CN113496864A - 等离子体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包括：能够收纳多个基片的腔室；设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间，在所述多个屏蔽件之间形成有互不干涉的高频电流的路径。根据本发明，能够在等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。

Description

等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及等离子体处理装置。
背景技术
专利文献1公开了能够同时处理多个晶片的批式处理装置。处理装置具有在真空气氛的处理空间对晶片实施处理的处理容器。处理容器具有将处理晶片的处理空间分隔成多个处理室的壁。在处理容器的壁，与多个处理室对应地形成了多个晶片的送入送出口，处理装置具有与多个处理室的送入送出口对应地沿处理容器的壁面设置的多个屏蔽部件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2019-102680号公报。
发明内容
发明要解决的问题
要求在等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。
用于解决问题的技术手段
本发明的一个方式是一种等离子体处理装置，其包括：能够收纳多个基片的腔室；设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间，在所述多个屏蔽件之间形成有互不干涉的高频电流的路径。
发明的效果
根据本发明，能够在等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。
附图说明
图1是表示等离子体处理装置的结构的概略的纵截面图。
图2是表示合成了具有频率偏移的高频电功率的状态的说明图。
图3是表示沉积物屏蔽件、支承件和可动部的结构的概略的说明图。
图4是表示支承件的结构的概略的说明图。
图5是表示密封部件相对于沉积物屏蔽件的结构的概略的说明图。
图6是表示现有技术的沉积物屏蔽件的密封状态的说明图。
图7是表示本实施方式的沉积物屏蔽件的密封状态的说明图。
图8是表示晶片上的蚀刻速率的实验结果的图表。
图9是表示晶片上的蚀刻速率分布的实验结果的说明图。
附图标记的说明
1等离子体处理装置
10腔室
11晶片支承台
20a第一RF电源
20b第二RF电源
50沉积物屏蔽件
W晶片
具体实施方式
在半导体器件的制造工序中，在等离子体处理装置中通过使处理气体激发而生成等离子体，利用该等离子体对半导体晶片(下面称为“晶片”。)。近年来，为了实现产品晶片的高生产率，例如，如专利文献1所记载的那样，提案了对多个晶片同时进行处理的批式等离子体处理装置。
在批式等离子体处理装置中，将腔室内部划分成多个处理空间，在各处理空间中对由晶片支承台支承的晶片进行处理。对此情况，本发明的发明者们经过了锐意研究，发现对多个晶片进行的等离子体处理存在不均匀的情况。
本发明的技术能够在批式等离子体处理装置中对多个基片进行均匀的等离子体处理。下面，参照附图对本实施方式的等离子体处理装置进行说明。在本说明书和附图中，对实质上具有相同功能结构的要素，赋予相同的附图标记，并省略重复说明。
＜等离子体处理装置＞
首先，对本实施方式的等离子体处理装置进行说明。图1是表示等离子体处理装置1的结构的概略的纵截面图。在本实施方式的等离子体处理装置1中，对多个例如2个作为基片的晶片W同时进行等离子体处理。等离子体处理没有特别限定，例如进行蚀刻处理、成膜处理等。
等离子体处理装置1具有腔室10。腔室10例如由铝构成，表面进行了阳极氧化处理。本实施方式的等离子体处理装置1，如上所述对2个晶片W同时进行处理。在腔室10的内部，界定出收纳2个晶片W各者并对其进行处理的2个处理空间S。在下面的说明中，有时将2个晶片W称为晶片W1、W2，将2个处理空间S称为处理空间S1、S2。
在腔室10的内部，收纳有作为支承晶片W的基片支承台的晶片支承台11。与处理空间S1、S2对应地设置了2个晶片支承台11。各晶片支承台11具有下部电极12、静电吸盘13和边缘环14。其中，晶片支承台11也可以包括温度调节模块，该温度调节模块构成为可将静电吸盘13和晶片W中的至少一者调节至目标温度，这里省略了图示。温度调节模块可以包括加热器、流路或他们的组合。流路中流动制冷剂、导热气体这样的温度调节流体。
静电吸盘13是构成为能够利用静电力将晶片W和边缘环14这两者吸附保持的部件，设置在下部电极12上。静电吸盘13的中央部的上表面形成得比周缘部的上表面高。静电吸盘13的中央部的上表面为载置晶片W的晶片载置面，静电吸盘13的周缘部的上表面为载置边缘环14的边缘环载置面。
边缘环14是以包围载置在静电吸盘13的中央部的上表面的晶片W的方式配置的环状部件。边缘环14由根据等离子体处理而适当地选择的材料构成，例如能够由Si或SiC构成。
也可以在静电吸盘13的中央部设置用于吸附保持晶片W的电极15，在静电吸盘13的周缘部设置用于吸附保持边缘环14的电极16。静电吸盘13具有在由绝缘材料形成的绝缘件之间夹着电极15、16的结构。
能够对电极15施加来自直流电源(未图示)的直流电压。利用由此产生的静电力，能够在静电吸盘13的中央部的上表面吸附保持晶片W。同样，能够对电极16施加来自直流电源(未图示)的直流电压。利用由此产生的静电力，能够在静电吸盘13的周缘部的上表面吸附保持边缘环14。
在本实施方式中，设置电极15的静电吸盘13的中央部与设置电极16的周缘部为一体，但是中央部和周缘部也可以为不同体。
此外，静电吸盘13的中央部例如形成为直径比晶片W的直径小，当晶片W载置在静电吸盘13的上表面时，晶片W的周缘部从静电吸盘13的中央部伸出。
边缘环14在其上部形成了台阶，外周部的上表面形成得比内周部的上表面高。边缘环14的内周部形成为处于从静电吸盘13的中央部伸出的晶片W的周缘部的下侧。即，边缘环14形成为其内径小于晶片W的外径。
下部电极12由导电性的金属例如铝等构成。上述的温度调节模块可以设置在下部电极12。
第一RF(Radio Frequency：高频)电源20a、第二RF电源20b分别经第一匹配器21a、第二匹配器21b与下部电极12连接，能够对晶片支承台11供给高频电功率。
第一RF电源20a是产生等离子体产生用的高频电功率的电源。从第一RF电源20a对下部电极12供给27MHz～100MHz的频率(在一例中为40MHz)的高频电功率。第一匹配器21a具有用于使第一RF电源20a的输出阻抗与负载侧(下部电极12侧)的输入阻抗匹配的电路。
第二RF电源20b产生用于将离子引入至晶片W的高频电功率(高频偏置电功率)，将该高频偏置电功率供给至下部电极12。高频偏置电功率的频率可以为200kHz～13.56MHz的范围内的频率，在一例中为3MHz。第二匹配器21b具有用于使第二RF电源20b的输出阻抗与负载侧(下部电极12侧)的输入阻抗匹配的电路。其中，也可以代替第二RF电源20b，使用DC(Direct Current：直流)脉冲生成部。
在本实施方式中，第一RF电源20a、第二RF电源20b、第一匹配器21a、第二匹配器21b分别与处理空间S1、S2各自的晶片支承台11对应地设置。在此情况下，能够个别地控制对处理空间S1的晶片支承台11的高频电功率的供给和停止的定时、以及对处理空间S2的晶片支承台11的高频电功率的供给和停止的定时。其结果是，能够根据晶片支承台11的个体差，任意地调节高频电功率的供给和停止的定时。
以上述方式构成的2个晶片支承台11分别紧固在设置于腔室10的底部的大致圆筒形状的支承部件17。支承部件17例如由陶瓷等绝缘体构成。
在2个晶片支承台11各自的上方，以与晶片支承台11相对的方式设置了喷淋头30。喷淋头30具有面对处理空间S1、S2配置的电极板31和设置在电极板31的上方的电极支承体32。电极板31作为下部电极12和一对上部电极发挥作用。其中，喷淋头30由支承部件33支承在腔室10的上部(顶面)。
在电极板31形成有用于将从后述的气体扩散室32a送来的处理气体供给至处理空间S的多个气体喷出口31a。电极板31例如由具有低电阻率的导体或半导体构成。
电极支承体32可拆装地支承电极板31，例如由表面进行了阳极氧化处理的铝等导电性材料构成。在电极支承体32的内部形成有气体扩散室32a。从该气体扩散室32a形成有与气体喷出口31a连通的多个气体流通孔32b。
此外，对气体扩散室32a供给处理气体的气体供给源组40，经流量控制设备组41、阀组42和气体供给管43与电极支承体32连接。这些气体供给源组40、流量控制设备组41、阀组42和气体供给管43，对处理空间S1、S2共同地设置。
气体供给源组40具有进行等离子体处理所需的多种气体供给源。在等离子体处理装置1中，来自从气体供给源组40选择的一个以上的气体供给源的处理气体，经流量控制设备组41、阀组42、气体供给管43被供给至气体扩散室32a。供给至气体扩散室32a的处理气体，经气体流通孔32b、气体喷出口31a，呈喷淋状地被分散地供给至处理空间S1、S2内。
此外，在等离子体处理装置1中，对于处理空间S1、S2的各个，沿腔室10的内壁设置了沉积物屏蔽件50。各沉积物屏蔽件50用于抑制反应生成物(沉积物)附着在腔室10的内壁，例如通过在铝材上覆盖Y2O3等陶瓷而构成。
沉积物屏蔽件50与晶片支承台11对应地设置，界定处理空间S1、S2。2个沉积物屏蔽件50由作为连结部件的支承件51连结。在支承件51的下方设置有可动部52。可动部52经支承件51使2个沉积物屏蔽件50共同动作，在本实施方式使2个沉积物屏蔽件50共同升降。该沉积物屏蔽件50、支承件51和可动部52的详细结构在后面叙述。
通过利用可动部52使沉积物屏蔽件50下降，将晶片W送入而载置在晶片支承台11。此外，通过利用可动部52使沉积物屏蔽件50升降，而使该沉积物屏蔽件50与支承部件33抵接，形成处理空间S1、S2。换言之，沉积物屏蔽件50发挥用于将晶片W送入处理空间S1、S2或从其中送出的开闭件的作用。
在晶片支承台11与沉积物屏蔽件50之间分别设置有挡板60。在挡板60形成有用于对处理空间S1、S2的内部进行排气的多个贯通孔。此外，挡板60例如通过在铝材上覆盖Y2O3等陶瓷而构成。处理空间S1、S2分别经挡板60与对处理空间S1、S2共同形成的排气口61连通。例如真空泵等排气装置62与排气口61连接，能够利用该排气装置62将处理空间S1、S2内分别减压。其中，排气口61和排气装置62可以对处理空间S1、S2个别地设置。
在上述的等离子体处理装置中设置有控制部100。控制部100例如是具有CPU、存储器等的计算机，具有程序保存部(未图示)。程序保存部中保存着用于对等离子体处理装置1的等离子体处理进行控制的程序。其中，上述程序可以记录在计算机可读取的存储介质中，从该存储介质安装到控制部100。
＜等离子体处理方法＞
接着，使用以上述的方式构成的等离子体处理装置1进行的等离子体处理的一例。其中，在等离子体处理装置1中，对2个晶片W进行例如蚀刻处理、成膜处理、扩散处理等处理。
首先，在沉积物屏蔽件50下降了的状态，将2个晶片W1、W2送入腔室10的内部，在各晶片支承台11上载置晶片W1、W2。之后，使沉积物屏蔽件50上升，界定处理空间S1、S2。此外，通过对静电吸盘13的电极15施加直流电压，晶片W1、W2被静电力静电吸附在静电吸盘13上而被保持。接着，在送入晶片W1、W2后，腔室10的内部被减压至规定的真空度。
接着，从气体供给源组40经喷淋头30分别对处理空间S1、S2供给处理气体。此外，从第一RF电源20a对下部电极12供给等离子体生成用的高频电功率HF，由此，使处理气体激发，生成等离子体。此时，可以从第二RF电源20b供给离子引入用的高频电功率LF。然后，在处理空间S1、S2各自中，能够利用所生成的等离子体的作用，对晶片W1、W2实施等离子体处理。
在结束等离子体处理时，停止来自第一RF电源20a的高频电功率HF的供给和来自气体供给源组40的处理气体的供给。在等离子体处理中供给高频电功率LF的情况下，该高频电功率LF的供给也被停止。接着，停止利用静电吸盘13进行的晶片W1、W2的吸附保持。
之后，使沉积物屏蔽件50下降，从腔室10送出晶片W1、W2。这样，一系列的等离子体处理结束。
＜沉积物屏蔽件＞
接着，对上述的沉积物屏蔽件50、支承件51和可动部52的结构进行说明。在本实施方式中，以使得在各处理空间S1、S2中，对晶片W1、W2进行的等离子体处理变得均匀的方式，构成沉积物屏蔽件50、支承件51和可动部52。
于是，本发明的发明者们首先锐意研究了对晶片W1、W2进行的等离子体处理变得不均匀的原因。
如上所述，在等离子体处理中，当监视设置在等离子体处理装置1中的发光监视器(未图示)时，发光强度发生变化。本发明的发明者们经过研究而知道了：高频电功率LF的Vpp(Volt peak to peak：交流电压的最大电压与最小电压之差)以与发光强度相同的频率发生变化。此外，能够推测：高频电功率HF也与发光强度发生变化。因此可知，对晶片W1、W2进行的等离子体处理变得不均匀的原因在于高频电功率。
进一步，本发明的发明者们在研究中发现，当对处理空间S1、S2的任一者的下部电极12供给高频电功率LF时，该高频电功率LF的Vpp没有发生变化。另一方面，当对处理空间S1、S2两者的下部电极12供给高频电功率LF时，该高频电功率LF的Vpp变化了。据此可知，在处理空间S1、S2之间，高频电功率发生了干扰。
于是，本发明的发明者们对高频电功率发生干扰的原因进行了锐意研究，发现下述(a)～(c)的原因。
(a)使用示波器，对来自与处理空间S1对应的第一RF电源20a(第二RF电源20b)的高频电功率和来自与处理空间S2对应的第一RF电源20a(第二RF电源20b)的高频电功率进行了比较。其结果是可知，如图2的(a)所示，这些高频电功率中存在频率的偏移。其中，图2的纵轴表示高频电功率，横轴表示时间。此外，在图2的(a)中，实线表示对处理空间S1施加的高频电功率，虚线表示对处理空间S2施加的高频电功率。此外，如图2的(b)所示，当将这2个高频电功率合成时，振幅以与本来的频率不同的频率增减，Vpp发生变化。
(b)2个沉积物屏蔽件50经支承件51电连接。因此，在2个沉积物屏蔽件50之间流动电流。
(c)在等离子体处理装置1中，在电流的返回电路，即按腔室10的顶板(支承部件33)、沉积物屏蔽件50、挡板60、匹配器的接地的顺序连接的电路整体，电流流动。但是，在沉积物屏蔽件50与支承部件33之间，或在沉积物屏蔽件50与挡板60之间，产生接触不良时，电流不适当地流动。此外，当这样产生接触不良时，等离子体泄漏到沉积物屏蔽件50的外部。
由于以上(a)～(c)的原因，频率偏移了的高频电功率从处理空间S2经沉积物屏蔽件50进入处理空间S1中。即，在处理空间S1中，高频发生干扰。
根据以上的发现，在本实施方式中，作为上述(b)的对策，使沉积物屏蔽件50彼此绝缘。此外，作为上述(c)的对策，使沉积物屏蔽件50与支承部件33之间、以及沉积物屏蔽件50与挡板60之间的接触良好。
首先，对使沉积物屏蔽件50彼此绝缘的对策进行说明。即，在沉积物屏蔽件50之间形成互不干涉的高频电流的路径的对策，在此情况下，能够抑制高频电流在沉积物屏蔽件50之间流动。
如图3所示，2个沉积物屏蔽件50各自具有大致圆筒形状。如上所述，沉积物屏蔽件50例如通过在铝材上覆盖Y2O3等陶瓷而构成。
2个沉积物屏蔽件50由2个支承件51连结。支承件51例如通过在铝材上形成Al2O3的覆盖膜而构成。在进行沉积物屏蔽件50彼此的绝缘时，能够考虑用绝缘材料构成支承件51自身，在此情况下，支承件51的强度变低，难以支承2个沉积物屏蔽件50。于是，本实施方式的支承件51的母材中使用具有希望的强度的铝。
在支承件51的下方，按每个该支承件51设置了2个可动部52。可动部52包括致动器52a，通过支承件51使2个沉积物屏蔽件50共同升降。即，2个可动部52同步地使2个沉积物屏蔽件50共同升降。其中，在图示的例子中，可动部52与各个支承件51对应地设置了2个，但是可动部52的数量、配置不限定于此。
图4的(a)表示参照例，图4的(b)表示本实施方式。如图4的(a)所示，例如，支承件51通过作为突起部件的定位部件150，被定位并固定在沉积物屏蔽件50。该定位部件150中例如使用铝。于是，2个沉积物屏蔽件50彼此电连接，其结果是，高频电功率在处理空间S1的晶片支承台11与处理空间S2的晶片支承台11之间传输，发生该高频电功率的干扰。
于是，如图4的(b)所示，在支承件51的上表面设置绝缘部160，进而在绝缘部160的上表面设置导电部161。绝缘部160例如由石英构成。此外，导电部161具有与沉积物屏蔽件50相同的结构，即，例如通过在铝材上覆盖Y2O3等陶瓷而构成。在此情况下，利用绝缘部160，使2个沉积物屏蔽件50之间彼此绝缘。其结果是，能够抑制上述的高频电功率的干扰。其中，如果能够确保支承件51上的绝缘部160的强度，则能够省略导电部161。此外，导电部161也可以不是导体，而使用绝缘件料。
接着，对使沉积物屏蔽件50与支承部件33之间、以及沉积物屏蔽件50与挡板60之间的接触良好的对策进行说明。图5的(a)表示参照例，图5的(b)表示本实施方式。
如图5的(a)所示，例如，现有技术的沉积物屏蔽件50的上部隔着密封部件170，在侧面与支承部件33接触。密封部件170由导电性材料构成。在此情况下，沉积物屏蔽件50与密封部件170之间，因经时变化，滑动阻力变大，不能使沉积物屏蔽件50上升至接触位置。即，如图6的(a)所示，如果沉积物屏蔽件50上升至适当的位置，则在沉积物屏蔽件50与支承部件33之间能够确保良好的接触。但是，如图6的(b)所示，在因滑动阻力而使得沉积物屏蔽件50没有充分地上升的情况下，沉积物屏蔽件50与支承部件33之间的接触变得不良。即，在周向上沉积物屏蔽件50与支承部件33不接触。
此外，如图5的(a)所示，例如，现有技术的沉积物屏蔽件50的下部隔着密封部件171在侧面与挡板60接触。于是，如图6的(b)所示的那样，在因滑动阻力而使得沉积物屏蔽件50没有充分地上升的情况下，沉积物屏蔽件50与挡板60之间的接触变得不良。即，在周向上沉积物屏蔽件50与挡板60不接触。
于是，如图5的(b)和图7所示，在沉积物屏蔽件50的上部，在沉积物屏蔽件50的上表面与支承部件33的下表面之间设置密封部件180。密封部件180由导电性材料构成。在此情况下，即使令沉积物屏蔽件50上升，图5的(a)所示的那样的滑动阻力也小。于是，在密封部件180与接触面接触时，沉积物屏蔽件50的上升停止，该沉积物屏蔽件50在物理结构上不会进一步上升。其结果是，能够经由密封部件180使沉积物屏蔽件50与支承部件33接触。
此外，在沉积物屏蔽件50的下部形成有向挡板60侧突出的突出部50a。在该突出部50a的上表面与挡板60的下表面之间设置密封部件181。密封部件181也由导电性材料构成。在此情况下，当使沉积物屏蔽件50上升时，密封部件181与接触面接触，沉积物屏蔽件50的上升停止。其结果是，能够使沉积物屏蔽件50与挡板60经由密封部件181接触。
如上所述，在本实施方式中，能够使沉积物屏蔽件50与支承部件33之间、以及沉积物屏蔽件50与挡板60之间的接触良好。其结果是，在电流的返回电路，按支承部件33、沉积物屏蔽件50、挡板60、匹配器的接地的顺序连接的返回电路中，能够使电流适当地流动，还能够抑制高频电功率的干扰。此外，通过使接触良好，能够使得密封性提高，防止等离子体泄漏到沉积物屏蔽件50的外部。
根据以上的实施方式，因为通过可动部52使2个沉积物屏蔽件50共同升降，所以能够降低装置成本。此外，因为能够减少可动部52的数量，所以还能够使设置这些可动部52的空间小。
此外，根据本实施方式，因为2个沉积物屏蔽件50彼此通过绝缘部160绝缘，所以在2个沉积物屏蔽件50之间不流动电流。其结果是，能够抑制高频电功率的干扰。因此，能够抑制等离子体的闪烁。
此外，根据本实施方式，通过在沉积物屏蔽件50与支承部件33之间设置密封部件180，并在沉积物屏蔽件50与挡板60之间设置密封部件181，能够使他们的接触良好。其结果是，在电流的返回电路，按支承部件33、沉积物屏蔽件50、挡板60、匹配器的接地的顺序连接的返回电路中，能够使电流适当地流动，还能够抑制高频电功率的干扰。此外，通过使接触良好，还能够提高密封性，防止等离子体泄漏到沉积物屏蔽件50的外部。
通过进行以上的本实施方式的对策，能够在各处理空间S1、S2中使对晶片W1、W2的蚀刻速率大致相同。此外，在各处理空间S1、S2中，还能够使晶片W1、W2上的蚀刻速率的分布为同心圆状。换言之，在各处理空间S1、S2中，能够对晶片W1、W2进行均匀的等离子体处理。
接着，使用本发明的发明者们得到的实验结果对上述的本实施方式的效果进行说明。
作为本实施方式，使用了图4的(b)和图5的(b)所示的情况的等离子体处理装置1。即，如图4的(b)所示的那样，在支承件51的上表面设置有绝缘部160和导电部161。此外，如图5的(b)所示的那样，在沉积物屏蔽件50的上表面与支承部件33的下表面之间设置有密封部件180，在突出部50a的上表面与挡板60的下表面之间设置有密封部件181。
作为参照例，使用了图4的(a)和图5的(a)所示的情况的等离子体处理装置1。即，如图4的(a)所示得到那样，在支承件51的上表面没有设置绝缘部160和导电部161。此外，如图5的(a)所示的那样，在沉积物屏蔽件50的侧面与支承部件33的侧面之间设置有密封部件170，在突出部50a的侧面与挡板60的侧面之间设置有密封部件171。
本实施方式和参照例，均以如下所述的条件进行了使用氩气的溅射。对象的晶片W是形成了氧化膜(例如SiO2)的晶片。各处理空间S1、S2的内部的压力为60mTorr，供给至各处理空间S1、S2的氩气的流量为600sccm。从第一RF电源20a供的100MHz的频率的高频电功率为500W，从第二RF电源20b供给的13MHz的频率的高频电功率为1500W。作为导热气体的氦气的压力，在晶片W的中央部和周缘部均为15Torr。进行了该溅射的时间为3分钟。
图8和图9表示实验结果。图8的(a)和图9的(a)表示参照例的实验结果，图8的(b)和图9的(b)表示本实施方式的实验结果。
在图8中，横轴表示以晶片W的中心为0(零)的径向位置，纵轴表示蚀刻速率。在图8的(a)的参照例中，在处理空间S1、S2中蚀刻速率不同。另一方面，在图8的(a)的本实施方式中，在处理空间S1、S2中蚀刻速率大致相同。因此，可知在本实施方式中，在处理空间S1、S2中，能够对晶片W1，W2进行均匀的等离子体处理。
图9表示处理空间S1、S2中的晶片W1，W2上的蚀刻速率的分布的等值线图。在图9的(a)的参照例中，在处理空间S1、S2的任一者中，蚀刻速率的分布都没有为同心圆状。这表示在周向蚀刻速率是不均匀的。此外，由于在本实验中的工艺条件中没有使用反应性气体，因此是离子流本身的分布。其原因是，由于沉积物屏蔽件50的接地在周向是不均匀的，因此电子密度在周向不同。另一方面，在图9的(b)的本实施方式中，在处理空间S1、S2的任一者中，蚀刻速率的分布都大致为同心圆状。因此，从这样的观点也可知，在本实施方式中，在处理空间S1、S2中，能够对晶片W1、W2进行均匀的等离子体处理。
此外，对本实施方式的实验结果进行目视确认可知，在各处理空间S1、S2中等离子体没有闪烁。此外，在各处理空间S1、S2中也没有等离子体的泄漏。
＜其他实施方式＞
在以上的实施方式中，实施了沉积物屏蔽件50间的绝缘，还实施了沉积物屏蔽件50与支承部件33之间、以及沉积物屏蔽件50与挡板60之间的接触改善，但是也可以实施其中任一者。
即，在利用绝缘部160使沉积物屏蔽件50间绝缘时，抑制高频电源的干扰，在处理空间S1、S2中，能够对晶片W1、W2进行均匀的等离子体处理。
此外，通过在沉积物屏蔽件50与支承部件33之间设置密封部件180，并在沉积物屏蔽件50与挡板60之间设置密封部件181，能够使他们的接触良好，抑制高频电源的干扰，进一步还能够抑制等离子体的泄漏。进而，密封部件180、181也可以设置任一个。即，可以是密封部件180与密封部件171的组合，也可以是密封部件170与密封部件181的组合。
在任一情况下，与现有技术相比较，能够抑制高频电源的干扰，在处理空间S1、S2中，能够对晶片W1、W2进行均匀的等离子体处理。但是，如本实施方式那样，在实施沉积物屏蔽件50间的绝缘的同时，还实施沉积物屏蔽件50与支承部件33之间、以及沉积物屏蔽件50与挡板60之间的接触改善，其效果更好。
此外，在以上的实施方式中，对等离子体处理装置1具有2个沉积物屏蔽件50(处理空间S1、S2)的情况进行了说明，但是沉积物屏蔽件50的数量不限定于此。例如，在沉积物屏蔽件50为4个的情况下，相邻的沉积物屏蔽件50彼此由支承件51连结。
此外，在以上的实施方式中，对于各处理空间S1、S2的晶片支承台11，分别设置有第一RF电源20a、第二RF电源20b、第一匹配器21a和第二匹配器21b，但是他们对于处理空间S1、S2也可以共用。但是，在如上所述的那样对处理空间S1、S2分别设置他们时，能够根据晶片支承台11的个体差，任意地调节高频电功率的供给和停止的定时。
应该知道，本说明书中记载的实施方式均是例示，不是对本发明的限定。上述的实施方式在不超过发明内容及其主旨的范围内，可以以各种方式进行省略、置换、改变。

Claims (9)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
能够收纳多个基片的腔室；
设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；
多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和
多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间，
在所述多个屏蔽件之间形成有互不干涉的高频电流的路径。
2.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：
能够收纳多个基片的腔室；
设置在所述腔室的内部的用于支承各基片的多个基片支承台；
多个高频电源，其与所述多个基片支承台对应地设置，对该基片支承台供给高频电功率；和
多个屏蔽件，其以划分所述腔室的内部的方式与所述多个基片支承台对应地设置，界定能够生成等离子体的处理空间；和
能够使所述多个屏蔽件共同地动作的可动部。
3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：
相邻的所述屏蔽件彼此由连结部件连结，
所述可动部能够使所述连结部件动作。
4.如权利要求1～3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
还包括使所述多个屏蔽件之间彼此绝缘的绝缘部。
5.如权利要求4所述的等离子体处理装置，其特征在于：
相邻的所述屏蔽件彼此由连结部件连结，
所述绝缘部设置在所述连结部件上。
6.如权利要求4或5所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述绝缘部由石英形成。
7.如权利要求1～5中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
相邻的所述屏蔽件彼此由连结部件连结。
8.如权利要求1～7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
所述屏蔽件具有筒形状，
所述屏蔽件的上表面与所述腔室的下表面抵接而形成所述处理空间，
在所述屏蔽件的上表面与所述腔室的下表面之间设置有密封部件。
9.如权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于：
在所述屏蔽件与所述基片支承台之间设置有挡板，
所述屏蔽件具有筒形状，并且具有向所述挡板侧突出的突出部，
所述突出部的上表面与所述挡板的下表面抵接而形成所述处理空间，
在所述突出部的上表面与所述挡板的下表面之间设置有密封部件。
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