CN113472187B - 一种高频大功率SiC串联均压驱动器 - Google Patents

一种高频大功率SiC串联均压驱动器 Download PDF

Info

Publication number
CN113472187B
CN113472187B CN202110946002.XA CN202110946002A CN113472187B CN 113472187 B CN113472187 B CN 113472187B CN 202110946002 A CN202110946002 A CN 202110946002A CN 113472187 B CN113472187 B CN 113472187B
Authority
CN
China
Prior art keywords
interface
bridge arm
circuit
tube
converter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110946002.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN113472187A (zh
Inventor
鲁思兆
龚鸿飞
李思奇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kunming University of Science and Technology
Original Assignee
Kunming University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kunming University of Science and Technology filed Critical Kunming University of Science and Technology
Priority to CN202110946002.XA priority Critical patent/CN113472187B/zh
Publication of CN113472187A publication Critical patent/CN113472187A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113472187B publication Critical patent/CN113472187B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
    • H02M1/088—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters for the simultaneous control of series or parallel connected semiconductor devices
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M1/00—Details of apparatus for conversion
    • H02M1/32—Means for protecting converters other than automatic disconnection
    • H02M1/34—Snubber circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33507—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters
    • H02M3/33523—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only with automatic control of the output voltage or current, e.g. flyback converters with galvanic isolation between input and output of both the power stage and the feedback loop
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of dc power input into dc power output
    • H02M3/22—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac
    • H02M3/24—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters
    • H02M3/28—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac
    • H02M3/325—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M3/335—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M3/33569—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements
    • H02M3/33576—Conversion of dc power input into dc power output with intermediate conversion into ac by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode to produce the intermediate ac using devices of a triode or a transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having several active switching elements having at least one active switching element at the secondary side of an isolation transformer
    • H02M3/33584—Bidirectional converters
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/53—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/537—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters
    • H02M7/5387—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration
    • H02M7/53871—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only, e.g. single switched pulse inverters in a bridge configuration with automatic control of output voltage or current
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
    • Y02B70/10—Technologies improving the efficiency by using switched-mode power supplies [SMPS], i.e. efficient power electronics conversion e.g. power factor correction or reduction of losses in power supplies or efficient standby modes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)

Abstract

本发明涉及一种高频大功率SiC串联均压驱动器，包括上桥臂armu、下桥臂armb、控制电路、直流母线输入端口DC+、直流母线输出端口DC‑和逆变输出端口Vout，所述控制电路设于上桥臂armu和下桥臂armb之间，且分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接，所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂armu，所述直流母线输出端口DC‑连接下桥臂armb，所述逆变输出端口Vout分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接。开关管采用缓冲电容钳位SiC两端电压，避免SiC两端电压在开通和关断的过程中两端电压过充，导致SiC损坏；同时隔离双向DC/DC变换器均衡相邻驱动模块内缓冲电容能量，保障缓冲电容均压，进一步的保障了SiC管均压。

