CN113497330A - 中框、中框的制备方法及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种中框、中框的制备方法及电子设备，所述中框包括：金属框和覆盖所述金属框外表面的瓷釉层；所述金属框上开设有多个隔断缝隙，所述隔断缝隙分割所述金属框以形成多个天线，所述隔断缝隙内具有绝缘的填充部。本申请提供一种中框、中框的制备方法及电子设备，可解决天线断点影响中框外观完整性的问题。

Description

中框、中框的制备方法及电子设备

技术领域

本申请涉及终端设备技术领域，尤其涉及一种中框、中框的制备方法及电子设备。

背景技术

近年来越来越多的手机和平板电脑等电子设备的外壳采用前板、中框和后盖的结构，中框的性能及外观对电子设备整机的设计有很大影响。采用金属材料(如不锈钢或铝合金)制作的中框具有手感好、厚度薄、强度高等优势，且中框金属本身是良好的辐射体，可作为天线使用，有效减少电子设备中天线内置所占据的空间。

相关技术中，在利用金属中框作为天线时，需要采用断点将金属中框分割为多段，并在断点处填充绝缘物质，以使金属中框实现一框多用，同时作为主天线、WIFI天线、GPS天线等多段天线使用。

然而，断点结构破坏了中框的完整性和一体化，尤其是随着5G时代的到来，传输信号的电磁波将具有毫米量级的波长，天线的长度将会更短，数量将会更多，若采用上述断点方式对中框进行切割，需要更多数量的短间距的断点，中框外观的完整性会更严重地被破坏。

发明内容

本申请提供一种中框、中框的制备方法及电子设备，可解决天线断点影响中框外观完整性的问题。

本申请一方面提供一种中框，包括：金属框和覆盖所述金属框外表面的瓷釉层；所述金属框上开设有多个隔断缝隙，所述隔断缝隙分割所述金属框以形成多个天线，所述隔断缝隙内具有绝缘的填充部。

本实施例提供的中框，采用搪瓷材料，包括金属框和位于金属框外表面的瓷釉层，金属框上开设隔断缝隙，并通过绝缘材料填充，以将金属框分割为不同的天线，该缝隙只由内而外开至金属层与瓷釉层的界面，瓷釉层不开缝，因此完整的瓷釉层可保证中框具有无缝一体化的外观。

在一种可能的实施方式中，所述中框还包括覆盖所述金属框内表面的内釉层，所述金属框和所述内釉层上对应开设有所述隔断缝隙。

内釉层可平衡金属框内外侧的应力，防止金属框厚度较薄时发生形变，隔断缝隙开设在金属框和内釉层上，以保证金属框可被隔断缝隙分割成多段天线。

在一种可能的实施方式中，所述中框还包括覆盖所述瓷釉层外表面的透明釉层。

设置透明釉层，可进一步提高中框的外观面的光泽度和平面度。

如上所述的中框，所述金属框包括依次首尾连接的第一边框、第二边框、第三边框和第四边框，所述第一边框和所述第三边框相对设置，所述第二边框和所述第四边框相对设置，所述隔断缝隙设置在所述第一边框、第二边框、第三边框和第四边框中的任意一个或多个上。

中框包括多个边框，隔断缝隙可设置在多个边框上的任意位置，且数量不受限制，可适用于天线长度更短、数量更多的电子设备，比如应用了5G的产品。

在一种可能的实施方式中，所述金属框包括铝合金、钢或不锈钢，所述填充部包括介电常数小于3的热固性或热塑性材料。

金属框的材料适用于制作搪瓷，可保证瓷釉和金属的贴合性能及外观性能良好，填充部的材料则可保证隔断缝隙隔断金属框的可靠性。

在一种可能的实施方式中，所述透明釉层包括二氧化硅或二氧化锆。

采用二氧化硅或二氧化锆作为透明釉层，可提高外观面的光泽度和平面度。

在一种可能的实施方式中，所述金属框的厚度为0.2-10mm，所述瓷釉层的厚度为0.05-0.5mm。

金属框的不同厚度可实现不同电子设备对中框的结构强度的不同要求，瓷釉层的不同厚度可实现不同的外观和不同结构强度。

在一种可能的实施方式中，所述金属框的厚度为0.2-2mm。

设置金属框的厚度处于较薄范围，可提高中框和电子设备整体的轻薄程度。

在一种可能的实施方式中，所述透明釉层的厚度小于0.05mm。

透明釉层尽可能做薄，以在起到提高中框外观的光泽度和平面度的同时，对中框整体的厚度影响较小。

本申请另一方面提供一种中框的制备方法，包括：

提供金属框；

在所述金属框的外表面上形成瓷釉层；

在所述金属框的内侧进行开缝处理，在所述金属框上开设多个隔断缝隙，同时保留完整的所述瓷釉层；

采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部。

通过在金属框上覆盖瓷釉层，以形成搪瓷材料的中框，在对金属框进行开缝和填充处理，以将金属框分割成不同段的天线使用，同时瓷釉层不受开缝影响，可保证中框的外观无缝一体化。

在一种可能的实施方式中，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层的同时，还包括：在所述金属框的内表面上形成内釉层。

内釉层可平衡金属框内外侧的应力，防止金属框厚度较薄时发生形变。

在一种可能的实施方式中，在所述金属框上开设多个隔断缝隙，具体包括：在所述内釉层的内侧进行开缝处理，在所述内釉层和所述金属框上对应开设隔断缝隙。

在金属框内表面具有内釉层时，需在内釉层和金属框对应开设隔断缝隙，以将金属框隔断。

在一种可能的实施方式中，所述开缝处理包括化学蚀刻工艺和/或镭雕工艺。

开缝处理工艺简单，容易实现。

在一种可能的实施方式中，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层之后，还包括：在所述瓷釉层的外表面涂覆透明釉，并烧结形成透明釉层。

设置透明釉层，可进一步提高中框的外观面的光泽度和平面度。

在一种可能的实施方式中，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层，具体包括：采用浸搪、喷搪、静电干粉涂搪或电泳涂搪，将瓷釉材料涂覆于所述金属框的外表面；采用预设温度烧结涂覆有所述瓷釉材料的所述金属框预设时间，并进行冷却，以使所述瓷釉材料形成与所述金属框结合的瓷釉层。

通过多种涂搪工艺将瓷釉覆盖在金属框表面上，以形成结合性良好和外观平整的搪瓷材料。

在一种可能的实施方式中，所述采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部，具体包括：采用低介电常数的热固性或热塑性材料，通过纳米注塑工艺或点胶工艺填充所述隔断缝隙以形成填充部。

纳米注塑工艺或点胶工艺可以使填缝工艺流程简洁、可控性高，低介电常数材料可有效隔断缝隙两侧的金属，使金属框可分作多段、用来制作不同频段的天线。

在一种可能的实施方式中，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层之前，还包括：对所述金属框的外表面进行前处理，所述前处理包括除脂、酸洗、碱洗、中和或氧化中的一种或多种。

对金属框的表面进行前处理，可去除金属框表面的杂质，有利于瓷釉层和金属框的表面良好结合。

在一种可能的实施方式中，采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部之后，还包括：对所述中框的外表面进行打磨抛光。

打磨抛光可提高中框外观面的光泽度和平面度。

本申请再一方面提供一种电子设备，包括：显示屏、后盖和如上所述的中框，所述显示屏和所述后盖分别位于所述中框的两侧。

本申请实施例提供的中框、中框的制备方法及电子设备，采用搪瓷材料作为中框，搪瓷内侧的金属框进行开缝处理，以使金属框作为多段天线使用，该缝隙只由内而外开至金属层与瓷釉层的界面，瓷釉层不开缝，因此完整的瓷釉层可保证中框具有无缝一体化的外观。金属框上的隔断缝隙内填充低介电常数材料，尤其是热固性材料的应用，可以使填缝工艺流程简洁、可控性高，低介电常数材料可有效隔断缝隙两侧的金属，使金属框可分作多段、用来制作不同频段的天线。此外，搪瓷的外侧瓷釉层可实现中框瓷玉质感的外观，可明显区分于现有市场上的大部分金属中框外观，相较于陶瓷手机中框，搪瓷的良品率较高，且耐摔性能更好，更重要的是，搪瓷中框内的金属层可被设计成天线，而陶瓷手机中框无法用作天线。

附图说明

图1是本申请实施例提供的中框的结构示意图；

图2是本申请实施例提供的中框的制备方法流程示意图；

图3是图2中S101对应的金属框的结构示意图；

图4是图2中S102对应的在金属框外表面覆盖上形成瓷釉层的结构示意图；

图5是图2中S103对应的在金属框上开设多个隔断缝隙的结构示意图；

图6是本申请又一实施例提供的中框的制备方法的局部流程示意图；

图7是图6中S201对应的在金属框的内表面上形成内釉层的结构示意图；

图8是图6中S202对应的在金属框和内釉层上开设多个隔断缝隙的结构示意图。

附图标记说明：

100-金属框；10-隔断缝隙；11-第一边框；12-第二边框；13-第三边框；14-第四边框；200-瓷釉层；300-填充部；400-内釉层。

具体实施方式

在利用金属中框作为天线时，需要采用断点将金属中框分割为多段，并在断点处填充绝缘物质，以使金属中框实现一框多用，同时作为主天线、WIFI天线、GPS天线等多段天线使用。然而，断点结构破坏了中框的完整性和一体化，尤其是随着5G时代的到来，传输信号的电磁波将具有毫米量级的波长，天线的长度将会更短，数量将会更多，若采用上述断点方式对中框进行切割，需要更多数量的短间距的断点，中框外观的完整性会更严重地被破坏。

相关技术中，为了减少断点对中框外观的完整性的影响，可采用一种无断点一体化设计的中框，通过在金属中框特定部位进行接地处理，并在馈电线路上增加开关或短接部，通过切换开关或改变短接部的位置来改变天线长度和阻抗，实现多频段的覆盖。

该种方案，虽然实现了外观的一体化，但却牺牲了性能和增加了加工难度。由于金属中框与接地板存在多个连接点，给加工带来了困难，同时这些连接点与接地板的接触好坏直接影响天线性能。不同频段天线的隔离度仅仅通过金属中框接地实现，不同频段的切换通过开关开合或调节短接部位置达成，这大大降低了天线性能的可靠性，增加了调试的复杂性。

此外，相关技术中还可通过改变断点处的填充物的性能，来实现填充物与金属中框在外观上尽量一致。例如，采用丙烯酸类树脂作为连合剂，加入粒径较小的陶瓷颗粒作为填料，尽量增大填料的比例，从而令填充物的外观与铝合金中框接近，还可通过后续打磨抛光让填充物表面的粗糙度与金属部分的粗糙度尽量接近，从而在外观上更为相似。

该种方案，虽然在颜色、光泽度、粗糙度方面都尽力使断点填充物与金属中框接近，但两种物质始终存在差异，尤其是填充物与金属中框的交界面，很难做到完全令交界面消失，从某些角度可较为明显地观察到中框并非一体化。另外，过高地增加陶瓷填料的比例，会给填充物的制备带来困难，例如粘度过高不易分散、易在连合剂缺失的部位产生裂缝。

为了解决上述问题，本申请实施例中，将搪瓷材料应用于电子设备的中框，搪瓷包括金属基材和覆盖在金属基材外表面的瓷釉，瓷釉不具备导通性，在需要中框隔断的位置去掉金属基材而保留外层的瓷釉部分，既能实现中框的外观无缝一体化，又能使金属基材作为天线使用。

下面参考具体的实施例和附图对本申请实施例提供的中框、中框的制备方法及电子设备进行描述。

本申请实施例提供一种电子设备，包括但不限于为手机、平板电脑、笔记本电脑、超级移动个人计算机(ultra-mobile personal computer，UMPC)、手持计算机、对讲机、上网本、POS机、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、行车记录仪、可穿戴设备、虚拟现实设备、无线U盘、蓝牙音响/耳机、或车载前装等具有边框或壳体的移动或固定终端。

本申请实施例中，以手机为上述电子设备为例进行说明。

手机可包括显示屏、后盖和中框，显示屏和后盖分别位于中框的两侧，显示屏、后盖和中框围设成的腔体可用来容置电路板和电池等结构。

其中，显示屏可以为有机发光二极管显示屏，也可以为液晶显示屏。应当理解的是，显示屏可以包括显示器和触控器件，显示器用于向用户输出显示内容，触控器件用于接收用户在显示屏上输入的触摸事件。

其中，后盖可以为金属后盖，还可以为玻璃后盖，还可以为塑料后盖，或者陶瓷后盖，或者还可以为搪瓷后盖，即在金属基材上覆盖瓷釉层后形成的搪瓷材料作为后盖。本申请实施例中，对后盖的材质不做限定。

可以理解的是，本申请实施例示意的结构并不构成对手机的具体限定。在本申请另一些实施例中，手机可以包括比上述描述的更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者拆分某些部件，或者不同的部件布置。比如，手机还可以包括摄像头和闪光灯等器件。

图1是本申请实施例提供的中框的结构示意图，参考图1所示，本申请实施例中，中框包括金属框100和覆盖金属框100的外表面的瓷釉层200，金属框100上开设有多个隔断缝隙10，隔断缝隙10分割金属框100以形成多个天线，隔断缝隙10内具有绝缘的填充部300。

瓷釉层200覆盖在金属框100上，两者形成搪瓷。其中，金属框100可选择适宜于制造搪瓷的金属，例如零碳钢、低碳钢、脱碳钢、不锈钢，铝合金，钛合金等。瓷釉层200可与金属框100匹配设置，根据熔平温度、热膨胀系数、熔融后润湿性等性能，设置不同材料的金属框100对应于不同的瓷釉配方。

多个隔断缝隙10开设在金属框100上，以将金属框100分割为多个部分，并通过绝缘的填充部300分隔开，填充部300使相邻的两部分金属框100完全绝缘，从而实现不同的天线之间的隔绝。隔断缝隙10仅开设在金属框100上，而对瓷釉层200无影响，从而实现外观的无缝一体化。同时，填充部300可起到支撑作用，防止隔断缝隙10处对应的瓷釉层200变形损坏。

图2是本申请实施例提供的中框的制备方法流程示意图，参考图2所示，图1中的中框可采用如下步骤制备：

S101、提供金属框100。

具体地，金属框100的成型方式可以为，采用压延材料，例如钢、不锈钢、铝合金等材料，在承受挤压和延展作用后，再通过数控机床切割形成金属框100。或者，金属框100也可以通过压铸等方式成型。

金属框100的尺寸可根据手机所需尺寸设计，金属框100可根据手机的类型设置为平面或弧形曲面。在一种可能的实现方式中，金属框100整体呈框型，具体地，图3是图2中S101对应的金属框的结构示意图，参考图3所示，金属框100包括依次首尾连接的第一边框11、第二边框12、第三边框13和第四边框14，第一边框11和第三边框13相对设置，第二边框12和第四边框14相对设置。金属框100具有四个转角，为了确保手机在跌落时四个转角处不易损坏，可以使金属框100在四个转角处的侧壁厚度大于非转角处的侧壁厚度，以使得四个转角处的强度较大。

在一种可能的实施方式中，金属框100的厚度为0.2-10mm，以实现不同电子设备对中框的结构强度的不同要求。随着对手机的整体轻薄型和重量要求越来越高，在保证结构强度的基础上，手机中框的厚度可尽量做薄，本申请实施例中，金属框100的厚度可以为0.2-2mm。

在步骤S101完成后，还需对金属框100的外表面进行前处理，前处理包括除脂、酸洗、碱洗、中和或氧化中的一种或多种，前处理的目的是，去除金属表面杂质、且形成适宜于熔融瓷釉铺展的表面。

S102、在金属框100的外表面上形成瓷釉层200。

图4是图2中S102对应的在金属框外表面覆盖上形成瓷釉层的结构示意图，参考图4所示，瓷釉层200覆盖在金属框100的外表面。瓷釉层200可紧密结合在金属框100的外表面上，瓷釉层200和金属框100共同形成搪瓷。其中，金属框100作为中框的天线使用，而瓷釉层200不导通，其作为中框的外观面设置，具有美观性高的优点。

具体地，瓷釉层200可以为碱-硼-硅酸盐系的玻璃态物质，其主要成分包括氧化硅、氧化锆、氧化钛等。为了符合手机外观的要求，瓷釉层200的材料选择应充分考虑金属框100和瓷釉层200之间的配合程度，并尽量采用低熔平温度瓷釉，配合低温长烧工艺，实现外观低缺陷且平整的状态。

