CN113421889A - 显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置 - Google Patents
显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN113421889A CN113421889A CN202110691627.6A CN202110691627A CN113421889A CN 113421889 A CN113421889 A CN 113421889A CN 202110691627 A CN202110691627 A CN 202110691627A CN 113421889 A CN113421889 A CN 113421889A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- alignment mark
- display panel
- far away
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 56
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 51
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明提出了显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置。该显示面板包括基板，所述基板的一侧具有背板电路结构；对位标记，所述对位标记位于所述基板上具有所述背板电路结构的一侧并位于所述基板的边缘处，所述对位标记远离所述基板的一侧具有保护层。由此，对位标记位于基板的边缘处，可节省显示区空间，在一定程度上提高显示面板的利用率。同时，保护层可以保护对位标记，使其在背板电路膜层制备过程中，不会被刻蚀液刻蚀掉。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域，具体地，涉及显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置。
背景技术
信息科学与技术的高速发展，特别是高品质图像(高分辨率、高对比度、高响应度、宽视角)及便携性(超薄、超轻、低功耗)成为未来信息显示的发展方向，人们对信息显示器件的要求越来越高。有机发光二极管(OLED)具备诸多优势，例如材料选择范围广、发光亮度和效率高、可以实现蓝光到红光光谱区域的全彩色显示、视角宽、响应速度快、驱动电压低、制作过程相对简单因而成本较低等，最具特色的是可实现柔性显示，因而能够满足当今信息化时代对显示设备更高性能和更大信息容量的要求。然而，目前的显示面板在制备的过程中还存在一些问题，导致产品良率下降。
因此，目前的显示面板、制备显示面板的方法和显示装置仍需要进一步改进。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上缓解或解决相关技术中的技术问题之一。
为此，本发明的一个目的在于提出一种显示面板。该显示面板包括：基板，所述基板的一侧具有背板电路结构；对位标记，所述对位标记位于所述基板上具有所述背板电路结构的一侧并位于所述基板的边缘处，所述对位标记远离所述基板的一侧具有保护层。由此，对位标记位于基板的边缘处，可节省显示区空间，在一定程度上提高显示面板的利用率；同时，保护层可以保护对位标记，使其在背板电路膜层制备过程中，不会被刻蚀液刻蚀掉。
根据本发明的实施例，所述背板电路结构包括：遮光金属层，所述遮光金属层位于所述基板的一侧；有源层，所述有源层位于所述遮光金属层远离所述基板的一侧；栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述有源层远离所述遮光金属层的一侧；栅极，所述栅极位于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；层间介质层，所述层间介质层位于栅绝缘层远离所述基板的一侧并覆盖所述栅极的表面；源极和漏极，所述源极和漏极位于所述层间介质层远离所述基板的一侧，并通过过孔与所述有源层相连；平坦化层，所述平坦化层位于所述源极和漏极远离所述基板的一侧，所述对位标记和所述遮光金属层同层同材料设置。由此，对于顶栅型背板电路结构的产品，可通过遮光金属层材料简便地形成对位标记。
根据本发明的实施例，所述背板电路结构包括：栅极以及栅绝缘层，所述栅极位于所述基板的一侧，所述栅绝缘层位于所述栅极远离所述基板的一侧；有源层，所述有源层位于所述栅绝缘层远离所述基板的一侧；层间介质层，所述层间介质层位于所述有源层远离所述栅绝缘层的一侧并覆盖所述有源层；源极和漏极，所述源极和漏极位于所述层间介质层远离所述基板的一侧，并通过过孔与所述有源层相连；平坦化层，所述平坦化层位于所述源极和漏极远离所述基板的一侧，所述对位标记和所述栅极同层同材料设置。由此，对于底栅型背板电路结构的产品，可通过栅极材料简便地形成对位标记。
根据本发明的实施例，所述保护层在所述基板上的正投影覆盖所述对位标记在所述基板上的正投影。由此，使保护层完全覆盖对位标记，在一定程度上保护对位标记使其在后续膜层刻蚀过程中免受刻蚀液的损伤，确保对位标记的完整性。
根据本发明的实施例，形成所述保护层的材料包括透明导电氧化物、金和银中的至少一种。由此，使形成的保护层在膜层刻蚀过程中不会被刻蚀液刻蚀，可在一定程度上保护对位标记。
根据本发明的实施例，所述对位标记靠近所述背板电路结构一侧的边缘，和所述基板的边缘之间的距离不大于10mm。由此，可节省显示区空间。
在本发明的另一方面，提供了一种制备显示面板的方法，包括：在所述基板上形成所述背板电路结构以及所述对位标记，所述对位标记位于所述基板上具有所述背板电路结构的一侧并位于所述基板的边缘处，并在所述对位标记远离所述基板的一侧形成保护层。由此，可节省显示区空间。同时，保护层可以保护对位标记，使其在背板电路膜层制备过程中，不会被刻蚀液刻蚀掉，进而可以利用对位标记进行自动对位，从而解决对位标记被刻蚀掉而导致需要较为繁琐的人工对位过程。
根据本发明的实施例，所述方法包括：在所述基板上沉积遮光金属材料，并在所述遮光金属材料远离所述基板的一侧沉积保护层材料；刻蚀所述保护层材料以形成所述保护层；
刻蚀所述遮光金属材料，以基于所述遮光金属材料形成所述对位标记以及遮光金属层，并使所述保护层在所述基板的正投影覆盖所述对位标记在所述基板的正投影。由此，可简便地形成对位标记。
根据本发明的实施例，所述方法包括：在所述基板上沉积栅金属材料，并在所述栅金属材料远离所述基板的一侧沉积保护层材料；刻蚀所述保护层材料以形成所述保护层；刻蚀所述栅金属材料，以基于所述栅金属材料形成所述对位标记以及栅极，并使所述保护层在所述基板的正投影覆盖所述对位标记在所述基板的正投影。由此，可简便地形成对位标记。
在本发明的又一方面，提供了一种显示装置，该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前述的显示面板具有的全部特征及优点，在此不再赘述，总的来说，至少具有提升产品良率的优点。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
图2显示了相关技术中显示面板的结构示意图；
图3显示了相关技术中显示面板的结构示意图；
图4显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
图5显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
图6显示了根据本发明一个实施例的显示面板的结构示意图；
图7显示了根据本发明一个实施例的制备显示面板方法的流程示意图；
图8显示了根据本发明一个实施例的显示面板的部分结构的截面图；
图9显示了根据本发明一个实施例的显示面板的部分结构的俯视图。
附图标记说明：
100：基板；110：无机材料层；200：背板电路结构；210：遮光金属层；220：有源层；230：栅绝缘层；240：层间介质层；250：平坦化层；10：对位标记；20：保护层；30：栅极；40：源极；50：漏极；11：对位标记材料；23：保护层材料。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。
在本发明的一个方面，提供了一种显示面板。参考图1，该显示面板包括基板100和对位标记10，基板100的一侧具有背板电路结构200，对位标记10位于基板100上具有背板电路结构200的一侧并位于基板100的边缘处，对位标记10远离基板100的一侧具有保护层20。由此，对位标记10位于基板100的边缘处，可节省显示区空间，在一定程度上提高显示面板的利用率；同时，保护层20可以保护对位标记10，使其在背板电路膜层制备过程中，不会被刻蚀液刻蚀掉。
为了方便理解，下面对该显示面板能够实现上述有益效果的原理进行简单说明：
在显示面板的制备过程中，需要进行多次的对位过程，例如点灯测试、有机发光二极管显示面板在将背板以及盖板玻璃进行贴合的过程，或是液晶显示面板的彩膜基板和阵列基板进行对盒的过程等，均需要依赖面板上设置的对位标记进行对位。参考图2，通常情况下对位标记10’是由金属形成的，可在CCD(电荷耦合器件)视野下被清晰地捕捉到，进而利用机械手等部件进行机械自动对位过程。而为了提高显示面板的利用率，例如为了利用一大张母板切割出尽可能多的显示面板，上述对位标记常被设置与显示面板的边缘处。为了简化制程，对位标记通常利用形成显示面板过程中需要用到的金属材料形成。而本领域技术人员熟悉的是，不论是OLED显示面板还是LCD显示面板，均涉及多层金属的沉积和刻蚀工艺，以形成包括但不限于栅极、源漏极以及各种走线结构(如栅线、数据线等等)以及各种电容结构。因此，在形成显示面板的制程中涉及多次金属材料的沉积以及刻蚀，进而获得需要获得的金属形状，以构成前述的电极、走线等结构。当对位标记位于基板略靠近显示区或是位于显示区内时(图中未示出此种情况)，在形成无机材料层110的过程中，无机材料层110可以覆盖对位标记10’，从而防止在后续形成其他金属结构时的刻蚀工艺损伤对位标记10’。例如，无机材料层110可以是形成栅绝缘层等绝缘层的材料。但是当对位标记10’位于基板100’的边缘处时，该位置并不在无机材料层110的成膜保证区以内，即很可能出现对位标记10’远离基板100’一侧的表面未被无机材料层110覆盖的情况，如图2中所示出的。此时，继续进行面板的制备工艺，该对位标记10’很可能被后续的金属刻蚀制程洗去，形成如图3所示出的结构。由此，在后续进行对位的过程中，CCD无法自动识别对位标记10’，只能进行人工对位，从而造成生产效率的显著下降。
本发明提出的显示面板可在一定程度上缓解甚至解决上述问题。具体而言，可以在对位标记10上方设置保护层20(参考图1)，保护层的大小、形状不受特别限制，本领域技术人员可以根据需要自由选择，只要使保护层20在基板100上的正投影覆盖对位标记10在基板100上的正投影即可。保护层20不会被膜层、信号线及栅极线刻蚀液刻蚀，进而可保证刻蚀过程中保护层20下方的对位标记10也不会被刻蚀，在一定程度上保证对位标记10的完整性，进而保证对位工艺的顺利进行。
形成保护层20的材料不受特别限制，本领域技术人员可根据需要进行选择，只要在膜层刻蚀过程中不会被刻蚀液刻蚀掉，起到保护对位标记10的功能即可，具体地，可以为透明金属氧化物、金、银，以及含有金、银的合金中的至少一种。这样即使对位标记10上方没有被前述的无机材料层110覆盖，在后续膜层或信号线刻蚀过程中，例如当刻蚀液为铝、铜刻蚀液时，无法刻蚀上述材料，此时即使对位标记10上方没有膜层覆盖，因为有保护层20的保护，也不会损伤对位标记10，从而在一定程度上保护对位标记10。
并且，前述的透明金属氧化物由于是透明的，也不会影响CCD对于对位标记10的识别。类似地，金、银，以及含有金、银的合金等材料由于也是金属材料，因此也可以被CCD较好地识别出，从而不会影响自动对位的过程。
此处需要特别说明的是，本发明中的对位标记10的具体用途不受特别限制，只要是设置在靠近基板100边缘的对位标记10即可。换句话说，位于基板边缘的对位标记10均可以设置保护层20。具体地，当该显示面板为OLED显示面板时，该对位标记10可以为点灯测试中用于将显示基板与测试机台进行对位的标记、背板以及盖板玻璃贴合时的对位标记10；或者，当该显示面板为液晶显示面板时，该对位标记10可以用于彩膜基板和阵列基板进行对盒。
根据本发明的一些实施例，对位标记靠近背板电路结构一侧的边缘，和基板100的边缘之间的距离不大于10mm。具体地，可以为2mm、4mm、6mm、8mm等。由此，可在一定程度上节省显示区空间。
根据本发明的一些实施例，在对位标记10上方具有保护层20的结构设计既可以应用在具有顶栅结构的OLED产品中，也可应用在具有底栅结构的OLED产品中。例如，根据本发明的一些实施例，在具有顶栅结构的OLED产品中，对位标记10可以是由遮光金属材料形成的，与遮光金属层210同层设置。根据本发明的另一些实施例，在具有底栅结构的OLED产品中，对位标记10可以是由栅材料形成的，与栅极30同层设置。由此，可利用该显示面板中较为靠近基板100的金属材料层形成对位标记10，从而有利于进一步简化该显示面板的制备工艺。
根据本发明的一些实施例，参考图4，顶栅结构的背板电路结构包括：遮光金属层210，位于基板100的一侧。有源层220，位于遮光金属层210远离基板100的一侧。栅绝缘层230，位于有源层220远离遮光金属层210的一侧。栅极30，位于栅绝缘层230远离有源层220的一侧。层间介质层240，位于栅绝缘层230远离基板100的一侧并覆盖栅极30的表面。源极40和漏极50，位于层间介质层240远离基板100的一侧，并通过过孔与有源层220相连。平坦化层250，位于源极40和漏极50远离基板100的一侧，对位标记10和遮光金属层210同层同材料设置。由此，可在形成遮光金属层时简便地形成对位标记10。
根据本发明的另一些实施例，参考图5，底栅结构的背板电路结构包括：栅极30以及栅绝缘层230，栅极30位于基板100的一侧，栅绝缘层230位于栅极30远离基板100的一侧。有源层220，位于栅绝缘层230远离基板100的一侧。层间介质层240，位于有源层220远离栅绝缘层230的一侧并覆盖有源层220。源极40和漏极50，位于层间介质层240远离基板100的一侧，并通过过孔与有源层220相连。平坦化层250，位于源极40和漏极50远离基板100的一侧，对位标记10和栅极30同层同材料设置。
由此，可利用背板电路结构中相对靠近基板100的金属材料层形成对位标记10，进而可在后续的工艺制程中，选择可以不被刻蚀形成对位金属10的刻蚀液洗去的材料形成保护层，而无需考虑对位标记10的材料层以及保护层20的材料的先后形成顺序。
根据本发明的一些实施例，形成对位标记10的金属材料不受特别限制，本领域技术人员可以根据实际需要进行选择，具体地，可以包括钼、铝、铜的至少之一。根据本发明的一些实施例，当遮光金属层210和对位标记10是同层同材料形成时，对位标记10可由钼或铝形成，进而可以在刻蚀遮光金属材料时同步形成对位标记10。当栅极30和对位标记10是同层同材料形成时，对位标记10可由铜形成，进而可以在刻蚀栅极材料形成栅极时同步形成对位标记10。
根据本发明的实施例，形成保护层20的材料不受特别限制，只要能够满足保护对位标记10的金属不被后续工艺的刻蚀液腐蚀即可。例如，根据本发明的一些实施例，形成保护层20的材料也可以选择在制备背板电路结构中需要采用的材料。具体地，保护层20可以由ITO形成。一方面ITO材料透明，不影响对位标记的识别，另一方面，不论是LCD显示面板还是OLED显示面板，在制备过程中均涉及一个或多个ITO的沉积工艺。由此，可以在需要沉积ITO时，同步形成前述的保护层20。例如具体地，可以在形成OLED的电极(例如阴极)，或是LCD的像素电极时，形成保护层20，或是在形成集成在面板上的触控结构的电极时，利用ITO材料同步形成保护层20。
根据本发明的一些实施例，保护层20在基板100上的正投影覆盖对位标记10在基板100上的正投影。由此，使保护层20完全覆盖对位标记10，在一定程度上保护对位标记10使其在后续膜层刻蚀过程中免受刻蚀液的损伤。根据本发明的另一些实施例，参考图7，保护层20包括至少2个亚层，如图中示出的第一亚层21和第二亚层22。由此，可起到双重保护的功能。
由此，对具有不同叠层结构的OLED产品，通过在对位标记10远离基板100的一侧设置保护层20，均可在膜层刻蚀过程中，起到保护对位标记10的作用，从而在一定程度上提高对位的准确性。
在本发明的另一方面，提供了一种制备显示面板的方法。参考图6，该方法包括：
S100：在基板上形成背板电路结构以及对位标记。
根据本发明的一些实施例，在该步骤中，首先在基板上形成背板电路结构以及对位标记，对位标记位于基板上具有背板电路结构的一侧，并位于基板的边缘处。由此，可节省显示区空间。
根据本发明的一些实施例，对于具有顶栅结构的背板电路结构，在该步骤中，首先在基板上沉积整层遮光金属材料，然后利用构图工艺形成对位标记和遮光金属层。形成的背板电路结构以及对位标记、保护层的结构可以为如图4中所示出的。对于具有底栅结构的背板电路结构，在该步骤中，首先在基板上沉积整层栅金属材料，然后利用构图工艺形成对位标记和栅极。形成的背板电路结构以及对位标记、保护层的结构可以为如图5中所示出的。具体地，构图工艺可包括干法蚀刻和湿法蚀刻，在具有掩膜板的同时，去除基板中部分区域的材料，从而保留特定区域的材料，以形成特定的膜层。
S200：在对位标记远离基板的一侧设置保护层。
根据本发明的一些实施例，在该步骤中，对于具有顶栅结构的背板电路结构，在遮光金属材料远离基板的一侧沉积保护层材料，刻蚀掉保护层材料以形成保护层。对于具有底栅结构的背板电路结构，在栅金属材料远离基板的一侧沉积保护层材料，刻蚀掉保护层材料以形成保护层。具体地，构图工艺可包括干法蚀刻和湿法蚀刻。
由此，通过在对位标记上方设置保护层，可保护对位标记免被刻蚀液刻蚀掉，无论是顶栅还是底栅结构的背板电路结构在一定程度上均可实现保护对位标记的目的。
此处需要特别说明的是，形成背板电路结构200以及形成保护层20的先后顺序不受特别限制，本领域技术人员可根据保护层20的具体材料进行选择。例如，保护层20可以是和背板电路结构200中的某一层结构同层同材料形成的，即可以在形成背板电路结构200中某一结构的同时，同步形成保护层20。或者，也可以在形成背板电路结构200之后，在形成包括但不限于触控电极的过程中，形成保护层20。图6中示出的S100以及S200仅为了对根据本发明实施例的方法进行解释说明，而不能够理解为对该方法操作先后顺序的特别限定。
根据本发明的一些实施例，参考图8和图9，形成对位标记和保护层的过程可以包括：
先沉积对位标记材料11，再沉积保护层材料23，形成如图8和图9所示出的a结构，利用对位标记10的掩膜版对保护层材料23进行第一次刻蚀，对位标记材料11未刻蚀，形成如图8和图9所示出的b结构，再对形成对位标记材料11进行第二次刻蚀，以形成图8和图9所示出的c结构，其中c结构包括对位标记10和保护层20。
在本发明的又一方面，提供了一种显示装置。该显示装置包括前面所述的显示面板。由此，该显示装置具有前述的显示面板所具有的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该显示装置至少具有产品良率较高的优点。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
基板，所述基板的一侧具有背板电路结构；
对位标记，所述对位标记位于所述基板上具有所述背板电路结构的一侧并位于所述基板的边缘处，所述对位标记远离所述基板的一侧具有保护层。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述背板电路结构包括：
遮光金属层，所述遮光金属层位于所述基板的一侧；
有源层，所述有源层位于所述遮光金属层远离所述基板的一侧；
栅绝缘层，所述栅绝缘层位于所述有源层远离所述遮光金属层的一侧；
栅极，所述栅极位于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；
层间介质层，所述层间介质层位于所述栅绝缘层远离所述基板的一侧并覆盖所述栅极的表面；
源极和漏极，所述源极和漏极位于所述层间介质层远离所述基板的一侧，并通过过孔与所述有源层相连；
平坦化层，所述平坦化层位于所述源极和漏极远离所述基板的一侧；
所述对位标记和所述遮光金属层同层同材料设置。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述背板电路结构包括：
栅极以及栅绝缘层，所述栅极位于所述基板的一侧，所述栅绝缘层位于所述栅极远离所述基板的一侧；
有源层，所述有源层位于所述栅绝缘层远离所述基板的一侧；
层间介质层，所述层间介质层位于所述有源层远离所述栅绝缘层的一侧并覆盖所述有源层；
源极和漏极，所述源极和漏极位于所述层间介质层远离所述基板的一侧，并通过过孔与所述有源层相连；
平坦化层，所述平坦化层位于所述源极和漏极远离所述基板的一侧；
所述对位标记和所述栅极同层同材料设置。
4.根据权利要求1-3任一项所述的显示面板，其特征在于，所述保护层在所述基板上的正投影覆盖所述对位标记在所述基板上的正投影。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，形成所述保护层的材料包括透明导电氧化物、金和银中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述对位标记靠近所述背板电路结构一侧的边缘，和所述基板的边缘之间的距离不大于10mm。
7.一种制备权利要求1-6所述的显示面板的方法，其特征在于，包括：
在所述基板上形成所述背板电路结构以及所述对位标记，所述对位标记位于所述基板上具有所述背板电路结构的一侧并位于所述基板的边缘处，
并在所述对位标记远离所述基板的一侧形成保护层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：
在所述基板上沉积遮光金属材料，并在所述遮光金属材料远离所述基板的一侧沉积保护层材料；
刻蚀所述保护层材料以形成所述保护层；
刻蚀所述遮光金属材料，以基于所述遮光金属材料形成所述对位标记以及遮光金属层，并使所述保护层在所述基板的正投影覆盖所述对位标记在所述基板的正投影。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，包括：
在所述基板上沉积栅金属材料，并在所述栅金属材料远离所述基板的一侧沉积保护层材料；
刻蚀所述保护层材料以形成所述保护层；
刻蚀所述栅金属材料，以基于所述栅金属材料形成所述对位标记以及栅极，并使所述保护层在在所述基板的正投影覆盖所述对位标记在所述基板的正投影。
10.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-6任一项所述的显示面板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110691627.6A CN113421889A (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110691627.6A CN113421889A (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN113421889A true CN113421889A (zh) | 2021-09-21 |
Family
ID=77789884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202110691627.6A Pending CN113421889A (zh) | 2021-06-22 | 2021-06-22 | 显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113421889A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114627762A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示模组及其贴合方法、移动终端 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08146400A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
| US20030201440A1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-10-30 | Yoshinobu Satou | Thin film transistor formed on a transparent substrate |
| US20150212239A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing mother substrate assembly |
| CN105845555A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-08-10 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 半导体装置及其制造方法 |
-
2021
- 2021-06-22 CN CN202110691627.6A patent/CN113421889A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08146400A (ja) * | 1994-11-16 | 1996-06-07 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法 |
| US20030201440A1 (en) * | 1999-11-18 | 2003-10-30 | Yoshinobu Satou | Thin film transistor formed on a transparent substrate |
| US20150212239A1 (en) * | 2014-01-28 | 2015-07-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing mother substrate assembly |
| CN105845555A (zh) * | 2015-01-14 | 2016-08-10 | 南京瀚宇彩欣科技有限责任公司 | 半导体装置及其制造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114627762A (zh) * | 2022-03-09 | 2022-06-14 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示模组及其贴合方法、移动终端 |
| CN114627762B (zh) * | 2022-03-09 | 2024-04-09 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示模组及其贴合方法、移动终端 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11094762B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
| CN108376672B (zh) | 阵列基板及其制备方法，以及显示装置 | |
| CN111596783B (zh) | 显示设备 | |
| JP7486523B2 (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
| US11316000B2 (en) | Array substrate including metal strip, manufacturing method thereof and display device | |
| US11914811B2 (en) | Display substrate and preparation method therefor, and display device | |
| US20230040064A1 (en) | Display substrate, preparation method therefor, and display device | |
| US20240130175A1 (en) | Display substrate and manufacturing method therefor, and display device | |
| EP4050658B1 (en) | Display substrate, preparation method therefor, and display device | |
| CN113658990B (zh) | 显示面板及其制备方法、显示装置 | |
| CN113687548B (zh) | 阵列基板及其制作方法、以及显示面板 | |
| CN113421889A (zh) | 显示面板、制备显示面板的方法以及显示装置 | |
| CN111933671B (zh) | 一种显示基板及其制作方法、显示面板 | |
| WO2021169568A1 (zh) | 显示母板及其制备方法、显示基板和显示装置 | |
| US20240016017A1 (en) | Display panel and method for manufacturing same | |
| WO2022041022A1 (zh) | 显示基板及显示装置 | |
| US11916050B2 (en) | Display device and manufacturing method thereof | |
| US20220399433A1 (en) | Display Substrate and Display Apparatus | |
| CN113421903B (zh) | 显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置 | |
| CN113258015B (zh) | 一种显示面板及其制备方法、显示设备 | |
| US11625132B2 (en) | Touch pad and method for manufacturing the same, touch display device | |
| EP4199681A1 (en) | Display apparatus having a light-emitting device | |
| US20240072412A1 (en) | Display device | |
| US20240188411A1 (en) | Display Substrate and Preparation Method thereof, and Display Apparatus | |
| KR20230099138A (ko) | 투명 표시 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |