CN113471221B - 一种显示面板、制备方法及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本申请公开一种显示面板、制备方法及显示装置,涉及显示技术领域,能够解决现有显示面板的局部PPI降低引起局部亮度降低,造成摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果的问题。显示面板包括:发光器件;驱动器件,所述驱动器件包括栅电极;第一连接线,所述驱动器件与所述发光器件通过所述第一连接线电连接,所述第一连接线与所述栅电极是通过同一个透明导电层制备得到。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、制备方法及显示装置。
背景技术
近年来,为了实现移动显示产品屏占比最大化,先后出现了刘海屏,水滴屏,屏内挖孔等技术。这类技术通过将显示区局部挖孔,在孔内放置摄像头来减小摄像头占据边框而造成的屏占比问题。但上述技术仍然需要挖去部分显示区,以形成异形的显示区,难以实现全面屏。
为了避免牺牲显示区,出现了屏下放置摄像头的技术,能够替代在显示区局部挖孔,通过在显示面板的摄像头放置区域进行局部PPI(Pixels Per Inch,每英寸所拥有的像素数量)的降低,以提升透光率来满足摄像头的拍摄透光需求。但是,局部PPI的降低,会引起局部亮度的降低,造成摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板、制备方法及显示装置,能够解决现有显示面板的局部PPI降低引起局部亮度降低,造成摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果的问题。
本申请实施例的第一方面,提供一种显示面板,包括:
发光器件;
驱动器件,所述驱动器件包括栅电极;
第一连接线,所述驱动器件与所述发光器件通过所述第一连接线电连接,所述第一连接线与所述栅电极是通过同一个透明导电层制备得到。
在一些实施方式中,所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,所述第二显示区域至少部分围绕所述第一显示区域;
所述发光器件为多个,多个所述发光器件设置在所述第一显示区域内;
所述驱动器件为多个,多个所述驱动器件设置在所述第二显示区域内;
至少部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第一连接线电连接。
在一些实施方式中,所述第二显示区域围绕所述第一显示区域。
在一些实施方式中,所述显示面板还包括第三显示区域,所述第三显示区域围绕所述第二显示区域;
所述第三显示区域内设置有多个所述发光器件和多个所述驱动器件;或,
所述第三显示区域内设置有多个发光单元,所述发光单元包括第一发光器件和第一驱动器件,所述第一发光器件包括阳极,所述第一驱动器件包括源电极和漏电极,所述阳极与所述源电极或漏电极相接触。
在一些实施方式中,所述第一连接线为多条,多条所述第一连接线划分为至少两组,每组所述第一连接线通过一个所述透明导电层制备得到,任意两组所述第一连接线之间设置有隔离层。
在一些实施方式中,所述驱动器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极;
所述第一连接线包括至少一条第一子连接线,所述第一子连接线与所述第一栅电极通过同一个所述透明导电层制备得到;和/或,
所述第一连接线包括至少一条第二子连接线,所述第二子连接线与所述第二栅电极通过同一个所述透明导电层制备得到。
在一些实施方式中,所述第二薄膜晶体管还包括第三栅电极;
所述第一连接线包括至少一条第三子连接线,所述第三子连接线与所述第三栅电极通过同一个所述透明导电层制备得到。
在一些实施方式中,所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层,所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层;
用于制备所述第一半导体层的材料包括多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料;
用于制备所述第二半导体层的材料包括多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料。
在一些实施方式中,所述第一薄膜晶体管包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极与所述第一半导体层接触;
所述发光器件包括阳极;
所述第一连接线的一端与所述源电极和所述漏电极中的一者电连接,所述第一连接线的另一端与所述阳极电连接。
在一些实施方式中,所述显示面板还包括第二连接线,多个所述发光器件中的部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第二连接线电连接;
所述第二半导体层设置于所述第二栅电极和所述第三栅电极之间;
所述第二连接线包括至少一条第四子连接线,所述第四子连接线设置于所述第三栅电极靠近所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第四子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
所述第二连接线包括至少一条第五子连接线,所述第五子连接线设置于所述第三栅电极远离所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第五子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
所述第二连接线包括至少一条第六子连接线,所述第六子连接线设置于所述第二栅电极靠近所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第六子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
所述第二连接线包括至少一条第七子连接线,所述第七子连接线设置于所述第二栅电极远离所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第七子连接线是通过同一个透明导电层制备得到。
在一些实施方式中,所述显示面板还包括第三连接线,多个所述发光器件中的部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第三连接线电连接;
所述第二半导体层与所述第三连接线是由同一个金属氧化物半导体层经过导体化处理后制备得到。
在一些实施方式中,所述显示面板还包括遮光层、衬底层和第四连接线,所述遮光层设置于所述第一薄膜晶体管与所述衬底层之间,多个所述发光器件中的部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第四连接线电连接;
所述第四连接线设置于所述衬底层靠近所述遮光层的一侧,所述遮光层在所述衬底层上的正投影与所述第四连接线在所述衬底层上的正投影相离,所述第四连接线通过所述透明导电层制备得到。
本申请实施例的第二方面,提供一种显示面板的制备方法,应用于如第一方面所述的显示面板,方法包括:
设置驱动器件;
对所述驱动器件中的透明导电层进行刻蚀,得到第一连接线和栅电极;
设置发光器件,以使所述发光器件与所述驱动器件通过所述第一连接线电连接。
本申请实施例的第三方面,提供一种显示装置,包括:如第一方面所述的显示面板。
在一些实施方式中,所述显示装置还包括光感组件;
在所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,所述第二显示区域至少部分围绕所述第一显示区域,发光器件设置在所述第一显示区域内,驱动器件设置在所述第二显示区域内的情况下;
所述光感组件在所述显示面板上的正投影覆盖所述第一显示区域。
本申请实施例提供的显示面板、制备方法及显示装置,通过设置第一连接线,发光器件和驱动器件通过一连接线实现电连接,驱动器件包括栅电极,且第一连接线与栅电极是通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线和栅电极既可以导电,透光性又好。相对于现有技术中驱动器件的栅电极通常采用透光性较差的金属材料,无法满足光感器件放置区域,例如摄像头放置区域,对于透光性的需求,本申请实施例提供的显示面板,第一连接线和栅电极通过同一个透明导电层制备得到,既满足第一连接线和栅电极导电的功能需要,又具有较高的透光性,能够改善现有技术中摄像头放置区域透光性较差的问题,无需对摄像头放置区域进行局部PPI的降低,在满足PPI需求的同时,可以实现屏下放置摄像头,避免摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果的问题。另外,第一连接线和栅电极通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线和栅电极可以通过同一道工序制备得到,进一步减少了制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图;
图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;
图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图;
图6为本申请实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图7为本申请实施例提供的再一种显示面板的局部结构示意图;
图8为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图;
图9为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图;
图10为本申请实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图;
图11为本申请实施例提供的再一种显示面板的局部结构示意图;
图12为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图;
图13为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图;
图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图;
图15为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。
具体实施方式
为了更好的理解本说明书实施例提供的技术方案,下面通过附图以及具体实施例对本说明书实施例的技术方案做详细的说明,应当理解本说明书实施例以及实施例中的具体特征是对本说明书实施例技术方案的详细的说明,而不是对本说明书技术方案的限定,在不冲突的情况下,本说明书实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。术语“两个以上”包括两个或大于两个的情况。
近年来,为了实现移动显示产品屏占比最大化,先后出现了刘海屏,水滴屏,屏内挖孔等技术。这类技术通过将显示区局部挖孔,在孔内放置摄像头来减小摄像头占据边框而造成的屏占比问题。但上述技术仍然需要挖去部分显示区,以形成异形的显示区,难以实现全面屏。为了避免牺牲显示区,出现了屏下放置摄像头的技术,能够替代在显示区局部挖孔,通过在显示面板的摄像头放置区域进行局部PPI的降低,以提升透光率来满足摄像头的拍摄透光需求。但是,局部PPI的降低,会引起局部亮度的降低,造成摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果。
有鉴于此,本申请实施例提供一种显示面板、制备方法及显示装置,能够解决现有显示面板的局部PPI降低引起局部亮度降低,造成摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果的问题。
本申请实施例的第一方面,提供一种显示面板,图1为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。如图1所示,本申请实施例提供的显示面板,包括:发光器件100、驱动器件200和第一连接线300。驱动器件200包括栅电极210,驱动器件200与发光器件100通过第一连接线300电连接,第一连接线300与栅电极210是通过同一个透明导电层制备得到。透明导电层可以采用氧化铟锡(ITO),还可以采用其他透光性较好的导电材料,本申请不作具体限定。驱动器件200可以是薄膜晶体管或者其他驱动器件,本申请不作具体限定。驱动器件200可以包括栅电极210、半导体层220和第一电极230,第一电极230可以是薄膜晶体管中的源电极或者漏电极,在薄膜晶体管的制备过程中,源电极和漏电极通常不作区分,源电极和漏电极通常与半导体层接触。第一连接线300可以通过第一电极230与驱动器件200实现电连接,发光器件100与驱动器件200可以通过第一连接线300实现电连接,进而实现驱动器件200对于发光器件100的驱动。第一连接线300与栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,则第一连接线300与栅电极210可以通过同一道工序制备得到,示例性的,可以通过同一个透明导电层进行一道刻蚀制程分别得到第一连接线300和栅电极210,则第一连接线300和栅电极210的材料均是透明导电材料,第一连接线300和栅电极210既可以导电,透光性又好。
图1所示的显示面板还可以包括衬底层400,发光器件100和驱动器件200均可以设置在衬底层400上,半导体层220和栅电极之间可以设置有第一隔离层L1,栅电极210与第一电极230之间可以设置有第二隔离层L2,第一电极230与发光器件100之间可以设置有第三隔离层L3,示例性的,第一隔离层L1、第二隔离层L2和第三隔离层L3可以采用绝缘材料,例如氧化硅、氮化硅或者氧化硅和氮化硅的堆叠,还可以采用有机绝缘材料,本申请均不作具体限定。衬底层400可以是柔性衬底,衬底层400还可以采用双层基底的结构,本申请均不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,通过设置第一连接线300,发光器件100和驱动器件200通过一连接线300实现电连接,驱动器件200包括栅电极210,且第一连接线300与栅电极210是通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线300和栅电极210既可以导电,透光性又好。相对于现有技术中驱动器件的栅电极通常采用透光性较差的金属材料,无法满足光感器件放置区域,例如摄像头放置区域,对于透光性的需求,本申请实施例提供的显示面板,第一连接线300和栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,既满足第一连接线300和栅电极210导电的功能需要,又具有较高的透光性,能够改善现有技术中摄像头放置区域透光性较差的问题,无需对摄像头放置区域进行局部PPI的降低,在满足PPI需求的同时,可以实现屏下放置摄像头,避免摄像头放置区域与正常显示区域产生视觉差异,影响显示面板的显示效果的问题。另外,第一连接线300和栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线300和栅电极210可以通过同一道工序制备得到,进一步减少了制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
在一些实施方式中,图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图;图3为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。显示面板包括第一显示区域AA1和第二显示区域AA2,第二显示区域AA2部分围绕第一显示区域AA1;发光器件100可以为多个,多个发光器件100可以设置在第一显示区域AA1内;驱动器件200可以为多个,多个驱动器件200可以设置在第二显示区域AA2内;至少部分发光器件100与驱动器件200通过第一连接线300电连接。如图2和图3所示的第二显示区域AA2设置在第一显示区域AA1的两侧,第二显示区域AA2只是部分围绕第一显示区域AA1,第一显示区域AA1可以只设置发光器件100,不设置驱动器件200;用于驱动第一显示区域AA1内发光器件100的驱动器件200可以设置在第二显示区域AA2内,驱动器件200通常需要包括多个电极,电极通常采用透光性较差的金属材料,发光器件100的透光性更优于驱动器件200,因此,将用于驱动第一显示区域AA1内发光器件100的驱动器件200从第一显示区域AA1挪到第二显示区域AA2内,可以提高第一显示区域AA1的光透过率;另外,连接发光器件100和驱动器件200的第一连接线300则会跨于第一显示区域AA1和第二显示区域AA2之间,第一连接线300与驱动器件200的栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线300与栅电极210都是透明导电材料,光透过率较高,可以进一步提高第二显示区域AA2的光透过率。为调整显示均匀性,在第二显示区域AA2内还可以设置有部分发光器件100,第二显示区域AA2内的发光器件100用于为第二显示区域AA2提供显示功能。本申请实施例提供的显示面板的第一显示区域AA1的光透过率高于第二显示区域AA2的光透过率,因此,可以将光感组件设置在显示面板的第一显示区域AA1对应的位置处,光感组件可以包括摄像头、光源、指纹识别器件或者其他感光的功能器件或组件,本申请不作具体限定。
图4为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图。如图4所示,第二显示区域AA2围绕第一显示区域AA1。图4所示的第二显示区域AA2将第一显示区域AA1全部包围,第二显示区域AA2将第一显示区域AA1全部包围,可以使得用于驱动第一显示区域AA1内发光器件100的驱动器件200均匀的设置在第一显示区域AA1周围,不会引起显示画面的显示不均。如图2和图3所示的第二显示区域AA2位于第一显示区域AA1的两侧,可以根据具体第二显示区域AA2内用于驱动第一显示区域内发光器件100的驱动器件的数量来进行灵活调整,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,通过设置第二显示区域AA2至少部分围绕第一显示区域AA1,将用于驱动第一显示区域AA1内发光器件100的驱动器件200可以设置在第二显示区域AA2内,驱动器件200通常需要包括多个电极,电极通常采用透光性较差的金属材料,发光器件100的透光性更优于驱动器件200,因此,将用于驱动第一显示区域AA1内发光器件100的驱动器件200从第一显示区域AA1转移到第二显示区域AA2内,可以提高第一显示区域AA1的光透过率;另外,连接发光器件100和驱动器件200的第一连接线300则会跨于第一显示区域AA1和第二显示区域AA2之间,第一连接线300与驱动器件200的栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线300与栅电极210都是透明导电材料,光透过率较高,可以进一步提高第二显示区域AA2的光透过率。可以将摄像头等光感组件设置在显示面板的第一显示区域AA1对应的位置处,第一显示区域AA1具有较高的透光性,能够改善现有技术中摄像头放置区域透光性较差的问题,无需对摄像头放置区域进行局部PPI的降低,在满足PPI需求的同时,可以实现屏下放置摄像头。另外,第一连接线300和栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线300和栅电极210可以通过同一道工序制备得到,进一步减少了制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
在一些实施方式中,如图2-图4所示,显示面板还可以包括第三显示区域AA3,第三显示区域AA3围绕第二显示区域AA2;第三显示区域AA3可以视为正常的显示区域,因此,第三显示区域AA3内可以同时设置有多个发光器件100和多个驱动器件200,第三显示区域AA3内的多个发光器件100和多个驱动器件200可以通过第一连接线300连接,本申请不作具体限定。显示面板还可以包括非显示区域NA,非显示区域NA可以至少部分围绕第三显示区域AA3、第二显示区域AA2和第一显示区域AA1,非显示区域NA内可以设置有驱动走线,本申请不作具体限定。
示例性的,第三显示区域AA3内可以设置有多个发光单元,发光单元可以包括第一发光器件和第一驱动器件,第一发光器件包括阳极,第一驱动器件包括源电极和漏电极,阳极与源电极或漏电极相接触。第三显示区域AA3内设置的第一发光器件和第一驱动器件的连接可以直接通过发光器件的阳极与驱动器件的源电极或漏电极接触,以实现电连接,本申请也不作具体限定。
继续参考图2-图4,第一显示区域AA1可以视为高透光区域,第二显示区域AA2可以视为过渡区域,第三显示区域AA3可以视为正常显示区域。通过在第一显示区域AA1内设置发光器件100,将用于驱动第一显示区域AA1内的发光器件100的驱动器件200设置在第二显示区域AA2内,可以使得第一显示区域AA1的光透过率大于二显示区域AA2和第三显示区域AA3。
本申请实施例提供的显示面板,通过设置第三显示区域AA3作为正常显示区域,可以在显示面板的第一显示区域AA1对应的位置设置摄像头等光感组件,第一显示区域AA1具有较高的透光性,能够改善现有技术中摄像头放置区域透光性较差的问题,无需对摄像头放置区域进行局部PPI的降低,在满足PPI需求的同时,可以实现屏下放置摄像头。另外,第一连接线300和栅电极210通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线300和栅电极210可以通过同一道工序制备得到,进一步减少了制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
在一些实施方式中,第一连接线为多条,多条第一连接线划分为至少两组,每组第一连接线通过一个透明导电层制备得到,任意两组第一连接线之间设置有隔离层。
示例性的,图5为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。如图5所示,多条第一连接线300可以划分为两组,分别为第一组连接线311,第二组连接线312,每组第一连接线300可以通过一个透明电极层制备得到,两组第一连接线300可以通过不同的透明导电层制备得到,任意两组第一连接线300之间设置有隔离层。图5只是局部示意出两个发光器件100和两个驱动器件200,驱动器件200可以包括第二栅电极211和第三栅电极212,驱动器件200可以是双栅器件,图5只是示意性的,不作为本申请的具体限定。第一组连接线311可以与第二栅电极211通过同一个透明导电层制备得到,第二组连接线312可以与第三栅电极212通过同一个透明导电层制备得到,第三栅电极212可以设置在衬底层400与半导体层220之间,第三栅电极212与半导体层220之间可以设置有第四隔离层L4。第一组连接线311与第二组连接线312之间设置有第一隔离层L1和第四隔离层L4,第一隔离层L1至第四隔离层L4均可以起到绝缘隔离的作用,本申请不作具体限定。
示例性的,图6为本申请实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图。如图6所示,多条第一连接线300可以分为四组,分别可以是第一组连接线311、第二组连接线312、第三组连接线313和第四组连接线314,每组内所有第一连接线300是同层设置的,不同组的第一连接线300是不同层设置的,即每组第一连接线300通过同一个透明导电层制备得到,不同组的第一连接线300通过不同的透明导电层制备得到,因此,任意两组第一连接线300之间均设置有隔离层。将多条第一连接线300在垂直于显示面板的方向上的不同层分布设置,能够在平行于显示面板的方向上的有限的区域内设置更多条第一连接线300。第四组连接线314与第一电极230之间设置有第五隔离层L5,第一电极230与发光器件100之间设置有第六隔离层L6。需要说明的是,图6所示的第一连接线300的一端与发光器件100连接,另一端与驱动器件200连接,由于空间限制图6未示出驱动器件200,第一连接线300两端的连接可以通过第一电极层制备得到的电极实现,第一电极层可以制备得到驱动器件的第一电极,第一电极层可以通过刻蚀工艺制备得到多个电极,本申请不作具体限定。
本申请实施例提供的显示面板,将多条第一连接线300划分为至少两组,每组第一连接线300通过一个透明导电层制备得到,任意两组第一连接线300之间设置有隔离层,由于发光器件100在高PPI的设计方案中,发光器件100通常排列密集,留给第一连接线300的空间较为有限,第一连接线300如果排列过于密集,则在通电后,相邻的任意第一连接线300之间会产生信号耦合,相邻任意第一连接线300之间的信号会互相干扰,影响发光器件200的发光效果,进而影响显示面板的显示效果。本申请实施例提供的显示面板,通过将多条第一连接线300在垂直于显示面板的方向上的不同层分布设置,能够在平行于显示面板的方向上的有限的区域内设置更多条第一连接线300,可以在确保第一连接线300之间的安全距离的基础上,设置更多条的第一连接线300,从而可以实现显示面板的较高的PPI设计。
在一些实施方式中,驱动器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;第一薄膜晶体管包括第一栅电极,第二薄膜晶体管包括第二栅电极;第一连接线包括至少一条第一子连接线,第一子连接线与第一栅电极通过同一个透明导电层制备得到;和/或,第一连接线包括至少一条第二子连接线,第二子连接线与第二栅电极通过同一个透明导电层制备得到。第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以是相同种类的薄膜晶体管,也可以是不同种类的薄膜晶体管,薄膜晶体管的种类可以包括低温多晶硅型薄膜晶体管、金属氧化物半导体薄膜晶体管或者非晶硅薄膜晶体管,本申请不作具体限定。可以设置部分第一连接线(至少一条第一子连接线)与第一栅电极同层设置,同时可以设置部分第一连接线(至少一条第二子连接线)与第二栅电极同层设置。第一子连接线与第一栅电极的同层设置,第二子连接线与第二栅电极的同层设置,两种设置方式可以共存,也可以单独存在,本申请不作具体限定。本申请实施例提供的显示面板中的驱动器件可以采用至少两个薄膜晶体管驱动,本申请不作具体限定。
示例性的,图7为本申请实施例提供的再一种显示面板的局部结构示意图。如图7所示,驱动器件200可以包括第一薄膜晶体管240和第二薄膜晶体管250;第一薄膜晶体管240可以包括第一栅电极241,第二薄膜晶体管250包括第二栅电极211;第一连接线300包括至少一条第一子连接线31a,第一子连接线31a与第一栅电极241通过同一个透明导电层制备得到。
本申请实施例提供的显示面板,通过设置第一连接线300与第一薄膜晶体管240和第二薄膜晶体管250中一者或者两者的栅电极通过同一个透明导电层制备得到,即第一连接线中的至少一条第一子连接线与第一栅电极通过同一个透明导电层制备得到,和/或,第一连接线中的至少一条第二子连接线与第二栅电极通过同一个透明导电层制备得到。能够进一步提高显示面板的光透过率,以及进一步减少了显示面板的制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
在一些实施方式中,第二薄膜晶体管还可以包括第三栅电极。第一连接线包括至少一条第三子连接线,第三子连接线与第三栅电极通过同一个透明导电层制备得到。
示例性的,图8为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。如图8所示,第二薄膜晶体管250还可以包括第三栅电极212。第一连接线300包括至少一条第三子连接线31c,第三子连接线31c与第三栅电极212通过同一个透明导电层制备得到。
本申请实施例提供的显示面板,第二薄膜晶体管可以设置双栅电极,第一连接线300包括至少一条第三子连接线31c与第三栅电极212通过同一个透明导电层制备得到。能够进一步提高显示面板的光透过率,以及进一步减少了显示面板的制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
在一些实施方式中,第一薄膜晶体管包括第一半导体层,第二薄膜晶体管包括第二半导体层;用于制备第一半导体层的材料包括多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料;用于制备所述第二半导体层的材料包括多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料。
示例性的,如图8所示,第一薄膜晶体管240包括第一半导体层242,第二薄膜晶体管250包括第二半导体层252;第一薄膜晶体管240还包括第一源漏电极层243,第二薄膜晶体管250还包括第二源漏电极层251。第一薄膜晶体管240与第二薄膜晶体管250可以通过第一源漏电极层243和第二源漏电极层251进行连接,由于图8所示的截面图只是局部截面,未示出第一薄膜晶体管240与第二薄膜晶体管250的具体连接位置,第三子连接线31c与第一薄膜晶体管240的连接可以通过第一源漏电极层243实现。第一薄膜晶体管240和第二薄膜晶体管250可以都是低温多晶硅薄膜晶体管,也可以都是金属氧化物薄膜晶体管,或者一者是低温多晶硅薄膜晶体管,另一者是金属氧化物薄膜晶体管,本申请不作具体限定。
半导体材料可以是LTPS(Low Temperature Poly-Silicon,低温多晶硅)或者金属氧化物材料,金属氧化物材料可以包括IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物),因此,第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以均采用LTPS TFT(Thin FilmTransistor,薄膜晶体管),也可以均采用IGZO TFT,或者一者采用IGZO TFT,另一者采用LTPS TFT,本申请不作具体限定。IGZO TFT的漏电流较小,适用于低频显示,低频率显示的功耗较低。LTPS TFT的载流子迁移率较大,可以应用于高频显示,因此,在显示面板的驱动器件中可以采用IGZO TFT和LTPS TFT搭配使用,可以根据具体显示需求进行选择设置,本申请不作具体限定。
在一些实施方式中,显示面板还包括第二连接线,多个发光器件中的部分发光器件与驱动器件通过第二连接线电连接;第二半导体层设置于第二栅电极和第三栅电极之间。
第二连接线包括至少一条第四子连接线,第四子连接线设置于第三栅电极靠近第二半导体层的一侧,至少一条第四子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
第二连接线包括至少一条第五子连接线,第五子连接线设置于第三栅电极远离第二半导体层的一侧,至少一条第五子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
第二连接线包括至少一条第六子连接线,第六子连接线设置于第二栅电极靠近第二半导体层的一侧,至少一条第六子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
第二连接线包括至少一条第七子连接线,第七子连接线设置于第二栅电极远离第二半导体层的一侧,即第七子连接线设置在第二栅电极的上面,且与第二栅电极接触设置,至少一条第七子连接线是通过同一个透明导电层制备得到。
本申请实施例提供的显示面板,第一连接线和第二连接线设置在不同层,则制备过程中,需要将多条第一连接线和多条第二连接线通过隔离层间隔设置,由此便增加了隔离层的数量,也就增加了显示面板制备流程的制程数量,但将第二连接线与第二栅电极和/或第三栅电极的制备流程靠近设置,由于第二连接线与第二栅电极和第三栅电极所在的位置无交叠,则可以在第二连接线与第二栅电极和/或第三栅电极之间无需设置隔离层,则可以减少隔离层的设置,进而减少制程数量,提高产能,从而降低显示面板的生产成本。
示例性的,图9为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。如图9所示,第二连接线包括至少一条第五子连接线32e,第五子连接线32e设置于第三栅电极212远离第二半导体层252的一侧,至少一条第五子连接线32e是通过同一个透明导电层制备得到。在第三栅电极212的远离第二半导体层252的一侧可以保留部分透明导电层,由于第三栅电极212和透明导电层均是导电材料,因此对于第三栅电极212的导电性能不会产生过多影响,因此在制备第五子连接线32e时,无需在第五子连接线32e与第三栅电极212之间设置隔离层,能够节省至少一层隔离层的制备工艺流程,能够进一步减少了显示面板的制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。同时,第二连接线采用透明导电层制备得到,可以满足光透过率的需要。
示例性的,图10为本申请实施例提供的又一种显示面板的局部结构示意图。如图10所示,第二连接线包括至少一条第六子连接线32f,第六子连接线设置于第二栅电极211靠近第二半导体层252的一侧,至少一条第六子连接线32f是通过同一个透明导电层制备得到。第六子连接线32f设置在第二栅电极211靠近第二半导体层252的一侧,即第六子连接线32f设置在第二栅电极211的下面,在制备第六子连接线32f时,无需在第六子连接线32f与第二栅电极211之间设置隔离层,能够节省至少一层隔离层的制备工艺流程,能够进一步减少了显示面板的制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
本申请实施例提供的显示面板,还设置有第二连接线,第二连接线也可以用于连接发光器件和驱动器件,第二连接线可以通过透明导电层制备得到。可以将第二连接线在接近第二栅电极或者第三栅电极的制备流程中制备,由于第二连接线、第二栅电极和第三栅电极均是导电材料,且第二连接线、第二栅电极和第三栅电极的位置不重叠,因此无需设置隔离层,即第一连接线与第二栅电极之间可以无需设置隔离层,或者第一连接线与第三栅电极之间无需设置隔离层,能够节省至少一层隔离层的制备工艺流程,在满足多条连接线(第一连接线和第二连接线)不同层设置的基础上,能够进一步减少了显示面板的制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
在一些实施方式中,显示面板还包括第三连接线,多个发光器件中的部分发光器件与驱动器件通过第三连接线电连接;第二半导体层与第三连接线是由同一个金属氧化物半导体层经过导体化处理后制备得到。金属氧化物半导体可以通过半导体化处理具有导体的导电性能,导体化处理可以是离子注入的方式进行,也可以是其他方式,本申请不作具体限定。如果采用离子注入的方式对金属氧化物半导体进行导体化处理,可以根据需求注入特定的离子对金属氧化物半导体进行导体化处理。第三连接线可以与第一连接线同时存在,但是由不同透明导电层制备得到,因此,第一连接线与第三连接线不同层设置,能够在有限的平面空间内设置更多条连接线。
示例性的,图11为本申请实施例提供的再一种显示面板的局部结构示意图。如图11所示,显示面板还包括第三连接线330,多个发光器件100中的部分发光器件100与驱动器件200通过第三连接线330电连接;第二半导体层252与第三连接线330是由同一个金属氧化物半导体层经过导体化处理后制备得到。对金属氧化物半导体层进行导体化处理后实施刻蚀工艺,可以同时得到第三连接线330和第二半导体层252,将第三连接线330与第二半导体层252同层设置,可以无需增加工艺制程即可得到第三连接线330。可以实现在有限的平面空间内布设更多的连接线(第一连接线和第三连接线的不同层设置)。
在一些实施方式中,显示面板还包括遮光层、衬底层和第四连接线,遮光层设置于第一薄膜晶体管与衬底层之间,多个发光器件中的部分发光器件与驱动器件通过第四连接线电连接;第四连接线设置于衬底层靠近遮光层的一侧,遮光层在衬底层上的正投影与第四连接线在衬底层上的正投影相离,第四连接线通过透明导体层制备得到。
示例性的,图12为本申请实施例提供的一种显示面板的局部结构示意图。如图12所示,显示面板还包括遮光层500、衬底层400和第四连接线340,遮光层500设置于第一薄膜晶体管240与衬底层400之间,多个发光器件100中的部分发光器件100与驱动器件200通过第四连接线340电连接;第四连接线340设置于衬底层400靠近遮光层500的一侧,遮光层500在衬底层400上的正投影与第四连接线340在衬底层400上的正投影相离。第四连接线340与遮光层500所在的位置是同层的位置,但是制备流程属于不同的制备流程,且采用的材料不同,遮光层500可以采用遮光性较好的金属材料钼,本申请不作具体限定。遮光层500与第一半导体层242之间设置有第七隔离层L7。第四连接线340采用的是透明导体层制备得到的,因此,第四连接线340是透光的,遮光层500是遮光的。遮光层500的作用主要是可以用于遮挡衬底层400一侧入射的光线对第一半导体层242产生影响,从而避免使得第一薄膜晶体管240产生漏电流,影响薄膜晶体管的性能,另外遮光层500还能够阻挡衬底层400内的杂质离子注入到第一半导体层242内,影响第一薄膜晶体管240的性能。由于遮光层500在衬底层400上的正投影只会覆盖第二半导体层242在衬底层400上的正投影,其他位置的均不会设置遮光层500,遮光层500所在的层别的其他位置比较宽阔,可以用来放置第四连接线340,可以实现第四连接线340的平铺排列,多条第四连接线340的平铺排列可以避免过多的设置隔离层而增加工艺制程,也能够降低生产成本。
在一些实施方式中,第一薄膜晶体管包括源电极和漏电极,源电极和漏电极与半导体层接触,发光器件包括阳极,第一连接线的一端与源电极和漏电极中的一者电连接,第一连接线的另一端与阳极电连接。
示例性的,图13为本申请实施例提供的另一种显示面板的局部结构示意图。如图13所示,第一薄膜晶体管240包括源电极和漏电极,源电极和漏电极与第一半导体层242接触,源电极和漏电极与第一源漏电极层243同层制备,发光器件100包括阳极110,第一连接线300的一端与源电极和漏电极中的一者电连接,第一连接线300的另一端与阳极110电连接。本申请实施例给出了发光器件100与驱动器件200的具体连接方式。驱动器件200可以通过第一连接线300驱动发光器件的阳极110,以实现驱动发光器件100。
需要说明的是第一隔离层L1至第七隔离层L7均是隔离层,可以采用相同材料,也可以采用不同材料或者膜层设置,本申请不作具体限定。
本申请实施例的第二方面,提供一种显示面板的制备方法,图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制备方法的示意性流程图。如图14所示,本申请提供的显示面板的制备方法,应用于如第一方面所述的显示面板,方法包括:
S100:设置驱动器件。驱动器件包括栅电极。
S200:对驱动器件中的透明导电层进行刻蚀,得到第一连接线和栅电极。第一连接线和栅电极通过同一个透明导电层制备得到,因此第一连接线和栅电极是同层设置的。
S300:设置发光器件,以使发光器件与驱动器件通过第一连接线电连接。
本申请实施例提供的显示面板的制备方法,通过设置第一连接线,发光器件和驱动器件通过一连接线实现电连接,驱动器件包括栅电极,且第一连接线与栅电极是通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线和栅电极既可以导电,透光性又好。相对于现有技术中驱动器件的栅电极通常采用透光性较差的金属材料,无法满足摄像头放置区域对于透光性的需求,本申请实施例提供的显示面板,第一连接线和栅电极通过同一个透明导电层制备得到,既满足第一连接线和栅电极导电的功能需要,又具有较高的透光性,能够改善现有技术中摄像头放置区域透光性较差的问题,无需对摄像头放置区域进行局部PPI的降低,在满足PPI需求的同时,可以实现屏下放置摄像头。另外,第一连接线和栅电极通过同一个透明导电层制备得到,使得第一连接线和栅电极可以通过同一道工序制备得到,进一步减少了制备流程,提高生产产能,进而降低生产成本。
本申请实施例的第三方面,提供一种显示装置,图15为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。如图15所示,本申请实施例提供的显示装置,包括:本申请实施例的第一方面所述的显示面板1000。本申请实施例提供的显示装置可以是智能手机、平板电脑、笔记本电脑或者其他显示器,本申请不作具体限定。
在一些实施方式中,显示装置还包括光感组件;在显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,第二显示区域至少部分围绕第一显示区域,发光器件设置在第一显示区域内,驱动器件设置在第二显示区域内的情况下;光感组件在显示面板上的正投影覆盖第一显示区域。光感组件可以包括摄像头、光源、指纹识别器件或者其他感光的功能器件,本申请不作具体限定。
尽管已描述了本说明书的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本说明书范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本说明书进行各种改动和变型而不脱离本说明书的精神和范围。这样,倘若本说明书的这些修改和变型属于本说明书权利要求及其等同技术的范围之内,则本说明书也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (13)
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
发光器件;
驱动器件,所述驱动器件包括栅电极;
第一连接线,所述驱动器件与所述发光器件通过所述第一连接线电连接,所述第一连接线与所述栅电极是通过同一个透明导电层制备得到;
所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,所述第二显示区域至少部分围绕所述第一显示区域;
所述发光器件为多个,多个所述发光器件设置在所述第一显示区域内;
所述驱动器件为多个,多个所述驱动器件设置在所述第二显示区域内;
至少部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第一连接线电连接;
所述第一连接线为多条,多条所述第一连接线划分为至少两组,每组所述第一连接线通过一个所述透明导电层制备得到,任意两组所述第一连接线之间设置有隔离层。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第二显示区域围绕所述第一显示区域。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第三显示区域,所述第三显示区域围绕所述第二显示区域;
所述第三显示区域内设置有多个所述发光器件和多个所述驱动器件;或,
所述第三显示区域内设置有多个发光单元,所述发光单元包括第一发光器件和第一驱动器件,所述第一发光器件包括阳极,所述第一驱动器件包括源电极和漏电极,所述阳极与所述源电极或漏电极相接触。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述驱动器件包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;
所述第一薄膜晶体管包括第一栅电极,所述第二薄膜晶体管包括第二栅电极;
所述第一连接线包括至少一条第一子连接线,所述第一子连接线与所述第一栅电极通过同一个所述透明导电层制备得到;和/或,
所述第一连接线包括至少一条第二子连接线,所述第二子连接线与所述第二栅电极通过同一个所述透明导电层制备得到。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第二薄膜晶体管还包括第三栅电极;
所述第一连接线包括至少一条第三子连接线,所述第三子连接线与所述第三栅电极通过同一个所述透明导电层制备得到。
6.根据权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括第一半导体层,所述第二薄膜晶体管包括第二半导体层;
用于制备所述第一半导体层的材料包括多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料;
用于制备所述第二半导体层的材料包括多晶硅半导体材料或金属氧化物半导体材料。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述第一薄膜晶体管包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极与所述第一半导体层接触;
所述发光器件包括阳极;
所述第一连接线的一端与所述源电极和所述漏电极中的一者电连接,所述第一连接线的另一端与所述阳极电连接。
8.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第二连接线,多个所述发光器件中的部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第二连接线电连接;
所述第二半导体层设置于所述第二栅电极和所述第三栅电极之间;
所述第二连接线包括至少一条第四子连接线,所述第四子连接线设置于所述第三栅电极靠近所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第四子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
所述第二连接线包括至少一条第五子连接线,所述第五子连接线设置于所述第三栅电极远离所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第五子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
所述第二连接线包括至少一条第六子连接线,所述第六子连接线设置于所述第二栅电极靠近所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第六子连接线是通过同一个透明导电层制备得到;和/或,
所述第二连接线包括至少一条第七子连接线,所述第七子连接线设置于所述第二栅电极远离所述第二半导体层的一侧,至少一条所述第七子连接线是通过同一个透明导电层制备得到。
9.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括第三连接线,多个所述发光器件中的部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第三连接线电连接;
所述第二半导体层与所述第三连接线是由同一个金属氧化物半导体层经过导体化处理后制备得到。
10.根据权利要求4-9中任一项所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括遮光层、衬底层和第四连接线,所述遮光层设置于所述第一薄膜晶体管与所述衬底层之间,多个所述发光器件中的部分所述发光器件与所述驱动器件通过所述第四连接线电连接;
所述第四连接线设置于所述衬底层靠近所述遮光层的一侧,所述遮光层在所述衬底层上的正投影与所述第四连接线在所述衬底层上的正投影相离,所述第四连接线通过所述透明导电层制备得到。
11.一种显示面板的制备方法,其特征在于,应用于如权利要求1-10中任一项所述的显示面板,方法包括:
设置驱动器件;
对所述驱动器件中的透明导电层进行刻蚀,得到第一连接线和栅电极;
设置发光器件,以使所述发光器件与所述驱动器件通过所述第一连接线电连接。
12.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1-10中任一项所述的显示面板。
13.根据权利要求12所述的显示装置,其特征在于,所述显示装置还包括光感组件;
在所述显示面板包括第一显示区域和第二显示区域,所述第二显示区域至少部分围绕所述第一显示区域,发光器件设置在所述第一显示区域内,驱动器件设置在所述第二显示区域内的情况下;
所述光感组件在所述显示面板上的正投影覆盖所述第一显示区域。
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Citations (8)
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WO2015035829A1 (zh) * | 2013-09-16 | 2015-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft及其制作方法、阵列基板及其制作方法、x射线探测器和显示装置 |
CN111179828A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-19 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN111341814A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
CN111725287A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN111863839A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-30 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示面板 |
CN112750861A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN112750860A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN112925141A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
-
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2015035829A1 (zh) * | 2013-09-16 | 2015-03-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft及其制作方法、阵列基板及其制作方法、x射线探测器和显示装置 |
CN112750861A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN112750860A (zh) * | 2019-10-29 | 2021-05-04 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 一种显示基板及其制作方法、显示装置 |
CN111179828A (zh) * | 2020-01-15 | 2020-05-19 | 合肥京东方光电科技有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
CN111341814A (zh) * | 2020-03-11 | 2020-06-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示面板的制作方法 |
CN111725287A (zh) * | 2020-06-30 | 2020-09-29 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法 |
CN111863839A (zh) * | 2020-07-27 | 2020-10-30 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制备方法及显示面板 |
CN112925141A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-06-08 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
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