CN109425762A

CN109425762A - 探针组件及其探针结构

Info

Publication number: CN109425762A
Application number: CN201710779643.4A
Authority: CN
Inventors: 苏伟志; 谢智鹏
Original assignee: CHINA FINE MEASURING TECHNOLOGY STOCK Co Ltd
Current assignee: CHINA FINE MEASURING TECHNOLOGY STOCK Co Ltd
Priority date: 2017-09-01
Filing date: 2017-09-01
Publication date: 2019-03-05
Anticipated expiration: 2037-09-01
Also published as: CN109425762B

Abstract

本发明公开一种探针组件及其探针结构。探针结构包括一金属主体部、一披覆层以及一绝缘层。金属主体部具有一环绕表面。披覆层设置在金属主体部的环绕表面上。绝缘层设置在披覆层上。借此，本发明能避免相邻的探针结构之间电性接触所造成的短路现象。

Description

探针组件及其探针结构

技术领域

本发明涉及一种探针组件及其探针结构，特别是涉及一种应用于晶片探针卡的探针组件及其探针结构。

背景技术

首先，现行主要的圆形测试探针与微机电(Microelectromechanical Systems，MEMS)矩形测试探针均有机械特性不佳或耐电流性不佳的问题，而探针本身的特性不佳则会降低半导体工艺良率与测试准确度。以现有技术而言，现有的晶片探针卡的测试探针在测量寿命上会受到环境温度、机械作动与耐电流的影响，单一结构的测试探针并无法克服上述影响所造成的测量误差。

另外，现有测试探针在晶片测试时，探针卡会提供一下压力以使得测试探针能划破锡球表面的氧化层而达到测试目的。但是，由于现有测试探针本身的硬度仍然不足，在连续的机械作动下很容易造成机械疲乏，进而导致测试探针弯曲后无法回复到原本的针型。此外，现有测试探针也容易因为持续的弯曲作动与通电流后所产生的焦耳热而造成金属探针损毁。再者，当测试探针下压划破锡球表面氧化层时，阵列排列的测试探针会同时有弯曲作动，但因单位阵列中的探针数目多，可能会造成测试探针在作动时出现短路现象而影响测量甚至损坏电路功能。

再者，由于目前待侧物的尺寸日益缩小，但现行测试探针的主要材质为金属材料，所以当每一个测试探针之间的间距太近，将会导致测试探针在弯曲时产生短路现象，使得探针卡的可靠性不彰。同时，现有测试探针的散热性、导电性与机械特性三者也无法同时兼具。因此，如何提出一种能提升可靠性、导电性、散热性及/或机械强度的探针组件及其探针结构，以克服上述的缺陷，已然成为该项所属技术领域人士所欲解决的重要课题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种探针组件及其探针结构。

为了解决上述的技术问题，本发明所采用的其中一技术方案是，提供一种探针结构，其包括一金属主体部、一披覆层以及一绝缘层。所述金属主体部具有一环绕表面。所述披覆层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上。所述绝缘层设置在所述披覆层上。

更进一步地，所述绝缘层的电阻率大于或等于10⁸Ωm。

更进一步地，所述金属主体部具有导电性，且所述金属主体部的电阻率小于5×10²Ωm。

更进一步地，所述披覆层为一强化层、一抗氧化层、一散热层或一石墨烯层，其中，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

更进一步地，所述披覆层为选自一强化层、一抗氧化层、一散热层以及一石墨烯层之中的其中两者以上所组成的多层结构，其中，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

更进一步地，所述披覆层具有一强化层、一抗氧化层以及一散热层，所述强化层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上，所述抗氧化层设置在所述强化层的一外表面上，所述散热层设置在所述抗氧化层的一外表面上，所述绝缘层设置在所述散热层的一外表面上。

更进一步地，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

更进一步地，所述披覆层包括一石墨烯层，所述石墨烯层设置在所述抗氧化层与所述散热层之间。

更进一步地，所述披覆层具有一强化层以及一抗氧化层，所述强化层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上，所述抗氧化层设置在所述强化层的一外表面上，所述绝缘层设置在所述抗氧化层的一外表面上。

更进一步地，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V。

本发明所采用的另外一技术方案是，提供一种探针组件，其包括一承载座以及多个探针结构。多个所述探针结构设置在所述承载座上，每一个所述探针结构包括一金属主体部、一披覆层以及一绝缘层。其中，所述金属主体部具有一环绕表面，所述披覆层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上，所述绝缘层设置在所述披覆层上。

更进一步地，所述绝缘层的电阻率大于或等于10⁸Ωm。

本发明的其中一有益效果在于，本发明实施例所提供的探针组件及其探针结构，其能利用“所述披覆层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上”以及“所述绝缘层设置在所述披覆层上”的技术方案，而能提升探针结构的可靠性、导电性、散热性及/或机械强度。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1A为本发明第一实施例的探针结构的其中一立体示意图。

图1B为本发明第一实施例的探针结构的另外一立体示意图。

图2为图1A的II-II剖线的侧视剖面示意图。

图3为图2的III部分的局部放大示意图。

图4为本发明第三实施例的探针结构的其中一实施方式的局部放大示意图。

图5为本发明第三实施例的探针结构的另外一实施方式的局部放大示意图。

图6为本发明第四实施例的探针结构的其中一实施方式的局部放大示意图。

图7为本发明第四实施例的探针结构的另外一实施方式的局部放大示意图。

图8为本发明第五实施例的探针组件的示意图。

具体实施方式

以下是通过特定的具体实例来说明本发明所公开有关“探针组件及其探针结构”的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的优点与效果。本发明可通过其他不同的具体实施例加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。另外，本发明的附图仅为简单示意说明，并非依实际尺寸的描绘，予以声明。以下的实施方式将进一步详细说明本发明的相关技术内容，但所公开的内容并非用以限制本发明的技术范围。

应理解，虽然本文中可能使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件或信号等，但这些元件或信号不应受这些术语限制。这些术语乃用以区分一元件与另一元件，或者一信号与另一信号。另外，如本文中所使用，术语“或”视实际情况可能包括相关联的列出项目中的任一个或者多个的所有组合。

第一实施例

首先，请参阅图1A、图1B及图8所示，图1A及图1B分别为本发明实施例探针结构的立体示意图，图8为本发明实施例的探针组件的示意图。本发明提供一种探针组件M及其探针结构U，以下将先介绍本发明探针结构U的主要技术特征。

接着，请复参阅图1A及图1B所示，并同时参阅图2所示，图2为图1A的II-II剖线的侧视剖面示意图。探针结构U可包括一金属主体部1、一披覆层2以及一绝缘层3。举例来说，探针结构U的外型可以如图1A所示的为矩形柱状体，或者是如图1B所示的为圆形柱状体，然本发明不以此为限，以下将以探针结构U具有矩形状剖面的实施方式进行说明。

承上述，请复参阅图2所示，金属主体部1可具有一环绕表面11，披覆层2可设置在金属主体部1的环绕表面11上，此外，绝缘层3可设置在披覆层2上。以本发明实施例而言，披覆层2优选可如图2所示地完全围绕在金属主体部1的周围，且绝缘层3也可以完全围绕在披覆层2的一外表面(图中未标号)的周围。换句话说，披覆层2可覆盖在金属主体部1的周围，且绝缘层3也可覆盖在披覆层2的外表面的周围。另外，举例来说，披覆层2及绝缘层3的设置方式可以利用沉积(Deposition)的方式形成，然本发明不以此为限。

接着，请复参阅图2所示，举例来说，金属主体部1可由导电材料所制成以具有导电性，且金属主体部1的电阻率(Resistivity)可小于5×10²Ωm(欧姆米)，金属主体部1的材料可例如但不限于为：金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钴(Co)或其合金，优选地，金属主体部1的材料可为铜或镍钴合金。另外，绝缘层3的电阻率可大于或等于10⁸Ωm，优选地，绝缘层3的电阻率可大于或等于10⁹Ωm。另外，绝缘层3的材料可例如但不限于为：高分子材料、陶瓷或对二甲苯聚合物(聚对二甲苯，Poly-p-xylene)等材料，优选地，以氧化铝(Aluminium oxide，或称三氧化二铝，Al₂O₃)为优选。进一步来说，金属主体部1可具有一介于10μm(Micrometer，微米)至80μm之间的预定宽度1t，绝缘层3可具有一介于0.1μm至10μm之间的预定厚度3t，优选地，预定厚度3t可介于0.5μm至5μm之间，然本发明不以上述尺寸为限制。

接着，请复参阅图2所示，举例来说，披覆层2可以为具有作为强化探针结构U整体的强化层、具有抗氧化效果的抗氧化层、具有散热效果的散热层或者是一石墨烯层。另外，举例来说，强化层、抗氧化层、散热层及石墨烯层可具有导电性，然本发明不以此为限。

进一步而言，请复参阅图2所示，强化层可为具有高机械强度的材料，以增加探针结构U整体的硬度与刚性。强化层可例如是具有高杨氏模量(或可称：杨氏模数，Young'smodulus)的材料，举例来说，强化层的杨氏模量可为100GPa以上。此外，强化层的材料可为合金材料、硅化物或钻石膜，例如可选自铑(Rh)、铂(Pt)、铱(Ir)、钯(Pd)、镍、钴或其合金，优选地，强化层的材料可为钯镍合金或镍钴合金，然本发明不以此为限。更进一步来说，抗氧化层所指的是其材料表面不具活性，其氧化还原电位(Redox potential或Oxidation-reduction potential)大于或等于-1.66V，不易与氧气产生反应生成氧化物。举例来说，抗氧化层可为一抗腐蚀金属(贵金属，Noble metal)，举例来说，抗氧化层的材料可例如但不限于为金、银、钯或铂。更进一步来说，散热层的热导率可大于200W/mK，举例来说，散热层的材料可为氧化铝、氮化硅、铜铝合金、陶瓷或钻石薄膜等，然本发明不以此为限。再者，值得说明的是，在其他实施方式中，披覆层2可为具有石墨烯材料(Graphene)的石墨烯层，以提升探针结构U整体的导电性、散热性以及机械特性。

值得一提的是，以第一实施例而言，强化层可具有一介于0.1μm至10μm之间的预定厚度，抗氧化层可具有一介于0.1μm至3μm之间的预定厚度，石墨烯层可具有一介于0.34nm(nanometer，纳米)至3μm之间的预定厚度，散热层可具有一介于0.1μm至10μm之间的预定厚度，然本发明不以此为限。

须说明的是，虽然上述内容是以披覆层2为选自强化层、抗氧化层、散热层或者是石墨烯层中的其中之一的单层结构进行说明，但是在其他实施方式中，披覆层2也可以为多层复合材料层。也就是说，披覆层2可以由两层以上不同材料所组成，即，披覆层2可为选自一强化层、一抗氧化层、一散热层以及一石墨烯层中的其中两者以上依序堆叠所组成的多层结构，后续实施例将进一步说明当披覆层2具有多层结构时的实施方式。

第二实施例

首先，请参阅图3所示，并一并配合图2所示，图3为图2的III部分的局部放大示意图，然而，须说明的是，图3并非为图2的III部分的实际局部放大示意图，图3主要是为了说明探针结构U在其他实施方式中的剖面型态。以下将进一步说明披覆层2具有多层结构时的实施方式，换句话说，披覆层2可为选自一强化层21、一抗氧化层22、一散热层24以及一石墨烯层23中的其中两者以上依序堆叠所组成的多层结构，第二实施例将以强化层21、抗氧化层22、石墨烯层23以及散热层24依序堆叠在金属主体部1上，且位于金属主体部1与绝缘层3之间的实施方式进行说明。

详细来说，请复参阅图3所示，探针结构U可包括一金属主体部1、一设置在金属主体部1上且包覆金属主体部1的披覆层2以及一设置在披覆层2上且包覆披覆层2的绝缘层3。披覆层2可具有一强化层21、一抗氧化层22、一石墨烯层23以及一散热层24，强化层21可设置在金属主体部1的环绕表面11上，抗氧化层22可设置在强化层21的一外表面211上，石墨烯层23可设置在抗氧化层22的一外表面221上，散热层24可设置在石墨烯层23的一外表面231上，绝缘层3可设置在散热层24的一外表面241上。另外，须说明的是，在其他实施方式中，石墨烯层23可选择性的依需求决定是否设置，且也不限于须设置在抗氧化层22与散热层24之间。也就是说，石墨烯层23也可以设置在抗氧化层22与强化层21之间，本发明不以石墨烯层23的设置位置为限。

借此，通过披覆层2的设置后，可通过强化层21而强化探针结构U整体的机械强度特性，也可以通过抗氧化层22而保护位于抗氧化层22内部的强化层21及金属主体部1，进而减少探针结构受到氧化的影响，同时能强化探针结构U的导电性。也就是说，可通过抗氧化层22设置在强化层21的外表面211上，而使得抗氧化层22作为保护位于抗氧化层22内部的各层结构之用。此外，通过石墨烯层23的设置后，可提升导电性、散热性以及机械强度特性的强化。再者，还可以通过散热层24而提升探针结构U整体的散热效率，以延长探针结构U的寿命及提高测量精度。

承上述，以图3的实施方式来说，强化层21的杨氏模量可为100GPa以上。此外，强化层21的材料可为合金材料、硅化物或钻石膜，例如可选自铑(Rh)、铂(Pt)、铱(Ir)、钯(Pd)、镍、钴或其合金，优选地，强化层21的材料可为钯镍合金或镍钴合金。另外，以第二实施例而言，强化层21可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度21t。进一步来说，抗氧化层所指的是其材料表面不具活性，其氧化还原电位大于或等于-1.66V，不易与氧气产生反应生成氧化物。举例来说，抗氧化层22可为一抗腐蚀金属(贵金属，Noble metal)，举例来说，抗氧化层22的材料可例如但不限于为金、银、钯或铂。另外，以第二实施例而言，抗氧化层22可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度22t。更进一步来说，石墨烯层23可泛指1至10层左右，其具有一介于0.34nm至5nm之间的预定厚度23t。更进一步来说，散热层24的热导率大于200W/mK，举例来说，散热层24的材料可为氧化铝、氮化硅、铜铝合金、陶瓷或钻石薄膜，此外，散热层24可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度24t。更进一步地，绝缘层3可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度3t。然而，须说明的是，本发明不以上述尺寸或材料为限。

承上述，须说明的是，第二实施例所提供的金属主体部1、强化层21、抗氧化层22、石墨烯层23、散热层24以及绝缘层3的特性与前述实施例相仿，在此不再赘述。另外，值得一提的是，在其他实施方式中，也可以依据需求而选择应当设置强化层21、抗氧化层22、石墨烯层23以及散热层24中的那几个依序堆叠在金属主体部1上，即，可依需求而选择性的在披覆层2中设置不同特性的多层结构。

另外，须说明的是，本发明不以上述披覆层2中的各层结构的排列顺序为限，也就是说，在其他实施方式中，披覆层2可包括一抗氧化层22、一强化层21以及一散热层24。抗氧化层22可设置在金属主体部1的环绕表面11上，强化层21可设置在抗氧化层22的一外表面221上，散热层24可设置在强化层21的一外表面211上，绝缘层3可设置在散热层24的一外表面241上。同时，披覆层2还可进一步包括一石墨烯层23，石墨烯层23可选择性地设置在抗氧化层22与强化层21之间、设置在强化层21与散热层24之间或者是设置在散热层24与绝缘层3之间，本发明不以此为限制。

第三实施例

首先，请参阅图4及图5所示，并一并配合图2及图3所示，图4及5为探针结构U在其他实施方式中的剖面型态。披覆层2可为选自一强化层、一抗氧化层以及一散热层中的其中两者以上依序堆叠所组成的多层结构。由图4及图5与图3的比较可知，第三实施例与第二实施例最大的差别在于：第三实施例中可以选择性地不设置石墨烯层23。另外，须说明的是，第三实施例所提供的金属主体部1、强化层21、抗氧化层22、散热层24以及绝缘层3的特性与前述实施例相仿，在此不再赘述。

