CN113534612B - 一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法 - Google Patents

一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113534612B
CN113534612B CN202010306227.4A CN202010306227A CN113534612B CN 113534612 B CN113534612 B CN 113534612B CN 202010306227 A CN202010306227 A CN 202010306227A CN 113534612 B CN113534612 B CN 113534612B
Authority
CN
China
Prior art keywords
etching
copper strip
flatness
time
strip sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010306227.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113534612A (zh
Inventor
郭慧稳
丁顺德
牛立业
万建
王梦娜
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Chinalco Luoyang Copper Processing Co ltd
Original Assignee
Chinalco Luoyang Copper Processing Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Chinalco Luoyang Copper Processing Co ltd filed Critical Chinalco Luoyang Copper Processing Co ltd
Priority to CN202010306227.4A priority Critical patent/CN113534612B/zh
Publication of CN113534612A publication Critical patent/CN113534612A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113534612B publication Critical patent/CN113534612B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • G03F7/2024—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure of the already developed image
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/168—Finishing the coated layer, e.g. drying, baking, soaking

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法，工艺流程为：取样‑一次涂感光胶‑一次烘干‑一次制版‑一次曝光‑一次显影‑边部蚀刻‑去感光胶‑二次涂感光胶‑二次烘干‑二次制版‑二次曝光‑二次显影‑半蚀刻或全蚀刻‑平整度测量‑平整度评价；本发明解决了铜带出厂前预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的难题，操作过程中喷涂、烘干、制版、蚀刻等步骤主要以机器来实现，降低了操作过程人为因素造成的影响，提高了蚀刻控制的准确性，蚀刻的效率有了很大改善，带材蚀刻后平整度的预判也更加准确，适用于大批量生产中快速预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的方法。

Description

一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法
技术领域
本发明属于有色金属冶炼以及加工领域，尤其涉及一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法。
背景技术
高精度引线框架材料铜带是用于框架材料、手机集成电路芯片载体的关键材料，由于电子信息技术的迅猛发展，关键电子元器件微型化、集成化的技术得到广泛采用，而后续加工也由冲压式逐步向更加精细的蚀刻方式转变，后续加工方式的改变对高精度引线框架材料铜带的质量也提出了更高的要求，其中材料蚀刻后的平整度是高精度引线框架材料铜带质量的关键评价指标之一。如果蚀刻后出现翘曲、扭曲等不对称尺寸变化，造成在电子元器件上无法使用而导致铜带材料报废。目前，蚀刻用高精度引线框架材料平整度的预判通常采用铜及铜合金带材直接分条后观察或测量平整度，但这种方法无法对蚀刻后的带材平整度进行预判。如何用一种快捷、直观的方法来测试高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度，预判材料能否满足下游用户的适用性，并应用于工业化生产，是迫切需要解决的一项行业技术难题。
鉴于上述原因，现研发出一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法，解决了铜带出厂前预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的难题，操作过程中喷涂、烘干、制版、蚀刻等步骤主要以机器来实现，降低了操作过程人为因素造成的影响，提高了蚀刻控制的准确性，蚀刻的效率有了很大改善，带材蚀刻后平整度的预判也更加准确，适用于大批量铜带生产中快速预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的方法。
本发明为了实现上述目的，采用如下技术方案：一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法，工艺流程为：取样-一次涂感光胶-一次烘干-一次制版-一次曝光-一次显影-边部蚀刻-去感光胶-二次涂感光胶-二次烘干-二次制版-二次曝光-二次显影-半蚀刻或全蚀刻-平整度测量-平整度评价。
第一步,取样：取长度30-300mm、宽度30-300mm的铜带；
第二步,一次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，将铜带表面覆盖住，无漏出铜带的地方；
第三步,一次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到30-120℃烘干；
第四步,一次制版：采用CAD绘制出宽度为2-20mm的长方形图案后，用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第五步,一次曝光：用两张制版后的胶片纸与烘干后的铜带试样对齐后叠放在一起，放入曝光机对双面进行1-10分钟曝光；
第六步,一次显影：用显影剂将制版图案在铜带试样上进行显影；
第七步,边部蚀刻：将显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机以2-15米/分的速度进行边部蚀刻；
第八步,去感光胶：将蚀刻后的铜带试样两面感光胶采用去膜剂去除；
第九步,二次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，无漏铜现象；
第十步,二次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到30-120℃烘干；
第十一步,二次制版：采用CAD根据使用要求设计蚀刻的图案和尺寸后，图案纵向距铜带试样的横向边部2-50mm、图案横向一端距铜带试样的纵向边部2-50mm,用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第十二步,二次曝光：将单张制版、二次烘干后的铜带试样叠放在一起，放入曝光机对单面进行1-10分钟曝光；
第十三步,二次显影：用显影剂将制版图案在二次曝光后的铜带试样上进行显影；
第十四步,半蚀刻或全蚀刻：将二次显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机按2-15米/分的速度进行图案半蚀刻或全蚀刻，蚀刻深度为5％—100％，对既有半蚀刻又有全蚀刻的铜带，在半蚀刻步骤完成后，将铜带取出清洗后，重复上述第二至第六步骤，再放入蚀刻机按2-10米/分的速度进行蚀刻，深度100％；
第十五步,平整度测量：将半蚀刻或全蚀刻后的铜带试样放置到标准平台上，采用塞尺或游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；
第十六步,平整度评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行平整度评价。
本发明的有益效果是：本发明操作简单、各工序参数可根据工艺条件变化进行设定，可根据需要进行多批次平整度检测，适用于铜合金带材工业化生产的快速检测；本发明确定了高精度引线框架材料铜带平整度检测的流程、取样尺寸、取样位置、应力检测方案设计、带材边部剪切对材料平整度影响消除方法；本发明解决了铜带出厂前预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的难题，操作过程中喷涂、烘干、制版、蚀刻等步骤主要以机器来实现，降低了操作过程人为因素造成的影响，提高了蚀刻控制的准确性，蚀刻的效率有了很大改善，带材蚀刻后平整度的预判也更加准确，适用于大批量铜带生产中快速预判高精度引线框架材料铜带蚀刻后平整度的方法。
具体实施方式
下面结合实施例与具体实施方式对本发明作进一步详细说明：
实施例1
用于IC方向的高精度引线框架材料铜带，其技术要求为：
牌号:C19400
铜带规格：0.2×250mm
状态：H
要求：蚀刻后平整，翘曲≤0.75mm
平整度检测工艺如下：
第一步,取样：取长度260mm、宽度250mm的铜带；
第二步,一次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，将铜带表面覆盖住，无漏出铜带的地方；
第三步,一次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到50℃烘干；
第四步,一次制版：采用CAD绘制出宽度为5mm的长方形图案后，用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第五步,一次曝光：用两张制版后的胶片纸与烘干后的铜带试样对齐后叠放在一起，放入曝光机对双面进行10分钟曝光；
第六步,一次显影：用显影剂将制版图案在铜带试样上进行显影；
第七步,边部蚀刻：将显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机以5米/分的速度进行边部蚀刻；
第八步,去感光胶：将蚀刻后的铜带试样两面感光胶采用去膜剂去除；
第九步,二次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，无漏铜现象；
第十步,二次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到50℃烘干；
第十一步,二次制版：采用CAD根据使用要求设计蚀刻的图案和尺寸后，图案纵向距铜带试样的横向边10mm、图案横向一端距铜带试样的纵向边部10mm,用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第十二步,二次曝光：将单张制版、二次烘干后的铜带试样叠放在一起，放入曝光机对单面进行5分钟曝光；
第十三步,二次显影：用显影剂将制版图案在二次曝光后的铜带试样上进行显影；
第十四步,半蚀刻：将二次显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机按10米/分的速度进行图案半蚀刻，蚀刻深度为40％；
第十五步,平整度测量：将半蚀刻后的铜带试样放置到标准平台上，采用塞尺或游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；
第十六步,平整度评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行平整度评价。
实施例2
用于手机方向的高精度引线框架材料铜带，其技术要求为：
牌号:C70250
铜带规格：0.15×160mm
状态：H
要求：蚀刻后平整，翘曲≤0.75mm
平整度检测工艺如下：
第一步,取样：取长度180mm、宽度160mm的铜带；
第二步,一次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，将铜带表面覆盖住，无漏出铜带的地方；
第三步,一次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到70℃烘干；
第四步,一次制版：采用CAD绘制出宽度为5mm的长方形图案后，用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第五步,一次曝光：用两张制版后的胶片纸与烘干后的铜带试样对齐后叠放在一起，放入曝光机对双面进行10分钟曝光；
第六步,一次显影：用显影剂将制版图案在铜带试样上进行显影；
第七步,边部蚀刻：将显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机以5米/分的速度进行边部蚀刻；
第八步,去感光胶：将蚀刻后的铜带试样两面感光胶采用去膜剂去除；
第九步,二次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，无漏铜现象；
第十步,二次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到50℃烘干；
第十一步,二次制版：采用CAD根据使用要求设计蚀刻的图案和尺寸后，图案纵向距铜带试样的横向边部5mm、图案横向一端距铜带试样的纵向边部5mm,用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第十二步,二次曝光：将单张制版、二次烘干后的铜带试样叠放在一起，放入曝光机对单面进行5分钟曝光；
第十三步,二次显影：用显影剂将制版图案在二次曝光后的铜带试样上进行显影；
第十四步,半蚀刻：将二次显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机按7米/分的速度进行图案半蚀刻，蚀刻深度为20％；
第十五步,平整度测量：将半蚀刻后的铜带试样放置到标准平台上，采用塞尺或游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；
第十六步,平整度评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行平整度评价。

Claims (1)

1.一种检测蚀刻用高精度铜带平整度的快速方法，其特征在于：工艺流程为：取样-一次涂感光胶-一次烘干-一次制版-一次曝光-一次显影-边部蚀刻-去感光胶-二次涂感光胶-二次烘干-二次制版-二次曝光-二次显影-半蚀刻或全蚀刻-平整度测量-平整度评价；
第一步,取样：取长度30-300mm、宽度30-300mm的铜带；
第二步,一次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，将铜带表面覆盖住，无漏出铜带的地方；
第三步,一次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到30-120℃烘干；
第四步,一次制版：采用CAD绘制出宽度为2-20mm的长方形图案后，用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第五步,一次曝光：用两张制版后的胶片纸与烘干后的铜带试样对齐后叠放在一起，放入曝光机对双面进行1-10分钟曝光；
第六步,一次显影：用显影剂将制版图案在铜带试样上进行显影；
第七步,边部蚀刻：将显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机以2-15米/分的速度进行边部蚀刻；
第八步,去感光胶：将蚀刻后的铜带试样两面感光胶采用去膜剂去除；
第九步,二次涂感光胶：用小型喷枪，将感光胶均匀喷涂在铜带试样两面，无漏铜现象；
第十步,二次烘干：将喷涂感光胶的铜带试样放入烘干箱加热到30-120℃烘干；
第十一步,二次制版：采用CAD根据使用要求设计蚀刻的图案和尺寸后，图案纵向距铜带试样的横向边部2-50mm、图案横向一端距铜带试样的纵向边部2-50mm,用喷墨打印机打印在胶片纸上；
第十二步,二次曝光：将单张制版、二次烘干后的铜带试样叠放在一起，放入曝光机对单面进行1-10分钟曝光；
第十三步,二次显影：用显影剂将制版图案在二次曝光后的铜带试样上进行显影；
第十四步,半蚀刻或全蚀刻：将二次显影后的铜带试样，放入小型蚀刻机按2-15米/分的速度进行图案半蚀刻或全蚀刻，蚀刻深度为5％—100％，对既有半蚀刻又有全蚀刻的铜带，在半蚀刻步骤完成后，将铜带取出清洗后，重复上述第二至第六步骤，再放入蚀刻机按2-10米/分的速度进行蚀刻，深度100％；
第十五步,平整度测量：将半蚀刻或全蚀刻后的铜带试样放置到标准平台上，采用塞尺或游标卡尺进行四个角翘曲高度测量；
第十六步,平整度评价：根据翘曲高度，依据技术要求，进行平整度评价。
CN202010306227.4A 2020-04-17 2020-04-17 一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法 Active CN113534612B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010306227.4A CN113534612B (zh) 2020-04-17 2020-04-17 一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010306227.4A CN113534612B (zh) 2020-04-17 2020-04-17 一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113534612A CN113534612A (zh) 2021-10-22
CN113534612B true CN113534612B (zh) 2023-02-17

Family

ID=78123393

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010306227.4A Active CN113534612B (zh) 2020-04-17 2020-04-17 一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113534612B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009193997A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 部分めっきリードフレームの製造方法
JP2011108941A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Mitsui High Tec Inc リードフレームおよびその製造方法、ならびにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
CN102324412A (zh) * 2011-09-13 2012-01-18 江苏长电科技股份有限公司 无基岛预填塑封料先镀后刻引线框结构及其生产方法
CN204122514U (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山西春雷铜材有限责任公司 板型检测平台
CN105655259A (zh) * 2014-12-01 2016-06-08 友立材料株式会社 引线框的制造方法
WO2017114564A1 (en) * 2015-12-29 2017-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of etching a metal lead frame

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009193997A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 部分めっきリードフレームの製造方法
JP2011108941A (ja) * 2009-11-19 2011-06-02 Mitsui High Tec Inc リードフレームおよびその製造方法、ならびにそのリードフレームを用いた半導体装置の製造方法
CN102324412A (zh) * 2011-09-13 2012-01-18 江苏长电科技股份有限公司 无基岛预填塑封料先镀后刻引线框结构及其生产方法
CN204122514U (zh) * 2014-10-22 2015-01-28 山西春雷铜材有限责任公司 板型检测平台
CN105655259A (zh) * 2014-12-01 2016-06-08 友立材料株式会社 引线框的制造方法
WO2017114564A1 (en) * 2015-12-29 2017-07-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of etching a metal lead frame

Also Published As

Publication number Publication date
CN113534612A (zh) 2021-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101644898B (zh) 不同倍率光刻机之间的套刻精度的测量方法
CN103002660A (zh) 一种线路板及其加工方法
CN112114285A (zh) 一种包含多种校准类型的晶圆标准样板及其制作方法
CN101430502A (zh) 掩膜图案校正方法、半导体装置制造方法和半导体装置
CN111693003A (zh) 一种晶圆级纳米尺度计量标准器及其制造方法
CN113534612B (zh) 一种检测蚀刻用高精度引线框架材料平整度的快速方法
WO2019119770A1 (zh) Pcb新材料涨缩补偿系数的评估方法
CN103345117B (zh) 一种掩膜版及液晶显示器制造方法
KR970018320A (ko) 반도체 소자의 제조방법
US6762434B2 (en) Electrical print resolution test die
US7907770B2 (en) Method for inspecting photomask and real-time online method for inspecting photomask
CN107045259B (zh) 包含有监测图形的掩膜版以及监测方法
CN112882340B (zh) 光罩、监控片及晶圆表面清洗精度的监测方法
JP4387583B2 (ja) 校正用プレート、校正用プレート生成方法、及び半導体装置の製造方法
CN102522360B (zh) 光刻对准精度检测方法
CN112180690B (zh) 提升器件关键尺寸面内均一性的方法
CN111315134A (zh) 高精度光电印制电路板的生产工艺
JP2010103438A (ja) パターニング方法、露光システム、プログラム及びデバイス製造方法
CN110928136A (zh) 减小关键尺寸漂移的方法
US6838217B1 (en) Define overlay dummy pattern in mark shielding region to reduce wafer scale error caused by metal deposition
CN105093815A (zh) 器件设计尺寸的提取方法
CN113532336B (zh) 一种蚀刻用高精度引线框架材料铜带平整度的测试方法
CN103258758A (zh) 膜厚量测机台中颗粒的监控方法及控片
Smith et al. On-mask CD and overlay test structures for alternating aperture phase shift lithography
CN102136419B (zh) 提高侧墙角均匀度的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant