CN113394254A - 显示装置 - Google Patents

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signal line
electrode
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赵龙遵
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金东秀
金美那
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Abstract

一种显示装置包括：第一基板，包括显示区和非显示区；第二基板，面对所述第一基板；密封构件，设置在所述非显示区中并且将所述第一基板结合到所述第二基板；感测接触区，设置在所述密封构件的内侧处；感测信号线，设置在所述感测接触区中；感测接触图案，设置在所述感测接触区中并且电连接到所述感测信号线；控制信号线，设置在所述第一基板和所述感测信号线之间；以及屏蔽图案，设置在所述控制信号线和所述感测信号线之间，所述屏蔽图案与所述控制信号线或所述感测信号线交叠。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2020年3月12日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0030800号韩国专利申请的优先权和权益，上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入本文。
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
诸如智能电话、平板个人计算机(PC)、数字相机、膝上型计算机、导航装置和智能电视的电子设备可以包括用于显示图像的显示装置。显示装置可以包括用于生成并显示图像的显示面板和相关电路以及各种输入装置。
诸如智能电话或平板PC的显示装置可以包括作为输入装置的识别触摸或靠近接近度的传感器。这样的传感器是方便的，并且已经代替了作为物理输入装置的传统的键盘，以减少磨损和损坏。
有机发光显示装置可以提供有内嵌式(in-cell)触摸结构。内嵌式触摸结构具有提供有有机发光元件的第一基板和提供有感测电极阵列的第二基板。第一基板和第二基板彼此面对并且通过密封构件彼此接合。内嵌式触摸结构还可以包括用于将信号施加到感测电极阵列的感测接触部分。
发明内容
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板，包括显示区和非显示区；第二基板，面对所述第一基板；密封构件，设置在所述非显示区中并且将所述第一基板结合到所述第二基板；感测接触区，设置在所述密封构件的内侧处；感测信号线，设置在所述感测接触区中；感测接触图案，设置在所述感测接触区中并且电连接到所述感测信号线；控制信号线，设置在所述第一基板和所述感测信号线之间；以及屏蔽图案，设置在所述控制信号线和所述感测信号线之间，所述屏蔽图案与所述控制信号线或所述感测信号线交叠。
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括感测接触区；第二基板，面对所述第一基板；感测信号线，位于所述第一基板和所述第二基板之间并且位于所述感测接触区中；导电构件，设置在所述感测接触区中并且电连接到所述感测信号线；控制信号线，设置在所述第一基板和所述感测信号线之间；以及电压线，设置在所述控制信号线和所述感测信号线之间，所述电压线与所述控制信号线或所述感测信号线交叠。
根据本发明的示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基板，包括显示区和非显示区；第二基板，面对所述第一基板；密封构件，设置在所述非显示区中；感测接触图案，设置为与所述密封构件相邻；以及感测信号线，所感测述信号线在所述密封构件的第一侧处与所述感测接触图案接触并且延伸到所述密封构件的第二侧。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例，本发明的上述和其他特征将变得更加明显，在附图中：
图1是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图；
图2是图1的显示装置的示意性截面图；
图3是根据本发明的示例性实施例的显示装置的显示基板的平面图；
图4是图3的像素的示例性电路图；
图5是示出了图4的像素的截面图；
图6A是根据本发明的示例性实施例的显示装置的感测基板的平面图；
图6B是示出了根据本发明的示例性实施例的在图6A中示出的感测基板的修改结构的平面图；
图6C是示出了根据本发明的示例性实施例的在图6A中示出的感测基板的另一修改结构的平面图；
图7是图6A的感测基板的示意性截面图；
图8是沿着图6A的线I-I'截取的截面图；
图9是沿着图3和图6A的线II-II'截取的截面图；
图10A是根据本发明的另一示例性实施例的显示装置的截面图；
图10B是示出了根据本发明的示例性实施例的在图10A中示出的显示装置的修改结构的截面图；
图10C是示出了根据本发明的示例性实施例的在图10A中示出的显示装置的另一修改结构的截面图；
图11A是示出了根据本发明的又一示例性实施例的显示装置的截面图；以及
图11B是示出了根据本发明的示例性实施例的在图11A中示出的显示装置的修改结构的截面图。
具体实施方式
现在在下文中将参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例。然而，本发明可以以不同的形式来实施，并且不应该被解释为局限于在此提出的实施例。在整个说明书中，相同的附图标记可以指示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可能夸大了层和区域的厚度。
还将理解的是，当层或基板被称为“在”另一层或基板“上”时，该层或基板可以直接在另一层或基板上，或者也可以存在中间层或中间基板。
将参照透视图、截面图和/或平面图描述本发明的示例性实施例。然而，应当理解，可以根据制造技术和/或余量来修改示例性视图的轮廓。换言之，本发明不应受到所示的视图的限制，而是应涵盖由于制造工艺的改变而可能引起的所有改变和修改。
除非另有定义，否则如本文中使用的术语“上方”、“上侧”、“上部”、“顶”和“顶表面”可以指如图所示的在与第一方向DR1和第二方向DR2相交的第三方向DR3上的箭头指示的方向，并且如本文中使用的术语“下方”、“下侧”、“下部”、“底”和“底表面”可以指与如图所示的在第三方向DR3上的箭头指示的方向相反的方向。
图1是示出了根据本发明的示例性实施例的显示装置的透视图。
参照图1，显示装置1显示运动图像或静止图像。显示装置1可以指具有显示屏的任何电子装置。显示装置1的示例可以包括电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数字相机和便携式摄像机等。
显示装置1包括具有显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括发光二极管(LED)显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下文中，将描述LED显示面板是显示面板的情况，但是本发明不限于此，并且其他显示面板可以应用为显示面板。
显示装置1的形状可以进行各种修改。例如，显示装置1可以具有诸如在水平方向上伸长的矩形、在垂直方向上伸长的矩形、正方形、具有圆角(或顶点)的四边形、其他多边形和圆形的形状。显示装置1的显示区DA的形状也可以与显示装置1的整体形状相似。在图1中，示出了具有在水平方向上伸长的矩形形状的显示装置1和显示区DA。
显示装置1可以包括显示区DA和非显示区NDA。显示区DA是可以显示图像的区，并且非显示区NDA是不显示图像的区。显示区DA也可以称为有源区域，并且非显示区NDA也可以称为无源区域。
显示区DA可以占据显示装置1的中心。例如，显示区DA可以位于显示装置1的中心，并且沿着第一方向DR1和第二方向DR2延伸到显示装置1的边缘。显示区DA可以包括多个像素。多个像素可以以矩阵布置。在平面图中，每个像素的形状可以为矩形或正方形。然而，本发明不限于此，并且每个像素可以为其中其每条边相对于第一方向DR1倾斜的菱形形状。
图2是图1的显示装置的示意性截面图。
参照图2，显示装置1可以包括显示基板DS和感测基板SS。显示基板DS和感测基板SS可以彼此相对并且可以通过密封构件ST结合。换言之，显示基板DS和感测基板SS可以彼此交叠。密封构件ST可以沿着显示基板DS和感测基板SS的边缘设置。密封构件ST可以将显示基板DS的第一基板SUB1接合到感测基板SS的第二基板SUB2。密封构件ST可以是玻璃料粘合剂层、紫外线固化树脂或热固性树脂，但不限于此。
显示基板DS可以产生图像，并且感测基板SS可以获取外部输入(例如，感测事件)的坐标信息。例如，感测基板SS可以获取指示接收外部输入所在的位置的坐标。显示装置1还可以包括设置在显示基板DS下方的保护构件、防反射构件和/或设置在感测基板SS上方的窗构件。
显示基板DS可以是包括自发光元件的显示面板。例如，自发光元件可以包括有机发光二极管、量子点发光二极管、基于无机材料的微型发光二极管(例如，微型LED)或基于无机材料的纳米发光二极管(例如，纳米LED)。在下文中，为了简化描述，将主要描述自发光元件是有机发光元件的情况。
显示基板DS可以包括第一基板SUB1以及顺序地设置在第一基板SUB1上的电路元件层CL、发光元件层EML和薄膜封装层TFE。薄膜封装层TFE可以最靠近于感测基板SS，并且薄膜封装层TFE可以覆盖发光元件层EML的侧面。显示基板DS还可以包括诸如抗反射层和折射率控制层的功能层。
第一基板SUB1可以由诸如玻璃、石英或聚合材料的绝缘材料制成。聚合材料的示例可以包括聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PA)、多芳基化合物(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙基化物(polyallylate)、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(CAT)、乙酸丙酸纤维素(CAP)或它们的组合。第一基板SUB1可以包括金属材料。
第一基板SUB1可以是刚性基板或者可以弯曲、折叠或卷绕的柔性基板。柔性基板的材料的示例可以是聚酰亚胺(PI)，但是不限于此。
电路元件层CL可以包括电路元件和绝缘层。绝缘层包括至少一个无机层和至少一个有机层。电路元件包括信号线和用于像素的驱动电路(例如，数据驱动器或栅极驱动器)等。电路元件层CL可以经由通过涂覆或沉积形成绝缘层的工艺和通过光刻工艺对导体层和/或半导体层的图案化工艺来形成。
发光元件层EML包括自发光元件。例如，自发光元件可以是有机发光元件。发光元件层EML还可以包括诸如像素限定层的有机层。
薄膜封装层TFE可以密封发光元件层EML。薄膜封装层TFE可以包括至少一个无机层(在下文中，被称为封装无机层)。封装无机层可以保护发光元件层EML免受湿气或氧的影响。封装无机层可以包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层。
薄膜封装层TFE还可以包括至少一个有机层(在下文中，被称为封装有机层)。封装有机层可以保护发光元件层EML免受诸如尘粒的外来物质的影响。封装有机层可以包括丙烯酸有机层，但是不限于此。
在本发明的另一示例性实施例中，可以将薄膜封装层TFE替换为封装基板等。封装基板可以通过密封构件来密封发光元件层EML。
感测基板SS可以包括第二基板SUB2和设置在第二基板SUB2上的感测元件层SL。感测元件层SL可以与第二基板SUB2直接接触，并且比第二基板SUB2更靠近于薄膜封装层TFE。感测基板SS可以例如通过使用电容方法来感测外部输入。电容方法可以通过自电容方法或互电容方法获得感测点的坐标信息。
在本发明的一些示例性实施例中，感测基板SS可以用作上面描述的封装基板。换言之，感测基板SS的第二基板SUB2可以是封装基板。当第二基板SUB2用作封装基板时，可以省略上面描述的薄膜封装层TFE。
稍后将参照图6A描述感测基板SS的详细描述。
图3是根据本发明的示例性实施例的显示装置的显示基板的平面图。图4是图3的像素的示例性电路图。
参照图3和图4，显示基板DS可以包括主区域MR和连接到主区域MR的一侧的弯曲区域BR。显示基板DS还可以包括连接到弯曲区域BR的子区域SR。在显示基板DS弯曲之后，子区域SR可以在厚度方向上与主区域MR交叠。例如，在显示基板DS弯曲时，子区域SR可以设置在主区域MR下方。
主区域MR可以包括显示区DA。主区域MR的显示区DA的外围边缘部分可以是非显示区NDA。
在平面图中，主区域MR可以具有与显示装置1的外形类似的形状。主区域MR可以是位于一个表面上的平坦区域。然而，本发明不限于此，并且主区域MR的边缘中的除了主区域MR的连接到弯曲区域BR的边缘(或侧)之外的至少一个边缘可以以呈曲线的形状弯曲或在垂直方向上弯曲。
如果除了主区域MR的连接到弯曲区域BR的边缘之外的至少一个边缘呈曲线或弯曲，则显示区DA也可以设置在相应的边缘上。然而，本发明不限于此，并且不显示图像的非显示区NDA可以设置在呈曲线或弯曲的边缘上。可选地，显示区DA和非显示区NDA二者可以设置在呈曲线或弯曲的边缘上。
主区域MR的非显示区NDA可以位于从显示区DA的外边界到显示基板DS的边缘的区中。控制信号线CSL等可以设置在主区域MR的非显示区NDA中，以向显示区DA施加信号。例如，控制信号线CSL可以将信号提供到显示区DA中的数据线DL。此外，最外面的黑色矩阵可以设置在主区域MR的非显示区NDA中，但是本发明不限于此。
弯曲区域BR连接到主区域MR。例如，弯曲区域BR可以通过主区域MR的一条短侧连接。在弯曲区域BR中，显示基板DS可以在与第三方向DR3相反的方向(例如，与显示表面相反的方向)上以曲率弯曲。随着显示基板DS在弯曲区域BR中弯曲，显示基板DS的表面可以被反转。换言之，显示基板DS的面向上的一个表面可以通过弯曲区域BR改变为面向外，然后面向下。
子区域SR从弯曲区域BR延伸。子区域SR可以从显示基板DS的弯曲完成的点在平行于主区域MR的方向上延伸。子区域SR可以在显示基板DS的第三方向DR3上(例如，在厚度方向上)与主区域MR交叠。子区域SR可以与主区域MR的边缘的非显示区NDA交叠，并且还与主区域MR的显示区DA交叠。
驱动芯片(或者其中设置有驱动芯片并且电连接到驱动芯片的焊盘部分)可以设置在显示基板DS的子区域SR上。驱动芯片可以生成用于驱动像素PX的驱动信号，并且将其提供到显示区DA中的像素PX。例如，驱动芯片可以生成确定像素PX的发光亮度的数据信号。在这种情况下，驱动芯片可以通过数据线DL将数据信号提供到像素PX。
驱动芯片可以通过各向异性导电膜或通过超声波接合附着到显示基板DS。
驱动基板可以连接到显示基板DS的子区域SR的侧表面。焊盘部分DPD和SPD可以设置在子区域SR的侧表面上，并且驱动基板可以连接到焊盘部分DPD和SPD。驱动基板可以是柔性印刷电路板或膜。
像素PX和电连接到像素PX的信号线SGL可以设置在主区域MR的显示区DA中。
信号线SGL可以包括扫描线GL、数据线DL和上文描述的控制信号线CSL。扫描线GL可以在第二方向DR2上平行地形成，并且数据线DL可以在与第二方向DR2相交的第一方向DR1上平行地形成。
像素PX可以连接到至少一条扫描线GL和至少一条数据线DL。像素PX可以包括发光元件OLED和用于驱动发光元件OLED的驱动电路。驱动电路可以包括第一晶体管T1(例如，开关晶体管)、第二晶体管T2(例如，驱动晶体管)和电容器Cst(例如，存储电容器)。
可以将第一源电压ELVDD提供到第二晶体管T2，并且可以将第二源电压ELVSS提供到发光元件OLED。例如，第二晶体管T2的一端子可以被施加以第一源电压ELVDD，并且发光元件OLED的一端子可以被施加以第二源电压ELVSS。第二源电压ELVSS可以低于第一源电压ELVDD。
第一晶体管T1可以响应于施加到扫描线GL的扫描信号输出施加到数据线DL的数据信号。电容器Cst可以充入与从第一晶体管T1接收的数据信号对应的电压。
第二晶体管T2可以连接到发光元件OLED。第二晶体管T2可以响应于储存在电容器Cst中的电荷的量来控制在发光元件OLED中流动的驱动电流。上面描述的电压仅是示例性的，并且不限于此。换言之，像素PX还可以包括多个晶体管或多个电容器。此外，第二晶体管T2可以连接在电力线PL和发光元件OLED之间。稍后将参照图5描述像素PX的截面结构的详细描述。
扫描驱动器GDC可以设置在主区域MR的非显示区NDA中。
扫描驱动器GDC可以通过多条控制信号线CSL连接到显示驱动电路。因此，扫描驱动器GDC可以接收显示驱动电路的扫描控制信号。扫描驱动器GDC根据扫描控制信号生成扫描信号，并且将扫描信号供应到扫描线GL。
尽管图3示出了扫描驱动器GDC形成在位于显示区DA的左外侧的非显示区NDA中，但是本发明不限于此。例如，扫描驱动器GDC可以形成在位于显示区DA的左外侧和右外侧的非显示区NDA中。
显示驱动电路可以连接到显示焊盘部分DPD，以接收数字视频数据和时序信号。显示驱动电路可以将数字视频数据转换为模拟正/负数据电压，并且将它们供应到数据线DL。此外，显示驱动电路可以生成用于控制扫描驱动器GDC的扫描控制信号并通过多条控制信号线CSL来供应扫描控制信号。将被供应数据电压的像素PX可以由扫描驱动器GDC的扫描信号选择，并且数据电压可以被供应到选择的像素PX。
感测接触部分SCP可以进一步设置在主区域MR的非显示区NDA中。在本发明的另一示例性实施例中，感测接触部分SCP可以位于弯曲区域BR或子区域SR中。稍后将描述的显示基板DS的感测信号线SSL和感测基板SS的感测接触图案SCPT可以电连接到感测接触部分SCP。感测接触部分SCP还可以被称为感测接触区。稍后将给出其详细描述。
多个焊盘部分DPD和SPD可以设置在子区域SR中。多个焊盘部分DPD和SPD可以包括显示焊盘部分DPD和感测焊盘部分SPD。如图3中所示，显示焊盘部分DPD可以设置在设置于显示基板DS的一侧的感测焊盘部分SPD与设置于显示基板DS的另一侧的感测焊盘部分SPD之间，但是焊盘部分DPD和SPD的布置不限于此。显示焊盘部分DPD可以电连接到如上描述的信号线SGL。感测焊盘部分SPD可以通过感测信号线SSL电连接到感测元件层SL的感测电极。稍后将参照图9描述其详细描述。
图5是示出了图4的像素的截面图。
参照图5，电路元件层CL设置在第一基板SUB1上。电路元件层CL可以包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、缓冲层BFL、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4。缓冲层BFL、第一绝缘层IL1、第二绝缘层IL2、第三绝缘层IL3和第四绝缘层IL4可以顺序地堆叠。
缓冲层BFL可以设置在第一基板SUB1的一个表面上。缓冲层BFL可以形成在第一基板SUB1的一个表面上，以保护发光元件层EML的发光层OEL以及第一晶体管T1和第二晶体管T2免受透过第一基板SUB1的湿气的影响。缓冲层BFL可以由交替地堆叠的多个无机层形成。例如，缓冲层BFL可以由其中氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层和氧化铝层中的一个或更多个无机层交替地堆叠的多个层形成。可以省略缓冲层BFL。
第一晶体管T1和第二晶体管T2设置在缓冲层BFL上。例如，第一晶体管T1和第二晶体管T2的半导体层ACT1和ACT2可以设置在缓冲层BFL上。半导体层ACT1和ACT2可以包括第一晶体管T1的第一半导体层ACT1和第二晶体管T2的第二半导体层ACT2。半导体层ACT1和ACT2可以包括多晶硅、单晶硅、低温多晶硅、非晶硅或氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以包括包含铟(In)、锌(Zn)、镓(Ga)、锡(Sn)、钛(Ti)、铝(Al)、铪(Hf)、锆(Zr)和镁(Mg)等的二元化合物(ABx)、三元化合物(ABxCy)或四元化合物(ABxCyDz)。例如，半导体层ACT1和ACT2可以包括ITZO(包含铟、钛和锡的氧化物)或IGZO(包含铟、镓和锡的氧化物)。光阻挡层可以形成在缓冲层BFL与半导体层ACT1和ACT2中的每一者之间，以阻挡外部光入射在半导体层ACT1和ACT2上。
第一绝缘层IL1可以形成在半导体层ACT1和ACT2上。第一绝缘层IL1可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。尽管图5示出了第一绝缘层IL1也形成在除了与栅电极GE1和GE2交叠的区域之外的区域中，但是本发明不限于此。例如，第一绝缘层IL1可以仅形成在与栅电极GE1和GE2交叠的区域中。
第一导电层110可以设置在第一绝缘层IL1上。第一导电层110可以包括第一晶体管T1的第一栅电极GE1和第二晶体管T2的第二栅电极GE2。第一导电层110可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其合金制成的单层或多层。
第二绝缘层IL2可以设置在第一导电层110上。第二绝缘层IL2可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。
第二导电层120可以设置在第二绝缘层IL2上。第二导电层120可以包括第一晶体管T1的第一源电极SE1和第一漏电极DE1以及第二晶体管T2的第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
第一源电极SE1和第一漏电极DE1中的每一者可以通过穿过第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2的接触孔连接到第一半导体层ACT1。例如，第一源电极SE1可以接触第一半导体层ACT1的上部。
第二源电极SE2和第二漏电极DE2中的每一者可以通过穿过第一绝缘层IL1和第二绝缘层IL2的接触孔连接到第二半导体层ACT2。例如，第二源电极SE2可以接触第二半导体层ACT2的上部。
第二导电层120可以包括至少一种金属，诸如铝(Al)、钼(Mo)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、钙(Ca)、钛(Ti)、钽(Ta)、钨(W)或铜(Cu)。第二导电层120可以为单层或多层。例如，第二导电层120可以具有Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/AlGe/Mo或Ti/Cu的堆叠结构。
第三绝缘层IL3可以设置在第二导电层120上。第三绝缘层IL3可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等的有机层形成。第三绝缘层IL3也可以设置在第二绝缘层IL2上。
第三导电层130可以设置在第三绝缘层IL3上。第三导电层130可以与上面描述的第二导电层120由相同的材料制成，或者可以包括诸如第二导电层120的构成材料的材料。
第三导电层130可以包括导电图案ACE。导电图案ACE可以将稍后将描述的第一电极AE连接到第二晶体管T2的第二源电极SE2。导电图案ACE可以通过穿过第三绝缘层IL3的接触孔接触第二源电极SE2。尽管图5示出了导电图案ACE连接到第二源电极SE2的情况，但是本发明不限于此。换言之，导电图案ACE可以连接到第二漏电极DE2，并且在这种情况下，导电图案ACE可以将第一电极AE连接到第二漏电极DE2。
第四绝缘层IL4可以设置在第三导电层130和第三绝缘层IL3上。第四绝缘层IL4可以与上面描述的第三绝缘层IL3由相同的材料制成，或者可以包括诸如第三绝缘层IL3的构成材料的材料。
发光元件层EML设置在电路元件层CL上。发光元件层EML可以包括发光元件OLED和像素限定层PDL。
发光元件OLED和像素限定层PDL可以设置在第四绝缘层IL4上。
每个发光元件OLED可以包括第一电极AE、发光层OEL和第二电极CE。第一电极AE可以是阳极，并且第二电极CE可以是阴极。
第一电极AE可以设置在第四绝缘层IL4上。第一电极AE可以通过穿过第四绝缘层IL4的接触孔电连接到导电图案ACE。因此，第一电极AE可以通过导电图案ACE电连接到第二晶体管T2。
在当相对于发光层OEL观察时朝向第二电极CE发光的顶发射结构中，第一电极AE可以由具有高反射率的金属材料形成，以具有铝和钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、铝和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、以及APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
在当相对于发光层OEL观察时朝向第一电极AE发光的底发射结构中，第一电极AE可以由能够透射光的诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料来形成。在这种情况下，当第一电极AE由半透射金属材料形成时，发光效率会由于微腔效应而提高。
可以形成像素限定层PDL来分隔第一电极AE，以限定像素PX的发射区域PXA。换言之，发射区域PXA可以形成在像素限定层PDL的开口OP中。像素限定层PDL可以形成为覆盖第一电极AE的边缘。像素限定层PDL可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
发射区域PXA是指这样的区域：第一电极AE、发光层OEL和第二电极CE顺序地堆叠，并且来自第一电极AE的空穴和来自第二电极CE的电子在发光层OEL中彼此结合以发光。
发光层OEL设置在第一电极AE和像素限定层PDL上。发光层OEL可以包括发射预定颜色的光的有机材料。空穴控制层HCL可以进一步设置在发光层OEL和第一电极AE之间。空穴控制层HCL也可以公共地形成在除了发射区域PXA之外的区域中。例如，空穴控制层HCL可以形成为与第一晶体管T1和第二晶体管T2交叠。电子控制层ECL可以进一步设置在发光层OEL和第二电极CE之间。电子控制层ECL也可以公共地形成在除了发射区域PXA之外的区域中。例如，电子控制层ECL可以形成为与第一晶体管T1和第二晶体管T2交叠。
第二电极CE设置在电子控制层ECL上。第二电极CE可以形成为覆盖发光层OEL。第二电极CE可以是公共地形成在像素PX上的层。盖层(capping layer)可以进一步设置在第二电极CE上。
在顶发射结构中，第二电极CE可以由能够透射光的诸如ITO或IZO的透明导电材料(TCO)或者诸如镁(Mg)、银(Ag)或镁(Mg)和银(Ag)的合金的半透射导电材料来形成。当第二电极CE由半透射导电材料形成时，发光效率会由于微腔效应而提高。
在底发射结构中，第二电极CE可以由诸如铝(Al)和钛(Ti)的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)等的具有高反射率的金属材料形成。APC合金是银(Ag)、钯(Pd)和铜(Cu)的合金。
薄膜封装层TFE可以设置在发光元件层EML上。薄膜封装层TFE设置在第二电极CE上。薄膜封装层TFE可以对于像素PX公共地设置。盖层可以进一步设置在薄膜封装层TFE和第二电极CE之间。在这种情况下，薄膜封装层TFE可以直接覆盖此盖层。
薄膜封装层TFE可以包括顺序地堆叠在第二电极CE上的第一封装无机层IOL1、封装有机层OL1和第二封装无机层IOL2。
第一封装无机层IOL1和第二封装无机层IOL2中的每一者可以由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)或氟化锂等形成。
封装有机层OL1可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、聚氨酯树脂、纤维素树脂或苝树脂等形成。
然而，薄膜封装层TFE的结构不限于上述示例。另外，薄膜封装层TFE的堆叠结构可以进行各种改变。
另外，如上所述，当感测基板SS自身用作封装基板时，可以省略在图5中示出的薄膜封装层TFE。
图6A是根据本发明的示例性实施例的显示装置的感测基板的平面图。
参照图6A，感测基板SS包括用于感测外部输入(例如，用户的触摸)的感测区SA和设置在感测区SA周围的感测外围区NSA。
感测区SA可以与显示区DA交叠。多个第一感测电极TE、第二感测电极RE和感测连接电极CP可以设置在感测区SA中。第一感测电极TE和第二感测电极RE可以设置为彼此间隔开。例如，如图6A所示，可以在第一感测电极TE和第二感测电极RE之间形成间隙。
多个第一感测电极TE可以以沿着第一方向DR1的多个列布置，并且多个第二感测电极RE可以以沿着第二方向DR2的多个行布置。多个列中的每一列中的在第一方向DR1上设置的第一感测电极TE可以电连接。例如，列中的一对第一感测电极TE可以通过感测连接电极CP彼此电连接。此外，多个行中的每一行中的在第二方向DR2上设置的第二感测电极RE可以电连接。例如，行中的一对第二感测电极RE可以通过连接电极彼此电连接。
在平面图中，第一感测电极TE和第二感测电极RE可以以菱形形状或三角形形状形成。例如，在平面图中，设置在感测区SA的边缘上的第一感测电极TE和第二感测电极RE可以具有三角形形状，并且在平面图中，其他第一感测电极TE和其他第二感测电极RE可以具有菱形形状。
在本发明的示例性实施例中，第一感测电极TE和第二感测电极RE可以包括具有光透射性质的导电材料。可选地，第一感测电极TE和第二感测电极RE可以包括诸如金属或其合金的导电材料，只要其具有光透射性质即可。在本发明的示例性实施例中，当第一感测电极TE和第二感测电极RE由金属或其合金制成时，第一感测电极TE和第二感测电极RE可以具有如图6A中所示的网格结构，以防止它们被用户在视觉上识别。稍后将描述第一感测电极TE和第二感测电极RE的材料的示例。
多个第一感测电极TE和第二感测电极RE可以彼此间隔开，并且在第一方向DR1上彼此相邻的第一感测电极TE可以通过感测连接电极CP电连接。在这种情况下，第一感测电极TE和第二感测电极RE可以设置在同一层上，并且感测连接电极CP可以与第一感测电极TE和第二感测电极RE设置在不同的层上。稍后将参照图7和图8描述感测元件层SL的截面结构。
感测接触部分SCP以及路由线路TL1、TL2和RL可以设置在感测外围区NSA中。
感测接触部分SCP可以设置在感测基板SS的下侧处的一侧和另一侧。例如，感测接触部分SCP可以设置在感测基板SS的下侧的相对侧处。感测接触部分SCP可以是路由线路TL1、TL2和RL电连接到感测信号线(图3中的SSL)的区(例如，感测接触区)。在下文中，术语“感测接触部分”和“感测接触区”可互换使用。
平面图中的感测接触部分(或感测接触区)SCP可以设置在密封构件ST的内侧。换言之，在平面图中，感测接触部分(或感测接触区)SCP可以设置在感测区SA的边缘和密封构件ST之间。在这种情况下，因为在密封构件ST的外侧无需设置感测接触部分SCP的空间，所以可以使显示装置1的无效空间(dead space)最小化。例如，在图6A中所示的平面图中，密封构件ST可以设置在第二基板SUB2的边缘处，由此使无效空间最小化。
路由线路TL1、TL2和RL可以包括第一路由线路TL1、第二路由线路TL2和第三路由线路RL。
第一路由线路TL1的一端可以连接到第一感测电极TE的一侧。换言之，第一路由线路TL1的一端可以连接到设置在感测区SA的第一侧的第一感测电极TE。感测区SA的第一侧可以是感测区SA的四个侧中的与设置感测接触部分SCP的区域最靠近的侧。第一路由线路TL1的另一端可以延伸到感测接触部分SCP。换言之，第一路由线路TL1可以通过感测接触部分SCP将第一感测电极TE连接到感测信号线(图3中的SSL)。
第二路由线路TL2的一端可以连接到第一感测电极TE的另一侧。换言之，第二路由线路TL2的一端可以连接到设置在感测区SA的第二侧的第一感测电极TE。感测区SA的第二侧是感测区SA的第一侧的相对侧，并且可以是感测区SA的四个侧中的位于与设置感测接触部分SCP的区域最远的侧。第二路由线路TL2可以经由感测区SA的第一侧和第四侧连接到设置在第二侧的第一感测电极TE。例如，第二路由线路TL2可以沿着感测区SA的第四侧从第一侧延伸到第二侧。第二路由线路TL2的另一端可以延伸到感测接触部分SCP。换言之，第二路由线路TL2可以通过感测接触部分SCP将第一感测电极TE连接到感测信号线(图3中的SSL)。
换言之，连接到第一感测电极TE的路由线路可以具有双路由结构。因此，可以减小由第一感测电极TE的电阻导致的RC延迟。
第三路由线路RL的一端可以连接到第二感测电极RE的一侧。换言之，第三路由线路RL的一端可以连接到设置在感测区SA的第三侧的第二感测电极RE。感测区SA的第三侧是第四侧的相对侧，并且可以是在第一侧和第二侧之间在第二方向DR2上设置的侧。第三路由线路RL的另一端可以延伸到感测接触部分SCP。换言之，第三路由线路RL可以通过感测接触部分SCP将第二感测电极RE连接到感测信号线(图3中的SSL)。
第一感测电极TE和第二感测电极RE可以通过互电容方法或自电容方法驱动。
当第一感测电极TE和第二感测电极RE通过互电容方法驱动时，触摸驱动信号通过第一路由线路TL1和第二路由线路TL2供应到第一感测电极TE，从而在第一感测电极TE和第二感测电极RE的交叉点处充入互电容。然后，通过第二感测电极RE测量互电容的电荷变化量，并且根据互电容的电荷变化量来确定是否发生触摸输入。触摸驱动信号可以是具有多个触摸驱动脉冲的信号。
当第一感测电极TE和第二感测电极RE通过自电容方法驱动时，触摸驱动信号通过第一路由线路TL1、第二路由线路TL2和第三路由线路RL供应到第一感测电极TE和第二感测电极RE二者，从而充入第一感测电极TE和第二感测电极RE的自电容。随后，通过第一路由线路TL1、第二路由线路TL2和第三路由线路RL测量自电容的电荷变化量，并且根据自电容的电荷变化量来确定是否发生触摸输入。
在下文中，为了简化描述，将主要描述通过互电容方法进行驱动的情况，在互电容方法中，多个触摸驱动脉冲被施加到第一感测电极TE，并且通过连接到第二感测电极RE的第三路由线路RL来测量互电容的电荷变化量。在这种情况下，第一感测电极TE可以用作触摸驱动电极，第二感测电极RE可以用作触摸感测电极，第一路由线路TL1和第二路由线路TL2可以用作触摸驱动线路，并且第三路由线路RL可以用作触摸感测线路。
接地线路和/或保护线路可以进一步设置在感测外围区NSA中。接地电压可以施加到接地线路。因此，当从外部施加静电时，静电可以放电到接地线路。保护线路可以设置在路由线路TL1、TL2和RL之间。保护线路可以用于使路由线路TL1、TL2和RL之间的耦合最小化。
图6B是示出了根据本发明的示例性实施例的在图6A中示出的感测基板的修改结构的平面图。
参照图6B，根据本实施例的感测基板SS_1与图6A中示出的感测基板(图6A中的SS)的区别在于，其不包括第二路由线路(图6A中的TL2)，并且其他构造基本上相同或类似。换言之，与图6A中示出的结构不同，在根据本实施例的感测基板SS_1中，连接到第一感测电极TE的路由线路可以具有单路由结构。
另一方面，与图6A中示出的结构相比，感测基板SS_1可以具有包括第二路由线路(图6A的TL2)但不包括第一路由线路TL1的结构。例如，感测基板SS_1可以具有第二路由线路TL2和第三路由线路RL，但不具有第一路由线路TL1。
因为其他构造的描述与上述相同，所以其将被省略。
图6C是示出了根据本发明的示例性实施例的在图6A中示出的感测基板的另一修改结构的平面图。
参照图6C，根据本实施例的感测基板SS_2与图6A中示出的感测基板(图6A中的SS)的区别在于，其不包括第二路由线路(图6A中的TL2)，而是进一步包括第四路由线路RL'。图6C的其他构造与图6A中示出的构造基本上相同或类似。
第四路由线路RL'可以位于感测外围区NSA中。第四路由线路RL'可以位于第三路由线路RL的相对侧，感测区SA介于它们之间。
第四路由线路RL'的一端可以连接到第二感测电极RE的另一侧。换言之，第四路由线路RL'的一端可以连接到设置在感测区SA的第四侧的第二感测电极RE。感测区SA的第四侧是第三侧的相对侧，并且可以是在第一侧和第二侧之间在第二方向DR2上设置的侧。第四路由线路RL'的另一端可以延伸到感测接触部分SCP。换言之，第四路由线路RL'可以通过感测接触部分SCP将第二感测电极RE连接到感测信号线(图3中的SSL)。
换言之，在根据本实施例的感测基板SS_2中，与图6A中示出的结构不同，连接到第一感测电极TE的路由线路可以具有单路由结构，并且连接到第二感测电极RE的路由线路可以具有双路由结构。
另一方面，与图6A中示出的结构相比，感测基板SS_2可以具有包括第二路由线路(图6A的TL2)但不包括第一路由线路TL1的结构。
在本发明的示例性实施例中，感测基板SS_2的第一感测电极TE可以沿着第一方向DR1彼此电连接。例如，沿着第一方向DR1彼此相邻的第一感测电极TE可以经由与第一感测电极TE位于同一层上并且与第一感测电极TE由相同的材料制成的连接电极彼此连接。
感测基板SS_2的第二感测电极RE可以沿着第二方向DR2彼此电连接。例如，沿着第二方向DR2彼此相邻的第二感测电极RE可以经由与第二感测电极RE位于不同层上的感测连接电极CP彼此连接。
在本发明的示例性实施例中，第一感测电极TE、第二感测电极RE和连接电极可以位于同一层上(在下文中，被称为第二感测导电层)并且可以由相同的材料制成，并且连接到第二感测电极RE的感测连接电极CP可以位于第二基板SUB2和第二感测导电层之间。
因为其他构造的描述与上述相同，所以其将被省略。
为了简化描述，将结合图6A中示出的感测基板SS的结构给出下面的描述，但是本发明不限于此。感测基板的结构可以被修改为具有图6B中示出的结构、图6C中示出的结构等。
图7是图6A的感测基板的示意性截面图。图8是沿着图6A的线I-I'截取的截面图。
参照图7和图8，第一感测导电层SCL1、感测绝缘层SIL和第二感测导电层SCL2可以设置在感测基板SS的第二基板SUB2上。
第一感测导电层SCL1可以直接设置在第二基板SUB2上。然而，本发明不限于此，并且感测缓冲层可以进一步设置在第一感测导电层SCL1和第二基板SUB2之间。在这种情况下，第一感测导电层SCL1可以设置在位于第二基板SUB2上的感测缓冲层上。感测缓冲层可以包括无机层或有机层。
第一感测导电层SCL1可以包括上面参照图6A描述的感测连接电极CP。
第一感测导电层SCL1可以被形成为具有钛/铝/钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、氧化铟锡(ITO)/铝/ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)，但是不限于此。
感测绝缘层SIL设置在第一感测导电层SCL1上。感测绝缘层SIL可以使第一感测导电层SCL1与第二感测导电层SCL2绝缘。感测绝缘层SIL可以覆盖感测连接电极CP的一部分。
感测绝缘层SIL可以由无机层(例如，氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、氧化钛层或氧化铝层)形成。可选地，感测绝缘层SIL可以由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂和聚酰亚胺树脂等的有机层形成。
第二感测导电层SCL2设置在感测绝缘层SIL上。第二感测导电层SCL2可以包括上面描述的第一感测电极TE和第二感测电极RE。
设置在第二感测电极RE的一侧的第一感测电极TE可以通过穿过感测绝缘层SIL的接触孔接触感测连接电极CP的一侧。此外，设置在第二感测电极RE的另一侧的第一感测电极TE可以通过穿过感测绝缘层SIL的接触孔接触感测连接电极CP的另一侧。因此，在第一方向DR1上彼此间隔开的第一感测电极TE可以通过感测连接电极CP电连接。
第二感测导电层SCL2可以具有钛/铝/钛的堆叠结构(Ti/Al/Ti)、氧化铟锡(ITO)/铝/ITO的堆叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、或者APC合金和ITO的堆叠结构(ITO/APC/ITO)，但是不限于此。
在下文中，作为示例，将描述感测基板自身用作显示装置的封装基板并且省略了薄膜封装层的情况。
图9是沿着图3和图6A的线II-II'截取的截面图。
参照图9，感测接触部分(或感测接触区)SCP位于非显示区NDA中。在感测接触部分(或感测接触区)SCP中，省略了第四绝缘层IL4和像素限定层PDL，并且突出部分PT可以设置在省略了第四绝缘层IL4和像素限定层PDL的空间中。因此，即使省略了第四绝缘层IL4和像素限定层PDL，设置在第三绝缘层IL3上的感测信号线SSL和作为设置在第二基板SUB2上的导电构件的感测接触图案SCPT可以彼此接触。突出部分PT可以具有从第二基板SUB2的一个表面突出的形状。例如，突出部分PT可以从第二基板SUB2向第一基板SUB1突出。换言之，突出部分PT可以具有沿着第三方向DR3增加的截面宽度。
在本发明的示例性实施例中，突出部分PT可以由有机绝缘材料制成。
感测接触图案SCPT是具有导电性的导电构件，并且可以设置在突出部分PT和感测信号线SSL之间。感测接触图案SCPT可以沿着突出部分PT的一个表面设置。感测信号线SSL可以接触设置在突出部分PT的一个表面上的感测接触图案SCPT。换言之，感测接触图案SCPT和感测信号线SSL可以电连接。感测信号线SSL的一端可以接触设置在突出部分PT的一个表面上的感测接触图案SCPT。例如，感测信号线SSL的第一端可以与感测接触图案SCPT的位于感测信号线SSL的第一端和突出部分PT之间的部分接触。感测信号线SSL可以延伸到密封构件ST的外侧，并且感测信号线SSL的另一端可以接触感测焊盘部分SPD。例如，感测信号线SSL可以从密封构件ST的内侧延伸到密封构件ST的外侧，从而感测信号线SSL的位于密封构件ST的外侧处的第二端可以与感测焊盘部分SPD接触。因此，感测信号线SSL可以将设置在密封构件ST的内侧的感测接触图案SCPT电连接到设置在密封构件ST的外侧的感测焊盘部分SPD。
感测接触图案SCPT可以设置在第二基板SUB2上。在这种情况下，感测接触图案SCPT与第二基板SUB2和感测信号线SSL接触。感测接触图案SCPT可以由上面描述的第二感测导电层SCL2形成，但是不限于此。当感测接触图案SCPT由第二感测导电层SCL2形成时，感测接触图案SCPT可以与感测电极TE和RE设置在同一层上。因此，例如，感测接触图案SCPT可以与感测电极TE包括相同的导电层。
感测信号线SSL可以设置在第三绝缘层IL3上。感测信号线SSL可以由上面描述的第三导电层130形成，但是不限于此。当感测信号线SSL由第三导电层130形成时，感测信号线SSL可以与导电图案ACE设置在同一层上。
源电压线VSS和信号线SGL可以设置在感测信号线SSL下方。源电压线VSS可以电连接到第二电极CE，以将第二源电压ELVSS提供到发光元件OLED。信号线SGL(例如，图3中所示的控制信号线CSL)可以设置在第一基板SUB1和感测信号线SSL之间。
源电压线VSS可以设置在感测信号线SSL和信号线SGL之间。换言之，源电压线VSS可以与感测信号线SSL和信号线SGL交叠。因此，源电压线VSS可以屏蔽来自信号线SGL的感测噪声。应当理解，源电压线VSS可以被称为屏蔽图案，并且源电压线VSS可以与信号线SGL(例如,图3中所示的控制信号线CSL)或感测信号线SSL交叠。被源电压线VSS交叠的信号线SGL可以是控制信号线。
源电压线VSS可以设置在第二绝缘层IL2上。源电压线VSS可以由上面描述的第二导电层120形成，但是不限于此。当源电压线VSS由第二导电层120形成时，源电压线VSS可以与第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2设置在同一层上。
因为已经参照图3描述了信号线SGL，所以省略了冗余描述。
感测焊盘部分SPD可以设置在第二绝缘层IL2上。感测焊盘部分SPD可以由上面描述的第二导电层120形成，但是不限于此。当感测焊盘部分SPD由第二导电层120形成时，感测焊盘部分SPD可以与第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和源电压线VSS设置在同一层上。
如上所述，当感测接触部分SCP设置在密封构件ST的内侧并且突出部分PT形成在感测接触部分SCP上以将感测接触图案SCPT连接到感测信号线SSL时，因为在密封构件ST的外侧无需设置感测接触部分SCP的附加空间，所以可以使显示装置1的无效空间最小化。
根据在图9中示出的本发明的示例性实施例，显示装置可以包括：第一基板SUB1，包括显示区DA和非显示区NDA；第二基板SUB2，面对第一基板SUB1；密封构件ST，设置在非显示区NDA中；感测接触图案SCPT，设置为与密封构件ST相邻；以及感测信号线SSL，在密封构件ST的第一侧处与感测接触图案SCPT接触并且延伸到密封构件ST的第二侧。
在下文中，将描述本发明的其他示例性实施例。在下面的实施例中，将省略或简化与上述实施例的组件相同的组件的描述，并且将主要描述区别。
图10A是根据本发明的另一示例性实施例的显示装置的截面图。
参照图10A，本实施例与图1至图9的实施例的区别在于，显示装置的突出部分PT2具有从第一基板SUB1突出的形状。
在本发明的示例性实施例中，突出部分PT2可以位于感测信号线SSL上，并且可以具有随着其远离第一基板SUB1或随着其靠近于第二基板SUB2而减小的截面宽度。
感测接触图案SCPT2_1和SCPT2_2可以设置在第二基板SUB2和突出部分PT2之间。感测接触图案SCPT2_1和SCPT2_2可以包括设置在第二基板SUB2的一个表面上的第一感测接触图案SCPT2_1和设置在第一感测接触图案SCPT2_1与突出部分PT2之间的第二感测接触图案SCPT2_2。
第二感测接触图案SCPT2_2可以沿着突出部分PT2的一个表面设置。第二感测接触图案SCPT2_2可以在突出部分PT2的一个表面上直接接触第一感测接触图案SCPT2_1。在这种情况下，突出部分PT2的一个表面可以是面对第二基板SUB2的表面。第二感测接触图案SCPT2_2可以延伸到突出部分PT2的边缘，以接触设置在突出部分PT2下方的感测信号线SSL。第二感测接触图案SCPT2_2可以在突出部分PT2下方在两个区处接触感测信号线SSL，并且可以与感测信号线SSL的边缘交叠。因此，第一感测接触图案SCPT2_1和感测信号线SSL可以通过第二感测接触图案SCPT2_2电连接。
感测信号线SSL可以延伸到密封构件ST的外侧，并且感测信号线SSL的另一端可以接触感测焊盘部分SPD。因此，感测信号线SSL可以将设置在密封构件ST的内侧的感测接触图案SCPT2_1和SCPT2_2电连接到设置在密封构件ST的外侧的感测焊盘部分SPD。
突出部分PT2可以设置在第三导电层130上。突出部分PT2可以与上面描述的第四绝缘层IL4由相同的层形成。换言之，突出部分PT2可以与第四绝缘层IL4同时形成。
第一感测接触图案SCPT2_1可以设置在第二基板SUB2上。第一感测接触图案SCPT2_1可以由上面描述的第二感测导电层SCL2形成，但是不限于此。当第一感测接触图案SCPT2_1由第二感测导电层SCL2形成时，第一感测接触图案SCPT2_1可以与感测电极TE和RE设置在同一层上。
第二感测接触图案SCPT2_2可以设置在第四绝缘层IL4上。第二感测接触图案SCPT2_2可以与上面描述的第一电极AE由相同的导电层形成，但是不限于此。
因为已经参照图9描述了感测信号线SSL、感测焊盘部分SPD等，所以省略了冗余描述。
如上所述，当感测接触部分SCP设置在密封构件ST的内侧并且突出部分PT2形成在感测接触部分SCP上以将感测接触图案SCPT2_1和SCPT2_2连接到感测信号线SSL时，因为在密封构件ST的外侧无需设置感测接触部分SCP的附加空间，所以可以使显示装置1的无效空间最小化。
图10B是示出了根据本发明的示例性实施例的在图10A中示出的显示装置的修改结构的截面图。
参照图10B，本实施例与在图10A中示出的结构的区别在于，突出部分PT2_1包括第一突出图案PT2a、第二突出图案PT2b和第三突出图案PT2c，并且其他构造基本上相同或类似。因此，将省略冗余描述，并且将主要描述区别。
第一突出图案PT2a可以位于感测信号线SSL上。第一突出图案PT2a可以与位于显示区DA中的绝缘层由相同的材料同时地形成。在本发明的示例性实施例中，第一突出图案PT2a可以与第四绝缘层IL4由相同的有机绝缘材料制成，并且可以在形成第四绝缘层IL4的工艺中同时地形成。
第二突出图案PT2b可以位于第一突出图案PT2a上。第二突出图案PT2b可以与位于显示区DA中的组件由相同的材料同时地形成。在本发明的示例性实施例中，第二突出图案PT2b可以与像素限定层PDL由相同的有机绝缘材料制成，并且可以在形成像素限定层PDL的工艺中同时地形成。
第三突出图案PT2c可以位于第二突出图案PT2b上。在本发明的示例性实施例中，第三突出图案PT2c可以由有机绝缘材料制成。
图10C是示出了根据本发明的示例性实施例的在图10A中示出的显示装置的另一修改结构的截面图。
参照图10C，本实施例与在图10A中示出的结构的区别在于，突出部分PT2_2包括第一突出图案PT2d和第二突出图案PT2e，并且其他构造基本上相同或类似。因此，将省略冗余描述，并且将主要描述区别。
第一突出图案PT2d可以位于感测信号线SSL上。在本发明的示例性实施例中，第一突出图案PT2d可以与第四绝缘层IL4由相同的有机绝缘材料制成，并且可以在形成第四绝缘层IL4的工艺中同时地形成。
第二突出图案PT2e可以位于第一突出图案PT2d上。在本发明的示例性实施例中，第二突出图案PT2e可以与像素限定层PDL由相同的有机绝缘材料制成，并且可以在形成像素限定层PDL的工艺中同时地形成。
在本发明的示例性实施例中，第一突出图案PT2d的厚度可以大于第四绝缘层IL4的厚度。在本发明的示例性实施例中，当第四绝缘层IL4和第一突出图案PT2d由光敏有机绝缘材料制成时，通过在制造工艺中使用半色调掩模对光敏有机绝缘材料进行曝光和显影，第一突出图案PT2d的厚度可以被形成为大于第四绝缘层IL4的厚度。
在本发明的示例性实施例中，第二突出图案PT2e的厚度可以大于像素限定层PDL的厚度。在本发明的示例性实施例中，当第二突出图案PT2e和像素限定层PDL由光敏有机绝缘材料制成时，通过涂布光敏有机绝缘材料并且使用半色调掩模对光敏有机绝缘材料进行曝光和显影，第二突出图案PT2e和像素限定层PDL可以被形成为具有不同的厚度。
图11A是示出了根据本发明的又一示例性实施例的显示装置的截面图。
参照图11A，本实施例与图1至图9的实施例的区别在于，显示装置的突出部分PT3_1和PT3_2包括从第二基板SUB2突出的第一突出部分PT3_1和从第一基板SUB1突出的第二突出部分PT3_2。
例如，第一突出部分PT3_1可以具有沿着第三方向DR3增加的截面宽度，并且第二突出部分PT3_2可以具有沿着第三方向DR3减小的截面宽度。
感测接触图案SCPT3_1和SCPT3_2可以设置在第一突出部分PT3_1和第二突出部分PT3_2之间。感测接触图案SCPT3_1和SCPT3_2可以包括沿着第一突出部分PT3_1的顶表面设置的第一感测接触图案SCPT3_1和沿着第二突出部分PT3_2的顶表面设置的第二感测接触图案SCPT3_2。
第一感测接触图案SCPT3_1和第二感测接触图案SCPT3_2可以在第一突出部分PT3_1的一个表面和第二突出部分PT3_2的一个表面之间彼此接触。在这种情况下，第一突出部分PT3_1的一个表面可以是面对第二突出部分PT3_2的表面，并且第二突出部分PT3_2的一个表面可以是面对第一突出部分PT3_1的表面。
第二感测接触图案SCPT3_2可以延伸到第二突出部分PT3_2的边缘，以接触设置在第二突出部分PT3_2下方的感测信号线SSL。因此，第一感测接触图案SCPT3_1和感测信号线SSL可以通过第二感测接触图案SCPT3_2电连接。
感测信号线SSL可以延伸到密封构件ST的外侧，并且感测信号线SSL的位于密封构件ST的外侧的端部可以接触感测焊盘部分SPD。因此，感测信号线SSL可以将设置在密封构件ST的内侧的感测接触图案SCPT3_1和SCPT3_2电连接到设置在密封构件ST的外侧的感测焊盘部分SPD。
第一突出部分PT3_1可以设置在第二基板SUB2上。
第二突出部分PT3_2可以设置在第三导电层130上。第二突出部分PT3_2可以与上面描述的第四绝缘层IL4由相同的层形成。换言之，第二突出部分PT3_2可以与第四绝缘层IL4同时地形成。
第一感测接触图案SCPT3_1可以设置在第二基板SUB2和第一突出部分PT3_1上。第一感测接触图案SCPT3_1可以由上面描述的第二感测导电层SCL2形成，但是不限于此。当第一感测接触图案SCPT3_1由第二感测导电层SCL2形成时，第一感测接触图案SCPT3_1可以与感测电极TE和RE设置在同一层上。
第二感测接触图案SCPT3_2可以设置在第四绝缘层IL4上。第二感测接触图案SCPT3_2可以与上面描述的第一电极AE由相同的导电层形成，但是不限于此。
如上所述，当感测接触部分SCP设置在密封构件ST的内侧并且突出部分PT3_1和PT3_2形成在感测接触部分SCP上以将感测接触图案SCPT3_1和SCPT3_2连接到感测信号线SSL时，因为在密封构件ST的外侧无需设置感测接触部分SCP的附加空间，所以可以使显示装置1的无效空间最小化。
图11B是示出了根据本发明的示例性实施例的在图11A中示出的显示装置的修改结构的截面图。
参照图11B，本实施例与在图11A中示出的结构的区别在于，第二突出部分PT3_3包括位于感测信号线SSL上的第一突出图案PT3a和位于第一突出图案PT3a上的第二突出图案PT3b，并且其他构造基本上相同或类似。
在本发明的示例性实施例中，第一突出图案PT3a可以与第四绝缘层IL4由相同的有机绝缘材料制成，并且可以在形成第四绝缘层IL4的工艺中同时地形成。
在本发明的示例性实施例中，第二突出图案PT3b可以与像素限定层PDL由相同的有机绝缘材料制成，并且可以在形成像素限定层PDL的工艺中同时地形成。
根据本发明的示例性实施例，提供了具有内嵌式触摸结构的显示装置，该显示装置通过将感测接触部分定位在密封构件的内侧而具有减小的无效空间。
尽管已经参照附图描述了本发明的示例性实施例，但是本领域技术人员将理解，在不脱离如在权利要求中阐述的本发明的范围的情况下，可以对其进行各种修改和变更。

Claims (10)

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
第一基板，包括显示区和非显示区；
第二基板，面对所述第一基板；
密封构件，设置在所述非显示区中并且将所述第一基板结合到所述第二基板；
感测接触区，设置在所述密封构件的内侧处；
感测信号线，设置在所述感测接触区中；
感测接触图案，设置在所述感测接触区中并且电连接到所述感测信号线；
控制信号线，设置在所述第一基板和所述感测信号线之间；以及
屏蔽图案，设置在所述控制信号线和所述感测信号线之间，所述屏蔽图案与所述控制信号线或所述感测信号线交叠。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
突出部分，设置在所述第二基板和所述感测接触图案之间，
其中，所述感测接触图案沿着所述突出部分的表面设置，并且
其中，所述感测接触图案在所述突出部分的所述表面上与所述感测信号线接触。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
多个第一感测电极，设置在所述显示区中，其中，所述第一感测电极以多个列布置；以及
感测连接电极，连接所述第一感测电极，
其中，所述感测接触图案与所述第一感测电极包括相同的导电层。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
突出部分，设置在所述第二基板和所述感测信号线之间，
其中，所述感测接触图案设置在所述第二基板和所述突出部分之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
第一突出部分，设置在所述第二基板和所述感测信号线之间；以及
第二突出部分，设置在所述第一突出部分和所述感测信号线之间，
其中，所述感测接触图案设置在所述第一突出部分和所述第二突出部分之间。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
源电极或漏电极，与所述屏蔽图案布置在同一层处；
第一电极，电连接到所述源电极或所述漏电极；
第二电极，设置在所述第一电极上；以及
发光层，设置在所述第一电极和所述第二电极之间，
其中，所述屏蔽图案电连接到所述第二电极。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
导电图案，将所述源电极或所述漏电极连接到所述第一电极；
绝缘层，设置在所述第一电极和所述导电图案之间；以及
突出部分，设置在所述感测接触区中并且与所述绝缘层包括相同的材料，
其中，所述导电图案与所述感测信号线包括相同的导电层。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：
感测焊盘部分，设置在所述密封构件的外侧处，
其中，所述感测信号线电连接到所述感测焊盘部分。
9.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：
第一基板，包括显示区和围绕所述显示区的非显示区，所述非显示区包括感测接触区；
第二基板，面对所述第一基板；
感测信号线，位于所述第一基板和所述第二基板之间并且位于所述感测接触区中；
导电构件，设置在所述感测接触区中并且电连接到所述感测信号线；
控制信号线，设置在所述第一基板和所述感测信号线之间；以及
电压线，设置在所述控制信号线和所述感测信号线之间，所述电压线与所述控制信号线或所述感测信号线交叠。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述导电构件设置在密封构件的第一侧处，所述感测信号线从所述密封构件的所述第一侧延伸到所述密封构件的第二侧以接触感测焊盘。
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