CN113403657A - 一种精确控制镀层厚度的电镀方法 - Google Patents

一种精确控制镀层厚度的电镀方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113403657A
CN113403657A CN202110685012.2A CN202110685012A CN113403657A CN 113403657 A CN113403657 A CN 113403657A CN 202110685012 A CN202110685012 A CN 202110685012A CN 113403657 A CN113403657 A CN 113403657A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electroplating
seed layer
thickness
plated
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202110685012.2A
Other languages
English (en)
Inventor
王功
王旭阳
李雪征
李俊慧
冯亚丽
郭育梅
贾赫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Beijing Shiweitong Technology Co ltd
Original Assignee
Beijing Shiweitong Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Beijing Shiweitong Technology Co ltd filed Critical Beijing Shiweitong Technology Co ltd
Priority to CN202110685012.2A priority Critical patent/CN113403657A/zh
Publication of CN113403657A publication Critical patent/CN113403657A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022Electroplating of selected surface areas using masking means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/16Electroplating with layers of varying thickness
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/18Electroplating using modulated, pulsed or reversing current

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本发明公开一种精确控制镀层厚度的电镀方法,包括:在待镀基板上制作图形化种子层;根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域;在待镀基板和图形化种子层上制作电镀掩膜图形;在带有电镀掩膜图形和图形化种子层的待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极。上述方案,根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的图形化种子层划分为至少两个独立区域,针对不同独立区域分别进行电镀控制,从而使不同独立区域电镀得到的金属层的厚度满足需要,使最终得到的金属电极的不同区域的厚度得到精确控制。

