CN113474848B - 导电性膜 - Google Patents

Abstract

一种透明的导电性膜以及制备该透明的导电性膜的相关方法。透明的导电性膜包含基板、在基板的一区域上建立导电性的纳米结构的渗透网络、及涂布至基板上的外涂层基质。纳米结构具有平均直径值。纳米结构的渗透网络位于外涂层基质内。外涂层基质及其内的纳米结构的渗透网络具有整体厚度为小于纳米结构的平均直径值的四倍。

Description

导电性膜

相关申请

本申请案主张标题为“导电性膜(ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM)”且在2019年4月3日提出申请的美国临时申请案第62/828,711号的优先权，该美国临时申请案以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明是关于透明的导电性薄膜以及形成具有改善的静电放电保护的透明的导电性薄膜的方法。

背景技术

透明导体包含光学透明及导电性膜，例如通常用于触敏计算机显示器中的膜。一般而言，导电纳米结构相互连接以形成具有长程互连性的渗透网络。渗透网络是通过与金属接触物协作而连接至计算机、平板计算机、智能电话、或具有触敏显示器的其他计算装置的电子电路。由于金属接触物是不透明的，因此其通常隐藏在显示器的触敏区域周围的边框后面。

然而，为了追求计算装置(尤其是可携式计算装置)的形状因数(form factor)的最小化，需要使用小边框。为使金属接触物保持隐藏不露从而使显示器具有美学上合意的外观，金属接触物亦必须尽可能小地形成。随着金属接触物的表面积减小，纳米结构的渗透网络与金属接触物之间的互连尺寸亦会减小。此导致小的金属接触物表现出增加的接触电阻，此可能会干扰纳米结构的渗透网络与电子电路之间的信号传导。

此种膜亦容易被静电放电(electrostatic discharge；ESD)事件损坏。向纳米结构的网络中放出高电压可导致纳米结构被破坏。此种破坏是由于与放电所产生的高电流相关的发热。ESD事件对导电膜的大多数损坏是发生在电阻高的位置处。若接触电阻高，则对导电膜的大多数损坏将很可能发生在电性接触物附近。随着具有导电膜的电子装置的尺寸变得越来越小，作为此种膜与电子电路之间的界面的金属接触物通常是电阻最高的位置。

发明内容

根据一方案，本发明提供一种透明的导电性膜，该透明的导电性膜包含基板、在基板的一区域上建立导电性的纳米结构的渗透网络、及涂布至基板上的纳米结构的渗透网络上的外涂层基质。纳米结构具有平均直径值。纳米结构的渗透网络位于外涂层基质内。外涂层基质及其内的纳米结构的渗透网络具有整体厚度为小于纳米结构的平均直径值的四倍。

根据一方案，本发明提供一种制备透明的导电性膜的方法。提供基板。提供纳米结构的渗透网络，其在该基板的一区域上建立导电性。纳米结构具有平均直径值。通过涂布提供外涂层基质至该基板上的该纳米结构的渗透网络上。该纳米结构的渗透网络位于该外涂层基质内。外涂层基质及其内的纳米结构的渗透网络具有整体厚度为小于纳米结构的平均直径值的四倍。

以上概述呈现简化的发明内容，以便提供对本文讨论的系统及/或方法的一些方案的基本理解。此概述并非本文讨论的系统及/或方法的广泛概述。其非旨在指出关键/重要元素或描绘此种系统及/或方法的范围。其唯一目的是以简化的形式提出一些概念，作为稍后提出的更详细说明的序言。

附图说明

尽管本文提出的技术可以替代形式实施，但附图中示出的特定实施态样仅是补充本文所提供的说明的几个实例。该等实施态样不应以限制性方式(例如限制所附的权利要求书)来理解。

所揭露的主题可采取特定部件及部件的布置的实体形式，其实施态样将在本说明书中详细阐述，并在构成本说明书的一部分的附图中示出，且在附图中：

图1是为例示性透明导电膜的示意性截面，示出例示性外涂层基质中的一些例示性纳米结构，且亦示意性地示出制备透明导电膜的例示性方法。

图2示出针对不同外涂层基质厚度所确定的接触电阻的实验数据。

图3示出用于经验性地量测不同外涂层基质厚度的失效电压的测试几何结构的说明性实施态样。

图4示出已经激光图案化且设置有接触物的测试膜。

具体实施方式

现在将参考附图在下文中更全面地阐述本发明标的，附图形成本发明的一部分，且通过说明的方式示出特定例示性实施态样。此说明并非旨在作为对已知概念的广泛或详细讨论。相关技术中具有通常知识者所已知的细节可能被省略，或者可能以概括的方式处理。

本文中使用某些术语仅是为了方便起见，而不应被视为对所揭露的标的进行限制。本文所用的相关文字最佳是参考附图来理解，其中相同的编号用于指出相同或相似的项目。此外，在附图中，某些特征可以稍微概略的形式示出。

以下标的可以各种不同的形式(例如方法、装置、组件及/或系统)实施。因此，此标的并不旨在被视为限于在本文中作为实例阐述的任何说明性实施态样。相反，本文所提供的实施态样仅是说明性的。

本文提供一种包含基板、纳米结构的渗透网络、及外涂层基质的透明的导电性膜。纳米结构的渗透网络在基板的一区域上建立导电性。纳米结构具有平均直径值。外涂层基质被涂布至纳米结构的渗透网络上。外涂层基质的厚度为小于平均直径值的四倍。

本文亦提供一种制备透明的导电性膜的方法。该方法包含提供基板及提供纳米结构的渗透网络，使得纳米结构的渗透网络在基板的一区域上建立导电性。纳米结构具有平均直径值。该方法包含提供外涂层基质以涂布至纳米结构的渗透网络上。外涂层基质的厚度为小于平均直径值的四倍。

应理解，为了保护渗透纳米结构网络，外涂层被涂布或以其他方式施加至渗透纳米结构网络上。如上所述，外涂层可具有可与纳米结构直径相关的厚度。在一些实例中，外涂层的厚度可小于纳米结构直径的二倍。更进一步，在一些实例中，外涂层的厚度可为纳米结构直径的1至3倍。

应理解，对于所述纳米结构的数值直径值，外涂层可以数值/数值范围来陈述。作为一些实例，若纳米结构具有20纳米的直径，则外涂层可具有20至80纳米的厚度。作为一些其他实例，若纳米结构具有20纳米的直径，则外涂层基质具有小于80纳米的厚度。

应理解，可存在不需要具有此种限制的实例。外涂层的厚度可受到使用何种外涂层、银膏中所使用的溶剂等影响，且此种方案可提供范围限制的变化。

本文所用的“导电纳米结构”或“纳米结构”一般指导电性纳米尺寸结构，其至少一个尺寸是例如小于500纳米、或小于250纳米、100纳米、50纳米、25纳米、15纳米、或10纳米。典型地，纳米结构是由金属材料制成，例如元素金属(例如过渡金属)或金属化合物(例如金属氧化物)。金属材料亦可为包含二或更多种金属的双金属材料或金属合金。合适的金属包括但不限于银、金、铜、镍、镀金的银、铂、及钯。

纳米结构可具有任何形状或几何结构。给定的纳米结构的形态可通过其长宽比(aspect ratio)以简化的方式界定，长宽比是纳米结构的长度与直径的比率。例如，某些纳米结构是等向性成形(即长宽比＝1)。典型的等向性纳米结构包括纳米颗粒。在较佳实施态样中，纳米结构是异向性成形(即长宽比≠1)。异向性纳米结构通常沿其长度具有纵轴。例示性异向性纳米结构包括纳米线、纳米棒、及纳米管，如本文所定义。

纳米结构可为实心的或空心的。实心纳米结构包括例如纳米颗粒、纳米棒、及纳米线。纳米线通常指长宽比大于10、较佳为大于50、且更佳为大于100的细长纳米结构。典型地，纳米线超过500纳米，超过1微米，或超过10微米长。“纳米棒”通常是长宽比不超过10的短而宽的异向性纳米结构。尽管本发明包含并可应用于任何类型的纳米结构，但为简洁起见，呈现银纳米线作为讨论的实例。

虑及一些背景，透明的导电性膜可被静电放电(ESD)事件损坏。向纳米线的网络中放出高电压可导致破坏纳米结构。此种破坏是由于与放电产生的高电流相关的发热。接触电阻，表示为Rc，是接触材料(例如银膏)与导电膜之间的电阻，其中接触材料是用于与电气装置的其余部分接触。可能在ESD事件中损坏的区域之一是此接触区域。在任何电阻器中的耗散能量为E＝I²RΔt，其中，I为流经电阻器的电流，R为电阻，且Δt为脉冲时间。因此，此种接触的电阻越高，越有可能在此处发生发热并熔化该位置中的纳米结构。另一种说法是，ESD脉冲具有特定能量，该能量将随着纳米线的发热而被耗散。更高的接触电阻意谓着更少的纳米线与银膏电性接触物接触。由于相同的能量将流经更少的连接，因此该等连接更有可能熔化。

银纳米结构膜具有与传统透明导电膜(例如由氧化铟锡(indium tin oxide；ITO)形成的透明导电膜)非常不同的结构。ITO极为平坦，且覆盖导电层的整个表面区域。相比之下，纳米结构膜是由导电“棍”(例如纳米线)的渗透网络组成，且大多数区域实际上是导电元件之间的空间。纳米结构之间的互连发生在纳米结构相交之处，且该等相交部相较于其他区域是在基板上方更高的位置。纳米结构被薄膜覆盖，该薄膜在本文中被称为外涂层，其用于保护纳米结构免受物理及环境损坏/降解的目的。由于在纳米结构相交部处的导电网络中包含高点的此种独特的几何结构，与纳米结构进行电性接触的能力是外涂层的厚度的敏感函数。可对纳米结构上方的外涂层的厚度进行限制，以达成小于限定值的期望的接触电阻。

参考图1，其示意性示出根据本发明的至少一方案的纳米结构膜(即，装置)132及方法。于图1的右侧提供例示性透明导电膜132(图1的右侧)作为完整装置，其中示出例示性外涂层基质128中的一些例示性纳米结构116。此外，图1的左侧，随着示意性中心箭头过渡至图1的右侧，示意性地呈现制备透明导电膜132的例示性方法。

在图1中，将纳米结构(例如银纳米线)层104/116涂布112至塑胶(例如，聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate；PET))基板108上。在一实例中，纳米结构层104/116可被称为油墨。纳米结构层104/116包含纳米结构116(例如，银纳米线)及粘结剂材料104(图1的左侧)。粘结剂材料104承载纳米结构层104/116内的纳米结构116。

在透明导电膜132内，纳米结构116彼此连接，以在基板108上形成渗透纳米结构网络。为保护渗透纳米结构网络，将电性绝缘的外涂层材料120(图1的左侧)涂布124至纳米结构层104/116上。在一实例中，外涂层材料120包含聚合物。

外涂层材料120及粘结剂材料104一起形成围绕纳米结构116的外涂层基质128(图1的右侧)。整体所得物为膜132，其包含基板108及外涂层基质128内的纳米结构116的渗透纳米结构网络。然而，应注意，可在不使用粘结剂的情况下形成网络。尽管如此，外涂层基质128的至少一部分是位于渗透纳米结构网络中的纳米结构116的顶部上方。术语“上方”是指沿着远离基板108的Z轴方向。在图1中，该方向如图1所示是向上的，其中基板108位于底部。

