CN113811819A - 缓冲器装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于保护掩模版的缓冲器装置包括基础结构、第一细长元件和第二细长元件、接触件和恢复元件。第一细长元件和第二细长元件每个包括远端和近端。第一元件和第二元件的近端附接到基础结构。接触件设置在第一细长元件和第二细长元件的远端的端部处。第一细长元件和第二细长元件响应于由掩模版引起的接触力而变形。恢复元件附接到第一细长元件和第二细长元件。恢复元件生成抵抗第一细长元件和第二细长元件的变形的恢复力。

Description

缓冲器装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年5月9日提交的美国临时专利申请号62/845,351的优先权，该申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本公开涉及缓冲器(bumper)，例如，用于保护已经从光刻装置和系统中的掩模版台脱离接合的碰撞掩模版的缓冲器装置。
背景技术
光刻装置是一种被构造为将期望图案施加到衬底上的机器。光刻装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。例如，光刻装置可以将图案形成装置(例如，掩模、掩模版)的图案投影到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
为了在衬底上投影图案，光刻装置可以使用电磁辐射。这种辐射的波长决定了可以在衬底上形成的特征的最小尺寸。与使用例如波长为193nm的辐射的光刻装置相比，使用波长在4nm-20nm范围内(例如，为6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻装置可以用于在衬底上形成更小的特征。
缓冲器装置保护使用夹持机构保持在平台上的可互换可拆卸元件(例如，掩模版更换系统中的掩模版)。如果在平台经历加速时夹持机构发生故障或失去动力，则缓冲器装置接收掩模版并且吸收其动能(例如，掩模版碰撞)。当前的缓冲器装置容易损坏掩模版。因此，需要改进缓冲器装置以在碰撞期间以可靠且可重复的方式减少对掩模版的损坏。
发明内容
在一些实施例中，一种用于保护掩模版的缓冲器装置包括基础结构、第一细长元件和第二细长元件、接触件和恢复元件。第一细长元件和第二细长元件每个包括远端和近端。第一元件和第二元件的近端附接到基础结构。接触件设置在第一细长元件和第二细长元件的远端的端部处。第一细长元件和第二细长元件被配置为响应于由掩模版引起的接触力而变形。恢复元件附接到第一细长元件和第二细长元件。恢复元件被配置为生成抵抗第一细长元件和第二细长元件的变形的恢复力。
在一些实施例中，一种用于保护掩模版的缓冲器装置包括基础结构和柔性段。柔性段具有附接到基础结构的相对端。柔性段包括弯曲部和接触区域。柔性段被配置为响应于由掩模版引起的接触力而变形。变形包括在柔性段上形成新的接触区域以在两个或更多个接触区域之间重新分配掩模版在柔性段上的接触力。
在一些实施例中，一种用于保护掩模版的缓冲器装置包括基础结构和附接到基础结构的可压缩系统。可压缩系统被配置为响应于由掩模版引起的接触力而变形并且然后自恢复到标称形状。可压缩系统通过在给定停止距离上在掩模版上施加非线性力来吸收掩模版的动能。非线性力包括小于基本线性恢复元件在给定停止距离上吸收动能所需要的最大幅度的最大幅度和/或在可压缩系统的两个或更多个接触区域之间重新分配的力，其中两个或更多个接触区域被配置为在变形期间顺序地形成。
下面参考附图详细描述本发明的另外的特征和优点、以及本发明的各种实施例的结构和操作。注意，本发明不限于本文中描述的特定实施例。这样的实施例在本文中仅出于说明的目的而呈现。基于本文中包含的教导，其他实施例对于相关领域的技术人员将是很清楚的。
附图说明
并入本文中并且构成说明书的一部分的附图示出了本发明，并且与说明书一起进一步用于解释本发明的原理并且使得相关领域的技术人员能够制造和使用本发明。现在将仅通过示例并且参考附图来描述本发明的实施例，在附图中：
图1示出了根据一些实施例的光刻装置的示意图。
图2示出了根据一些实施例的掩模版台的透视示意图。
图3示出了图2的掩模版台的俯视图。
图4示出了根据一些实施例的掩模版更换装置的透视示意图。
图5示出了图4的掩模版更换装置的局部截面图。
图6A示出了根据一些实施例的接近配置的掩模版更换装置的部分示意图。
图6B示出了根据一些实施例的第一接触配置的掩模版更换装置的部分示意图。
图6C示出了根据一些实施例的全接触配置的掩模版更换装置的部分示意图。
图7示出了根据一些实施例的掩模版台的示意图。
图8示出了根据一些实施例的缓冲器装置的示意图。
图9示出了根据一些实施例的针对不同冲击吸收器的、作为位移的函数的力行为的图。
图10和图11示出了根据一些实施例的缓冲器装置的示意图。
当结合附图时，从下面阐述的详细描述中本发明的特征和优点将变得更加明显，其中相同的附图标记自始至终标识相应的元素。在附图中，相似的附图标记通常表示相同、功能相似和/或结构相似的元素。此外，通常，附图标记最左边的数字标识该附图标记第一次出现的图。除非另有说明，否则本公开中提供的附图不应当被解释为按比例绘制的附图。
具体实施方式
本说明书公开了合并本发明的特征的一个或多个实施例。所公开的(多个)实施例仅举例说明本发明。本发明的范围不限于所公开的(多个)实施例。本发明由所附的权利要求限定。
所描述的(多个)实施例以及说明书中对“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等的引用表明所描述的(多个)实施例可以包括特定特征、结构或特性，但每个实施例可能不一定包括该特定特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定是指相同的实施例。此外，当结合实施例描述特定特征、结构或特性时，应当理解，结合其他实施例(无论是否明确描述)实现这样的特征、结构或特性在本领域技术人员的知识范围内。
诸如“下方”、“下面”、“下部”、“上方”、“上面”、“上部”等空间相关术语在本文中可以用于描述方便以描述一个元件或特征与图中所示的(多个)另一元素或特征的关系。除了图中描绘的取向，空间相对术语旨在涵盖使用或操作中的设备的不同取向。该装置可以以其他方式定向(旋转90度或以其他取向)并且本文中使用的空间相对描述词同样可以相应地解释。
如本文中使用的，术语“约”指示可以基于特定技术而变化的给定量的值。基于特定技术，术语“约”可以指示给定量的值，该值在该值的10-30％(例如，该值的±10％、±20％或±30％)范围内变化。
本公开的实施例可以以硬件、固件、软件或其任何组合来实现。本公开的实施例还可以实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算设备)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪存设备；电、光、声或其他形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程和/或指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应当理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由计算设备、处理器、控制器或其他设备执行固件、软件、例程、指令等而产生的，并且这样做可以引起致动器或其他设备与物理世界交互。
然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现可以在其中实现本公开的实施例的示例环境是有益的。
示例性光刻系统
图1示出了包括辐射源SO和光刻装置LA的光刻系统。辐射源SO被配置为生成EUV辐射束B并且将EUV辐射束B提供给光刻装置LA。光刻装置LA包括照射系统IL、被配置为支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS和被配置为支撑衬底W的衬底台WT。
照射系统IL被配置为在EUV辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节EUV辐射束B。此外，照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起提供具有期望横截面形状和期望强度分布的EUV辐射光束B。除了或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL可以包括其他反射镜或装置。
在如此调节之后，EUV辐射束B与图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，生成了经图案化的EUV辐射束B'。投影系统PS被配置为将经图案化的EUV辐射束B'投影到衬底W上。为此，投影系统PS可以包括被配置为将经图案化的EUV辐射束B'投影到由衬底台WT保持的衬底W上的多个反射镜13、14。投影系统PS可以对经图案化的EUV辐射束B'应用缩减因子，从而形成具有小于图案形成装置MA上的对应特征的特征的图像。例如，可以应用为4或8的缩减因子。尽管投影系统PS在图1中被示出为仅具有两个反射镜13、14，但是投影系统PS可以包括不同数目的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。
衬底W可以包括预先形成的图案。在这种情况下，光刻装置LA将由经图案化的EUV辐射束B'形成的图像与先前形成在衬底W上的图案对准。
可以在辐射源SO、照射系统IL和/或投影系统PS中提供相对真空，即，压力远低于大气压的少量气体(例如，氢气)。
辐射源SO可以是激光产生等离子体(LPP)源、放电产生等离子体(DPP)源、氢等离子体源、自由电子激光器(FEL)、或能够生成EUV辐射的任何其他辐射源。
示例性掩模版台
图2和图3示出了根据一些实施例的示例性掩模版台200的示意图。掩模版台200可以包括顶台表面202、底台表面204、侧台表面206和夹具300。在一些实施例中，可以在光刻装置LA中实现具有夹具300的掩模版台200。例如，掩模版台200可以是光刻装置LA中的支撑结构MT。在一些实施例中，夹具300可以设置在顶台表面202上。例如，如图2所示，夹具300可以设置在顶台表面202的中心处，其中夹具正面302垂直背对顶台表面202。
在一些光刻装置(例如，光刻装置LA)中，具有夹具300的掩模版台200可以用于保持和定位掩模版408以用于扫描或图案化操作。在一个示例中，掩模版台200可能需要强大的驱动器、大的平衡质量和沉重的框架来支撑它。在一个示例中，掩模版台200可以具有大的惯性并且重量可以超过500kg以推动和定位重约0.5kg的掩模版408。为了完成在光刻扫描或图案化操作中常见的掩模版408的往复运动，可以通过由驱动掩模版台200的线性电机提供加速和减速力。
在一些实施例中，如图2和图3所示，掩模版台200可以包括用于定位操作的第一编码器212和第二编码器214。例如，第一编码器212和第二编码器214可以是干涉仪。第一编码器212可以沿着第一方向附接，例如，掩模版台200的横向方向(即，X方向)。而第二编码器214可以沿着第二方向附接，例如，掩模版台200的纵向方向(即，Y方向)。在一些实施例中，如图2和图3所示，第一编码器212可以与第二编码器214正交。
如图2和图3所示，掩模版台200可以包括夹具300。夹具300被配置为将掩模版408保持在掩模版台200上的固定平面中。夹具300包括夹具正面302并且可以设置在顶台表面202上。在一些实施例中，夹具300可以使用机械、真空、静电或其他合适的夹持技术来保持和固定物体。在一些实施例中，夹具300可以是静电夹具，该静电夹具可以被配置为将物体(例如，掩模版408)静电夹持(即，保持)在真空环境中。由于EUV辐射需要在真空环境中进行，因此不能使用真空夹具来夹持掩模或掩模版，而可以使用静电夹具。例如，夹具300可以包括电极、电极上的电阻层、电阻层上的介电层和从介电层突出的突节。在使用中，电压可以被施加到夹具300，例如几kV。并且电流可以流过电阻层，使得电阻层的上表面处的电压与电极的电压基本相同并且生成电场。此外，库仑力(即，极性相反的带电粒子之间的吸引力)将物体吸引到夹具300并且将物体保持在适当位置。在一些实施例中，夹具300可以是刚性材料，例如金属、电介质、陶瓷或其组合。
示例性掩模版更换装置(reticle exchange apparatus)
图4至图6示出了根据一些实施例的示例性掩模版更换装置100的示意图。例如，掩模版更换装置100可以被配置为最小化掩模版更换时间、粒子生成、和来自夹具300和/或掩模版408的接触力或应力，以减少对夹具300和掩模版408的损坏并且增加掩模版更换过程中的生产量，例如，在光刻装置LA中。
如图4和图5所示，掩模版更换装置100可以包括掩模版台200、夹具300和真空机器人400。真空机器人400可以包括掩模版处理器402。
在一些实施例中，掩模版处理器402可以是快速更换装置(RED)，该RED被配置为有效地旋转并且最小化掩模版更换时间。例如，掩模版处理器402可以通过将多个掩模版从一个位置基本上同时而不是连续地移动到另一位置来节省时间。
在一些实施例中，如图4所示，掩模版处理器402可以包括一个或多个掩模版处理器臂404。掩模版处理器臂404可以包括掩模版基板406。掩模版基板406可以被配置为保持物体，例如掩模版408。
在一些实施例中，掩模版基板406可以是用于掩模版的极紫外内盒(EIP)。在一些实施例中，掩模版基板406包括掩模版基板正面407，并且掩模版408包括掩模版背面409。
在一些实施例中，如图4和图5所示，掩模版基板406可以保持掩模版408，使得掩模版基板正面407和掩模版背面409每个面向顶台表面202和夹具正面302。例如，掩模版基板正面407和掩模版背面409可以垂直背对顶台表面202和夹具正面302。
如图5所示，掩模版更换装置100可以包括掩模版更换区域410，掩模版更换区域410是在掩模版更换过程中夹具300、掩模版408、掩模版基板406和掩模版处理臂404之间的横截面区域。
在一些实施例中，如图4所示，掩模版处理器臂404可以关于掩模版处理器402对称布置。例如，掩模版处理器臂404可以彼此间隔约90度、120度或180度。在一些实施例中，掩模版处理器臂404可以关于掩模版处理器402非对称地布置。例如，两个掩模版处理器臂404可以彼此间隔约135度，而另外两个掩模版处理器臂404可以彼此间隔约90度。
在一个示例中，在掩模版更换过程中，掩模版处理器402的掩模版处理器臂404将掩模版基板406上的掩模版408朝着掩模版更换区域410中的夹具300定位。如上所述，从掩模版处理器402到夹具300的掩模版切换包括未知掩模版位置偏移，该偏移包括掩模版竖直距离偏移(即，Z方向偏移)和掩模版倾斜偏移(即，RX偏移和RY偏移)。夹具300与掩模版408之间的倾斜或过度未对准可能是粒子生成的来源，并且随着时间的推移会损坏掩模版408或夹具300。掩模版背面409和夹具正面302应当共面对准以进行最终切换。尽管进行了校准，但由于掩模版机械和定位公差的原因，仍然存在变化，这会导致夹具300与掩模版408之间的高的角冲击和不可预测的第一接触点。
在一个示例中，掩模版更换过程可以涉及降低具有夹具300的掩模版台200(夹具300开始远离掩模版处理器402)，尽可能靠近掩模版408，直到夹具300接触掩模版408以解决所有可能的偏移和/或倾斜。在掩模版更换过程中，带有夹具300的掩模版台200可以在多阶段运动中被调节。
如图6A至图6C所示，掩模版更换装置100可以包括夹具300、掩模版408和掩模版基板406。多阶段运动可以发生在四个阶段：(1)接近；(2)第一接触；(3)充分接触；(4)施加到夹具的电压。
首先，如图6A所示，掩模版更换装置100可以处于接近配置20，并且夹具300可以在基本竖直方向(即，Z方向)上朝着掩模版背面409被调节。在接近配置20中，夹具300关闭(即，没有被施加电压)，并且掩模版处理器402停用掩模版更换区域410中的掩模版处理器臂404的竖直方向(即，Z方向)和倾斜(即，RX和RY，分别绕X方向旋转和绕Y方向旋转)伺服电机。电机(即，Z、RX和RY)制动并且围绕Z方向的旋转(即，RZ)激活。
其次，如图6B所示，掩模版更换装置100可以处于第一接触配置30，并且夹具300可以在基本竖直方向(即，Z方向)上朝着掩模版背面409被调节，直到夹具300与掩模版背面409接触。在第一接触配置中，夹具300关闭，并且夹具300与掩模版背面409(例如，掩模版408的角部)接触，并且然后围绕接触点(即，RX和RY)旋转或倾斜。
第三，如图6C所示，掩模版更换装置100可以处于全接触配置40，并且夹具300可以围绕接触点(即，RX和RY)朝着掩模版背面409被旋转地调节，直到夹具300与掩模版背面409完全接触。在全接触配置40中，夹具300关闭，并且夹具300与掩模版背面409(例如，掩模版408的所有四个角)完全接触，并且与掩模版背面409共面。
在一些实施例中，在全接触配置40中，夹具300与掩模版408的所有四个角接触并且继续在基本竖直方向(即，Z方向)上移动，直到达到至少5N的机械力。
第四，在夹具正面302和掩模版背面409对准和共面的情况下，夹具300打开(即，电压被施加到夹具300)，并且掩模版408被保持在夹具300上的固定平面中。
在一些实施例中，如图5所示，掩模版更换装置100可以包括夹具控制器360。夹具控制器360可以耦合到夹具300并且被配置为控制夹具300的位置。例如，夹具控制器360可以被配置为控制掩模版台200以允许夹具300的顺应运动。在一些实施例中，夹具控制器360可以耦合到掩模版台200和/或夹具300的伺服电机或伺服致动器(即，X方向、Y方向、Z方向、RX、RY、RZ)。例如，夹具控制器360可以控制带有夹具300的掩模版台200沿着x轴、y轴和z轴(即，X方向、Y方向、Z方向)的平移以及围绕x轴、y轴和z轴的旋转(即，RX、RY、RZ)，其中x轴、y轴和z轴是正交坐标。
示例性缓冲器装置
掩模版是一种用于在衬底上赋予图案的关键且敏感的组件。掩模版的损坏无论多么轻微在更换损坏的掩模版时通常需要代价高昂的生产停机和维护。在碰撞过程中，例如，当将掩模版固定到其主掩模版台的夹具停止其夹持功能(例如，静电夹具失去功率)并且掩模版台经历加速时，掩模版可能会损坏。当遇到掩模版台上的一个或多个固定结构(例如，缓冲器)时，掩模版将相对于掩模版台停止移动。缓冲器被设计为吸收掩模版的动能。
图7示出了根据一些实施例的掩模版台700的示意图。图7中的视图是类似于例如图2和图3中的顶台表面202的表面。在一些实施例中，掩模版台700包括夹具702、闩锁(latch)704和缓冲器装置706。掩模版台700被配置为支撑掩模版708。闩锁704和缓冲器装置706在掩模版708将被设置在其中的区域的外部附接到掩模版台700。在一些实施例中，夹具702被配置为当掩模版台700支撑掩模版708时将掩模版708接合(例如，固定)到掩模版台700。在一些实施例中，夹具702包括使用库仑势来吸引和接合掩模版708的静电夹具。
闩锁704和缓冲器装置706在掩模版708意外地与掩模版台700脱离接合的情况下特别有用。在一些实施例中，闩锁704被配置为枢转以与掩模版708交叠。闩锁704还被配置为限制平台在Z方向上的运动(例如，在图7中的页面之外)。缓冲器装置706被配置为当掩模版708在X和Y方向上(例如，在图7中的页面平面中)相对于掩模版台700移动时接收并且接触掩模版708。缓冲器装置706还被配置为以受控方式吸收掩模版708的动能以减少施加在掩模版708上的冲击力。通过耗散力(例如，阻力、摩擦、声耗散等)使掩模版708静止。
图8示出了根据一些实施例的缓冲器装置800的示意图。在一些实施例中，缓冲器装置800包括基础结构802和细长元件804(例如，挠曲件)。细长元件804包括接触件(contact piece)806。在一些实施例中，缓冲器装置800包括细长元件808。细长元件808包括接触件810。细长元件804和细长元件808每个包括近端和远端。细长元件804和细长元件808的近端附接到基础结构802。接触件806设置在细长元件804的远端处。接触件810设置在细长元件808的远端处。细长元件804是直的细长元件。细长元件808是弯曲的细长元件(例如，具有弯头(elbow))。缓冲器装置800可以在掩模版台上实现，例如代替掩模版台700上的缓冲器装置706(图7)。
在一些实施例中，缓冲器装置800被配置为保护掩模版812。当掩模版812在其主平台运动时变为脱离接合时，掩模版812可能与接触件806和接触件810中的任何一者或两者碰撞。细长元件804和/或细长元件808响应于由掩模版812引起的接触力而变形(例如，弯曲)。变形具有挠曲变化以吸收和软化对掩模版812的冲击。细长元件804和细长元件808被定向以接收掩模版812的动量的垂直分量(例如，X/Y方向)。技术人员将理解，除了图8所示的之外，缓冲器装置800的各种其他配置是可能的。例如，为了吸收掩模版的X/Y动量，缓冲器装置800可以布置有仅弯头细长元件、仅直的细长元件、每个具有一个细长元件的两个基础结构等。
挠曲件冲击吸收器(flexure impact absorber)(例如，缓冲器装置)可以具有类似于弹簧的压缩力关系(例如，F＝kΔx，其中F是力，k是弹簧常数，Δx是压缩或弯曲产生的位移)。由于这种类型的冲击吸收器吸收的能量与kΔx2成比例，因此挠曲件/弹簧式吸收器的力-能量关系为E∝FΔx。吸收大量能量的一种简单方法是增加挠曲件或弹簧可以位移的范围Δx。然而，在光刻装置中的掩模版台上，Δx的范围可以被认为是相对有限的，因为缓冲器装置附近的自由空间的量非常有限。由于Δx难以调节，所以掩模版的动能的吸收主要由力F决定。这里存在一个挑战——随着力的增加，掩模版损坏的风险也会增加。另一挑战是，随着力的增加，弯曲件冲击吸收器的永久变形的风险也会增加，这通常会导致昂贵的维修费用。本公开的实施例提供了克服这些挑战的结构和操作。
图9示出了根据一些实施例的针对不同冲击吸收器的作为位移的函数的力行为的图900。在图900中，纵轴表示由位移的冲击吸收器施加的力，而横轴表示由于压缩或弯曲产生的冲击吸收器的位移。在一些实施例中，绘图线902表示弹簧或弯曲件冲击吸收器的力响应。绘图线904表示屈曲冲击吸收器的力响应。插图906、插图908和插图910分别描绘了弹簧、弯曲件和屈曲元件的操作模式。在插图906、插图908和插图910中，虚线结构表示相应冲击吸收器的偏转，而黑色箭头表示所施加力的方向。在图900的标签中，下标s、f和b分别表示弹簧、弯曲件和屈曲件。
在一些实施例中，弹簧或弯曲元件的力响应是线性的(例如，与位移基本上成正比)，如绘图线902所示。屈曲元件的力响应是非线性的(例如，基本上不同于与位移成正比，在不同机制的行为之间的力响应转变)，如绘图线904所示。绘图线904的行为可以被描述为至少具有快速上升区域912和较平坦区域916。与绘图线904的其他区域相比，快速上升区域912的特征在于具有高斜率(即，快速上升的力)。与快速上升区域912中的斜率相比，较平坦区域916的斜率小得多。换言之，对于大于阈值位移的位移，非线性力相对于非线性吸收器的位移的增加速率显著降低。阈值位移可以是单个值(例如，图9中的xo)或阈值区域914。
在图900中，曲线下方的面积表示冲击吸收器中存储的能量。换言之，曲线下方的面积可以表示与冲击吸收器碰撞的掩模版的动能(被冲击吸收器吸收)。因此，以给定能量冲击线性冲击吸收器(例如，如在绘图线902中)的掩模版将产生最大力Fsf,max并且使线性冲击吸收器位移最大xsf,max。相反，对于掩模版的相同给定能量，非线性冲击吸收器(例如，如在绘图线904中)产生最大力Fb,max并且将非线性冲击吸收器位移最大xb,max(即，假定两个曲线下方的面积相等)。如图900所示，与线性冲击吸收器相比，使用非线性冲击吸收器可以减少施加在掩模版上的最大力，同时还可以在较短距离内停止掩模版(Fb,max<Fsf,max并且xb,max<xsf,max)。因此，非线性冲击吸收器足以减少零件的力和体积。
图10示出了根据一些实施例的缓冲器装置1000的示意图。在一些实施例中，缓冲器装置1000包括基础结构1002、细长元件1004、细长元件1006、接触件1008和恢复元件1010。细长元件1004和细长元件1006每个包括近端、中间部分、远端。在一些实施例中，细长元件1004和细长元件1006是屈曲元件(即，它们具有非线性力响应)。在一些实施例中，恢复元件1010是弹簧。在一些实施例中，恢复元件1010是挠曲件。在一些实施例中，恢复元件1010是夹具(clip)。
性能良好的缓冲器装置可以通过例如适当选择材料、制造工艺和结构尺寸同时观察其他限制(例如，体积限制、化学稳定性)来实现。如图1所示，支撑台MT可以靠近照射系统IL设置。在该配置和其他配置中，支撑台MT(以及在其上实现的任何缓冲器装置)有可能暴露于生成用于照射掩模版的辐射的等离子体。因此，在一些实施例中，缓冲器装置1000(并且包括零件)可以包括不锈钢(例如，304、316、316L、420等)以更好地抵抗与掩模版和/或附近等离子体中的离子的化学相互作用。不锈钢呈现出用于实现缓冲器装置所需要的变形、屈曲和自恢复的合适的硬度和弹性。不锈钢也适用于很多制造工艺。例如，包括不锈钢的缓冲器装置1000可以使用整体制造(例如，从单个起始块)、分段制造、电火花加工(EDM)、计算机数控(CNC)加工和/或电解抛光等来制造。在一些实施例中，诸如电解抛光等工艺从缓冲器装置1000的不锈钢表面去除表面缺陷(例如，减少粗糙度、裂纹、锋利边缘、突起等)。表面缺陷的去除有助于防止缓冲器装置1000与来自附近等离子体的离子发生化学相互作用。
在一些实施例中，细长元件1004的长度在大约20mm-40mm之间(例如，图10中的页面平面中的较长尺寸X)。细长元件1004的厚度在大约50微米-1000微米之间(例如，图10中的页面平面中的较窄尺寸Y)。接触件1008和/或细长元件1004的高度在大约1mm-10mm之间(例如，图10中的页面外尺寸Z)。对于高度，期望接触件1008能够接触掩模版1108的整个高度以最大化接触力的传播(即，减小压力)。在一些实施例中，掩模版1012的高度大约为6.5mm。因此，以这种认知，针对接触件1008的高度标识1mm-10mm的指定范围。因此，在一些实施例中，接触件1008和/或细长元件1004的高度基本上匹配掩模版1012的高度，可能在早先给出的1mm-10mm范围之外。在一些实施例中，细长元件1006的尺寸与细长元件1004的尺寸相同或基本相似。细长元件1004和细长元件1006的尺寸与不锈钢的机械性能相结合适用于生成缓冲器装置中期望的冲击吸收、屈曲和自恢复特性。
在一些实施例中，细长元件1004和细长元件1006是直的细长元件。细长元件1004和细长元件1006的近端附接到基础结构1002。细长元件1004和细长元件1006可以使用例如整体制造、压配合或焊接附接到基础结构1002。接触件1008设置在细长元件1004和细长元件1006的远端处。接触件1008可以使用例如整体制造、压配合或焊接附接到细长元件1004和细长元件1006。恢复元件1010附接到细长元件1004和细长元件1006的中间部分。恢复元件1010可以使用例如整体制造、压配合或焊接附接到细长元件1004和细长元件1006。缓冲器装置1000可以在掩模版台上实现，例如代替掩模版台700上的缓冲器装置706(图7)。
在一些实施例中，缓冲器装置1000被配置为保护掩模版1012。当掩模版1012在其主平台运动时变为脱离接合时，掩模版1012可能与接触件1008碰撞(例如，在平台的移动改变期间)。细长元件1004和细长元件1006被配置为响应于由掩模版1012引起的接触力而变形(例如，屈曲)。细长元件1004和细长元件1006的屈曲力学合并参考图9描述的特征和优点(例如，减少施加在掩模版上的最大力和损坏)。例如，缓冲器装置1000被配置为响应于由掩模版1012引起的接触力而在掩模版1012上施加非线性力。技术人员将参考图9的描述理解缓冲器装置1000的其他功能。
由于屈曲元件具有变得永久变形的风险，因此，在一些实施例中，恢复元件1010被配置为生成抵抗(oppose)细长元件1004和细长元件1006的变形的恢复力以抵抗永久变形(即，缓冲器装置1000自恢复到标称形状)。在一些实施例中，细长元件1004被配置为远离细长元件1006弯曲，对于细长元件1006反之亦然(由箭头1014指示)。例如，这可以通过使恢复元件1010在由箭头1014指示的方向上向细长元件1004和细长元件1006施加较小的力来实现。在这种情况下，恢复元件1010被配置为当细长元件1004和细长元件1006变形时还原所施加的力的方向(例如，至恢复力)。在一些实施例中，细长元件1004和细长元件1006基本是直的，但也沿箭头1014的方向略微弯曲或向外弯曲。当缓冲器装置1000接收来自掩模版1012的冲击时，略微弯曲形状可以促进优选变形方向。
本领域技术人员将理解，缓冲器装置1000可以被设想为用于接收在二维方向上移动的掩模版1012的各种配置。例如，在一些实施例中，缓冲器装置1000的多次迭代可以用于接收掩模版1012—一个用于X分量，另一个用于Y分量(例如，放置在位置框1016处)。在一些实施例中，缓冲器装置1000的多次迭代可以具有共享的单一基础结构。
直到现在，已经在掩模版上的缓冲器装置的力减小的上下文中讨论了减小掩模版上的损坏。在另一观点中，碰撞掩模版损坏的原因是缓冲器装置施加在掩模版上的应力(stress)(例如，冲击点处的局部压力)。由于压力是作用在面积上的力，因此可以通过减小力、增加接触面积或减小力和增加接触面积这两者来减小掩模版上的压力。我们已经讨论了可以减小掩模版上的最大力的实施例。本公开的实施例还提供用于增加掩模版/缓冲器界面处的接触面积的结构和方法。
图11示出了根据一些实施例的处于不同变形阶段的缓冲器装置1100的示意图。在一些实施例中，缓冲器装置1100包括基础结构1102和柔性段1104。柔性段1104包括附接到基础结构1102的相对端部。柔性段1104是弯曲的。柔性段1104还包括接触区域1106。柔性段1104包括片簧(leaf spring)。
类似于缓冲器装置1000中的可变形组件，柔性段1104具有被设计为变形以及自恢复的构造。为了实现这一点，缓冲器装置1000(以及包括零件)可以包括不锈钢(例如，304、316、316L、420等)以更好地抵抗与掩模版和/或附近等离子体中的离子的化学相互作用。缓冲器装置1100可以使用整体制造、分段制造、EDM、CNC加工和/或电解抛光等来制造。在一些实施例中，使用电解抛光从缓冲器装置1000的不锈钢表面去除表面缺陷(例如，减少粗糙度、裂纹、锋利边缘、突起等)。
在一些实施例中，柔性段1104的长度在大约20mm-50mm之间(例如，图11中的页面平面中的较长尺寸Y)。柔性段1104的厚度在大约50微米-1000微米之间(例如，图10中的页面平面中的较窄尺寸X)。柔性段1104的高度在大约1mm-10mm之间(例如，图10中的页面外尺寸Z)。对于高度，期望接触区域1106能够接触掩模版1108的整个高度以最大化接触力的传播(即，减小压力)。在一些实施例中，掩模版1108的高度大约为6.5mm。因此，以这种认知，针对柔性段1104的高度标识1mm-10mm指定范围来标识。因此，在一些实施例中，柔性段1104的高度基本上匹配掩模版1108的高度，可能在早先给出的1mm-10mm范围之外。柔性段1104的弯曲部具有在50mm-150mm之间的曲率半径。曲率半径的范围通过考虑掩模版1108上的赫兹应力和可用体积的减小来确定(例如，太大的半径可能难以容纳在掩模版台上)。柔性段1104的尺寸与不锈钢的机械性能相结合适用于生成缓冲器装置中期望的冲击吸收、屈曲和自恢复特性。
在一些实施例中，柔性段1104可以使用例如整体制造、压配合或焊接附接到基础结构1102。缓冲器装置1100可以在掩模版台上实现，例如代替掩模版台700上的缓冲器装置706(图7)。
在一些实施例中，缓冲器装置1100被配置为保护掩模版1108。当掩模版1108在其主平台运动时变为脱离接合时，掩模版1108可能与接触区域1106碰撞(例如，在平台的移动改变期间)。柔性段1104被配置为响应于由掩模版1108引起的接触力而变形。插图1110和插图1112示出了柔性段1104的变形的连续阶段。当缓冲器装置1100吸收来自掩模版1108的冲击时，插图1110示出了从标称形状顺序地形成的两个新的接触区域1114。标称形状是与在与掩模版1108接触之前处于静止状态相对应的柔性段1104的形状(例如，仅存在接触区域1106)。随着缓冲器装置1100进一步吸收来自掩模版1108的冲击，插图1112示出了从插图1110中所示的状态顺序地形成的三个新的接触区域1116。换言之，柔性段1104的变形包括顺序地形成新的接触区域。在一些实施例中，柔性段1104的变形和新的接触区域的顺序形成类似于驻波谐波的形状。在一些实施例中，缓冲器装置1100被配置为自恢复到标称形状。
在一些实施例中，由掩模版引起的接触力在两个或更多个接触区域(例如，新形成的接触区域)之间重新分配。接触力的重新分配也是一种非线性的形式，因为接触力响应于顺序地形成的新的接触区域中的每个而被重新分配。对于接触力的每次重新分配，重新分配减小了施加在掩模版上的压力。抵抗来自掩模版1108的接触力的力可以说是非线性力。
在一些实施例中，在与缓冲器装置1100接触之后掩模版1108的总停止距离在大约0-2mm之间。当静止时，接触区域1106与基础结构1102之间的最短距离在大约1mm-20mm之间。柔性段1104在变形期间的位移可以是指以下各项之间的差异：(a)接触区域1106与基础结构1102之间的最短距离，与(b)接触区域1114(或接触区域1116)与基础结构1102之间的最短距离。对最大位移量的调节可以通过调节柔性元件1104的刚度(例如，通过调节其厚度)来实现。例如，通过调节细长元件1004和细长元件1006(图10)的厚度调节位移量也适用于缓冲器装置1000的接触件1008所经历的位移。
本领域技术人员将理解，缓冲器装置1100可以被设想为用于接收在二维方向上移动的掩模版1108的各种配置。例如，在一些实施例中，缓冲器装置1100的多次迭代可以用于接收掩模版1108——一个用于X分量，另一个用于Y分量(例如，放置在位置框1118处)。在一些实施例中，缓冲器装置1100的多次迭代可以具有共享的单一基础结构。
在一些实施例中，参考图10和图11的实施例可以组合。例如，缓冲器装置1100(图11)可以代替缓冲器装置1000的接触件1008(图10)。
可以使用以下条项进一步描述实施例：
1.一种用于保护掩模版的缓冲器装置，所述缓冲器装置包括：
基础结构；
第一细长元件和第二细长元件，每个元件包括远端和近端，所述第一元件和所述第二元件的所述近端附接到所述基础结构；
接触件，设置在所述第一细长元件和所述第二细长元件的所述远端处，其中所述第一细长元件和所述第二细长元件被配置为响应于由所述掩模版引起的接触力而变形；以及
恢复元件，附接到所述第一细长元件和所述第二细长元件，其中所述恢复元件被配置为生成抵抗所述第一细长元件和所述第二细长元件的所述变形的恢复力。
2.根据条项1所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置通过在给定停止距离上在所述掩模版上施加非线性力来吸收所述掩模版的一定量的动能；以及
所述非线性力所具有的最大幅度小于基本线性恢复元件在所述给定停止距离上吸收所述一定量的动能所需要的最大幅度。
3.根据条项1所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置被配置为响应于所述接触力而在所述掩模版上施加非线性力；以及
对于大于阈值位移的位移，所述非线性力相对于所述接触件的位移的增加速率显著降低。
4.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置被配置为自恢复到标称形状。
5.根据条项1所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置附接到被配置为接合所述掩模版的平台，其中所述平台还被配置为移动；以及
所述缓冲器装置被配置为在所述掩模版脱离接合的情况下在所述平台的运动的变化期间保护所述掩模版。
6.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括不锈钢。
7.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括电解抛光表面。
8.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置还被配置为使得所述变形包括屈曲。
9.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述恢复元件包括弹簧或挠曲件。
10.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括一体型结构，所述一体型结构至少包括所述基础结构、所述第一细长元件和所述第二细长元件、以及所述接触件。
11.一种用于保护掩模版的缓冲器装置，所述缓冲器装置包括：
基础结构；以及
柔性段，具有附接到所述基础结构的相对端，所述柔性段包括弯曲部和接触区域，其中所述柔性段被配置为响应于由所述掩模版引起的接触力而变形，
其中所述变形包括在所述柔性段上形成新的接触区域以在两个或更多个接触区域之间重新分配所述掩模版在所述柔性段上的所述接触力。
12.根据条项11所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置通过在所述掩模版上施加非线性力来吸收所述掩模版的动能；以及
其中所述新的接触区域被配置为在所述变形期间顺序地形成。
13.根据条项12所述的缓冲器装置，其中所述重新分配响应于所述新的接触区域的所述顺序地形成中的每个而发生，以针对所述接触力的每次重新分配减小施加在所述掩模版上的压力。
14.根据条项11所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置被配置为自恢复到标称形状。
15.根据条项11所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置附接到被配置为接合所述掩模版的平台，其中所述平台还被配置为移动；以及
所述缓冲器装置被配置为在所述掩模版脱离接合的情况下在所述平台的运动的变化期间保护所述掩模版。
16.根据条项11所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括不锈钢。
17.根据条项11所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括电解抛光表面。
18.根据条项1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括一体型结构，所述一体型结构包括所述基础结构和所述柔性段。
19.一种用于保护掩模版的缓冲器装置，所述缓冲器装置包括：
基础结构；以及
可压缩系统，附接到所述基础结构，其中所述可压缩系统被配置为响应于由所述掩模版引起的接触力而变形并且然后自恢复到标称形状，并且其中所述可压缩系统通过在给定停止距离上在所述掩模版上施加非线性力来吸收所述掩模版的一定量的动能，
其中所述非线性力包括：
最大幅度，其小于基本线性恢复元件在所述给定停止距离上吸收所述动能所需要的最大幅度；和/或
在所述可压缩系统的两个或更多个接触区域之间重新分配的力，其中所述两个或更多个接触区域被配置为在所述变形期间顺序地形成。
20.根据条项19所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置附接到平台，所述平台被配置为接合所述掩模版并且移动；以及
所述缓冲器装置被配置为在所述掩模版脱离接合的情况下在所述平台的运动的变化期间保护所述掩模版。
由于缓冲器装置或元件的分组的可压缩性质，术语“可压缩系统”等在本文中可用于描述缓冲器装置或缓冲器装置内的一个或多个元件的分组。
本公开的实施例不限于保护掩模版或掩模版台上的排他实现。本公开中描述的移动部件可受益于本文的一个或多个实施例。例如，实施例可以针对晶片和晶片台。
术语“非线性”等可在本文中用于将非线性特性赋予其他术语(例如，非线性元件、部件、装置、系统、力、压力、响应等。)。同样，术语“线性”等可在本文中用于赋予其他术语的线性特质。
虽然在本文中可以具体参考光刻装置在IC制造中的使用，但是应当理解，本文中描述的光刻装置可以具有其他应用。可能的其他应用包括制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。
尽管在本文中可以在光刻装置的上下文中具体参考本公开的实施例，但是本公开的实施例可以用于其他装置中。本公开的实施例可以形成掩模检查装置、计量装置或测量或处理诸如晶片(或其他衬底)或掩模(或其他图案形成装置)等的任何装置的一部分。这些装置通常可以称为光刻工具。这种光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。
虽然上文可能已经具体参考了在光刻的上下文中使用本公开的实施例，但是应当理解，在上下文允许的情况下，本公开不限于光刻并且可以用于其他应用，例如压印光刻。在另一示例中，本公开的实施例可用于敏感部件移动同时需要冲击保护的一般应用中。
应当理解，本文中的用语或术语是为了描述的目的而非限制性的，使得本说明书的术语或用语应由相关领域的技术人员根据这里的教导解释。
以上示例是对本公开的实施例的说明性而非限制性的。在本领域中通常遇到的并且对相关领域的技术人员很清楚的各种条件和参数的其他合适的修改和调整在本公开的精神和范围内。
虽然上面已经描述了本公开的特定实施例，但是应当理解，本公开可以以不同于所描述的方式来实践。以上描述旨在说明而非限制。因此，对于本领域技术人员来说很清楚的是，可以对所描述的公开内容进行修改而不脱离下面阐述的权利要求的范围。
应当理解，详细说明部分，而不是概述和摘要部分，旨在用于解释权利要求。概述和摘要部分可以阐述发明人所设想的本发明的一个或多个但不是所有示例性实施例，因此，并不旨在以任何方式限制本发明和所附权利要求。
上面已经在功能构建块的帮助下描述了本发明，所述功能构建块示出了特定功能的实现及其关系。为便于描述，本文已任意定义了这些功能构建块的边界。只要适当地执行指定的功能及其关系，就可以定义替代边界。
特定实施例的上述描述将如此充分地揭示本发明的一般性质，以至于其他人无需过度实验在不脱离本发明的一般概念的情况下，就可以通过应用本领域技术内的知识，容易地修改和/或适应这些特定实施例的各种应用。因此，基于本文中呈现的教导和指导，这样的修改和修改旨在处于所公开实施例的等效物的含义和范围内。
本发明的广度和范围不应受上述示例性实施例中的任一个限制，而应仅根据所附权利要求及其等同物来定义。

Claims (20)

1.一种用于保护掩模版的缓冲器装置，所述缓冲器装置包括：
基础结构；
第一细长元件和第二细长元件，每个元件包括远端和近端，所述第一元件和所述第二元件的所述近端附接到所述基础结构；
接触件，设置在所述第一细长元件和所述第二细长元件的所述远端处，其中所述第一细长元件和所述第二细长元件被配置为响应于由所述掩模版引起的接触力而变形；以及
恢复元件，附接到所述第一细长元件和所述第二细长元件，其中所述恢复元件被配置为生成抵抗所述第一细长元件和所述第二细长元件的所述变形的恢复力。
2.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置通过在给定停止距离上在所述掩模版上施加非线性力来吸收所述掩模版的一定量的动能；以及
所述非线性力所具有的最大幅度小于基本线性恢复元件在所述给定停止距离上吸收所述一定量的动能所需要的最大幅度。
3.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置被配置为响应于所述接触力在所述掩模版上施加非线性力；以及
对于大于阈值位移的位移，所述非线性力相对于所述接触件的位移的增加速率显著降低。
4.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置被配置为自恢复到标称形状。
5.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置附接到被配置为接合所述掩模版的平台，其中所述平台还被配置为移动；以及
所述缓冲器装置被配置为在所述掩模版脱离接合的情况下在所述平台的运动的变化期间保护所述掩模版。
6.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括不锈钢。
7.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括电解抛光表面。
8.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置还被配置为使得所述变形包括屈曲。
9.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述恢复元件包括弹簧或挠曲件。
10.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括一体型结构，所述一体型结构至少包括所述基础结构、所述第一细长元件和所述第二细长元件、以及所述接触件。
11.一种用于保护掩模版的缓冲器装置，所述缓冲器装置包括：
基础结构；以及
柔性段，具有附接到所述基础结构的相对端，所述柔性段包括弯曲部和接触区域，其中所述柔性段被配置为响应于由所述掩模版引起的接触力而变形，
其中所述变形包括在所述柔性段上形成新的接触区域，以在两个或更多个接触区域之间重新分配所述掩模版在所述柔性段上的所述接触力。
12.根据权利要求11所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置通过在所述掩模版上施加非线性力来吸收所述掩模版的动能；以及
其中所述新的接触区域被配置为在所述变形期间顺序地形成。
13.根据权利要求12所述的缓冲器装置，其中所述重新分配响应于所述新的接触区域的所述顺序地形成中的每个而发生，以针对所述接触力的每次重新分配减小施加在所述掩模版上的压力。
14.根据权利要求11所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置被配置为自恢复到标称形状。
15.根据权利要求11所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置附接到被配置为接合所述掩模版的平台，其中所述平台还被配置为移动；以及
所述缓冲器装置被配置为在所述掩模版脱离接合的情况下在所述平台的运动的变化期间保护所述掩模版。
16.根据权利要求11所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括不锈钢。
17.根据权利要求11所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括电解抛光表面。
18.根据权利要求1所述的缓冲器装置，其中所述缓冲器装置包括一体型结构，所述一体型结构包括所述基础结构和所述柔性段。
19.一种用于保护掩模版的缓冲器装置，所述缓冲器装置包括：
基础结构；以及
可压缩系统，附接到所述基础结构，其中所述可压缩系统被配置为响应于由所述掩模版引起的接触力而变形并且然后自恢复到标称形状，并且其中所述可压缩系统通过在给定停止距离上在所述掩模版上施加非线性力来吸收所述掩模版的动能，
其中所述非线性力包括：
最大幅度，其小于基本线性恢复元件在所述给定停止距离上吸收所述动能所需要的最大幅度；和/或
在所述可压缩系统的两个或更多个接触区域之间重新分配的力，其中所述两个或更多个接触区域被配置为在所述变形期间顺序地形成。
20.根据权利要求19所述的缓冲器装置，其中：
所述缓冲器装置附接到平台，所述平台被配置为接合所述掩模版并且移动；以及
所述缓冲器装置被配置为在所述掩模版脱离接合的情况下在所述平台的运动的变化期间保护所述掩模版。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1673859A (zh) * 2003-10-27 2005-09-28 Asml荷兰有限公司 中间掩模版保持器和中间掩模版的组件
US20070188724A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and stage apparatus
CN101493657A (zh) * 2009-02-27 2009-07-29 上海微电子装备有限公司 掩模版定位机构
US10274844B1 (en) * 2017-11-24 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography apparatus and method for protecting a reticle

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI245170B (en) * 2003-07-22 2005-12-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
WO2014063874A1 (en) * 2012-10-26 2014-05-01 Asml Holding N.V. Patterning device support and lithographic apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1673859A (zh) * 2003-10-27 2005-09-28 Asml荷兰有限公司 中间掩模版保持器和中间掩模版的组件
US20070188724A1 (en) * 2006-02-14 2007-08-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and stage apparatus
CN101493657A (zh) * 2009-02-27 2009-07-29 上海微电子装备有限公司 掩模版定位机构
US10274844B1 (en) * 2017-11-24 2019-04-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography apparatus and method for protecting a reticle

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