接着，请复参阅图4所示，披覆层2可具有一强化层21、一抗氧化层22以及一散热层24，强化层21可设置在金属主体部1的环绕表面11上，抗氧化层22可设置在强化层21的一外表面211上，散热层24可设置在抗氧化层22的一外表面221上，绝缘层3可设置在散热层24的一外表面241上。

另外，请复参阅图5所示，抗氧化层22可设置在金属主体部1的环绕表面11上，强化层21可设置在抗氧化层22的一外表面221上，散热层24可设置在强化层21的一外表面211上，绝缘层3可设置在散热层24的一外表面241上。

借此，可通过强化层21、抗氧化层22、散热层24以及绝缘层3的特性而达到所需要的效果。另外，以第三实施例而言，强化层21可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度21t，抗氧化层22可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度22t，散热层24可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度24t，绝缘层3可具有一介于0.5μm至5μm之间的预定厚度3t，然本发明不以此为限。

另外，须说明的是，虽然三四实施例是以披覆层2具有强化层21、抗氧化层22以及散热层24的实施方式作为说明，但是在其他实施方式中，披覆层2也可为选自一强化层21、一抗氧化层22、一石墨烯层23以及一散热层24中的其中两者以上依序堆叠所组成的多层结构，本发明不以此为限。即，可以依据需求而选择应当设置强化层21、抗氧化层22、石墨烯层23以及散热层24中的那几个依序堆叠在金属主体部1上，而使得披覆层2中具有不同特性的多层结构。

承上述，换句话说，在其他实施方式中，披覆层2可包括一强化层21、一石墨烯层23、一散热层24，强化层21可设置在金属主体部1的环绕表面11上，石墨烯层23可设置在强化层21的外表面211上，散热层24可设置在石墨烯层23的外表面231上，绝缘层3可设置在的外表面241上。

第四实施例

首先，请参阅图6及图7所示，并一并配合图4及图5所示，图6及7为探针结构U在其他实施方式中的剖面型态。由图6及图7与图4及图5的比较可知，第四实施例与第三实施例最大的差别在于：第四实施例中可以选择性地不设置散热层24。另外，须说明的是，第三实施例所提供的金属主体部1、强化层21、抗氧化层22、散热层24以及绝缘层3的特性与前述实施例相仿，在此不再赘述。

承上述，请复参阅图6所示，披覆层2可具有一强化层21以及一抗氧化层22，强化层21可设置在金属主体部1的环绕表面11上，抗氧化层22可设置在强化层21的一外表面211上，绝缘层3可设置在抗氧化层22的一外表面221上。

另外，请复参阅图7所示，披覆层2具有一抗氧化层22以及一强化层21，抗氧化层22可设置在金属主体部1的环绕表面11上，强化层21可设置在抗氧化层22的一外表面221上，绝缘层3可设置在强化层21的一外表面211上。

值得注意的是，虽然第四实施例是以披覆层2具有强化层21以及一抗氧化层22的实施方式作为说明，但是在其他实施方式中，披覆层2也可为选自一强化层21、一抗氧化层22、一石墨烯层23以及一散热层24中的其中两者以上依序堆叠所组成的多层结构，本发明不以此为限。即，可依需求而选择性的在披覆层2中设置不同特性的多层结构。

第五实施例

首先，请参阅图8所示，并请复参阅图2所示，图8为本发明第五实施例的探针组件的示意图。本发明第五实施例提供一种探针组件M，其包括一承载座T以及多个探针结构U。多个探针结构U可依探针卡的测量阵列设计而设置在承载座T上。

进一步来说，请复参阅图2所示，每一个探针结构U可包括一金属主体部1、一披覆层2以及一绝缘层3。金属主体部1可具有一环绕表面11，披覆层2可设置在金属主体部1的环绕表面11上，绝缘层3可设置在披覆层2上。借此，由于绝缘层3是位于探针结构U的最外层，因此可避免彼此相邻的探针结构U之间电性接触而造成短路现象。

承上述，须说明的是，第五实施例所提供的金属主体部1、披覆层2以及绝缘层3的特性与前述实施例相仿，在此不再赘述。换句话说，第五实施例所提供的披覆层2也可以如同前述实施例所述地选择性地设置强化层21、抗氧化层22、石墨烯层23及/或散热层24。

本发明的有益效果

本发明的其中一有益效果可以在于，本发明实施例所提供的探针组件M及其探针结构U，其能利用“披覆层2设置在金属主体部1的环绕表面11上”以及“绝缘层3可设置在披覆层2上”的技术方案，而能提升探针结构U的可靠性、导电性、散热性及/或机械强度。换句话说，可利用披覆层2中的多层结构分别克服耐电流、机械特性、散热与绝缘等问题，以提升探针结构U的机械强度、散热效果以及探针效能与寿命。此外，也可以利用绝缘层3的设置，而避免彼此探针组件M中相邻的探针结构U之间电性接触所造成的短路现象。

以上所公开的内容仅为本发明的优选可行实施例，并非因此局限本发明的权利要求书的保护范围，所以凡是运用本发明说明书及附图内容所做的等效技术变化，均包含于本发明的权利要求书的保护范围内。

Claims

1.一种探针结构，其特征在于，所述探针结构包括：

一金属主体部，所述金属主体部具有一环绕表面；

一披覆层，所述披覆层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上；以及

一绝缘层，所述绝缘层设置在所述披覆层上。

2.根据权利要求1所述的探针结构，其特征在于，所述绝缘层的电阻率大于或等于10⁸Ωm。

3.根据权利要求1或2所述的探针结构，其特征在于，所述金属主体部具有导电性，且所述金属主体部的电阻率小于5×10²Ωm。

4.根据权利要求1所述的探针结构，其特征在于，所述披覆层为选自一强化层、一抗氧化层、一散热层或一石墨烯层中的其中之一的单层结构，其中，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

5.根据权利要求1所述的探针结构，其特征在于，所述披覆层为选自一强化层、一抗氧化层、一散热层以及一石墨烯层之中的其中两者以上所组成的多层结构，其中，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

6.根据权利要求1所述的探针结构，其特征在于，所述披覆层具有一强化层、一抗氧化层以及一散热层，所述强化层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上，所述抗氧化层设置在所述强化层的一外表面上，所述散热层设置在所述抗氧化层的一外表面上，所述绝缘层设置在所述散热层的一外表面上。

7.根据权利要求6所述的探针结构，其特征在于，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

8.根据权利要求6或7所述的探针结构，其特征在于，所述披覆层包括一石墨烯层，所述石墨烯层设置在所述抗氧化层与所述散热层之间。

9.根据权利要求1所述的探针结构，其特征在于，所述披覆层具有一强化层以及一抗氧化层，所述强化层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上，所述抗氧化层设置在所述强化层的一外表面上，所述绝缘层设置在所述抗氧化层的一外表面上。

10.根据权利要求9所述的探针结构，其特征在于，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V。

11.一种探针组件，其特征在于，所述探针组件包括：

一承载座；以及

多个探针结构，多个所述探针结构设置在所述承载座上，每一个所述探针结构包括一金属主体部、一披覆层以及一绝缘层；

其中，所述金属主体部具有一环绕表面，所述披覆层设置在所述金属主体部的所述环绕表面上，所述绝缘层设置在所述披覆层上。

12.根据权利要求11所述的探针组件，其特征在于，所述绝缘层的电阻率大于或等于10⁸Ωm。

13.根据权利要求11或12所述的探针组件，其特征在于，所述金属主体部具有导电性，且所述金属主体部的电阻率小于5×10²Ωm。

14.根据权利要求11所述的探针组件，其特征在于，所述披覆层为选自一强化层、一抗氧化层、一散热层或一石墨烯层中的其中之一的单层结构，其中，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。

15.根据权利要求11所述的探针组件，其特征在于，所述披覆层为选自一强化层、一抗氧化层、一散热层以及一石墨烯层之中的其中两者以上所组成的多层结构，其中，所述强化层的杨氏模量为100GPa以上，所述抗氧化层的氧化还原电位大于或等于-1.66V，所述散热层的热导率大于200W/mK。