包含渗透纳米结构网络中的纳米结构116的基质128的厚度D(图1的右侧)是沿着图1中的Z轴在基质128的深度方向上。基质128(包含渗透纳米结构网络中的纳米结构116)的厚度D可被建立为小于或等于上限。厚度D的上限有利于膜132与电性连接至电子电路的金属接触物之间的低接触电阻，并提供对纳米结构的改善的保护，以使其免受可归因于ESD事件的损坏。

对于渗透纳米结构网络内的纳米结构的高度异常的情况而言，基质128的厚度D可超过上限。然而，基质128的平均厚度是小于或等于上限。在一些实例中，外涂层可具有可与纳米结构直径相关的厚度。此种纳米结构直径可表示为平均纳米结构直径。此容许各别纳米结构直径的一些变化。

在厚度D的一些实例中，外涂层的厚度可为：小于纳米结构直径的四倍，小于纳米结构直径的三倍，或者为纳米结构直径的一倍至三倍。作为一些实例，若纳米结构具有20纳米的直径，则外涂层可具有二十至八十(20至80)纳米(nm)的厚度。例如，基质128的厚度D的例示性实施态样可为具有不大于八十纳米(80纳米)、或不大于六十纳米(60纳米)、或不大于五十五纳米(55纳米)、或不大于五十纳米(50纳米)、或不大于四十五纳米(45纳米)、或不大于四十纳米(40纳米)、或不大于三十五纳米(35纳米)、或不大于三十纳米(30纳米)的厚度D。例如，基质128的一些实施态样可为具有至少二十五纳米(25纳米)、或至少三十纳米(30纳米)、或至少三十五纳米(35纳米)的厚度D。

例如，基质128的特定例示性实施态样可为具有至少三十纳米(30纳米)、至多八十纳米(80纳米)的厚度D。作为特定实例，纳米结构具有约20纳米的平均直径，且外涂层基质128具有小于80纳米的厚度D。当然，用于制备所有这些各种实例的膜132的装置的方法皆包含于本发明的范围内。此外，应理解，可设想到不同的范围，且因此不限于所呈现的实例。

举例而言，外涂层材料可包含溶剂，且承载纳米结构116的粘结剂材料104是至少部分地被该溶剂溶解。作为实例，纳米结构116可在外涂层基质128内沿着Z轴向上上升/升高至最终位置，该最终位置超过/高于粘结剂104内所具有的纳米结构的位置。纳米结构的此种向上上升/升高可被称为向上浮动。对于此种实例，纳米结构116因此被定位成沿着Z轴更远离基板108且更靠近膜132的顶部，以建立厚度D的尺寸。

作为实例，除纳米结构116及粘结剂104之外，纳米结构层104/116(例如，油墨)可包含溶剂、界面活性剂、及/或其他添加剂。应理解，纳米结构层104/116中所存在的特定材料在本发明中不需特别限制。

作为存在于纳米结构层104/116中的材料的实例，水溶性聚合物羟丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose；HPMC)可用作粘结剂104的材料。作为实例，非极性或极性非质子溶剂(例如丙二醇甲醚乙酸酯(propylene glycol methyl ether acetate；PGMEA)及甲乙酮(methyl ethyl ketone；MEK))可用作外涂层材料120(例如，其包含聚合物)的溶剂。例如，极性质子溶剂(例如异丙醇(isopropyl alcohol；IPA))可用作外涂层材料120的溶剂。可设想到，其中一些对于粘结剂材料104可能仅提供有限的溶解度。应理解，外涂层材料120(例如，其包含聚合物)的材料是与其溶解度相关的因素。此外，应理解，所存在的溶剂量或浓度是与溶解度相关的因素。

以下为关于实验分析的一些讨论。接触电阻，表示为Rc，是银膏或其他电性接触材料与具有渗透纳米结构网络的透明的导电性膜(例如132)之间的电阻，其中银膏或其他电性接触材料是用于与电气装置的其余部分接触。为了显示Rc对外涂层厚度D的敏感性，用片电阻Rs为约70欧姆/平方(ohm/sq)的纳米结构(平均直径为约20纳米)网络涂布一系列膜。将膜形成为具有40、60及80纳米的外涂层厚度(OC)D，然后进行激光图案化以产生70、100、150及200微米宽的纳米结构线。使用线宽为100、150及200微米的银膏替膜制备金属接触物，以产生约0.007平方毫米至0.04平方毫米的接触尺寸。使用克尔文探针(Kelvin probe)技术来量测所有接触物的接触电阻Rc。

图2在一系列曲线图中示出测试量测结果。在图2中，顶部一对曲线图是针对40纳米的外涂层厚度D，中间一对曲线图是针对60纳米的外涂层厚度D，且底部一对曲线图是针对80纳米的外涂层厚度D。对于每一膜厚度(例如，40或60或80纳米的外涂层厚度D)，右侧的图表扩展了y轴，以突出显示具有较低Rc的接触物。上及下接触物之间没有差异。不符合要求的接触物(non-compliant contact)意味着在施加40伏特电压的情况下，1毫安的量测电流无法通过该接触物(即，此是非常高的电阻接触物)。

对于外涂层厚度D为40纳米的膜上的接触物，所量测的所有接触物在高于0.03平方毫米的所有接触尺寸下均具有非常低的Rc，其中在接触区域大于0.02平方毫米时Rc<0.5欧姆，且没有高于5欧姆的结果。注意，所有该等接触电阻皆将被视为可接受的，且相对于图案化纳米结构线的典型总电阻而言为非常低的。对于60纳米的接触物，现在看到对于较小的接触而言，电阻高得多，而甚至对于所量测的最大的接触而言，观察到至多接近20欧姆的接触电阻。值得注意的是40纳米的外涂层数据的图的比例差异。最后，对于80纳米的外涂层而言，大多数接触物不符合要求，暗指其电阻非常高。此外，所有符合要求的接触物皆具有几十欧姆的最小接触电阻。

进行测试以确定纳米结构网络的ESD效能是否可通过具有不大于上述上限的厚度D的基质128来改善。限制基质128的厚度D会降低银膏与纳米结构网络之间的接触电阻Rc。因此，接触电阻的值是小于由厚度D大于上限的基质128会产生的值。应理解，提供对测试的讨论仅是为了示出本发明的可行性信息。因此，对测试的讨论并非对本发明进行限制。

图3中示出测试几何结构。应理解，测试几何结构并非对本发明进行限制。根据图3所示的测试几何结构，使用ESD枪136在二个内部接触物140之间施加电压。使用附接至示波器的费希尔(Fisher)F-65电流监测探针记录所得的电流脉冲。然后使用此脉冲记录来计算ESD脉冲的能量。该能量与电压的平方成比例，因此仅在下面报告失效电压。失效电压被视为内部接触物140之间的纳米线的量测电阻增加超过100％时的电压。

此种技术的一个优点在于，在内部接触物140上施加ESD脉冲，且可量测内部接触物140之间与外部接触物144之间的线电阻。若内部接触物140之间的电阻变化大于外部接触物144之间的电阻变化，则接触物失效，且沿着纳米结构线没有大范围的ESD损坏。因此，不仅可确定ESD事件是否损坏了线，且亦可确定在接触时是否发生失效。

如图4所示，根据交叉影线(cross-hatched line)对渗透纳米结构网络进行激光图案化。此外在此处，此网络是结合对测试的讨论而提供，且并非对本发明进行限制。图案化后，放上由方框区域表示的接触物。纳米结构线及银膏线皆是1毫米宽。

ESD测试是在50欧姆/平方的纳米结构(平均直径为约20纳米)膜上进行，其中该等膜具有60至98纳米的不同的基质128厚度D。下表1列出针对所测试的四种膜观察到的失效电压。自量测数据可确定60纳米厚的基质128在接触物处没有失效，但所有其他厚度的膜在接触物处皆失效。该等线的接触电阻亦在量测失效电压之前量测，且发现厚度D为60纳米的基质128材料亦表现出最低的接触电阻，而最厚的基质厚度D(98纳米)在所测试膜中具有最高接触电阻。

表1-针对膜厚度量测失效电压

接触电阻，表示为Rc，是银膏与具有渗透纳米结构网络的透明的导电性膜之间的电阻，其中银膏是用于与电气装置的其余部分接触。

在基质128厚度D为40、60及80纳米的纳米结构膜上重复上述实验程序，且获得了非常相似的结果。由于耗散的能量是电压的平方的函数，因此确定出能量耗散相关性是厚度的非常敏感的函数。

应理解，尽管所使用的测试几何结构可被认为是非常有益的，但此可能不是典型的。在更多典型的测试几何结构中，与当前测试几何结构相比，样品可承受高得多的电压放电。因此，1350伏特的例示性失效电压可能看起来很低。应理解，此可被视为仅为与测试几何结构相关的极其苛刻的测试条件的伪像(artifact)。应理解，在图3及图4中，示出感兴趣的接触物。此仅是用于测试，而非对本发明进行限制。本发明的内容可在多种膜结构中使用，因此可在使用此种膜结构的多种装置中使用。

返回本发明所提供的膜132的结构性质，额外的性质是外涂层基质的厚度可足以建立对于50欧姆/平方或更高的膜片电阻而言至少1350伏特的失效电压。此是示于上述测试示中。因此，本发明提供此种膜132。此外，当执行制备膜132的方法时，该方法是制备其中外涂层基质的厚度可足以建立对于50欧姆/平方或更高的膜片电阻而言至少1350伏特的失效电压的膜。

除非另外指明，否则“第一”、“第二”及/或类似用语并不旨在暗指时间态样、空间态样、排序等。相反，此等术语仅用作特征、元素、项等的标识符、名称等。例如，第一物件及第二物件一般对应于物件A及物件B或二个不同的或二个相同的物件或同一个物件。

此外，“实例”、“说明性实施态样”在本文中用于意指用作实例、说明等，且未必为有利的。本文所用的“或”旨在意指包含性的“或”，而非排他性的“或”。此外，除非另外指明或自上下文中清楚地指向单数形式，否则在本申请案中使用的“一(a及an)”一般被视为意指“一或多个”。此外，A及B的至少一者及/或类似用语一般意指A或B或者A及B二者。此外，在详细说明或权利要求书中使用“包含”、“具有(having、has、with)”及/或其变化型式，此等术语旨在以类似于术语“包含”的方式为包含性的。

尽管已经以特定于结构特征及/或方法动作的文字阐述标的，但应理解，在所附权利要求书中定义的标的不必受限于上述特定特征或动作。相反，上面阐述的特定特征及动作被揭露为实施至少一些权利要求书的实例形式。

本文提供实施态样及/或实例的各种操作。本文阐述的一些或所有操作的顺序不应被视为暗指该等操作必须为顺序依赖性的。熟悉此项技术者可察知具有本说明的优点的替代性顺序。此外，应理解，并非所有操作皆必须存在于本文所提供的每一实施态样及/或实例中。此外，应理解，在一些实施态样及/或实例中，并非所有操作皆是必要的。

此外，尽管已经针对一或多个实作方式示出及阐述了本发明，但基于对本说明书及附图的阅读及理解，熟悉此项技术者将会想到等效变更及修改。本发明包含所有此等修改及变更，且仅受以下权利要求书的范围限制。特别是关于由上述组件(例如，元件、资源等)执行的各种功能，除非另外指出，否则用于阐述此等组件的术语旨在对应于执行所述组件(例如，其为功能等同的)的指定功能的任何组件，尽管在结构上与所揭露的结构不等同。此外，尽管本发明的特定特征可能已经针对几个实作方式其中的仅一者揭露，但此种特征可与对于任何给定或特定的应用可能是期望及有利的其他实作方式的一或多个其他特征相结合。

Claims (18)

1.一种透明的导电性膜，其包含：

基板；

金属纳米结构的渗透网络(percolating network)，其在该基板的一区域上建立导电性，该金属纳米结构具有平均直径值；以及

涂布至该基板上的外涂层基质，该金属纳米结构的渗透网络位于该外涂层基质内，该外涂层基质及其内的该金属纳米结构的渗透网络具有整体厚度为小于该金属纳米结构的平均直径值的四倍，其中该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度是足够建立对于50欧姆/平方(ohm/sq)或更高的膜片电阻而言至少1350伏特的失效电压。

2.如权利要求1所述的透明的导电性膜，其中该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度是小于该平均直径值的二倍。

3.如权利要求1所述的透明的导电性膜，其中该直径值为约20纳米且该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度为小于80纳米。

4.如权利要求3所述的透明的导电性膜，其中该外涂层基质是来自承载该金属纳米结构的粘结剂材料及外涂层材料，且该外涂层材料包含溶剂，且承载该金属纳米结构的该粘结剂材料是至少部分地被该溶剂溶解。

5.如权利要求1所述的透明的导电性膜，其中该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度为40至80纳米。

6.如权利要求1所述的透明的导电性膜，其中该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度是足够在渗透纳米线网络与金属接触物之间建立小于150欧姆的接触电阻，该金属接触物具有约0.01平方毫米或更大的接触面积。

7.如权利要求1所述的透明的导电性膜，其中该外涂层基质是来自承载该金属纳米结构的粘结剂材料及外涂层材料。

8.如权利要求7所述的透明的导电性膜，其中该外涂层材料包含溶剂，且承载该金属纳米结构的该粘结剂材料是至少部分地被该溶剂溶解。

9.如权利要求8所述的透明的导电性膜，其中该外涂层基质包含来自该粘结剂材料与该外涂层材料的产物材料。

10.一种制备透明的导电性膜的方法，该方法包含以下步骤：

提供基板；

提供金属纳米结构的渗透网络，其在该基板的一区域上建立导电性，该金属纳米结构具有平均直径值；以及

通过涂布提供外涂层基质至该基板上，该金属纳米结构的渗透网络位于该外涂层基质内，该外涂层基质及其内的该金属纳米结构的渗透网络具有整体厚度为小于该金属纳米结构的平均直径值的四倍，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度是足够建立对于50欧姆/平方或更高的膜片电阻而言至少1350伏特的失效电压。

11.如权利要求10所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度是小于该平均直径值的二倍。

12.如权利要求10所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该直径值为约20纳米且该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度为小于80纳米。

13.如权利要求12所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质是来自承载该金属纳米结构的粘结剂材料及外涂层材料，且该外涂层材料包含溶剂，且承载该金属纳米结构的该粘结剂材料是至少部分地被该溶剂溶解。

14.如权利要求10所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度为40至80纳米。

15.如权利要求10所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质及该金属纳米结构的渗透网络的整体厚度是足够在渗透纳米线网络与金属接触物之间建立小于150欧姆的接触电阻，该金属接触物具有约0.01平方毫米或更大的接触面积。

16.如权利要求10所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质为来自承载该金属纳米结构的粘结剂材料及外涂层材料。

17.如权利要求16所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层材料包含溶剂，且承载该金属纳米结构的该粘结剂材料是至少部分地被该溶剂溶解。

18.如权利要求17所述的方法，其中提供外涂层基质的步骤是使得该外涂层基质包含来自该粘结剂材料与该外涂层材料的产物材料。