CN115732306A - 等离子体处理装置和异常放电抑制方法 - Google Patents

Abstract

本发明要解决的技术问题是抑制异常放电的发生。本发明提供等离子体处理装置和异常放电抑制方法。腔室能够在其内部实施等离子体处理。载置台配置在腔室内，能够载置基片并且在基片的周围载置环组件。固定部设置在载置台，能够将基片和环组件中的至少一者固定在载置台上。传热气体供给部能够向基片和环组件中的至少一者与载置台之间供给传热气体。RF电源能够向腔室内供给等离子体生成用的RF信号。控制部能够进行控制，使得在将基片和环组件中的至少一者载置在载置台上时，在对基片实施等离子体处理之前，从传热气体供给部供给的传热气体的压力低于对基片实施等离子体处理时从传热气体供给部供给的传热气体的压力。

Description

等离子体处理装置和异常放电抑制方法

技术领域

本发明涉及等离子体处理装置和异常放电抑制方法。

背景技术

专利文献1公开了从气体供给绝缘凸台向聚焦环的背面侧供给He、Ar、Xe等气体的结构。另外，专利文献1公开了气体供给绝缘凸台是因气体的压力相对较高而容易发生异常放电的部分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2008/0236751号说明书

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供能够抑制异常放电的发生的技术。

用于解决技术问题的手段

本发明的一个方式的等离子体处理装置包括腔室、载置台、固定部、传热气体供给部、传热气体排出部、RF电源和控制部。腔室能够在其内部实施等离子体处理。载置台配置在腔室内，能够载置基片并且在基片的周围载置环组件。固定部设置在载置台，能够将基片和环组件中的至少一者固定在载置台上。传热气体供给部能够向基片和环组件中的至少一者与载置台之间供给传热气体。传热气体排出部能够从基片和环组件中的至少一者与载置台之间排出传热气体。RF电源能够向腔室内供给等离子体生成用的RF(Radio Frequency：射频)信号。控制部能够进行控制，使得在将基片和环组件中的至少一者载置在载置台上时，在对基片实施等离子体处理之前，从传热气体供给部供给的传热气体的压力低于对基片实施等离子体处理时从传热气体供给部供给的传热气体的压力。

发明效果

采用本发明，能够抑制异常放电的发生。

附图说明

图1是表示实施方式的等离子体处理系统的概略结构的一个例子的图。

图2是对实施方式的异常放电的发生的一个例子进行说明的图。

图3是概略地表示比较例的时效处理(seasoning)时的状态的一个例子的图。

图4是概略地表示实施方式的时效处理时的状态的一个例子的图。

图5是对实施方式的除去杂质的流程的一个例子进行说明的图。

图6是对实施方式的异常放电抑制方法的处理顺序的一个例子进行说明的图。

图7是对实施方式的除去杂质的流程的另一个例子进行说明的图。

图8是对实施方式的异常放电抑制方法的处理顺序的另一个例子进行说明的图。

附图标记说明

1等离子体处理装置，2控制部，10等离子体处理腔室，11基片支承部，30电源，112环组件，116气体供给部，1111静电卡盘，W基片。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明公开的等离子体处理装置和异常放电抑制方法的实施方式进行详细说明。此外，本发明的等离子体处理装置和异常放电抑制方法并不受本实施方式限定。

已知对腔室内进行减压来对基片实施等离子体蚀刻等的等离子体处理的等离子体处理装置。等离子体处理装置在腔室内设置有载置台。在载置台上，能够配置基片，并能够以包围基片的方式载置聚焦环等环组件。为了进行传热，可以向基片和环组件与载置台之间供给氦等传热气体。

然而，在等离子体处理装置中，有时会在基片和环组件与载置台之间发生电弧放电等异常放电。因此，期待能够抑制异常放电的发生的技术。

[实施方式]

[装置结构]

下面，对本发明的等离子体处理装置的一个例子进行说明。在下面说明的实施方式中，以将本发明的等离子体处理装置作为系统结构的等离子体处理系统的情况为例进行说明。图1是表示实施方式的等离子体处理系统的概略结构的一个例子的图。

下面，对等离子体处理系统的结构例进行说明。图1是用于对电容耦合型的等离子体处理装置的结构例进行说明的图。

等离子体处理系统包括电容耦合型的等离子体处理装置1和控制部2。电容耦合型的等离子体处理装置1包括等离子体处理腔室10、气体供给部20、电源30和排气系统40。另外，等离子体处理装置1包括基片支承部11和气体导入部。气体导入部能够将至少一种处理气体导入到等离子体处理腔室10内。气体导入部包括喷淋头13。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内。喷淋头13配置在基片支承部11的上方。在一个实施方式中，喷淋头13构成等离子体处理腔室10的顶部(ceiling)的至少一部分。等离子体处理腔室10具有由喷淋头13、等离子体处理腔室10的侧壁10a和基片支承部11规定的等离子体处理空间10s。等离子体处理腔室10具有：用于向等离子体处理空间10s供给至少一种处理气体的至少一个气体供给口；和用于从等离子体处理空间排出气体的至少一个气体排出口。等离子体处理腔室10被接地。喷淋头13和基片支承部11与等离子体处理腔室10的壳体电绝缘。

基片支承部11包括主体部111和环组件112。主体部111具有：用于支承基片W的中央区域111a；和用于支承环组件112的环状区域111b。晶片是基片W的一个例子。主体部111的环状区域111b在俯视时包围主体部111的中央区域111a。基片W配置在主体部111的中央区域111a上，环组件112以包围主体部111的中央区域111a上的基片W的方式配置在主体部111的环状区域111b上。因此，中央区域111a也被称为用于支承基片W的基片支承面，环状区域111b也被称为用于支承环组件112的环支承面。

基片支承部11具有固定部。固定部用于将基片W和环组件112中的至少一者固定。在本实施方式中，固定部通过静电吸附将基片W和环组件112中的至少一者固定在基片支承部11上。在一个实施方式中，主体部111包括基座1110和静电卡盘1111。基座1110包含导电性部件。基座1110的导电性部件能够作为下部电极发挥作用。静电吸盘1111配置在基座1110上。静电卡盘1111包括陶瓷部件1111a和配置在陶瓷部件1111a内的静电电极1111b。陶瓷部件1111a具有中央区域111a。在一个实施方式中，陶瓷部件1111a还具有环状区域111b。在本实施方式中，静电卡盘1111对应于本发明的固定部。在对基片W和环组件112进行静电吸附的情况下，从未图示的直流电源对静电卡盘1111施加电压。静电卡盘1111通过静电吸附将基片W和环组件112固定。此外，也可以是环状静电卡盘或环状绝缘部件那样的包围静电卡盘1111的其它部件具有环状区域111b。在该情况下，环组件112可以是配置在环状静电卡盘或环状绝缘部件上，也可以是配置在静电卡盘1111和环状绝缘部件这两者上。另外，可以将与后述的RF(Radio Frequency：射频)电源31和/或DC(Direct Current：直流)电源32耦合的至少一个RF/DC电极配置在陶瓷部件1111a内。在该情况下，至少一个RF/DC电极能够作为下部电极发挥作用。在向至少一个RF/DC电极供给后述的偏置RF信号和/或DC信号的情况下，RF/DC电极也被称为偏置电极。此外，也可以是基座1110的导电性部件和至少一个RF/DC电极作为多个下部电极发挥作用。另外，静电电极1111b也可以作为下部电极发挥作用。因此，基片支承部11包括至少一个下部电极。

环组件112包括一个或多个环状部件。在一个实施方式中，一个或多个环状部件包括一个或多个边缘环和至少一个覆盖环。边缘环由导电性材料或绝缘材料形成，覆盖环由绝缘材料形成。

另外，基片支承部11可以包括用于将静电卡盘1111、环组件112和基片中的至少一者调节为目标温度的温度调节模块。温度调节模块可以包括加热器、传热介质、流路1110a或者它们的组合。可以在流路1110a中流动盐水或气体那样的传热流体。在一个实施方式中，在基座1110内形成流路1110a，在静电卡盘1111的陶瓷部件1111a内配置一个或多个加热器。另外，基片支承部11可以包括用于向基片W的背面与中央区域111a之间的间隙供给传热气体的传热气体供给部。另外，基片支承部11也可以构成为能够从传热气体供给部向环组件112的背面与环状区域111b之间的间隙供给传热气体。

例如，在基片支承部11的中央区域111a形成有用于释放传热气体的气体供给口111d。另外，在基片支承部11的环状区域111b形成有用于释放传热气体的气体供给口111e。在基片支承部11设置有用于供给传热气体的配管等供给流路115a、115b。供给流路115a与气体供给口111d连通。供给流路115b与气体供给口111e连通。供给流路115a、115b与气体供给部116连接。气体供给部116例如能够单独地控制氦(He)气或氢(H₂)气等传热气体的流量并将其供给至供给流路115a、115b。另外，气体供给部116能够从供给流路115a、115b排出传热气体。经由供给流路115a供给的传热气体，从气体供给口111d被释放而被供给至基片W与中央区域111a之间的空间。经由供给流路115b供给的传热气体，从气体供给口111e被释放而被供给至环组件112与环状区域111b之间的空间。另外，被供给至基片W与中央区域111a之间的空间的传热气体，经由供给流路115a被排出。被供给至环组件112与环状区域111b之间的空间的传热气体，经由供给流路115b被排出。气体供给部116对应于本发明的传热气体供给部和传热气体排出部。此外，也可以是气体供给部116分为用于供给传热气体的部分和用于排出传热气体的部分。

喷淋头13能够将来自气体供给部20的至少一种处理气体导入到等离子体处理空间10s内。喷淋头13具有至少一个气体供给口13a、至少一个气体扩散室13b和多个气体导入口13c。被供给至气体供给口13a的处理气体，能够通过气体扩散室13b从多个气体导入口13c被导入到等离子体处理空间10s内。另外，喷淋头13包括至少一个上部电极。此外，气体导入部可以除了包括喷淋头13以外，还包括被安装于形成在侧壁10a上的一个或多个开口部中的一个或多个侧面气体注入部(SGI：Side Gas Injector)。

气体供给部20可以包括至少一个气体源21和至少一个流量控制器22。在一个实施方式中，气体供给部20能够将至少一种处理气体从与各自对应的气体源21经由与各自对应的流量控制器22供给至喷淋头13。各流量控制器22例如可以包括质量流量控制器或压力控制式的流量控制器。另外，气体供给部20可以包括用于对至少一种处理气体的流量进行调制或脉冲化的一个或多个的流量调制器件。

电源30包括经由至少一个阻抗匹配电路与等离子体处理腔室10耦合的RF电源31。RF电源31能够向至少一个下部电极和/或至少一个上部电极供给至少一个RF信号(RF电功率)。由此，能够从被供给到等离子体处理空间10s的至少一种处理气体形成等离子体。因此，RF电源31能够作为等离子体生成部的至少一部分发挥作用，该等离子体生成部能够在等离子体处理腔室10中从一种或多种处理气体生成等离子体。另外，通过向至少一个下部电极供给偏置RF信号，能够在基片W产生偏置电位，将所形成的等离子体中的离子成分吸引至基片W。

在一个实施方式中，RF电源31包括第一RF生成部31a和第二RF生成部31b。第一RF生成部31a经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极和/或至少一个上部电极耦合，用于生成等离子体生成用的源RF信号(源RF电功率(source RF power))。在一个实施方式中，源RF信号(source RF signal)具有10MHz～150MHz的范围内的频率。在一个实施方式中，可以是第一RF生成部31a能够生成具有不同频率的多个源RF信号。所生成的一个或多个源RF信号被供给到至少一个下部电极和/或至少一个上部电极。

第二RF生成部31b经由至少一个阻抗匹配电路与至少一个下部电极耦合，用于生成偏置RF信号(偏置RF电功率)。偏置RF信号的频率与源RF信号的频率可以相同也可以不同。在一个实施方式中，偏置RF信号具有比源RF信号的频率低的频率。在一个实施方式中，偏置RF信号具有100kHz～60MHz的范围内的频率。在一个实施方式中，可以是第二RF生成部31b能够生成具有不同频率的多个偏置RF信号。所生成的一个或多个偏置RF信号被供给到至少一个下部电极。另外，在各种实施方式中，可以将源RF信号和偏置RF信号中的至少一者进行脉冲化。

