光层REML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL和阴极。
该WOLED器件通过以下方法制备得到：提供具有多个阵列排布的像素区域的硅基板，在硅基板上形成阳极，利用蒸镀工艺，在阳极上依次形成以下各层：HIL/HTL/EBL/BEML/IL1/GEML/REML/HBL/ETL/EIL/Cathode。然后，进行封装及后段CF+Lens工艺，制备得到WOLED器件。
该WOLED器件中各层的组成分别如下所示：
阳极为ITO，厚度为70nm；阴极为Al，厚度为100nm。
空穴注入层HIL由p型掺杂剂(2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲)和主体材料(4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB))混掺组成，其中p型掺杂剂的质量掺杂比为2％，HIL厚度为10nm。
空穴传输层HTL为4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)，厚度为70nm。
电子阻挡层EBL为N,N’-双(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基-[1,1’-联苯]-4,4’-二胺(TPD)，厚度为5nm。
蓝色发光层BEML由第一主体材料：9,10-二-(2-萘基)蒽(ADN)和蓝光掺杂剂：4,4’-二[4-(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯(DPAVBi)混掺组成，其中，蓝光掺杂剂的质量掺杂比为1％，厚度为20nm。
隔层IL1为PBD，2-(4-联苯基)-5-(4-叔-丁基苯基)-1,3,4-噁二唑，厚度为5nm，隔层IL1满足以下条件：电子迁移率μe＝7.6×10-5cm2/Vs，|HOMO|＝6.01eV。
绿色发光层GEML由第二主体材料：5,12-二苯基萘并萘(DPT)和绿光掺杂剂：三(2-苯基吡啶)合铱(Ir(ppy)3)混掺组成，其中，绿光掺杂剂的质量掺杂比为10％，厚度为10nm。
红色发光层REML由第三主体材料：4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃(DCM)和红光掺杂剂：二(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(piq)2(acac))混掺组成，其中，红光掺杂剂的质量掺杂比为2％，厚度为5nm。
空穴阻挡层HBL为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)，厚度为5nm。
电子传输层ETL为3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-联苯基)-1,2,4-三唑(TAZ)，厚度为30nm。
电子注入层EIL为金属Yb，厚度为1nm。
对比例1
对比例1针对于实施例1提供了一种对比用WOLED器件，该WOLED器件与实施例1的区别在于，其隔层类型不同，具体是，隔层采用了下述实施例2中的隔层IL2。
实施例2
实施例2提供了一种WOLED器件，其包括硅基板和设置于硅基板上的WOLED结构，如附图2所示，WOLED结构包括依次层叠布置的阳极、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、电子阻挡层EBL、红色发光层REML、隔层IL2、蓝色发光层BEML、绿色发光层GEML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL、电子注入层EIL和阴极。
该WOLED器件通过以下方法制备得到：提供具有多个阵列排布的像素区域的硅基板，在硅基板上形成阳极，利用蒸镀工艺，在阳极上依次形成以下各层：HIL/HTL/EBL/REML/IL1/BEML/GEML/HBL/ETL/EIL/Cathode。然后，进行封装及后段CF+Lens工艺，制备得到WOLED器件。
该WOLED器件中，阳极、阴极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、蓝色发光层、绿色发光层、红色发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层的组成和厚度均与实施例1中的相应层相同，区别在于，隔层IL2不同，具体地，隔层IL2为TAPC，4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺]，厚度为5nm。隔层IL2满足以下条件：电子迁移率μe＝8.23×10-5cm2/Vs，|LUMO|＝2.48eV。
对比例2
对比例2针对于实施例2提供了一种对比用WOLED器件，该WOLED器件与实施例2的区别在于，其隔层不同，具体是，隔层采用了上述实施例1中的隔层IL1。
测试例
本测试例对实施例1和对比例1提供的WOLED器件，以及，实施例2和对比例2提供的WOLED器件的电致发光光谱(EL光谱)进行了测试。
实施例1和对比例1提供的WOLED器件的EL光谱测试结果参见图3，由图3可知，实施例1提供的WOLED器件中，蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层三者在各自对应的波长波段实现出峰，且出峰强度较为一致，从而实现了均衡的RGB三色发光。而对比例1中，其蓝色发光层未出峰，即不发光，并且，红色发光层的峰值远高于绿色发光层的峰值，未能实现均衡的RGB三色发光。
实施例2和对比例2提供的WOLED器件的EL光谱测试结果参见图4，由图4可知，实施例2提供的WOLED器件中，蓝色发光层、绿色发光层和红色发光层三者在各自对应的波长波段实现出峰，且出峰强度也比较一致，从而实现了均衡的RGB三色发光。而对比例2中，其蓝色发光层和绿色发光层尽管出峰，但是出峰强度较低，并且，红色发光层的峰值远高于蓝色发光层和绿色发光层的峰值，未能实现均衡的RGB三色发光。
本测试例还对实施例1-2，以及，对比例1-2提供的WOLED器件的器件寿命进行了测试，其中，器件寿命以LT95@1000nit进行表征，其指的是，WOLED器件在初始亮度为1000nit作为基础，其亮度衰减到初始亮度的95％时所需要的时间。测试结果参见表1，其中，对比例1的数据以实施例1的数据为基础进行归一化而获得，对比例2的数据以实施例2的数据为基础进行归一化而获得。可见，实施例1-2提供的WOLED器件相比对比例1-2提供的WOLED器件均表现为更优异的器件寿命。
表1
项目 实施例1 对比例1 实施例2 对比例2
器件寿命 100％ 65％ 100％ 86％
在本公开实施例中，术语“第一”和“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。
以上所述仅是为了便于本领域的技术人员理解本公开的技术方案，并不用以限制本公开。凡在本公开的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本公开的保护范围之内。

Claims (11)

1.一种WOLED器件，其特征在于，所述WOLED器件包括：依次层叠布置的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极；
所述有机发光单元包括：依次层叠布置的蓝色发光层、隔层、绿色发光层和红色发光层，所述蓝色发光层还与所述空穴传输单元层叠布置，所述红色发光层还与所述电子传输单元层叠布置；
其中，所述隔层具有电子传输特征，且所述隔层的|HOMO|大于或等于第一设定阈值。
2.根据权利要求1所述的WOLED器件，其特征在于，所述隔层满足以下条件：电子迁移率μe为1×10-6cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs，以及，|HOMO|≥6.01eV。
3.根据权利要求2所述的WOLED器件，其特征在于，所述隔层采用以下材料中的至少一种制备得到：
4.根据权利要求1-3任一项所述的WOLED器件，其特征在于，所述蓝色发光层包括第一主体材料和蓝光掺杂剂，且所述蓝光掺杂剂的质量百分比为1％-5％；
所述绿色发光层包括第二主体材料和绿光掺杂剂，且所述绿光掺杂剂的质量百分比为5％-15％；
所述红色发光层包括第三主体材料和红光掺杂剂，且所述红光掺杂剂的质量百分比为1％-5％。
5.根据权利要求4所述的WOLED器件，其特征在于，所述第一主体材料为芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料中的至少一种，所述蓝光掺杂剂为蓝色荧光材料；
所述第二主体材料为香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的至少一种，所述绿光掺杂剂为绿色磷光材料；
所述第三主体材料为4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃中的至少一种，所述红光掺杂剂为红色磷光材料。
6.一种WOLED器件，其特征在于，所述WOLED器件包括：依次层叠布置的阳极、空穴传输单元、有机发光单元、电子传输单元和阴极；
所述有机发光单元包括：依次层叠布置的红色发光层、隔层、蓝色发光层和绿色发光层，所述红色发光层还与所述空穴传输单元层叠布置，所述绿色发光层还与所述电子传输单元层叠布置；
其中，所述隔层具有空穴传输特征，且所述隔层的|LUMO|小于或等于第二设定阈值。
7.根据权利要求6所述的WOLED器件，其特征在于，所述隔层满足以下条件：空穴迁移率μh为1×10-5cm2/Vs～1×10-4cm2/Vs，以及，|LUMO|≤2.48eV。
8.根据权利要求7所述的WOLED器件，其特征在于，所述隔层采用以下材料中的至少一种制备得到：
9.根据权利要求6-8任一项所述的WOLED器件，其特征在于，所述蓝色发光层包括第一主体材料和蓝光掺杂剂，且所述蓝光掺杂剂的质量百分比为1％-5％；
所述绿色发光层包括第二主体材料和绿光掺杂剂，且所述绿光掺杂剂的质量百分比为5％-15％；
所述红色发光层包括第三主体材料和红光掺杂剂，且所述红光掺杂剂的质量百分比为1％-5％。
10.根据权利要求9所述的WOLED器件，其特征在于，所述第一主体材料为芘衍生物类蓝色发光材料、蒽衍生物类蓝色发光材料、芴衍生物类蓝色发光材料、苝衍生物类蓝色发光材料中的至少一种，所述蓝光掺杂剂为蓝色荧光材料；
所述第二主体材料为香豆素染料、喹吖啶铜衍生物类绿色发光材料、多环芳香烃类绿色发光材料、二胺蒽衍生物类绿色发光材料、咔唑衍生物类绿色发光材料和金属配合物类绿色发光材料中的至少一种，所述绿光掺杂剂为绿色磷光材料；
所述第三主体材料为4-(二氰基亚甲基)-2-甲基-6-(4-二甲基氨基苯乙烯基)-4H-吡喃、4-(二氰基甲撑)-2-叔丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛尼啶-9-烯基)-4H-吡喃中的至少一种，所述红光掺杂剂为红色磷光材料。
11.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1-10任一项所述的WOLED器件。
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