Description

一种精确控制镀层厚度的电镀方法
技术领域
本发明涉及金属电极的电镀工艺技术领域,具体涉及一种精确控制镀层厚度的电镀方法。
背景技术
电镀是电路板制造领域、MEMS制作领域、IC制造领域等常用的传统工艺,通常用于制作金属互联结构,实现元件之间、多层布线电路各层之间的电连接。
在多数应用领域中,对于电极厚度的均匀性要求很高,而现有的电镀工艺得到的电极厚度均匀性较差,在一些区域的电极厚度过大,在一些区域的电极厚度又过小,不能满足对于电极厚度均一性要求高的场景需求。
发明内容
本申请实施例旨在提供一种精确控制镀层厚度的电镀方法,以解决现有技术中电镀方法得到的电极厚度分布不均匀的技术问题。
为解决上述问题,本申请一些实施例中提供一种精确控制镀层厚度的电镀方法,包括如下步骤:
在待镀基板上制作图形化种子层;
根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的所述图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域;
在所述待镀基板和所述图形化种子层上制作电镀掩膜图形;
在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的所述图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域的步骤中,根据如下方法划分独立区域:
在无图形种子层上电镀得到电极后,得到电镀时种子层内电流密度分布,按照所述种子层内电流密度分布的梯度在所述基板上设置所述至少两个独立区域
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极的步骤中:
不同的独立区域分别连接电镀阴极,不同的电镀阴极为独立区域供给的电流值不同。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极的步骤中:
将图形化种子层中被屏蔽的部分单独引出进行第一步电镀操作;
第一步电镀操作完成后,对图形化种子层中未被屏蔽的部分进行第二步电镀操作。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的所述图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域的步骤中:
每一所述独立区域的形状为任意形状的封闭图形或半封闭图形,其中所述封闭图形包括但不限于矩形、圆形、梯形或三角形。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,所述图形化种子层的至少两个独立区域之间电绝缘。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,在所述待镀基板和所述图形化种子层上制作电镀掩膜图形的步骤中:
所述图形化种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,所述图形化种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影包括:
所述电镀掩膜图形与所述图形化种子层的形状不重合且形状不互补。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,还包括如下步骤:
去除所述电镀掩膜图形;
去除未被电镀的金属层覆盖的图形化种子层。
本申请一些实施例中提供的精确控制镀层厚度的电镀方法,在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极的步骤中:电镀金属层得到的金属连线的厚度和宽度之比大于2。
本申请提供的上述技术方案,与现有技术相比,至少具有如下有益效果:根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的图形化种子层划分为至少两个独立区域,在进行电镀时,能够针对不同独立区域分别进行电镀控制,从而使不同独立区域电镀得到的金属层的厚度满足需要,使最终得到的金属电极的不同区域的厚度得到精确控制。
附图说明
下面将结合本申请实施例中附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。
图1为本申请一个实施例所述精确控制镀层厚度的电镀方法的步骤流程图;
图2a-图2e为本申请一个实施例所述精确控制镀层厚度的电镀方法执行过程中各个阶段的电镀件结构示意图;
图3a-图3d为本申请一个实施例所述制作图形化种子层的执行过程中各个阶段的电镀件结构示意图;
图4a-图4c为本申请另一个实施例所述制作图形化种子层的执行过程中各个阶段的电镀件结构示意图;
图5为本申请一个实施例所述精确控制镀层厚度的电镀方法制备得到的金属电极的结构示意图;
图6为本申请另一个实施例所述精确控制镀层厚度的电镀方法制备得到的金属电极的结构示意图。
具体实施方式
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请的简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
本实施例提供一种精确控制镀层厚度的电镀方法,如图1和图2a-2e所示,包括如下步骤:
步骤一:在待镀基板1上制作图形化种子层2。所述待镀基板1可以是包含功能元件或电路的基板,制作所述图形化种子层2的方法可以选择沉积的方式,如化学气相沉积方式。
步骤二:根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板1上的所述图形化种子层2划分为至少两个独立区域,图2c中以区域a、区域b、区域c、区域d和区域e为例进行示例性说明,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域。因为独立区域的划分,是按照无图形种子层的电镀电极厚度分布结果进行划分的,所以实际形状与电镀电极厚度分布结果相关,利于以第一厚度值的电极分布区域作为区域a,以第二厚度值的电极分布区域作为区域b,这种情况下区域a也可以是环绕区域b外围的环状形状,优选每一所述独立区域的形状为任意形状的封闭图形或半封闭图形,其中所述封闭图形包括但不限于矩形、圆形、梯形或三角形,所以,图2c中的独立区域划分结果仅是事宜性的说明。
步骤三:在所述待镀基板1和所述图形化种子层2上制作电镀掩膜图形3。
步骤四:在带有所述电镀掩膜图形3和所述图形化种子层2的所述待镀基板1上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层4,形成金属电极。因为不同独立区域对应的无图形种子层的电镀电极厚度不同,所以本方案中在针对不同独立区域进行电镀时,分别对不同独立区域的电镀条件进行控制,以使各个独立区域电镀后得到的金属电极的厚度满足实际要求。
以上步骤二中,可以通过如下方式划分独立区域:在无图形种子层上电镀得到电极后,得到电镀时种子层内电流密度分布,按照所述种子层内电流密度分布的梯度在所述基板上设置所述至少两个独立区域。种子层电流密度与电镀电极厚度具有一定的对应关系,因此可以采用检测种子层电流密度的方式确定电极厚度的分布情况。其中电极厚度梯度分布中,不同厚度梯度之间的差值可以依据经验值进行选择,根据应用场合对于电极厚度均匀性的要求来划分梯度。
在一些方案中,步骤四可以通过如下方式来实现:不同的独立区域分别连接电镀阴极,不同的电镀阴极为独立区域供给的电流值不同。采用本方案,可以通过不同电镀阴极供给不同电流值,执行一次电镀的方式完成电镀过程。
在另一些方案中,步骤四可以通过如下方式来实现:将图形化种子层中被屏蔽的部分单独引出进行第一步电镀操作;第一步电镀操作完成后,对图形化种子层中未被屏蔽的部分进行第二步电镀操作。即,可以针对不同区域分别执行不同次数的电镀操作,这样能够使电度得到的金属电极厚度具有良好的均匀性。在一些方案中,执行分次电镀时可以采用相同大小的电镀电流,也可以采用不同大小的电镀电流。
如图3a-图3d所示,在一些方案中,可以通过如下步骤在待镀基板1上制作图形化种子层2:
步骤A:在所述待镀基板1上沉积种子层21;所述种子层21的材料可以是钯、钛、镍、铜、金、银至少之一,或含有钯、钛、镍、铜、金、银至少之一的合金材料。沉积所述种子层21可以使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、化学镀等方法。
步骤B:在所述种子层21上制作种子层掩膜图形2A;可以使用光阻制作,也可以使用硬质掩膜材料制作。其中,所述光阻包括光刻胶和干膜光阻至少之一,所述硬质掩膜材料包括硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅至少之一。
步骤C:刻蚀带有所述种子层掩膜图形2A的所述种子层21,暴露出所述待镀基板1,在所述种子层掩膜图形2A覆盖区域的所述待镀基板1上保留所述种子层21,形成所述图形化种子层2。
如图4a-图4c所示,在一些方案中,可以通过如下步骤在待镀基板1上制作图形化种子层2:
步骤D:在所述待镀基板1上制作种子层掩膜图形2B。可以使用光阻制作,也可以使用硬质掩膜材料制作。其中,所述光阻包括光刻胶和干膜光阻至少之一,所述硬质掩膜材料包括硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅至少之一。
步骤E:在带有所述种子层掩膜图形2B的所述待镀基板1上沉积种子层22。可以使用物理气相沉积、化学气相沉积、电镀、化学镀等方法。种子层的材料可以是钯、钛、镍、铜、金、银至少之一,或含有钯、钛、镍、铜、金、银至少之一的合金材料。
步骤F:去掉所述种子层掩膜图形2B,暴露出所述待镀基板1,在无种子层掩膜图形2B覆盖的所述待镀基板区域保留所述种子层22,形成所述图形种子层2。
在一些实施例中,如图2d所示,所述图形化种子层2与所述电镀掩膜图形3在厚度方向上具有不同投影。进一步地,所述图形化种子层2与所述电镀掩膜图形3在厚度方向上具有不同投影包括:所述电镀掩膜图形3与所述图形化种子层2的形状不重合;并且,所述电镀掩膜图形3与所述图形化种子层2的形状不互补。
在一些方案中,优选金属层4的材料为钯、钛、镍、铜、金和银中的至少之一;或者,含有钯、钛、镍、铜、金和银中至少之一的合金材料。进一步优选地,所述金属层4与所述图形化种子层2的材料相同。
在一些方案中,所述图形化种子层的所述至少两个独立区域之间是电绝缘的。基于前述原理,根据种子层电流密度分布或电极厚度梯度分布的情况,将种子层划分为至少两个电绝缘的独立区域。即,在已有的已镀基板的无图形的种子层上进行常规电镀工艺时,得到的电极厚度可以划分为几个等级,依据不同等级的将待镀基板1上的图形化种子层划分为不同类型的区域,不同区域的电镀条件分别进行设定,从而保证最后电镀得到的金属电极的厚度能够具有更好的均匀性。
优选地,在一些实施例中,所述的精确控制镀层厚度的电镀方法还可以包括如下步骤:
步骤四:去除图2e中所示结构中的所述电镀掩膜图形3,得到的结构如图5所示。
步骤五:去除图5中多余的图形化种子层,仅保留被金属层4覆盖的种子层23,得到金属电极的结构如图6所示。
采用本申请以上实施例中的方案,通过对待镀基板和种子层做修饰,能够调节最终得到的金属电极的厚度均匀性,从而使电极附近的种子层中的电流密度分布也具有均匀性。
在一些优选实施例中,步骤四中,电镀金属层得到的金属连线的厚度和宽度之比大于2。优选地,金属连线的厚度和宽度之比还可以大于3,甚至可以达到5或10等更大需求。本申请中,在所述待镀基板1和所述图形化种子层2上制作电镀掩膜图形3,所述电镀掩膜图形3的凹槽的深度和宽度的比值可以做到大于3或者更大,之后在所述电镀掩膜图形3的凹槽内填充金属材料,填充的厚度可以依据需求进行设定,使得到金属连线的厚度和宽度的比值达到要求。通过本方案得到的金属电极,最终能够实现整体厚度和宽度的比值大于2,甚至可以达到10或20,采用本申请制备得到的金属电极可极大提高光电子器件的带宽。
最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本申请的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,包括如下步骤:
在待镀基板上制作图形化种子层;
根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的所述图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域;
在所述待镀基板和所述图形化种子层上制作电镀掩膜图形;
在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极。
2.根据权利要求1所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的所述图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域的步骤中,根据如下方法划分独立区域:
在无图形种子层上电镀得到电极后,得到电镀时种子层内电流密度分布,按照所述种子层内电流密度分布的梯度在所述基板上设置所述至少两个独立区域。
3.根据权利要求2所述的根据权利要求1所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极的步骤中:
不同的独立区域分别连接电镀阴极,不同的电镀阴极为独立区域供给的电流值不同。
4.根据权利要求2所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极的步骤中:
将图形化种子层中被屏蔽的部分单独引出进行第一步电镀操作;
第一步电镀操作完成后,对图形化种子层中未被屏蔽的部分进行第二步电镀操作。
5.根据权利要求1-4任一项所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,根据无图形种子层上电镀得到的电极厚度分布梯度,将待镀基板上的所述图形化种子层划分为至少两个独立区域,每一个独立区域对应于一个厚度区间的分布区域的步骤中:
每一所述独立区域的形状为任意形状的封闭图形或半封闭图形,其中所述封闭图形包括但不限于矩形、圆形、梯形或三角形。
6.根据权利要求5所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,所述图形化种子层的至少两个独立区域之间电绝缘。
7.根据权利要求6所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,在所述待镀基板和所述图形化种子层上制作电镀掩膜图形的步骤中:
所述图形化种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影。
8.根据权利要求7所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,所述图形化种子层与所述电镀掩膜图形在厚度方向上具有不同投影包括:
所述电镀掩膜图形与所述图形化种子层的形状不重合且形状不互补。
9.根据权利要求1-4任一项所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,还包括如下步骤:
去除所述电镀掩膜图形;
去除未被电镀的金属层覆盖的图形化种子层。
10.根据权利要求9所述的精确控制镀层厚度的电镀方法,其特征在于,在带有所述电镀掩膜图形和所述图形化种子层的所述待镀基板上的针对不同独立区域按顺序依次电镀金属层,形成金属电极的步骤中:
电镀金属层得到的金属连线的厚度和宽度之比大于2。
CN202110685012.2A 2021-06-21 2021-06-21 一种精确控制镀层厚度的电镀方法 Pending CN113403657A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110685012.2A CN113403657A (zh) 2021-06-21 2021-06-21 一种精确控制镀层厚度的电镀方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110685012.2A CN113403657A (zh) 2021-06-21 2021-06-21 一种精确控制镀层厚度的电镀方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113403657A true CN113403657A (zh) 2021-09-17

Family

ID=77681880

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110685012.2A Pending CN113403657A (zh) 2021-06-21 2021-06-21 一种精确控制镀层厚度的电镀方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113403657A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114277409A (zh) * 2021-11-24 2022-04-05 泉州市三安集成电路有限公司 一种半导体器件的电镀方法
CN114449773A (zh) * 2022-02-11 2022-05-06 上海锦晟电子科技有限公司 一种dpc陶瓷基板测量方法、装置及设备和系统
CN114703536A (zh) * 2021-09-24 2022-07-05 南京大学 一种微区电镀装置及其在制备声表面波声子晶体中的应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108878296A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 华中科技大学 一种三维微凸点的制备方法
CN108922892A (zh) * 2018-06-27 2018-11-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108878296A (zh) * 2018-06-27 2018-11-23 华中科技大学 一种三维微凸点的制备方法
CN108922892A (zh) * 2018-06-27 2018-11-30 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114703536A (zh) * 2021-09-24 2022-07-05 南京大学 一种微区电镀装置及其在制备声表面波声子晶体中的应用
CN114703536B (zh) * 2021-09-24 2023-12-05 南京大学 一种微区电镀装置及其在制备声表面波声子晶体中的应用
CN114277409A (zh) * 2021-11-24 2022-04-05 泉州市三安集成电路有限公司 一种半导体器件的电镀方法
CN114277409B (zh) * 2021-11-24 2023-08-15 泉州市三安集成电路有限公司 一种半导体器件的电镀方法
CN114449773A (zh) * 2022-02-11 2022-05-06 上海锦晟电子科技有限公司 一种dpc陶瓷基板测量方法、装置及设备和系统

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113403657A (zh) 一种精确控制镀层厚度的电镀方法
CN113416988B (zh) 一种电镀方法
KR100428825B1 (ko) 반도체 집적회로 및 그의 제조 방법
US20190252614A1 (en) Mother plate, method for manufacturing mother plate, method for manufacturing mask, and oled pixel deposition method
US4118523A (en) Production of semiconductor devices
TW201833389A (zh) 母板、母板的製造方法及遮罩的製造方法
JPS5836515B2 (ja) マルチチツプハイセンノセイサクホウホウ
CN113423189B (zh) 一种金属电极的制备方法
KR101843035B1 (ko) 모판 및 마스크의 제조 방법
US8012319B2 (en) Multi-chambered metal electrodeposition system for semiconductor substrates
CN115747712B (zh) 掩膜板及其制造方法
JP2526586B2 (ja) 配線基板の製造方法
KR20090121662A (ko) 박막 금속 전도선의 형성 방법
KR101861702B1 (ko) 모판, 모판의 제조 방법, 및 마스크의 제조 방법
JPH01147845A (ja) 半導体装置の金属化層間の相互接続を提供する方法及び装置
KR100740436B1 (ko) 전해 도금 방식을 이용한 세라믹 소자의 전극 형성 방법
CN107706091B (zh) 薄膜电路及其制备方法
CN111129305B (zh) 一种增加电感量的电感制程方法及电感结构
JPH09139387A (ja) 半導体装置の電極形成方法
JP2000021916A (ja) 半導体装置とその製造方法
US20240094247A1 (en) Methods of Reinforcing Plated Metal Structures and Independently Modulating Mechanical Properties Using Nano-Fibers
JP7274353B2 (ja) 基板のめっき方法
KR100219757B1 (ko) 적층형 박막 인덕터의 제조 방법
JPH07211571A (ja) 薄膜コイルの製造方法
JPH01253293A (ja) プリント配線基板及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination