CN113437216B - 一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于半导体储存相关技术领域，提出了一种基于电子‑离子混合导体的忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括衬底、底电极、阻变层及顶电极；所述阻变层为电子‑离子混合导体，具体为Cu2Se、Cu2S、Cu2Te、Ag2Se、Ag2S、Ag2Te、Zn4Sb3、AgCrSe2、CuCrSe2、Ag8MX6(M=Sn,Ge,Si;X=Te,Se,S)、Ag9AlSe6、Ag9GaSe6中的一种。所述阻变层在外加电压作用下会发生取向畴的可逆转变，从而使所述忆阻器的电阻发生高低阻态的切换。本发明提出了该忆阻器的制备方法，所述制备方法选用真空蒸镀、磁控溅射、激光脉冲沉积或电子束蒸发中的一种。本发明丰富了忆阻器的种类，在存储器和仿生物突触领域具有巨大的应用潜力。

Description

一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法
技术领域
本发明属于半导体储存相关技术领域，具体涉及一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法。
背景技术
忆阻器是一种联系磁通量与电荷量的电路器件，其通常呈“三明治”结构，具有结构简单、体积小，功耗低，反应快等优点，在储存和运算处理领域具有巨大潜力。虽然早在1971年就从理论上提出了这一电路元件的存在，但首个忆阻器件直到2008年才由惠普公司实现。随后忆阻器逐渐得到研究者的重视，得到了快速的发展，在逻辑电路、振荡器、以及神经网络电路等领域都有广泛应用。
目前，已报道的忆阻器基于忆阻材料中金属或氧空位导电细丝的生成和熔断，导电细丝的数量，大小以及形状决定了忆阻器件的性能。这一过程通常伴随离子的长程迁移，降低了器件的响应速度，增加了器件功耗。同时，由于导电细丝的形成路径具有随机性，在经过长时间的循环后，器件很可能因成分波动导致阻态波动，使得器件失稳并失效。因此，寻找新型阻变材料并发展新型忆阻器的制备技术是必不可少的。
发明内容
针对上述现有技术的不足，本发明提供了一种基于电子-离子混合导体的忆阻器及其制备方法。其中，所述忆阻器的阻变层为电子-离子混合导体，阳离子的短程跃迁及各向异性的电输运特性，使得阻变层在外加电压作用下会发生取向畴的可逆转变，从而使得阻变层的电阻产生高低阻态的切换。
为实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种基于电子-离子混合导体的忆阻器，其自下而上包括衬底、底电极、阻变层及顶电极；其中，所述阻变层为电子-离子混合导体，具体为Cu2Se、Cu2S、Cu2Te、Ag2Se、Ag2S、Ag2Te、Zn4Sb3、AgCrSe2、CuCrSe2、Ag8MX6(M＝Sn,Ge,Si；X＝Te,Se,S)、Ag9AlSe6、Ag9GaSe6等中的一种或多种。
按上述方案，所述阻变层的厚度为20-100nm。
按上述方案，所述底电极的材料选用Cu、Al、W、Nb、Au、Mo、Ti等中的一种。
按上述方案，所述底电极的厚度为30-200nm。
按上述方案，所述顶电极的材料选用Cu、Pt、Ag等中的一种。
按上述方案，所述顶电极的厚度为30-200nm。
上述基于电子-离子混合导体的忆阻器的制备方法，在衬底上依次采用底电极材料、阻变层材料、顶电极材料进行镀膜，得到基于电子-离子混合导体的忆阻器。具体包括以下步骤：
(a)提供衬底；
(b)在所述衬底表面采用底电极材料进行镀膜，制备底电极；
(c)在所述底电极表面采用阻变层材料进行镀膜，制备阻变层；
(d)在所述阻变层表面采用顶电极材料进行镀膜，制备顶电极，得到基于电子-离子混合导体的忆阻器。
按上述方案，步骤(b)-(d)中的制备方法选用真空蒸镀、磁控溅射、激光脉冲沉积或电子束蒸发等中的一种。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
(a)本发明采用过渡金属硫族化合物为阻变层，阻变机理显著区别已有的忆阻材料，为在外加电压作用下引起晶体取向的可逆转变，从而使得阻变层的电阻产生高低阻态的切换。
(b)本发明所述的基于电子-离子混合导体的忆阻器避免了传统材料中由于离子长程迁移导致导电细丝的形成路径具有随机性，解决了器件在经过长时间的循环后，很可能因成分波动导致阻态波动，使得器件失稳并失效的问题。
(c)本发明所述的基于电子-离子混合导体的忆阻器基于取向畴转变的阻变机制，还降低了操作电压(＜1V)，降低了器件的功耗。
(d)本发明采用过渡金属硫族化合物为阻变层，避免了有毒元素的使用。
附图说明
图1为实施例1中基于电子-离子混合导体Cu2Se的忆阻器的结构示意图。
图2为实施例2中基于电子-离子混合导体Cu2Se的忆阻器的结构示意图。
图3为实施例3中基于电子-离子混合导体Cu2Se的忆阻器的结构示意图。
图4为实施例4中基于电子-离子混合导体Cu2Te的忆阻器的结构示意图。
图5为实施例5中基于电子-离子混合导体Ag2Te的忆阻器的结构示意图。
图6为实施例1中制备的忆阻器中可以互相转换的两种取向畴的电子衍射。
图7为实施例2中制备的忆阻器中可以互相转换的两种取向畴界面的扫描透射电子显微(STEM)图片。
图8为实施例3中制备的忆阻器中可以互相转换的两种取向畴界面的高分辨透射电子显微(HRTEM)图片。
图9为实施例3中制备的忆阻器的直流I-V曲线。
具体实施方式
为了更好的理解本发明，下面结合附图及实施例进一步详细说明本发明的内容。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
下述实施例中，所述阻变层为室温下稳定存在的过渡金属硫属电子-离子混合导体，具体采用Cu2Se、Ag2Te作为代表性示例。
下述实施例中，磁控溅射或真空真镀铜膜、Cu2Se薄膜、Ag膜分别采用的市售铜靶、硒化亚铜靶材、银靶。其中，利用磁控溅射设备进行沉积膜层时，选用相应的靶材在一定的真空度(如本底真空2×10-4Pa)下，一般采用流量20-30sccm的氩气，在一定工作电压下，以0.1-2.0nm/s的速率沉积相应的膜层。利用真空真镀设备进行沉积膜层时，选用相应的靶材在一定的真空度(如真空度优于4×10-4Pa)下，一般采用加热电流100-180A，以0.1-0.5nm/s的速率沉积相应的膜层。
实施例1
本实施例提供的基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器的结构示意图如图1所示，其包括衬底、底电极、顶电极以及阻变层，底电极位于衬底上，阻变层位于底电极和顶电极之间。
在本实施例中，衬底采用硅衬底，底电极采用Cu，厚度为100nm；顶电极采用Ag，厚度为40nm；阻变层为Cu2Se，厚度为50nm。
在本实施例中，采用磁控溅射设备制备该基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器。具体包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次用去离子水、乙醇和丙酮超声清洗20min，取出用氮气吹干；
(2)利用磁控溅射设备在上述硅衬底上沉积Cu膜为底电极，靶材选用市售铜靶，气体为Ar气，流量20sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为90s；
(3)利用磁控溅射设备在上述Cu底电极上方沉积Cu2Se薄膜作为阻变层，靶材选用硒化亚铜靶材，气体为Ar气，流量30sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为60s；
(4)利用磁控溅射设备在上述阻变层上沉积Ag膜为底电极，靶材选用市售银靶，气体为Ar气，流量20sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为30s，确保顶电极和底电极不能接触防止短路，最终得到基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器。
将上述忆阻器进行结构表征。图6为两种取向畴的电子衍射。在研究过程中发现，过渡金属硫族化合物Cu2Se典型的电子-离子混合导体，其低温相具有层状结构，由两套亚点阵组成，其中一套为固定原子形成的刚性亚点阵(Se)，另一套为可自由移动离子形成的液态亚点阵(Cu+)。这样一种特殊的构造使得材料中可以存在高度共格且电阻具有各向异性的取向畴。在外加电压作用下这些取向畴的可逆转变，使得所述忆阻材料的电阻产生高低阻态的切换。
实施例2
本实施例提供的基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器的结构示意图如图2所示，其包括衬底、底电极、顶电极以及阻变层，底电极位于衬底上，阻变层位于底电极和顶电极之间。
在本实施例中，衬底采用硅衬底，底电极采用Al，厚度为80nm；顶电极采用Ag，厚度为60nm；阻变层为Cu2Se，厚度为70nm。
在本实施例中，采用真空蒸镀和磁控溅射设备制备该基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器。具体包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次用去离子水、乙醇和丙酮超声清洗20min，取出用氮气吹干；
(2)利用真空真镀设备沉积Al为底电极，真空度优于4×10-4Pa，靶材选用市售铝靶，加热电流150A，沉积速率为0.25nm/s；
(3)利用磁控溅射设备在Al电极上方制备Cu2Se薄膜，靶材选用硒化亚铜靶材，气体为Ar气，流量25sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为90s；
(4)利用真空蒸镀设备沉积Ag为底电极，真空度优于2×10-4Pa，靶材选用市售银靶，加热电流150A，沉积速率为0.25nm/s，确保顶电极和底电极不能接触防止短路。
将上述忆阻器进行微结构表征。图7为包含两种取向畴及畴界的扫描透射电子显微(STEM)图片。从插图中为原子像中可以观察到高度共格的畴界，两种取向的导电性存在差异。高度共格的相界面使得材料在外加电压的作用下可以发生特定的取向畴转换，从而改变材料的阻值。
实施例3
本实施例提供的基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器的结构示意图如图3所示，其包括衬底、底电极、顶电极以及阻变层，底电极位于衬底上，阻变层位于底电极和顶电极之间。
在本实施例中，衬底采用硅衬底，底电极采用Mo，厚度为150nm；顶电极采用Pt，厚度为100nm；阻变层为Cu2Se，厚度为50nm。
在本实施例中，采用真空蒸镀和磁控溅射设备制备该基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器。具体包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次用去离子水、乙醇和丙酮超声清洗20min，取出用氮气吹干；
(2)利用真空真镀设备沉积Mo为底电极，真空度优于2×10-4Pa，靶材选用市售钼靶，加热电流180A，沉积速率为0.3nm/s；
(3)利用磁控溅射设备在Mo电极上方制备Cu2Se薄膜，靶材选用硒化亚铜靶材，气体为Ar气，流量25sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为60s；
(4)利用真空蒸镀设备沉积Pt为底电极，真空度优于2×10-4Pa，靶材选用市售铂靶，加热电流150A，沉积速率为0.1nm/s，确保顶电极和底电极不能接触防止短路。
将上述忆阻器进行微结构和性能表征。图8为取向畴界面的高分辨透射电子显微(HRTEM)图片。图9为本实施例中制备的忆阻器的直流I-V曲线。共格的相界面使得材料在外加电压的作用下可以发生特定的取向畴转换，从I-V曲线可以看出材料具有高低两个阻态且随外加电压改变可以互相切换，表明该忆阻器可以用于易失性存储。
实施例4
本实施例提供的基于电子-离子混合导体Cu2Te取向畴转变的忆阻器的结构示意图如图4所示，其包括衬底、底电极、顶电极以及阻变层，底电极位于衬底上，阻变层位于底电极和顶电极之间。
在本实施例中，衬底采用硅衬底，底电极采用Mo，厚度为150nm；顶电极采用Pt，厚度为100nm；阻变层为Cu2Te，厚度为80nm。
在本实施例中，采用真空蒸镀和磁控溅射设备制备该基于电子-离子混合导体Cu2Se取向畴转变的忆阻器。具体包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次用去离子水、乙醇和丙酮超声清洗20min，取出用氮气吹干；
(2)利用磁控溅射设备沉积Mo为底电极，靶材选用市售钼靶，气体为Ar气，流量20sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为90s；
(3)利用磁控溅射设备在Mo电极上方制备Cu2Te薄膜，靶材选用碲化亚铜靶材，气体为Ar气，流量25sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为100s；
(4)利用真空蒸镀设备沉积Pt为底电极，真空度优于2×10-4Pa，靶材选用市售铂靶，加热电流150A，沉积速率为0.2nm/s，确保顶电极和底电极不能接触防止短路。
实施例5
本实施例提供的基于电子-离子混合导体Ag2Te取向畴转变的忆阻器的结构示意图如图5所示，其包括衬底、底电极、顶电极以及阻变层，底电极位于衬底上，阻变层位于底电极和顶电极之间。
在本实施例中，衬底采用硅衬底，底电极采用W，厚度为80nm；顶电极采用Cu，厚度为100nm；阻变层为Ag2Te，厚度为60nm。
在本实施例中，采用真空蒸镀和磁控溅射设备制备该基于电子-离子混合导体Ag2Te取向畴转变的忆阻器。具体包括以下步骤：
(1)将硅衬底依次用去离子水、乙醇和丙酮超声清洗20min，取出用氮气吹干；
(2)利用磁控溅射设备沉积W为底电极，靶材选用市售钨靶，气体为Ar气，流量30sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为100s；
(3)利用真空蒸镀设备在W电极上方制备Ag2Te薄膜，真空度优于2×10-4Pa，靶材选用碲化银靶材，加热电流100A，沉积速率为0.15nm/s；
(4)利用磁控溅射设备沉积Cu为底电极，靶材选用市售铜靶，气体为Ar气，流量20sccm，功率100W，本底真空2×10-4Pa，工作气压0.2Pa，时间为90s，确保顶电极和底电极不能接触防止短路。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干改进和变换，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种基于电子-离子混合导体的忆阻器，所述忆阻器自下而上包括衬底、底电极、阻变层及顶电极，其特征在于：所述阻变层为电子-离子混合导体，选自AgCrSe2、CuCrSe2、Ag9AlSe6、Ag9GaSe6中的一种；
所述阻变层在外加电压作用下会发生取向畴的可逆转变，从而使得阻变层的电阻产生高低阻态的切换。
2.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述阻变层的厚度为20-100 nm。
3.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述底电极的材料选用Cu、Al、W、Nb、Au、Mo、Ti中的一种；所述顶电极的材料选用Cu、Pt、Ag中的一种。
4.根据权利要求1所述的忆阻器，其特征在于，所述底电极的厚度为30-200 nm；所述顶电极的厚度为30-200 nm。
5.根据权利要求1所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，在衬底上依次采用底电极材料、阻变层材料、顶电极材料进行镀膜，得到基于电子-离子混合导体的忆阻器。
6.根据权利要求 5所述的忆阻器的制备方法，其特征在于，镀膜的方法选用真空蒸镀、磁控溅射、激光脉冲沉积或电子束蒸发中的一种。
7.权利要求1所述的基于电子-离子混合导体的忆阻器在存储器和/或模仿生物突触领域的应用。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5413942A (en) * 1989-03-14 1995-05-09 Yeda Research And Development Co. Ltd. Monolithic electronic structures
JP4119950B2 (ja) * 2000-09-01 2008-07-16 独立行政法人科学技術振興機構 コンダクタンスの制御が可能な電子素子
US8450711B2 (en) * 2009-01-26 2013-05-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor memristor devices
US8203171B2 (en) * 2010-04-05 2012-06-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Defective graphene-based memristor
WO2011133158A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Switchable two-terminal devices with diffusion/drift species
US8325507B2 (en) * 2010-09-29 2012-12-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Memristors with an electrode metal reservoir for dopants
JP5696988B2 (ja) * 2011-06-08 2015-04-08 独立行政法人物質・材料研究機構 シナプス動作素子
US9496491B2 (en) * 2012-05-21 2016-11-15 Micron Technology, Inc. Methods of forming a metal chalcogenide material and related methods of forming a memory cell
CN103050622B (zh) * 2012-12-20 2015-05-20 华中科技大学 一种基于AgInSbTe硫系化合物的忆阻器及其制备方法
CN103050623B (zh) * 2012-12-25 2015-01-28 华中科技大学 一种具备多阻态特性的二阶忆阻器及其调制方法
WO2014109771A1 (en) * 2013-01-14 2014-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nonvolatile memory array logic
WO2016175742A1 (en) * 2015-04-27 2016-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Dynamic logic memcap
CN106289329B (zh) * 2015-06-05 2019-03-01 华为技术有限公司 一种忆阻器和传感器
JP2018530145A (ja) * 2015-07-01 2018-10-11 ザ ユニバーシティー オブ カンタベリー ニューロモルフィックネットワーク
CN106299114A (zh) * 2016-09-09 2017-01-04 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种忆阻器
CN106654009B (zh) * 2016-12-19 2019-04-02 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种忆阻器及其应用
CN109447250B (zh) * 2018-09-14 2020-07-10 华中科技大学 一种基于忆阻器中电池效应的人工神经元
CN109545960B (zh) * 2018-11-13 2020-10-30 清华大学 一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用
CN110047993B (zh) * 2019-04-29 2023-04-18 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种忆阻器及其制备方法和应用
CN110911560B (zh) * 2019-11-29 2021-10-08 华中科技大学 一种平面型忆阻器及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Electrical switching in germanium telluride glasses doped with Cu and Ag;Ramesh K, Asokan S, Sangunni K S, et al.;《Applied Physics A》;19990714;第69卷(第4期);全文 *
林祖壤等.硫属化合物.《快离子导体固体电解质基础材料应用》.上海科学技术出版社,1983,第5-3-2节. *

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