另外，电源30可以包括与等离子体处理腔室10耦合的DC电源32。DC电源32包括第一DC生成部32a和第二DC生成部32b。在一个实施方式中，第一DC生成部32a与至少一个下部电极连接，用于生成第一DC信号。所生成的第一DC信号被施加于至少一个下部电极。在一个实施方式中，第二DC生成部32b与至少一个上部电极连接，用于生成第二DC信号。所生成的第二DC信号被施加于至少一个上部电极。

在各种实施方式中，可以将第一DC信号和第二DC信号中的至少一者进行脉冲化。在该情况下，能够对至少一个下部电极和/或至少一个上部电极施加电压脉冲的序列。电压脉冲可以具有矩形、梯形、三角形或它们的组合的脉冲波形。在一个实施方式中，用于从DC信号生成电压脉冲的序列的波形生成部连接在第一DC生成部32a与至少一个下部电极之间。因此，第一DC生成部32a和波形生成部构成电压脉冲生成部。在第二DC生成部32b和波形生成部构成电压脉冲生成部的情况下，电压脉冲生成部与至少一个上部电极连接。电压脉冲可以具有正的极性，也可以具有负的极性。另外，电压脉冲的序列可以在1个周期内包含一个或多个正极性电压脉冲和一个或多个负极性电压脉冲。此外，可以是除了RF电源31以外还设置第一DC生成部32a和第二DC生成部32b，也可以是设置第一DC生成部32a代替第二RF生成部31b。

排气系统40例如能够与设置在等离子体处理腔室10的底部的气体排出口10e连接。排气系统40可以包括压力调节阀和真空泵。能够利用压力调节阀来调节等离子体处理空间10s内的压力。真空泵可以包括涡轮分子泵、干式泵或它们的组合。

控制部2能够处理计算机可执行的命令，该命令用于使等离子体处理装置1执行在本发明中说明的各种步骤。控制部2能够控制等离子体处理装置1的各要素执行在此说明的各种步骤。在一个实施方式中，可以是控制部2的一部分或全部包含在等离子体处理装置1中。控制部2可以包括处理部2a1、存储部2a2和通信接口2a3。控制部2例如由计算机2a实现。处理部2a1能够从存储部2a2读取程序，通过执行所读取的程序来进行各种控制动作。该程序可以是预先存储在存储部2a2中，也可以是在需要时经由介质获取。所获取的程序被存储在存储部2a2中，由处理部2a1从存储部2a2读取并执行。介质可以是计算机2a能够读取的各种存储介质，也可以是与通信接口2a3连接的通信线路。处理部2a1可以是CPU(CentralProcessing Unit：中央处理器)。存储部2a2可以包括RAM(Random Access Memory：随机存取存储器)、ROM(Read Only Memory：只读存储器)、HDD(Hard Disk Drive：硬盘驱动器)、SSD(Solid State Drive：固态驱动器)或者它们的组合。通信接口2a3可以经由LAN(LocalArea Network：局域网)等通信线路在与等离子体处理装置1之间进行通信。

接下来，简单地说明利用实施方式的等离子体处理系统，对基片W实施等离子体蚀刻等的等离子体处理的流程。利用未图示的输送臂等输送机构将基片W载置在基片支承部11上。等离子体处理装置1在对基片W实施等离子体处理的情况下，利用排气系统40对等离子体处理腔室10内进行减压。静电卡盘1111通过静电吸附将基片W和环组件112固定。控制部2进行控制，使得在静电卡盘1111进行静电吸附时，从电源30向基片支承部11施加吸附用的高频电功率。例如，控制部2控制电源30向基片支承部11施加使得静电吸盘1111能够进行基片W和环组件112的静电吸附的高频电功率。等离子体处理装置1从气体供给部20供给处理气体，从喷淋头13将处理气体导入到等离子体处理腔室10内。然后，等离子体处理装置1从RF电源31供给至少一个RF信号，在等离子体处理空间10s生成等离子体，对基片W实施等离子体处理。

然而，在等离子体处理装置1中，有时会在基片W和环组件112与基片支承部11之间发生不良状况。例如，有时会在基片W和环组件112与基片支承部11之间发生电弧放电等异常放电。

图2是对实施方式的异常放电的发生的一个例子进行说明的图。在图2中，将等离子体处理腔室10的基片支承部11附近放大而概略地表示。基片支承部11在中央区域111a载置基片W，并且以包围基片W的周围的方式在环状区域111b载置环组件112。在基片支承部11的中央区域111a形成有气体供给口111d。在基片支承部11的环状区域111b形成有气体供给口111e。气体供给口111d与供给流路115a连通，能够经由供给流路115a从气体供给部116供给传热气体。气体供给口111e与供给流路115b连通，能够经由供给流路115b从气体供给部116供给传热气体。气体供给口111d和气体供给口111e能够释放从气体供给部116供给的传热气体。

在基片支承面111a上，沿着基片W的外周侧设置有环状的带，能够利用带来支承基片W的外周。另外，在基片支承面111a上，形成有用于支承基片W的未图示的点。在基片W与中央区域111a之间形成有能够供传热气体流动的空间。

在环状区域111b，沿着环组件112的内周侧和外周侧分别设置有环状的带，能够利用带来支承环组件112的内周和外周。另外，在环状区域111b形成有用于支承环组件112的未图示的点。在环组件112与环状区域111b之间形成有能够供传热气体流动的空间。

在等离子体处理装置1中，环组件112会因等离子体处理而逐渐消耗。当环组件112消耗时，要更换。在更换的环组件112上附着有水分。在等离子体处理装置1中，在更换了环组件112的情况下，要进行水分的除去等，为了使等离子体处理腔室10内的状态稳定，反复进行等离子体的生成的时效处理(起动处理)。例如，等离子体处理装置1在实施时效处理的情况下，与等离子体处理时同样地，利用排气系统40对等离子体处理腔室10内进行减压。静电卡盘1111通过静电吸附将基片W和环组件112固定。等离子体处理装置1在静电卡盘1111进行静电吸附时，从电源30向基片支承部11施加吸附用的高频电功率。等离子体处理装置1从气体供给部20供给处理气体，并将处理气体从喷淋头13导入到等离子体处理腔室10内。处理气体可以与等离子体处理中使用的处理气体相同，也可以是时效处理用的特定种类的气体。然后，等离子体处理装置1从RF电源31供给至少一个RF信号，在等离子体处理空间10s生成等离子体来实施时效处理。在时效处理中，反复实施等离子体的生成，直到等离子体处理腔室10内成为稳定的状态。时效处理在对基片W实施用于制造半导体器件的制造工序的等离子体处理之前实施。时效处理可以是在基片支承部11上配置伪晶片(dummy wafer)等基片W来实施。

但是，在时效处理时，由于残留的水分的影响，有时会在环组件112与基片支承部11之间等发生电弧放电等异常放电。例如，在更换了环组件112的情况下，有时会在气体供给口111e附近、供给流路115b内发生电弧放电等异常放电。

另外，有时会因附着在基片W、环组件112的背面的杂质等而发生不良状况。例如，在更换了基片W、环组件112的情况下，有时会在气体供给口111d附近、气体供给口111e附近、供给流路115a、供给流路115b内发生电弧放电等异常放电。

因此，在本实施方式中，控制部2进行控制，使得在更换了基片W和环组件112中的至少一者的情况下，在对基片W实施等离子体处理之前，从气体供给部116供给的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116供给的传热气体的压力。

例如，控制部2进行控制，使得在更换了环组件112的情况下，在时效处理时，从气体供给部116供给到基片支承部11与环组件112之间的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116供给到基片支承部11与环组件112之间的传热气体的压力，并且从电源30供给的高频电功率的功率为对基片W实施等离子体处理时从电源30供给的高频电功率的功率以下。

另外，在更换了基片W或环组件112的情况下，控制部2控制气体供给部116，使得在对基片W实施等离子体处理之前，对该更换后的基片W或环组件112与基片支承部11之间进行至少1次传热气体的供给和排出。

硅的表面的水分的脱离量在200℃以上会增加，在300℃至400℃会变大。因此，在时效处理时，环组件112的温度优选为200℃以上，更优选为300℃以上。例如，在时效处理时，环组件112的温度更优选为300℃至400℃。

在此，作为比较例，假设等离子体处理装置1在时效处理时，使从气体供给部116供给的传热气体的压力和从电源30供给的高频电功率的功率与对基片W实施等离子体处理时相同来实施时效处理。在该情况下，能够通过来自等离子体的热输入来使环组件112的温度充分地上升，因此，能够在短时间内将附着在环组件112上的水分除去。图3是概略地表示比较例的时效处理时的状态的一个例子的图。图3概略地表示基片支承部11的环状区域111b附近的状态。图3表示在时效处理时，使从气体供给部116供给的传热气体的压力和从电源30供给的高频电功率的功率与对基片W实施等离子体处理时相同的情况。在图3中，环组件112的温度为350℃。由此，能够使水分从环组件112迅速地放出。但是，有时会因从环组件112放出的水分的影响，而在气体供给口111e附近、供给流路115b内发生电弧放电等异常放电。因此，可以考虑在时效处理时，使从电源30供给的高频电功率的功率低于对基片W实施等离子体处理时从电源30供给的高频电功率的功率来抑制异常放电的发生。但是，在使高频电功率的功率降低的情况下，从等离子体向环组件112的热输入降低，环组件112的温度会变得不能充分地上升。由此，虽然能够抑制异常放电的发生，但是除去水分所花费的时间会变长，时效处理的时间会变长。

因此，在本实施方式中，控制部2进行控制，使得在更换了环组件112的情况下，在时效处理时，从气体供给部116供给到基片支承部11与环组件112之间的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116供给到基片支承部11与环组件112之间的传热气体的压力，并且从电源30供给的高频电功率的功率为对基片W实施等离子体处理时从电源30供给的高频电功率的功率以下。

例如，控制部2在时效处理时，将从气体供给部116向基片支承部11与环组件112之间供给的传热气体的压力控制为15Torr以下。例如，控制部2将来自气体供给部116的传热气体的供给控制为停止的状态，或者将传热气体的供给控制为最小流量，将传热气体的供给控制为最低限度的状态。由此，从基片W向基片支承部11的环状区域111b的传热减少，即使在使高频电功率的功率降低的情况下，也能够使环组件112的温度充分地上升。

如上所述，硅的表面的水分的脱离量在200℃以上会增加。控制部2进行控制，使得在时效处理时，从电源30供给对基片W实施等离子体处理时的功率以下并且能够使基片W的温度成为200℃以上的功率的高频电功率。例如，事先通过实验或模拟求出即使在使传热气体的压力降低的情况下，也能够使基片W的温度成为200℃以上的高频电功率的功率。作为一个例子，求出能够使基片W的温度成为300℃～400℃的高频电功率的功率。控制部2进行控制，使得从电源30供给事先求出的功率的高频电功率。图4是概略地表示实施方式的时效处理时的状态的一个例子的图。图4概略地表示基片支承部11的环状区域111b附近的状态。图4表示在时效处理时，使从气体供给部116供给的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116供给的传热气体的压力，并且使从电源30供给的高频电功率的功率降低到对基片W实施等离子体处理时从电源30供给的高频电功率的功率以下的情况。在图4中，环组件112的温度为400℃。由此，能够在短时间内将附着在环组件112上的水分除去。另外，通过使传热气体的压力降低，能够抑制在气体供给口111e附近、供给流路115b内发生电弧放电等异常放电。

另外，如上所述，有时会因附着在基片W、环组件112的背面的杂质等而发生不良状况。例如，在更换了基片W、环组件112的情况下，有时会在气体供给口111d附近、气体供给口111e附近、供给流路115a、供给流路115b内发生电弧放电等异常放电。

因此，在本实施方式中，控制部2控制气体供给部116，使得在更换了基片W或环组件112的情况下，在对基片W实施等离子体处理之前，对该更换后的基片W或环组件112与基片支承部11之间进行至少1次传热气体的供给和排出。例如，控制部2控制气体供给部116，使得交替地进行多次传热气体的供给和排出。图5是对实施方式的除去杂质的流程的一个例子进行说明的图。图5概略地表示基片支承部11的环状区域111b附近的状态。图5的上侧表示向环组件112与基片支承部11之间供给了传热气体的状态。图5的下侧表示将环组件112与基片支承部11之间的传热气体排出了的状态。在图5的上侧，在环组件112的背面附着有杂质120。通过将传热气体排出以使传热气体的压力降低，并使传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时的传热气体的压力，杂质120会如图5的下侧所示的那样，向供给流路115b中流动而被除去。由此，能够抑制因杂质120而产生的电弧放电等异常放电。

接下来，对实施方式的等离子体处理装置1所实施的异常放电抑制方法的处理的流程进行说明。图6是对实施方式的异常放电抑制方法的处理顺序的一个例子进行说明的图。图6是将异常放电抑制方法的处理应用于环组件112中的异常放电的抑制的情况的图。环组件112例如在等离子体处理装置1的新的起动时、或者因等离子体处理装置1的维护、环组件112消耗后的更换等，被载置在基片支承部11上。等离子体处理装置1当环组件112被载置在基片支承部11上时，实施环组件112的时效处理。图6所示的处理在实施环组件112的时效处理时执行。

控制部2控制排气系统40，利用排气系统40对等离子体处理腔室10内进行减压(S10)。

控制部2将环组件112固定在基片支承部11上(S11)。例如，控制部2控制未图示的直流电源对静电卡盘1111施加电压，并且控制电源30从电源30向基片支承部11施加吸附用的高频电功率，从而通过静电吸附将环组件112固定在基片支承部11上。

控制部2控制气体供给部116，从气体供给部116向环组件112与基片支承部11之间供给传热气体(S12)。控制部2控制气体供给部116，利用气体供给部116将环状组件112与基片支承部11之间的传热气体排出(S13)。

控制部2判断是否反复实施了规定次数的传热气体的供给和排出(S14)。作为规定次数的次数，可以作为能够除去杂质120的次数而事先通过实验或模拟来确定。在没有实施规定次数的情况下(S14：否)，进入到上述的S12的处理。

另一方面，在实施了规定次数的情况下(S14：是)，控制部2执行除去水分的处理(S15)。例如，控制部2控制气体供给部20，从气体供给部20供给处理气体，并将处理气体从喷淋头13导入到等离子体处理腔室10内。另外，控制部2控制气体供给部116，使从气体供给部116向基片支承部11与环组件112之间供给的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116向基片支承部11与环组件112之间供给的传热气体的压力。另外，控制部2控制电源30，使从电源30供给的高频电功率的功率为对基片W实施等离子体处理时从电源30供给的高频电功率的功率以下。例如，控制部2进行控制，使得从电源30供给对基片W实施等离子体处理时的功率以下并且能够使基片W的温度成为200℃以上的功率的RF信号。此外，控制部2也可以是与S12和S13的处理并行地实施S15的处理。由此，在等离子体处理装置1中，能够在等离子体处理腔室10内生成等离子体，能够从环组件112除去水分。

由此，能够抑制环组件112与基片支承部11之间的电弧放电等异常放电的发生。

此外，在上述的实施方式中，以在时效处理中实施异常放电抑制方法的处理的情况为例进行了说明。但是，并不限定于此。也可以是在更换了基片W时实施异常放电抑制方法的处理。例如，有时会因附着在基片W的背面的杂质120等而发生不良状况。因此，也可以是，控制部2控制气体供给部116，使得在更换了基片W的情况下，在对基片W实施等离子体处理之前，对该更换后的基片W与基片支承部11之间进行至少1次传热气体的供给和排出。图7是对实施方式的除去杂质的流程的另一个例子进行说明的图。图7概略地表示基片支承部11的中央区域111a附近的状态。图7的上侧表示向基片W与基片支承部11之间供给了传热气体的状态。图7的下侧表示将基片W与基片支承部11之间的传热气体排出了的状态。在图7的上侧，在基片W的背面附着有杂质120。通过将传热气体排出以使传热气体的压力降低，并使传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时的传热气体的压力，杂质120会如图7的下侧所示的那样，向供给流路115a中流动而被除去。由此，能够除去附着在基片W的背面的杂质120，能够抑制因杂质120而产生的电弧放电等异常放电。

图8是对实施方式的异常放电抑制方法的处理顺序的另一个例子进行说明的图。图8是将实施方式的异常放电抑制方法的处理应用于基片W的异常放电的抑制的情况的图。基片W例如在等离子体处理装置1中实施等离子体处理时，被载置在基片支承部11上。等离子体处理装置1当基片W被载置在基片支承部11上时，在对基片W实施等离子体处理之前，执行图8所示的处理。

控制部2控制排气系统40，利用排气系统40对等离子体处理腔室10内进行减压(S20)。

控制部2控制气体供给部116，从气体供给部116将处理气体导入到等离子体处理腔室10内(S21)。例如，控制部2控制气体供给部116，从气体供给部116供给处理气体从而将Ar气体导入到等离子体处理腔室10内。

控制部2控制电源30，从RF电源31向等离子体处理腔室10内供给比对基片W实施等离子体处理时的功率小的功率的RF信号(S22)。例如，控制部2从RF电源31向基座1110的作为下部电极发挥作用的导电性部件供给例如300W等的功率比较低的RF信号，以产生弱的等离子体，并使该弱的等离子体作用于基片W。

此外，在S21的处理中，对处理气体为Ar气体、使Ar气体的等离子体作用于基片W的情况进行了说明。但是，处理气体的气体种类并不限于此。处理气体也可以是例如O₂气体、CF₄气体、N₂气体等气体。但是，处理气体需要是由产生的气体产生的等离子体对基片W和等离子体处理腔室10的内壁蚀刻等不期望的作用少的气体种类。另外，处理气体需要是等离子体容易点火的气体种类。而且，处理气体根据进行等离子体处理的基片W是在前工序中实施了怎样的处理的基片，有时最佳的气体种类也会改变。处理气体优选考虑这些而适当选择。

在此，使弱的等离子体作用于基片W的理由如下。进行等离子体处理的基片W，根据前工序(例如CVD等成膜工序)中的处理的状态等，其状态不是均匀的。例如，基片W有时在内部蓄积有电荷。基片W在内部蓄积有电荷的状态下，当强的等离子体作用于该基片W时，产生表面电弧等的可能性高。因此，在使强的等离子体作用于基片W之前，使弱的等离子体作用于基片W。当使弱的等离子体作用于基片W时，能够将在基片W的内部蓄积的电荷的状态等调节(初始化)被为均匀。

在不对静电卡盘1111施加直流电压(HV)的状态下，使弱的等离子体作用于基片W。由此，能够使基片W的内部的电荷容易移动。

用于产生这样的弱的等离子体的RF信号的电功率为0.15W/cm²～1.0W/cm²左右，例如为100～500W左右。使弱的等离子体作用于基片W的时间例如为5～20秒左右。

控制部2通过静电吸附将基片W固定在基片支承部11上(S23)。例如，控制部2控制未图示的直流电源对静电卡盘1111施加电压，通过静电吸附将基片W固定在基片支承部11上。

控制部2控制气体供给部116，从气体供给部116向基片W与基片支承部11之间供给传热气体(S24)。控制部2控制气体供给部116，利用气体供给部116将基片W与基片支承部11之间的传热气体排出(S25)。

控制部2判断是否反复实施了规定次数的传热气体的供给和排出(S26)。作为规定次数的次数，可以作为能够除去杂质120的次数而事先通过实验或模拟来确定。在没有实施规定次数的情况下(S26：否)，进入到上述的S24的处理。

另一方面，在实施了规定次数的情况下(S26：是)，控制部2执行除去水分的处理(S27)。例如，控制部2控制气体供给部20，从气体供给部20供给处理气体，并将处理气体从喷淋头13导入到等离子体处理腔室10内。另外，控制部2控制气体供给部116，使从气体供给部116向基片支承部11与基片W之间供给的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116向基片支承部11与基片W之间供给的传热气体的压力。另外，控制部2控制电源30，使从电源30供给的高频电功率的功率为对基片W实施等离子体处理时从电源30供给的高频电功率的功率以下。例如，控制部2进行控制，使得从电源30供给对基片W实施等离子体处理时的功率以下并且能够使基片W的温度成为200℃以上的功率的RF信号。此外，控制部2在S24、S25与S27的工序之间从RF电源31向基片支承部11供给偏置RF信号。控制部2也可以是与S24和S25的处理并行地实施S27的处理。由此，在等离子体处理装置1中，能够在等离子体处理腔室10内生成等离子体，能够从基片W除去水分。

由此，能够抑制基片W与基片支承部11之间的电弧放电等异常放电的发生。

如上所述，实施方式的等离子体处理装置1具有等离子体处理腔室10、基片支承部11(载置台)、静电卡盘1111(固定部)、气体供给部116(传热气体供给部、传热气体排出部)、电源30(RF电源)和控制部2。等离子体处理腔室10能够在其内部实施等离子体处理。基片支承部11配置在等离子体处理腔室10内，能够载置基片W并且在基片W的周围载置环组件112。静电卡盘1111设置在基片支承部11，能够将基片W和环组件112中的至少一者固定在基片支承部11上。气体供给部116能够向基片W和环组件112中的至少一者与基片支承部11之间供给传热气体。气体供给部116能够从基片W和环组件112中的至少一者与基片支承部11之间排出传热气体。电源30能够向等离子体处理腔室10内供给等离子体生成用的RF信号。控制部2能够进行控制，使得在将基片W和环组件112中的至少一者载置在基片支承部11上的情况下，在对基片W实施等离子体处理之前，从气体供给部116供给的传热气体的压力低于对基片W实施等离子体处理时从气体供给部116供给的传热气体的压力。由此，等离子体处理装置1能够抑制基片W和环组件112与基片支承部11之间的电弧放电等异常放电的发生。

控制部2能够执行：步骤(a)，向基片支承部11与环组件112之间供给传热气体(S12)；和步骤(b)，使向基片支承部11与环组件112之间供给的传热气体的压力低于步骤(a)中的向基片支承部11与环组件112之间供给的传热气体的压力(S13)。由此，等离子体处理装置1能够抑制环组件112与基片支承部11之间的电弧放电等异常放电的发生。

另外，控制部2能够控制气体供给部116，使得在对基片W实施等离子体处理之前，对环组件112与基片支承部11之间进行至少1次传热气体的供给和排出。由此，等离子体处理装置1能够除去附着在环组件112的背面的杂质120，能够抑制因杂质120而产生的电弧放电等异常放电的发生。

控制部2能够进行控制，使得在步骤(a)和步骤(b)(S12和S13)中，从电源30供给对基片W实施等离子体处理时的功率以下并且能够使基片W的温度成为200℃以上的功率的RF信号。由此，等离子体处理装置1能够迅速地除去附着在环组件112上的水分。

控制部2能够在步骤(b)(S13)中，将从气体供给部116向基片支承部11与环组件112之间供给的传热气体的压力控制为15Torr以下。由此，等离子体处理装置1即使在向等离子体处理腔室10内供给RF信号的情况下，也能够抑制环组件112与基片支承部11之间的电弧放电等异常放电的发生。

控制部2能够控制气体供给部116，使得交替地进行多次传热气体的供给和排出。由此，等离子体处理装置1能够除去附着在基片W或环组件112的背面的杂质120。

静电吸盘1111通过静电吸附将环组件112固定在基片支承部11上。由此，等离子体处理装置1能够将环组件112稳定地固定在基片支承部11上。

传热气体为氦气或氢气。由此，等离子体处理装置1能够在基片支承部11与基片W和环组件112之间稳定地传热。

控制部2能够控制气体供给部116，使得在将基片W载置在基片支承部11上的情况下，在对基片W实施等离子体处理之前，对基片W与基片支承部11之间进行至少1次传热气体的供给和排出。由此，等离子体处理装置1能够除去附着在基片W的背面的杂质120，能够抑制因杂质120而产生的电弧放电等异常放电的发生。

静电吸盘1111通过静电吸附将基片W固定在基片支承部11上。由此，等离子体处理装置1能够将基片W稳定地固定在基片支承部11上。

控制部2能够执行：步骤(a)，向等离子体处理腔室10内导入处理气体(S21)；步骤(b)，从RF电源向等离子体处理腔室10内供给比对基片W实施等离子体处理时的功率小的功率的RF信号(S22)；步骤(c)，将基片W静电吸附在基片支承部11上(S23)；步骤(d)，对基片W与基片支承部11之间进行至少1次传热气体的供给和排出(S24、S25)；和步骤(e)，向等离子体处理腔室10内供给处理气体和等离子体生成用的RF信号(S26)。由此，等离子体处理装置1能够抑制基片W与基片支承部11之间的电弧放电等异常放电的发生。

控制部2能够执行在S24、S25与S27的步骤之间从RF电源31(偏置电源)向基片支承部11供给偏置RF信号(偏置信号)的步骤。由此，等离子体处理装置1能够在基片W产生偏置电位，将所形成的等离子体中的离子成分引入到基片W。

上面，对实施方式进行了说明，但是本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式可以以多种方式实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。

例如，在上述的实施方式中，作为基片W，以对半导体晶片进行等离子体处理的情况为例进行了说明，但是并不限于此。基片W可以是任何基片。

另外，在上述的实施方式中，以通过供给流路115a、115b，利用同一流路进行传热气体的供给和排出的情况为例进行了说明，但是并不限于此。也可以是将供给传热气体的流路和排出传热气体的流路分开设置。

另外，在上述的实施方式中，以通过静电卡盘1111的静电吸附将基片W和环组件112固定在基片支承部11上的情况为例进行了说明，但是并不限于此。也可以是通过钩等物理固定机构将基片W和环组件112固定在基片支承部11上。

另外，在上述的实施方式中，作为等离子体处理以实施等离子体蚀刻的情况为例，对等离子体处理装置1进行了说明，但是并不限于此。等离子体处理装置1只要是能够对基片W实施等离子体处理的装置，就可以是任何装置。例如，等离子体处理装置1也可以是生成等离子体来进行成膜的成膜装置等。

此外，本次公开的实施方式在所有方面均应认为是例示性的而不是限制性的。实际上，上述的实施方式可以以多种方式实现。另外，上述的实施方式可以在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下，以各种方式进行省略、替换、改变。

此外，关于上述的实施方式，进一步公开下述的附记。

(附记1)

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

能够在内部实施等离子体处理的腔室；

配置在所述腔室内的载置台，其能够载置基片并且在所述基片的周围载置环组件；

设置在所述载置台的固定部，其能够将所述基片和所述环组件中的至少一者固定在所述载置台上；

传热气体供给部，其能够向所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间供给传热气体；

传热气体排出部，其能够从所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间排出所述传热气体；

RF电源，其能够向所述腔室内供给等离子体生成用的RF(Radio Frequency)信号；和

控制部，其能够进行控制，使得在将所述基片和所述环组件中的至少一者载置在所述载置台上时，在对所述基片实施等离子体处理之前，从所述传热气体供给部供给的所述传热气体的压力低于对所述基片实施等离子体处理时从所述传热气体供给部供给的所述传热气体的压力。

(附记2)

根据附记1所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够使所述等离子体处理装置执行：

步骤(a)，向所述载置台与所述环组件之间供给所述传热气体；和

步骤(b)，使向所述载置台与所述环组件之间供给的所述传热气体的压力低于步骤(a)中的向所述载置台与所述环组件之间供给的所述传热气体的压力。

(附记3)

根据附记1或附记2所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得在对所述基片实施等离子体处理之前，对所述环组件与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

(附记4)

根据附记2所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够进行控制，使得在步骤(a)和步骤(b)中，从所述RF电源供给对所述基片实施等离子体处理时的功率以下并且能够使所述基片的温度成为200℃以上的功率的RF信号。

(附记5)

根据附记2所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够在步骤(b)中，将从所述传热气体供给部供给到所述载置台与所述环组件之间的所述传热气体的压力控制为15Torr以下。

(附记6)

根据附记3所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

(附记7)

根据附记1～附记6中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述固定部通过静电吸附将所述环组件固定在所述载置台上。

(附记8)

根据附记1～附记7中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述传热气体为氦气或氢气。

(附记9)

根据附记1所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得在将所述基片载置在所述载置台上时，在对所述基片实施等离子体处理之前，对所述基片与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

(附记10)

根据附记9所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

(11)

根据附记1～附记10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述固定部通过静电吸附将所述基片固定在所述载置台上。

(附记12)

根据附记11所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够使所述等离子体处理装置执行：

步骤(a)，向所述腔室内导入处理气体；

步骤(b)，从所述RF电源向所述腔室内供给比对所述基片实施等离子体处理时的功率小的功率的RF信号；

步骤(c)，将所述基片静电吸附在所述载置台上；

步骤(d)，对所述基片与所述载置台之间进行至少1次传热气体的供给和排出；和

步骤(e)，向所述腔室内供给处理气体和所述等离子体生成用的RF信号。

(附记13)

根据附记12所述的等离子体处理装置，其特征在于，

还包括偏置电源，

所述控制部能够使所述等离子体处理装置在步骤(d)与步骤(e)之间执行从所述偏置电源向所述载置台供给偏置信号的步骤。

(附记14)

一种异常放电抑制方法，其特征在于，包括：

在配置在腔室内的载置台上载置基片和环组件中的至少一者的步骤，其中，所述腔室能够在其内部实施等离子体处理，所述环组件被载置在所述基片的周围；和

在对所述基片实施等离子体处理之前，使供给到所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间的传热气体的压力，低于对所述基片实施等离子体处理时供给到所述基片和所述环组件中的所述至少一者与所述载置台之间的所述传热气体的压力的步骤。

(附记15)

一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

能够在内部实施等离子体处理的腔室；

配置在所述腔室内的载置台，其能够载置基片并且在所述基片的周围载置环状的环组件；

设置在所述载置台的固定部，其能够将所述基片和所述环组件中的至少一者固定；

供给部，其能够向所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间供给传热气体；

电源部，其能够向所述腔室内供给用于生成等离子体的高频电功率；和

控制部，其能够进行控制，使得在更换了所述基片和所述环组件中的至少一者的情况下，在对所述基片实施等离子体处理之前，从所述供给部供给的所述传热气体的压力低于对所述基片实施等离子体处理时从所述供给部供给的所述传热气体的压力。

(附记16)

根据附记15所述的等离子体处理装置，其中，

所述供给部能够向所述载置台与所述环组件之间供给所述传热气体，

所述控制部能够进行控制，使得在更换了所述环组件的情况下，在所述腔室内的时效处理时，从所述供给部供给到所述载置台与所述环组件之间的所述传热气体的压力低于对所述基片实施等离子体处理时从所述供给部供给到所述载置台与所述环组件之间的所述传热气体的压力，并且从所述电源部供给的高频电功率的功率为对所述基片实施等离子体处理时从所述电源部供给的高频电功率的功率以下。

(附记17)

根据附记15或附记16所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够控制所述供给部，使得在更换了所述基片或所述环组件的情况下，在对所述基片实施等离子体处理之前，对该更换后的所述基片或所述环组件与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

(附记18)

根据附记16所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够进行控制，使得在所述时效处理时，从所述电源部供给对所述基片实施等离子体处理时的功率以下并且能够使所述基片的温度成为200℃以上的功率的高频电功率。

(附记19)

根据附记16～附记18中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够在所述时效处理时，将从所述供给部供给到所述载置台与所述环组件之间的所述传热气体的压力控制为15Torr以下。

(附记20)

根据附记17所述的等离子体处理装置，其中，

所述控制部能够控制所述供给部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

(附记21)

根据附记15～附记20中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述固定部通过静电吸附将所述基片和所述环组件中的至少一者固定在所述载置台上。

(附记22)

根据附记21所述的等离子体处理装置，其中，

所述电源部能够向所述载置台供给高频电功率，

所述控制部能够进行控制，使得在所述固定部进行静电吸附时，从所述电源部对所述载置台施加吸附用的高频电功率。

(附记23)

根据附记15～附记22中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述传热气体为氦气或氢气。

(附记24)

一种异常放电抑制方法，其特征在于，包括：

更换被载置在载置台上的基片和被载置在所述基片的周围的环状的环组件中的至少一者的步骤，其中，所述载置台配置在腔室内，所述腔室能够在其内部实施等离子体处理；和

在更换了所述基片和所述环组件中的至少一者的情况下，在对所述基片实施等离子体处理之前，使供给到所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间的传热气体的压力，低于对所述基片实施等离子体处理时供给到所述基片和所述环组件中的所述至少一者与所述载置台之间的所述传热气体的压力的步骤。

Claims (14)

1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

能够在内部实施等离子体处理的腔室；

配置在所述腔室内的载置台，其能够载置基片并且在所述基片的周围载置环组件；

设置在所述载置台的固定部，其能够将所述基片和所述环组件中的至少一者固定在所述载置台上；

传热气体供给部，其能够向所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间供给传热气体；

传热气体排出部，其能够从所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间排出所述传热气体；

RF电源，其能够向所述腔室内供给等离子体生成用的RF信号；和

控制部，其能够进行控制，使得在将所述基片和所述环组件中的至少一者载置在所述载置台上时，在对所述基片实施等离子体处理之前，从所述传热气体供给部供给的所述传热气体的压力低于对所述基片实施等离子体处理时从所述传热气体供给部供给的所述传热气体的压力。

2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够使所述等离子体处理装置执行：

步骤(a)，向所述载置台与所述环组件之间供给所述传热气体；和

步骤(b)，使向所述载置台与所述环组件之间供给的所述传热气体的压力低于步骤(a)中的向所述载置台与所述环组件之间供给的所述传热气体的压力。

3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得在对所述基片实施等离子体处理之前，对所述环组件与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

4.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够进行控制，使得在步骤(a)和步骤(b)中，从所述RF电源供给对所述基片实施等离子体处理时的功率以下并且能够使所述基片的温度成为200℃以上的功率的RF信号。

5.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够在步骤(b)中，将从所述传热气体供给部供给到所述载置台与所述环组件之间的所述传热气体的压力控制为15Torr以下。

6.如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

7.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述固定部通过静电吸附将所述环组件固定在所述载置台上。

8.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述传热气体为氦气或氢气。

9.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得在将所述基片载置在所述载置台上时，在对所述基片实施等离子体处理之前，对所述基片与所述载置台之间进行至少1次所述传热气体的供给和排出。

10.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够控制所述传热气体供给部和所述传热气体排出部，使得交替地进行多次所述传热气体的供给和排出。

11.如权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述固定部通过静电吸附将所述基片固定在所述载置台上。

12.如权利要求11所述的等离子体处理装置，其特征在于：

所述控制部能够使所述等离子体处理装置执行：

步骤(a)，向所述腔室内导入处理气体；

步骤(b)，从所述RF电源向所述腔室内供给比对所述基片实施等离子体处理时的功率小的功率的RF信号；

步骤(c)，将所述基片静电吸附在所述载置台上；

步骤(d)，对所述基片与所述载置台之间进行至少1次传热气体的供给和排出；和

步骤(e)，向所述腔室内供给处理气体和所述等离子体生成用的RF信号。

13.如权利要求12所述的等离子体处理装置，其特征在于：

还包括偏置电源，

所述控制部能够使所述等离子体处理装置在步骤(d)与步骤(e)之间执行从所述偏置电源向所述载置台供给偏置信号的步骤。

14.一种异常放电抑制方法，其特征在于，包括：

在配置在腔室内的载置台上载置基片和环组件中的至少一者的步骤，其中，所述腔室能够在其内部实施等离子体处理，所述环组件被载置在所述基片的周围；和

在对所述基片实施等离子体处理之前，使供给到所述基片和所述环组件中的至少一者与所述载置台之间的传热气体的压力，低于对所述基片实施等离子体处理时供给到所述基片和所述环组件中的所述至少一者与所述载置台之间的所述传热气体的压力的步骤。

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