CN113488599A - 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。显示面板包括基板、平坦化层以及薄膜封装层。基板包括驱动芯片连接区域。平坦化层设置于基板的一侧。薄膜封装层设置于平坦化层远离基板的表面。在驱动芯片连接区域，薄膜封装层开设有至少一个第一凹槽。平坦化层从至少一个第一凹槽露出。薄膜封装层开设有至少一个第一凹槽，并将平坦化层露出，释放了薄膜封装层本身的本证应力以及相邻膜层之间的应力。在可靠性测试过程中，薄膜封装层不会出现鼓泡或者分离等不良现象，避免了水汽和氧气进入显示区，进而避免了靠近驱动芯片连接区域的显示区出现黑斑失效问题。

Description

显示面板、显示面板的制备方法及显示装置

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示设备具有制备工艺简单、成本低、对比度高、视角广、功耗低等优点，是目前平板显示中受到广泛关注的技术之一，市场需求很大。在使用中，人们追求高的屏幕占比，对显示面板的边框窄化提出了越来越高的要求。

然而，传统显示面板的薄膜封装层(Thin-Film Encapsulation，TFE)与平坦化层(Planarizationlayer，PLN)直接搭接接触。在可靠性测试条件下，由于薄膜封装层与平坦化层承受的温湿度不一样，薄膜封装层和平坦化层会出现不同程度的变形，使得膜层间应力较大无法释放，导致出现鼓泡或者分离等不良现象。

发明内容

基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种显示面板、显示面板的制备方法及显示装置。

本申请提供一种显示面板。所述显示面板包括基板、平坦化层以及薄膜封装层。所述基板包括驱动芯片连接区域。所述平坦化层设置于所述基板的一侧。所述薄膜封装层设置于所述平坦化层远离所述基板的表面。在所述驱动芯片连接区域，所述薄膜封装层开设有至少一个第一凹槽。所述平坦化层从所述第一凹槽露出。

在一个实施例中，所述薄膜封装层包括第一子薄膜封装层与第二子薄膜封装层。第一子薄膜封装层设置于所述平坦化层远离所述基板的表面。第二子薄膜封装层设置于所述第一子薄膜封装层远离所述平坦化层的表面。在所述驱动芯片连接区域，所述第一凹槽贯穿所述第一子薄膜封装层与所述第二子薄膜封装层，以露出所述平坦化层。

在一个实施例中，所述显示面板还包括触控缓冲层。触控缓冲层设置于所述薄膜封装层远离所述平坦化层的表面。在所述驱动芯片连接区域，所述触控缓冲层开设有至少一个第二凹槽，所述第二凹槽与所述第一凹槽一一对应设置，且所述平坦化层从所述第二凹槽露出。

在一个实施例中，所述第二凹槽的槽口在所述基板上的正投影覆盖所述第一凹槽的槽口在所述基板上的正投影。

在一个实施例中，所述薄膜封装层从所述第二凹槽露出。

在一个实施例中，所述第一凹槽的第一凹槽侧壁与所述平坦化层的夹角大于或者等于90度，所述第二凹槽的第二凹槽侧壁与所述薄膜封装层的夹角大于或者等于90度。

优选地，所述第一凹槽与所述第二凹槽靠近所述显示区设置。

在一个实施例中，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区和非显示区，包括：

S10，提供基板，包括位于所述非显示区的驱动芯片连接区域，并在所述基板表面制备平坦化层；

S20，在所述平坦化层远离所述基板的表面制备薄膜封装层；

S30，在所述驱动芯片连接区域内，对所述薄膜封装层远离所述基板的表面进行刻蚀，使所述平坦化层露出，形成至少一个第一凹槽。

在一个实施例中，所述显示面板的制备方法还包括：

S40，在所述薄膜封装层远离所述平坦化层的表面形成触控缓冲层，所述触控缓冲层覆盖所述至少一个第一凹槽；

S50，在所述驱动芯片连接区域内，对所述触控缓冲层远离所述基板的表面进行刻蚀，使所述薄膜封装层与所述至少一个第一凹槽露出，并形成至少一个第二凹槽；

优选地，在所述S20中，采用化学气相淀积方法，并减少化学气相淀积方法的成膜时间，在所述平坦化层远离所述基板的表面制备所述薄膜封装层。

在一个实施例中，所述S30包括：

S310，在所述薄膜封装层远离所述基板的表面制备触控缓冲层；

S320，在所述驱动芯片连接区域内，对所述触控缓冲层远离所述基板的表面进行刻蚀，使所述平坦化层露出，形成至少一个第一凹槽与至少一个第二凹槽。

在一个实施例中，本申请提供一种显示装置，包括上述实施例中任一实施例所述的显示面板。

上述显示面板中，所述至少一个第一凹槽对所述薄膜封装层的整个膜层进行了分割，使得所述薄膜封装层整个膜层不连续，分散了所述薄膜封装层的受力区域，从而对所述薄膜封装层本身的本征应力进行了分散释放。并且，所述平坦化层从所述第一凹槽露出，分散了所述平坦化层与所述薄膜封装层之间的膜层受力区域，进而对所述平坦化层与所述薄膜封装层之间的膜层应力进行了释放。

因此，在所述驱动芯片连接区域，所述薄膜封装层开设至少一个第一凹槽并将所述平坦化层从所述第一凹槽露出，不仅释放了所述薄膜封装层本身的本征应力，而且释放了所述平坦化层与所述薄膜封装层之间的膜层应力。从而，在可靠性测试过程中，所述薄膜封装层不会出现鼓泡或者分离等不良现象，避免了水汽和氧气进入显示区。因此，所述薄膜封装层开设有至少一个第一凹槽，并将所述平坦化层露出，可以避免靠近所述驱动芯片连接区域的显示区出现黑斑失效问题。

由于所述薄膜封装层开设有至少一个第一凹槽，并将所述平坦化层露出，释放了两膜层之间的应力，所以在制备所述显示面板时，在所述驱动芯片连接区域内可以缩短CVD掩膜板开口与所述平坦化层之间的间距，使所述薄膜封装层形成于所述平坦化层的表面。从而，在所述驱动芯片连接区域，所述薄膜封装层开设至少一个第一凹槽并将所述平坦化层从所述第一凹槽露出，不仅可以释放应力，而且可以满足更窄边框的需求。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请一实施例中薄膜封装层的俯视图。

图2为本申请一实施例中沿图1所示的I-I线的显示面板的剖面图。

图3为本申请一实施例中沿图1所示的I-I线的第一凹槽与第二凹槽的剖面图。

图4为本申请一实施例中沿图1所示的I-I线的第一凹槽与第二凹槽的剖面图。

图5为本申请一实施例中沿图1和图2所示的I-I线的第一凹槽与第二凹槽的剖面图。

图6为本申请一实施例中沿图1和图2所示的I-I线的显示面板的剖面图。

图7为本申请一实施例中显示面板的制备方法的S10至S30的工艺流程图。

图8为本申请一实施例中显示面板的制备方法的S40至S50的工艺流程图。

图9为本申请一实施例中薄膜封装层的俯视图。

图10为本申请一实施例中沿图9所示的II-II线的显示面板的剖面图。

附图标记说明：

显示面板100、基板10、显示区120、非显示区110、平坦化层20、薄膜封装层30、第一子薄膜封装层301、第二子薄膜封装层302、驱动芯片连接区域111、第一凹槽310、触控缓冲层40、第二凹槽410、第一凹槽侧壁311、第二凹槽侧壁411、触控有机封装层50、第一膜层70、发光层80、第二膜层90。

具体实施方式

为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳的实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本申请的公开内容的理解更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。

在附图中，为了清楚说明，可以夸大层和区域的尺寸。可以理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，该层或元件可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在中间层。另外，还可以理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，该层可以是所述两个层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。另外，同样的附图标记始终表示同样的元件。

在下面的实施例中，当层、区域或元件被“连接”时，可以解释为所述层、区域或元件不仅被直接连接还通过置于其间的其他组成元件被连接。例如，当层、区域、元件等被描述为被连接或电连接时，所述层、区域、元件等不仅可以被直接连接或被直接电连接，还可以通过置于其间的另一层、区域、元件等被连接或被电连接。

在下文中，尽管可以使用诸如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这些组件不必须限于上面的术语。上面的术语仅用于将一个组件与另一组件区分开。还将理解的是，以单数形式使用的表达包含复数的表达，除非单数形式的表达在上下文中具有明显不同的含义。

当诸如“……中的至少一种(个)(者)”的表述位于一列元件(元素)之后时，修饰整列元件(元素)，而不是修饰该列中的个别元件(元素)。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。申请文件中使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和所有组合。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。

显示面板包括显示区与非显示区。在显示区中，显示面板包括多个阵列排布的像素单元，每个像素单元可以包括一个驱动晶体管和一个OLED器件。非显示区包括驱动芯片连接区域111。在所述驱动芯片连接区域中，显示面板设置有多条导线。每条导线的输入端可以与位于显示面板之外的驱动芯片相连，每条导线的输出端分别与每个像素单元中的驱动晶体管相连，用于为每个驱动晶体管提供驱动信号。所述驱动芯片连接区域111也可以理解为IC侧，也可以理解为显示面板的下边框。

传统显示面板的制备方法采用化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)制备TFE膜层。在驱动芯片连接区域中，由于CVD掩膜版的开口直接开在PLN膜层上方或者CVD工艺阴影效应或者掩膜版精度或者对位精度等问题，导致TFE膜层会沉积至PLN膜层表面。在可靠性测试条件下，膜层之间应力较大无法释放，导致TFE膜层中多个子薄膜封装层或者触控缓冲层等膜层之间出现鼓泡或者分离等不良现象。传统显示面板的膜层之间出现的鼓泡或者分离等不良现象，使得靠近驱动芯片连接区域的显示区容易出现黑斑失效严重的问题。

请参见图1与图2，基于上述问题，本申请提供一种显示面板100。所述显示面板100包括显示区120和非显示区110。所述非显示区110可以环绕所述显示区120设置。所述显示区120可以设置多个像素单元，用于实现图像显示。所述显示面板100包括基板10、平坦化层20以及薄膜封装层30。所述基板10包括驱动芯片连接区域111。所述驱动芯片连接区域111位于所述非显示区110。所述平坦化层20设置于所述基板10的一侧。所述薄膜封装层30设置于所述平坦化层20远离所述基板10的表面。在所述驱动芯片连接区域111，所述薄膜封装层30开设有至少一个第一凹槽310。所述平坦化层20从所述至少一个第一凹槽310露出。

可选地，所述基板10可以包括交替层叠设置的衬底层和阻挡层、基底层、栅极绝缘层、第一金属层、电容绝缘层、第二金属层、层间介电层、第三金属层、第一平坦化层、第四金属层等膜层。所述第一金属层包括薄膜晶体管的栅极、电容的第一极板、栅极线。所述第二金属层包括电容的第二极板。所述第三金属层包括金属信号线层或源漏极层。所述第四金属层包括VDD结构，作为电源线，以提供电压。

在一个实施例中，在所述驱动芯片连接区域111中，所述平坦化层20设置于所述第四金属层与所述薄膜封装层30之间。

可选地，所述平坦化层20的材料可以为有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括例如普通聚合物(PMMA、PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物及其混合物。所述平坦化层20的厚度可以为10nm至800nm之间，可根据制备平坦化层的材料和工艺以及实际的需要进行调整。

所述薄膜封装层30的材料可以为无机绝缘材料。所述无机绝缘材料可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)中的任意一种或者多种的组合。所述薄膜封装层30可以为一层或者多层结构。所述薄膜封装层30的厚度可根据制备薄膜封装层的材料和工艺以及实际的需要进行调整。所述薄膜封装层30的厚度可以为200nm至20μm之间。所述薄膜封装层30开设有至少一个第一凹槽310。所述至少一个第一凹槽310可以理解为，所述薄膜封装层30开设有一个所述第一凹槽310或者多个所述第一凹槽310。所述至少一个第一凹槽310开设于所述薄膜封装层30，使得所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出。进而，所述至少一个第一凹槽310对所述薄膜封装层30的整个膜层进行了分割，使得所述薄膜封装层30整个膜层不连续，分散了所述薄膜封装层30的受力区域，从而对所述薄膜封装层30本身的本征应力进行了分散释放。并且，所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出，分散了所述平坦化层20与所述薄膜封装层30之间的膜层受力区域，进而对所述平坦化层20与所述薄膜封装层30之间的膜层应力进行了释放。

因此，在所述驱动芯片连接区域111，所述薄膜封装层30开设至少一个第一凹槽310并将所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出，不仅释放了所述薄膜封装层30本身的本征应力，而且释放了所述平坦化层20与所述薄膜封装层30之间的膜层应力。从而，在可靠性测试过程中，所述薄膜封装层30不会出现鼓泡或者分离等不良现象，避免了水汽和氧气进入显示区。因此，所述薄膜封装层30开设有至少一个第一凹槽310，并将所述平坦化层20露出，可以避免靠近所述驱动芯片连接区域111的显示区出现黑斑失效问题。

由于所述薄膜封装层30开设有至少一个第一凹槽310，并将所述平坦化层20露出，释放了两膜层之间的应力，所以在制备所述显示面板100时，在所述驱动芯片连接区域111内可以缩短CVD掩膜板开口与所述平坦化层20之间的间距，使所述薄膜封装层30形成于所述平坦化层20的表面。从而，在所述驱动芯片连接区域111，所述薄膜封装层30开设至少一个第一凹槽310并将所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出，不仅可以释放应力，而且可以满足更窄边框的需求。

传统显示面板的TFE膜层沉积至PLN膜层表面。在可靠性测试条件下，膜层之间应力较大无法释放，导致TFE膜层中多个子薄膜封装层之间出现鼓泡或者分离等不良现象。

在一个实施例中，所述薄膜封装层30可以为多层结构。具体地，所述薄膜封装层30包括第一子薄膜封装层301与第二子薄膜封装层302。所述第一子薄膜封装层301设置于所述平坦化层20远离所述基板10的表面。所述第二子薄膜封装层302设置于所述第一子薄膜封装层301远离所述平坦化层20的表面。所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302层叠设置。

所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302的材料为无机绝缘材料。例如可以是氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)中的任意一种或者多种的组合。优选地，在一个实施例中，所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302的材料不同。具体地，所述第一子薄膜封装层301的材料采用氮氧化硅，所述第二子薄膜封装层302的材料采用氮化硅。采用此种方式，一方面第一子薄膜封装层301的光学效果较好，另一方面，第二子薄膜封装层302的封装效果优于第一子薄膜封装层301，可以对第一子薄膜封装层301的封装效果进行进一步补强，从而在保证显示效果的同时，更好地阻隔水氧入侵。

在所述驱动芯片连接区域111，所述第一凹槽310贯穿所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302，以露出所述平坦化层20。所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出，使得所述第一子薄膜封装层301不连续，且使得所述第二子薄膜封装层302也不连续。即所述第一子薄膜封装层301间断设置，所述第二子薄膜封装层302也间断设置。所述第一子薄膜封装层301整个膜层不连续，分散了所述第一子薄膜封装层301的受力区域，从而对所述第一子薄膜封装层301本身的本征应力进行了分散释放。所述第二子薄膜封装层302整个膜层不连续，分散了所述第二子薄膜封装层302的受力区域，从而对所述第二子薄膜封装层302本身的本征应力进行了分散释放。

并且，通过设置所述第一凹槽310使得所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302之间的膜层应力也得到释放。从而避免了在可靠性测试过程中，所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302之间出现鼓泡或者分离等问题，进一步地，可以避免水汽和氧气进入显示区，进而不会出现黑斑失效问题。

请参见图3，在一个实施例中，所述显示面板100还包括触控缓冲层40。所述触控缓冲层40设置于所述薄膜封装层30远离所述平坦化层20的表面。所述触控缓冲层40与所述薄膜封装层30层叠设置。所述触控缓冲层40起到触控面板的基底层的作用。可选地，所述触控缓冲层40可以为一层或者多层结构。所述触控缓冲层40的材料可以为无机绝缘材料或者有机绝缘材料。所述无机绝缘材料可以包括氧化硅(SiO₂)、氮化硅(SiN)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化钛(TiO₂)中的任意一种或者多种的组合。所述有机绝缘材料可以包括例如普通聚合物(PMMA、PS)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物及其混合物。

在所述驱动芯片连接区域111，所述触控缓冲层40开设有至少一个第二凹槽410。可以理解为，所述触控缓冲层40开设有一个所述第二凹槽410。或者所述触控缓冲层40开设有多个所述第二凹槽410。

所述平坦化层20从所述第二凹槽410露出，使得所述触控缓冲层40不连续，即间断设置，对所述触控缓冲层40与所述薄膜封装层30之间的膜层应力进行了释放。所述第二凹槽410将所述触控缓冲层40的整个膜层进行了分割，进而减缓了整个膜层的受力，对膜层之间的应力进行了分散。在可靠性测试过程中，不会造成膜层出现鼓泡或者分离等不良现象，避免了水汽和氧气进入显示区。

在一种可实现地方式中，所述触控缓冲层40为无机绝缘材料。所述第二凹槽410与所述第一凹槽310一一对应设置。具体地，所述第二凹槽410与所述第一凹槽310可以设置在同一个位置。即，所述触控缓冲层40与所述薄膜封装层30也可以在同一个位置进行开槽。本申请中将所述第二凹槽410与所述第一凹槽310一一对应设置，可以避免所述触控缓冲层40将所述第一凹槽310露出的所述平坦化层20覆盖，解决了无机绝缘材料与有机绝缘材料层叠设置导致的膜层应力问题。

在一个实施例中，所述第一凹槽310的槽口在所述基板10上的正投影覆盖所述第二凹槽410的槽口在所述基板10上的正投影。也可以理解为，所述第二凹槽410的槽口宽度小于所述第一凹槽310的槽口宽度。所述触控缓冲层40覆盖于所述第一凹槽310的第一凹槽侧壁311表面。通过所述第二凹槽410与所述第一凹槽310，使得所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40的各膜层的应力进行了释放。所述第二凹槽410的槽口宽度小于所述第一凹槽310的槽口宽度，使得所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40包围形成的凹槽的区域变小，可以减少填充在凹槽内的材料，进而节省了成本。

在一个实施例中，所述触控缓冲层40设置于所述第二子薄膜封装层302远离所述第一子薄膜封装层301的表面。所述触控缓冲层40将所述第二子薄膜封装层302与所述第一子薄膜封装层301的凹槽侧壁进行覆盖，形成所述第二凹槽410。

请参见图4，在一个实施例中，所述第二凹槽410的槽口宽度大于所述第一凹槽310的槽口宽度。可以理解为，第二凹槽410的槽口在基板10上的正投影覆盖第一凹槽310的槽口在基板10上的正投影。所述第一凹槽310与所述平坦化层20从所述第二凹槽410中露出。所述触控缓冲层40不覆盖所述第一凹槽310的第一凹槽侧壁311。进而，所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40的凹槽侧壁均会从所述第一凹槽310和所述第二凹槽410中露出。所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40的各个膜层本身的本征应力以及相邻膜层之间的应力更容易得到释放。

由于所述触控缓冲层40的膜层厚度小于所述薄膜封装层30的膜层厚度，所以，在刻蚀所述触控缓冲层40时容易刻蚀，且刻蚀花费时间较短，更有利于形成槽口宽度偏大的所述第二凹槽410。所述第一凹槽310的槽口宽度偏小，可以减轻所述第二凹槽410形成过程中的刻蚀压力。所述第二凹槽410的槽口宽度大于所述第一凹槽310的槽口宽度，且一一对应，可以消除刻蚀深度过深导致的刻蚀不彻底、残留材料等问题。

在一个实施例中，所述第一凹槽310在所述基板10上的正投影面积为5μm×6μm或者6μm×6μm。所述第二凹槽410在所述基板10上的正投影面积为6μm×7μm或者7μm×7μm。

请参见图5，在一个实施例中，所述薄膜封装层30从所述第二凹槽410露出。所述第二凹槽410的槽口宽度大于所述第一凹槽310的槽口宽度，且将所述薄膜封装层30的部分表面露出。通过所述第二凹槽410，将所述薄膜封装层30与所述触控缓冲层40的接触面部分露出、且将所述薄膜封装层30的第一凹槽侧壁311露出和将所述平坦化层20露出，减小了所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40之间产生的相互作用的内力，进一步对膜层应力进行了释放。

在一个实施例中，所述第一凹槽310的第一凹槽侧壁311与所述平坦化层20的夹角A大于或者等于90度。所述第一凹槽侧壁311与所述平坦化层20形成了倒梯形结构，使得所述第一凹槽侧壁311的表面和所述平坦化层20的表面均露出，且没有遮挡，更有利于膜层应力的释放。并且，所述第一凹槽侧壁311与所述平坦化层20形成了倒梯形结构，更利于后续有机绝缘材料的填充，进而使得封装效果更好，不会使得水汽和氧气进入显示区。

所述第二凹槽410的第二凹槽侧壁411与所述薄膜封装层30的夹角B大于或者等于90度。所述第二凹槽侧壁411与所述薄膜封装层30形成了倒梯形结构，使得所述薄膜封装层30的表面、所述第一凹槽侧壁311的表面和所述平坦化层20的表面均露出，且没有遮挡，更有利于膜层应力的释放。并且，所述第二凹槽侧壁411与所述薄膜封装层30形成了倒梯形结构，更利于后续有机绝缘材料的填充，进而使得封装效果更好，不会使得水汽和氧气进入显示区。

在一个实施例中，所述基板10还包括显示区120。所述第一凹槽310与所述第二凹槽410靠近所述显示区120设置，可以更好的释放靠近所述显示区120的所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40的各个膜层的应力，避免膜层之间出现鼓泡或者分离等不良现象。靠近所述显示区120的所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述触控缓冲层40的各个膜层本身的本征应力以及相邻膜层的应力得到了更好的释放，不会使得靠近所述驱动芯片连接区域111的显示区出现黑斑失效严重的问题。

请参见图6，在一个实施例中，所述显示面板100还包括触控有机封装层50。所述触控有机封装层50设置于所述触控缓冲层40远离所述平坦化层20的表面。所述触控有机封装层50覆盖所述第一凹槽310与所述第二凹槽410。所述触控有机封装层50用于平坦化。所述触控缓冲层40的材料可以为无机绝缘材料或者有机绝缘材料。所述触控有机封装层50的材料为有机绝缘材料。所述平坦化层20的材料为有机绝缘材料。所述触控有机封装层50设置于所述第一凹槽310与所述第二凹槽410内，与所述平坦化层20直接接触。所述触控有机封装层50与所述平坦化层20都为有机绝缘材料，两者之间的黏附力更好，进而使得封装效果更好。

在一个实施例中，所述显示面板100还包括第一膜层70、发光层80、第二膜层90以及保护膜层(图中未标注)。所述第一膜层70包括阳极层、像素限定层以及支撑柱结构。所述第二膜层90为喷墨打印形成的有机绝缘层。在所述显示区120和缓冲区(图6中两个虚线位置处，未标注)，所述第二膜层90设置于所述第一子薄膜封装层301与所述第二子薄膜封装层302之间。所述第一子薄膜封装层301、所述第二膜层90以及所述第二子薄膜封装层302共同形成所述显示面板100的薄膜封装层。所述保护膜层(图中未标注)设置于所述触控有机封装层50远离所述触控缓冲层40的表面，用于避免所述显示面板100划伤污染。

请参见图7，在一个实施例中，本申请提供一种显示面板的制备方法，所述显示面板100包括显示区120和非显示区110，包括：

S10，提供基板10，包括驱动芯片连接区域111位于所述非显示区110，并在所述基板10表面制备平坦化层20；

S20，在所述平坦化层20远离所述基板10的表面制备薄膜封装层30；

S30，在所述驱动芯片连接区域111内，对所述薄膜封装层30远离所述基板10的表面进行刻蚀，并刻蚀至所述平坦化层20，使所述平坦化层20露出，形成至少一个第一凹槽310。

在一种可选的方式中，在所述S10中，采用黄光(photo)工艺，在所述基板10表面制备所述平坦化层20。

在所述S20中，采用CVD方法，在所述平坦化层20远离所述基板10的表面制备薄膜封装层30。

在所述S30中，在所述薄膜封装层30远离所述基板10的表面旋涂一层光阻层，并通过曝光显影的方法将该光阻层图形化，形成掩膜版。根据掩膜版的开口形状，对所述薄膜封装层30进行刻蚀，形成所述第一凹槽310。

在所述S30中，采用干法刻蚀工艺对所述薄膜封装层30进行刻蚀。具体的刻蚀工艺参数可以根据所述第一凹槽310的深度等参数进行适应性调整。

所述基板10、所述平坦化层20、所述薄膜封装层30以及所述第一凹槽310的相关描述可参考上述实施例。

在一个实施例中，在所述S20中，采用CVD方法，在所述平坦化层20远离所述基板10的表面制备薄膜封装层30。在制备过程中通过缩减30秒至40秒的成膜时间，降低所述薄膜封装层30的厚度。所述薄膜封装层30的厚度变小，可以减小膜层间力的相互作用。所述薄膜封装层30的厚度变小，提升了CVD产能。

在一个实施例中，所述薄膜封装层30的厚度为0.8微米至1微米。

在一个实施例中，所述S30包括：

S310，在所述薄膜封装层30远离所述基板10的表面制备触控缓冲层40；

S320，在所述驱动芯片连接区域111内，对所述触控缓冲层40远离所述基板10的表面进行刻蚀，使所述平坦化层20露出，形成至少一个第一凹槽310与至少一个第二凹槽410。

在所述S310中，所述触控缓冲层40的材料为无机绝缘材料。采用CVD方法，在所述薄膜封装层30远离所述基板10的表面制备触控缓冲层40。

在所述S320中，在所述触控缓冲层40远离所述基板10的表面旋涂一层光阻层，并通过曝光显影的方法将该光阻层图形化，形成掩膜版。根据掩膜版的开口形状，对所述触控缓冲层40进行刻蚀，使得所述平坦化层20露出，形成所述至少一个第一凹槽310与所述至少一个第二凹槽410。

在所述S320中，采用干法刻蚀工艺对所述触控缓冲层40进行刻蚀。具体的刻蚀工艺参数可以根据所述第一凹槽310与所述第二凹槽410的深度、宽度等参数进行适应性调整。所述触控缓冲层40以及所述第二凹槽410的结构的相关描述可参考上述实施例。

请参见图8，在一个实施例中，所述显示面板的制备方法还包括：

S40，在所述薄膜封装层30远离所述平坦化层20的表面形成触控缓冲层40，所述触控缓冲层40覆盖所述至少一个第一凹槽310触控缓冲层；

S50，在所述驱动芯片连接区域111内，对所述触控缓冲层40远离所述基板10的表面进行刻蚀，使所述薄膜封装层30与所述至少一个第一凹槽310露出，并形成至少一个第二凹槽410。

在所述S40中，采用CVD方法制备所述触控缓冲层40。

在所述S50中，在所述触控缓冲层40远离所述基板10的表面旋涂一层光阻层，并通过曝光显影的方法将该光阻层图形化，形成掩膜版。根据掩膜版的开口形状，对所述触控缓冲层40进行刻蚀，并刻蚀至所述薄膜封装层30，使所述薄膜封装层30与所述至少一个第一凹槽310露出，形成至少一个第二凹槽410。

在所述S50中，采用干法刻蚀工艺对所述触控缓冲层40进行刻蚀。具体的刻蚀工艺参数可以根据所述第二凹槽410的深度等参数进行适应性调整。所述触控缓冲层40与所述第二凹槽410的相关描述可参考上述实施例。

在所述S50中，所述触控缓冲层40为有机绝缘材料，替换传统显示面板的无机绝缘材料。在所述显示面板的制备方法中，可以直接对所述触控缓冲层40的有机绝缘材料通过黄光进行图形化开槽。所述触控有机封装层50对所述第一凹槽310与所述第二凹槽410进行有机填充，并进行平坦化，进而可以增强弯折效果，可节省产能。

在一个实施例中，所述显示面板的制备方法还包括：

S60，在所述触控缓冲层40远离所述平坦化层20的表面形成触控有机封装层50，所述触控有机封装层50覆盖所述至少一个第一凹槽310与所述至少一个第二凹槽410。在所述S60中，所述触控有机封装层50的材料可以为有机绝缘材料。采用黄光(photo)工艺制备所述触控有机封装层50。在黄光(photo)工艺中，在所述触控缓冲层40远离所述平坦化层20的表面旋涂有机绝缘材料，并依次经过曝光与显影形成所述触控有机封装层50。

所述平坦化层20的材料为有机绝缘材料。所述触控有机封装层50形成于所述第一凹槽310与所述第二凹槽410内，与所述平坦化层20直接接触。所述触控有机封装层50与所述平坦化层20都为有机绝缘材料，两者之间的黏附力更好，进而使得封装效果更好。

请参见图9与图10，在一个实施例中，所述薄膜封装层30开设有多个第一凹槽310。所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出。所述多个第一凹槽310等间隔开设于所述薄膜封装层30。通过所述多个第一凹槽310，对所述薄膜封装层30的整个膜层进行了分割，使得所述薄膜封装层30整个膜层不连续，分散了所述薄膜封装层30的受力区域，从而对所述薄膜封装层30本身的本征应力进行了分散释放。并且，所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出，分散了所述平坦化层20与所述薄膜封装层30之间的膜层受力区域，进而对所述平坦化层20与所述薄膜封装层30之间的膜层应力进行了释放。

因此，在所述驱动芯片连接区域111，所述薄膜封装层30开设至少一个第一凹槽310并将所述平坦化层20从所述第一凹槽310露出，不仅释放了所述薄膜封装层30本身的本征应力，而且释放了所述平坦化层20与所述薄膜封装层30之间的膜层应力。从而，在可靠性测试过程中，所述薄膜封装层30不会出现鼓泡或者分离等不良现象，避免了水汽和氧气进入显示区，可以避免显示区出现黑斑失效问题。所述第一凹槽310的相关结构描述可参考上述实施例。

在一个实施例中，本申请提供一种显示装置，包括上述实施例中任一所述的显示面板100。所述显示装置可以为液晶面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

在本说明书的描述中，参考术语“有些实施例”、“其他实施例”、“理想实施例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特征包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性描述不一定指的是相同的实施例或示例。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，包括显示区(120)和非显示区(110)，其特征在于，包括：

基板(10)，包括驱动芯片连接区域(111)，位于所述非显示区(110)；

平坦化层(20)，设置于所述基板(10)的一侧；

薄膜封装层(30)，设置于所述平坦化层(20)远离所述基板(10)的表面；

在所述驱动芯片连接区域(111)，所述薄膜封装层(30)开设有至少一个第一凹槽(310)，所述平坦化层(20)从所述至少一个第一凹槽(310)露出。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层(30)包括：

第一子薄膜封装层(301)，设置于所述平坦化层(20)远离所述基板(10)的表面；

第二子薄膜封装层(302)，设置于所述第一子薄膜封装层(301)远离所述平坦化层(20)的表面；

在所述驱动芯片连接区域(111)，所述第一凹槽(310)贯穿所述第一子薄膜封装层(301)与所述第二子薄膜封装层(302)，以露出所述平坦化层(20)。

3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

触控缓冲层(40)，设置于所述薄膜封装层(30)远离所述平坦化层(20)的表面；

在所述驱动芯片连接区域(111)，所述触控缓冲层(40)开设有至少一个第二凹槽(410)，所述第二凹槽(410)与所述第一凹槽(310)一一对应设置，且所述平坦化层(20)从所述第二凹槽(410)露出。

4.如权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二凹槽(410)的槽口在所述基板(10)上的正投影覆盖所述第一凹槽(310)的槽口在所述基板(10)上的正投影。

5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层(30)从所述第二凹槽(410)露出。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一凹槽(310)的第一凹槽侧壁(311)与所述平坦化层(20)的夹角大于或者等于90度，所述第二凹槽(410)的第二凹槽侧壁(411)与所述薄膜封装层(30)的夹角大于或者等于90度；

优选地，所述第一凹槽(310)与所述第二凹槽(410)靠近所述显示区(120)设置。

7.一种显示面板的制备方法，所述显示面板包括显示区(120)和非显示区(110)，其特征在于，包括：

S10，提供基板(10)，包括位于所述非显示区(110)的驱动芯片连接区域(111)，并在所述基板(10)表面制备平坦化层(20)；

S20，在所述平坦化层(20)远离所述基板(10)的表面制备薄膜封装层(30)；

S30，在所述驱动芯片连接区域(111)内，对所述薄膜封装层(30)远离所述基板(10)的表面进行刻蚀，使所述平坦化层(20)露出，形成至少一个第一凹槽(310)。

8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，还包括：

S40，在所述薄膜封装层(30)远离所述平坦化层(20)的表面形成触控缓冲层(40)，所述触控缓冲层(40)覆盖所述至少一个第一凹槽(310)；

S50，在所述驱动芯片连接区域(111)内，对所述触控缓冲层(40)远离所述基板(10)的表面进行刻蚀，使所述薄膜封装层(30)与所述至少一个第一凹槽(310)露出，并形成至少一个第二凹槽(410)；

优选地，在所述S20中，采用化学气相淀积方法，并减少化学气相淀积方法的成膜时间，在所述平坦化层(20)远离所述基板(10)的表面制备所述薄膜封装层(30)。

9.如权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述S30包括：

S310，在所述薄膜封装层(30)远离所述基板(10)的表面制备触控缓冲层(40)；

S320，在所述驱动芯片连接区域(111)内，对所述触控缓冲层(40)远离所述基板(10)的表面进行刻蚀，使所述平坦化层(20)露出，形成至少一个第一凹槽(310)与至少一个第二凹槽(410)。

10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1至6中任一项所述的显示面板。

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