本实施例中，为了满足手机外观的要求，瓷釉层200采用的是低熔平温度瓷釉，熔平温度比传统的搪瓷面釉的熔平温度低20-50℃。不同的金属框100匹配的瓷釉的熔平温度会不一样，例如铝合金金属框100对应的瓷釉的熔平温度在580℃左右，在本实施例中选用530-560℃的熔平温度的瓷釉，采取低温长烧，可实现低缺陷高质量外观。为了降低瓷釉的熔平温度，可降低瓷釉配方中二氧化硅和氧化铝的比例，增加助熔剂的含量，其中助熔剂为碱金属氧化物和氧化锌、氧化钡的组合。

在一种可能的实施方式中，瓷釉层200的厚度为0.05-0.5mm，瓷釉层200的厚度关系着中框的外观性能和结构强度，根据手机的尺寸和性能要求，可设置瓷釉层200具有不同的厚度。

在金属框100的外表面上形成瓷釉层200，具体包括以下步骤：首先，采用浸搪、喷搪、静电干粉涂搪或电泳涂搪，将瓷釉材料涂覆于金属框100的外表面；其次，采用预设温度烧结涂覆有瓷釉材料的金属框100预设时间，并进行冷却，以使瓷釉材料形成与金属框100结合的瓷釉层200。

其中，浸搪和喷搪属于湿法涂搪，浸搪即把湿磨的瓷釉浆涂在金属框100上，喷搪则是利用压缩空气使瓷釉浆雾化并喷涂在金属框100上的工艺。干粉涂搪指的是将热的金属框100辊压在瓷釉粉末中，或者将瓷釉粉末洒在预热的金属框100上，以使瓷釉粉末融化并产生密着，静电干粉涂搪可利用电场的作用使瓷釉沉积到金属框100的外表面。而电泳涂搪则将电场施加在瓷釉浆内，使金属框100作为阳极，带负电的瓷釉颗粒收到吸引而迁移附着到金属框100上。

需要注意的是，实际应用中，可根据瓷釉配方选择上述涂搪方式。瓷釉材料的形态可以为干釉或湿釉，对于湿釉，需干燥蒸发走水分之后再执行烧结步骤，干釉可以直接执行烧结步骤。

烧结工艺中，烧结温度与时间由具体的瓷釉配方和金属框100的材料决定，烧结完成后，瓷釉层200和金属框100可形成良好的过渡区。本申请中采用的瓷釉层200的熔平温度较低，可配合低温和长时间烧制，实现瓷釉层200表面缺陷的最小化。

在一种可能的实施方式中，若需要特定光泽度和平面度的外观面，在金属框100的外表面上形成瓷釉层200之后，还包括：在瓷釉层200的外表面涂覆透明釉，并烧结形成透明釉层。透明釉层的涂覆工艺与烧结工艺由透明釉配方决定。其中，透明釉层包括二氧化硅或二氧化锆，透明釉层的厚度小于0.05mm。

S103、在金属框100的内侧进行开缝处理，在金属框100上开设多个隔断缝隙10，同时保留完整的瓷釉层200。

图5是图2中S103对应的在金属框上开设多个隔断缝隙的结构示意图，参考图5所示，隔断缝隙10设置在第一边框11、第二边框12、第三边框13和第四边框14中的任意一个或多个上。隔断缝隙10的尺寸可以为0.5mm-2mm之间，以在保证天线之间的隔绝作用的同时避免影响到中框的结构强度。多个隔断缝隙10将金属框100分割为多个部分，这多个部分分别作为不同的天线使用。

例如，天线可包括主天线，主天线还可分为低频天线、中频天线、高频天线等。主天线的低频频段可以包括但不限于B5频段(824-894MHz)、B8频段(880-960MHz)、B28频段(703-803MHz)，主天线的中频频段可以包括但不限于B3频段(1710-1880MHz)和B1频段(1920-2170MHz)，主频段的高频频段可以包括但不限于B7频段(2500-2690MHz)。随着5G技术的发展，主天线的工作频段还可以覆盖5G频段，例如，(3300-3600MHz)和(4800-5000MHz)频段，需要说明的是，主天线的5G频段可以包括但不限于6GHz以下或以上的频段。

天线还可以包括WIFI天线，其中，WIFI天线的工作频段可以为(2400-2500MHz)，或者可以为(4900-5900MHz)，或者，WIFI天线的工作频段可以包括(2400-2500MHz)和(4900-5900MHz)。天线也可以包括全球定位系统(Global Positioning System，GPS)天线，GPS天线的工作频段可以为(1575±100MHz)。或者，天线还可以包括蓝牙天线，蓝牙天线的工作频段可以为(2400-2500MHz)。需要说明的是，天线包括但不限于主天线、WIFI天线、蓝牙天线，还可以为其它天线。各个天线的净空、阻抗等性能在本实施例中不作具体限制。

其中，在金属框100上开设多个隔断缝隙10，具体包括：在金属框100的内侧，采用化学蚀刻工艺和/或镭雕工艺对金属框100上的目标区域进行处理，形成隔断缝隙10同时保留瓷釉层200。

化学蚀刻工艺即通过化学反应将金属框100上的目标区域移除，镭雕工艺则利用了激光器发射的高强度聚焦激光束在焦点处以将金属框100上的目标区域雕刻掉，实际使用时可根据金属框100的材料和厚度，选择两者之中的一个或者两者联用，以在金属框100上开设隔断缝隙10，同时不影响到瓷釉层200的完整性。

S104、采用绝缘材料填充隔断缝隙10以形成填充部300。

参考图1所示，填充部300充满隔断缝隙10且填充部300的外表面与金属框100的内表面平齐，填充部300用来使相邻的两部分金属框100完全绝缘，从而实现不同的天线之间的隔绝，同时，填充部300可起到支撑作用，防止隔断缝隙10处对应的瓷釉层200变形损坏。

填充部300包括低介电常数的热固性或热塑性材料，例如树脂等，本申请实施例中，介电常数可小于3。采用绝缘材料填充隔断缝隙10以形成填充部300，具体包括：通过纳米注塑工艺或点胶工艺填充隔断缝隙10以形成填充部300。低介电常数材料，尤其是热固性材料的应用，可以使填缝工艺流程简介、可控性高。低介电常数材料可有效隔断缝隙10两侧的金属，使金属框100可分作多段、用来制作不同频段的天线。

S104步骤完成后，本申请实施例中，中框的制备方法还包括：对中框的外表面进行打磨抛光。中框的外表面为瓷釉层200的外表面或者透明釉层的外表面，对其进行打磨和抛光，可增加中框外表面的光泽度，提高中框的美观性。

本实施例中，将搪瓷材料应用于电子设备的中框，中框包括金属框和位于金属框外表面的瓷釉层，金属框上开设隔断缝隙，并通过绝缘材料填充，以将金属框分割为不同的天线，同时瓷釉层保证中框具有无缝一体化的外观。

在另一种可行的实施例中，当金属框100的厚度较薄时，为了防止瓷釉层200和金属框100烧结后金属框100出现形变，可在金属框100的内表面上覆盖一层瓷釉，以平衡金属框100内外表面的应力。

图6是本申请又一实施例提供的中框的制备方法的局部流程示意图，参考图6所示，本实施例中的中框可采用如下步骤制备：

S201、在金属框100的内表面上形成内釉层400。

图7是图6中S201对应的在金属框的内表面上形成内釉层的结构示意图，参考图7所示，在上述图3和图4的基础上，首先提供金属框100，然后在金属框100的内、外表面采取合适的涂搪方式涂覆上内釉层400和外侧的瓷釉层200，涂覆完成后对内釉层400和外侧的瓷釉层200同时烧结。

其中，在一种可能的实现方式中，为了起到平衡金属框100的内外表面应力的作用，内釉层400与外侧的瓷釉层200可在同一个工艺中制作，以同时在金属框100的内外表面上分别形成内釉层400和瓷釉层200，节省工艺步骤和制作成本。例如，外侧的瓷釉层200可以由底釉加面釉的方式构成，内釉层400可选用与外侧瓷釉层200的底釉相同的配方；或者，外侧的瓷釉层200可只由一层瓷釉构成，内釉层400可选用与外侧瓷釉熔平温度接近的配方。

S202、在内釉层400的内侧进行开缝处理，在内釉层400和金属框100上对应开设隔断缝隙10。

图8是图6中S202对应的在金属框和内釉层上开设多个隔断缝隙的结构示意图，参考图8所示，金属框100和内釉层400上对应开设有隔断缝隙10，而瓷釉层400保留完整性。

在金属框100上开设隔断缝隙10，目的是将金属框100分割为多个部分，作为不同的天线使用。本实施例中，金属框100的内侧设置有内釉层400，在对金属框100上开设隔断缝隙10时，可采用化学蚀刻工艺或者镭雕工艺，从内釉层400的内侧进行蚀刻，直至将内釉层400和金属框100刻蚀出隔断缝隙10，同时保证不刻蚀到瓷釉层400。

在S202完成后，接下来可参照上述实施例，进行填充隔断缝隙10以及对中框外表面进行打磨抛光等步骤，在此处不做具体赘述。

本实施例中，将搪瓷材料应用于电子设备的中框，中框包括金属框和位于金属框内外表面的内釉层和瓷釉层，内釉层可平衡金属框内外侧的应力，防止金属框厚度较薄时发生形变，内釉层和金属框上开设隔断缝隙，并通过绝缘材料填充，以将金属框分割为不同的天线，同时瓷釉层保证中框具有无缝一体化的外观。

下面参考更加具体的一实施例来描述一种中框的制备方法，本实施例中，采用不锈钢作为金属框100，具体包括以下步骤：

首先，采用压延和数控车床加工，将不锈钢成型为金属框100；

其次，对不锈钢金属框100进行除脂、喷砂、清洗及预氧化(空气氛围下加热处理)；

再次，采用静电干粉喷涂分别施加底釉和面釉于不锈钢金属框100的外表面上；

接下来，在900℃左右温度下烧制5分钟左右，进行自然冷却，以形成瓷釉层200；再喷涂上一层透明釉，于880℃下烧成3分钟，自然冷却；

然后，采用光纤激光镭雕去除掉金属框100上需要刻蚀的部位，以形成隔断缝隙10；

接着，用点胶机将介电常数为2.4(10GHz)的马来酰亚胺树脂填充于隔断缝隙10中，并进行加热固化，以形成填充部300，固化完成后可对填充部300的内表面进行打磨，使填充部300与中框其余部位在厚度方向一致；

最后，对中框外观面进行抛光处理，以达到目标光泽度。

本实施例中，将搪瓷材料应用于电子设备的中框，搪瓷包括不锈钢金属框和覆盖在不锈钢金属框外表面的瓷釉层，不锈钢金属框上开设隔断缝隙，并通过绝缘材料填充，以将不锈钢金属框分割为不同的天线，同时瓷釉层保证中框具有无缝一体化的外观。并且，采用低熔平温度瓷釉并配合较低温度烧制较长时间，保证瓷釉层和不锈钢金属框结合紧密，同时瓷釉层的外观符合手机要求。

下面参考更加具体的另一实施例来描述一种中框的制备方法，本实施例中，采用铝合金作为金属框100，具体包括以下步骤：

首先，采用压延和数控车床加工，将铝合金成型为金属框100；

其次，对铝合金金属框100进行阳极氧化，阳极氧化膜厚度为5-10微米；

再次，采用湿法喷涂施加釉料于铝合金表面，于100℃下烘干水分；

接下来，在540℃左右温度下烧制6分钟，进行自然冷却，以形成瓷釉层200；

然后，覆上化学蚀刻掩模于金属框100的内侧，将需要蚀刻的部位留空，然后执行蚀刻过程形成隔断缝隙10，蚀刻完成后用清水冲洗并自然晾干；

接着，采用纳米注塑工艺将介电常数为2.8的聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)填充于隔断缝隙10中，形成填充部300，然后对填充部300内表面进行切削打磨去除多余部分，使填充部300与中框其余部位在厚度方向一致；

最后，对中框外观面进行打磨抛光处理，以达到目标光泽度。

本实施例中，将搪瓷材料应用于电子设备的中框，中框包括铝合金金属框和位于铝合金金属框外表面的瓷釉层，铝合金金属框上开设隔断缝隙，并通过绝缘材料填充，以将铝合金金属框分割为不同的天线，同时瓷釉层保证中框具有无缝一体化的外观。并且，采用低熔平温度瓷釉并配合较低温度烧制较长时间，保证瓷釉层和铝合金金属框结合紧密，同时瓷釉层的外观符合手机要求。

本申请实施例提供的中框、中框的制备方法及电子设备，采用搪瓷材料作为中框，搪瓷内侧的金属框进行开缝处理，以使金属框作为多段天线使用，同时外层瓷釉层未经开缝，可保证中框的无缝一体化外观。金属框上的隔断缝隙内填充低介电常数材料，尤其是热固性材料的应用，可以使填缝工艺流程简洁、可控性高，低介电常数材料可有效隔断缝隙两侧的金属，使金属框可分作多段、用来制作不同频段的天线。此外，搪瓷的外侧瓷釉层可实现中框瓷玉质感的外观，可明显区分于现有市场上的大部分金属中框外观，相较于陶瓷手机中框，搪瓷的良品率较高，且耐摔性能更好，更重要的是，搪瓷中框内的金属层可被设计成天线，而陶瓷手机中框无法用作天线。

在本申请实施例的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应作广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或者两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请实施例中的具体含义。

本申请实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等(如果存在)是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请实施例的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请实施例进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请实施例各实施例技术方案的范围。

Claims (19)

1.一种中框，其特征在于，包括：金属框和覆盖所述金属框外表面的瓷釉层；

所述金属框上开设有多个隔断缝隙，所述隔断缝隙分割所述金属框以形成多个天线，所述隔断缝隙内具有绝缘的填充部。

2.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述中框还包括覆盖所述金属框内表面的内釉层，所述金属框和所述内釉层上对应开设有所述隔断缝隙。

3.根据权利要求2所述的中框，其特征在于，所述中框还包括覆盖所述瓷釉层外表面的透明釉层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的中框，其特征在于，所述金属框包括依次首尾连接的第一边框、第二边框、第三边框和第四边框，所述第一边框和所述第三边框相对设置，所述第二边框和所述第四边框相对设置，所述隔断缝隙设置在所述第一边框、第二边框、第三边框和第四边框中的任意一个或多个上。

5.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述金属框包括铝合金、钢或不锈钢，所述填充部包括介电常数小于3的热固性或热塑性材料。

6.根据权利要求3所述的中框，其特征在于，所述透明釉层包括二氧化硅或二氧化锆。

7.根据权利要求1所述的中框，其特征在于，所述金属框的厚度为0.2-10mm，所述瓷釉层的厚度为0.05-0.5mm。

8.根据权利要求7所述的中框，其特征在于，所述金属框的厚度为0.2-2mm。

9.根据权利要求3所述的中框，其特征在于，所述透明釉层的厚度小于0.05mm。

10.一种中框的制备方法，其特征在于，包括：

提供金属框；

在所述金属框的外表面上形成瓷釉层；

在所述金属框的内侧进行开缝处理，在所述金属框上开设多个隔断缝隙，同时保留完整的所述瓷釉层；

采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层的同时，还包括：

在所述金属框的内表面上形成内釉层。

12.根据权利要求11所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框上开设多个隔断缝隙，具体包括：

在所述内釉层的内侧进行开缝处理，在所述内釉层和所述金属框上对应开设隔断缝隙。

13.根据权利要求10或12所述的制备方法，其特征在于，所述开缝处理包括化学蚀刻工艺和/或镭雕工艺。

14.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层之后，还包括：

在所述瓷釉层的外表面涂覆透明釉，并烧结形成透明釉层。

15.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层，具体包括：

采用浸搪、喷搪、静电干粉涂搪或电泳涂搪，将瓷釉材料涂覆于所述金属框的外表面；

采用预设温度烧结涂覆有所述瓷釉材料的所述金属框预设时间，并进行冷却，以使所述瓷釉材料形成与所述金属框结合的瓷釉层。

16.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部，具体包括：

采用低介电常数的热固性或热塑性材料，通过纳米注塑工艺或点胶工艺填充所述隔断缝隙以形成填充部。

17.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，在所述金属框的外表面上形成瓷釉层之前，还包括：

对所述金属框的外表面进行前处理，所述前处理包括除脂、酸洗、碱洗、中和或氧化中的一种或多种。

18.根据权利要求10-12任一项所述的制备方法，其特征在于，采用绝缘材料填充所述隔断缝隙以形成填充部之后，还包括：

对所述中框的外表面进行打磨抛光。

19.一种电子设备，其特征在于，包括：显示屏、后盖和如权利要求1-18任一项所述的中框，所述显示屏和所述后盖分别位于所述中框的两侧。

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