Description

一种高频大功率SiC串联均压驱动器
技术领域
本发明涉及电力电子技术领域，具体涉及一种高频大功率SiC串联均压驱动器
背景技术
随着工业社会的发展和输电电压容量、电压等级的提高，传统交流输电网容量和规模越来越大，存在故障几率大，输电及配电电能损耗大的缺点。为有效降低故障几率及电能损耗，有效的解决措施之一是采用高压直流输电技术，高压直流输电技术需要采用电力电子器件实现交直流电能转换。不断提高的电压容量、电压等级及电能质量要求需要传统拓扑结构优化或提出新拓扑结构。同时也对电能转换器件耐压，开关性能提出更高要求，目前转换方式主要有多电平变换和期间串联，当多电平变换技术在所需变换电平数目较多的情况下，拓扑结构及控制方式过于复杂，且所需电容，电感较大，增加体积、重量及成本。而器件串联技术结构简单，易于控制，所以成为高压直流输电技术实现的理想途径。另外开关器件SiC以其优越的开关性能得到广阔的应用前景。所以SiC管的串联不仅可以提高耐压水平也能获得更好的开关性能。
制约SiC管串联技术快速发展及成熟的主要原因是各器件串联的分压不均衡。影响电压不均衡的主要因素有SiC管内外部参数的差异，推挽电路参数存在差异等。目前主要的均压措施可分为缓冲电路电路控制、箝位电路控制、门极闭环控制和同步驱动控制。缓冲电路电路控制可以降低集射极间的电压上升速度，进而可减少不均压程度，抑制SiC管电压尖峰，保护SiC管。常见的有RCD缓冲电路，此法电路结构参数考量较为简单，但所需缓冲器件耐压等级高，功率损耗大。箝位电路控制可不间断检测门极电压，当门极电压过大或上升速率很大时，箝位电路可提高门极电压，使SiC管短时工作在线性放大区，从而避免SiC管承受过高的电压。钳位控制结构简单，能大幅节约成本，响应速度快，但增加了SiC管的损耗，容易造成局部过热，减少器件寿命。门极闭环控制通过采集集射极电压或电流反馈回控制芯片，再由控制芯片处理后调节门机驱动信号。进而控制集射极电压以达均压效果，也有基于纯硬件的闭环控制电路。闭环控制可以优化控制目标，但其采用了复杂的采样和控制电路，增加了控制和设计的复杂度，高频条件下不易实现。同步驱动控制将各驱动信号相互耦合以达同步驱动信号的目的而实现均压控制，但不同步的驱动信号可一定程度抵消驱各SiC管特性不一致的影响，故该法使用于驱动信号不同步情况。
在采用器件串联实现交直流变换时，驱动信号控制串联器件同时开通或关断，在关断或开通瞬时，系统输出电压变化率较大，加速了电机绝缘的老化，同时增加了输出滤波电容和滤波电感的体积和质量，增加系统成本。
在采用器件串联实现交直流变换时，需要对每个开关管提供控制信号、驱动电源，同时采集各个开关管的必要参数，如温度，电压，推挽电路的电源等信号送回控制芯片监控系统工作状态，当系统工作异常时，采取保护措施。当串联器件数目较多时，各串联器件与总控芯片之间接线较为复杂，不利于系统的拓展，器件维修与更换。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种高频大功率SiC串联均压驱动器来解决现有技术中存在的均压电路结构复杂或控制复杂以及均压下输出电压变化率大问题。
为解决以上技术问题，本发明的技术方案为：提供一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其创新点在于：包括上桥臂armu、下桥臂armb、控制电路、直流母线输入端口DC+、直流母线输出端口DC-和逆变输出端口Vout，所述控制电路设于上桥臂armu和下桥臂armb之间，且分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接，所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂armu，所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂armb，所述逆变输出端口Vout分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接。
进一步的，所述上桥臂armu包括n个上桥臂驱动单元，分别为u1、u2、……、un，n个上桥臂驱动单元之间依次连接，所述上桥臂驱动单元u1、u2、……、un均分别包括SiC管，对应分别为Qu1，Qu2，……，Qun，还分别包括驱动模块，对应分别为Mu1，Mu2，……，Mun；所述下桥臂armb包括n个下桥臂驱动单元，分别为b1、b2、……、bn，n个下桥臂驱动单元之间依次连接，所述下桥臂驱动单元b1、b2、……、bn均分别包括SiC管，对应分别为Qb1，Qb2，……，Qbn，还分别包括驱动模块，对应分别为Mb1，Mb2，……，Mbn；所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂驱动单元un；所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂驱动单元b1；所述逆变输出口Vout分别和上桥臂驱动单元u1、下桥臂驱动单元bn连接；所述控制电路分别和上桥臂armu的驱动模块Mu1、下桥臂armb的驱动模块Mbn连接。
进一步的，设定所述上桥臂驱动单元的任意驱动模块为Mui，所述驱动模块Mui包括：副开关管IGBT管Quia、缓冲电容Cui、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic，隔离双向DC/DC变换器电容Cuia、隔离双向DC/DC变换器电容Cuib、取电电路Sui、电压采样电路Samui，推挽电路Dui，驱动隔离延迟电路Delui，变压器Tui、D接口、S接口、G接口、T-1接口、T-2接口、T-3接口、T-4接口、PWM-R接口、PWM-T接口、S-bus1接口、S-bus2接口和信号总线S-bus，所述S-bus1接口和S-bus2接口通过信号总线S-bus连接，Quia的发射极与D接口相连；Cui一极与Quia的集电极相连，另一极与Mui的S接口相连；Quib的发射极与Quic的集电极相连，Quib的集电极与Quia集电极相连，Quic的发射极与S接口相连；Cuia一极与Cuib一极相串联，Cuia的另一极与Quia集电极相联，Cuib另一极与Quic发射极相连；变压器Tui原边绕组的一极连接在Cuia与Cuib连接处，另一极连接在Quib的发射极与Quic的集电极相连处；Tui副边绕组的一极连接在T-3接口,另一极连接在T-4接口；Sui输入侧并联在缓冲电容Cui两端，输出侧与Dui的供电电源端相连；Samui输入侧与Cui并联，输出侧与信号总线S-bus相连，S-bus1接口与S-bus2接口相连；Delui的输入侧与PWM-R接口相连，输出侧分别与PWM-T接口、Dui输入侧相连；Dui输出侧与G接口相连；T-1接口连接在Quib的发射极与Quic的集电极连接处，T-2接口连接在Cuia与Cuib连接处；Mui的D接口与Qui漏极相连；Mui的S接口与Qui源极相连；Mui的G接口与Qui门极相连。
进一步的，设定所述下桥臂驱动单元的任意驱动模块为Mbi，所述驱动模块Mbi包括：副开关管IGBT管Qbia、缓冲电容Cbi、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic、隔离双向DC/DC变换器电容Cbia、隔离双向DC/DC变换器电容Qbib、取电电路Sbi、电压采样电路Sambi，推挽电路Dbi，驱动隔离延迟电路Delbi，变压器Tbi、D接口、S接口、G接口、T-1接口、T-2接口、T-3接口、T-4接口、PWM-R接口、PWM-T接口、S-bus1接口、S-bus2接口和信号总线S-bus，所述S-bus1接口和S-bus2接口通过信号总线S-bus连接，Qbia的发射极与D接口相连；Cbi一极与Qbia的集电极相连，另一极与Mbi的S接口相连；Qbib的发射极与Qbic的集电极相连，Qbib的集电极与Qbia集电极相连，Qbic的发射极与S接口相连；Cbia一极与Cbib一极连接，Cbia的另一极与Qbia集电极相联，Cbib另一极与Qbic发射极相连；变压器Tbi原边绕组的一极连接在Cbia与Cbib连接处，另一极连接在Qbib的发射极与Qbic的集电极相连处；Tbi副边绕组的一极连接在T-3接口，另一极连接在T-4接口；Sbi输入侧并联在缓冲电容Cbi两端，输出侧与Dbi的供电电源端相连；Sambi输入侧与Cbi并联，输出侧与信号总线S-bus相连；Delbi的输入侧与PWM-R接口相连，输出侧与PWM-T接口相连且与Dbi输入侧相连；Dbi输出侧与G接口相连；T-1接口连接在Qbib的发射极与Qbic的集电极连接处，T-2接口连接在Cbia与Cbib连接处，Mbi的D接口与Qbi漏极相连；Mbi的S接口与Qbi源极相连；Mbi的G接口与Qbi门极相连。
进一步的，n个上桥臂驱动单元之间依次连接的具体方式为：Mui的PWM-T接口连接到Mui+1的PWM-R接口，Mui的S-bus2接口连接到Mui+1的S-bus1接口，Mui的T-3接口连接到Mui+1的T-1接口，Mui的T-4接口连接到Mui+1的T-2接口；n个下桥臂驱动单元之间依次连接的具体方式为：Mbi的PWM-T接口连接到Mbi+1的PWM-R接口，Mbi的S-bus2接口连接到Mbi+1的S-bus1接口，Mbi的T-3接口连接到Mbi+1的T-1接口，T-4接口连接到Mbi+1的T-2接口。
进一步的，所述逆变输出端口Vout连接到上桥臂驱动单元u1的SiC管Qu1的源极和下桥臂驱动单元bn的SiC管Qbn漏极。
进一步的，所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂驱动单元un的SiC管Qun的漏极，所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂驱动单元b1的SiC管Qb1的源极。
进一步的，所述控制电路包括：控制芯片电路、电压采样处理电路、保护电路、驱动信号电路，所述电压采样处理电路输入端分别连接上桥臂驱动单元u1的驱动模块Mu1的S-bus1接口和下桥臂驱动单元bn的驱动模块Mbn的S-bus2接口，所述电压采样处理电路的输出端连接保护电路，所述保护电路连接控制芯片电路，所述驱动信号电路连接控制芯片电路，所述驱动信号电路还分别连接上桥臂驱动单元u1的驱动模块Mu1的PWM-R接口和下桥臂驱动单元b1的驱动模块Mb1的PWM-R接口，电压采样处理电路将采样得到的缓冲电容电压滤波、限幅后经过保护电路传送给控制芯片电路输入端，控制芯片电路输出端输出驱动信号经驱动信号电路后间接控制各开关管工作，同时判断采样电压信号是否超过预设值来保护整个系统。
和现有技术相比，本发明的有益效果为：
1.开关管采用缓冲电容钳位SiC两端电压，避免SiC两端电压在开通和关断的过程中两端电压过充，导致SiC损坏；同时隔离双向DC/DC变换器均衡相邻驱动模块内缓冲电容能量，保障缓冲电容均压，进一步的保障了SiC管均压。
2.在均压实现的基础上，相邻SiC管之间延迟一段时间导通，且这段时间可控，使得输出电压呈现阶梯状上升，可降低输出电压变化率。
3.将缓冲电容，取电电路，隔离双向DC/DC电路，隔离延迟驱动信号电路等模块化设计，使得开关管串联易于扩展，减小施工的复杂性。
附图说明
图1是本发明的一种高频大功率SiC串联均压驱动器的电路原理图。
图2为图1中的上桥臂和下桥臂均只有三个驱动单元时的电路原理图。
图3是开关管SiC Qu1、Qu2、Qu3、Qb1、Qb2、Qb3的PWM驱动信号图。
图4是逆变输出端口Vout输出电压波形仿真图。
具体实施方式
为方便本领域内普通技术人员理解和实施本发明，以下结合附图对本发明做进一步详细描述，应当注意，本处所描述的实例仅用于说明和解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明提供一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其具体电路原理图如图1所示，包括上桥臂armu、下桥臂armb、控制电路、直流母线输入端口DC+、直流母线输出端口DC-和逆变输出端口Vout，所述控制电路设于上桥臂armu和下桥臂armb之间，且分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接，所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂armu，所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂armb，所述逆变输出端口Vout分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接。
本发明的上桥臂armu包括n个上桥臂驱动单元，分别为u1、u2、……、un，n个上桥臂驱动单元之间依次连接，所述上桥臂驱动单元u1、u2、……、un均分别包括SiC管，对应分别为Qu1，Qu2，……，Qun，还分别包括驱动模块，对应分别为Mu1，Mu2，……，Mun；所述下桥臂armb包括n个下桥臂驱动单元，分别为b1、b2、……、bn，n个下桥臂驱动单元之间依次连接，所述下桥臂驱动单元b1、b2、……、bn均分别包括SiC管，对应分别为Qb1，Qb2，……，Qbn，还分别包括驱动模块，对应分别为Mb1，Mb2，……，Mbn；所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂驱动单元un；所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂驱动单元b1；所述逆变输出口Vout分别和上桥臂驱动单元u1、下桥臂驱动单元bn连接；所述控制电路分别和上桥臂armu的驱动模块Mu1、下桥臂armb的驱动模块Mbn连接。
设定上桥臂驱动单元的任意驱动模块为Mui，驱动模块Mui包括：副开关管IGBT管Quia、缓冲电容Cui、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic，隔离双向DC/DC变换器电容Cuia、隔离双向DC/DC变换器电容Cuib、取电电路Sui、电压采样电路Samui，推挽电路Dui，驱动隔离延迟电路Delui，变压器Tui、D接口、S接口、G接口、T-1接口、T-2接口、T-3接口、T-4接口、PWM-R接口、PWM-T接口、S-bus1接口、S-bus2接口和信号总线S-bus，所述S-bus1接口和S-bus2接口通过信号总线S-bus连接，Quia的发射极与D接口相连；Cui一极与Quia的集电极相连，另一极与Mui的S接口相连；Quib的发射极与Quic的集电极相连，Quib的集电极与Quia集电极相连，Quic的发射极与S接口相连；Cuia一极与Cuib一极相串联，Cuia的另一极与Quia集电极相联，Cuib另一极与Quic发射极相连；变压器Tui原边绕组的一极连接在Cuia与Cuib连接处，另一极连接在Quib的发射极与Quic的集电极相连处；Tui副边绕组的一极连接在T-3接口,另一极连接在T-4接口；Sui输入侧并联在缓冲电容Cui两端，输出侧与Dui的供电电源端相连；Samui输入侧与Cui并联，输出侧与信号总线S-bus相连，S-bus1接口与S-bus2接口相连；Delui的输入侧与PWM-R接口相连，输出侧分别与PWM-T接口、Dui输入侧相连；Dui输出侧与G接口相连；T-1接口连接在Quib的发射极与Quic的集电极连接处，T-2接口连接在Cuia与Cuib连接处；Mui的D接口与Qui漏极相连；Mui的S接口与Qui源极相连；Mui的G接口与Qui门极相连。
设定所述下桥臂驱动单元的任意驱动模块为Mbi，驱动模块Mbi包括：副开关管IGBT管Qbia、缓冲电容Cbi、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic、隔离双向DC/DC变换器电容Cbia、隔离双向DC/DC变换器电容Qbib、取电电路Sbi、电压采样电路Sambi，推挽电路Dbi，驱动隔离延迟电路Delbi，变压器Tbi、D接口、S接口、G接口、T-1接口、T-2接口、T-3接口、T-4接口、PWM-R接口、PWM-T接口、S-bus1接口、S-bus2接口和信号总线S-bus，所述S-bus1接口和S-bus2接口通过信号总线S-bus连接，Qbia的发射极与D接口相连；Cbi一极与Qbia的集电极相连，另一极与Mbi的S接口相连；Qbib的发射极与Qbic的集电极相连，Qbib的集电极与Qbia集电极相连，Qbic的发射极与S接口相连；Cbia一极与Cbib一极连接，Cbia的另一极与Qbia集电极相联，Cbib另一极与Qbic发射极相连；变压器Tbi原边绕组的一极连接在Cbia与Cbib连接处，另一极连接在Qbib的发射极与Qbic的集电极相连处；Tbi副边绕组的一极连接在T-3接口，另一极连接在T-4接口；Sbi输入侧并联在缓冲电容Cbi两端，输出侧与Dbi的供电电源端相连；Sambi输入侧与Cbi并联，输出侧与信号总线S-bus相连；Delbi的输入侧与PWM-R接口相连，输出侧与PWM-T接口相连且与Dbi输入侧相连；Dbi输出侧与G接口相连；T-1接口连接在Qbib的发射极与Qbic的集电极连接处，T-2接口连接在Cbia与Cbib连接处，Mbi的D接口与Qbi漏极相连；Mbi的S接口与Qbi源极相连；Mbi的G接口与Qbi门极相连。
n个上桥臂驱动单元之间依次连接的具体方式为：Mui的PWM-T接口连接到Mui+1的PWM-R接口，Mui的S-bus2接口连接到Mui+1的S-bus1接口，Mui的T-3接口连接到Mui+1的T-1接口，Mui的T-4接口连接到Mui+1的T-2接口；n个下桥臂驱动单元之间依次连接的具体方式为：Mbi的PWM-T接口连接到Mbi+1的PWM-R接口，Mbi的S-bus2接口连接到Mbi+1的S-bus1接口，Mbi的T-3接口连接到Mbi+1的T-1接口，T-4接口连接到Mbi+1的T-2接口。
逆变输出端口Vout连接到上桥臂驱动单元u1的SiC管Qu1的源极和下桥臂驱动单元bn的SiC管Qbn漏极。
直流母线输入端口DC+连接上桥臂驱动单元un的SiC管Qun的漏极，所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂驱动单元b1的SiC管Qb1的源极。
控制电路包括：控制芯片电路、电压采样处理电路、保护电路、驱动信号电路，所述电压采样处理电路输入端分别连接上桥臂驱动单元u1的驱动模块Mu1的S-bus1接口和下桥臂驱动单元bn的驱动模块Mbn的S-bus2接口，所述电压采样处理电路的输出端连接保护电路，所述保护电路连接控制芯片电路，所述驱动信号电路连接控制芯片电路，所述驱动信号电路还分别连接上桥臂驱动单元u1的驱动模块Mu1的PWM-R接口和下桥臂驱动单元b1的驱动模块Mb1的PWM-R接口，电压采样处理电路将采样得到的缓冲电容电压滤波、限幅后经过保护电路传送给控制芯片电路输入端，控制芯片电路输出端输出驱动信号经驱动信号电路后间接控制各开关管工作，同时判断采样电压信号是否超过预设值来保护整个系统。
针对以上的一种高频大功率SiC串联均压驱动器的电路原理结构描述，假设n＝3，即上桥臂，下桥臂均只包括3个驱动单元，则其电路原理结构如图2所示。本实施方式中针对图2所示的驱动器进行方案实施，实施时，直流母线输入电压为1500V，且本实施方式根据上述电路原理结构在软件LTspice中搭建仿真模型进行仿真。
基于上述具体电路原理结构，本发明一种高频大功率SiC串联均压驱动器的电路工作过程如下：
按照上述结构在软件LTspice中搭建好仿真模型后，进行启动准备，逐步提升输入直流母线电压对缓冲电容Cu1、Cu2、Cu3、Cb1、Cb2、Cb3进行预充电，缓冲电容电压逐步升高；各级取电电路Su1，Su2，Su3，Sb1，Sb2，Sb3分别从缓冲电容Cu1、Cu2、Cu3、Cb1、Cb2、Cb3上获取电能，将电容储存的能量转化为可供推挽电路工作的辅助供电，同时各级隔离双向DC/DC变换器始终工作控制双侧缓冲电容电能自动均流，实现缓冲电容均压。推挽电路Du1、Du2、Du3、Db1、Db2、Db3检测驱动电压并判断是否满足驱动要求，并将判断信号送往控制芯片电路，控制芯片电路检测各级判断信号，若各级驱动电压均满足驱动要求，则控制电路输出驱动信号，否则不输出。
在各级辅助供电稳定正常时，控制电路开始发出驱动信号控制各级开关管有序导通，本实例中的各开关管之间的导通关系为：Qu1与Qb3互补导通，Qu2与Qb2互补导通，Qu3与Qb3互补导通，Qu1a与Qu1互补导通，Qu2a与Qu2互补导通，Qu3a与Qu3互补导通，Qb1a与Qb1互补导通，Qb2a与Qb2互补导通，Qb3a与Qb3互补导通。
各开关管的导通时序图如图3所示，系统准备时间段，输出电压为0，当系统准备就续，开始输出驱动信号，Qu1接收到高电平驱动信号后导通，Qu2、Qu3暂时还未接收到高电平驱动信号，尚处于关闭状态，此时系统输出电压为500V；控制Qu1的高电平驱动信号经过隔离驱动延时电路Delu1后控制Qu2导通，延时时间为dt，此时Qu3暂时还未接收到高电平驱动信号，尚处于关闭状态，此时系统输出电压为1000V；控制Qu2的高电平驱动信号经过隔离驱动延时电路Delu2后控制Qu3导通，延时时间为dt，此时系统输出电压为1500V。高电平驱动信号经过时间DT后变低电平，控制Qu1的高电平驱动信号首先变低，Qu1关闭，此时输出电压为1000V；经过dt后Qu2的高电平驱动信号变低，Qu2关闭，此时输出电压为500V；再经过dt后Qu3的高电平驱动信号变低，Qu3关闭，此时输出电压为0V。驱动信号在经过时间(1-D)T变高，重复此节所述的驱动过程，使输出电压阶梯状变高和变低。逆变输出端口Vout输出电压波形仿真图如图4所示。
隔离双向DC/DC变换器的开关管Qu1b和Qu1c互补导通，Qu2b和Qu2c互补导通，Qu3b和Qu3c互补导通，Qb1b和Qb1c互补导通，Qb2b和Qb2c互补导通，Qb3b和Qb3c互补导通。且他们的开关频率比主开关管Qu1、Qu2、Qu3、Qb1、Qb2、Qb3的开关频率的10倍。控制隔离双向DC/DC变换器的开关管的驱动信号同样经过隔离驱动延时电路，所以Qu2b和Qu2c的驱动信号较Qu1b和Qu1c延时dt，Qu3b和Qu3c的驱动信号较Qu1b和Qu1c延时2dt。所以Qb2b和Qb2c的驱动信号较Qb1b和Qb1c延时dt，Qb3b和Qb3c的驱动信号较Qb1b和Qb1c延时2dt。隔离双向DC/DC变换器控制相邻驱动模块间缓冲电容能量的自动均衡。
最后应当说明的是：以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的修改、补充与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。本说明书中未作详细描述的内容属于本领域专业技术人员公知的现有技术。

Claims (5)

1.一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其特征在于：包括上桥臂armu、下桥臂armb、控制电路、直流母线输入端口DC+、直流母线输出端口DC-和逆变输出端口Vout，所述控制电路设于上桥臂armu和下桥臂armb之间，且分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接，所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂armu，所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂armb，所述逆变输出端口Vout分别和上桥臂armu、下桥臂armb连接；
所述上桥臂armu包括n个上桥臂驱动单元，分别为u1、u2、……、un，n个上桥臂驱动单元之间依次连接，所述上桥臂驱动单元u1、u2、……、un均分别包括SiC管，对应分别为Qu1，Qu2，……，Qun，还分别包括驱动模块，对应分别为Mu1，Mu2，……，Mun；所述下桥臂armb包括n个下桥臂驱动单元，分别为b1、b2、……、bn，n个下桥臂驱动单元之间依次连接，所述下桥臂驱动单元b1、b2、……、bn均分别包括SiC管，对应分别为Qb1，Qb2，……，Qbn，还分别包括驱动模块，对应分别为Mb1，Mb2，……，Mbn；所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂驱动单元un；所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂驱动单元b1；所述逆变输出端口Vout分别和上桥臂驱动单元u1、下桥臂驱动单元bn连接；所述控制电路分别和上桥臂armu的驱动模块Mu1、下桥臂armb的驱动模块Mbn及驱动模块Mb1连接；
设定所述上桥臂驱动单元的任一个驱动模块为驱动模块Mui，所述驱动模块Mui包括：副开关管IGBT管Quia、缓冲电容Cui、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic、隔离双向DC/DC变换器电容Cuia、隔离双向DC/DC变换器电容Cuib、取电电路Sui、电压采样电路Samui、推挽电路Dui、驱动隔离延迟电路Delui、变压器Tui、D接口、S接口、G接口、T-1接口、T-2接口、T-3接口、T-4接口、PWM-R接口、PWM-T接口、S-bus1接口、S-bus2接口和信号总线S-bus，所述S-bus1接口和S-bus2接口通过信号总线S-bus连接，副开关管IGBT管Quia的发射极与D接口相连；缓冲电容Cui一极与副开关管IGBT管Quia的集电极相连，缓冲电容Cui另一极与驱动模块Mui的S接口相连；隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib的发射极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic的集电极相连，隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib的集电极与副开关管IGBT管Quia集电极相连，隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic的发射极与S接口相连；隔离双向DC/DC变换器电容Cuia一极与隔离双向DC/DC变换器电容Cuib一极相串联，隔离双向DC/DC变换器电容Cuia的另一极与副开关管IGBT管Quia集电极相联，隔离双向DC/DC变换器电容Cuib另一极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic发射极相连；变压器Tui原边绕组的一极连接在隔离双向DC/DC变换器电容Cuia与隔离双向DC/DC变换器电容Cuib连接处，变压器Tui原边绕组的另一极连接在隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib的发射极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic的集电极相连处；变压器Tui副边绕组的一极连接在T-3接口,变压器Tui副边绕组的另一极连接在T-4接口；取电电路Sui输入侧并联在缓冲电容Cui两端，取电电路Sui输出侧与推挽电路Dui的供电电源端相连；电压采样电路Samui输入侧与缓冲电容Cui并联，电压采样电路Samui输出侧与信号总线S-bus相连，S-bus1接口与S-bus2接口相连；驱动隔离延迟电路Delui的输入侧与PWM-R接口相连，驱动隔离延迟电路Delui的输出侧分别与PWM-T接口、推挽电路Dui输入侧相连；推挽电路Dui输出侧与G接口相连；T-1接口连接在隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quib的发射极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Quic的集电极连接处，T-2接口连接在隔离双向DC/DC变换器电容Cuia与隔离双向DC/DC变换器电容Cuib连接处；驱动模块Mui的D接口与SiC管Qui漏极相连；驱动模块Mui的S接口与SiC管Qui源极相连；驱动模块Mui的G接口与SiC管Qui门极相连；
设定所述下桥臂驱动单元的任一个驱动模块为驱动模块Mbi，所述驱动模块Mbi包括：副开关管IGBT管Qbia、缓冲电容Cbi、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib、隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic、隔离双向DC/DC变换器电容Cbia、隔离双向DC/DC变换器电容Qbib、取电电路Sbi、电压采样电路Sambi、推挽电路Dbi、驱动隔离延迟电路Delbi、变压器Tbi、D接口、S接口、G接口、T-1接口、T-2接口、T-3接口、T-4接口、PWM-R接口、PWM-T接口、S-bus1接口、S-bus2接口和信号总线S-bus，所述S-bus1接口和S-bus2接口通过信号总线S-bus连接，副开关管IGBT管Qbia的发射极与D接口相连；缓冲电容Cbi一极与副开关管IGBT管Qbia的集电极相连，缓冲电容Cbi另一极与驱动模块Mbi的S接口相连；隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib的发射极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic的集电极相连，隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib的集电极与副开关管IGBT管Qbia集电极相连，隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic的发射极与S接口相连；隔离双向DC/DC变换器电容Cbia一极与隔离双向DC/DC变换器电容Cbib一极连接，隔离双向DC/DC变换器电容Cbia的另一极与副开关管IGBT管Qbia集电极相联，隔离双向DC/DC变换器电容Cbib另一极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic发射极相连；变压器Tbi原边绕组的一极连接在隔离双向DC/DC变换器电容Cbia与隔离双向DC/DC变换器电容Cbib连接处，变压器Tbi原边绕组的另一极连接在隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib的发射极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic的集电极相连处；变压器Tbi副边绕组的一极连接在T-3接口，变压器Tbi副边绕组的另一极连接在T-4接口；取电电路Sbi输入侧并联在缓冲电容Cbi两端，取电电路Sbi输出侧与推挽电路Dbi的供电电源端相连；电压采样电路Sambi输入侧与缓冲电容Cbi并联，电压采样电路Sambi输出侧与信号总线S-bus相连；驱动隔离延迟电路Delbi的输入侧与PWM-R接口相连，驱动隔离延迟电路Delbi的输出侧与PWM-T接口相连且与推挽电路Dbi输入侧相连；推挽电路Dbi输出侧与G接口相连；T-1接口连接在隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbib的发射极与隔离双向DC/DC变换器开关管IGBT管Qbic的集电极连接处，T-2接口连接在隔离双向DC/DC变换器电容Cbia与隔离双向DC/DC变换器电容Cbib连接处，驱动模块Mbi的D接口与SiC管Qbi漏极相连；驱动模块Mbi的S接口与SiC管Qbi源极相连；驱动模块Mbi的G接口与SiC管Qbi门极相连。
2.根据权利要求1所述的一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其特征在于：n个上桥臂驱动单元之间依次连接的具体方式为：驱动模块Mui的PWM-T接口连接到驱动模块Mui+1的PWM-R接口，驱动模块Mui的S-bus2接口连接到驱动模块Mui+1的S-bus1接口，驱动模块Mui的T-3接口连接到驱动模块Mui+1的T-1接口，驱动模块Mui的T-4接口连接到驱动模块Mui+1的T-2接口；n个下桥臂驱动单元之间依次连接的具体方式为：驱动模块Mbi的PWM-T接口连接到驱动模块Mbi+1的PWM-R接口，驱动模块Mbi的S-bus2接口连接到驱动模块Mbi+1的S-bus1接口，驱动模块Mbi的T-3接口连接到Mbi+1的T-1接口，驱动模块Mbi的T-4接口连接到驱动模块Mbi+1的T-2接口。
3.根据权利要求1所述的一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其特征在于：所述逆变输出端口Vout连接到上桥臂驱动单元u1的SiC管Qu1的源极和下桥臂驱动单元bn的SiC管Qbn漏极。
4.根据权利要求1所述的一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其特征在于：所述直流母线输入端口DC+连接上桥臂驱动单元un的SiC管Qun的漏极，所述直流母线输出端口DC-连接下桥臂驱动单元b1的SiC管Qb1的源极。
5.根据权利要求1所述的一种高频大功率SiC串联均压驱动器，其特征在于：所述控制电路包括：控制芯片电路、电压采样处理电路、保护电路、驱动信号电路，所述电压采样处理电路输入端分别连接上桥臂驱动单元u1的驱动模块Mu1的S-bus1接口和下桥臂驱动单元bn的驱动模块Mbn的S-bus2接口，所述电压采样处理电路的输出端连接保护电路的输入端，所述保护电路的输出端连接控制芯片电路的输入端，所述驱动信号电路的输入端连接控制芯片电路的输出端，所述驱动信号电路的输出端还分别连接上桥臂驱动单元u1的驱动模块Mu1的PWM-R接口和下桥臂驱动单元b1的驱动模块Mb1的PWM-R接口，电压采样处理电路将采样得到的缓冲电容电压滤波、限幅后经过保护电路传送给控制芯片电路输入端，控制芯片电路输出端输出驱动信号后控制各开关管工作，同时判断采样电压信号是否超过预设值来保护整个系统。
CN202110946002.XA 2021-08-18 2021-08-18 一种高频大功率SiC串联均压驱动器 Active CN113472187B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110946002.XA CN113472187B (zh) 2021-08-18 2021-08-18 一种高频大功率SiC串联均压驱动器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110946002.XA CN113472187B (zh) 2021-08-18 2021-08-18 一种高频大功率SiC串联均压驱动器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113472187A CN113472187A (zh) 2021-10-01
CN113472187B true CN113472187B (zh) 2023-11-28

Family

ID=77867931

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110946002.XA Active CN113472187B (zh) 2021-08-18 2021-08-18 一种高频大功率SiC串联均压驱动器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113472187B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040257845A1 (en) * 2001-08-09 2004-12-23 Jialin Wu Series power switch bridge having the ability of automatic voltage-sharing
CN102185487A (zh) * 2011-05-17 2011-09-14 清华大学 一种混合级联型多电平储能充放电及均压电路
CN104022628A (zh) * 2014-05-14 2014-09-03 华南理工大学 一种igbt串联均压控制系统及方法
CN105720822A (zh) * 2015-12-08 2016-06-29 国家电网公司 一种基于SiC器件串联的双向DC/DC变换器
US20160308466A1 (en) * 2013-10-16 2016-10-20 General Electric Technology Gmbh Voltage source converter
CN111030158A (zh) * 2019-12-26 2020-04-17 荣信汇科电气技术有限责任公司 用于防止直流输电系统直流侧过压的耗能支路及控制方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040257845A1 (en) * 2001-08-09 2004-12-23 Jialin Wu Series power switch bridge having the ability of automatic voltage-sharing
CN102185487A (zh) * 2011-05-17 2011-09-14 清华大学 一种混合级联型多电平储能充放电及均压电路
US20160308466A1 (en) * 2013-10-16 2016-10-20 General Electric Technology Gmbh Voltage source converter
CN104022628A (zh) * 2014-05-14 2014-09-03 华南理工大学 一种igbt串联均压控制系统及方法
CN105720822A (zh) * 2015-12-08 2016-06-29 国家电网公司 一种基于SiC器件串联的双向DC/DC变换器
CN111030158A (zh) * 2019-12-26 2020-04-17 荣信汇科电气技术有限责任公司 用于防止直流输电系统直流侧过压的耗能支路及控制方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
弧焊逆变器的电子开关器件应用现状及趋势;张士亮等;《电焊机》;第40卷(第12期);第8-10页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN113472187A (zh) 2021-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102075110B (zh) 使用矩阵转换器变换电感器电流的系统和方法
CN102208800B (zh) 带有过流保护功能的自适应igbt串联均压电路
CN103018586B (zh) 模块化多电平变流器子模块测试装置和测试方法
WO2009137969A1 (zh) 无变压器光伏并网逆变装置及其控制方法
CN104518697A (zh) 一种三电平逆变器的限流控制方法和装置
CN103138620B (zh) 一种逆变装置的控制方法
CN103346687A (zh) 一种单相非隔离光伏并网逆变器拓扑结构及其控制方法
US20220376602A1 (en) Conversion circuit and control method thereof
CN103701356A (zh) 一种双辅助谐振极型三相软开关逆变器
CN102097970B (zh) 一种软开关逆变电路及其控制方法
CN109995258A (zh) 一种逆阻型二极管钳位子模块及其故障电流阻断方法
CN108462381A (zh) 一种半桥三电平变换器及其软启动方法
CN114448249A (zh) 四开关升降压双向变换器的全数字软开关控制电路
CN111342693B (zh) 一种升降压型光伏并网逆变器
AU2022444490A1 (en) Micro inverter
CN113472187B (zh) 一种高频大功率SiC串联均压驱动器
CN115296541A (zh) 一种双向隔离dcdc变换器及变换方法
CN106487259A (zh) 一种用于三电平全桥直流变换装置的中点电压平衡方法
CN104467501B (zh) 防直通中点箝位型单相非隔离光伏逆变器拓扑
CN206523614U (zh) 一种能耗型交流电子负载
CN106941324B (zh) 中点箝位型三电平电压源变流器的直流电压平衡控制方法
CN205725554U (zh) 基于矩阵变换器的永磁同步电机驱动系统
CN115441695B (zh) 一种提高功率密度的低压输入高压输出的逆变器调制方法
CN217508602U (zh) 一种双向隔离dcdc变换器
CN115864871A (zh) 一种全桥同步整流电路的控制方法及电路和无线充电系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB03 Change of inventor or designer information
CB03 Change of inventor or designer information

Inventor after: Lu Sizhao

Inventor after: Gong Hongfei

Inventor after: Li Siqi

Inventor before: Lu Sizhao

Inventor before: Gong Hongfei

Inventor before: Li Siqi

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant