CN113454535A - 用于机械接口的中间层 - Google Patents

用于机械接口的中间层 Download PDF

Info

Publication number
CN113454535A
CN113454535A CN202080014571.4A CN202080014571A CN113454535A CN 113454535 A CN113454535 A CN 113454535A CN 202080014571 A CN202080014571 A CN 202080014571A CN 113454535 A CN113454535 A CN 113454535A
Authority
CN
China
Prior art keywords
intermediate layer
substrate
reticle stage
fastener
reticle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080014571.4A
Other languages
English (en)
Inventor
K·S·多希
E·J·芒可曼
J·R·巴勒斯
S·纳哈塔
S·L·科尔顿
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN113454535A publication Critical patent/CN113454535A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B11/00—Connecting constructional elements or machine parts by sticking or pressing them together, e.g. cold pressure welding
    • F16B11/006—Connecting constructional elements or machine parts by sticking or pressing them together, e.g. cold pressure welding by gluing
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F16—ENGINEERING ELEMENTS AND UNITS; GENERAL MEASURES FOR PRODUCING AND MAINTAINING EFFECTIVE FUNCTIONING OF MACHINES OR INSTALLATIONS; THERMAL INSULATION IN GENERAL
    • F16B—DEVICES FOR FASTENING OR SECURING CONSTRUCTIONAL ELEMENTS OR MACHINE PARTS TOGETHER, e.g. NAILS, BOLTS, CIRCLIPS, CLAMPS, CLIPS OR WEDGES; JOINTS OR JOINTING
    • F16B5/00—Joining sheets or plates, e.g. panels, to one another or to strips or bars parallel to them
    • F16B5/02—Joining sheets or plates, e.g. panels, to one another or to strips or bars parallel to them by means of fastening members using screw-thread
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/70741—Handling masks outside exposure position, e.g. reticle libraries
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085—Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7095—Materials, e.g. materials for housing, stage or other support having particular properties, e.g. weight, strength, conductivity, thermal expansion coefficient

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Library & Information Science (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

一种设备，包括第一基板、第二基板和设置在所述第一基板与所述第二基板之间的中间层。所述中间层被配置成作为在所述设备受到外力的情况下的第一失效点或破损点。所述设备还可以包括设置在所述第一基板与所述第二基板之间的结合层。所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和第二基板。所述设备还可以包括被联接至所述第一基板和所述第二基板的紧固件。所述紧固件被配置成将所述中间层固定到所述第一基板和所述第二基板。所述中间层可以包括涂覆至所述第一衬底或所述第二衬底的涂层。所述设备还可以包括设置在所述第一基板与所述紧固件之间或所述第二基板与所述紧固件之间的第二中间层。

Description

用于机械接口的中间层
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年2月13日递交的美国临时专利申请号62/804,915的优先权，并且所述美国临时申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。
技术领域
本公开涉及用于结合和/或夹紧设备的中间层或牺牲层，例如，用于光刻设备和系统的结合或夹紧设备。
背景技术
光刻设备是一种被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，可以在集成电路(IC)的制造中使用光刻设备。例如，光刻设备可以将图案形成装置(例如，掩模)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上。
为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。此辐射的波长确定了可形成于衬底上的特征的最小大小。使用具有在4至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的波长的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以用于在衬底上形成与使用例如具有193nm的波长的辐射的光刻设备相比更小的特征。
对于大多数制造过程(包括光刻过程)，将材料件接合在一起是一种常见的操作。本领域中已知在光刻和半导体制造过程中使用环氧树脂或粘合材料将部件附接在一起。当前用以结合或粘附部件(例如，金属层和陶瓷层(例如，玻璃)界面)的方法由于热膨胀系数(CTE)的差异而在各层之间引入热应力。
此外，使用紧固件(例如夹具、螺栓等)来接合材料件可能会导致已接合的一层或两层破损或开裂。此外，由于邻接的表面之间的缺陷，可能会出现应力集中。由于环氧树脂或粘合剂结合的优点和多功能性，需要在不损坏所粘合的工件的情况下利用环氧树脂来对工件进行结合，并且以便利且有效的方式降低热应力。此外，由于直接地紧固所述件而不使用环氧树脂的优点，因此需要在不损坏所紧固的工件的情况下对工件进行紧固，并且以便利且有效的方式降低应力集中和破损的风险。
发明内容
在一些实施例中，光刻系统包括用于向掩模版提供辐射能量的辐射源、被配置成保持所述掩模版的掩模版平台、以及被联接至掩模版平台的中间设备。在一些实施例中，所述中间设备包括第一基板、第二基板、和设置于第一基板与第二基板之间的中间层。在一些实施例中，所述中间层被配置成作为所述中间设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。在一些实施例中，所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
在一些实施例中，所述中间设备被配置成减少在受到外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。在一些实施例中，光刻系统还包括联接至所述掩模版平台并且被配置成固定所述掩模版的夹具。在一些实施例中，辐射能量是极紫外(EUV)辐射。在一些实施例中，所述中间层包括
Figure BDA0003211401580000021
(微晶玻璃)、钢化陶瓷、或塑料。
在一些实施例中，用于光刻设备中的掩模版平台的设备包括第一基板、第二基板、和被设置在第一基板与第二基板之间的中间层。在一些实施例中，所述中间层配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。在一些实施例中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成减少在受到所述外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。
在一些实施例中，所述中间层具有与所述第二基板的刚度、抗压强度或热膨胀系数基本上相等的刚度、抗压强度或热膨胀系数。在一些实施例中，所述中间层具有比所述第二基板的极限抗拉强度更低的极限抗拉强度。在一些实施例中，所述中间层具有比所述第二基板的横截面积更小的横截面积。在一些实施例中，所述中间层具有比所述第二衬底的表面粗糙度更大的表面粗糙度。
在一些实施例中，所述中间层包括低系数热膨胀材料。例如，所述中间层可以包括
Figure BDA0003211401580000031
钢化陶瓷、或塑料。在一些实施例中，所述第二基板包括低热膨胀系数材料。
在一些实施例中，所述设备还包括设置在第一基板和第二基板之间的结合层。所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和所述第二基板。在一些实施例中，所述中间层包括被配置成给所述结合层通风的凹槽。在一些实施例中，所述结合层包括环氧树脂、弹性体、或热塑性塑料。
在一些实施例中，一种用于光刻设备中的掩模版平台的设备包括第一基板、第二基板、设置在所述第一基板与所述第二基板之间的中间层、以及联接至所述第一基板和所述第二基板的紧固件。在一些实施例中，所述中间层被配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。在一些实施例中，所述紧固件被配置成将所述中间层固定到所述第一基板和所述第二基板。在一些实施例中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成减少在受到外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。
在一些实施例中，所述中间层具有比所述第一基板和第二基板的弹性模量更低的弹性模量。在一些实施例中，所述中间层具有比所述第一基板和第二基板的屈服强度更低的屈服强度。在一些实施例中，所述中间层具有比所述第二基板的横截面积更小的横截面积。在一些实施例中，所述中间层具有比所述第二基板的表面粗糙度更大的表面粗糙度。
在一些实施例中，所述中间层包括聚合物或金属。在一些实施例中，所述中间层包括涂覆至所述第一基板或所述第二基板的涂层。在一些实施例中，所述设备还包括被设置在所述第一基板与所述紧固件之间或所述第二基板与所述紧固件之间的第二中间层。在一些实施例中，所述紧固件包括螺栓、螺母、夹具、弹簧、挠曲件、或它们的一些组合。
下面参考附图来详细描述本发明的进一步特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本文中所描述的特定实施例。本文给出的这些实施例仅用于例示目的。基于本文所包含的教导，相关领域的技术人员将明白额外的实施例。
附图说明
被合并入本文并且形成说明书一部分的附图例示了本发明，并且与说明书一起，还用以解释本发明的原理，并且使相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。现在将仅作为示例，参考附图来描述本发明的实施例，附图中：
图1是根据示例性实施例的光刻设备的示意图；
图2是根据示例性实施例的呈结合配置的设备的透视示意图；
图3是图2的设备的横截面示意图；
图4是根据示例性实施例的呈紧固配置的设备的透视示意图；
图5是图4的所述设备的横截面示意图；
图6是根据示例性实施例的掩模版平台的底部透视示意图；
图7是图6的所述掩模版平台的底部平面示意图；
图8是图6的所述掩模版平台的俯视透视示意图；
图9是图6的所述掩模版平台的顶部平面示意图；
图10是根据示例性实施例的示例性掩模版平台的放大顶部平面示意图；
图11是根据示例性实施例的示例性设备的横截面示意图；
图12是根据示例性实施例的示例性设备的横截面示意图；
图13A是根据示例性实施例的示例性设备的横截面示意图；
图13B是图13A的所述设备的横截面底部平面示意图；
图14A是根据示例性实施例的示例性设备的横截面示意图；和
图14B是图14A的所述设备的横截面底部平面示意图。
本发明的特征和优点将在结合附图进行下面阐述的详细描述时变得更加明显，在附图中，类似的附图标记在整个附图中标识了对应元件。在附图中，类似的附图标记通常指示了相同的、功能相似的、和/或在结构方面相似的元件。此外，通常情况下，附图标记最左边的数字标识了附图标记首次出现的图。除非另外指示，否则在整个本公开中所提供的图不应被解释为按比例的图。
具体实施方式
本说明书披露了合并本发明的特征的一个或更多个实施例。所披露的实施例仅例示了本发明。本发明的范围不限于所披露的实施例。本发明由所附权利要求书限定。
所描述的实施例和本说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的参考指示所描述的实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可以不必包括所述特定特征、结构或特性。此外，这些词组不必指同一实施例。另外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，结合其它实施例来实现这种特征、结构或特性都在本领域技术人员的认识范围内。
为了易于描述，空间上相对的术语，诸如“底部”、“在……之下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“在……之上”、“上部”等等，可以在本文中用以描述一个元件或特征与诸图中所图示的另外的元件或特征的关系。除了图中所描绘的定向以外，空间相对术语也意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或位于其它定向)且本文中所使用的空间上相对的描述符可以同样相应地进行解释。
如本文中所使用的术语“约”指示可以基于特定技术而变化的给定量的值。基于特定技术，术语“约”可以指示给定量的值，例如在所述值的上下10％至30％内(例如，所述值的±10％、±20％或±30％)变化。
本文中使用的术语“大致”指示给定量的值，所述值可以基于特定技术而变化。基于所述特定技术，术语“大致”可以指示给定量的值，所述值在例如所述值的上下0-10％内变化(例如，所述值的±1％、±2％或±10％)。
本公开的实施例可以用硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以被一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以由机器(例如，计算装置)能够读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光学存储介质；闪存器件；电、光、声或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例行程序、和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。但是，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由执行固件、软件、例行程序、指令等的计算装置、处理器、控制器或其它装置引起的，并且这样做可以使致动器或其它装置与实体世界相互作用。
然而，在更详细地描述这样的实施例之前，提供可以在其中实施本公开的实施例的示例环境是有指导意义的。
示例性光刻系统
图1示出包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。所述辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B且将EUV辐射束B供应至所述光刻设备LA。所述光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS、和被配置成支撑衬底W的衬底台WT。
照射系统IL被配置成在EUV辐射束B入射到所述图案形成装置MA上之前调节所述EUV辐射束B。另外，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11一起向EUV辐射束B提供期望的横截面形状和期望的强度分布。除所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11以外、或替代所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11，所述照射系统IL也可以包括其它反射镜或装置。
在如此调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生了图案化的EUV辐射束B'。投影系统PS被配置成将图案化的EUV辐射束B'投影至所述衬底W上。出于所述目的，所述投影系统PS可以包括被配置成将图案化的EUV辐射束B'投影至由所述衬底台WT保持的所述衬底W上的多个反射镜13、14。所述投影系统PS可以将缩减因子应用于图案化的EUV辐射束B'，因而形成具有比所述图案形成装置MA上的相对应的特征更小的特征的图像。例如，可以应用4或8的缩减因子。虽然所述投影系统PS被图示为仅具有图1中的两个反射镜13、14，但所述投影系统PS可以包括不同数目的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
衬底W可以包括先前形成的图案。在这样的情况下，光刻设备LA使由图案化的EUV辐射束B'所形成的图像与先前形成在衬底W上的图案对准。
可以在辐射源SO中、在照射系统IL中和/或在投影系统PS中提供相对真空，即，处于充分地低于大气压力的压力下的少量气体(例如氢气)。
辐射源SO可以是激光产生等离子体(LPP)源、放电产生等离子体(DPP)源、自由电子激光(FEL)或能够产生EUV辐射的任何其它辐射源。
示例性设备
环氧树脂粘合剂是一种结构粘合剂，并且可以用以结合金属、玻璃、陶瓷、磁体、塑料、和其它材料。替代地，紧固件(例如夹具、螺栓、弹簧等)可以用以紧固金属、玻璃、陶瓷、磁性材料、塑料、和其它材料。将材料的件接合在一起是由制造过程(包括光刻过程)所使用的一种操作。在光刻和半导体制造过程中，使用环氧树脂或紧固件将部件附接在一起可以用于特定部件。
利用环氧树脂或其它粘合剂(例如，金属层和陶瓷层(例如，玻璃)来结合部件的当前方法，由于热膨胀系数(CTE)的差异，会在层之间引入热应力和应变。CTE是表征大小(例如体积、面积、长度)如何随温度而变化的材料性质。CTE的选择取决于特定的应用。通常，两个接合的工件的CTE差异与两个件之间的热应力或应变成正比。
此外，用以在不利用环氧树脂或其它粘合剂的情况下而是使用紧固件(例如夹具、螺栓、螺母、弹簧等)来附接部件的当前方法可能会导致在已接合的一层或两层中的破损或开裂。此外，由于邻接的表面之间的缺陷，可能会出现应力集中。此外，由于CTE的差异，层之间仍可能存在热应力或应变。
图2和图3示出了根据本公开的一些实施例的示例性结合设备200的示意图。结合设备200可以包括第一基板202、第二基板204、结合层206、和中间设备300。在一些实施例中，结合设备200可以在光刻设备LA中实现。例如，结合设备200可以用来结合光刻设备LA中用于支撑结构MT的马达。
第一基板202可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第一基板202可以是用于光刻设备LA中的支撑结构MT的磁体。在一些实施例中，第一基板202可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由环氧树脂或粘合剂结合的任何其它合适材料。第二基板204可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第二基板204可以是用于光刻设备LA中的照射系统IL的玻璃光学器件。在一些实施例中，第二基板204可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由环氧树脂或粘合剂结合的任何其它合适材料。在一些实施例中，第一基板202可以是金属，而第二基板204可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000081
等)。在一些实施例中，第二基板204可以是金属，而第一基板202可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000082
等)。在一些实施例中，第一基板202和第二基板204可以是相同的材料，例如，金属或玻璃。
如图2和图3所示，结合层206可以被设置在第一基板202与第二基板204之间。在一些实施例中，结合层206可以被配置为将第一基板202和第二基板204结合在一起。如图2和图3所示，结合设备200可以呈结合配置，使得第一基板202和第二基板204由所述结合层206结合在一起。在一些实施例中，结合层206可以围绕中间设备300在第一基板202与第二基板204之间延伸。在一些实施例中，结合层206是环氧树脂、弹性体、或热塑性塑料。例如，结合层206可以是热固化环氧树脂。
中间设备300可以被设置在第一基板202与第二基板204之间。中间设备300接触结合层206。在一些实施例中，中间设备300可以与结合层206集成。例如，中间设备300可以被嵌入于结合层206中。中间设备300被配置成作为结合设备200在受到所述外力的情况下的第一失效点或第一破损点。中间设备300可以充当牺牲设备或牺牲层，以便保护第一基板202和第二基板204并且减少在结合设备200中的破损和热应力。当力或应力被施加到结合设备200时，中间设备300将在第一基板202和/或第二基板204破损或破裂之前以阈值力破损、破裂、或挠曲，以便吸收收到的外力或应力的能量。例如，中间设备300将在约15N的阈值力的情况下破损、破裂或挠曲，而第一基板202和第二基板204在高达约40N的阈值力的情况下稳定。
如图2和图3所示，中间设备300可以包括中间层306。中间层306可以是任何合适的形状或大小以及有助于使第一基板202和第二基板204结合、或使第一基板202和第二基板204脱开结合的任何材料。在一些实施例中，中间层306可以是薄的四边形或长方体。在一些实施例中，中间层306可以是薄的盘状物或圆柱体。在一些实施例中，中间层306可以是绝缘体，例如塑料。在一些实施例中，中间层306可以是金属，例如铝。在一些实施例中，中间层306可以被配置成设置或控制结合层206的预定结合线厚度。例如，中间层306可以具有基本上均匀的厚度(高度)以便形成基本上均匀的结合层206厚度，例如，在第一基板202与第二基板204之间约200nm至约5mm。在一些实施例中，中间层306可以被配置成给结合层206通风。例如，如图2和图3所示，中间层306可以包括第一凹槽302和第二凹槽304，第一凹槽302和第二凹槽304各自沿中间层306的一个或更多个表面延伸，以帮助中间设备300与第一基板202和第二基板204之间的结合层206通风并且均匀地流动。
在一些实施例中，中间层306可以包括陶瓷。例如，中间层306可以包括玻璃或回火玻璃即钢化玻璃，例如
Figure BDA0003211401580000101
在一些实施例中，中间层306可以包括聚合物。例如，中间层306可以包括塑料、含氟聚合物、聚四氟乙烯(例如
Figure BDA0003211401580000102
)、全氟橡胶(例如
Figure BDA0003211401580000103
)、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚醚酰亚胺(例如
Figure BDA0003211401580000104
)、热塑性塑料或其任何组合。在一些实施例中，中间层306可以包括金属。例如，中间层306可以包括铝、铜(例如无氧高导热性)、铟、镁、镁合金(例如AZ80A-T5)、钼、钢、钢合金(例如
Figure BDA0003211401580000105
)、金、银、镍或其任何组合。在一些实施例中，中间层306可以包括涂层。例如，所述涂层可以是单层或多层，并且可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。
在一些实施例中，中间层306可以包括与第二基板204的刚度基本上相等的刚度。刚度是被定义为由弹性体响应于受到外力而提供的对变形的阻力的材料性质。例如，中间层306和第二基板204都可以包括高刚度材料，例如，刚度大于1MN/m。在一些实施例中，中间层306可以具有与第二基板204的弹性模量(E)相比更低的弹性模量(E)。弹性模量或弹性的模量是一种被定义为由弹性体响应于受到外力而提供的对弹性(即，非永久性)变形的阻力的材料性质。刚度较高的材料具有较高的弹性模量。例如，第二基板204可以包括约65GPa的弹性模量，而中间层306可以包括约10GPa的较低弹性模量。
在一些实施例中，中间层306可以包括与第二基板204的抗压强度基本上相等的抗压强度。抗压强度是被定义为与材料的横截面积垂直而产生的、所述材料在破裂(即断裂)或不可逆变形之前能够承受的最大压应力(即大小方面减小)的材料性质。例如，中间层306和第二基板204都可以包括高抗压强度材料，例如，抗压强度大于1MPa。
在一些实施例中，中间层306可以具有比第二基板204的极限抗拉强度(UTS)更低的极限抗拉强度(UTS)。UTS是被定义为与材料的横截面积垂直而产生的、所述材料在破裂(即破损)或不可逆变形之前能够承受的最大拉伸应力(即大小方面的伸长率)的材料性质。例如，第二基板204可以包括约65MPa的UTS，而中间层306可以包括约10MPa的较低UTS。
在一些实施例中，中间层306可以具有比第二基板204的屈服强度更低的屈服强度(YS)。屈服强度是被定义为与所述材料开始塑性变形的横截面积垂直而产生的应力(即大小方面减小或伸长)的材料性质。例如，第二基板204可以包括约65MPa的屈服强度，而中间层306可以包括约10MPa的较低的屈服强度。
在一些实施例中，中间层306可以包括与第二基板204的CTE基本上相等的CTE。例如，中间层306和第二基板204都可以包括低CTE材料或超低膨胀(ULE)材料。在一些实施例中，中间层306可以包括低CTE材料或ULE材料。例如，中间层306可以包括
Figure BDA0003211401580000111
钢化陶瓷、或塑料，横截面厚度为约200nm至约5mm。在一些实施例中，中间层306可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。
在一些实施例中，中间层306可以具有比第二基板204的横截面积更小的横截面积。例如，第二基板204可以包括约100mm2的横截面积，而中间层306可以包括约1mm2至约50mm2的横截面积。
在一些实施例中，中间层306可以具有比第二基板204的表面粗糙度更大的表面粗糙度。通常，陶瓷材料的表面粗糙度与断裂应力(例如，抗压强度，UTS)成反比，使得表面粗糙度的增加减少了由于裂纹扩展位置的增加而产生的断裂应力。例如，中间层306可以包括约100nm的平均表面粗糙度，而第二基板204可以包括约10nm的平均表面粗糙度。
在一些实施例中，结合设备200可以经受各种制造和/或加工应力和应变(例如，来自热、压力、受到外力等)，以便改善结合设备200的良率。例如，第二基板204可以经受升高的温度(例如，从约50℃到约250℃)，以改善良率(即，如果第二基板204在经受升高的温度之后出现失效(例如损坏、裂纹等)，则丢弃、修改或修复第二基板204)。在一些实施例中，中间设备300可以经受各种制造和/或加工应力和应变(例如，来自热、压力、受到外力等)，以改善中间设备300的良率。例如，中间层306可以经受升高的温度(例如，从约50℃到约250℃)，以改善良率(即，如果中间层306在经受升高的温度之后出现失效(例如破损、裂纹等)，则丢弃、修改或修复中间层306)。
图4和图5示出了根据本发明的一些实施例的示例性紧固设备400的示意图。紧固设备400类似于图2和图3中所示的结合设备200。除非紧固设备不包括任何结合层，而是依靠紧固件将第一基板和第二基板粘结在一起。紧固设备400可以包括第一基板402、第二基板404、紧固设备410、和中间设备500。在一些实施例中，紧固设备400可以在光刻设备LA中被实现。例如，紧固设备400可以用以将用于支撑结构MT的马达附接到光刻设备LA中。
第一基板402可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第一基板402可以是用于光刻设备LA中的支撑结构MT的磁体。在一些实施例中，第一基板402可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件(例如，螺栓、夹具、螺母、弹簧等)紧固的任何其它合适材料。第二基板404可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第二基板404可以是用于光刻设备LA中的照射系统IL的玻璃光学器件。在一些实施例中，第二基板404可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学元件、或可以由紧固件固定的任何其它合适材料。在一些实施例中，第一基板402可以是金属，而第二基板404可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000121
等)。在一些实施例中，第二基板404可以是金属，而第一基板402可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000122
等)。在一些实施例中，第一基板402和第二基板404可以是相同的材料，例如，金属或玻璃。
如图4和图5所示，紧固设备410可以被联接至第一基板402和第二基板404。紧固设备410可以被配置为将中间设备500紧固至第一基板402和第二基板404，并且相对于另一基板紧固第一基板402和第二基板404。紧固设备410可以包括紧固件(例如，螺栓、螺母、夹具、弹簧等)。例如，如图5所示，紧固设备410可以包括螺栓412和对应的螺母414。在一些实施例中，紧固设备410可以被配置为将第一基板402和第二基板404附接在一起。如图4和图5所示，紧固设备400可以呈紧固配置，使得第一基板402和第二基板404由紧固设备410紧固在一起。在一些实施例中，紧固设备410可以在第一基板402与第二基板404之间围绕或穿过中间设备500延伸。在一些实施例中，紧固设备410可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。
中间设备500可以被设置在紧固设备410之间。在一些实施例中，中间设备500可以包括一个或更多个中间层。例如，如图5所示，中间设备500可以包括第一中间层502和第二中间层504。第一中间层502可以被设置在第一基板402与第二基板404之间。第二中间层504可以被设置在第一基板402与紧固设备410之间或第二基板404与紧固设备410之间。中间设备500接触紧固设备410以及第一基板402和第二基板404。在一些实施例中，中间设备500可以包括一个或更多个孔或通孔。例如，如图5所示，中间设备500可以包括具有第一孔506的第一中间层502和具有第二孔508的第二中间层504。第一和第二孔506、508可以被配置为穿过紧固设备410，例如螺栓412，穿过中间设备500以将第一中间层502和第二中间层504紧固到第一基板402和第二基板404。
中间设备500被配置成作为紧固设备400在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。中间设备500可以充当牺牲设备或牺牲层，以便保护第一基板402和第二基板404，并且减少紧固设备400中的破损和热应力。当力或应力被施加至紧固设备400时，中间设备500将在第一基板402和/或第二基板404破损或破裂之前以阈值力破损、破裂、或挠曲，以便吸收被施加力或应力的能量。例如，中间设备500将在约15N的阈值力的情况下破损、破裂或挠曲，而第一基板402和第二基板404稳定到高达约40N的阈值力。
如图4和图5所示，中间设备500可以包括第一中间层502和第二中间层504。第一中间层502和第二中间层504可以是任何合适的形状或大小，以及有助于将第一基板402和第二基板404附接或固定在一起的任何材料。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以是相同的。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以是不同的。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以是薄四边形或长方体。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以是薄盘状物或圆柱体。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以是绝缘体，例如塑料。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以是金属，例如铝。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以被配置成设置或控制紧固设备400的预定厚度。例如，第一中间层502和第二中间层504可以具有基本上均匀的厚度(高度)，以便形成基本上均匀的紧固设备400厚度，例如，在第一基板402与第二基板404之间约200nm至约5mm。
在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括陶瓷。例如，第一中间层502和第二中间层504可以包括玻璃或回火玻璃即钢化玻璃，例如
Figure BDA0003211401580000141
在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括聚合物。例如，第一中间层502和第二中间层504可以包括塑料、含氟聚合物、聚四氟乙烯(例如
Figure BDA0003211401580000142
)、全氟橡胶(例如
Figure BDA0003211401580000143
)、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚醚酰亚胺(例如
Figure BDA0003211401580000144
)、热塑性塑料或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括金属。例如，第一中间层502和第二中间层504可以包括铝、铜(例如无氧高导热性)、铟、镁、镁合金(例如AZ80A-T5)、钼、钢、钢合金(例如
Figure BDA0003211401580000145
)、金、银、镍或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括涂层。例如，所述涂层可以是单层或多层，并且可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层502可以是第一基板402或第二基板404上的涂层。例如，如图5所示，第一中间层502可以是第一基板402上的涂层。在一些实施例中，第一中间层502可以是紧固设备410上的涂层。在一些实施例中，第二中间层504可以是第一基板402或第二基板404上的涂层。例如，如图5所示，第二中间层504可以是第二基板404上的涂层。在一些实施例中，第二中间层504可以是紧固设备410上的涂层。例如，如图5所示，第二中间层504可以是螺母414上的涂层。
在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括与第二基板404的刚度基本上相等的刚度。例如，第一中间层502和第二中间层504和第二基板404均可以包括高刚度材料，例如，刚度大于1MN/m。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以具有与第二基板404的弹性模量(E)相比更低的弹性模量(E)。例如，第二基板404可以包括约65GPa的弹性模量，而第一中间层502和第二中间层504可以包括约10GPa的较低弹性模量。
在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括与第二基板404的抗压强度基本上相等的抗压强度。例如，第一中间层502和第二中间层504和第二基板404均可以包括高抗压强度材料，例如，抗压强度大于1MPa。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以具有比第二基板404的极限抗拉强度(UTS)更低的的极限抗拉强度(UTS)。例如，第二基板404可以包括约65MPa的UTS，而第一中间层502和第二中间层504可以包括约10MPa的较低UTS。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以具有比第二基板404的屈服强度(YS)更低的屈服强度(YS)。例如，第二基板404可以包括约65MPa的屈服强度，而第一中间层502和第二中间层504可以包括约10MPa的更低的屈服强度。
在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括与第二基板404的CTE基本上相等的CTE。例如，第一中间层502和第二中间层504和第二基板404均可以包括低CTE材料或ULE材料。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括低CTE材料或ULE材料。例如，第一中间层502和第二中间层504可以包括
Figure BDA0003211401580000151
钢化陶瓷、或塑料，其横截面厚度为约200nm至约5mm。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。
在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以具有比第二基板404的横截面积更小的横截面积。例如，第二基板404可以具有约100mm2的横截面积，而第一中间层502和第二中间层504可以包括约1mm2至约50mm2的较小的横截面积。在一些实施例中，第一中间层502和第二中间层504可以具有比第二基板404的表面粗糙度更大的表面粗糙度。例如，第一中间层502和第二中间层504可以包括约100nm的平均表面粗糙度，而第二基板404可以包括约10nm的平均表面粗糙度。
在一些实施例中，紧固设备400可以经受各种制造和/或加工应力和应变(例如，来自热、压力、受到外力等)，以便改善紧固设备400的良率。例如，第二基板404可以经受升高的温度(例如，从约50℃到约250℃)，以改善良率(即，如果第二基板404在经受升高的温度之后出现失效(例如破损、裂纹等)，则丢弃、修改或修复第二基板404)。在一些实施例中，中间设备500可以经受各种制造和/或加工应力和应变(例如，来自热、压力、受到所述外力等)，以便改善中间设备500的所述良率。例如，第一中间层502和第二中间层504可以经受升高的温度(例如，从约50℃到约250℃)，以改善良率(即，如果第一中间层502和/或第二中间层504在经受升高的温度之后出现失效(例如破损、裂纹等)，则丢弃、修改或修复第一中间层502和/或第二中间层504)。
示例性掩模版平台
图6到图9示出了根据本公开的一些实施例的示例性掩模版平台600的示意图。掩模版平台600可以包括底部平台表面602、顶部平台表面604、侧部平台表面606、夹具700、掩模版保持架704、磁性致动器(Y方向)706、磁性致动器(Z方向)708、和连接器710。在一些实施例中，可以在光刻设备LA中实现带夹具700的掩模版平台600。例如，掩模版平台600可以是光刻设备LA中的支撑结构MT。在一些实施例中，夹具700可以被设置在底部平台表面602上。例如，如图6所示，夹具700可以被设置在底部平台表面602的中心处，且夹具正面702垂直地背离底部平台表面602。在一些实施例中，掩模版保持架704可以被设置在底部平台表面602上。例如，如图6所示，夹具700(例如，用于掩模版的静电夹具(未示出))可以被设置在底部平台表面602的中心处，且掩模版保持架704被设置成与夹具700的每个拐角部邻近。
在一些光刻设备(例如，光刻设备LA)中，具有夹具700的掩模版平台600可以用以保持和定位用于扫描或图案化操作的掩模版(未示出)。例如，所述掩模版平台600可能需要强力的驱动器、大的平衡质量、和重型框架来支撑它。在一个示例中，所述掩模版平台600可能具有大的惯性，且可能重量超过500kg，以推进和定位重量约0.5kg的掩模版(未显示)。为了完成所述掩模版(未示出)的往复运动(通常在光刻扫描或图案化操作中发现)，可以由驱动所述掩模版平台600的线性马达即直线电机提供加速和减速力。
在一些实施例中，如图6和图7所示，掩模版平台600可以包括用于定位操作的第一编码器612和第二编码器614。例如，第一编码器612和第二编码器614可以是干涉仪。第一编码器612可以沿第一方向(例如，掩模版平台600的横向(即，X方向))附接。并且第二编码器614可以沿第二方向(例如，掩模版平台600的纵向(即，Y方向))附接。在一些实施例中，如图6和图7所示，第一编码器612可以与第二编码器614正交。
如图6和图7所示，掩模版平台600可以包括夹具700。夹具700被配置成用以将掩模版(未显示)保持在掩模版平台600上的固定平面中。夹具700包括夹具正面702，并且可以被设置在底部平台表面602上。在一些实施例中，夹具700可使用机械、真空、静电、或其它合适的夹持技术，以保持和固定物体。在一些实施例中，夹具700可以是静电夹具，其可以被配置用来以静电方式夹持(即，保持)物体，例如在真空环境中的掩模版(未示出)。由于在真空环境中执行EUV的要求，则真空夹具不能用以夹持掩模或掩模版，而且替代地可以使用静电夹具。例如，夹具700可以包括电极、电极上的电阻层、电阻层上的介电层、以及从介电层突出的突节。在使用中，可以向夹具700施加电压，例如若干kV。并且电流可以流经所述电阻层，使得所述电阻层的上表面处的电压将与电极的电压基本上相同并且产生电场。此外，库仑力，即电性相反的带电粒子之间的吸引力，将吸引物体至夹具700并且将所述物体保持就位。在一些实施例中，夹具700可以是刚性材料，例如金属、电介质、陶瓷、或其组合。
如图6和图7所示，掩模版平台600可以包括一个或更多个掩模版保持架704。掩模版保持架704可以被配置成例如在碰撞期间固定并且减少对由夹具700所固定的掩模版(未示出)的损坏。掩模版保持架704可以被配置成在碰撞期间均匀地分布掩模版(未示出)的冲击力。在一些实施例中，多个掩模版保持架704可以被设置在底部平台表面602中，并且围绕掩模版(未示出)的周缘布置。例如，多个掩模版保持架704可以被设置邻近于夹具700的每个拐角部，以将掩模版(未示出)的冲击力均匀分布遍及于多个冲击部位上。
掩模版保持架704可以包括主体、固定机构、安全闩锁、和缓冲器设备。掩模版保持架704可以是刚性材料，例如，金属或陶瓷。在一些实施例中，掩模版保持架704可延伸穿过掩模版平台600的一部分。例如，掩模版保持架704可以是圆柱形的，并且延伸穿过底部平台表面602，以供与夹具700的拐角部的刚性对准。在一些实施例中，掩模版保持架704可以利用一个或更多个固定机构而被固定至底部平台表面602。例如，固定机构可以是螺栓。在一些实施例中，安全闩锁可以被配置成在碰撞期间固定(即，卡锁/锁死)并且减少对掩模版(未示出)的损坏。例如，安全闩锁可以延伸于掩模版(未示出)的顶部表面上，并且被配置成防止在垂直于底部平台表面602的方向(即，Z方向)上的移动。
如图8和图9所示，掩模版平台600可以包括磁性致动器(Y方向)706和磁性致动器(Z方向)708。如上所论述，可以由线性马达即直线电机提供加速和减速力，例如，磁性致动器(Y方向)706和磁性致动器(Z方向)708，以驱动掩模版平台600。在一些实施例中，掩模版平台600可以包括一个或更多个磁性致动器(Y方向)706。例如，如图8所示，磁性致动器(Y方向)706可以沿例如与第二编码与器614平行的掩模版平台600的纵向(即Y方向)设置在侧部平台表面606上，并且可以被配置成沿所述纵向(即，Y方向)平移掩模版平台600。在一些实施例中，掩模版平台600可以包括一个或更多个磁性致动器(Z方向)708。例如，如图8所示，磁性致动器(Z方向)708可以被设置在顶部平台表面604上，并且可以被配置成沿例如与顶部平台表面604垂直(即，Z方向)的掩模版平台600的深度方向(即，Z方向)平移掩模版平台600。
如图8和图9所示，掩模版平台600可以包括连接器710。在一些实施例中，掩模版平台600可以包括一个或更多个连接器710。例如，如图8所示，连接器710可以被设置在顶部平台表面604上，并且可以被配置为将气体或流体管路(例如，水)连接到掩模版平台600以供进行温度和/或压力控制。
在一些实施例中，掩模版平台600可以经受各种制造和/或加工应力和应变(例如，来自热、压力、受到外力等)，以便改善掩模版平台600的良率。例如，掩模版平台600可以经受升高的温度(例如，从约50℃到约250℃)，以改善良率(即，如果在经受升高的温度之后出现失效(例如破损、裂纹等)，则丢弃、修改或修理掩模版平台600)。
掩模版平台上的示例性设备
图10到图14示出了根据本公开的一些实施例的示例性掩模版平台的示例性设备的示意图。图10描绘了根据本公开的一些实施例，掩模版平台600的图9中所示的区域1000的放大底部平面示意图，该区域1000包括顶部平台表面604、侧部平台表面606、第二编码器614、夹具700、掩模版保持架设备1100(即，如图9中所示的掩模版保持架704)、磁性致动器(Y方向)设备1200(即，如图9所示的磁性致动器(Y方向)、磁性致动器(Z方向)设备1300(即，如图9所示的磁性致动器(Z方向)708)和连接器设备1400(即，如图9所示的连接器710)。
如图10所示，掩模版平台600的区域1000(即，如图9所示的区域1000)可以包括顶部平台表面604、侧部平台表面606、第二编码器614、夹具700、掩模版保持架设备1100(即，如图9所示的掩模版保持架704)、磁性致动器(Y方向)设备1200(即，如图9所示的磁性致动器(Y方向)、磁性致动器(Z方向)设备1300(即，如图9所示的磁性致动器(Z方向)708)和连接器设备1400(即，如图9所示的连接器710)。
图11示出了根据本公开的一些实施例的如图10所指示的示例性掩模版保持架设备1100的横截面示意图。掩模版保持架设备1100类似于图2和图3所示的结合设备200以及图4和图5所示的紧固设备400。如图11所示，掩模版保持架设备1100可以呈与图4和图5所示的紧固设备400的紧固配置类似的紧固配置。替代地，在一些实施例中，掩模版保持架设备1100可以呈与图2和图3所示的结合设备200的结合配置类似的结合配置。掩模版保持架设备1100可以包括掩模版平台部分1102、第一基板1110、第二基板1112、第一紧固件1104、第二紧固件1106、第三紧固件1108、和中间设备1120。在一些实施例中，掩模版保持架1100设备可以在光刻设备LA中实现。
掩模版平台部分1102可以是图6至图9所示的掩模版平台600的一部分。如图11所示，掩模版平台部分1102可以被设置在底部平台表面602与顶部平台表面604之间。掩模版平台部分1102可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，掩模版平台部分1102可以包括低CTE材料或ULE材料，例如
Figure BDA0003211401580000201
在一些实施例中，掩模版平台部分1102可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。在一些实施例中，掩模版平台部分1102可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或任何其它合适的材料。
第一基板1110可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第一基板1110可以是用于掩模版保持架704的陶瓷底盖。在一些实施例中，第一基板1110可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件(例如螺栓、夹具、螺母、弹簧等)固定的任何其它合适材料。第二基板1112可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第二基板1112可以是用于掩模版保持架704的陶瓷体。在一些实施例中，第二基板1112可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件固定的任何其它合适材料。在一些实施例中，第一基板1110和第二基板1112可以是金属，而掩模版平台部分1102可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000202
等)。在一些实施例中，第二基板1112可以是金属，而第一基板1110可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000211
等)。在一些实施例中，第一基板1110和第二基板1112可以是相同的材料，例如，金属或玻璃。
如图11所示，第一紧固件1104、第二紧固件1106、和第三紧固件1108可以被联接至第一基板1110、第二基板1112、和掩模版平台部分1102。第一紧固件1104、第二紧固件1106、和第三紧固件1108可以被配置为将中间设备1120固定至第一基板1110、第二基板1112、和掩模版平台部分1102，并且相对于另一基板固定第一基板1110和第二基板1112。第一紧固件1104、第二紧固件1106和第三紧固件1108可以包括紧固件(例如，螺栓、螺母、夹具、弹簧等)。例如，如图11所示，第一紧固件1104、第二紧固件1106和第三紧固件1108可以包括螺栓。在一些实施例中，第一紧固件1104、第二紧固件1106、和/或第三紧固件1108可以被配置成将掩模版平台部分1102以及第一基板1110和第二基板1112附接在一起。如图11所示，掩模版保持架设备1100可以呈紧固配置，使得第一基板1110和第二基板1112由第一紧固件1104、第二紧固件1106、和/或第三紧固件1108一起紧固到掩模版平台部分1102。在一些实施例中，第一紧固件1104、第二紧固件1106、和/或第三紧固件1108可以在掩模版平台部分1102与第一基板1110和第二基板1112之间围绕或穿过中间设备1120延伸。在一些实施例中，第一紧固件1104、第二紧固件1106和/或第三紧固件1108可以包括陶瓷、聚合物、金属、或其任何组合。
中间设备1120可以被设置在第一基板1110与第二基板1112之间。在一些实施例中，中间设备1120可以包括一个或更多个中间层。例如，如图11所示，中间设备1120可以包括第一中间层1122和第二中间层1124。第一中间层1122可以被设置在第一基板1110与掩模版平台部分1102之间。第二中间层1124可以被设置在第二基板1112与掩模版平台部分1102之间。中间设备1120接触掩模版平台部分1102、第一基板1110和第二基板1112、第一紧固件1104、第二紧固件1106、和/或第三紧固件1108。在一些实施例中，中间设备1120可以包括一个或更多个孔或通孔。例如，如图11所示，中间设备1120可以包括具有第一孔1126、1127的第一中间层1122和具有第二孔1128、1129的第二中间层1124。第一孔1126、1127和第二孔1128、1129可以被配置成分别通过第二紧固件1106和第三紧固件1108，通过中间设备1120来将第一中间层1122和第二中间层1124固定到掩模版平台部分1102以及第一基板1110和第二基板1112。
中间设备1120被配置成作为掩模版保持架设备1100在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。中间设备1120可以充当牺牲设备或牺牲层，以便保护掩模版平台部分1102以及第一基板1110和第二基板1112，并且减少掩模版保持架设备1100中的破损和热应力。当向掩模版保持架设备1100施加力或应力时，中间设备1120将在掩模版平台部分1102的破损或破裂之前以阈值力破损、破裂、或挠曲，以便吸收被施加力或应力的能量。例如，中间设备1120将在约15N的阈值力的情况下破损、破裂或挠曲，而掩模版平台部分1102稳定到高达约40N的阈值力。
如图11所示，中间设备1120可以包括第一中间层1122和第二中间层1124。第一中间层1122和第二中间层1124可以是任何合适的形状或大小以及有助于将掩模版平台部分1102以及第一基板1110和第二基板1112附接或固定在一起的任何材料。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以是相同的。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以是不同的。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以是薄四边形或长方体。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以是薄盘状物或圆柱体。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以是绝缘体，例如塑料。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以是金属，例如铝。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以被配置成设置或控制掩模版保持架设备1100的预定厚度。例如，第一中间层1122和第二中间层1124可以具有基本上均匀的厚度(高度)，以便形成基本上均匀的掩模版保持架设备1100的厚度，例如，在第一基板1110与掩模版平台部分1102之间形成约200nm到约5mm的厚度，在第二基板1112与掩模版平台部分1102之间形成约200nm到约5mm的厚度。
在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括陶瓷。例如，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括玻璃、或回火玻璃即钢化玻璃，例如
Figure BDA0003211401580000231
在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括聚合物。例如，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括塑料、含氟聚合物、聚四氟乙烯(例如
Figure BDA0003211401580000232
)、全氟橡胶(例如
Figure BDA0003211401580000233
)、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚醚酰亚胺(例如
Figure BDA0003211401580000234
)、热塑性塑料或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括金属。例如，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括铝、铜(例如无氧高导热性)、铟、镁、镁合金(例如AZ80A-T5)、钼、钢、钢合金(例如
Figure BDA0003211401580000235
)、金、银、镍或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括涂层。例如，所述涂层可以是单层或多层，并且可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1122可以是第一基板1110或第二基板1112上的涂层。例如，如图11所示，第一中间层1122可以是第一基板1110上的涂层。在一些实施例中，第一中间层1122可以是第一紧固件1104、第二紧固件1106、和/或第三紧固件1108上的涂层。在一些实施例中，第二中间层1124可以是第一基板1110或第二基板1112上的涂层。例如，如图11所示，第二中间层1124可以是第二基板1112上的涂层。在一些实施例中，第二中间层1124可以是第一紧固件1104、第二紧固件1106、和/或第三紧固件1108上的涂层。
在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括与掩模版平台部分1102的刚度基本上相等的刚度。例如，第一中间层1122和第二中间层1124以及掩模版平台部分1102均可以包括高刚度材料，例如，刚度大于1mN/m。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以具有比掩模版平台部分1102的弹性模量(E)更低的弹性模量(E)。例如，掩模版平台部分1102可以包括约65GPa的弹性模量，而第一中间层1122和第二中间层1124可以包括约10GPa的较低弹性模量。
在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括与掩模版平台部分1102的抗压强度基本上相等的抗压强度。例如，第一中间层1122和第二中间层1124以及掩模版平台部分1102均可以包括高抗压强度材料，例如，抗压强度大于1MPa。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以具有比掩模版平台部分1102的极限抗拉强度(UTS)更低的极限抗拉强度(UTS)。例如，掩模版平台部分1102可以包括约65MPa的UTS，而第一中间层1122和第二中间层1124可以包括约10MPa的较低UTS。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以具有比掩模版平台部分1102的屈服强度更低的屈服强度(YS)。例如，掩模版平台部分1102可以包括约65MPa的屈服强度，而第一中间层1122和第二中间层1124可以包括约10MPa的较低的屈服强度。
在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括与掩模版平台部分1102的CTE基本上相等的CTE。例如，第一中间层1122和第二中间层1124以及掩模版平台部分1102均可以包括低CTE材料或ULE材料。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括低CTE材料或ULE材料。例如，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括
Figure BDA0003211401580000241
钢化陶瓷、或塑料，横截面厚度为约200nm至约5mm。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。
在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以具有比掩模版平台部分1102的横截面积更小的横截面积。例如，掩模版平台部分1102可以包括约100mm2的横截面积，而第一中间层1122和第二中间层1124可以包括约1mm2至约50mm2的较小的横截面积。在一些实施例中，第一中间层1122和第二中间层1124可以具有比掩模版平台部分1102的表面粗糙度更大的表面粗糙度。例如，第一中间层1122和第二中间层1124可以包括约100nm的平均表面粗糙度，而掩模版平台部分1102可以包括约10nm的平均表面粗糙度。
图12示出了根据本公开的一些实施例的如图10所指示的示例性磁性致动器(Y方向)设备1200的横截面示意图。磁性致动器(Y方向)设备1200类似于图2和图3所示的结合设备200以及图4和图5所示的紧固设备400。如图12所示，磁性致动器(Y方向)设备1200可以呈与图4和图5所示的紧固设备400的紧固配置类似的紧固配置。替代地，在一些实施例中，磁性致动器(Y方向)设备1200可以呈与图2和图3所示的结合设备200的结合配置类似的结合配置。磁性致动器(Y方向)设备1200可以包括掩模版平台部分1202，第一基板1212，第二基板1214，第一紧固件1206、1210，第二紧固件1204、1208，和中间设备1220。在一些实施例中，磁性致动器(Y方向)设备1200可以在光刻设备LA中实现。
掩模版平台部分1202可以是图6所示的掩模版平台600的一部分。如图12所示，掩模版平台部分1202可以沿第二编码器614上方的侧部平台表面606而设置。掩模版平台部分1202可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，掩模版平台部分1202可以包括低CTE材料或ULE材料，例如
Figure BDA0003211401580000251
在一些实施例中，掩模版平台部分1202可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。在一些实施例中，掩模版平台部分1202可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或任何其它合适的材料。
第一基板1212可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第一基板1212可以是用于磁性致动器(Y方向)706的金属臂或延伸部分的一部分。在一些实施例中，第一基板1212可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件(例如螺栓、夹具、螺母、弹簧等)固定的任何其它合适材料。第二基板1214可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第二基板1214可以是陶瓷环形螺母，例如，第一环形螺母1208和/或第二环形螺母1210，以将磁性致动器(Y方向)706固定到掩模版平台部分1202。在一些实施例中，第二基板1214可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件紧固的任何其它合适材料。在一些实施例中，第一基板1212和第二基板1214可以是金属，而掩模版平台部分1202可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000261
等)。在一些实施例中，第二基板1214可以是金属，而第一基板1212可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000262
等)。在一些实施例中，第一基板1212和第二基板1214可以是相同的材料，例如，金属或玻璃。
如图12所示，第一紧固件1204、1208和第二紧固件1206、1210可以被联接至第一基板1212、第二基板1214和掩模版平台部分1102。第一紧固件1204、1208和第二紧固件1206、1210可以被配置为将中间设备1220固定至第一基板1212、第二基板1214，以及掩模版平台部分1202，并且相对于另一基板固定第一基板1212和第二基板1214。第一紧固件1204、1208和第二紧固件1206、1210可以包括紧固件(例如，螺栓、螺母、夹具、弹簧等)。例如，如图12所示，第一紧固件1204、1208包括第一螺栓1204和对应的第一环形螺母1208，并且第二紧固件1206、1210包括第二螺栓1206和对应的第二环形螺母1210。在一些实施例中，第一紧固件1204、1208和/或第二紧固件1206、1210可以包括第一基板1212或第二基板1214。例如，如图12所示，第二基板1214可以包括第一环形螺母1208和第二环形螺母1210。在一些实施例中，第一紧固件1204、1208和第二紧固件1206、1210可以被配置成将掩模版平台部分1202以及第一基板1212和第二基板1214附接在一起。如图12所示，磁性致动器(Y方向)设备1200可以呈紧固配置，使得第一基板1212和第二基板1214由第一紧固件1204、1208和/或第二紧固件1206、1210一起紧固到掩模版平台部分1202。在一些实施例中，第一紧固件1204、1208和/或第二紧固件1206、1210可以在掩模版平台部分1202与第一基板1212和第二基板1214之间围绕或穿过中间设备1220延伸。在一些实施例中，第一紧固件1204、1208和/或第二紧固件1206、1210可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。
中间设备1220可以被设置在第一基板1212与第二基板1214之间。在一些实施例中，中间设备1220可以包括一个或更多个中间层。例如，如图12所示，中间设备1220可以包括第一中间层1222和第二中间层1224。第一中间层1222可以被设置在第一基板1212与掩模版平台部分1202之间。第二中间层1224可以被设置在第二基板1214(例如，第一环形螺母1208和第二环形螺母1210)与掩模版平台部分1202之间。中间设备1220接触掩模版平台部分1202，第一基板1212和第二基板1214，第一紧固件1204、1208，和/或第二紧固件1206、1210。在一些实施例中，中间设备1220可以包括一个或更多个孔或通孔。例如，如图12所示，中间设备1220可以包括具有第一孔1226、1227的第一中间层1222和具有第二孔1228、1229的第二中间层1224。第一孔1226、1227和第二孔1228、1229可以被配置成分别通过第一螺栓1204和第二螺栓1206，通过中间设备1220来将第一中间层1222和第二中间层1224固定到掩模版平台部分1102以及第一基板1212和第二基板1214。
中间设备1220被配置成作为磁性致动器(Y方向)设备1200在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。中间设备1220可以充当牺牲设备或牺牲层，以便保护掩模版平台部分1202以及第一基板1212和第二基板1214，并且减少磁性致动器(Y方向)设备1200中的破损和热应力。当向磁性致动器(Y方向)设备1200施加力或应力时，中间设备1220将在掩模版平台部分1202的破损或破裂之前以阈值力破损、破裂或挠曲，以便吸收受到的所述外力或应力的能量。例如，中间设备1220将在约15N的阈值力的情况下破损、破裂或挠曲，而掩模版平台部分1202稳定到高达约40N的阈值力。
如图12所示，中间设备1220可以包括第一中间层1222和第二中间层1224。第一中间层1222和第二中间层1224可以是任何合适的形状或大小，以及有助于将掩模版平台部分1202以及第一基板1212和第二基板1214附接或固定在一起的任何材料。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以是相同的。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以是不同的。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以是薄四边形或长方体。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以是薄盘状物或圆柱体。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以是绝缘体，例如塑料。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以是金属，例如铝。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以被配置成设置或控制磁性致动器(Y方向)设备1200的预定厚度。例如，第一中间层1222和第二中间层1224可以具有基本上均匀的厚度(高度)，以便形成基本上均匀的磁性致动器(Y方向)设备1200厚度，例如，在第一基板1212与掩模版平台部分1202之间约200nm到约5mm，在第二基板1214与掩模版平台部分1202之间约200nm到约5mm。
在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括陶瓷。例如，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括玻璃或回火玻璃即钢化玻璃，例如
Figure BDA0003211401580000281
在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括聚合物。例如，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括塑料、含氟聚合物、聚四氟乙烯(例如
Figure BDA0003211401580000282
)、全氟橡胶(例如
Figure BDA0003211401580000283
)、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚醚酰亚胺(例如
Figure BDA0003211401580000284
)、热塑性塑料或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括金属。例如，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括铝、铜(例如无氧高导热性)、铟、镁、镁合金(例如AZ80A-T5)、钼、钢、钢合金(例如
Figure BDA0003211401580000285
)、金、银、镍或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括涂层。例如，所述涂层可以是单层或多层，并且可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1222可以是第一基板1212或第二基板1214上的涂层。例如，如图12所示，第一中间层1222可以是第一基板1212上的涂层。在一些实施例中，第一中间层1222可以是第一紧固件1204、1208和第二紧固件1206、1210上的涂层。在一些实施例中，第二中间层1224可以是第一基板1212或第二基板1214上的涂层。例如，如图12所示，第二中间层1224可以是第二基板1214上的涂层(例如，第一环形螺母1208和第二环形螺母1210)。在一些实施例中，第二中间层1224可以是第一紧固件1204、1208和第二紧固件1206、1210上的涂层。例如，如图12所示，第二中间层1224可以是第一环形螺母1208和第二环形螺母1210上的涂层。
在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括与掩模版平台部分1202的刚度基本上相等的刚度。例如，第一中间层1222和第二中间层1224以及掩模版平台部分1202均可以包括高刚度材料，例如，刚度大于1MN/m。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层12244可以具有与掩模版平台部分1202的弹性模量(E)相比更低的弹性模量(E)。例如，掩模版平台部分1202可以包括约65GPa的弹性模量，而第一中间层1222和第二中间层1224可以包括约10GPa的较低弹性模量。
在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括与掩模版平台部分1202的抗压强度基本上相等的抗压强度。例如，第一中间层1222和第二中间层1224以及掩模版平台部分1202均可以包括高抗压强度材料，例如，抗压强度大于1MPa。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以具有比掩模版平台部分1202的极限抗拉强度(UTS)更低的极限抗拉强度(UTS)。例如，掩模版平台部分1202可以包括约65MPa的UTS，而第一中间层1222和第二中间层1224可以包括约10MPa的较低UTS。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以具有比掩模版平台部分1202的屈服强度更低的屈服强度(YS)。例如，掩模版平台部分1202可以包括约65MPa的屈服强度，而第一中间层1222和第二中间层1224可以包括约10MPa的较低的屈服强度。
在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括与掩模版平台部分1202的CTE基本上相等的CTE。例如，第一中间层1222和第二中间层1224以及掩模版平台部分1202均可以包括低CTE材料或ULE材料。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括低CTE材料或ULE材料。例如，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括
Figure BDA0003211401580000291
钢化陶瓷、或塑料，横截面厚度为约200nm至约5mm。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。
在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以具有比掩模版平台部分1202的横截面积更小的横截面积。例如，掩模版平台部分1202可以包括约100mm2的横截面积，而第一中间层1222和第二中间层1224可以包括约1mm2至约50mm2的较小的横截面积。在一些实施例中，第一中间层1222和第二中间层1224可以具有比掩模版平台部分1202的表面粗糙度更大的表面粗糙度。例如，第一中间层1222和第二中间层1224可以包括约100nm的平均表面粗糙度，而掩模版平台部分1202可以包括约10nm的平均表面粗糙度。
图13A示出了根据本公开的一些实施例的如图10所指示的示例性磁性致动器(Z方向)设备1300的横截面示意图。磁性致动器(Z方向)设备1300类似于图2和图3所示的结合设备200以及图4和图5所示的紧固设备400。如图13A所示，磁性致动器(Z方向)设备1300可以呈与图4和图5所示的紧固设备400的紧固配置类似的紧固配置。替代地，在一些实施例中，磁性致动器(Z方向)设备1300可以呈与图2和图3所示的结合设备200的结合配置类似的结合配置。磁性致动器(Z方向)设备1300可以包括掩模版平台部分1302、第一基板1310、第二基板1312、第一紧固件1304、和中间设备1320。在一些实施例中，磁性致动器(Z方向)设备1300可以在光刻设备LA中实现。
掩模版平台部分1302可以是图6至图9所示的掩模版平台600的一部分。如图13A所示，掩模版平台部分1302可以被设置在顶部平台表面604下方或附近。掩模版平台部分1302可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，掩模版平台部分1302可以包括低CTE材料或ULE材料，例如
Figure BDA0003211401580000301
在一些实施例中，掩模版平台部分1302可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。在一些实施例中，掩模版平台部分1302可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或任何其它合适的材料。
第一基板1310可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第一基板1310可以是用于磁性致动器(Z方向)708的陶瓷底盖。在一些实施例中，第一基板1310可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件(例如螺栓、夹具、螺母、弹簧等)固定的任何其它合适材料。第二基板1312可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第二基板1312可以是掩模版平台600的掩模版平台部分1302和/或顶部平台表面604。在一些实施例中，第二基板1312可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件固定的任何其它合适材料。在一些实施例中，第一基板1310可以是金属，而第二基板1312(即，掩模版平台部分1302)可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000311
等)。在一些实施例中，第二基板1312可以是金属，而第一基板1310可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000312
等)。在一些实施例中，第一基板1310和第二基板1312可以是相同的材料，例如，金属或玻璃。
如图13A所示，第一紧固件1304可以被联接到第一基板1310和第二基板1312(即，掩模版平台部分1302)。第一紧固件1304可以被配置为将中间设备1320固定到第一基板1310和第二基板1312，并且相对于另一基板固定第一基板1310和第二基板1312。第一紧固件1304可以包括紧固件(例如，螺栓、螺母、夹具、弹簧等)。例如，如图13A所示，第一紧固件1304可以包括螺栓。在一些实施例中，第一紧固件1304可以被配置成将掩模版平台部分1302以及第一基板1310附接在一起。如图13A所示，磁性致动器(Z方向)设备1300可以呈紧固配置，使得第一基板1310由第一紧固件1304紧固到掩模版平台部分1302。在一些实施例中，第一紧固件1304可以在掩模版平台部分1302与第一基板1310之间围绕或穿过中间设备1320延伸。在一些实施例中，第一紧固件1304可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。
图13B示出了如图13A所指示的磁性致动器(Z方向)设备1300的横截面底部平面示意图。中间设备1320可以被设置在第一基板1310与第二基板1312之间。在一些实施例中，中间设备1320可以包括一个或更多个中间层。例如，如图13A所示，中间设备1320可以包括第一中间层1322和第二中间层1324。此外，例如，如图13B所示，磁性致动器(Z方向)设备1300可以包括第三中间层1328和第四中间层1330。在一些实施例中，第一中间层1322、第二中间层1324、第三中间层1328、和第四中间层1340可以围绕第一紧固件1304对称地布置。例如，如图13B所示，第一中间层1322、第二中间层1324、第三中间层1328、和第四中间层1330可以相对于彼此间隔约90度。第一中间层1322和第二中间层1324可以被设置在第一基板1310与掩模版平台部分1302之间。在一些实施例中，第一中间层1322、第二中间层1324、第三中间层1328、和/或第四中间层1330可以被设置在第一基板1310与掩模版平台部分1302之间。中间设备1320接触掩模版平台部分1302、第一基板1310、和第一紧固件1304。在一些实施例中，中间设备1320可以包括一个或更多个孔或通孔。例如，如图13A所示，中间设备1320可以包括由第一孔1326隔开的第一中间层1322和第二中间层1324。第一孔1326可以被配置为将第一紧固件1304穿过中间设备1320来将第一中间层1322和第二中间层1324(以及，替代地，第三中间层1328和/或第四中间层1330)固定至掩模版平台部分1302和第一基板1310。
中间设备1320被配置成作为磁性致动器(Z方向)设备1300在受到外力的情况下的第一失效点或破损点。中间设备1320可以充当牺牲设备或牺牲层，以便保护掩模版平台部分1302和第一基板1310，并且减少磁性致动器(Z方向)设备1300中的破损和热应力。当向磁性致动器(Z方向)设备1300施加力或应力时，中间设备1320将在掩模版平台部分1302的破损或破裂之前以阈值力破损、破裂或挠曲，以便吸收受到的所述外力或应力的能量。例如，中间设备1320将在约15N的阈值力的情况下破损、破裂或挠曲，而掩模版平台部分1302稳定到高达约40N的阈值力。
如图13A所示，中间设备1320可以包括第一中间层1322和第二中间层1324。如图13B所示，中间设备1320还可以包括第三中间层1328和/或第四中间层1330，它们类似于第一中间层1322和第二中间层1324。第一中间层1322和第二中间层1324可以是任何合适的形状或大小以及有助于将掩模版平台部分1302以及第一基板1310附接或固定在一起的任何材料。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以是相同的。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以是不同的。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以是薄四边形或长方体。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以是薄盘状物或圆柱体。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以是绝缘体，例如塑料。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以是金属，例如铝。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以被配置成设置或控制磁性致动器(Z方向)设备1300的预定厚度。例如，第一中间层1322和第二中间层1324可以具有基本上均匀的厚度(高度)，以便形成基本上均匀的磁性致动器(Z方向)设备1300的厚度，例如，在第一基板1310与掩模版平台部分1302之间约200nm到约5mm。
在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括陶瓷。例如，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括玻璃或回火玻璃即钢化玻璃，例如
Figure BDA0003211401580000331
在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括聚合物。例如，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括塑料、含氟聚合物、聚四氟乙烯(例如
Figure BDA0003211401580000332
)、全氟橡胶(例如
Figure BDA0003211401580000333
)、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚醚酰亚胺(例如
Figure BDA0003211401580000334
)、热塑性塑料或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括金属。例如，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括铝、铜(例如无氧高导热性)、铟、镁、镁合金(例如AZ80A-T5)、钼、钢、钢合金(例如
Figure BDA0003211401580000335
)、金、银、镍或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括涂层。例如，所述涂层可以是单层或多层，并且可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1322和/或第二中间层1324可以是第一基板1310上的涂层。例如，如图13B所示，第一中间层1322、第二中间层1324、第三中间层1328、和第四中间层1330可以是第一基板1310上的涂层。
在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括与掩模版平台部分1302的刚度基本上相等的刚度。例如，第一中间层1322和第二中间层1324以及掩模版平台部分1302均可以包括高刚度材料，例如，刚度大于1MN/m。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以具有比掩模版平台部分1302的弹性模量(E)更低的弹性模量(E)。例如，掩模版平台部分1302可以包括约65GPa的弹性模量，而第一中间层1322和第二中间层1324可以包括约10GPa的较低弹性模量。
在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括与掩模版平台部分1302的抗压强度基本上相等的抗压强度。例如，第一中间层1322和第二中间层1324以及掩模版平台部分1302均可以包括高抗压强度材料，例如，抗压强度大于1MPa。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以具有比掩模版平台部分1302的极限抗拉强度(UTS)更低的极限抗拉强度(UTS)。例如，掩模版平台部分1302可以包括约65MPa的UTS，而第一中间层1322和第二中间层1324可以包括约10MPa的较低UTS。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以具有比掩模版平台部分1302的屈服强度更低的屈服强度(YS)。例如，掩模版平台部分1302可以包括约65MPa的屈服强度，而第一中间层1322和第二中间层1324可以包括约10MPa的较低的屈服强度。
在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括与掩模版平台部分1302的CTE基本上相等的CTE。例如，第一中间层1322和第二中间层1324以及掩模版平台部分1302均可以包括低CTE材料或ULE材料。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括低CTE材料或ULE材料。例如，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括
Figure BDA0003211401580000341
钢化陶瓷、或塑料，横截面厚度为约200nm至约5mm。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。
在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以具有比掩模版平台部分1302的横截面积更小的横截面积。例如，掩模版平台部分1302可以包括约100mm2的横截面积，而第一中间层1322和第二中间层1324可以包括约1mm2至约50mm2的较小的横截面积。在一些实施例中，第一中间层1322和第二中间层1324可以具有比掩模版平台部分1302的表面粗糙度更大的表面粗糙度。例如，第一中间层1322和第二中间层1324可以包括约100nm的平均表面粗糙度，而掩模版平台部分1302可以包括约10nm的平均表面粗糙度。
图14A示出了根据本公开的一些实施例的如图10所指示的示例性连接器设备1400的横截面示意图。连接器设备1400类似于图2和图3所示的结合设备200以及图4和图5所示的紧固设备400。如图14A所示，连接器设备1400可以呈与图4和图5所示的紧固设备400的紧固配置类似的紧固配置。替代地，在一些实施例中，连接器设备1400可以呈与图2和图3所示的结合设备200的结合配置类似的结合配置。连接器设备1400可以包括掩模版平台部分1402、第一基板1410、第二基板1412、连接器端口1404、第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408、第四紧固件1409以及中间设备1420。在一些实施例中，连接器设备1400可以在光刻设备LA中实现。
掩模版平台部分1402可以是图6至图9所示的掩模版平台600的一部分。如图14A所示，掩模版平台部分1402可以被设置在顶部平台表面604下方或附近。掩模版平台部分1402可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，掩模版平台部分1402可以包括低CTE材料或ULE材料，例如
Figure BDA0003211401580000351
在一些实施例中，掩模版平台部分1402可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。在一些实施例中，掩模版平台部分1402可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或任何其它合适的材料。
第一基板1410可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第一基板1410可以是用于连接器710的陶瓷底盖。在一些实施例中，第一基板1410可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件(例如螺栓、夹具、螺母、弹簧等)固定的任何其它合适材料。第二基板1412可以是任何形状或大小以及任何材料。例如，第二基板1412可以是掩模版平台600的掩模版平台部分1402和/或顶部平台表面604。在一些实施例中，第二基板1412可以是金属、绝缘体、陶瓷、磁性材料、玻璃、光学器件、或可以由紧固件固定的任何其它合适材料。在一些实施例中，第一基板1410可以是金属，而第二基板1412(即，掩模版平台部分1402)可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000361
等)。在一些实施例中，第二基板1412可以是金属，而第一基板1410可以是陶瓷(例如，玻璃、
Figure BDA0003211401580000362
等)。在一些实施例中，第一基板1410和第二基板1412可以是相同的材料，例如，金属或玻璃。
如图14A所示，第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409可以被联接到第一基板1410和第二基板1412(即，掩模版平台部分1402)。第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409可以被配置为将中间设备1420固定至第一基板1410和第二基板1412，并且相对于另一基板固定第一基板1410和第二基板1412。第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409可以包括紧固件(例如，螺栓、螺母、夹具、弹簧等)。例如，如图13A所示，第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和第四紧固1409可以包括螺栓。在一些实施例中，第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409可以被配置成将掩模版平台部分1402和第一基板1410附接在一起。如图14A所示，连接器设备1400可以呈紧固配置，使得第一基板1410由第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409固定至掩模版平台部分1402。在一些实施例中，第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409可以在掩模版平台部分1402与第一基板1410之间围绕或通过中间设备1420延伸。在一些实施例中，第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。
图14B示出了如图14A所指示的连接器设备1400的横截面底部平面示意图。中间设备1420可以被设置在第一基板1410与第二基板1412之间。在一些实施例中，中间设备可以是衬垫。例如，如图14B所示，中间设备1420可以是平面衬垫，第一端口1426用于连接器端口1404，并且第一孔1427、第二孔1428、第三孔1429和/或第四孔1430用于对应的第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409。在一些实施例中，中间设备1420可以包括一个或更多个中间层。在一些实施例中，中间设备1420可以包括单层。例如，如图13A所示，中间设备1420可以包括第一中间层1422。第一中间层1422可以被设置在第一基板1410与掩模版平台部分1402之间。中间设备1420接触掩模版平台部分1402、第一基板1410以及第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409。在一些实施例中，中间设备1420可以包括一个或更多个孔或通孔。例如，如图14A所示，中间设备1420可以包括第一中间层1422，其具有第一端口1426用于连接器端口1404。例如，如图14B所示，第一中间层1422可以包括(例如围绕第一端口1426而对称地布置的)第一孔1427、第二孔1428、第三孔1429和/或第四孔1430。第一孔1427、第二孔1428、第三孔1429和/或第四孔1430可以被配置为分别将第一紧固件1406、第二紧固件1407、第三紧固件1408和/或第四紧固件1409穿过中间设备1420来将第一中间层1422固定到掩模版平台部分1402和第一基板1410。
中间设备1420被配置成作为连接器设备1400在受到所述外力的情况下的第一失效点或破损点。中间设备1420可以充当牺牲设备或牺牲层，以便保护掩模版平台部分1402和第一基板1410，并且减少连接器设备1400中的破损和热应力。当向连接器设备1400施加力或应力时，中间设备1420将在掩模版平台部分402的破损或破裂之前以阈值力破损、破裂或挠曲，以便吸收受到的所述外力或应力的能量。例如，中间设备1420将在约15N的阈值力的情况下破损、破裂或挠曲，而掩模版平台部分1402稳定到高达约40N的阈值力。
如图14A所示，中间设备1420可以包括第一中间层1422。第一中间层1422可以是任何合适的形状或大小以及有助于将掩模版平台部分1402和第一基板1410附接或固定在一起的任何材料。在一些实施例中，第一中间层1422可以是薄四边形或长方体。例如，如图14B所示，第一中间层1422可以呈用于气体或液体连接器的衬垫的形状。在一些实施例中，第一中间层1422可以是薄盘状物或圆柱体。在一些实施例中，第一中间层1422可以是绝缘体，例如塑料。在一些实施例中，第一中间层1422可以是金属，例如铝。在一些实施例中，第一中间层1422可以被配置成设置或控制连接器设备1400的预定厚度。例如，第一中间层1422可以具有基本上均匀的厚度(高度)，以便形成基本上均匀的连接器设备1400厚度，例如，在第一基板1410与掩模版平台部分1402之间约200nm到约5mm。
在一些实施例中，第一中间层1422可以包括陶瓷。例如，第一中间层1422可以包括玻璃或或回火玻璃即钢化玻璃，例如
Figure BDA0003211401580000381
在一些实施例中，第一中间层1422可以包括聚合物。例如，第一中间层1422可以包括塑料、含氟聚合物、聚四氟乙烯(例如
Figure BDA0003211401580000382
)、全氟橡胶(例如
Figure BDA0003211401580000383
)、聚醚醚酮、聚芳醚酮、聚醚酰亚胺(例如
Figure BDA0003211401580000384
)、热塑性塑料或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1422可以包括金属。例如，第一中间层1422可以包括铝、铜(例如无氧高导热性)、铟、镁、镁合金(例如AZ80A-T5)、钼、钢、钢合金(例如
Figure BDA0003211401580000385
)、金、银、镍或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1422可以包括涂层。例如，所述涂层可以是单层或多层，并且可以包括陶瓷、聚合物、金属或其任何组合。在一些实施例中，第一中间层1422可以是第一基板1410上的涂层。例如，如图14B所示，第一中间层1422可以是第一基板1410上的涂层。
在一些实施例中，第一中间层1422可以包括与掩模版平台部分1402的刚度基本上相等的刚度。例如，第一中间层1422和掩模版平台部分1402均可以包括高刚度材料，例如，刚度大于1MN/m。在一些实施例中，第一中间层1422可以具有比掩模版平台部分1402的弹性模量更低的弹性模量(E)。例如，掩模版平台部分1402可以包括约65GPa的弹性模量，而第一中间层1422可以包括约10GPa的较低弹性模量。
在一些实施例中，第一中间层1422可以包括与掩模版平台部分1402的抗压强度基本上相等的抗压强度。例如，第一中间层1422和掩模版平台部分1402均可以包括高抗压强度材料，例如，抗压强度大于1MPa。在一些实施例中，第一中间层1422可以具有比掩模版平台部分1402的极限抗拉强度(UTS)更低的极限抗拉强度(UTS)。例如，掩模版平台部分1402可以包括约65MPa的UTS，而第一中间层1422可以包括约10MPa的较低UTS。在一些实施例中，第一中间层1422可以具有比掩模版平台部分1402的屈服强度(YS)更低的屈服强度(YS)。例如，掩模版平台部分1402可以包括约65MPa的屈服强度，而第一中间层1422可以包括约10MPa的较低的屈服强度。
在一些实施例中，第一中间层1422可以包括与掩模版平台部分1402的CTE基本上相等的CTE。例如，第一中间层1422和掩模版平台部分1402都可以包括低CTE材料或ULE材料。在一些实施例中，第一中间层1422可以包括低CTE材料或ULE材料。例如，第一中间层1422可以包括
Figure BDA0003211401580000391
钢化陶瓷、或塑料，横截面厚度为约200nm至约5mm。在一些实施例中，第一中间层1422可以包括零CTE或基本上零CTE陶瓷。
在一些实施例中，第一中间层1422可以具有比掩模版平台部分1402的横截面积更小的横截面积。例如，掩模版平台部分1402可以包括约100mm2的横截面积，而第一中间层1422可以包括约1mm2至约50mm2的较小的横截面积。在一些实施例中，第一中间层1422可以具有比掩模版平台部分1402的表面粗糙度更大的表面粗糙度。例如，第一中间层1422可以包括约100nm的平均表面粗糙度，而掩模版平台部分1402可以包括约10nm的平均表面粗糙度。
可以使用以下方面进一步描述实施例：
1.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源用于向掩模版提供辐射能量；
掩模版平台，所述掩模版平台被配置成保持所述掩模版；和
中间设备，所述中间设备被联接至所述掩模版平台，所述中间设备包括：
第一基板；
第二基板；和
中间层，所述中间层被设置在所述第一基板和所述第二基板之间，
其中，所述中间层被配置成作为所述中间设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点，并且
其中，所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
2.根据方面1所述的设备，其中所述中间设备被配置成减少在受到外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。
3.根据方面1所述的设备，还包括联接至所述掩模版平台并且被配置成固定所述掩模版的夹具。
4.根据方面1所述的设备，其中辐射能量是极紫外(EUV)辐射。
5.根据方面1所述的设备，其中所述中间层包括
Figure BDA0003211401580000401
钢化陶瓷、或塑料。
6.一种用于光刻设备中的掩模版平台的设备，包括：
第一基板；
第二基板；和
中间层，所述中间层被设置在所述第一基板与所述第二基板之间，
其中，所述中间层被配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点，并且
其中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成减少在受到所述外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。
7.根据方面6所述的设备，其中所述中间层具有与所述第二基板的刚度、抗压强度或热膨胀系数基本上相等的刚度、抗压强度或热膨胀系数。
8.根据方面6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的极限抗拉强度更低的极限抗拉强度。
9.根据方面6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的横截面积更小的横截面积。
10.根据方面6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的表面粗糙度更大的表面粗糙度。
11.根据方面6所述的设备，其中所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
12.根据方面11所述的设备，其中所述中间层包括
Figure BDA0003211401580000411
钢化陶瓷、或塑料。
13.根据方面6所述的设备，其中所述第二基板包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
14.根据方面6所述的设备，还包括被设置在所述第一基板与所述第二基板之间的结合层，其中所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和所述第二基板。
15.根据方面14所述的设备，其中所述中间层包括被配置成给所述结合层通风的凹槽。
16.根据方面14所述的设备，其中所述结合层包括环氧树脂、弹性体、或热塑性塑料。
17.一种用于光刻设备中的掩模版平台的设备，包括：
第一基板；
第二基板；
中间层，所述中间层被设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中所述中间层被配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点；和
联接至所述第一基板与第二基板的紧固件，其中所述紧固件被配置成将所述中间层固定到所述第一基板和所述第二基板，并且其中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成减少在受到外力的情况下对所述掩模版平台的损坏。
18.根据方面17所述的设备，其中所述中间层具有比所述第一基板和第二基板的弹性模量更低的弹性模量。
19.根据方面17所述的设备，其中所述中间层具有比所述第一基板和第二基板的屈服强度更低的屈服强度。
20.根据方面17所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的横截面积更小的横截面积。
21.根据方面17所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的表面粗糙度更大的表面粗糙度。
22.根据方面17所述的设备，其中所述中间层包括聚合物或金属。
23.根据方面17所述的设备，其中所述中间层包括涂覆至所述第一基板或所述第二基板的涂层。
24.根据方面17所述的设备，还包括第二中间层，所述第二中间层被设置在所述第一基板与所述紧固件之间或所述第二基板与所述紧固件之间。
25.根据方面17所述的设备，其中所述紧固件包括螺栓、螺母、夹具、弹簧或它们的一些组合。
虽然在本文中可以具体参考在IC制造中光刻设备的使用，但是应理解，本文所描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和探测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
虽然在本文中可以在光刻设备的情境中具体提及本公开的实施例，但是本公开的实施例可以在其它设备中使用。本公开的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类物体的任何设备的一部分。这些设备通常称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
虽然上文可能已经具体提及了本公开的实施例在光学光刻的情境中的使用，但是应当理解，在情境允许的情况下，本公开不限于光学光刻术，并且可以在其它应用中使用，例如压印光刻术。
应理解，本文的措辞或术语是出于描述而非限制的目的，使得本说明书的术语或措辞将由相关领域的技术人员根据本文中的教导来解释。
上文的示例是图示而不是限制本公开的实施例。通常在本领域中遇到且相关领域技术人员将明白的多个条件和参数的其它合适修改和调适在本公开的精神和范围内。
虽然本公开的具体实施例已经在上文中描述过，但是应当理解，可以按与所描述方式不同的其它方式来实践本公开。以上描述旨在是说明性而非限制性的。因此，本领域技术人员将清楚地看到，在不脱离下文阐述的权利要求书的范围的情况下，可以对本发明进行修改。
应了解，具体实施方式部分而不是发明内容和摘要部分旨在用于解释权利要求。发明内容和摘要部分可以阐述由发明人所预期的一个或更多个但不是所有的本发明的示例性实施例，因此，并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。
上文已经借助于示出特定功能及其关系的实现方式的功能构造块描述了本发明。为了描述的方便，在这里已经任意定义了这些功能构造块的边界。只要适当执行指定的功能及其关系，就可以定义其它边界。
具体实施例的前述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，在不背离本发明的整体构思且不进行过度实验的情况下，其他人可以通过应用本领域技术范围内的知识容易地针对各种应用修改和/或调适这些具体实施例。因此，基于本文展示的教导和指导，这些调适和修改旨在落入所公开实施例的等同方案的含义和范围内。
本发明的广度和范围不应受任一上述的示例性实施例限制，而应仅由下述的权利要求书及其等同方案来限定。

Claims (16)

1.一种光刻系统，包括：
辐射源，所述辐射源用于向掩模版提供辐射能量；
掩模版平台，所述掩模版平台被配置成保持所述掩模版；和
联接至所述掩模版平台的中间设备，所述中间设备包括：
第一基板；
第二基板；和
中间层，所述中间层设置在所述第一基板和所述第二基板之间，
其中，所述中间层被配置成作为所述中间设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点，并且
其中，所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述中间设备被配置成在受到所述外力的情况下降低对所述掩模版平台的损坏。
3.根据权利要求1所述的设备，还包括联接至所述掩模版平台并且被配置成固定所述掩模版的夹具。
4.根据权利要求1所述的设备，其中辐射能量是极紫外(EUV)辐射。
5.根据权利要求1所述的设备，其中所述中间层包括
Figure FDA0003211401570000011
钢化陶瓷、或塑料。
6.一种用于光刻设备中的掩模版平台的设备，包括：
第一基板；
第二基板；和
中间层，所述中间层设置在所述第一基板与所述第二基板之间，其中，所述中间层被配置成作为所述设备在受到外力的情况下的第一失效点或破损点，并且
其中，所述设备被联接至所述掩模版平台，并且被配置成在受到所述外力的情况下降低对所述掩模版平台的损坏。
7.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有与所述第二基板的刚度、抗压强度或热膨胀系数大致相等的刚度、抗压强度或热膨胀系数。
8.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的极限抗拉强度更低的极限抗拉强度。
9.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的横截面积更小的横截面积。
10.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层具有比所述第二基板的表面粗糙度更大的表面粗糙度。
11.根据权利要求6所述的设备，其中所述中间层包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
12.根据权利要求11所述的设备，其中所述中间层包括
Figure FDA0003211401570000021
钢化陶瓷、或塑料。
13.根据权利要求6所述的设备，其中所述第二基板包括低热膨胀系数或超低膨胀材料。
14.根据权利要求6所述的设备，还包括被设置在所述第一基板与所述第二基板之间的结合层，其中所述结合层被配置成将所述中间层结合到所述第一基板和所述第二基板。
15.根据权利要求14所述的设备，其中所述中间层包括被配置成给所述结合层通风的凹槽。
16.根据权利要求14所述的设备，其中所述结合层包括环氧树脂、弹性体、或热塑性塑料。
CN202080014571.4A 2019-02-13 2020-01-27 用于机械接口的中间层 Pending CN113454535A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962804915P 2019-02-13 2019-02-13
US62/804,915 2019-02-13
PCT/EP2020/051950 WO2020164898A1 (en) 2019-02-13 2020-01-27 Intermediate layer for mechanical interface

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113454535A true CN113454535A (zh) 2021-09-28

Family

ID=69500705

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080014571.4A Pending CN113454535A (zh) 2019-02-13 2020-01-27 用于机械接口的中间层

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11927889B2 (zh)
KR (1) KR20210124997A (zh)
CN (1) CN113454535A (zh)
NL (1) NL2024764A (zh)
WO (1) WO2020164898A1 (zh)

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030162104A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Hoya Corporation Reflective-type mask blank for exposure, method of producing the same, and reflective-type mask for exposure
US6808952B1 (en) * 2002-09-05 2004-10-26 Sandia Corporation Process for fabricating a microelectromechanical structure
US20050132750A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Method for joining at least a first member and a second member, lithographic apparatus and device manufacturing method, as well as a device manufactured thereby
US20060043567A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Palanduz A C Substrate having a functionally gradient coefficient of thermal expansion
CN101086628A (zh) * 2006-06-06 2007-12-12 Asml荷兰有限公司 光刻设备与器件制造方法
WO2009032197A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-12 Corning Incorporated Glass-ceramic and glass-ceramic/ceramic composite semiconductor manufacturing article support devices
CN101391496A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 精工爱普生株式会社 带有接合膜的基材、接合方法及接合体
CN102159997A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射光学元件及其制造方法
US20160126215A1 (en) * 2013-05-27 2016-05-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for assembling two substrates of different natures via a ductile intermediate layer

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7310132B2 (en) 2006-03-17 2007-12-18 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20180059936A (ko) * 2015-10-06 2018-06-05 에이에스엠엘 홀딩 엔.브이. 리소그래피 장치의 물체를 유지하는 척과 클램프 및 리소그래피 장치의 클램프에 의해 유지되는 물체의 온도를 제어하는 방법

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030162104A1 (en) * 2002-02-22 2003-08-28 Hoya Corporation Reflective-type mask blank for exposure, method of producing the same, and reflective-type mask for exposure
US6808952B1 (en) * 2002-09-05 2004-10-26 Sandia Corporation Process for fabricating a microelectromechanical structure
US20050132750A1 (en) * 2003-12-22 2005-06-23 Asml Netherlands B.V. Method for joining at least a first member and a second member, lithographic apparatus and device manufacturing method, as well as a device manufactured thereby
US20060043567A1 (en) * 2004-09-02 2006-03-02 Palanduz A C Substrate having a functionally gradient coefficient of thermal expansion
CN101086628A (zh) * 2006-06-06 2007-12-12 Asml荷兰有限公司 光刻设备与器件制造方法
WO2009032197A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-12 Corning Incorporated Glass-ceramic and glass-ceramic/ceramic composite semiconductor manufacturing article support devices
CN101391496A (zh) * 2007-09-21 2009-03-25 精工爱普生株式会社 带有接合膜的基材、接合方法及接合体
CN102159997A (zh) * 2008-09-19 2011-08-17 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射光学元件及其制造方法
US20160126215A1 (en) * 2013-05-27 2016-05-05 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Method for assembling two substrates of different natures via a ductile intermediate layer

Also Published As

Publication number Publication date
US20220113639A1 (en) 2022-04-14
NL2024764A (en) 2020-08-19
US11927889B2 (en) 2024-03-12
WO2020164898A1 (en) 2020-08-20
KR20210124997A (ko) 2021-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11697281B2 (en) Device and method for bonding substrates
US6859337B2 (en) Optical-element mountings exhibiting reduced deformation of optical elements held thereby
US8098475B2 (en) Electrostatic clamp, lithographic apparatus and method of manufacturing an electrostatic clamp
JP5960154B2 (ja) 静電クランプ、リソグラフィ装置、および静電クランプの製造方法
US8416386B2 (en) Conforming seats for clamps used in mounting an optical element, and optical systems comprising same
CN109073990B (zh) 衬底支撑件、光刻设备和装载方法
CN113454535A (zh) 用于机械接口的中间层
CN113993799A (zh) 光刻设备的基板搬运系统及其方法
KR102315472B1 (ko) 물체 유지 장치, 처리 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 물체 유지 방법
JP2002530880A (ja) 基板支持装置
JP2007088241A (ja) 押圧装置および押圧方法
US20220146948A1 (en) Electrostatic clamp for a lithographic apparatus
US20230075162A1 (en) Reticle Gripper Damper and Isolation System for Lithographic Apparatuses
CN107003623B (zh) 光刻系统的连接配置
WO2024115033A1 (en) Electrostatic clamp, gripper assembly including the clamp, lithographic system comprising an electrostatic clamp, and method of making an electrostatic clamp
CN116075779A (zh) 基板和衬底组件
JP2021057432A (ja) 搬送装置、基板保持装置、ステージ装置、基板処理装置及びデバイス製造方法
CN113811819A (zh) 缓冲器装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination